KR101282829B1 - LED package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 서로 전기적으로 분리된 복수 개의 전극 패드; 상기 복수 개의 전극 패드 사이에 배치되는 절연체; 상기 복수 개의 전극 패드 상에 실장 되는 칩; 상기 복수 개의 전극 패드를 고정하고 상기 전극 패드의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 갖는 몰딩부; 및 상기 절연체 상에 형성되는 격벽;을 포함하며, 상기 격벽은 상기 격벽의 중심에서 가장 멀리 떨어진 점까지의 제1거리가 상기 절연체의 중심에서 상기 전극 패드까지의 제2거리보다 작지 않도록 상기 전극 패드의 적어도 일부를 덮는 발광 다이오드 패키지를 제공한다. The present invention provides a plurality of electrode pads electrically isolated from each other; An insulator disposed between the plurality of electrode pads; A chip mounted on the plurality of electrode pads; A molding part fixing the plurality of electrode pads and having an opening exposing at least a portion of the electrode pads; And a partition wall formed on the insulator, wherein the partition wall has the electrode pad such that a first distance from the center of the partition wall to a point farthest from the center of the insulator is not smaller than a second distance from the center of the insulator. It provides a light emitting diode package covering at least a portion of the.

Description

발광 다이오드 패키지{LED package}Light Emitting Diode Package {LED package}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로 더욱 상세하게는 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package that can further improve the light emitting efficiency.

발광 다이오드(Light emitting diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 조명원으로 다양하게 이용 및 개발되고 있다. 이러한 발광 다이오드는 최근 각종 디스플레이로 개발되고 있으며, 특히, 액정 표시장치의 백라이트 유닛으로 많이 연구 및 개발되고 있다.A light emitting diode is a device that converts electricity into light using characteristics of a compound semiconductor, and has been variously used and developed as a next generation lighting source. Such light emitting diodes have been recently developed into various displays, and in particular, many researches and developments have been made as backlight units of liquid crystal displays.

발광 다이오드를 이용한 발광 장치는 리드 프레임과 같은 플레이트에 발광 다이오드 칩을 안착시켜 패키지 형태로 제작하여 사용되고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device using a light emitting diode is manufactured by mounting a light emitting diode chip on a plate such as a lead frame to manufacture a package.

그런데 이러한 발광 다이오드 패키지에서는 패키지 당 하나의 발광 다이오드 칩을 사용하고 있어 조명으로 사용 시 광속이 부족한 경우가 있다.However, in such a light emitting diode package, since one light emitting diode chip is used per package, the luminous flux may be insufficient when used as lighting.

이를 극복하기 위해 복수의 발광 다이오드 칩을 하나의 패키지에 실장 할 수 있다. 그런데 복수의 칩을 사용하는 경우에도 칩간 간섭으로 인해 칩의 사용 개수만큼 발광 다이오드 패키지의 발광 효율이 증대되지 않는 문제가 있다. 이는 인접한 발광 다이오드 칩 상호간의 방향으로 방출된 광이 패키지의 전면으로 유효하게 방출되지 못하고 상호간의 간섭에 의해 소실되는 빛의 양이 생각보다 많기 때문인 것으로 생각된다.To overcome this, a plurality of light emitting diode chips may be mounted in one package. However, even when a plurality of chips are used, there is a problem that the luminous efficiency of the LED package is not increased by the number of chips due to the interference between chips. This is considered to be because light emitted in directions between adjacent light emitting diode chips is not effectively emitted to the front of the package, and the amount of light lost by mutual interference is larger than expected.

본 발명의 일 실시예에 따른 목적은 광 효율이 향상된 발광 다이오드를 제공함에 있다.It is an object of an embodiment of the present invention to provide a light emitting diode having improved light efficiency.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면 서로 전기적으로 분리된 복수 개의 전극 패드; 상기 복수 개의 전극 패드 사이에 배치되는 절연체; 상기 복수 개의 전극 패드 상에 실장 되는 칩; 상기 복수 개의 전극 패드를 고정하고 상기 전극 패드의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 갖는 몰딩부; 및 상기 절연체 상에 형성되는 격벽;을 포함하며, 상기 격벽은 상기 격벽의 중심에서 가장 멀리 떨어진 점까지의 제1거리가 상기 절연체의 중심에서 상기 전극 패드까지의 제2거리보다 작지 않도록 상기 전극 패드의 적어도 일부를 덮는 발광 다이오드 패키지를 제공한다. In order to achieve the above object, according to an aspect of the invention a plurality of electrode pads electrically isolated from each other; An insulator disposed between the plurality of electrode pads; A chip mounted on the plurality of electrode pads; A molding part fixing the plurality of electrode pads and having an opening exposing at least a portion of the electrode pads; And a partition wall formed on the insulator, wherein the partition wall has the electrode pad such that a first distance from the center of the partition wall to a point farthest from the center of the insulator is not smaller than a second distance from the center of the insulator. It provides a light emitting diode package covering at least a portion of the.

