KR101292619B1 - Method of manufacturing substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판의 생산속도를 향상시킬 수 있는 기판 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 제조방법은 잉곳(ingot)을 기판 형태로 절단(slicing)하는 절단 단계와, 기판의 양면을 랩핑(lapping)하거나, 기판의 양면을 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 단계와, 랩핑 혹은 샌드 블라스팅된 기판을 에칭액으로 에칭(etching)하는 제1에칭단계와, 제1에칭단계 이후, 기판의 후면(-면)을 샌드 블라스팅 하는 단계와, 샌드 블라스팅 된 기판을 에칭액으로 에칭(etching)하는 제2에칭단계와, 에칭된 기판의 전면을 경면 연마하는 폴리싱(polishing) 단계를 포함한다.The present invention relates to a substrate manufacturing method that can improve the production speed of the substrate. The substrate manufacturing method according to the present invention comprises a cutting step of slicing an ingot in the form of a substrate, lapping both sides of the substrate, or sand blasting both sides of the substrate; Alternatively, a first etching step of etching the sand blasted substrate with an etchant, and after the first etching step, sand blasting the back side (-side) of the substrate, and etching the sand blasted substrate with an etchant A second etching step and a polishing step of mirror polishing the entire surface of the etched substrate.
Description
본 발명은 반도체 소자용 기판 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고휘도 발광다이오드(LED)에 사용될 수 있는 기판 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate manufacturing method for a semiconductor device, and more particularly, to a substrate manufacturing method that can be used for a high brightness light emitting diode (LED).
발광다이오드(light emitting diode, LED)는 기존 조명용 광원(형광등, 백열등)과 비교하여 소비전력 대비 밝기가 우수하며, 부피가 작고, 두께가 얇고, 수은 등의 유해 물질이 포함되지 않는 장점이 있다. 그리고 발광다이오드는 방향성 광원으로 영역별 선택 조명이 가능하므로, 각종 조명, 신호등, 전광판 등에 이용되고 있다. 또한, 발광다이오드는 현재 휴대폰과 LCD 등의 디스플레이이의 백라이트유닛(back light unit, BLU)으로 널리 이용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) have advantages in comparison with conventional light sources (fluorescent lamps, incandescent lamps), which are superior in brightness and power consumption, and have a small volume, a thin thickness, and no harmful substances such as mercury. The light emitting diode is a directional light source, which enables selective illumination for each area. Therefore, the light emitting diode is used in various lightings, traffic lights, electronic signs, and the like. In addition, light emitting diodes are now widely used as back light units (BLUs) for displays such as mobile phones and LCDs.
특히, 1995년 청색 발광다이오드가 개발됨에 따라 모든 색상을 구현하는 것이 가능하게 된 이후, 3색 발광다이오드를 배합하여 원하는 색상의 빛을 구현할 수 있게 되어, 응용분야가 더욱 다양해지고 있다. 청색과 녹색 계열의 발광다이오드는 일반적으로 사파이어 기판 상에 GaN계 활성층을 에피(epi) 성장시켜 제조한다.In particular, since the blue light emitting diode was developed in 1995, since it is possible to implement all colors, it is possible to realize a light of a desired color by combining three color light emitting diodes, and the application fields are becoming more diverse. Blue and green light emitting diodes are generally manufactured by epitaxially growing a GaN active layer on a sapphire substrate.
이러한 사파이어 기판을 제조하는 방법에 관해서는, 공개특허 10-2011-0009799호 등에 개시된 바 있다. 종래의 경우, 사파이어 잉곳을 기판 단위로 절단(슬라이싱) 한 후, 절단시의 두께편차를 줄이고 원하는 거칠기를 만들이 위해 양면 랩핑한다. 이후, 랩핑시 발생되는 표면응력을 해소하기 위하여 기판을 열처리하고, 이후 기판의 모서리 가공 및 경면 폴리싱을 통해 기판을 제조한다.A method of manufacturing such a sapphire substrate has been disclosed in, for example, Patent Publication No. 10-2011-0009799. In the conventional case, the sapphire ingot is cut (sliced) on a substrate basis, and then double-sided lapping to reduce the thickness deviation during cutting and to create a desired roughness. Subsequently, the substrate is heat-treated in order to solve the surface stress generated during lapping, and then the substrate is manufactured through edge processing and mirror polishing of the substrate.
