KR101276970B1 - Circuit pattern inspection device and method thereof - Google Patents

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KR101276970B1
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Abstract

본 발명의 과제는 도체 패턴에 비접촉으로 용량 결합한 전극을 이용한 회로 패턴 검사 장치에서는, 검사 대상의 도전 패턴의 미세화가 진행됨과 동시에, 얻어지는 검사 신호값이 작아져, 결함의 판정이 어렵게 되고 있다.
회로 패턴 검사 장치는, 간격을 두고 배치된 2조의 센서쌍을 구비하는 검사부를 이동하면서, 각 도전 패턴에 교류 신호로 이루어지는 검사 신호를 용량 결합에 의해 인가하고, 또한 도전 패턴을 전파한 검사 신호를 용량 결합에 의해 검출하여, 1회 이동에 의한 검사에 의해 각 도전 패턴으로부터 검사 신호를 각각에 검출하고, 이들의 검출 신호를 판정 기준값과 비교하여 결함 후보를 선출하고, 각 검사 신호에서의 도전 패턴의 위치를 일치시켜, 결함 후보끼리를 비교하고, 동일한 패턴 위치에 공통적으로 결함 후보가 존재하는 도전 패턴을 불량으로 판정한다.
An object of the present invention is that in a circuit pattern inspection apparatus using an electrode capacitively coupled to a conductor pattern in a non-contact manner, as the conduction pattern of the inspection target becomes finer, the inspection signal value obtained becomes smaller and the defect determination becomes difficult.
The circuit pattern inspection apparatus moves an inspection section having two pairs of sensor pairs spaced apart from each other, applying an inspection signal composed of an alternating current signal to each conductive pattern by capacitive coupling, and further inspecting the inspection signal propagating the conductive pattern. Detected by capacitive coupling, the inspection signal is detected from each conductive pattern by inspection by one movement, the defect candidates are selected by comparing these detection signals with the determination reference value, and the conductive pattern in each inspection signal. By matching the positions of, the defect candidates are compared with each other, and a conductive pattern having a defect candidate in common at the same pattern position is determined as defective.

Figure R1020100074491
Figure R1020100074491

Description

회로 패턴 검사 장치 및 검사 방법{CIRCUIT PATTERN INSPECTION DEVICE AND METHOD THEREOF}Circuit pattern inspection device and inspection method {CIRCUIT PATTERN INSPECTION DEVICE AND METHOD THEREOF}

본 발명은, 기판 상에 형성된 도전 패턴의 결함을 비접촉으로 검사 가능한 회로 패턴 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a circuit pattern inspection apparatus capable of non-contact inspection of defects in a conductive pattern formed on a substrate.

최근, 표시 디바이스는, 글래스 기판 상에 액정을 이용한 액정 표시 디바이스 또는, 플라즈마를 이용한 플라즈마 표시 디바이스가 주류로 되고 있다. 이들의 표시 디바이스의 제조 공정 중에서, 글래스 기판 상에 형성된 회로 배선으로 되는 도전 패턴에 대해, 단선 및 단락의 유무의 불량 검사를 행하고 있다.In recent years, the display device has become a mainstream liquid crystal display device using a liquid crystal or a plasma display device using a plasma on a glass substrate. In the manufacturing process of these display devices, the defective inspection of the presence or absence of a disconnection and a short circuit is performed about the electrically conductive pattern used as the circuit wiring formed on the glass substrate.

지금까지의 일반적인 도전 패턴의 검사 방법으로서는, 예를 들면, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 도전 패턴의 양단에 검사 프로브의 핀처를 접촉시켜, 한쪽의 검사 프로브로부터 직류 검사 신호를 인가하고, 다른 쪽의 검사 프로브로부터 전파된 직류 검사 신호를 검출하고, 검출 신호의 유무에 의해 단선 및 단락의 유무를 검사하는 접촉식의 검사 방법(핀 컨택트 방식)이 알려져 있다.As a conventional method of inspecting a conductive pattern, for example, as described in Patent Literature 1, the pinchers of the inspection probes are brought into contact with both ends of the conductive pattern to apply a DC test signal from one inspection probe, and the other. A contact type inspection method (pin contact method) is known which detects a DC test signal propagated from a test probe of and detects the presence of disconnection and short circuit by the presence or absence of the detection signal.

다른 검사 방법으로서, 특허 문헌 2에는, 적어도 2개의 검사 프로브를 도체 패턴에 근접시켜, 도체 패턴과는 비접촉으로 용량 결합한 상태로 이동시키면서, 한쪽의 검사 프로브로부터 교류 검사 신호를 인가하고, 다른 쪽의 검사 프로브에서 도체 패턴을 전파한 교류 검사 신호를 검출한다. 검출 신호의 파형의 변화에 의해, 도전 패턴에서의 단선 및 단락의 유무의 검사를 행하고 있다.As another inspection method, Patent Document 2 applies an AC inspection signal from one inspection probe while moving at least two inspection probes close to the conductor pattern and moving in a state of capacitive coupling with the conductor pattern in a non-contact manner. The inspection probe detects an alternating current inspection signal propagating the conductor pattern. Due to the change in the waveform of the detection signal, the presence or absence of disconnection and short circuit in the conductive pattern is examined.

[특허문헌1]일본특허공개소62-269075호공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-269075 [특허문헌2]일본특허공개제2004-191381호공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-191381

전술한 표시 디바이스는, 표시 화면의 대화면화가 요구되어, 화면 사이즈가 보다 대형화됨과 함께, 표시 화면의 치밀함이 요구되어, 표시 화소의 미세화가 도모되고 있다. 이 때문에, 표시 화소의 구동용 배선이나 신호선 등의 도전 패턴이 길어짐과 동시에 미세화되고 있다.The display device described above is required to have a larger screen size, a larger screen size, a more compact display screen, and a smaller display pixel. For this reason, conductive patterns, such as a drive wiring and a signal line, of a display pixel become long and refine | miniaturize at the same time.

다수의 도전 패턴에 대해 검사를 행하는 경우, 특허 문헌 1에서 제안되는 핀처를 접촉시키는 검사 프로브에서는, 제1 방법으로서, 배열된 도전 패턴 상을 횡단하도록 검사 프로브를 미끄럼 이동시켜, 순차적으로 검사를 행하거나, 제2 방법으로서, 도전 패턴수와 동일한 수의 검사 프로브를 배치하여, 일괄적으로 검사 프로브를 접촉시키거나, 또는, 제3 방법으로서, 검사 프로브를 상하 이동시키면서, 선택적으로 도전 패턴에 접촉하도록 이동시키고 있다.In the case of inspecting a plurality of conductive patterns, in the inspection probe contacting the pincher proposed in Patent Document 1, as the first method, the inspection probe is slid so as to cross the arranged conductive pattern, and the inspection is performed sequentially. Alternatively, as the second method, the same number of test probes as the number of conductive patterns can be arranged to contact the test probes at once, or as the third method, the test probes can be selectively contacted with the test probes while moving up and down. Is moving.

검사 프로브를 미끄럼 이동시킨 경우, 핀 끝이 도전 패턴에 접촉된 상태로 이동하기 때문에, 박리나 손상에 의한 데미지가 문제로 된다. 또한, 검사 프로브를 도전 패턴에 미끄럼 이동하지 않고 접촉시키는 경우라도, 핀 끝의 접촉에 의해 도전 패턴에의 압압에 의한 손상 등의 데미지가 문제로 된다. 또한, 프로그램 등을 이용하여 검사 프로브의 접촉 동작 및 이동의 자동화를 도모하고자 하는 경우에는, 도전 패턴의 세선화 및 배선 간격의 미소화가 진행될수록 위치 제어가 용이하지 않게 된다.When the inspection probe is slid, the pin tip moves in contact with the conductive pattern, so that damage due to peeling or damage becomes a problem. In addition, even when the inspection probe is brought into contact with the conductive pattern without sliding, damage such as damage caused by pressure applied to the conductive pattern is caused by the contact of the pin tip. In addition, in the case where the contact operation and movement of the inspection probe are to be automated by using a program or the like, the position control becomes less easy as the conduction pattern becomes thinner and the wiring interval becomes smaller.

또한, 도전 패턴에 비접촉으로 용량 결합한 전극을 이용한 검사 장치에서는, 전극과 대향하는 도전 패턴의 표면적의 축소가 진행됨에 따라서, 검출되는 검사 신호의 값도 작아지고 있다. 도전 패턴에 인가하는 검사 신호의 값을 크게 하면, 검출되는 검사 신호도 커지지만, 도전 패턴의 미세화에 수반하여, 허용할 수 있는 검사 신호의 값도 작아지고 있다. 또한 검출 신호에는, 검사 신호 외에 외부로부터 중첩된 노이즈가 포함되어 검출되어 있다. 이 때문에, 검사 신호가 노이즈인지의 여부의 판정에 숙련도를 요하거나, 컴퓨터 판정을 행할 때에는 기준값의 설정이 어렵게 되거나 하고 있다. In addition, in the inspection apparatus using an electrode which is capacitively coupled to a conductive pattern in a non-contact manner, as the surface area of the conductive pattern facing the electrode is reduced, the value of the detected inspection signal is also reduced. If the value of the test signal applied to the conductive pattern is increased, the test signal to be detected is also increased, but with the miniaturization of the conductive pattern, the allowable test signal value is also reduced. The detection signal includes a noise superimposed from the outside in addition to the inspection signal and is detected. For this reason, skill level is required to determine whether the test signal is noise, or setting of the reference value becomes difficult when performing computer judgment.

또한, 검사 대상 기판에 대해, 1개의 센서부를 이용하여, 이동시킨 검사를 행하면, 1개의 검출 신호가 얻어진다. 1개의 검출 신호만으로 판정을 행한 경우, 임계값을 엄격하게 설정함으로써, 미소한 신호 변화로부터 결함의 유무를 판정할 수 있지만, 동시에 검출 신호에 포함되어 있을 가능성이 있는 노이즈 성분에 대해서도 판정 대상으로 되므로, 얻어진 판정 결과가, 참된 결함만인지의 여부를 확정할 수 없다. 그 때문에, 다시, 동일한 조건에서 2회째의 검사를 실시하여, 얻어진 2회째의 검사 결과를 1회째의 검사 결과와 비교하여, 결함의 확정을 행하고 있다. 이 때문에, 정확한 검사 결과를 얻기 위해서는, 동일한 검사 대상에 대해, 동일한 검사 조건에서 적어도 2회의 검사를 행하지 않으면 안된다. 이 검사 방법에서는, 정확한 검사 결과를 얻기 위해, 2회분의 검사를 행하는 시간을 소비하므로, 검사 시간의 단축은 용이하지 않다. 덧붙여, 1회째의 검사와 2회째의 검사와의 사이에 시간이 비어지게 되면, 동일한 검사 조건에서 검사하는 것은, 용이하지 않다.In addition, when the inspection which moved to one inspection part board | substrate is performed with respect to the test | inspection board | substrate, one detection signal is obtained. In the case where the determination is made with only one detection signal, the threshold value is strictly set so that the presence or absence of a defect can be determined from the slight signal change, but at the same time, the noise component that may be included in the detection signal is also determined. It is not possible to determine whether the obtained judgment result is only true defects. Therefore, the 2nd test | inspection is performed again on the same conditions, and the obtained 2nd test result is compared with the 1st test result, and the defect is confirmed. For this reason, in order to obtain an accurate test result, the test object must be tested at least twice under the same test conditions. In this inspection method, in order to obtain an accurate inspection result, time for performing two times of inspection is consumed, and therefore, it is not easy to shorten the inspection time. In addition, when time becomes empty between the 1st test and the 2nd test, it is not easy to test on the same test condition.