상기 격벽은 상기 칩에서 출사되는 광들을 반사하도록 반사 부재를 포함할 수 있다. 상기 반사 부재는 Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, Rh으로 구성된 그룹 중 적어도 어느 한 물질을 구비할 수 있다.The barrier rib may include a reflective member to reflect light emitted from the chip. The reflective member may include at least one of a group consisting of Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, and Rh.

상기 발광 다이오드 패키지는 상기 격벽 상에 배치된 반사막을 더 구비할 수 있다.The light emitting diode package may further include a reflective film disposed on the partition wall.

여기서, 상기 격벽의 단면은 테이퍼(taper)진 형상일 수 있다.Here, the cross section of the partition wall may have a tapered shape.

여기서, 상기 격벽의 제1높이는 상기 칩의 제1두께보다 높지 않게 구성할 수 있다.Here, the first height of the partition wall may be configured not to be higher than the first thickness of the chip.

여기서, 상기 격벽의 제1높이와 상기 절연체의 제2높이의 합은 상기 전극 패드의 제1두께와 상기 칩의 제2두께를 합한 것보다 높지 않게 구성할 수 있다.Here, the sum of the first height of the partition and the second height of the insulator may be configured not to be higher than the sum of the first thickness of the electrode pad and the second thickness of the chip.

상기 격벽은 상기 칩의 둘레 중 적어도 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다.The partition wall may be formed to surround at least a portion of the circumference of the chip.

여기서, 상기 격벽은 상기 절연체에 일체로 형성될 수 있다. Here, the partition wall may be formed integrally with the insulator.

여기서, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 전극 패드 및 상기 칩을 덮는 밀봉재를 더 구비할 수 있다.The LED package may further include a sealing material covering the electrode pad and the chip.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 의하면 발광 효율이 더욱 높은 LED 패키지를 제공할 수 있다. According to the LED package according to the embodiment of the present invention, it is possible to provide an LED package having a higher luminous efficiency.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드를 위에서 바라본 평면도이다.
도 2는 도 1에서 II-II'를 따라 취한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 위에서 바라본 평면도이다.
도 4a는 도 3에서 IVa-IV'a를 따라 취한 단면도이다.
도 4b는 도 4a의 실시예에서 IVb를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4c는 도 4a의 실시예에서 격벽의 제1 변형예를 구비한 실시예를 도시한 단면도이다.
도 4d는 도 4a의 실시예에서 격벽의 제2 변형예를 구비한 실시예를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 실시예의 제1 변형예에 따른 발광 다이오드를 위에서 바라본 평면도이다.
도 6은 도 3의 실시예의 제2 변형예에 따른 발광 다이오드를 위에서 바라본 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다. 1 is a plan view from above of a light emitting diode according to the prior art.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 1.
3 is a plan view from above of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view taken along IVa-IV'a in FIG. 3.
4B is an enlarged cross-sectional view of IVb in the embodiment of FIG. 4A.
4C is a cross-sectional view of an embodiment with a first modification of the partition wall in the embodiment of FIG. 4A.
4D is a cross-sectional view of an embodiment with a second modification of the partition wall in the embodiment of FIG. 4A.
FIG. 5 is a plan view of a light emitting diode according to a first modified example of the embodiment of FIG. 3.
FIG. 6 is a plan view of a light emitting diode according to a second modified example of the embodiment of FIG. 3.
7 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면의 도시된 실시예들을 참조하여, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the illustrated embodiments of the accompanying drawings, the present invention will be described in detail.

도 1 내지 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지(1)를 설명한다. 도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지(1)를 위에서 바라본 평면도이다. 도 2는 도 1에서 II-II'를 따라 취한 단면도이다.1 to 2, a light emitting diode package 1 according to the prior art will be described. 1 is a plan view from above of a light emitting diode package 1 according to the prior art. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1)는 전극 패드(10), 칩(20), 절연체(30) 및 몰딩부(40)를 구비할 수 있다. 1 and 2, the LED package 1 may include an electrode pad 10, a chip 20, an insulator 30, and a molding part 40.