하지만, 종래의 경우 열처리 공정에서 기판에 형성되어 있는 표면응력을 해소함으로써 휘어져 있는 기판을 평평하게 하는데 있어서, 긴 공정시간으로 인하여 기판의 생산성을 저하되는 문제점이 있다.However, in the related art, in order to flatten the curved substrate by eliminating the surface stress formed on the substrate in the heat treatment process, there is a problem that the productivity of the substrate is lowered due to the long process time.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 기판의 생산속도를 향상시킬 수 있는 기판 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a substrate manufacturing method that can improve the production speed of the substrate.
본 발명에 따른 기판 제조방법은, 잉곳(ingot)을 기판 형태로 절단(slicing)하는 절단 단계와, 상기 기판의 양면을 랩핑(lapping)하거나, 상기 기판의 양면을 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 단계와, 상기 랩핑 혹은 샌드 블라스팅된 기판을 에칭액으로 에칭(etching)하는 제1에칭단계와, 상기 제1에칭단계 이후, 상기 기판의 후면(-면)을 샌드 블라스팅 하는 단계와, 상기 샌드 블라스팅 된 기판을 에칭액으로 에칭(etching)하는 제2에칭단계와, 상기 에칭된 기판의 전면을 경면 연마하는 폴리싱(polishing) 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Substrate manufacturing method according to the invention, the cutting step of slicing the ingot (ingot) in the form of a substrate (lapping), lapping the both sides of the substrate, or sand blasting (sand blasting) both sides of the substrate And a first etching step of etching the wrapped or sand blasted substrate with an etchant, and after the first etching step, sand blasting the back surface of the substrate (-surface), and the sand blasted substrate. And a second etching step of etching with an etchant, and a polishing step of mirror-polishing the entire surface of the etched substrate.
본 발명에 따르면, 상기 에칭액은 H2SO4, H3PO4 및 KOH 중에서 하나를 포함하거나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것이 바람직하다.According to the present invention, the etchant preferably comprises one of H 2 SO 4 , H 3 PO 4 and KOH, or a combination thereof.
또한, 본 발명에 따르면 상기 제1에칭단계에서 상기 에칭액의 온도는 100~380이며, 에칭을 하는 시간은 5~240분이며, 상기 제2에칭단계에서 상기 에칭액의 온도는 100~300, 에칭시간은 5~90분인 것이 바람직하다.Further, according to the present invention, the temperature of the etching solution in the first etching step is 100 to 380, the etching time is 5 to 240 minutes, the temperature of the etching solution in the second etching step is 100 to 300, etching time It is preferable that it is 5 to 90 minutes.
상기한 구성의 본 발명에 따르면, 종래 열처리 공정에 의해 기판의 표면응력을 해소하고, 웨이퍼의 휨을 최소화하는 공정에 비해 공정 시간을 감소시킬 수 있다. 그리고 습식 에칭 공정을 통하여 기존 경면 연마하는 공정의 단축을 통하여 기판 제조 시 생산 원가 및 공정 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 습식 에칭 공정에 의해 얼룩, 스크래치의 외관 불량 및 웨이퍼의 평탄도를 더 개선시킬 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, it is possible to reduce the process time compared to the process of eliminating the surface stress of the substrate by the conventional heat treatment process, and to minimize the warpage of the wafer. In addition, production cost and processing time may be reduced when manufacturing a substrate through shortening of a conventional mirror polishing process through a wet etching process. In addition, the wet etching process can further improve unevenness, poor appearance of scratches, and flatness of the wafer.
도 1은 본 발명에 따른 기판 제조방법에 대한 제1 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 제조방법에 대한 제2 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 제조방법에 대한 제3 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a process of performing a first embodiment of a method of manufacturing a substrate according to the present invention.
2 is a flowchart illustrating a process of performing a second embodiment of the method of manufacturing a substrate according to the present invention.
3 is a flowchart illustrating a process of performing a third embodiment of the method of manufacturing a substrate according to the present invention.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판 제조방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the substrate manufacturing method according to the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you.
도 1은 본 발명에 따른 기판 제조방법에 대한 제1 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a process of performing a first embodiment of a method of manufacturing a substrate according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 제조방법은 우선, 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)한다(S110). 잉곳은 사파이어, LiTaO3 및 LiNbO3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 절단 단계(S110)는 와이어 쏘(wire saw)를 통해 수행될 수 있다. 이때 사용되는 와이어 쏘는 멀티 와이어 쏘(multi wire saw)일 수 있다.Referring to FIG. 1, in the method of manufacturing a substrate according to the present embodiment, first, an ingot is sliced into a wafer form (S110). The ingot may be made of at least one of sapphire, LiTaO 3 and LiNbO 3 . Cutting step S110 may be performed through a wire saw. In this case, the wire saw used may be a multi wire saw.
