KR101285954B1 - 특정 입체 형상을 갖는 칩을 사용한 인조대리석 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 특정 입체 형상을 갖는 칩을 사용한 인조대리석 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 프레스, 금형 및 압출 성형을 통해 특정 형상의 칩을 제조하는 단계를 포함하는 인조대리석의 제조방법을 제공하며, 이 방법으로 제조된 인조대리석은 기존 인조대리석과 동일한 물성을 가지면서도 천연석과는 다르지만 독특한 외관 느낌을 갖는다.

특정 형상, 칩, 인조대리석

Description

특정 입체 형상을 갖는 칩을 사용한 인조대리석 및 이의 제조방법{Artificial marble using chip of specific shape and process for preparing the same}

본 발명은 기존 인조대리석과 동일한 물성을 가지면서도 천연석의 외관이 아닌 특정 형태로 제조된 칩을 포함함으로써 천연석과는 다르지만 독특한 외관 느낌을 갖는 인조대리석 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

인조대리석은 천연석 외관과 우수한 물성으로 인해 싱크대 상판, 상업용 테이블 등으로 널리 이용되어 왔다.

지금까지 인조대리석은 주로 천연 화강석 및 천연대리석의 외관을 표현하는 방향으로만 개발되어 왔다. 천연 화강석의 외관을 구현하기 위해서 칩을 사용하게 되는데, 이 칩은 아크릴, 불포화 폴리에스터, 에폭시, 멜라민 등의 수지 또는 조개, 석영 등의 자연물까지 여러 가지가 사용 가능하다. 하지만 이 칩들은 주로 딱딱한 상태의 시트를 분쇄해 적당한 크기로 만든 다음 이를 크기 별로 분류하고 각 크기 별로 그 사용량을 달리하여 첨가함으로써 외관의 효과를 부여하게 된다. 분쇄를 통한 칩의 제조는 칩의 형태가 대체로 구형에 가깝게 일률적으로 형성되어 칩의 형태는 거의 비슷하다는 단점을 가지고 있다.

대한민국 특허공개 제2008-70345호에는 시트에 일정한 무늬형태로 접착제를 전이하는 단계, 접착제가 전이된 시트에 칩을 스캐터링하는 단계, 일정한 무늬형태로 칩이 접착된 칩시트를 이용하여 인조석을 성형하는 단계, 및 시트를 제거하는 단계를 포함하는 인조석의 제조방법이 개시되어 있다. 이 특허에서는 특정 형상을 갖는 칩을 사용하는 것이 아니라, 특정 무늬를 갖는 접착제에 여러 개의 칩을 부착시켜 특정 무늬를 형성시키며, 칩을 제조하는 방법 또한 본 발명과 상이하다.

대한민국 특허공개 제2008-82049호에는 위로부터 이형지, 접착제층, 베이스필름을 포함하는 시트의 이형지 표면에 일정한 무늬형태로 디자인을 형성하는 단계, 디자인이 형성된 부분의 이형지를 절단하여 제거함으로써 접착제층을 노출시키는 단계, 절단 부분의 접착제층에 칩을 스캐터링하여 칩시트를 제작하는 단계, 칩시트를 이용하여 인조석을 성형하는 단계, 및 시트를 제거하는 단계를 포함하는 인조석의 제조방법이 개시되어 있다. 이 특허에서도 특정 형상을 갖는 칩을 사용하는 것이 아니라, 특정 디자인을 갖도록 접착제층 위의 이형지를 제거한 후 여러 개의 칩을 부착시켜 특정 무늬를 형성시키며, 칩을 제조하는 방법 또한 본 발명과 상이하다.

일본 특허등록 제4067170호에는 주 조성이 무기질재와 수지로 구성된 인조석 성형체로서, 적어도 그 일부에는 야광성의 발광부가 마련되어 있고, 이 발광부에는 축광성 또는 야광성 물질과 투명성 무기질 골재가 함유되고, 시야가 밝은 통상 시에는 발광부와 그 밖의 비발광부가 구별되지 않도록 안료 또는 염료의 첨가 배합에 의해 조색되어 있는 것을 특징으로 하는 인조석 성형체가 개시되어 있다. 이 특허에서는 칩을 사용하는 것이 아니라, 돌부 또는 홈부 부위에만 발광성 물질을 첨가한 조성물을 사용하며, 특히 시야가 밝은 통상 시에는 인조석에서 발광부와 비 발광부가 구별되지 않는 것이 특징이다.