이때, 전극 패드(10) 상에 칩(20)이 배치되어 실장 될 수 있으며 이때, 칩(20)은 복수 개 존재할 수 있다. 여기서, 칩(20)은 발광 다이오드 칩일 수 있으며 발광 다이오드 칩은 광(C)을 출사 할 수 있다. 이때, 도 2의 A를 참조하면, 칩(20)에서 출사되는 광(C)은 인접하여 위치한 칩(20)에 재흡수 될 수 있다. 이와 같은 광의 재흡수는 광이 외부로 빠져나가지 않기 때문에 광 효율에 있어 손실로 작용한다. In this case, the chip 20 may be disposed and mounted on the electrode pad 10, and in this case, a plurality of chips 20 may exist. Here, the chip 20 may be a light emitting diode chip and the light emitting diode chip may emit light (C). In this case, referring to A of FIG. 2, the light C emitted from the chip 20 may be reabsorbed by the chip 20 positioned adjacent thereto. This reabsorption of light acts as a loss in light efficiency because light does not escape to the outside.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 도 3 및 도 4a를 참조하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)를 위에서 바라본 평면도이다. 도 4a는 도 3에서 IVa-IV'a를 따라 취한 단면도이다. In order to solve this problem, a light emitting diode package 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4A. 3 is a plan view from above of the LED package 100 according to an embodiment of the present invention. 4A is a cross-sectional view taken along IVa-IV'a in FIG. 3.

도 3 및 도 4a를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 전극 패드(110), 칩(120), 절연체(130), 몰딩부(140) 및 격벽(150)을 구비한다. 3 and 4A, the LED package 100 includes an electrode pad 110, a chip 120, an insulator 130, a molding part 140, and a partition wall 150.

전극 패드(110)는 도전성 금속 판부재로 형성될 수 있으며 서로 이격되어 전기적으로 분리된 구조를 가진다. 복수 개의 전극 패드(110)는 절연체(130)에 의해 서로 절연될 수 있다. The electrode pad 110 may be formed of a conductive metal plate member and have a structure in which the electrode pad 110 is spaced apart from each other and electrically separated from each other. The plurality of electrode pads 110 may be insulated from each other by the insulator 130.

여기서, 칩(120)은 전극 패드(110) 상에 실장 될 수 있다. 칩(120)은 LED 칩이거나 또는 제너(zener) 다이오드 일 수 있다. 만약 칩(120)이 LED 칩일 경우, 칩(120)은 다양한 방법으로 구성될 수 있다. LED칩은 예를 들어, 반도체 PN의 접합 다이오드로 구성될 수 있다. 즉, P형 반도체와 N형 반도체를 연결하고, 전압을 가하면, P형 반도체의 정공이 N형 반도체 쪽으로 가서 모이며 N형 반도체의 전자는 P형 반도체쪽으로 이동하게 된다. 이 전자들은 가전대의 정공으로 이동하며 이때 전도대와 가전대의 높이차 즉 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산한다. 이때, 발산되는 에너지는 빛의 형태로 방출되게 되는데 LED 칩과 형광체를 결합하여 사용할 수 있다. Here, the chip 120 may be mounted on the electrode pad 110. The chip 120 may be an LED chip or a zener diode. If the chip 120 is an LED chip, the chip 120 may be configured in various ways. The LED chip may be composed of, for example, a junction diode of a semiconductor PN. That is, when the P-type semiconductor and the N-type semiconductor are connected and a voltage is applied, holes in the P-type semiconductor move toward the N-type semiconductor and electrons in the N-type semiconductor move toward the P-type semiconductor. These electrons move to the holes of the household appliances, emitting energy as much as the gap between the conduction and household appliances, the energy gap. At this time, the emitted energy is emitted in the form of light, which can be used by combining the LED chip and the phosphor.

칩(120)은 와이어(121)를 통하여 인접한 전극 패드(110)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 칩(120)과 전극 패드(110)의 연결은 반드시 와이어(121)에 의한 것은 아니며, 예를 들어, 플립 칩 본딩 방법에 의해 와이어 없이 연결될 수도 있다. 그리고, 칩(120)은 복수 개 장착될 수도 있다.The chip 120 may be electrically connected to the adjacent electrode pad 110 through the wire 121. In this case, the connection between the chip 120 and the electrode pad 110 is not necessarily by the wire 121, but may be connected without a wire by, for example, a flip chip bonding method. In addition, a plurality of chips 120 may be mounted.

전극 패드(110)는 몰딩부(140)에 의해 고정되어 있다. 몰딩부(140)는 수지재 등에 의해 트랜스퍼 몰딩 또는 사출 성형 등의 방법에 의해 형성되어 전극 패드(110)를 지지 고정해 준다. 또한, 몰딩부(140)는 발광 다이오드 패키지(100)의 외곽을 형성해 준다. The electrode pad 110 is fixed by the molding part 140. The molding part 140 is formed by a resin material or the like by transfer molding or injection molding to support and fix the electrode pad 110. In addition, the molding part 140 forms an outer portion of the LED package 100.