다음으로, 웨이퍼 형태로 절단된 기판을 양면 랩핑(lapping)한다(S120). 절단 단계에서 형성된 기판은 각 지점에 따라 두께의 편차가 심하므로, 양면 랩핑(S120)을 통해 두께 편차를 감소하여 균일한 두께의 기판이 되도록 한다. 그리고 양면 랩핑(S120)을 통해 잉곳 절단(S110)시 발생된 절단 흔적을 제거하고, 잉곳 절단 후에 형성된 웨이퍼의 휨을 최소화한다. Next, both surfaces of the substrate cut in the form of a wafer are wrapped (S120). Since the substrate formed in the cutting step has a severe variation in thickness according to each point, the thickness variation is reduced through double-sided lapping (S120) to form a substrate having a uniform thickness. Then, the cutting traces generated during the ingot cutting (S110) are removed through the double-sided lapping (S120), and the warpage of the wafer formed after the ingot cutting is minimized.
다음으로, 양면 랩핑 된 기판을 에칭액을 이용하여 습식 에칭 한다(제1에칭단계)(S130). 제1에칭단계(S130)를 통해 절단(slicing) 단계와 양면 램핑 단계에서 생기는 표면가공응력을 해소하고, 양면 랩핑 단계에서 만들어진 거친 표면 가공 층을 제거하면서, 기판의 전면이 경면에 가까운 표면 상태가 되도록 한다. Next, wet etching the double-sided wrapped substrate using an etching solution (first etching step) (S130). The first etching step (S130) eliminates the surface processing stress generated during the slicing step and the double-sided ramping step, and removes the rough surface processing layer created in the double-sided lapping step, while the front surface of the substrate has a mirror surface state. Be sure to
제1에칭단계(S130)에 대하여, 더 구체적으로 설명하면, 랩핑된 기판을 에칭액이 담겨 있는 조(Bath)안에 침잠시켜 에칭액과 기판표면과의 화학반응을 통해 에칭 단계를 수행한다. 이때, 조(Bath)는 석영(Quartz), 테프론(Tefron), 니켈 중 하나로 이루어지는 것이 바람직하며, 히팅 맨틀에 장착함으로써 에칭액을 가열할 수 있는 것이 바람직하다. The first etching step S130 will be described in more detail. The etching step is performed by immersing the wrapped substrate in a bath containing an etching solution and performing a chemical reaction between the etching solution and the substrate surface. At this time, the bath (Bath) is preferably made of one of quartz (Quartz), Tefron (Tefron), nickel, it is preferable that the etching solution can be heated by mounting on the heating mantle.
그리고, 에칭액은 H2SO4, H3PO4 및 KOH 중에서 하나를 포함하거나 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 이때, H2SO4와 H3PO4으로 조합으로 에칭액을 조성하는 경우, 조성비율을 H2SO4 : H3PO4 = x : y라고 할 때, x, y는 1 = x or y = 10 이 바람직하다. 그리고, 에칭액은 100℃~380℃의 온도범위에서 유지되고, 에칭시간은 5~240분인 것이 바람직하다. 한편, 에칭액은 화학용액의 분위기 혼합과 온도, 시간 등의 조합으로 에칭 조건을 최적화 할 수 있으며, 이들의 조건들을 이용하여 기판의 두께 및 기판의 표면 거칠기, 또한 에칭된 기판의 표면 Pit의 크기들을 조절할 수 있다. The etchant may include one of H 2 SO 4 , H 3 PO 4, and KOH, or a combination thereof. At this time, when the etching solution is formed by combining H 2 SO 4 and H 3 PO 4 , when the composition ratio is H 2 SO 4 : H 3 PO 4 = x: y, x, y is 1 = x or y = 10 is preferred. And etching liquid is maintained in the temperature range of 100 degreeC-380 degreeC, and it is preferable that an etching time is 5-240 minutes. On the other hand, the etching solution can optimize the etching conditions by the combination of the atmosphere mixture of the chemical solution and the temperature, time, etc., and by using these conditions, the thickness of the substrate and the surface roughness of the substrate, and also the size of the surface Pit of the etched substrate I can regulate it.
다음으로, 습식 에칭된 기판을 후면(-면)을 샌드 블라스팅한다(S140). 샌드 블라스팅 단계(S140)를 통해 기판의 후면에 일정 압력으로 연마재를 분사함으로써 기판을 목적하는 두께가 되도록 하며, 기판의 후면에 에칭을 통해 만들어진 Pit들을 제거하고, 원하는 표면 거칠기가 되도록 한다. Next, the wet etched substrate is sandblasted on the rear surface (-side) (S140). Sandblasting step (S140) by spraying the abrasive on the back of the substrate at a predetermined pressure to make the substrate to the desired thickness, to remove the pits made by etching on the back of the substrate, to the desired surface roughness.
