KR101525614B1 - Method of manufacturing substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평탄도가 우수한 웨이퍼를 제작할 수 있을 뿐 아니라, 웨이퍼 제작시 슬러리의 발생량을 감소시키며 생산효율을 증가시킬 수 있는 기판 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 제조방법은 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 단계와, 상기 절단된 웨이퍼의 양면을 랩핑하는 단계와, 상기 웨이퍼의 양면 중 전면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계와, 상기 그라인딩 된 웨이퍼의 면을 연마패드로 연마하는(polishing) 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of manufacturing a substrate which can not only produce a wafer with excellent flatness but also reduce the amount of slurry generated during wafer fabrication and increase the production efficiency. A method for manufacturing a substrate according to the present invention includes the steps of slicing an ingot into a wafer form, lapping both sides of the cut wafer, grinding the entire surface of the wafer on both sides with a diamond wheel Polishing the surface of the ground wafer with a polishing pad.
Description
본 발명은 반도체 소자용 기판 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고휘도 발광다이오드(LED)에 사용될 수 있는 기판 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
발광다이오드(light emitting diode, LED)는 기존 조명용 광원(형광등, 백열등)과 비교하여 소비전력 대비 밝기가 우수하며, 부피가 작고, 두께가 얇고, 수은 등의 유해 물질이 포함되지 않는 장점이 있다. 그리고 발광다이오드는 방향성 광원으로 영역별 선택 조명이 가능하므로, 각종 조명, 신호등, 전광판 등에 이용되고 있다. 또한, 발광다이오드는 현재 휴대폰과 LCD 등의 디스플레이이의 백라이트유닛(back light unit, BLU)으로 널리 이용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are superior in brightness to conventional power sources (fluorescent lamps, incandescent lamps), have a small volume, are thin, and do not contain harmful substances such as mercury. The light emitting diode is a directional light source and can be selectively illuminated by each region, and thus is used in various kinds of lighting, traffic lights, electric sign boards, and the like. In addition, light emitting diodes (LEDs) are widely used as backlight units (BLUs) of displays such as mobile phones and LCDs.
이러한 발광 다이오드는 사이이어 계통의 웨이퍼(기판) 상에 활성층을 에피 성장시켜 제조되는데, 이때 이용되는 사파이어 기판을 제조하는 방법에 관해서는, 공개특허 10-2011-0009799호 등에 개시된 바 있다.Such a light emitting diode is manufactured by epitaxially growing an active layer on a wafer (substrate) of a syringe system. A method of manufacturing a sapphire substrate to be used at this time is disclosed in, for example, JP-A-10-2011-0009799.
도 1을 참조하여 종래의 사파이어 기판(웨이퍼)을 제조하는 방법에 관하여 설명하면, 웨이퍼는, 잉곳을 웨이퍼 형태로 절단하는 공정, 양면 랩핑 공정, 열처리 공정, 모서리 가공공정 및 경면 연마공정(S9)을 통해 제조된다. 여기서, 경면 연마공정(S9)에 관해 설명하면, 먼저 웨이퍼를 왁스 마운팅 한 후, 슬러리 형태의 다이아몬드 연마재를 웨이퍼로 공급하면서 정반을 이용하여 웨이퍼의 전면을 연마한 후, 연마패드를 이용하여 웨이퍼의 전면을 폴리싱(polishing)하는 과정을 거치게 된다.A method of manufacturing a conventional sapphire substrate (wafer) will be described with reference to Fig. 1. The wafer includes a step of cutting the ingot into a wafer shape, a double-side lapping step, a heat treatment step, a cornering step and a mirror polishing step (S9) ≪ / RTI > Here, the mirror polishing step (S9) will be described. First, the wafers are wax-mounted. Then, the entire surface of the wafer is polished using a platen while supplying the diamond abrasive in the form of slurry to the wafer, The entire surface is polished.
하지만, 종래의 경우 웨이퍼를 연마할 때마다 폐 슬러리(랩핑 및 다이아몬드 연마재)가 발생하여, 비용이 증가할 뿐 아니라 폐 슬러리로 인한 환경 문제가 발생하게 되는 문제점이 있다.However, in the related art, waste slurry (lapping and diamond abrasive) is generated every time a wafer is polished, which causes not only an increase in cost but also environmental problems due to waste slurry.