몰딩부(140)는 전극 패드(110)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(140a)를 갖는다. 개구(140a)는 도 4a를 참조하면 칩(120) 주위로 소정 각도로 외향 경사지게 형성되어 반사면을 형성하도록 구비될 수 있다. 이 개구(140a)의 반사면에 의해, 칩(120)으로부터 발산된 빛을 보다 많이 외부로 취출 시킬 수 있다. The molding part 140 has an opening 140a exposing at least a portion of the electrode pad 110. Referring to FIG. 4A, the opening 140a may be formed to be inclined outwardly at a predetermined angle around the chip 120 to form a reflective surface. By the reflection surface of this opening 140a, more light radiate | emitted from the chip | tip 120 can be taken out outside.

개구(140a)의 내측으로는 도 4a에서 볼 수 있듯이 별도의 밀봉재(180)가 더 형성되어 칩(120)을 외부로부터 보호할 수 있다. 이 밀봉재(180)에는 형광체가 혼합되어 칩(120)으로부터 발광되는 광의 색상을 조절할 수 있다. As shown in FIG. 4A, a separate sealing material 180 may be further formed inside the opening 140a to protect the chip 120 from the outside. Phosphor is mixed in the sealing material 180 to adjust the color of light emitted from the chip 120.

또한, 절연체(130) 상에는 격벽(150)이 형성될 수 있다. 이때, 격벽(150)은 인접한 칩(120) 간에 형성될 수 있으며 예를 들어 도 3에서 격벽(150)은 x축 방향을 따라 연장되도록 형성될 수 있다. 이때, 격벽(150)이 배치되는 위치는 이에 제한되지 않으며 다양하게 배치될 수 있음은 물론이다. In addition, the partition wall 150 may be formed on the insulator 130. In this case, the partition wall 150 may be formed between the adjacent chips 120. For example, the partition wall 150 may be formed to extend along the x-axis direction in FIG. At this time, the location where the partition wall 150 is disposed is not limited thereto and may be variously disposed.

격벽(150)에 대하여 도 4b를 참조하여 설명한다. 도 4b는 도 4a의 실시예에서 IVb를 확대하여 도시한 단면도이다.The partition wall 150 will be described with reference to FIG. 4B. 4B is an enlarged cross-sectional view of IVb in the embodiment of FIG. 4A.

격벽(150)은 제1격벽면(150a)과 제2격벽면(150b)를 가질 수 있다. 제1격벽면(150a)은 격벽(150)의 빗면을 형성하여 입사되는 빛을 반사할 수 있다. 제2격벽면(150b)은 전극 패드(110)의 제1면(110a)과 대향되게 배치되어 서로 접촉할 수 있다. 이때, 제2격벽면(150b)은 전극 패드(110)를 지지한다. 따라서, 격벽(150)은 전극 패드(110)를 지지 고정하는 효과가 있다. 또한, 제1격벽면(150a)과 제2격벽면(150b)은 소정의 각도(

Figure 112010010395407-pat00001
)를 가지도록 형성되어 입사되는 빛의 반사 각도를 조절할 수 있다. The partition wall 150 may have a first partition surface 150a and a second partition surface 150b. The first partition wall surface 150a may form the inclined surface of the partition wall 150 to reflect incident light. The second partition wall surface 150b may be disposed to face the first surface 110a of the electrode pad 110 to be in contact with each other. In this case, the second partition wall surface 150b supports the electrode pad 110. Therefore, the partition wall 150 has an effect of supporting and fixing the electrode pad 110. In addition, the first partition wall surface 150a and the second partition wall surface 150b have a predetermined angle (
Figure 112010010395407-pat00001
It is formed to have a) can adjust the reflection angle of the incident light.

또한, 격벽의 중심에서 가장 멀리 떨어진 점까지의 제1거리(L1)가 절연체(130)의 중심에서 전극 패드(110)까지의 제2거리(L2)보다 짧지 않도록 전극 패드(110)의 적어도 일부를 덮도록 구성될 수 있다. 이와 같이 제1거리(L1)가 제2거리(L2)보다 짧지 않게 구성되어 전극 패드(110)의 지지 효과를 향상시킬 수 있다. 즉 제1거리(L1)가 길어질수록 전극 패드(110)의 지지효과는 향상된다. In addition, at least a portion of the electrode pad 110 such that the first distance L1 from the center of the partition wall to the point farthest from the center of the insulator 130 is not shorter than the second distance L2 from the center of the insulator 130 to the electrode pad 110. It can be configured to cover. As such, the first distance L1 may be configured not to be shorter than the second distance L2 to improve the supporting effect of the electrode pad 110. That is, as the first distance L1 is longer, the supporting effect of the electrode pad 110 is improved.