따라서 본 발명은, 기판 상에 배열된 각 도전 패턴에 대해, 시계열적으로 복수조의 센서를 이용하여 복수회 검출하고, 그들의 검출 신호를 곱연산한 판정 신호를 생성하고, 도전 패턴의 양호 불량의 적정한 판정을 실현하는 회로 패턴 검사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, according to the present invention, each conductive pattern arranged on a substrate is detected multiple times using a plurality of sets of sensors in time series, and a determination signal multiplying the detected signals is generated, and appropriateness of good and poor of the conductive pattern is obtained. An object of the present invention is to provide a circuit pattern inspection apparatus that realizes the determination.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르는 실시 형태는, 복수의 도전 패턴이 열 형상으로 형성된 기판을 검사 대상으로 하고, 상기 도전 패턴 중의 제1 도전 패턴에 대해, 모두, 대향하는 제1 급전 전극 및 제1 센서 전극을 구비하는 제1 센서쌍과, 상기 제1 도전 패턴으로부터 미리 정한 패턴수분의 거리를 떨어뜨린 제2 도전 패턴에 대해, 모두, 대향하는 제2 급전 전극 및 제2 센서 전극을 구비하는 제2 센서쌍과, 상기 제1 센서쌍과 상기 제2 센서쌍을 유지하고, 상기 도전 패턴의 상방에 일정한 거리로 이격하여, 그 도전 패턴의 열을 교차하도록 이동시키는 이동부와, 상기 이동부에 의한 상기 제1 센서쌍과 상기 제2 센서쌍의 이동 중에, 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극에, 교류 신호로 이루어지는 동일한 검사 신호를 공급하고, 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극이 대향하여 용량 결합한, 각각의 도전 패턴에 그 검사 신호를 순차적으로 인가시키는 검사 신호 공급부와, 상기 검사 신호가 인가된 상기 도전 패턴에 각각에 용량 결합하여 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극에 의해 취득된 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호에 대해, 미리 정한 판정 기준값과 비교하여 결함 후보를 선출하고, 또한, 상기 제1 검출 신호 상 및 상기 제2 검출 신호 상에서의 도전 패턴의 위치가 일치하도록, 어느 하나의 검출 신호의 위치를 이동시키는 거리축 매칭을 행하는 검사 신호 처리부와, 상기 도전 패턴의 위치가 일치된 상기 제1 검출 신호와 상기 제2 검출 신호에서의 상기 결함 후보끼리를 비교하고, 동일한 패턴 위치에 공통적으로 존재하는 결함 후보를 상기 도전 패턴의 참된 결함으로 판정하는 제1 판정을 행하는 결함 판정부를 구비하는 회로 패턴 검사 장치를 제공한다.In order to achieve the said objective, embodiment which concerns on this invention makes the board | substrate with which the some conductive pattern formed in the column shape to be a test object, and the 1st feed electrode which opposes all with respect to the 1st conductive pattern in the said conductive pattern And an opposing second feed electrode and a second sensor electrode with respect to the first sensor pair including the first sensor electrode and the second conductive pattern in which the distance of the predetermined pattern moisture is dropped from the first conductive pattern. A moving part for holding a second sensor pair provided, the first sensor pair and the second sensor pair, spaced apart at a predetermined distance above the conductive pattern, and moving to cross the columns of the conductive pattern; During the movement of the first sensor pair and the second sensor pair by the moving unit, the same test signal composed of an AC signal is supplied to the first feed electrode and the second feed electrode, and the first feed An inspection signal supply unit for sequentially applying the inspection signal to each conductive pattern having a pole coupled to the second feed electrode, and the first sensor capacitively coupled to each of the conductive patterns to which the inspection signal is applied; A defect candidate is selected for the first detection signal and the second detection signal acquired by the electrode and the second sensor electrode in comparison with a predetermined determination reference value, and further, on the first detection signal and the second detection signal. An inspection signal processing unit for performing distance axis matching for shifting the position of any one of the detection signals so that the positions of the conductive patterns on the image coincide with each other, and the first and second detection signals in which the positions of the conductive patterns match. Comparing the defect candidates of each other, and determining a defect candidate commonly present at the same pattern position as a true defect of the conductive pattern; Provided is a circuit pattern inspection apparatus including a defect determination unit that performs one determination.

또한, 복수의 도전 패턴이 열 형상으로 형성된 기판을 검사 대상으로 하고, 결함을 갖는 도전 패턴을 검출하기 위한 상기 도전 패턴의 열과 교차하는 방향으로 소정의 패턴수의 거리를 두고 병설되는 적어도 2조의 급전 전극 및 센서 전극의 쌍으로 구성된 검사부를 구비하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법으로서, 상기 열과 교차하는 방향으로 상기 검사부를 이동시켜, 각각의 상기 급전 전극으로부터 교류 신호로 이루어지는 동일한 검사 신호를 이격하는 다른 도전 패턴에 용량 결합에 의해 순차적으로 인가하고, 상기 검사 신호가 인가된 각각의 상기 도전 패턴을 전파한 상기 검사 신호를 용량 결합에 의해, 각각에 상기 센서 전극으로부터 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호를 취득하고, 상기 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호에 대해, 미리 정한 판정 기준값을 비교하여 결함 후보를 선출하고, 상기 제1 검출 신호 상 및 상기 제2 검출 신호 상에서의 도전 패턴의 위치가 일치하도록, 어느 하나의 검출 신호의 위치를 이동시켜 거리축 매칭을 취하고, 상기 도전 패턴의 위치가 일치된 상기 제1 검출 신호와 상기 제2 검출 신호에서의 상기 결함 후보끼리를 비교하고, 동일한 패턴 위치에 공통적으로 존재하는 결함 후보를 상기 도전 패턴의 참된 결함으로 판정하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법을 제공한다.In addition, at least two sets of power feeds arranged at a distance of a predetermined number of patterns in a direction intersecting a column of the conductive pattern for detecting a conductive pattern having a defect as a test target for a substrate having a plurality of conductive patterns formed in a column shape. An inspection method of a circuit pattern inspection device having an inspection portion composed of a pair of electrodes and a sensor electrode, the inspection method comprising: moving the inspection portion in a direction intersecting the column to separate the same inspection signal composed of an AC signal from each of the feed electrodes; The first detection signal and the second detection signal from the sensor electrode are respectively applied by the capacitive coupling to the conductive pattern sequentially and the capacitive coupling of the inspection signal propagating the respective conductive patterns to which the inspection signal is applied. Is determined, and a predetermined determiner for the first detection signal and the second detection signal Compare the values to select a defect candidate, move the position of any one of the detection signals so as to match the position of the conductive pattern on the first detection signal and the second detection signal, and perform distance axis matching, Circuit pattern inspection for comparing the defect candidates in the first detection signal and the second detection signal in which the position of the pattern is matched and determining the defect candidates commonly present in the same pattern position as true defects in the conductive pattern. Provides a method of inspection of the device.

본 발명에 따르면, 기판 상에 배열된 각 도전 패턴에 대해, 시계열적으로 복수조의 센서를 이용하여 복수회 검출하고, 그들의 검출 신호를 곱연산한 판정 신호를 생성하고, 도전 패턴의 양호 불량의 적정한 판정을 실현하는 회로 패턴 검사 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, for each conductive pattern arranged on a substrate, a plurality of sets of sensors are detected in time series, and a determination signal multiplying the detected signals is generated to generate an appropriate defect of good and poor of the conductive pattern. A circuit pattern inspection apparatus for realizing the determination can be provided.

도 1은 본 발명에 따른 회로 패턴 검사 장치의 듀얼 검사부의 개념적인 구성을 도시하는 도면.
도 2의 (a), (b)는 회로 패턴 검사 장치에서의 결함의 유무의 판정에 대해서 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 실시 형태에 따른 회로 패턴 검사 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도.
도 4는 회로 패턴 검사 장치의 듀얼 검사부의 개념적인 구성을 도시하는 도면.
도 5의 (a)는 검사 신호 처리부에서의 듀얼 채널 전극에 의한 검출 신호를 나타내는 도면이며, 도 5의 (b)는 검출 신호에 평활화 처리를 실시한 신호를 나타내는 도면이며, 도 5의 (c)는 거리축 매칭 처리를 실시한 검출 신호를 나타내는 도면.
도 6의 (a)는 거리축 매칭 처리된 검출 신호의 차분을 취한 차분 신호를 나타내는 도면이며, 도 6의 (b)는 차분 신호에 대해 곱연산에 의한 미소 변화의 강조 처리를 행한 곱신호를 나타내는 도면이며, 도 6의 (c)는 곱신호에서의 스파이크 노이즈를 평활화 처리한 신호를 나타내는 도면.
도 7은 회로 패턴 검사 장치에서의 측정에 대해서 설명하기 위한 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows the conceptual structure of the dual inspection part of the circuit pattern inspection apparatus which concerns on this invention.
2 (a) and 2 (b) are diagrams for explaining the determination of the presence or absence of a defect in the circuit pattern inspection device.
3 is a block diagram showing an overall configuration of a circuit pattern inspection apparatus according to the present embodiment.
4 is a diagram illustrating a conceptual configuration of a dual inspection unit of a circuit pattern inspection apparatus.
FIG. 5A is a diagram showing a detection signal by the dual channel electrode in the inspection signal processing unit, and FIG. 5B is a diagram showing a signal subjected to smoothing processing to the detection signal, and FIG. 5C. Is a diagram showing a detection signal subjected to a distance axis matching process.
FIG. 6A is a diagram showing a difference signal obtained by taking a difference between the detection signals subjected to distance axis matching, and FIG. 6B is a multiplication signal obtained by emphasizing a small change by multiplication with respect to the difference signal. Fig. 6C is a diagram showing a signal obtained by smoothing spike noise in a product signal.
7 is a diagram for explaining measurement in a circuit pattern inspection apparatus.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings.

본 발명에 따른 회로 패턴 검사 장치는, 제조 공정 중에서, 예를 들면, 글래스제의 기판 상에 형성된 복수열의 도전 패턴(배선 패턴)의 단선이나 단락의 불량 패턴을 검출하기 위한 기판과는 별도의 부재의 검사 장치이다. 검사 대상으로 되는 도전 패턴은, 예를 들면, 액정 표시 패널이나 터치식 패널 등에 이용되고 있는 회로 배선이며, 복수열에 평행 배열된 도전 패턴이나, 또한 모든 도전 패턴의 일단측이 단락 바아에 의해 접속되어 있는 빗살 형상의 도전 패턴이다. 또한, 기판 상에 형성되는 각 도전 패턴은, 패턴의 위치를 확정할 수 있는 것이면, 등간격의 배치가 아니라도 검사 가능하다. 또한, 후술하는 듀얼 검사부가 이동하였을 때에, 동일한 도전 패턴 상에, 급전 전극과 센서 전극을 대향할 수 있는 패턴이면, 도전 패턴의 도중에 굴곡이나 폭의 변화가 있어도 동등하게 검사 가능하다. 또한, 이하의 설명에서는, 이해하기 쉽게 하기 위해, 일정 간격으로 직선적인 열 형상으로 형성되는 도전 패턴을 검사 대상으로 하여 설명한다.The circuit pattern inspection apparatus which concerns on this invention is a member separate from the board | substrate for detecting the disconnection of a plurality of rows of conductive patterns (wiring pattern), or the defect pattern of a short circuit in the manufacturing process, for example on the board | substrate made of glass. Inspection device. The conductive pattern to be inspected is, for example, circuit wiring used in a liquid crystal display panel, a touch panel, or the like, and conductive patterns arranged in parallel in a plurality of columns, and one end side of all conductive patterns are connected by short-circuit bars. It is a conductive pattern of a comb shape. In addition, as long as the position of a pattern can be determined, each electrically conductive pattern formed on a board | substrate can be examined even if it is not arrange | positioned at equal intervals. Moreover, when the dual inspection part mentioned later moves, if it is a pattern which can oppose a feed electrode and a sensor electrode on the same conductive pattern, even if there exists curvature and a change of width in the middle of a conductive pattern, it can examine equally. In addition, in the following description, in order to make it easy to understand, the conductive pattern formed in linear column shape at regular intervals is demonstrated as an inspection object.