일본 특허공개 제2005-131847호에는 표면에 돌결 모양의 장식을 갖고, 내부에도 칩에 의한 돌결 모양을 갖는 열경화성 수지 성형품이 개시되어 있다. 이 특허에서는 인조석을 절단했을 때 그 절단된 단면의 전체에서 돌결 모양이 나타나도록 제조할 뿐, 특정 형상을 갖는 칩을 사용하는 것이 아니며, 칩을 제조하는 방법 또한 본 발명과 상이하다.

대한민국 특허등록 제529414호에는 성형틀을 준비하는 단계, 성형틀의 바닥면에 겔코트를 스크린 인쇄 방법에 의해 도포하여 무늬층을 형성하는 단계, 천연석분과 점성 투명 수지액을 혼합하여 만들어지는 석분반죽을 준비하고 석분반죽을 성형틀의 내부에 채우는 단계, 및 석분반죽을 경화시킨 후 무늬층과 함께 성형틀에서 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 표면에 무늬를 갖는 인조석 제조방법이 개시되어 있다. 이 특허에서는 칩을 사용하는 것이 아니라, 겔코트와 석분을 이용하여 무늬층을 형성한다.

본 발명의 목적은 기존 인조대리석과 동일한 물성을 가지면서도 천연석과는 다르지만 독특한 외관 느낌을 갖는 인조대리석 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 프레스, 금형 및 압출 성형을 통해 특정 형상의 칩을 제조하는 단계를 포함하는 인조대리석의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 제1실시 태양에 따른 인조대리석의 제조방법은 프레스를 이용하여 본을 뜨는 방법으로서, 본 발명에서 가장 바람직한 제조방법이며, 구체적으로는 수지 조성물을 시트 형태로 가공하는 단계; 프레스에 부착된 특정 형상의 틀로 시트에 본을 떠낸 후 경화시켜 특정 형상의 칩을 제조하는 단계; 및 특정 형상의 칩을 사용하여 인조대리석을 제조하는 단계를 포함한다.

이 실시 태양에서 프레스에 부착된 특정 형상의 틀로 시트에 본을 떠내기 위해서는, 프레스가 가능한 고점도의 수지 조성물을 사용해야 하며, 바람직한 수지 조성물의 점도는 50,000 내지 1,000,000 cp이다.

또한, 고점도의 수지 조성물을 만들기 위해서는, 충전제를 다량으로 첨가해야 하나, 다량의 충전제를 사용할 경우 원료비가 상승할 뿐 아니라 조성물의 점도가 지나치게 높아져 탈포가 어렵고 흐름성이 열악해지는 단점이 있고 칩의 비중이 높아진다. 칩의 비중이 높아지면 인조대리석에 적용할 때 바탕 영역을 이루는 베이 스 원료와의 비중 차이로 인해 칩 분리 현상이 일어난다. 증점제를 사용할 경우 통상적인 양의 충전제를 사용하면서도 점도를 높일 수 있어서 바람직하다.

본 발명의 제2실시 태양에 따른 인조대리석의 제조방법은 금형을 이용하는 방법으로서, 구체적으로는 특정 형상의 금형을 제작하는 단계; 금형에 수지 조성물을 부어 경화시킨 후 탈형하여 특정 형상의 칩을 제조하는 단계; 및 특정 형상의 칩을 사용하여 인조대리석을 제조하는 단계를 포함한다.

이 실시 태양에서는 금형에 수지 조성물을 붓기 때문에 저점도의 수지 조성물을 사용해야 하며, 바람직한 수지 조성물의 점도는 500 내지 20,000 cp이다.

본 발명의 제3실시 태양에 따른 인조대리석의 제조방법은 압출성형을 이용하는 방법으로서, 구체적으로는 특정 형상의 토출구를 갖는 압출기에 수지 조성물을 투입하여 토출구로 압출하는 단계; 토출구로 압출된 특정 형상의 단면을 갖는 압출물을 절단하여 특정 형상의 칩을 제조하는 단계; 및 특정 형상의 칩을 사용하여 인조대리석을 제조하는 단계를 포함한다.

이 실시 태양에서 압출물을 뽑아내려면 고점도의 수지 조성물을 사용해야 하며, 바람직한 수지 조성물의 점도는 20,000 내지 100,000 cp이다. 이 실시 태양에서도 고점도의 수지 조성물을 만들기 위해, 수지 조성물에 증점제를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 상술한 방법에 따라 제조되며, 바탕 영역 및 이 바탕 영역과 색상이 다르고 특정 형상을 갖는 칩을 포함하는 인조대리석을 제공한다.