격벽(150)은 전극 패드(110)의 접착성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 격벽(150)을 반사율이 높은 고반사 재료로 형성하여 칩(120)으로부터 발산되는 광 및/또는 밀봉재(180) 내에서 일부 반사된 광이 격벽(150)에 반사되어 상방으로 취출 될 수 있어 광효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 격벽(150)은 예를 들어 Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, Rh으로 구성된 그룹 중 선택된 적어도 어느 한 물질을 구비할 수 있다.The partition wall 150 may not only improve the adhesiveness of the electrode pad 110, but also form the partition wall 150 as a highly reflective material having high reflectivity to prevent light from being emitted from the chip 120 and / or the sealing material 180. Partial reflected light may be reflected by the partition wall 150 and extracted upward, thereby further improving light efficiency. The partition wall 150 may include at least one material selected from the group consisting of Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, and Rh.

이때, 격벽(150)의 높이(h1)는 소정의 값을 가지게 할 수 있다. 예를 들어, 격벽(150)의 높이(h1)가 칩(120)의 두께(d1)보다 높지 않게 구성하여 국부적인 곳으로 형광체가 쏠림을 막고 칩(120)에서 발산되는 빛의 지향각에 영향을 주지 않게 할 수 있다. 이때, 격벽(150)의 높이(h1)는 절연체(130)에서부터 제1방향으로 연장되어 절연체(130)로부터 가장 멀리 떨어진 점까지의 거리일 수 있다. 여기서, 제1방향이란 절연체(130)로부터 격벽(150)이 배치된 곳을 향한 방향일 수 있다. 이때, 절연체(130)의 높이(h2)에 따라 격벽(150)이 반사하는 광의 진로가 영향을 받을 수 있다. 따라서 격벽(150)의 높이(h1)와 절연체(130)의 높이(h2)를 합한 것이 칩(120)의 두께(d1)와 전극 패드(110)의 두께(d2)를 합한 값보다 크지 않게 구성할 수 있다. At this time, the height h1 of the partition wall 150 may have a predetermined value. For example, the height h1 of the barrier wall 150 is configured not to be higher than the thickness d1 of the chip 120 to prevent the phosphor from being directed to a local place and affect the directivity angle of the light emitted from the chip 120. Can not give. In this case, the height h1 of the barrier wall 150 may be a distance from the insulator 130 to the point farthest from the insulator 130 extending in the first direction. Here, the first direction may be a direction from the insulator 130 to the place where the partition wall 150 is disposed. In this case, the path of the light reflected by the partition wall 150 may be affected by the height h2 of the insulator 130. Therefore, the sum of the height h1 of the partition wall 150 and the height h2 of the insulator 130 is not greater than the sum of the thickness d1 of the chip 120 and the thickness d2 of the electrode pad 110. can do.

여기서, 격벽(150)과 절연체(130)는 일체로 형성될 수 있다. 이때, 예를 들어, 절연체(130)를 사출 수지에 의해 형성시 절연체(130)와 격벽(150)을 일체로 형성하도록 금형을 조절 할 수 있다. 이때, 예를 들어 사출 성형시 절연부재와 반사부재를 차례로 사출하여 각각 전극 패드(110)를 절연하는 절연체(130)와 빛을 반사하는 격벽(150)을 형성할 수 있다. 이때, 격벽(150)을 형성하는 과정은 별도의 공정을 추가할 필요가 없으므로 제조 공정에 있어서 효율성이 향상될 수 있다. Here, the partition wall 150 and the insulator 130 may be integrally formed. At this time, for example, when the insulator 130 is formed of the injection resin, the mold may be adjusted to integrally form the insulator 130 and the partition wall 150. In this case, for example, during injection molding, the insulating member and the reflective member may be sequentially injected to form an insulator 130 that insulates the electrode pad 110 and a partition wall 150 that reflects light. At this time, the process of forming the partition wall 150 does not need to add a separate process can be improved efficiency in the manufacturing process.

이때, 절연체(130)과 격벽(150)의 제조방법의 적용은 도 4a 또는 도 4b의 실시예에 제한되지 않으며 본 발명에 따른 다른 실시예에도 적용될 수 있음은 물론이다.At this time, the application of the manufacturing method of the insulator 130 and the partition wall 150 is not limited to the embodiment of Fig. 4a or 4b can also be applied to other embodiments according to the invention.