본 발명의 목적은 평탄도가 우수한 웨이퍼를 제작할 수 있을 뿐 아니라, 웨이퍼 제작시 슬러리의 발생량을 감소시키며 생산효율을 증가시킬 수 있는 기판 제조방법을 제공하는 데에 있다.It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a substrate capable of manufacturing a wafer having excellent flatness, reducing the amount of slurry generated during wafer fabrication, and increasing production efficiency.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 제조방법은 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 단계와, 상기 절단된 웨이퍼의 양면을 랩핑하는 단계와, 상기 웨이퍼의 양면 중 전면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계와, 상기 그라인딩 된 웨이퍼의 면을 연마패드로 연마하는(polishing) 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a substrate, comprising: slicing an ingot into a wafer; lapping both sides of the cut wafer; Grinding the front surface with a diamond wheel, and polishing the surface of the ground wafer with a polishing pad.
본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼를 그라인딩 한 후 상기 웨이퍼의 양면 중 후면에 연마재를 분사하여 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 단계와, 상기 샌드 블라스팅 된 웨이퍼를 열처리하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable to further include a step of grinding the wafer, sandblasting the abrasive on the back surface of the wafer, sandblasting the wafer, and heat treating the sandblasted wafer.
본 발명에 따른 기판 제조방법은 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)하는 단계와, 상기 절단된 웨이퍼의 양면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계와, 상기 그라인딩 된 웨이퍼의 양면 중 전면을 연마패드로 연마하는(polishing) 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing a substrate according to the present invention includes the steps of slicing an ingot into a wafer form, grinding both sides of the cut wafer with a diamond wheel, and grinding the entire surface of both sides of the grinding wafer And polishing with a polishing pad.
본 발명에 따르면, 상기 그라인딩 된 웨이퍼의 양면 중 후면에 연마재를 분사하여 샌드 블라스팅(sand blasting)하는 단계와, 상기 샌드 블라스팅 된 웨이퍼를 열처리하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable that the method further comprises a step of sandblasting the abrasive on the back side of both sides of the ground wafer, and a step of heat-treating the sandblasted wafer.
본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼는 사파이어, LiTaO3 및 LiNbO3 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.According to the present invention, the wafer may include at least one of sapphire, LiTaO 3, and LiNbO 3 .
상기 샌드 블라스팅은 SiC, B4C, CeO2, SiO2, Al2O3 및 금속 입자 중 적어도 하나를 포함하여 이루어진 연마재를 이용하여 수행될 수 있다.The sandblasting may be performed using an abrasive comprising at least one of SiC, B 4 C, CeO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 and metal particles.
상기 연마재는 0.25MPa ~ 0.35MPa의 압력으로 분사되는 것이 바람직하다.The abrasive is preferably sprayed at a pressure of 0.25 MPa to 0.35 MPa.
상기 연마재 입자의 지름은 50μm ~ 100μm인 것이 바람직하다.It is preferable that the diameter of the abrasive particles is 50 mu m to 100 mu m.
본 발명에 따르면, 평탄도가 우수한 웨이퍼를 제작할 수 있을 뿐 아니라, 웨이퍼 제작시 슬러리의 발생량을 감소시키며 생산효율을 증가시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible not only to fabricate wafers excellent in flatness, but also to reduce the amount of slurry generated during wafer fabrication and increase production efficiency.
도 1은 본 발명에 따른 종래의 기판 제조방법의 개략적인 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조방법의 개략적인 흐름도이다.
도 3 내지 도 6은 본 실시예에 따른 기판 제조방법의 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 제조방법의 흐름도이다.1 is a schematic flow chart of a conventional method of manufacturing a substrate according to the present invention.
2 is a schematic flow chart of a method of manufacturing a substrate according to an embodiment of the present invention.
3 to 6 are graphs for explaining the effect of the substrate manufacturing method according to the present embodiment.
7 is a flowchart of a method of manufacturing a substrate according to another embodiment of the present invention.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판 제조방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, preferred embodiments of a method of manufacturing a substrate according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to let you know.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조방법의 개략적인 흐름도이다.2 is a schematic flow chart of a method of manufacturing a substrate according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 제조방법(M100)은 우선, 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 절단(slicing)한다(S10). 잉곳은 사파이어, LiTaO3 및 LiNbO3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 이 절단단계는 와이어 쏘(wire saw)를 통해 수행될 수 있다. 이때 사용되는 와이어 쏘는 멀티 와이어 쏘(multi wire saw)일 수 있다.Referring to FIG. 2, a substrate manufacturing method (M100) according to the present embodiment first slices an ingot into a wafer form (S10). The ingot may be made of at least one of sapphire crystal, LiTaO 3 and LiNbO 3. This cutting step can be performed through a wire saw. The wire striking wire used here may be a multi wire saw.