도 1은, 본 발명에 따른 회로 패턴 검사 장치의 듀얼 검사부의 개념적인 구성을 도시하는 도면이다. 도 2의 (a), (b)는, 회로 패턴 검사 장치에서의 결함의 유무의 판정에 대해서 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram illustrating a conceptual configuration of a dual inspection unit of a circuit pattern inspection apparatus according to the present invention. FIG.2 (a), (b) is a figure for demonstrating the determination of the presence or absence of the defect in a circuit pattern inspection apparatus.

도 1에 도시한 바와 같이, 회로 패턴 검사 장치(1)는, 글래스 기판 등의 절연성을 갖는 기판(100) 상에 형성된 복수열의 도전체 패턴(101) 상방에 소정 거리를 이격하여 형성되는 듀얼 검사부(2)와, 듀얼 검사부(2)에 교류로 이루어지는 검사 신호를 공급하는 검사 신호 공급부(13)와, 듀얼 검사부(2)로부터 검출된 검출 신호에 후술하는 신호 처리를 실시하는 검사 신호 처리부(5)와, 후술하는 제어부(도 2에 도시한 제어부(6)) 내에 설치된 결함 판정부(20)와, 검사 결과를 포함하는 검사 정보를 표시하는 표시부(8)를 구비하고 있다.As shown in FIG. 1, the circuit pattern inspection apparatus 1 is a dual inspection unit formed at a predetermined distance apart from a plurality of rows of conductor patterns 101 formed on a substrate 100 having insulation such as a glass substrate. (2), an inspection signal supply section 13 for supplying an inspection signal composed of alternating current to the dual inspection section 2, and an inspection signal processing section 5 for performing signal processing described later on detection signals detected from the dual inspection section 2; ), A defect determination unit 20 provided in a control unit (control unit 6 shown in FIG. 2) to be described later, and a display unit 8 for displaying inspection information including inspection results.

듀얼 검사부(2)는, 급전 전극과 센서 전극의 한 쌍으로 이루어지는 검사부를 2조 갖고 있다. 구체적으로는, 듀얼 검사부(2)는, 검사 신호를 도전 패턴(101)에 공급(인가)하기 위한 급전 전극(21)(21a, 21b)을 구비하는 검사 신호 공급 유닛(11)과, 도전 패턴(101)에 공급되어 있는 검사 신호를 검출 신호 S0으로서 검출하는 센서 전극(22, 23)을 구비하는 센서 유닛(12)으로 구성된다. 이 예에서는, 동일한 도전체 패턴 상방에 위치하는 급전 전극(21a)과 센서 전극(22)으로 이루어지는 제1 검사부와, 제1 검사부에 대해 수 패턴분의 거리가 떨어진 도전 패턴 상방에 모두 위치하는 급전 전극(21b)과 센서 전극(23)으로 이루어지는 제2 검사부로 구성된다. 급전 전극(21b)과 센서 전극(23)에서도, 동일한 도전체 패턴 상방에 위치한다.The dual inspection part 2 has two test | inspection parts which consist of a pair of a feed electrode and a sensor electrode. Specifically, the dual inspection unit 2 includes an inspection signal supply unit 11 having a power supply electrode 21 (21a, 21b) for supplying (applying) the inspection signal to the conductive pattern 101, and a conductive pattern. It consists of the sensor unit 12 provided with the sensor electrodes 22 and 23 which detect the test | inspection signal supplied to 101 as detection signal SO. In this example, the power supply positioned in both the first inspection section made up of the feed electrode 21a and the sensor electrode 22 located above the same conductor pattern and the conductive pattern located above the distance of several patterns from the first inspection section. It consists of a 2nd test | inspection part which consists of the electrode 21b and the sensor electrode 23. As shown in FIG. The feed electrode 21b and the sensor electrode 23 are also located above the same conductor pattern.

검사 신호 공급부(13)는, 급전 전극(21a)과 급전 전극(21b)에, 동일 전압값이며 동일 주파수인 교류의 검사 신호가 동일한 주기 타이밍에서 각각으로 인가된다. 급전 전극(21a, 21b)은, 각각에 대향하는 도전 패턴(101)에 대해, 용량 결합하여, 교류의 검사 신호를 인가한다. 그들의 검사 신호는, 도전 패턴(101)을 전파하고, 대향하여 용량 결합하는 센서 전극(22, 23)에 취득된다. 또한, 검사 신호는, 용량 결합으로 전파되는 신호이면 되고, 정현파의 교류뿐만 아니라, 사각형(펄스)파의 신호이어도 된다. The test signal supply unit 13 is applied to the power supply electrode 21a and the power supply electrode 21b at each of the test signals of AC having the same voltage value and the same frequency at the same cycle timing. The feed electrodes 21a and 21b are capacitively coupled to the conductive patterns 101 facing each other, and apply an alternating inspection signal. These inspection signals are acquired by the sensor electrodes 22 and 23 which propagate the conductive pattern 101 and are capacitively coupled to each other. The test signal may be a signal propagated by capacitive coupling, and may be a signal of a square (pulse) wave as well as an alternating current of a sine wave.

이들의 유닛(11, 12)은, 이동 기구(3)에 의해, 급전 전극(21a, 21b)으로부터 검사 신호를 도전 패턴(101)에 대해 인가하고 있는 상태, 또한 도전 패턴(101)으로부터 센서 전극(22, 23)이 검사 신호를 검출하고 있는 상태에서, 패턴 상방에 동일한 이격 거리(측정 갭)를 유지한 상태에서, 도전 패턴의 열과 교차(횡단)하도록 이동된다. 또한, 검사 신호 공급 유닛(11) 및 센서 유닛(12)은, 도전 패턴과, 급전 전극 및 센서 전극이 대향하는 위치이면, 검사 대상의 기판 상에서 떨어져 배치(예를 들면, 도전 패턴의 양단)되어도 되고, 반대로, 근접하는 위치에 배치되어도 된다. 이것은, 듀얼 검사부(2)가 용량 결합에 의해, 검출 신호의 변화를 검출하고 있기 때문에, 단선에 의해 도전 패턴에서의 용량이 정상 시와는 달리, 검출 신호의 변화로서 나타나기 때문이다.These units 11 and 12 are in the state of applying the test signal to the conductive pattern 101 from the feed electrodes 21a and 21b by the moving mechanism 3, and from the conductive pattern 101 to the sensor electrode. In the state where (22, 23) detects the inspection signal, it is moved so as to intersect (cross) the rows of the conductive patterns while maintaining the same separation distance (measurement gap) above the pattern. In addition, the inspection signal supply unit 11 and the sensor unit 12 may be disposed apart from each other (for example, at both ends of the conductive pattern) on the substrate to be inspected as long as the conductive pattern and the feed electrode and the sensor electrode face each other. Conversely, you may arrange | position to the position which adjoins. This is because since the dual inspection unit 2 detects a change in the detection signal by capacitive coupling, the capacitance in the conductive pattern appears as a change in the detection signal due to disconnection, unlike when normal.

이와 같이 구성된 제1 검사부와 제2 검사부는, 검사 대상으로 되는 기판(100) 상방을 일체적으로, 1회 주사 이동으로, 각각에 검사 동작하여, 1개의 도전 패턴(1O1)에 대해, 모두 1회씩 검사를 행하고, 각각에 검출된 검출 신호 S0a, S0b에는 동일한 도전 패턴에 대한 검사 결과를 포함하고 있다. 즉, 검사부측에서 보면, 1회 검사로 2회분의 결과를 얻을 수 있고, 도전 패턴측에서 보면 근소한 시간차로 2회의 검사가 실시되어 있는 것으로 된다.The 1st inspection part and the 2nd inspection part comprised in this way test | inspect each of the board | substrate 100 used as an inspection object integrally by one scanning movement, respectively, and it is 1 for every one conductive pattern 101. The test is performed once, and each of the detected signals S0a and S0b includes the test results for the same conductive pattern. In other words, when viewed from the inspection unit side, two results can be obtained by one inspection, and when viewed from the conductive pattern side, two inspections are performed with a slight time difference.

도 2의 (a)는, 제1 검사부(센서 전극(22))에 의한 판정 신호 Sja와, 제2 검사부(센서 전극(23))에 의한 판정 신호 Sjb를 나타내고, 각각의 동일한 레벨의 판정 기준에 의해 결함 후보의 선출에 대해서 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 종축이 신호값, 횡축이 시간축 또는 도전 패턴 위치로서 나타낼 수 있다.FIG. 2A shows the determination signal Sja by the first inspection unit (sensor electrode 22) and the determination signal Sjb by the second inspection unit (sensor electrode 23). It is a figure for demonstrating selection of a defect candidate by the following. Here, the vertical axis may represent a signal value and the horizontal axis may represent a time axis or a conductive pattern position.

검사 신호 공급 유닛(11)이 도전 패턴 상방을 이동하였을 때에, 급전 전극(21a)과 급전 전극(21b)으로부터 각각 다른 도전 패턴에 용량 결합에 의해, 교류의 동일한 검사 신호가 인가된다.When the inspection signal supply unit 11 moves above the conductive pattern, the same inspection signal of alternating current is applied by capacitive coupling to the different conductive patterns from the feed electrode 21a and the feed electrode 21b, respectively.

센서 전극(22, 23)은, 패턴 상방을 통과하면서, 각각에 도전 패턴(101)이 전파된 검사 신호를, 센서 전극(22)으로부터 검출 신호 S0a로서, 센서 전극(23)으로부터 검출 신호 S0b로서 검출된다. 따라서, 1개의 도전 패턴(101)에 대해, 2개의 검사 결과를 얻을 수 있다. 이들의 2개의 검사 결과는, 센서간의 거리분만큼, 검사 결과가 어긋나 있기 때문에, 후술하는 거리축 매칭에 의해, 검사 위치를 맞춘다. 또한, 여기서 말하는, 거리축 매칭이라 함은, 센서 전극(22)과 센서 전극(23)이 수 패턴분의 거리가 떨어져 배치되어 있기 때문에, 2개의 검출 데이터(검출 신호)에서는, 그 거리분의 어긋남이 발생하고 있다. 이들을 비교하기 위해서는, 그 거리분의 차를 없애도록, 검출 데이터의 어느 한쪽, 또는 양방을 근접시켜, 축 상에서 동일한 도전 패턴이 일치하도록 이동시키는 것이다. The sensor electrodes 22 and 23 pass the pattern upwards, and the inspection signal propagated to the conductive pattern 101 is detected as the detection signal S0a from the sensor electrode 22 and the detection signal S0b from the sensor electrode 23. Is detected. Therefore, two inspection results can be obtained for one conductive pattern 101. Since these inspection results are shifted only by the distance between sensors, these inspection results are matched by the distance axis matching mentioned later. The distance axis matching here means that the distance between the sensor electrode 22 and the sensor electrode 23 is separated by several patterns. Therefore, in the two detection data (detection signals), A misalignment is occurring. To compare them, one or both of the detection data are brought close to each other so as to eliminate the difference in distance, and the same conductive pattern is moved on the axis so as to match.

도 2의 (b)에서는, 도 2의 (a)에 도시한 각각의 판정 신호를 횡축 방향으로 이동시켜, 종축에서의 패턴 위치를 일치시키고 있다.In FIG. 2 (b), each determination signal shown in FIG. 2 (a) is moved in the horizontal axis direction to match the pattern position on the vertical axis.