도 4b에서 격벽(150)의 단면 형상은 제1방향을 따라 점점 지름이 작아지는 테이퍼(taper)진 형상으로 형성되어 있지만, 격벽(150)의 단면 형상은 이에 제한되지 않으며 다양하게 변형될 수 있다. 도 4c를 참조하여 설명한다. 도 4c는 도 4a의 실시예에서 격벽의 제1 변형예를 구비한 실시예를 도시한 단면도이다. 도 4c에 도시된 바와 같이 격벽(150')의 단면 형상은 곡면을 가진 형상일 수 있다. 이때, 격벽(150')의 단면은 이에 제한되지 않으며 예를 들어, 삼각형, 사각형, 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 이와 같은 격벽(150')의 단면은 제조 공정상 편의에 의해 결정될 수도 있으며 또는 인접한 칩(120)에서 출사되는 광(C)의 경로를 소정의 방향으로 변경하기 위해 소정의 형상을 가지도록 형성될 수도 있다. In FIG. 4B, the cross-sectional shape of the partition wall 150 is formed in a tapered shape that gradually decreases in diameter in the first direction, but the cross-sectional shape of the partition wall 150 is not limited thereto and may be variously modified. . It demonstrates with reference to FIG. 4C. 4C is a cross-sectional view of an embodiment with a first modification of the partition wall in the embodiment of FIG. 4A. As shown in FIG. 4C, the cross-sectional shape of the partition wall 150 ′ may be a shape having a curved surface. In this case, the cross section of the barrier rib 150 ′ is not limited thereto, and may have various shapes such as a triangle, a rectangle, and a circle. The cross section of the partition wall 150 ′ may be determined by convenience in the manufacturing process, or may be formed to have a predetermined shape in order to change a path of the light C emitted from the adjacent chip 120 in a predetermined direction. It may be.

도 4d는 도 4a의 실시예에서 격벽의 제2 변형예를 구비한 실시예를 도시한 단면도이다. 도 4d를 참조하면 격벽(150') 표면에 반사막(151)이 형성될 수 있다. 이와 같은 반사막(151)은 예를 들어 Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, Rh으로 구성된 그룹 중 선택된 적어도 어느 한 물질을 구비할 수 있다. 이때, 격벽(150')은 반사 부재를 구비할 수도 있으며 또는 반사 부재를 구비하지 않는 절연체일 수도 있다. 이때, 격벽(150')이 반사부재를 구비하지 않는 경우에도 반사막(151)이 격벽(150')표면에 형성되어 입사되는 빛을 반사할 수 있다. 이와 같이 반사막(151)이 인접한 칩(120) 간에 형성되어 칩(120)에서 출사되는 광(C)을 반사하여 광효율을 높일 수 있다. 4D is a cross-sectional view of an embodiment with a second modification of the partition wall in the embodiment of FIG. 4A. Referring to FIG. 4D, a reflective film 151 may be formed on the surface of the partition wall 150 ′. The reflective film 151 may include, for example, at least one material selected from the group consisting of Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, and Rh. In this case, the partition wall 150 ′ may include a reflective member or an insulator without the reflective member. In this case, even when the barrier rib 150 ′ does not include the reflective member, the reflective film 151 may be formed on the surface of the barrier rib 150 ′ to reflect the incident light. As described above, the reflective film 151 may be formed between the adjacent chips 120 to reflect the light C emitted from the chips 120 to increase light efficiency.

도 5는 도 3의 실시예의 제1 변형예에 따른 발광 다이오드 패키지(200)를 위에서 바라본 평면도이다. 도 3에서 격벽(150)은 x축 방향을 따라 연장되었으나 격벽(150)의 진행 방향은 이에 제한되지 않으며 도 5에 도시된 바와 같이 격벽(250)은 x축 또는 y축으로 연장될 수 있다. 이때, 도 3 또는 도 5에 도시되어 있지 않지만 격벽(250)은 x축, y축 뿐만 아니라 원형 등의 다양한 형상으로 변형이 가능하다. 이때, 격벽(250)은 칩(120)의 둘레 중 적어도 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. FIG. 5 is a plan view of a light emitting diode package 200 according to a first modification of the embodiment of FIG. 3. In FIG. 3, the partition wall 150 extends along the x-axis direction, but the traveling direction of the partition wall 150 is not limited thereto, and as shown in FIG. 5, the partition wall 250 may extend in the x-axis or the y-axis. In this case, although not shown in FIG. 3 or 5, the partition wall 250 may be modified in various shapes such as a circular shape as well as the x-axis and the y-axis. In this case, the partition 250 may be formed to surround at least a portion of the circumference of the chip 120.