다음으로, 웨이퍼의 양면을 랩핑(lapping)한다(S20). 절단단계에서 형성된 웨이퍼는 각 지점에 따라 두께의 편차 및 휘어짐이 심하므로, 양면 랩핑(S20)을 통해 평탄한 기판이 되도록 한다. 그리고 양면 랩핑(S20)을 통해 잉곳 절단(S10)시 발생된 절단 흔적을 제거한다. Next, both surfaces of the wafer are lapped (S20). The wafer formed in the cutting step has a thickness deviation and warp depending on each point, so that it becomes a flat substrate through double-sided wrapping (S20). Then, cutting marks generated in the ingot cutting (S10) are removed through double-side wrapping (S20).
다음으로, 웨이퍼의 전면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)한다(S30). 다이아몬드 휠의 연마 과정에 관하여 설명하면, 웨이퍼의 후면을 진공 척을 이용하여 고정하고, 다이아몬드 휠을 회전시키면서 웨이퍼의 전면에 접촉시켜 웨이퍼의 전면을 그라인딩 한다. 이때, 냉각제(coolant)로 물이 공급될 수 있다. Next, the front surface of the wafer is grinded with a diamond wheel (S30). In the polishing process of the diamond wheel, the rear surface of the wafer is fixed by using a vacuum chuck, and the front surface of the wafer is ground by contacting the front surface of the wafer while rotating the diamond wheel. At this time, water can be supplied to the coolant.
한편, 그라인딩 공정 중 진공 척에 웨이퍼의 후면이 완전히 흡착되므로, 진공 척의 평탄도가 웨이퍼의 평탄도로 직결되게 된다. 따라서, 진공 척의 평탄도를 우수하게 하면, 웨이퍼의 평탄도가 우수해지는 장점이 있다. 그리고, 다이아몬드 휠의 다이아몬드 입자 크기를 변경하거나, 다이아몬드 입자의 크기 별로(즉, 다이아몬드 입자의 크기를 달리함) 복수의 그라인딩 단계를 마련함으로써 연마된 웨이퍼의 거칠기 등을 결정할 수 있다. On the other hand, since the back surface of the wafer is completely adsorbed to the vacuum chuck during the grinding process, the flatness of the vacuum chuck is directly connected to the flat surface of the wafer. Therefore, when the flatness of the vacuum chuck is made excellent, the flatness of the wafer is improved. Then, the roughness of the polished wafer or the like can be determined by changing the diamond particle size of the diamond wheel, or by providing a plurality of grinding steps for each diamond particle size (i.e., different diameters).
또한, 웨이퍼의 후면이 진공 척이 고정된 상태에서 웨이퍼의 전면이 연마되므로, 웨이퍼가 연마되는 과정에서 실시간으로 웨이퍼의 두께를 측정 및 제어할 수 있다.Further, since the front surface of the wafer is polished in a state where the back surface of the wafer is fixed with the vacuum chuck, the thickness of the wafer can be measured and controlled in real time during the polishing of the wafer.
한편, 그라인딩 공정에서 웨이퍼를 진공 척에 직접 고정할 수 있으나, 왁스 마운팅 공정 이후 웨이퍼가 마운팅 된 세라믹 블록을 진공 척에 고정할 수도 있다.On the other hand, the wafer can be directly fixed to the vacuum chuck in the grinding process, but the wafer-mounted ceramic block can be fixed to the vacuum chuck after the wax mounting process.
이후, 웨이퍼의 후면을 샌드 블라스팅한다(S40). 샌드 블라스팅 단계(S40)를 통해, 웨이퍼를 목적하는 두께가 되도록 하며, 웨이퍼의 후면을 원하는 거칠기가 되도록 한다. Thereafter, the back surface of the wafer is sandblasted (S40). Through the sandblasting step (S40), the wafer is brought to the desired thickness and the backside of the wafer is made to have the desired roughness.