본 발명에서 칩은 특정 형상을 가지며, 예를 들면 나이키, 코카콜라 등 특정 업체의 로고 형상, 꽃 모양, 각종 도형 모양을 사용할 수 있으며, 이들을 조합하여 형상 및/또는 색상이 상이한 2종 이상의 칩을 사용할 수도 있다. 본 발명에서 칩의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 상술한 예시 이외에 다양한 형상을 사용할 수 있음은 물론이다. 또한, 특정 형상의 칩 이외에 통상적으로 사용되는 일반 분쇄 칩도 사용 가능하다.

본 발명에 따르면, 기존 인조대리석과 동일한 물성을 가지면서도 천연석과는 다르지만 독특한 외관 느낌을 갖는 인조대리석을 제조할 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1실시 태양에 따라 프레스를 이용하여 본을 뜨는 방법으로 특정 형상의 칩을 제조하는 공정 사진으로, 시트로부터 별, 하트 형상 등의 본을 떠 낸 사진이다.

도 2는 본 발명에 따른 인조대리석의 사진으로, 왼쪽 사진에서는 하트 형상의 칩을 사용하였으며, 오른쪽 사진에서는 나이키 로고 형상의 칩을 사용하였다.

도 2의 제품 사진을 보면 알 수 있듯이, 나이키 로고 형상과 하트 형상의 칩 이외에, 통상적으로 사용되는 일반 분쇄 칩도 사용되었다.

본 발명에 따른 인조대리석의 제조공정은 특정 형상의 칩 제조단계 및 인조대리석 제조단계로 구성되고, 특정 형상의 칩의 제조는 통상적인 인조대리석 제조방식을 통해 가능하며, 구체적으로는 다음의 3가지 방법으로 제조할 수 있다.

제1실시 태양의 방법은 프레스를 이용하여 본을 뜨는 방법으로, 프레스가 가능한 고점도의 조성물을 시트 형태로 가공한 후 여기에 특정 형상의 틀로 시트에 본을 떠낸 후 이것을 경화시켜 칩을 얻는 방법이다.

제2실시 태양의 방법은 금형을 이용하는 방법으로, 특정 형상의 금형을 제작한 후 여기에 인조대리석용 조성물을 부어 경화시킨 후 탈형하여 칩을 얻는 방법이다.

제3실시 태양의 방법은 압출성형을 이용하는 방법으로, 압출성형방식에 의해 토출구의 모양을 특정 형상으로 적용해 생산된 특정 형상의 단면을 갖는 프로파일을 적당한 크기로 절단하여 칩을 제조하는 방법이다.

이렇게 제조된 칩은 통상적인 인조대리석 제조방식에 그대로 적용 가능하다.

이하, 본 발명에 따른 인조대리석의 제조방법을 상세히 설명한다.

먼저, 특정 형상의 칩을 제조한다.

제1실시 태양에 따르면, 수지 조성물을 시트 형태로 가공하고, 프레스에 부착된 특정 형상의 틀로 시트에 본을 떠낸 후 경화시켜 특정 형상의 칩을 제조한다.

시트는 카렌다, 압출기 등을 이용하여 제조할 수 있다.

프레스에 부착되는 틀은 특정 형상을 이루는 테두리로 구성되고 내부는 비어 있다.

시트에 본을 뜬다는 것은 특정 형상의 틀을 시트에 찍어 내려서 틀의 테두리 형상대로 시트를 절단하는 것을 의미한다.

틀로 시트에 본을 떠내기 위해서는, 프레스가 가능한 고점도의 수지 조성물 을 사용해야 하며, 바람직한 수지 조성물의 점도는 50,000 내지 1,000,000 cp이다.

또한, 고점도의 수지 조성물을 만들기 위해서는, 충전제를 다량으로 첨가해야 하나, 다량의 충전제를 사용할 경우 원료비가 상승할 뿐 아니라 조성물의 점도가 지나치게 높아져 탈포가 어렵고 흐름성이 열악해지는 단점이 있고 칩의 비중이 높아진다. 칩의 비중이 높아지면 인조대리석에 적용할 때 바탕 영역을 이루는 베이스 원료와의 비중 차이로 인해 칩 분리 현상이 일어난다. 증점제를 사용할 경우 통상적인 양의 충전제를 사용하면서도 점도를 높일 수 있어서 바람직하다.