도 3의 실시예를 참조하면 칩(120)의 개수가 세 개로 도시하였으나 본 발명의 실시예는 칩(120)의 개수에 제한되지 않음은 물론이다. 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 도 3의 실시예의 제2 변형예에 따른 발광 다이오드 패키지(300)를 위에서 바라본 평면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 칩(320)의 개수가 네 개인 경우 격벽(350)은 칩(320)의 둘레 중 적어도 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이 십자형(+)으로 각 인접한 칩(320) 간에 격벽(350)을 형성할 수 있다. Referring to the embodiment of FIG. 3, the number of chips 120 is illustrated as three, but the embodiment of the present invention is not limited to the number of chips 120. It demonstrates with reference to FIG. FIG. 6 is a plan view of a light emitting diode package 300 according to a second modification of the embodiment of FIG. 3. As illustrated in FIG. 6, when the number of chips 320 is four, the partition wall 350 may be formed to surround at least a portion of the circumference of the chip 320. That is, as shown in FIG. 6, the partition wall 350 may be formed between the adjacent chips 320 in a cross shape (+).

본 발명에 따른 격벽(150, 250, 350)은 발광하는 칩(120, 220, 320) 간에만 적용되는 것은 아니다. 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(400)의 단면도이다. 도 7을 참조하면 발광 다이오드 패키지(400)는 제1패드(410), 제2패드(411), 제1칩(420), 절연체(430), 몰딩부(440), 격벽(450), 제2칩(470)을 구비할 수 있다. The partition walls 150, 250, and 350 according to the present invention are not applied only between the chips 120, 220, and 320 which emit light. It demonstrates with reference to FIG. 7 is a cross-sectional view of a light emitting diode package 400 according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, the LED package 400 may include a first pad 410, a second pad 411, a first chip 420, an insulator 430, a molding part 440, a partition wall 450, and a first pad 410. Two chips 470 may be provided.

여기서, 제1패드(410)와 제2패드(411)는 도전성 금속 판부재로 절연체(430)에 의해 서로 전기적으로 분리된 구조를 가진다. 여기서 제1칩(420)은 LED 칩일 수 있다. 또한, 제2칩(470)은 예를 들어 제너 다이오드일 수 있다. 여기서, 칩(420, 470)은 예를 들어 와이어(421)를 통하여 인접한 패드(410, 411)와 전기적으로 연결될 수 있다. 몰딩부(440)는 패드(410, 411)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있으며, 밀봉재(480)는 패드(410, 411)와 칩(420, 470)을 덮도록 형성되어 칩(420, 470)을 외부로부터 보호할 수 있다. 이 밀봉재(480)에는 형광체가 혼합될 수 있다. 제너 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 연결하여 형성할 수 있으며 제1칩(420)을 보호하는 역할을 할 수 있다. 이때, 발광하는 제1칩(420)에서 출사된 광이 제2칩(470)에 흡수되어 광효율이 떨어질 수 있다. 따라서 도 7에 도시된 바와 같이 제1칩(420)과 제2칩(470) 사이에 격벽(450)을 형성하여 제1칩(420)에서 방출되는 광(C)을 반사하여 취출시킬 수 있다. 또한, 격벽(450)을 통해 제1패드(410) 및 제2패드(411)를 지지 고정할 수 있다. 이때, 도 7에 절연체(430)와 격벽(450)을 구분하여 도시하였으나 격벽(450)은 이에 제한되지 않으며 도 4a 내지 도 4d에 따른 격벽(150, 150')의 특성을 구비할 수 있다. 또한, 미도시 되었으나, 격벽(450)이 반사부재를 구비할 수 있을 뿐만 아니라 격벽(450)상에 반사막(미도시)을 형성할 수 있음도 물론이다. Here, the first pad 410 and the second pad 411 have a conductive metal plate member electrically separated from each other by the insulator 430. The first chip 420 may be an LED chip. In addition, the second chip 470 may be, for example, a Zener diode. Here, the chips 420 and 470 may be electrically connected to the adjacent pads 410 and 411 through, for example, the wire 421. The molding part 440 may expose at least a portion of the pads 410 and 411, and the sealing material 480 may be formed to cover the pads 410 and 411 and the chips 420 and 470 to form the chips 420 and 470. Can be protected from the outside. The phosphor 480 may be mixed with the phosphor. The zener diode may be formed by connecting the P-type semiconductor and the N-type semiconductor and may serve to protect the first chip 420. In this case, light emitted from the first chip 420 to emit light may be absorbed by the second chip 470, thereby reducing light efficiency. Therefore, as shown in FIG. 7, the partition wall 450 may be formed between the first chip 420 and the second chip 470 to reflect and extract the light C emitted from the first chip 420. . In addition, the first pad 410 and the second pad 411 may be supported and fixed through the partition wall 450. In this case, although the insulator 430 and the partition wall 450 are illustrated in FIG. 7, the partition wall 450 is not limited thereto and may have characteristics of the partition walls 150 and 150 ′ according to FIGS. 4A to 4D. In addition, although not shown, the partition wall 450 may not only have a reflective member but also a reflective film (not shown) may be formed on the partition wall 450.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야할 것이다. While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

본 발명은 발광 다이오드를 제조 및 사용하는 모든 산업에 이용될 수 있다. The present invention can be used in all industries of manufacturing and using light emitting diodes.