우선, 검출 신호 S0a, S0b는, 검사 신호 처리부(5)에 송출된다. 검사 신호 처리부(5)에서는, 필요에 따라서, 검출 신호의 증폭, 증폭된 검출 신호로부터 잡음 성분 제거가 실시되어, 검사 신호 S0a, S0b로부터 판정 신호 Sja, Sjb가 생성되고, 결함 판정부(20)에 송출된다.First, detection signals S0a and S0b are sent to the inspection signal processing unit 5. In the test signal processing unit 5, noise components are removed from the amplified and amplified detection signals of the detection signal as needed, and determination signals Sja and Sjb are generated from the test signals S0a and S0b, and the defect determination unit 20 is performed. Is sent out.

이 결함 판정부(20)는, 우선, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 미리 정한 판정 기준으로 되는 동일한 기준 신호와, 각각의 판정 신호 Sja, Sjb를 비교하여, 기준 이하의 피크값에 대해 결함 후보 Pa1, Pa2 및 Pb1, Pb2로서 선출한다. 또한, 도 2의 (a)에서는, 기준 이하(또는, 기준에 만족하지 않는)의 피크 신호를 결함 후보로서 설정하였지만, 신호의 검출 방법에서는, 기준 이상(또는, 기준을 초과하는)의 피크 신호를 결함 후보로서 설정하는 경우도 있다.As shown in Fig. 2A, the defect determination unit 20 first compares the same reference signal serving as a predetermined determination criterion with respective determination signals Sja and Sjb, and the peak value below the reference. Are selected as defect candidates Pa1, Pa2, and Pb1, Pb2. In Fig. 2A, the peak signal below the reference (or not satisfying the reference) is set as a defect candidate, but in the signal detection method, the peak signal above the reference (or exceeding the reference) is detected. May be set as a defect candidate.

이들의 판정 신호 Sja, Sjb는, 전술한 바와 같이, 센서 전극(22)과 센서 전극(23)이 수 패턴분의 거리가 떨어져 배치되어 있기 때문에, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 판정 신호에서의 패턴이 동일한 위치(동일한 검출 타이밍)로 되도록, 거리축 매칭에 의해 패턴 위치를 일치시킨다. As described above, these determination signals Sja and Sjb are arranged so that the distance between the sensor electrode 22 and the sensor electrode 23 is a few patterns apart, as shown in FIG. The pattern position is matched by distance axis matching so that the pattern in the determination signal is at the same position (same detection timing).

다음으로, 도 2의 (b)에 도시한 판정 신호 Sja, Sjb에서의 결함 후보 Pa1, Pa2 및 Pb1, pb2를 비교한다. 이 비교에서는, 결함 후보 Pa2와 Pb1이 종축 상에서 일치하고 있다. 다른 결함 후보 Pa1과 Pb2는, 모두 종축 상에 일치하는 결함 후보가 존재하고 있지 않다. 이 비교 결과에 의해, 결함 판정부(20)는, 결함 후보 Pa2와 Pb1을 참된 결함으로 판정하고, 다른 결함 후보 Pa1과 Pb2는, 의사의 결함 후보 즉, 노이즈 등인 것으로 판정한다("제1 판정"). 즉, 도전 패턴에서의 결함은 불변적인 것이며, 복수회 검사를 행하여도, 마찬가지의 결함을 나타내는 검출 신호가 얻어진다. 이에 대해, 검출 신호에 중첩되는 노이즈 등은, 단시간에 또한 단발적으로 발생하는 경우가 많다. 따라서, 최초의 제1 검사부에 의한 검출 신호에 포함되는 결함 후보가, 다음의 제2 검사부에 의한 검출 신호에 결함 후보로서 포함되어 있지 않은 경우에는, 제1 검사부의 결함 후보는, 노이즈 등에 기인하는 의사의 결함으로 판정한다.Next, the defect candidates Pa1, Pa2 and Pb1, pb2 in the determination signals Sja and Sjb shown in Fig. 2B are compared. In this comparison, the defect candidates Pa2 and Pb1 coincide on the vertical axis. The other defect candidates Pa1 and Pb2 do not have any defect candidates coincident on the vertical axis. Based on this comparison result, the defect determination unit 20 determines the defect candidates Pa2 and Pb1 as true defects, and determines that the other defect candidates Pa1 and Pb2 are pseudo defect candidates, that is, noise ("first determination"). "). That is, the defect in a conductive pattern is invariant, and even if it examines multiple times, the detection signal which shows the same defect is obtained. On the other hand, noise and the like superimposed on the detection signal are often generated in a short time and in a single time. Therefore, when the defect candidate included in the detection signal by the first first inspection unit is not included as a defect candidate in the detection signal by the second inspection unit, the defect candidate of the first inspection unit is caused by noise or the like. Judging by the fault of the doctor.

본 실시 형태에서는, 2조에 급전 전극과 센서 전극의 쌍에 의해 구성되는 검사부이지만, 물론 2조에 한정되는 것이 아니라, 필요하다면, 3조 이상의 급전 전극과 센서 전극의 쌍을 이용하여도 된다. In this embodiment, although it is a test | inspection part comprised by two pairs of a feed electrode and a sensor electrode, it is not limited to two sets of course, You may use a pair of three or more sets of feed electrodes and a sensor electrode if necessary.

이상의 점에서, 본 실시 형태의 듀얼 검사부에 의하면, 검사부측에서 보아, 검사 대상 기판(100)의 상방을, 1회 이동시킨 검사에 의해, 제1 검사부와 제2 검사부가 각각에 검사 동작하여, 1개의 도전 패턴(101)에 대해, 모두 1회씩 검사가 행해져, 각각에 검출 신호 S0a, S0b가 얻어진다. 이들의 검출 신호에는, 모두, 동일한 도전 패턴에 대한 검사 결과를 포함하고, 1회 검사로 2회분의 결과를 얻을 수 있다. 이들의 검출 신호로부터 결함 후보를 선출하고, 패턴의 위치 정렬을 행한 검출 신호에서, 동일한 위치에 존재하는 결함 후보를 참된 결함으로 판정한다.In view of the above, according to the dual inspection unit of the present embodiment, the first inspection unit and the second inspection unit inspect each of the first inspection unit and the second inspection unit by an inspection in which the upper side of the inspection target substrate 100 is moved once as viewed from the inspection unit side. Each of the conductive patterns 101 is inspected once, and detection signals S0a and S0b are obtained, respectively. All of these detection signals include the test results for the same conductive pattern, and two results can be obtained by one test. A defect candidate is selected from these detection signals, and the defect candidate which exists in the same position is judged as a true defect in the detection signal which carried out the position alignment of the pattern.

따라서, 1회 검출 동작에 의해 얻어진 검사 신호에 의해, 정확한 판정을 실현하여, 노이즈 등이 적정하게 제거된 도전 패턴의 양부 결과를 얻을 수 있다.Therefore, by the inspection signal obtained by the one-time detection operation, accurate determination can be realized, and it is possible to obtain a result of the conduction of the conductive pattern from which noise and the like are appropriately removed.

다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 회로 패턴 검사 장치에 대해서 설명한다.Next, a circuit pattern inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 3은, 제2 실시 형태에 따른 회로 패턴 검사 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도이다. 도 4는, 회로 패턴 검사 장치에서의 듀얼 검사부의 구성을 도시하는 도면이다. 또한, 도 1에 도시한 구성 부위와 동등한 부위에는 동일한 참조 부호를 붙이고 있다.3 is a block diagram showing an overall configuration of a circuit pattern inspection device according to a second embodiment. 4 is a diagram illustrating a configuration of a dual inspection unit in the circuit pattern inspection apparatus. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the site | part equivalent to the structural part shown in FIG.

이 회로 패턴 검사 장치(1)는, 검사 시에, 전술한 기판(100) 상에 형성된 복수열의 도전체 패턴(101) 상방에 소정 거리를 이격하도록 설정되는 듀얼 검사부(2)와, 듀얼 검사부(2)의 이격(비접촉) 상태를 유지하고, 도전체 패턴(101) 상방을 교차하도록 이동시키는 이동 기구(3)와, 이동 기구(3)를 구동 제어하는 구동 제어부(4)와, 듀얼 검사부(2)에 교류로 이루어지는 검사 신호를 공급하는 검사 신호 공급부(13)와, 듀얼 검사부(2)의 센서 전극(22a, 23a)으로부터 검출된 검출 신호로부터 노이즈 전극(22b, 23b)에 의한 노이즈 신호를 차감한 검출 신호 S0(S0a, S0b)을 생성하는 노이즈 제거부(24, 25)와, 검출 신호 S0(S0a, S0b)에 대해, 후술하는 신호 처리를 실시하는 검사 신호 처리부(5)와, 장치의 전체를 제어하고 또한 검사 신호 처리부(5)로부터의 결함의 판정 신호 Sj에 기초하는 도전 패턴의 양호 불량의 결함 판정을 행하는 제어부(6)와, 제어부(6)에 지시를 행하기 위한 키보드나 스위치 패널 등으로 이루어지는 입력부(7)와, 입력된 지시나 검사 결과를 포함하는 검사 정보를 표시하는 표시부(8)로 구성된다.The circuit pattern inspection apparatus 1 includes, at the time of inspection, a dual inspection unit 2 and a dual inspection unit 2 which are set to be spaced apart a predetermined distance above a plurality of rows of conductor patterns 101 formed on the substrate 100 described above. The moving mechanism 3 which maintains the space | interval (non-contacting) state of 2), and moves so that it may cross | intersect above the conductor pattern 101, the drive control part 4 which drive-controls the moving mechanism 3, and the dual inspection part ( 2) the noise signal by the noise electrodes 22b and 23b from the detection signal detected by the inspection signal supply part 13 which supplies the inspection signal which consists of alternating current, and the sensor electrodes 22a and 23a of the dual inspection part 2; Noise canceling units 24 and 25 for generating subtracted detection signals S0 (S0a and S0b), Inspection signal processing unit 5 for performing signal processing to be described later on detection signals S0 (S0a and S0b), and apparatus To control the entirety of and based on the determination signal Sj of the defect from the inspection signal processing section 5 Inspection information including a control unit 6 for performing defect determination of good or bad of a conductive pattern, an input unit 7 including a keyboard, a switch panel, etc. for instructing the control unit 6, and an input instruction or inspection result. It is comprised by the display part 8 which displays.

듀얼 검사부(2)는, 검사 신호를 도전 패턴(101)에 공급(인가)하는 검사 신호 공급 유닛(11)과, 도전 패턴(101)에 공급되어 있는 검사 신호를 검출하는 센서 유닛(12)으로 구성된다. 이들의 유닛은, 이동 기구(3)에 의해 도전 패턴(101)에 대해, 상방에 동일한 이격 거리(측정 갭)를 유지한 상태로 이동된다. 이동 기구(3)에는, 도시하고 있지 않지만, 도전 패턴(101)과의 거리를 측정하기 위한 거리 센서와 높이 조정 기구가 설치되어 있고, 검사 시의 검사 신호 공급 유닛(11) 및 센서 유닛(12)의 도전 패턴으로부터의 이격 거리가 항상 일정하게 되도록 조정되어 있다.The dual inspection unit 2 is an inspection signal supply unit 11 for supplying (applying) an inspection signal to the conductive pattern 101, and a sensor unit 12 for detecting the inspection signal supplied to the conductive pattern 101. It is composed. These units are moved by the movement mechanism 3 in the state which kept the same separation distance (measurement gap) upward with respect to the conductive pattern 101. FIG. Although not shown, the moving mechanism 3 is provided with a distance sensor and a height adjusting mechanism for measuring the distance to the conductive pattern 101, and the inspection signal supply unit 11 and the sensor unit 12 during inspection. ), The distance from the conductive pattern is always adjusted to be constant.