샌드 블라스팅 단계(S40)는 가공할 웨이퍼를 회전시키면서, 노즐(gun)을 통해 일정 압력으로 웨이퍼의 후면에 연마재를 분사하여 수행한다. 이때 연마재는 SiC, B4C, CeO2, SiO2, Al2O3, 금속 입자 및 이들의 조합이 이용될 수 있다. 그리고, 분사된 연마재는 분사장치로 다시 회수되어 순환되며, 순환과정 중 집진기의 필터에서 작아졌거나 깨진 입자들을 분리시켜주고, 분리된 연마재의 양과 동일한 새 연마재가 장비 내에 투입되어, 연마재의 입자크기와 연마재의 양은 일정 수준으로 유지된다.The sandblasting step S40 is performed by spraying the abrasive material on the rear surface of the wafer at a constant pressure through a nozzle while rotating the wafer to be processed. The abrasive may be SiC, B 4 C, CeO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , metal particles, or a combination thereof. The sprayed abrasive material is recovered and circulated back to the spraying device. During the circulation process, the filter of the dust collector separates the small or broken particles, and a new abrasive material equal to the amount of the separated abrasive material is charged into the equipment, The amount of abrasive remains at a constant level.
한편, 샌드 블라스팅 단계(S40)를 통해 웨이퍼의 후면에 일정 압력으로 연마재를 분사함으로써 웨이퍼의 후면을 균일한 거칠기로 만들 수 있다. On the other hand, the back surface of the wafer can be made uniform in roughness by spraying the abrasive material at a certain pressure on the back surface of the wafer through the sandblasting step (S40).
샌드 블라스팅 단계(S40)에 대하여, 보다 더 구체적으로 설명하면, 가공할 웨이퍼를 진공 흡착 테이블에 장착하고, 150rpm이상 2400rpm이하의 일정 속도로 진공 흡착 테이블을 회전시킨다. 동시에 고압 분사 노즐(Gun)은 기판에서 10~20 cm 정도 떨어진 위치에서, 0.25MPa ~ 0.35MPa의 일정 압력으로 연마재를 분사한다. 여기서, 연마재 입자의 지름은 50μm ~ 100μm인 것이 바람직하다. 이때, 연마재 입자의 종류, 연마재 입자의 크기, 연마재 입자의 분사 압력, 고압 분사 노즐에서 나오는 연마재의 분사 범위 등의 조건과, 진공 흡착 테이블의 회전 속도 등의 조건을 조절하면, 웨이퍼의 두께 및 기판의 거칠기를 조절할 수 있다. 바람직하게는, 샌드 블라스팅 가공 이후에 웨이퍼 후면의 거칠기는 Ra0.6μm ~ Ra1.2μm 정도가 되는 것이 바람직하다.More specifically, in the sandblasting step (S40), the wafer to be processed is mounted on a vacuum adsorption table, and the vacuum adsorption table is rotated at a constant speed of 150 rpm or more and 2400 rpm or less. At the same time, the high-pressure spray nozzle injects the abrasive material at a constant pressure of 0.25 MPa to 0.35 MPa at a distance of 10 to 20 cm from the substrate. Here, the diameter of the abrasive particles is preferably 50 mu m to 100 mu m. At this time, by adjusting conditions such as the type of abrasive particles, the size of the abrasive particles, the jetting pressure of the abrasive particles, the jetting range of the abrasive from the high-pressure jetting nozzle, and the rotation speed of the vacuum adsorption table, Can be adjusted. Preferably, after the sandblasting, the roughness of the rear surface of the wafer is about Ra 0.6 탆 to Ra 1.2 탆.
다음으로, 웨이퍼를 열처리한다(S50). 다이아몬드 휠 그라인딩 및 샌드 블라스팅 된 웨이퍼는 가공응력을 갖게 되고, 이 가공응력을 해소시킬 필요가 있는데, 이를 위해 열처리(S50)를 수행한다. 열처리 단계(S50)는 900 ~ 1600℃ 정도의 온도 범위에서 수행되는 것이 바람직하다. Next, the wafer is heat-treated (S50). The diamond wheel grinding and sandblasted wafers have a working stress, and it is necessary to dissolve the working stress. To do this, heat treatment (S50) is performed. The heat treatment step (S50) is preferably performed in a temperature range of about 900 to 1600 deg.