증점제로는 금속산화물류 또는 금속수산화물(산화마그네슘, 수산화마그네슘 등)을 사용할 수 있다.

시트로 가공하기 전에 수지 조성물을 숙성시켜 증점시킬 수 있으며, 증점에는 수시간에서 하루 이상의 시간이 소요된다. 증점 과정 중 상온 내지 50℃의 온도에서 반 경화(semi-curing)하는 단계를 포함할 수 있는데, 반 경화를 통해 증점 시간을 2시간 이내로 단축시킬 수 있다.

제1실시 태양에 따른 수지 조성물은 베이스 수지, 충전제, 가교제, 중합개시제, 안료, 증점제 등으로 조성되며, 구체적으로는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 충전제 100 내지 300 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 5 중량부, 증점제 1 내지 10 중량부로 조성된다.

베이스 수지로는 아크릴계 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 에폭시계 수지 등이 사용 가능하다. 베이스 수지는 수지 단량체 및/또는 중합체로 이루어지며, 통상적으로는 단량체와 중합체의 혼합물로 조성된 수지 시럽을 사용한다.

아크릴 수지 시럽은 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트 및 글리시딜메타크릴레이트 중에서 선택되는 메타크릴레이트 단량체 단독 또는 2종 이상의 혼합물이며, 메타크릴레이트 단량체 및 그 일부가 중합된 중합체의 혼합물을 사용할 수도 있다. 이들 중에서 메틸메타크릴레이트가 특히 바람직하다. 시럽내의 중합체의 함량은 10 내지 50 중량%인 것이 바람직하다.

불포화 폴리에스터로는 포화 및/또는 불포화 이염기산과 다가 알콜의 축합반응에 의해 수득되는 산가 5 내지 40, 분자량 1,000 내지 5,000 정도 범위를 갖는 불포화 폴리에스터를 사용할 수 있다. 이때 사용하는 불포화 이염기산, 포화 이염기산으로는 무수말레인산, 시트라콘산, 푸마르산, 이타콘산, 프탈산, 무수프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 호박산, 아디핀산, 세바신산, 테트라하이드로프탈산 등을 사용할 수 있으며, 필요에 따라 아크릴산, 프로피온산, 안식향산 등과 같은 일염기산이나, 트리멜리트산, 벤졸의 테트라카아본산과 같은 다염기산도 사용할 수 있다. 다가 알콜로는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 수소화 비스페놀 A, 트리메틸롤프로판모노아릴에테르, 네오펜틸글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 글리세린 등을 사용할 수 있다.

에폭시 수지로는 카르복시산 등 산기를 포함한 에폭시 변성수지를 들 수 있다.

충전제로는 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 알루민산 칼슘, 탄산칼슘, 실리카 분말, 알루미나 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용 가능하다. 충전제의 입자크기는 10 내지 200 ㎛인 것이 바람직하며, 굴절율은 1.57 내지 1.62인 것이 바람직하다. 충전제는 수지와의 분산성, 제품의 기계적 강도 향상 및 침전방지 등을 위해 실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 또는 스테아린산으로 처리된 표면을 갖는 것이 바람직하다. 충전제의 바람직한 함량은 베이스수지 시럽 100 중량부에 대하여 100 내지 200 중량부이다.

가교제는 분자내 공중합 가능한 이중결합을 포함하여 아크릴 수지 시럽과 가교결합하는 다관능성 아크릴 단량체로서, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리메티롤 프로판 트리메타크릴레이트, 1,6-헥산 디올 디메타크릴레이트, 폴리부틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 및 네오펜틸 글리콜 디메타크릴레이트 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상의 혼합물이며, 이들 중에서 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트가 특히 바람직하다. 가교제들을 사용하지 않거나 너무 적게 사용할 경우에는 표면의 요철이 발생하고, 인조대리석의 상부와 하부에 기포가 발생하는 등 원료들간의 결합력이 떨어지게 되고, 내열성 및 내열 변색성이 나빠진다. 가교제를 너무 많이 사용할 경우에는 칩들의 상분리가 일어나게 되어서 인조대리석 패턴에 많은 문제점을 나타낸다. 따라서 가교제의 사용량은 베이스수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부가 바람직하다.