도 3에 도시한 바와 같이, 검사 신호 공급 유닛(11)에는, 패턴수열분의 거리가 떨어진 도전 패턴(101) 상방에 각각 동일한 거리를 이격하는 급전 전극(21a, 21b)이 설치되어 있다. 급전 전극(21a, 21b)에는, 검사 신호 공급부(13)로부터, 동일 전압값이며 동일 주파수인 교류의 검사 신호가 동일한 주기 타이밍에서 각각으로 인가된다. 이들의 급전 전극(21a, 21b)의 전극 폭은, 적절하게 설정되는 것이며, 검사 신호를 적정하게 공급할 수 있는 것이라면, 도전 패턴(101)의 폭 이하이어도 되고, 인접하는 도전 패턴에 검사 신호를 인가하지 않으면, 도전 패턴(101)의 폭 이상을 가져도 된다.As shown in FIG. 3, the test signal supply unit 11 is provided with power feeding electrodes 21a and 21b spaced apart from each other by the same distance above the conductive pattern 101 from which the distance of the pattern sequence is separated. The test signals of the same voltage value and the same frequency are applied to the power supply electrodes 21a and 21b at the same cycle timing, respectively. The electrode width of these power feeding electrodes 21a and 21b is set suitably, and if the test signal can be supplied appropriately, the width of the conductive pattern 101 may be below, and the test signal is applied to an adjacent conductive pattern. Otherwise, it may have more than the width of the conductive pattern 101.

본 실시 형태는, 센서 유닛(12)에는, 각각에 2개의 센서 전극이 쌍으로 되는 센서쌍(22, 23)이 설치되어 있다.In this embodiment, the sensor unit 12 is provided with sensor pairs 22 and 23 in which two sensor electrodes are paired, respectively.

예를 들면, 센서쌍(22)에서는, 한쪽의 센서 전극(22a)이 급전 전극(21a)과 동일한 도전 패턴 상방에 대향할 수 있도록 배치되어 있다. 또한, 쌍으로 되는 센서 전극(22b)은, 센서 전극(22a)으로부터 수 패턴 떨어진 도전 패턴(101) 상방에 대향하도록 배치되어 있다. 이 센서 전극(22b)은, 검사 신호가 공급되어 있는 도전 패턴으로부터 수 패턴 떨어져 있는 도전 패턴 상방에 배치되어, 노이즈를 검출하도록 구성된다. 이하의 설명에서, 이 센서 전극(22b)을 노이즈 전극(22b)이라고 칭한다.For example, in the sensor pair 22, one sensor electrode 22a is arrange | positioned so that it may oppose the same conductive pattern upper direction as the power supply electrode 21a. Moreover, the pair of sensor electrodes 22b are arrange | positioned so as to oppose the conductive pattern 101 upper side apart from several patterns from the sensor electrode 22a. This sensor electrode 22b is arrange | positioned above the conductive pattern spaced apart several patterns from the conductive pattern to which the test signal is supplied, and is comprised so that a noise may be detected. In the following description, this sensor electrode 22b is referred to as a noise electrode 22b.

본 실시 형태와 같이, 검사 대상(도전 패턴)에 비접촉의 검사 전극에 의한 용량 결합을 이용하여 측정하는 경우에는, 접촉형 센서와 같은 절대적인 기준 전위(예를 들면, GND:0V)가 존재하고 있지 않다. 따라서, 센서 전극(22a)과 동일한 특성을 갖는 노이즈 전극(22b)을 설치하여, 검사 신호가 공급되어 있지 않은 도전 패턴에 대해 검출을 행하고, 무신호 상태의 신호값, 예를 들면 노이즈 신호를 검출한다. 센서 전극(22a)에 의해 검출된 검사 신호로부터 중첩되어 있는 노이즈를 비교 또는, 차감함으로써, 적정한 검출 신호로 된다.As in the present embodiment, when measuring by capacitive coupling by a non-contact inspection electrode to the inspection object (conductive pattern), there is no absolute reference potential (for example, GND: 0 V) similar to that of a contact sensor. not. Therefore, a noise electrode 22b having the same characteristics as that of the sensor electrode 22a is provided to detect the conductive pattern to which the test signal is not supplied, thereby detecting a signal value in the no signal state, for example, a noise signal. do. By comparing or subtracting the superposed noise from the inspection signal detected by the sensor electrode 22a, an appropriate detection signal is obtained.

센서 유닛(12)에 의해 검출된 실제의 검출 신호에는, 도전체 패턴에서의 배선 피치에 기인하는 주기적인 노이즈뿐만 아니라, 이동 시에 발생하는 메커니즘 서보 노이즈 및 이격 거리의 변동 및 주변에 배치된 기기로부터의 커먼 모드 노이즈(접지 라인 상을 전파하는 노이즈)의 영향 등의 영향도 포함되어 있다.The actual detection signal detected by the sensor unit 12 includes not only the periodic noise caused by the wiring pitch in the conductor pattern, but also the mechanism servo noise and the variation of the separation distance generated at the time of movement and the device arranged in the vicinity. Effects such as the influence of the common mode noise (the noise propagating on the ground line) from the circuit are also included.

본 실시 형태에서는, 센서 전극(22a)으로부터 소정 거리, 예를 들면, 2㎜ 떨어진 위치에 노이즈 전극(22b)을 배치한다. 이 구성에 의해, 센서 전극(22a)에 의한 검출 출력과, 노이즈 전극(22b)에 의한 검출 출력을 검사 신호 처리부(5)에 송출하여, 중첩되어 있는 노이즈를 차감함으로써, 가상 접지 전위(GND)를 만들어냄과 동시에, 노이즈 제거를 행하고 있다.In the present embodiment, the noise electrode 22b is disposed at a predetermined distance, for example, 2 mm away from the sensor electrode 22a. By this structure, the detection output by the sensor electrode 22a and the detection output by the noise electrode 22b are sent to the test signal processing part 5, and the superimposed noise is subtracted, and the virtual ground potential GND is removed. And noise reduction are performed.

또한 본 실시 형태에서, 도 1에는, 검사 신호 공급 유닛(11)과 센서 유닛(12)을 도전 패턴(101)의 양단에 배치한 예를 나타내고 있지만, 이 배치는, 일례로서 나타내고 있는 것뿐이며, 실제로는, 접근시켜 설치하여도 된다. 또한, 검사 개소에서도, 도전 패턴(101)의 양단측에서는 있을 필요는 없다. 검사 신호 공급 유닛(11)과 센서 유닛(12)이, 1개의 유닛으로서 베이스 플레이트 상에 근접 배치한 구성의 경우, 도전 패턴 상방이면, 중앙측이어도, 어느 하나의 끝측이어도 교차하도록 이동시키면, 검사를 실시할 수 있다.In addition, in this embodiment, although the example which arrange | positioned the test | inspection signal supply unit 11 and the sensor unit 12 at the both ends of the conductive pattern 101 is shown, this arrangement is only shown as an example, In practice, it may be approached and installed. In addition, it is not necessary to exist also at the both ends of the conductive pattern 101 also in an inspection point. In the case where the test signal supply unit 11 and the sensor unit 12 are arranged in close proximity to the base plate as one unit, the test signal supply unit 11 and the sensor unit 12 move upward to cross the conductive pattern above either the center side or either end side. Can be carried out.

본 실시 형태에서는, 센서 전극(22a, 23a) 및 노이즈 전극(22b, 23b)은, 가능한 한 크게 신호값을 검출하기 때문에, 도전 패턴(101)의 폭 이상으로 인접하는 도전 패턴에는 걸리지 않는 폭을 갖고 있다. 즉, 도전 패턴(101)의 폭과, 인접하는 패턴과의 스페이스의 합(양측 2개의 스페이스) 이하의 폭을 갖고 있다. 또한, 도전 패턴을 따른 방향에 대해서는 한정되지 않고, 적절하게, 전극의 길이를 설정하여도 된다.In the present embodiment, since the sensor electrodes 22a and 23a and the noise electrodes 22b and 23b detect signal values as large as possible, the sensor electrodes 22a and 23a detect a signal value as large as possible. Have That is, it has the width below the sum (two spaces on both sides) of the width of the conductive pattern 101 and the space of the adjacent pattern. The direction along the conductive pattern is not limited, and the length of the electrode may be appropriately set.

다음으로, 검사 신호 처리부(5)에 대해서 설명한다.Next, the test signal processing unit 5 will be described.

검사 신호 처리부(5)는, 평활화부(14)와, 거리축 매칭부(15)와, 차분값 산출부(16)와, 미소 변화 강조부(17)와, 스파이크 노이즈 평활화부(18)에 의한, 각 전자 회로로 구성된다. 또한, 도전 패턴(101)에 대한 결함 판정을 행하는 제어부(6) 내의 결함 판정부(20)가 이용된다.The test signal processing unit 5 includes a smoothing unit 14, a distance axis matching unit 15, a difference value calculating unit 16, a small change emphasis unit 17, and a spike noise smoothing unit 18. And each electronic circuit. Moreover, the defect determination part 20 in the control part 6 which performs the defect determination with respect to the conductive pattern 101 is used.

검사 신호 처리부(5)는, 입력된 검사 신호 S0a, S0b에 대해, 평활 처리를 행하는 평활화 처리와, 전술한 거리축 매칭 처리와, 차분값 산출 처리와, 미소 변화 강조 처리와, 스파이크 노이즈 평활화 처리가 순차적으로 행해진다. 검사 신호는, 이들의 처리가 실시되어, 결함의 판정 신호 Sj(Sja, Sjb)로 변환되어, 모든 도전 패턴(1O1)에 대한 결함 판정을 행하는 결함 판정부(20)에 송출된다. 결함 판정부(20)에서는, 각각의 판정 신호 Sja, Sjb에 기초하여, 결함의 유무를 판단하여, 그 판단 결과를 표시부(8)의 화면 상에 표시한다.The inspection signal processing unit 5 performs a smoothing process for smoothing the input inspection signals S0a and S0b, the above-described distance axis matching process, a difference value calculation process, a small change emphasis process, and a spike noise smoothing process. Are performed sequentially. The inspection signals are subjected to these processes, converted into defect determination signals Sj (Sja, Sjb), and sent to the defect determination unit 20 which performs defect determination on all the conductive patterns 100. The defect determination unit 20 determines the presence or absence of a defect based on the respective determination signals Sja and Sjb, and displays the determination result on the screen of the display unit 8.

제어부(6)는, 장치 전체의 각 구성부의 제어를 행하는 CPU(중앙 처리 유닛)(19)와, 결함 판정부(20)와, 프로그램이나 데이터에 관한 정보를 기억하는 메모리(9)로 구성된다.The control part 6 is comprised from the CPU (central processing unit) 19 which controls each component of the whole apparatus, the defect determination part 20, and the memory 9 which stores the information regarding a program or data. .

메모리(9)는, 일반적인 메모리이며, 예를 들면, ROM, RAM 또는 플래시 메모리 등을 이용하여, 제어용 프로그램, 각종 연산용 프로그램 및 데이터(테이블) 등을 기억하고 있다. The memory 9 is a general memory and stores, for example, a control program, various arithmetic programs, data (tables), and the like using a ROM, a RAM, a flash memory, or the like.

다음으로, 도 5의 (a)∼(c) 및 도 6의 (a)∼(c)를 참조하여, 검사 신호 처리부(5)의 각 구성부에 의해 처리에 대해서 설명한다. 도 7은, 측정 조건을 도시하고 있다.Next, with reference to FIGS. 5A to 5C and FIGS. 6A to 6C, the processing by the respective constituent parts of the test signal processing unit 5 will be described. 7 shows measurement conditions.