다음으로 샌드 블라스팅된 기판을 화학용액(에칭액)을 이용하여 습식 에칭한다(제2에칭단계)(S150). 제2에칭단계(S150)는(또는 Annealing 단계) 샌드 블라스팅 단계(S140)에서 형성된 응력을 해소하기 위한 단계이다. 이때, 사용되는 에칭장치 및 에칭액은 앞서 설명한 제1에칭단계(S130)에와 동일할 수 있다. 다만, 에칭액의 온도는 100℃~300℃, 에칭시간은 5~90분인 것이 바람직하다.Next, the sand blasted substrate is wet etched using a chemical solution (etching solution) (second etching step) (S150). The second etching step S150 (or annealing step) is a step for releasing the stress formed in the sand blasting step S140. At this time, the etching apparatus and the etchant used may be the same as in the first etching step (S130) described above. However, it is preferable that the temperature of etching liquid is 100 to 300 degreeC, and etching time is 5 to 90 minutes.
한편, 샌드 블라스팅 가공 시 생기는 표면응력을 해소하고, 웨이퍼의 휨을 최소화하는 조건과, 샌드 블라스팅을 통해 만들어진 기판의 이면 거칠기를 에칭 후에 원하는 거칠기가 되도록, 에칭 단계에서 온도, 시간, 분위기의 조합으로 최적화하도록 한다. 즉, 습식 에칭 단계를 통해 기판에 형성되어 있는 응력을 해소함으로써 휘어져 있는 기판을 평평하게 하고, 원하는 표면 거칠기가 되도록 한다. Meanwhile, the combination of temperature, time and atmosphere in the etching step is optimized to solve the surface stress generated during sand blasting process, minimize the warpage of the wafer, and to make the back surface roughness of the substrate made through sand blasting desired after etching. Do it. In other words, by dissolving the stress formed on the substrate through the wet etching step, the curved substrate is flattened and the desired surface roughness is achieved.
다음으로, 습식 에칭 된 기판의 모서리를 가공(edge grinding)한다(S160). Next, the edge of the wet etched substrate is processed (edge grinding) (S160).
그리고 모서리가 가공된 기판의 전면을 경면 연마한다(S170). 경면 연마 단계(S170)는 기판의 폴리싱(polishing) 공정으로 이루어진다. And mirror-polishing the front surface of the edge-processed substrate (S170). The mirror polishing step S170 is performed by a polishing process of the substrate.
폴리싱 공정은 기판의 전면을 경면으로 연마하는 공정으로, 패드 폴리싱(chemical mechanical polishing, CMP) 공정(S170)으로 진행된다. 패드 폴리싱 공정(S170)은 기판의 전면의 마이크로스크래치(microscratch), 파티클(particle), 얼룩, 피트(pit) 등의 결함을 제거하며, 표면의 거칠기를 최소화하여 기판의 전면이 경면화되도록 한다. The polishing process is a process of polishing the entire surface of the substrate to a mirror surface, and proceeds to a pad polishing process (CMP) (S170). The pad polishing process S170 removes defects such as microscratch, particles, stains, and pit on the front surface of the substrate, and minimizes the surface roughness so that the front surface of the substrate is mirrored.
도 2는 본 발명에 따른 기판 제조방법에 대한 제2 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다. 도 2를 참조하면, 잉곳 절단 이후에 후면(-면)에 대한 샌드 블라스팅 및 전면(+면)에 대한 샌드 블라스팅을 수행한다. 즉, 제2 실시예에서는, 제1 실시예에서의 양면랩핑(S120) 단계를 대신하여, 샌드 블라스팅 단계(S220 ~ S230)를 통해서 기판의 표면거칠기 및 두께를 결정한다. 2 is a flowchart illustrating a process of performing a second embodiment of the method of manufacturing a substrate according to the present invention. Referring to FIG. 2, after blasting the ingot, sand blasting is performed on the rear surface (− side) and sand blasting on the front side (+ side). That is, in the second embodiment, instead of the double-sided lapping (S120) step in the first embodiment, the surface roughness and thickness of the substrate is determined through the sand blasting step (S220 ~ S230).