다음으로, 열처리된 웨이퍼의 모서리를 가공(edge grinding)한다(S60). Next, the edges of the heat-treated wafers are subjected to edge grinding (S60).
이후, 웨이퍼를 왁스 마운팅(S70) 한 후, 패드 폴리싱(chemical mechanical polishing, CMP) 공정(S80)을 진행한다. 패드 폴리싱(chemical mechanical polishing, CMP) 공정(S80)에서는 웨이퍼의 전면을 연마패드로 연마함으로써, 다이아몬드 휠 그라인딩 공정에서 발생한 응력을 제거하고, 웨이퍼 전면의 마이크로스크래치(microscratch), 파티클(particle), 얼룩, 피트(pit) 등의 결함을 제거하며, 표면의 거칠기를 최소화하여 웨이퍼의 전면이 경면화되도록 한다. Thereafter, the wafer is wax-mounted (S70), and then a chemical mechanical polishing (CMP) process (S80) is performed. In the chemical mechanical polishing (CMP) process (S80), the front surface of the wafer is polished with a polishing pad to remove the stress generated in the diamond wheel grinding process, and microscratches, particles, , Pits and the like are removed, and the roughness of the surface is minimized so that the entire surface of the wafer is mirror-finished.
이후, 웨이퍼를 디마운팅 하면 공정이 완료된다.Then, when the wafer is demounted, the process is completed.
한편, 본 실시예와 같이 다이아몬드 휠 그라인딩 방법으로 웨이퍼를 가공하였을 때와, 종래와 같이 다이아몬드 연마재 및 정반을 이용하여 웨이퍼를 연마하였을 때의 웨이퍼의 품질을 비교해 보았으며, 그 결과가 도 3 내지 도 6에 그래프로 나타나 있다.On the other hand, the quality of the wafers was compared when the wafers were processed by the diamond wheel grinding method as in the present embodiment, and when the wafers were polished using the diamond abrasive and the surface plate as in the prior art. 6 as a graph.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 다이아몬드 휠 그라인딩(점선으로 표시) 방식으로 가공하였을 때가, 다이아몬드 연마재(실선, normal로 표시)를 이용하였을 때보다, 웨이퍼의 TTV(total thickness variation), LTV(local thickness variation) max, NTV, BOW 수치가 전체적으로 양호함을 확인할 수 있으며, 이를 통해 다이아몬드 휠 그라인딩을 할 경우 웨이퍼의 평탄도가 전체적으로 우수해짐을 확인할 수 있다.3 to 6, the total thickness variation (TTV), the relative localization (LTV) of the wafer, and the localization of the wafer are compared with each other when diamond wheel grinding (indicated by a dotted line) thickness variation) max, NTV, and BOW values are all good. As a result, it can be confirmed that the diamond flatness of the wafer is excellent when diamond wheel grinding is performed.
또한, 다이아몬드 휠 그라인딩 한 웨이퍼 전면의 거칠기는 약 Ra 0.131nm로 측정되었으며, 다이아몬드 연마재를 이용한 웨이퍼 전면의 거칠기는 약 Ra 0.185nm로, 본 실시예를 이용한 경우 웨이퍼 전면의 거칠기가 더 낮음을 확인할 수 있다.In addition, the roughness of the front surface of the wafer grinding the diamond wheel was measured to be about Ra 0.131 nm, and the roughness of the front surface of the wafer using the diamond abrasive was about Ra 0.185 nm. have.
여기서, TTV는 웨이퍼 두께의 최대지점과 최소지점의 차이를 의미하며, LTV는 웨이퍼를 다수의 셀로 나누었을 때, 하나의 셀 내에서 웨이퍼 두께의 최대지점과 최소지점의 차이이고, LTV max는 그 중 최대값을 말한다. 그리고, NTV(GFLR)란 아래의 그림에서와 같이 웨이퍼의 측정범위 내에서 전측정점 데이터를 최소2승법에 의하여 구하고, 가상평면에서의 각 측정점 데이터와의 차이의 최대값과 최소값을 의미한다.Here, TTV denotes the difference between the maximum point and the minimum point of the wafer thickness, LTV is the difference between the maximum point and the minimum point of the wafer thickness in one cell when the wafer is divided into a plurality of cells, The maximum value among them. The NTV (GFLR) means the maximum and minimum values of the difference between each measurement point data in the virtual plane and the entire measurement point data within the measurement range of the wafer, as shown in the figure below.