도 5의 (a)는, 센서쌍(22, 23)의 각각의 검출 신호 S0(S0a, S0b)을 나타내고 있다. 이 검출 신호 S0은, 전술한 센서 전극(22a, 23a)에 의한 검출 신호로부터 노이즈 전극(22b, 23b)에 의한 검출 신호(노이즈 신호)의 차를 취해, 노이즈의 제거 및 가상 접지 전위(GND)가 만들어져 있는 신호이다.FIG. 5A shows the detection signals S0 (S0a, S0b) of the sensor pairs 22, 23, respectively. This detection signal S0 takes the difference of the detection signal (noise signal) by the noise electrodes 22b and 23b from the detection signal by the sensor electrodes 22a and 23a mentioned above, and removes noise and virtual ground potential GND. Is the signal that is made.

본 실시 형태에서는, 전술한 바와 같이 센서쌍(22, 23)이 복수의 도전 패턴분의 간격을 두고 배치되어 있기 때문에, 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(100) 상의 도전 패턴(101)의 상방을 이동시켜, 시계열적으로 검사를 실시한 경우, 동일한 도전 패턴상을 통과할 때에 시간차가 발생한다. 이 때문에, 검출된 검출 신호 S0a, S0b에서는, 도 5의 (a)의 A1, A2, A3에 나타낸 바와 같이 시간차를 두어, 신호 파형에 동일한 변화가 생긴다.In the present embodiment, as described above, since the sensor pairs 22 and 23 are arranged at intervals of a plurality of conductive patterns, as shown in FIG. 4, the conductive patterns 101 on the substrate 100 are formed. In the case where the inspection is conducted in time series by moving upward, a time difference occurs when passing through the same conductive pattern image. For this reason, in detected detection signals S0a and S0b, as shown to A1, A2, A3 of FIG.

또한, 검사 신호를 도전 패턴에 인가하였을 때에는, 외부로부터 별도로, 노이즈가 인입하고, 검출 신호에 그 노이즈가 중첩되어 검출되어 있는 경우가 있다. 이와 같은 노이즈의 대부분이, 순간적으로 가해지고 있는 경우가 많고, 2개의 센서 전극에서 시간차를 두어, 동일한 도전 패턴에 대해 검출하면, 한쪽의 센서 전극에서 노이즈가 검출되었다고 하여도, 다른 쪽의 센서 전극에는, 그 노이즈는 검출되지 않는다. 따라서, 이 시간차를 설정함으로써, 2개의 전극의 검출 신호를 비교하면, 검출 신호의 변화인지 노이즈인지의 여부를 확인할 수 있다.When the test signal is applied to the conductive pattern, noise may be introduced separately from the outside, and the noise may be detected by being superimposed on the detection signal. Most of these noises are often applied instantaneously, and if the time difference between two sensor electrodes is detected and the same conductive pattern is detected, the other sensor electrode may be detected even if noise is detected from one sensor electrode. The noise is not detected. Therefore, by setting this time difference, it is possible to confirm whether the detection signal is a change or noise by comparing the detection signals of the two electrodes.

다음에, 필요하다면, 검출 신호에 대해 평활화 처리를 행하여, 검출 신호의 진폭과 요동을 완만화한다. 여기서, 요동이라 함은, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 신호 전체(또는 진폭의 중심)가 물결치는 바와 같이 값(전압값)이 변화하는 것을 말한다. 도 5의 (b)는, 평활화부(14)에 의해 검출 신호에 대해 평활화 처리를 행한 검출 신호 S1(S1a, S1b)을 나타내고 있다. 일반적인 평활화 회로를 이용하여 평활화 처리를 실시하여, 검출 신호의 진폭을 둔하게 하다.Next, if necessary, a smoothing process is performed on the detection signal to smooth the amplitude and fluctuation of the detection signal. Here, the fluctuation means that the value (voltage value) changes as the whole signal (or center of amplitude) is waved as shown in Fig. 5A. FIG. 5B shows detection signals S1 (S1a, S1b) that have been smoothed by the smoothing unit 14 with respect to the detection signals. A smoothing process is performed using a general smoothing circuit to make the amplitude of the detection signal dull.

평활화된 검출 신호 S1a, S1b는, 아직 시간차(위상차)를 두고 있기 때문에, 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 거리축 매칭부(15)에 의해 2개의 검출 신호의 위상을 일치시킨 매칭 처리를 실시한다. 이 매칭 처리에 의해, 도 5의 (a)에 나타낸 A1에 검출 신호 S2(S2a, S2b)를 나타낸다. 이 매칭 처리에서, 2개의 센서 전극간의 거리와, 검출 시의 센서 전극의 이동 속도가 이미 알려져 있으므로, 이동 거리차를 용이하게 산출할 수 있다. 그 이동 거리차분만큼 한쪽의 검출 신호를 이동시키는 것만이어도 된다.Since the smoothed detection signals S1a and S1b still have a time difference (phase difference), as shown in Fig. 5C, the matching processing is performed by matching the phases of the two detection signals by the distance axis matching unit 15. Is carried out. By this matching process, detection signal S2 (S2a, S2b) is shown by A1 shown to Fig.5 (a). In this matching process, since the distance between two sensor electrodes and the moving speed of the sensor electrode at the time of detection are already known, the moving distance difference can be calculated easily. Only one detection signal may be moved by the movement distance difference.

이 매칭 처리에 의해, 동일한 도전 패턴에서의 검출 신호가 일치한다. 이것은 예를 들면, 도 5의 (a)에 나타내고 있는 동일한 주목 개소를 묶는 A1이 기울어져 있지만, 매칭 처리를 실시함으로써, A1이 연직 방향으로 되고, 그 기울기가 없어져, 일치한 것을 나타내고 있다.By this matching process, detection signals in the same conductive pattern match. This indicates, for example, that A1 tying the same point of interest shown in Fig. 5A is inclined, but by performing the matching process, A1 is in the vertical direction, indicating that the inclination is lost and coincided.

또한, 일치한 검출 신호 S2a, S2b에 각각에 대해, 차분값 산출부(16)에 의해 차를 취한다. 구체적으로는, 도 6의 (a)에 나타낸 차분 신호 S3[제1 차분 신호(S3a) 및 제2 차분 신호(S3b)]은, 검출 신호 S2a, S2b가, 일정 간격으로 샘플링된 신호값이었던 경우에, 직전의 신호값과의 차분을 취하고, 이 차분의 값으로 플롯된 신호이다. 이 때문에, 종축의 출력 전압값이 도 5의 (c)에 비해, 2자릿수 이상 작게 되어 있다. 또한, 이 신호의 차분을 취함으로써, 2개의 차분 신호 S3a, S3b의 변화의 특징만이 추출되고, 또한 일치한 가상 접지 전위(GND)를 만들어 낼 수 있다. 가상 접지 전위에 의해, 신호 전체의 요동(신호의 진폭의 기준값의 상하 변화)이 없어져, 일정한 기준값(0V)에서의 진폭의 신호로 된다.In addition, the difference value calculating section 16 makes a difference with respect to the matched detection signals S2a and S2b, respectively. Specifically, the difference signal S3 (first difference signal S3a and second difference signal S3b) shown in FIG. 6A is a case where detection signals S2a and S2b are signal values sampled at regular intervals. Is a signal obtained by taking the difference from the previous signal value and plotted with the difference value. For this reason, the output voltage value of a vertical axis | shaft is made smaller than 2 digits compared with FIG. 5C. In addition, by taking the difference of these signals, only the characteristic of the change of the two difference signals S3a and S3b can be extracted, and a matching virtual ground potential GND can be produced. The virtual ground potential eliminates the fluctuation (up and down change of the reference value of the amplitude of the signal) of the entire signal, resulting in a signal of amplitude at a constant reference value (0V).

도 6의 (b)에는, 미소 변화 강조부(17)에 의해 차분 신호 S3a, S3b에 강조 처리를 실시한 곱신호 S4를 나타내고 있다. 이 강조 처리는, 차분 신호 S3a와 차분 신호 S3b와의 곱에 의한 연산 처리(이하, 곱연산이라고 칭함)가 행해진다. 이 곱연산은, 동일한 도전 패턴(101)에 불량 개소가 있으면, 차분 신호 S3a, S3b에는, 모두, 신호값으로 변화가 생기기 때문에, 이들을 곱(승산)함으로써, 미처리한 산출값보다도, 그 변화가 보다 강조되게 된다. 간단히 설명하면, 예를 들면, 정상 시의 신호값이 3으로서, 불량(결함 있음) 시의 신호값이 5로 하면, 차의 2에 의해 양부 판정을 행해야만 한다.FIG. 6B shows a multiplication signal S4 in which the small change emphasis unit 17 performs emphasis processing on the difference signals S3a and S3b. This emphasis processing is performed by arithmetic processing (hereinafter referred to as multiplication) by multiplying the difference signal S3a and the difference signal S3b. In the multiplication operation, if there are defective points in the same conductive pattern 101, the difference signals S3a and S3b all change in signal values. Therefore, the multiplication is multiplied (multiplied) so that the change is greater than the unprocessed calculated value. More emphasis will be given. Briefly, for example, if the signal value at the time of normality is 3 and the signal value at the time of a faulty (defective) is 5, it is necessary to perform a satisfactory determination by 2 of the difference.

그러나, 본 실시 형태와 같이, 동일한 도전 패턴으로부터 2회 검출한 신호끼리를 곱하면, 정상 시 3×3=9와, 불량 시 5×5=25로 되고, 9와 25의 비교로 되어, 그 차 16에 의해, 양부 판정을 행할 수 있게 된다.However, multiplying the signals detected twice from the same conductive pattern as in the present embodiment results in 3x3 = 9 at normal and 5x5 = 25 at failure, which is a comparison between 9 and 25. Due to the difference 16, it is possible to make a determination of acceptance.

본 실시 형태에서의 도 7에 의한 측정 조건을 이용한 측정 결과에 따르면, 도 6의 (b)에 나타낸 A1, A2, A3의 개소의 검출 신호가 강조되어 있다.According to the measurement result using the measurement conditions by FIG. 7 in this embodiment, the detection signal of the location of A1, A2, A3 shown to FIG. 6B is emphasized.

다음으로, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같이, 강조 처리된 곱신호 S4에 대해, 일반적인 필터 등을 이용한 스파이크 노이즈 평활화부(18)에 의해, 스파이크 노이즈의 평활화 처리를 행한다. 이 처리에 의해 극단 시간에 급준한 변화에 대해 완만화하여, 스파이크 노이즈를 눈에 띄지 않게 함으로써, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같은 진폭의 변화가 완만화된 신호(결함의 판정 신호 Sj)를 얻을 수 있다.Next, as shown in Fig. 6C, the spike noise smoothing unit 18 using a general filter or the like performs the smoothing process of the spike noise on the multiplied signal S4. This process slows the steep change in the extreme time and makes the spike noise inconspicuous, so that the change in amplitude as shown in Fig. 6C is smoothed (defect determination signal Sj). Can be obtained.