중합개시제는 유기 과산화물으로서 벤조일 퍼옥사이드, 디쿠밀 퍼옥사이드와 같은 디아실 퍼옥사이드, 부틸하이드로 퍼옥사이드, 쿠밀하이드로 퍼옥사이드와 같 은 하이드로 퍼옥사이드, t-부틸 퍼옥시 말레인산, t-부틸하이드로 퍼옥사이드, t-부틸 하이드로 퍼옥시부틸레이트, 아세틸 퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상의 혼합물을 사용한다. 아울러, 아민의 퍼옥사이드와 술폰산의 혼합물 또는 퍼옥사이드와 코발트 화합물의 혼합물을 사용하여 중합과 경화가 실온에서 수행되도록 할 수 있다. 중합개시제의 함량은 베이스수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부인 것이 바람직하며, 중합촉진제와 함께 사용하는 것이 일반적이다.

또한, 노르말도데실메르캅탄, 터어셔리도데실메르캅탄, 벤질메르캅탄 및 트리메칠벤칠메르캅탄 등의 메르캅탄 화합물과 같은 라디칼 운반체를 사용할 수 있다. 라디칼 운반체의 함량은 베이스수지 시럽 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부가 바람직하다.

발색수단은 특별히 한정되는 것은 아니며, 통상적으로 알려진 인조대리석 첨가성분으로 유기 또는 무기 안료나 염료 등이 사용될 수 있다.

이외에도 통상적으로 알려진 인조대리석의 첨가성분으로 실리콘계 또는 비실리콘계 소포제; 트리메톡시실란을 주성분으로 하는 실란계, 산계 또는 티타네이트계 커플링제; 페닐 살리실레이트계, 벤조페논계, 벤조트리아졸계, 니켈 유도체계 또는 라디칼 제거제계 자외선 흡수제; 할로겐계, 인계 또는 무기금속계 난연제; 스테아린산계 또는 실리콘계 이형제; 카테콜계 또는 하이드로퀴논류계 중합억제제; 페놀계, 아민계, 퀴논계, 유황계 또는 인계 산화방지제 중에서 선택되는 1종 이상 의 첨가제를 추가로 첨가할 수 있다.

제2실시 태양에 따르면, 특정 형상의 금형을 제작하고, 금형에 수지 조성물을 부어 경화시킨 후 탈형하여 특정 형상의 칩을 제조한다.

이 실시 태양에서는 금형에 수지 조성물을 붓기 때문에 저점도의 수지 조성물을 사용해야 하며, 바람직한 수지 조성물의 점도는 500 내지 20,000 cp이다.

제2실시 태양에 따른 수지 조성물은 베이스 수지, 충전제, 가교제, 중합개시제, 안료 등으로 조성되며, 구체적으로는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 충전제 100 내지 200 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 5 중량부로 조성된다.

제3실시 태양에 따르면, 특정 형상의 토출구를 갖는 압출기에 수지 조성물을 투입하여 토출구로 압출하고, 토출구로 압출된 특정 형상의 단면을 갖는 압출물을 절단하여 특정 형상의 칩을 제조한다.

압출기의 토출구는 특정 형상을 갖도록 특별히 제작하며, 압출물은 특정 형상의 단면을 가지면서 길게 연장되어 나오므로 적당한 크기로 절단한다.

이 실시 태양에서 압출물을 뽑아내려면 고점도의 수지 조성물을 사용해야 하며, 바람직한 수지 조성물의 점도는 20,000 내지 100,000 cp이다. 이 실시 태양에서도 고점도의 수지 조성물을 만들기 위해, 수지 조성물에 증점제를 사용하는 것이 바람직하다.

제3실시 태양에 따른 수지 조성물은 베이스 수지, 충전제, 가교제, 중합개시제, 안료, 증점제 등으로 조성되며, 구체적으로는 베이스 수지 100 중량부에 대하 여 충전제 100 내지 300 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 5 중량부, 증점제 1 내지 10 중량부로 조성된다.

다음, 상술한 방법에 따라 제조한 칩을 사용하여 인조대리석을 제조한다.

바탕 영역을 이루는 수지 조성물은 베이스 수지, 충전제, 가교제, 중합개시제, 안료 등으로 조성되며, 구체적으로는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 충전제 100 내지 300 중량부, 가교제 0.1 내지 10 중량부, 중합개시제 0.1 내지 10 중량부, 안료 0.1 내지 5 중량부로 조성된다.

최종 인조대리석 제품에서 바탕 영역과 칩이 구별되도록, 두 조성물은 서로 다른 색상의 안료를 사용해야 한다.