또한, BOW란 웨이퍼가 비흡착된 상태에서 웨이퍼의 중심에 대하여, 중심 이외의 지점과의 높이 차이값을 나타낸 것이다. 도 6을 참조하면, 다이아몬드 휠 그라인딩으로 가공할 경우 방향성 컨트롤이 용이해 짐에 따라 BOW가 모두 일정하게 (-)값을 가지지만, 종래의 경우에는 BOW가 (+)값을 가지는 점도 있고 (-)값을 가지는 지점도 있음을 확인할 수 있다.BOW is a height difference value with respect to the center of the wafer in a state where the wafer is not adsorbed, with respect to a point other than the center. Referring to FIG. 6, when the diamond wheel grinding is performed, the BOW has a constant value (-) as the directional control becomes easy, but in the conventional case, BOW has a positive value (- ) Value in the first place.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 종래와 같이 다이아몬드 슬러리를 사용하지 않으므로, 폐 다이아몬드 슬러리로 인한 환경오염 및 비용증가의 문제가 발생되는 것이 방지된다.As described above, according to the present invention, since the diamond slurry is not used as in the prior art, the problem of environmental pollution and cost increase due to the waste diamond slurry is prevented from occurring.
또한, 가공된 웨이퍼의 평탄도가 전체적으로 더 우수해지고, 웨이퍼 전면의 거칠기는 더 낮아지게 될 뿐 아니라, 웨이퍼의 생산속도가 향상된다.In addition, the flatness of the processed wafer as a whole becomes better, the roughness of the entire surface of the wafer becomes lower, and the production speed of the wafer is improved.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 제조방법의 개략적인 흐름도이다.7 is a schematic flow chart of a method of manufacturing a substrate according to another embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 경우 다음과 같은 공정으로 진행된다. 먼저, 잉곳을 웨이퍼 형태로 절단한다(S110). 그리고, 웨이퍼의 양면을 다이아몬드 휠로 그라인딩 한다(S120~S150). 이후, 웨이퍼의 후면을 샌드 블라스팅 한 후(S160), 웨이퍼에 대해 열처리를 진행한다(S170). 이후, 웨이퍼의 모서리를 가공하고(S180), 웨이퍼의 전면을 패드 폴리싱(S190) 한다.Referring to FIG. 7, the present embodiment proceeds to the following process. First, the ingot is cut into a wafer form (S110). Then, both surfaces of the wafer are ground with a diamond wheel (S120 to S150). Thereafter, the back surface of the wafer is sandblasted (S160), and the wafer is then subjected to heat treatment (S170). Then, the edge of the wafer is processed (S180), and the entire surface of the wafer is polished (S190).
본 실시예의 경우에도, 앞서 설명한 실시예처럼 다이아몬드 연마재와 정반을 사용하지 않으므로, 앞서 설명한 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 양면 랩핑 공정을 추가적으로 대체할 수 있는 장점이 있다. Also in this embodiment, since the diamond abrasive and the surface plate are not used as in the above-described embodiment, the same effects as those of the above-described embodiments can be obtained, and the double-side lapping process can be further substituted.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.
M100, M200...기판 제조방법M100, M200 ... Substrate manufacturing method
Claims (9)
상기 절단된 웨이퍼의 양면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계;
상기 그라인딩 된 웨이퍼의 양면 중 전면을 연마패드로 연마하는(polishing) 단계;
상기 그라인딩 된 웨이퍼의 양면 중 후면에 연마재를 분사하여 샌드 블라스팅 하는 단계; 및
상기 연마 및 상기 샌드 블라스팅 된 웨이퍼를 열처리하는 단계;를 포함하며,
상기 다이아몬드 휠로 그라인딩 하는 단계에서는, 다이아몬드 입자 크기가 서로 다른 다이아몬드 휠로 변경하면서 그라인딩을 복수회 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법. Slicing the ingot into a wafer form;
Grinding both sides of the cut wafer with a diamond wheel;
Polishing the entire surface of both surfaces of the ground wafer with a polishing pad;
Sandblasting the abrasive on the back side of both sides of the ground wafer; And
And subjecting the sandblasted wafer to a heat treatment,
Wherein the step of grinding with the diamond wheel comprises grinding a plurality of times while changing to a diamond wheel having a different diamond particle size.
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