다음으로, 판정 신호 Sj는, 제어부(6)에 설치된 결함 판정부(20)에 송출된다. 결함 판정부(20)에서는, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같은 판별 임계값이 설정되어 있다. 이 판별 임계값은, 판정 신호 Sj의 정상 시의 값(신호 B1, B2의 범위)에 기초하여 적절하게 설정된다. 본 실시 형태에서는, 일례로서, 판별 임계값을 정상 시의 피크값의 대략 2배의 0.00012V로 설정하고 있다. 이 판별 임계값을 초과하는 신호값 A1, A2, A3이 검출된 도전 패턴(101)에 대해, 3개의 도전 패턴(101)에 결함(단선)이 있다고 판정된다("제2 판정"). 또한, 결함을 갖는 도전 패턴(101)은, 그래프의 횡축에 나타내는 이동 거리에 기초하여, 특정할 수 있다.Next, the determination signal Sj is sent to the defect determination unit 20 provided in the control unit 6. In the defect determination unit 20, a determination threshold value as shown in Fig. 6C is set. This determination threshold value is appropriately set based on the normal value (range of signals B1 and B2) of determination signal Sj. In this embodiment, as an example, the determination threshold value is set to 0.00012 V which is approximately twice the peak value at the normal time. With respect to the conductive pattern 101 in which signal values A1, A2, and A3 exceeding this determination threshold value are detected, it is determined that three conductive patterns 101 have a defect (disruption) ("second determination"). In addition, the conductive pattern 101 which has a defect can be specified based on the movement distance shown on the horizontal axis of a graph.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 회로 패턴 검사 장치에서는, 검사 대상으로 되는 도전 패턴에 대해, 이동되는 급전 전극(21a)이 대향하였을 때에 비접촉으로 용량 결합하여, 교류의 검사 신호가 인가되고, 그 때에 그 도전 패턴에 대향하는 센서 전극(22a)으로부터 제1 검출 신호가 검출된다. 또한, 경시 후에 동일한 도전 패턴에 대해, 이동되는 급전 전극(21b)이 대향하였을 때에 비접촉으로 용량 결합하여, 교류의 검사 신호가 인가되고, 그 때에, 그 도전 패턴에 대향하는 센서 전극(23a)으로부터 제2 검출 신호가 검출된다.As described above, in the circuit pattern inspecting apparatus of the present embodiment, when the feeding electrode 21a to be moved is opposed to the conductive pattern to be inspected, it is capacitively coupled in a non-contact manner, and an alternating inspection signal is applied. At this time, the first detection signal is detected from the sensor electrode 22a opposite to the conductive pattern. In addition, when the feeding electrode 21b to be moved is opposed to the same conductive pattern after lapse of time, it is capacitively coupled in a non-contact manner, and an alternating inspection signal is applied, and at that time, from the sensor electrode 23a facing the conductive pattern. The second detection signal is detected.

따라서, 본 실시 형태는, 동일한 도전 패턴에 대해, 적어도 2조의 센서쌍에 의해 2회 검출하고, 동기시킨 2개의 검출 신호에 비교에 의해, 결함의 유무를 판정한다.Therefore, in the present embodiment, the same conductive pattern is detected twice by at least two pairs of sensor pairs, and the presence or absence of a defect is determined by comparison with the two detection signals that are synchronized.

또한, 이 비교에 의한 판정에서, 검출된 2개의 검출 신호에서의 변화가 적은 경우에는, 이들의 제1 검출 신호와 제2 검출 신호와의 곱을 취하여, 결함 개소의 신호 변화를 현저하게 강조시킨 결함 판정 신호를 생성한다. 결함 판정 신호는, 노이즈 전극의 검출 신호를 이용하여 검출 신호에 정상적으로 중첩되는 노이즈가 제거된다.In addition, in the determination by this comparison, when there are few changes in the detected two detection signals, the product of these first detection signals and the second detection signals is multiplied to significantly emphasize the signal change at the defect point. Generate a decision signal. In the defect determination signal, noise superimposed on the detection signal is removed using the detection signal of the noise electrode.

또한, 본 실시 형태에서는, 각각의 도전 패턴에 대해, 2조의 센서쌍에 의해 2회 검출한 예에 대해서 설명하였지만, 물론, 한정되는 것이 아니라, 2조 이상의 센서쌍을 이용하여, 2회 이상의 검출을 행하여도 된다. In addition, in this embodiment, although the example which detected twice with each pair of sensor pairs about each conductive pattern was demonstrated, it is not limited, of course, It detects twice or more times using two or more pairs of sensor pairs. May be performed.

또한, 전술한 실시 형태에서는, 센서 전극과 노이즈 전극의 한 쌍의 센서이었지만, 센서 전극(제1 센서 전극)이, 어느 도전 패턴에 대향하였을 때에, 인접한 도전 패턴에 대향하도록 제2 센서 전극을 인접하여 설치함으로써, 단선 결함뿐만 아니라, 단락 결함도 검출하는 것이 가능하다. 이 경우에, 제2 센서 전극은, 인접한 도전 패턴에 반드시 정면으로 마주 대할 필요는 없으며, 그 도전 패턴의 일부에 걸리는 것만으로도 검출하는 것은 가능하다. 또한, 전술한 예에서는, 2개의 검출 신호의 곱을 취한 강조 처리를 행하고 있지만, 2개 이상의 검출 신호에서의 곱연산이어도 된다. In addition, in the above-mentioned embodiment, although it was a pair of sensor of a sensor electrode and a noise electrode, when a sensor electrode (1st sensor electrode) opposes any conductive pattern, it adjoins a 2nd sensor electrode so that it may oppose an adjacent conductive pattern. By installing in this manner, it is possible to detect not only disconnection defects but also short circuit defects. In this case, the second sensor electrode is not necessarily faced to the adjacent conductive pattern in front, and can be detected only by being caught by a part of the conductive pattern. In addition, in the above-mentioned example, although the emphasis process which took the product of two detection signals is performed, the multiplication operation in two or more detection signals may be sufficient.

또한, 본 실시 형태에서는, 검사 시간의 효율화(검사 처리 속도의 향상)를 도모하기 위해, 듀얼 검사부(2)를 탑재하여 이동 기구(3)에 의해, 이동한 상태에서 연속적으로 검사를 행한 예이다. 이에 대해, 기존의 회로 패턴 검사 장치가 예를 들면, 1개의 센서쌍(센서 전극과 노이즈 전극) 또는 1개의 센서(센서 전극만)를 탑재하는 검사 장치에도 본 발명의 검사 방법을 적용하는 것은 가능하다. 즉, 배열된 도전 패턴마다 이동을 정지하는 스텝 이동을 행하고, 정지 시에 적어도 2회의 검사를 행함으로써, 시간차를 갖는 검사 결과를 얻을 수 있다. 이들의 검사 결과에 대해, 전술한 검사 신호의 곱연산을 행함으로써, 도 6의 (c)에서 나타낸 바와 같은 마찬가지의 결함 판정 신호를 얻을 수 있어, 동등한 검사 결과를 얻을 수 있다.In addition, in this embodiment, it is the example which carried out the test | inspection continuously in the state which moved by the moving mechanism 3 by mounting the dual test part 2, in order to improve the test time efficiency (improvement of the test processing speed). . In contrast, it is possible to apply the inspection method of the present invention to an inspection apparatus in which an existing circuit pattern inspection apparatus is equipped with, for example, one sensor pair (sensor electrode and noise electrode) or one sensor (sensor electrode only). Do. That is, the inspection result with time difference can be obtained by performing the step movement which stops a movement for every arranged conductive pattern, and performing an inspection at least 2 times at the time of stopping. By multiplying the inspection signals described above with respect to these inspection results, the same defect determination signal as shown in Fig. 6C can be obtained, and equivalent inspection results can be obtained.

즉, 1개의 검사 대상에 시간차를 둔 복수의 검출 신호를 취득할 수 있는 것이면, 어떠한 검사 장치에 대해서도 적용하는 것은 가능하며, 동등한 검사 결과를 얻을 수 있다. 또한, 현실적으로는 있을 수 없지만, 단순한 이론으로서, 명백하게 노이즈가 중첩되어 있지 않은 검출 신호이면, 1개의 검출 신호 S의 곱(S×S)이어도 동등한 검사 결과를 얻을 수 있다. 그 곱연산에서는, 복수회 행하여도 된다. That is, as long as it is possible to acquire a plurality of detection signals with a time difference on one inspection object, it is possible to apply to any inspection device, and equivalent inspection results can be obtained. In addition, although it is not practical, as a simple theory, even if the detection signal does not overlap noise clearly, even if it is the product (SxS) of one detection signal S, the equivalent test result can be obtained. In the multiplication operation, a plurality of times may be performed.

또한 본 실시 형태와는 달리, 검출 신호에 대해, 어떤 계수를 승산하여도, 정상적인 도전 패턴의 검출 신호와, 결함을 갖는 도전 패턴의 검출 신호와의 차를 어느 정도 크게 할 수 있지만, 각각의 도전 패턴의 검출 신호에 동일한 계수를 곱하고 있기 때문에, 검출 신호간의 차가 작은 경우에는, 그 차가 그다지 크지는 않아, 반드시 판정이 용이하게 된다고는 말할 수 없으며, 또한 계수에서의 근거가 없어, 발명의 주지로부터 일탈하게 되므로 채용하고 있지 않다.Unlike the present embodiment, even if any coefficient is multiplied with the detection signal, the difference between the detection signal of the normal conductive pattern and the detection signal of the conductive pattern having a defect can be increased to some extent. Since the detection signal of the pattern is multiplied by the same coefficient, when the difference between the detection signals is small, the difference is not very large, and it cannot be said that the determination is easy, and there is no basis in the coefficient. As we deviate, we do not adopt.

다음에 도 7에 도시한 제2 실시 형태에 따른 듀얼 검사부를 탑재하는 회로 패턴 검사 장치에 대해서 설명한다.Next, the circuit pattern inspection apparatus which mounts the dual inspection part which concerns on 2nd Embodiment shown in FIG. 7 is demonstrated.

전술한 제1 실시 형태에서의 검사 신호 처리부(5)에 전자 회로를 이용하여 실시한 예이었지만, 본 실시 형태는, 검사 신호 처리부(5)가 실행하는 신호 처리를, 어플리케이션 소프트웨어(고정밀도 결함 추출 알고리즘)에 의해 실현하는 예이다.Although it was the example implemented using the electronic circuit for the test signal processing part 5 in 1st Embodiment mentioned above, this embodiment implements the signal processing which the test signal processing part 5 performs is application software (high precision defect extraction algorithm). This is an example to realize.

본 실시 형태는, 우선, 센서쌍(22, 23)에 의해 얻어진 검출 신호를 각 검출 신호의 진폭과 요동을 완만화하기 위한 평활화 처리를 실시한다[평활화 처리 공정].In the present embodiment, first, a smoothing process for smoothing the amplitude and fluctuation of the detection signal obtained by the sensor pairs 22 and 23 is performed (smoothing processing step).

다음으로, 센서쌍(22)에 의해 얻어진 검출 신호를 fn으로 하고, 센서쌍(23)에 의해 얻어진 검출 신호를 gn으로 하고, 결함을 포함하는 파형을 형성하는 데이터 점수의 1/2을 i로 한 경우에, 그 i의 데이터수의 차분을 Next, the detection signal obtained by the sensor pair 22 is set to fn, the detection signal obtained by the sensor pair 23 is set to gn, and half of the data scores forming a waveform containing a defect are set to i. In this case, the difference in the number of data of i

Figure 112010049711647-pat00001
Figure 112010049711647-pat00001

으로서 나타낸다[차분값 산출 처리 공정].[Difference value calculation processing process].

여기서, 양 검출 신호는, 거리적인 오프셋(도전 패턴의 수열분의 거리)을 포함하고 있고, 그 사이의 도전 패턴수가 j개인 것으로 한다. 이 때, 도전 패턴수로 되는 j개분만큼 이동시켜, 매칭을 취하고, 동일 타이밍으로 한다[거리축의 매칭 처리 공정]. 즉, 양 검출 신호의 거리축을 일치시킨다.Here, it is assumed that both detection signals include a distance offset (distance of the sequence of conductive patterns) and the number of conductive patterns therebetween is j. At this time, j number of conductive patterns is moved, matching is performed, and the same timing is performed (matching process of distance axis). In other words, the distance axes of both detection signals coincide.