특정 형상의 칩은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부를 첨가한다.

바탕 영역을 이루는 수지 조성물에 칩을 배합한 후, 통상적인 주형 및 경화 단계를 거쳐 경화물을 가공함으로써 인조대리석 완제품을 제조한다.

본 발명에 따라 제조되는 인조대리석은 바탕 영역 및 이 바탕 영역과 색상이 다르고 특정 형상을 갖는 칩을 포함한다.

칩은 특정 형상을 가지며, 예를 들면 나이키, 코카콜라 등 특정 업체의 로고 형상, 꽃 모양, 각종 도형 모양을 사용할 수 있으며, 이들을 조합하여 형상 및/또는 색상이 상이한 2종 이상의 칩을 사용할 수도 있다. 본 발명에서 칩의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 상술한 예시 이외에 다양한 형상을 사용할 수 있음은 물론이다. 또한, 특정 형상의 칩 이외에 통상적으로 사용되는 일반 분쇄 칩도 사용 가 능하다.

[실시예]

1. 칩의 제조

27 중량%의 폴리메틸메타크릴레이트와 73 중량%의 메틸메타크릴레이트의 혼합물로 이루어진 메틸메타크릴레이트 시럽 100 중량부, 수산화 알루미늄 130 중량부, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트 0.2 중량부, t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트 0.3 중량부, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 3 중량부, 노르말도데실메르캅탄 0.2 중량부, 소포제로서 BYK 555(BYK-Chemie사, 독일) 0.2 중량부, 커플링제로서 BYK 900(BYK-Chemie사, 독일) 0.75 중량부, 자외선 안정(흡수)제로서 Hisorp-P(LG화학) 0.2 중량부, 백색 안료 1 중량부, 수산화마그네슘 증점제 5 중량부를 혼합한 수지 조성물을 숙성시킨 후 카렌다를 이용하여 시트(점도 5만 cp) 형태로 가공하고, 나이키 형상의 틀을 부착한 프레스로 시트를 압착하여 본을 떠낸 후 경화시켜 나이키 형상의 칩을 제조하였다.

2. 인조대리석의 제조

27 중량%의 폴리메틸메타크릴레이트와 73 중량%의 메틸메타크릴레이트의 혼합물로 이루어진 메틸메타크릴레이트 시럽 100 중량부, 수산화 알루미늄 130 중량부, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트 0.2 중량부, t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트 0.3 중량부, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 3 중량부, 노르말도데실메르캅탄 0.2 중량부, 소포제로서 BYK 555(BYK-Chemie사, 독일) 0.2 중량부, 커플링제로서 BYK 900(BYK-Chemie사, 독일) 0.75 중량부, 자외선 안정(흡수)제로서 Hisorp- P(LG화학) 0.2 중량부, 흑색 안료 1 중량부, 나이키 형상 칩 6 중량부를 배합한 후 주형 및 경화단계를 거쳐 경화물을 가공함으로써 도 2와 같은 인조대리석을 제조하였다.

도 1은 본 발명의 제1실시 태양에 따라 프레스를 이용하여 본을 뜨는 방법으로 특정 형상의 칩을 제조하는 공정 사진이다.

도 2는 본 발명에 따른 인조대리석의 사진이다.

Claims (9)

1. 증점제를 포함하는 고점도의 수지 조성물을 시트 형태로 가공하는 단계;

   프레스에 부착된 특정 형상의 틀로 시트에 본을 떠낸 후 경화시켜 특정 형상의 칩을 제조하는 단계; 및

   특정 형상의 칩을 사용하여 인조대리석을 제조하는 단계;를 포함하는 인조대리석의 제조방법.
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6. 특정 형상의 토출구를 갖는 압출기에 증점제를 포함하는 고점도의 수지 조성물을 투입하여 토출구로 압출하는 단계;

   토출구로 압출된 특정 형상의 단면을 갖는 압출물을 절단하여 특정 형상의 칩을 제조하는 단계; 및

   특정 형상의 칩을 사용하여 인조대리석을 제조하는 단계;를 포함하는 인조대리석의 제조방법.
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9. 제1항 또는 제6항의 방법에 따라 제조되며,

   바탕 영역; 및 상기 바탕 영역과 색상이 다르고, 증점제를 포함하는 고점도의 수지 조성물로부터 성형된, 특정 형상을 갖는 칩;을 포함하는 인조대리석.

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