도 3은 본 발명에 따른 기판 제조방법에 대한 제3 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 샌드 블라스팅 단계(S340)와 모서리 가공 단계(S360) 사이에, 기판에 대하여 열처리 공정을 수행한다.3 is a flowchart illustrating a process of performing a third embodiment of the method of manufacturing a substrate according to the present invention. Referring to FIG. 3, a heat treatment process is performed on the substrate between the sand blasting step S340 and the edge machining step S360.
즉, 제1 실시예의 에칭 단계(S150)를 대신하여, 열처리 단계(S350)를 통해서 샌드 블라스팅된 기판에 형성되어 있는 응력을 해소함으로써 휘어져 있는 기판을 평평하게 한다.That is, instead of the etching step S150 of the first embodiment, the curved substrate is flattened by releasing the stress formed in the sand blasted substrate through the heat treatment step S350.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 습식 에칭과 열처리 공정을 통해 양면 랩핑과 샌드 블라스팅 가공 시 생기는 표면응력을 해소하고, 웨이퍼의 휨을 최소화할 수 있다. 또한 습식 에칭을 통해 표면 가공층을 해소할 수 있다. As described above, in this embodiment, the surface stress generated during the double-side lapping and sand blasting process through wet etching and heat treatment process can be solved, and the warpage of the wafer can be minimized. It is also possible to eliminate the surface treatment layer through wet etching.
즉, 종래의 경우에는 양면 랩핑 단계 후에 열처리 공정을 통해서 양면 랩핑(혹은 샌드 블라스팅 가공)시 생기는 기판에 형성되어 있는 표면응력을 해소함으로써 휘어져 있는 기판을 평평하게 한다. 이때, 열처리 공정의 긴 제조시간에 의해 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다. 하지만 본 발명에서 에칭을 통해서 제조시간을 단축할 수 있는 장점이 있다. That is, in the conventional case, the curved substrate is flattened by releasing the surface stress formed on the substrate during the double-side lapping (or sand blasting) through the heat treatment process after the double-side lapping step. At this time, there was a problem of lowering productivity due to a long manufacturing time of the heat treatment step. However, in the present invention, there is an advantage that the manufacturing time can be shortened through etching.
그리고 모서리가 가공된 기판의 전면을 경면 연마하는 공정 시, 기판의 왁스 마운팅 공정, 폴리싱(polishing) 공정 및 디마운팅 공정 순으로 이루어진다. 하지만 본 발명에서 습식 에칭에 의해서 경면 연마 제조시간을 감소시킬 수 있고, 다이아몬드 폴리싱 공정에서와 같이 고가의 연마재가 사용되지 않으므로 생산 원가를 감소시킬 수 있다. In the process of mirror polishing the entire surface of the edge-treated substrate, a wax mounting process, a polishing process, and a demounting process of the substrate are performed in this order. However, in the present invention, it is possible to reduce the mirror polishing manufacturing time by wet etching, and to reduce the production cost since expensive abrasives are not used as in the diamond polishing process.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.
S110...절단 단계 S120...랩핑 단계
S130...습식 에칭 단계 S140...샌드 블라스팅 단계
S150...습식 에칭 단계 S160...모서리 가공 단계
S170...패드 단면 폴리싱 단계S110 ... cutting step S120 ... lapping step
S130 ... Wet etching step S140 ... Sand blasting step
S150 ... Wet etching step S160 ... Cornering step
S170 ... Pad Single Side Polishing Step
Claims (3)
상기 기판의 양면을 랩핑(lapping)하거나, 상기 기판의 양면을 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 단계와,
상기 랩핑 혹은 샌드 블라스팅된 기판을 에칭액으로 에칭(etching)하는 제1에칭단계와,
상기 제1에칭단계 이후, 상기 기판의 후면(-면)을 샌드 블라스팅 하는 단계와,
상기 샌드 블라스팅 된 기판을 에칭액으로 에칭(etching)하는 제2에칭단계와,
상기 에칭된 기판의 전면을 경면 연마하는 폴리싱(polishing) 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.A cutting step of slicing an ingot into a substrate form,
Lapping both sides of the substrate, or sand blasting both sides of the substrate,
A first etching step of etching the wrapped or sand blasted substrate with an etchant,
After the first etching step, sand blasting the back side of the substrate;
A second etching step of etching the sand blasted substrate with an etchant,
And polishing the entire surface of the etched substrate.
상기 에칭액은 H2SO4, H3PO4 및 KOH 중에서 하나를 포함하거나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.The method of claim 1,
The etchant comprises one of H 2 SO 4 , H 3 PO 4 and KOH or a combination thereof.
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