10, 110, 210: 전극 패드 20, 120, 220: 칩
21, 121, 221, 321, 421: 와이어 30, 130, 230, 330, 430: 절연체
40, 140, 240, 340, 440: 몰딩부 150, 150', 250, 350, 450: 격벽
80, 180, 480: 밀봉재 150a: 제1격벽면
150b: 제2격벽면 151: 반사막
420: 제1칩 470: 제2칩
d1: 칩의 두께 d2: 전극 패드의 두께
h1: 격벽의 높이 h2: 절연체의 높이10, 110, 210: electrode pad 20, 120, 220: chip
21, 121, 221, 321, 421: wire 30, 130, 230, 330, 430: insulator
40, 140, 240, 340, 440: molding part 150, 150 ', 250, 350, 450: partition wall
80, 180, 480: Sealing material 150a: First partition wall surface
150b: second partition surface 151: reflective film
420: first chip 470: second chip
d1: thickness of the chip d2: thickness of the electrode pad
h1: height of bulkhead h2: height of insulator

Claims (10)

서로 전기적으로 분리된 복수 개의 전극 패드;
상기 복수 개의 전극 패드 사이에 배치되는 절연체;
상기 복수 개의 전극 패드 상에 실장 되는 칩;
상기 복수 개의 전극 패드를 고정하고 상기 전극 패드의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 갖는 몰딩부; 및
상기 절연체 상에 형성되는 격벽;을 포함하며,
상기 격벽은 상기 격벽의 중심에서 가장 멀리 떨어진 점까지의 제1거리가 상기 절연체의 중심에서 상기 전극 패드까지의 제2거리보다 작지 않도록 상기 전극 패드의 적어도 일부를 덮으며,
상기 격벽의 높이가 상기 칩의 두께보다 높지 않은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. A plurality of electrode pads electrically separated from each other;
An insulator disposed between the plurality of electrode pads;
A chip mounted on the plurality of electrode pads;
A molding part fixing the plurality of electrode pads and having an opening exposing at least a portion of the electrode pads; And
A partition wall formed on the insulator;
The barrier rib covering at least a portion of the electrode pad such that a first distance from the center of the barrier rib to the furthest point is not smaller than a second distance from the center of the insulator to the electrode pad,
The height of the partition wall LED package, characterized in that not higher than the thickness of the chip. 제1 항에 있어서,
상기 격벽은 상기 칩에서 출사되는 광들을 반사하도록 반사 부재를 포함하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The barrier rib package includes a reflective member to reflect light emitted from the chip. 제2 항에 있어서,
상기 반사 부재는 Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, Rh으로 구성된 그룹 중 적어도 어느 한 물질을 구비하는 발광 다이오드 패키지.The method of claim 2,
The reflective member includes at least one material of a group consisting of Re, Al, Ag, Au, Pd, Pt, Rh. 제1 항에 있어서,
상기 격벽 상에 배치된 반사막을 더 구비하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The LED package further comprises a reflective film disposed on the partition wall. 제1 항에 있어서,
상기 격벽의 단면은 테이퍼(taper)진 형상인 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The cross-section of the partition is a light emitting diode package having a tapered shape. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 격벽의 높이와 상기 절연체의 높이의 합은 상기 전극 패드의 두께와 상기 칩의 두께를 합한 것보다 크지 않은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The sum of the height of the barrier and the height of the insulator is not greater than the sum of the thickness of the electrode pad and the thickness of the chip package. 제1 항에 있어서,
상기 격벽은 상기 칩의 둘레 중 적어도 일부를 둘러싸도록 형성되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The barrier rib is formed to surround at least a portion of the circumference of the chip. 제1 항에 있어서,
상기 격벽은 상기 절연체에 일체로 형성되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The barrier rib package is formed integrally with the insulator. 제1 항에 있어서,
상기 전극 패드 및 상기 칩을 덮는 밀봉재를 더 구비하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The LED package further comprises a sealing material covering the electrode pad and the chip.
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