다음으로, 이와 같은 차분 및 매칭 처리를 실시한 검출 신호 f'n과 g'n에서의 곱[식 (1)]Next, the product of the detection signals f'n and g'n subjected to such a difference and matching process [equation (1)]

Figure 112010049711647-pat00002
Figure 112010049711647-pat00002

를 산출하고, 전술한 바와 같이, 결함 개소를 나타내는 급준한 변화만을 강조시킨다[미소 변화 강조].As described above, only the steep change indicating a defect point is emphasized (emphasis on small change).

또한 hn을 결함 형상의 데이터수 2i로 시계열의 합으로 되는,In addition, hn is the sum of time series with the number of data of defect shape 2i,

Figure 112010049711647-pat00003
Figure 112010049711647-pat00003

을 산출하고, 스파이크 노이즈 성분을 평활화한다[스파이크 노이즈 평활화 공정]. 이와 같이 처리에 의해, 최종적으로는, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같이, 결함을 갖는 도전 패턴 신호 A1, A2, A3을 포함하는 결함 판정 신호가 생성된다.The spike noise component is smoothed (spike noise smoothing step). In this manner, finally, as shown in Fig. 6C, a defect determination signal including a conductive pattern signal A1, A2, A3 having a defect is generated.

본 실시 형태에서, 얻어진 결함 판정 신호는, 정상적인 도전 패턴에서의 측정 표준 편차 6σ=0.00008254에 대해, 결함을 갖는 도전 패턴에서의 최저 레벨이 0.0001748로 되어 있다. 즉, 결함이 없는 정상적인 도전 패턴에서의 최저 표준 편차의 6배(6σ)로 되고, 실제로, 결함부의 변화의 차는 1.96배로 된다.In the present embodiment, the obtained defect determination signal has a minimum level of 0.0001748 in the conductive pattern having a defect with respect to the measurement standard deviation 6σ = 0.00008254 in the normal conductive pattern. In other words, it becomes 6 times (6σ) of the lowest standard deviation in the normal conductive pattern without a defect, and in practice, the difference in change of the defect portion is 1.96 times.

따라서, 결함 판정을 행하기 위한 적정한 임계값을 설정하는 것이 용이하게 된다. 단선 등이 생긴 불량의 도전 패턴을 용이하게 검출할 수 있다. 이와 같은 측정을 평가 횟수로서 30회 정도 반복하여 행한 결과, 동일한 측정 결과를 얻어지고 있고, 안정성도 확인하고 있다.Therefore, it is easy to set an appropriate threshold value for performing the defect determination. The defective conductive pattern in which disconnection or the like has occurred can be easily detected. As a result of repeating such measurement about 30 times as an evaluation frequency, the same measurement result was obtained and stability was also confirmed.

이상 설명한 바와 같이, 듀얼 검사부를 탑재하는 회로 패턴 검사 장치에 따르면, 소프트웨어(결함 추출 알고리즘)를 이용하여 검출 신호에 대한 결함 추출 처리에 의한 결함 판정 신호를 생성함으로써, 검사 신호 처리부가 회로 소자로 구성되지 않아도, 전술한 제1 실시 형태에서의 동등한 작용 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서도, 2개의 검출 신호를 이용한 곱연산에 의해 결함 판정 신호를 생성하고 있지만, 검출 신호는 2개 이상이어도 프로그램의 재기입에 의해 용이하게 대응할 수 있다.As described above, according to the circuit pattern inspection apparatus equipped with the dual inspection portion, the inspection signal processing portion is constituted by a circuit element by generating a defect determination signal by the defect extraction processing on the detection signal using software (defect extraction algorithm). Even if it does not, the equivalent effect in 1st Embodiment mentioned above can be acquired. Also in the present embodiment, the defect determination signal is generated by the multiplication using two detection signals. However, even if there are two or more detection signals, it is possible to easily cope by rewriting the program.

또한, 전술한 어플리케이션 소프트웨어의 처리에서, 평활화 처리에 대해서는, 예를 들면, 평활화 미분법 등의 공지한 방법을 이용할 수 있어, 스파이크 노이즈 평활화 처리에는, 평활화법 또는 적산 평균법 등의 공지한 방법을 이용할 수 있다.In the processing of the application software described above, for the smoothing process, for example, a known method such as a smoothing differential method can be used, and a known method such as a smoothing method or an integrated average method can be used for the spike noise smoothing process. have.

또한, 전술한 각 실시 형태에서의 검사 신호는, 정현파로 이루어지는 교류 신호로 한정되는 것이 아니라, 펄스 신호이어도 된다. 또는 그 주파수에서도 임의이며, 검사 대상으로 되는 도전 패턴에 따라서, 바람직한 주파수를 적절하게 설정 하면 된다. In addition, the test signal in each embodiment mentioned above is not limited to the AC signal which consists of a sine wave, but may be a pulse signal. Alternatively, the frequency may be arbitrary, and the desired frequency may be appropriately set in accordance with the conductive pattern to be inspected.

도 7에는, 검사 대상으로 하여, 글래스제의 기판 상에 화상 표시 장치에 이용되는 9개의 표시 디바이스가 배치된 예를 나타내고 있다.FIG. 7 shows an example in which nine display devices used for an image display device are arranged on a glass substrate as an inspection object.

이들의 표시 디바이스는, 제조 공정의 도중이며, 기판(100) 상에 도전 패턴(101)이 형성되어 있는 상태이다. 기판(100)은, 회로 패턴 검사 장치(1)의 검사 테이블(102) 상에 재치되고, 검사 중에는 움직이지 않도록 도시하지 않은 흡착 기구에 의해 유지되어 있다. 이하의 설명에서, 검사 신호 공급 유닛(11)과 센서 유닛(12)을 검사부라고 칭한다.These display devices are in the middle of a manufacturing process, and the conductive pattern 101 is formed on the board | substrate 100. FIG. The board | substrate 100 is mounted on the test table 102 of the circuit pattern test apparatus 1, and is hold | maintained by the adsorption mechanism not shown so that it may not move during an inspection. In the following description, the test signal supply unit 11 and the sensor unit 12 are called test units.

검사부는, 이동 기구(3)의 아암부(103)에 설치되어 있고, 이들은 이동 기구(3)의 아암부(103)의 길이 방향에 대해, 각각으로 미끄럼 이동 가능하게 설치되어 있다. 미끄럼 이동 기구로서는, 도시하지 않은 리니어 모터 등이 이용되어 있다. 또한, 이동 기구(3)는, 아암부(103)의 양단측에 배치된 가이드 부재(1O4)에 의해, 가이드 부재(1O4)의 길이 방향으로 왕복 이동이 가능하다. 도 7은, 각각의 부재가 초기 상태의 위치에 있는 상태를 나타내고 있다.The inspection part is provided in the arm part 103 of the moving mechanism 3, and these are provided so that sliding is possible with respect to the longitudinal direction of the arm part 103 of the moving mechanism 3, respectively. As a sliding mechanism, the linear motor etc. which are not shown in figure are used. In addition, the movement mechanism 3 is capable of reciprocating in the longitudinal direction of the guide member 104 by the guide members 104 disposed on both end sides of the arm portion 103. 7 shows a state in which each member is in the position of the initial state.

검사 개시의 지시에 의해, 초기 위치 D0에 대기되어 있는 검사부는, 아암부(103)에서의 위치 D1로 이동한다. 이 이동과 함께, 아암부(103)는, 가이드 부재(104)의 길이 방향으로 이동하여 위치 D2를 향한다. 이 때, 검사부는, 대향하는 도전 패턴에 대해, 검출을 실시한다. 이 예에서는, 검사부가 위치 D2에 도달할 때까지, 3개의 표시 디바이스에 대해 검사를 실시한다.By the instruction | indication of test | inspection start, the test | inspection part waiting by the initial position D0 moves to the position D1 in the arm part 103. With this movement, the arm portion 103 moves in the longitudinal direction of the guide member 104 and faces the position D2. At this time, the inspection unit detects the opposing conductive pattern. In this example, three display devices are inspected until the inspection part reaches the position D2.

다음으로, 검사부가 아암부(103) 상을 위치 D3까지 이동한다. 아암부(103)는, 이제까지와는 달리 방향의 위치 D4로 이동한다. 검사부는, 위치 D4에 도달할 때까지, 3개의 표시 디바이스에 대해 검사를 실시한다. 위치 D4에 도달한 후, 검사부는, 아암부(103)에서의 위치 D5로 이동한다. 그 후, 아암부(103)는, 가이드 부재(104)의 길이 방향으로 이동하여 위치 D6을 향한다. 이 이동 시에, 검사부는, 위치 D6에 도달할 때까지, 3개의 표시 디바이스에 대해 검사를 실시한다. 아암부(103)가 위치 D6에 도달하면, 이 기판에서의 표시 디바이스의 도전 패턴에 대한 검출 동작은 종료한다. 검사 종료 후에는, 아암부(103)가 초기 위치로 복귀하고, 검사부도 위치 D0으로 복귀한다.Next, the inspection unit moves on the arm unit 103 to the position D3. The arm part 103 moves to the position D4 of a direction unlike before. The inspection unit inspects the three display devices until the position D4 is reached. After the position D4 is reached, the inspection portion moves to the position D5 in the arm portion 103. Thereafter, the arm portion 103 moves in the longitudinal direction of the guide member 104 to face the position D6. In this movement, the inspection unit inspects three display devices until the position D6 is reached. When the arm part 103 reaches the position D6, the detection operation | movement with respect to the conductive pattern of the display device in this board | substrate is complete | finished. After completion of the inspection, the arm section 103 returns to the initial position, and the inspection section also returns to the position D0.

또한, 도전 패턴의 양부 판정에서는, 검사 신호 등을 취득한 후, 아암부(103)가 이동 중이라도 판정 처리를 행해지고 있고, 연산 속도에서 보아 도전 패턴의 검출 동작의 종료와 동시에, 판정도 종료한다.In addition, in the pass / fail decision of the conductive pattern, the determination process is performed even if the arm unit 103 is moving after acquiring the inspection signal or the like, and the determination is terminated at the same time as the completion of the detection operation of the conductive pattern in view of the calculation speed.

또한, 이 예에서는, 1대의 듀얼 검사부가 아암부(103)에 탑재되어, 아암부(103) 상을 이동함으로써, 2차원적(매트릭스 형상)으로 배치된 복수의 표시 디바이스의 검사를 행하고 있지만, 이 표시 디바이스의 배치이면, 예를 들면, 3대의 듀얼 검사부를 아암부(103)에 설치하여, 아암부(103)의 원패스 이동에 의해, 검사를 실행할 수 있게 구성하여도 된다.In this example, one dual inspection unit is mounted on the arm unit 103 and moves on the arm unit 103 to inspect a plurality of display devices arranged in two dimensions (matrix shapes). In this arrangement of the display devices, for example, three dual inspection units may be provided in the arm unit 103 so that the inspection can be performed by the one-pass movement of the arm unit 103.

또한, 전술한 본 실시 형태에서는, 센서쌍으로서 2개의 전극에 의해 센서를 구성하고 있지만, 이에 한정되는 것이 아니라, 1개의 센서를 3개 이상의 전극에 의해 구성하여도 된다. 예를 들면, 급전 전극이 대향하는 도전 패턴과 대향하는 제1 센서 전극(단선 검출), 제1 센서 전극이 대향하는 도전 패턴에 인접하는 도전 패턴과 대향하는 제2 센서 전극(단락 검출), 및 이것보다 수 패턴 떨어진 도전 패턴에 대향하는 센서 전극(노이즈 검출:노이즈 전극)의 구성예가 있다.In addition, in this embodiment mentioned above, although the sensor is comprised by two electrodes as a sensor pair, it is not limited to this, You may comprise one sensor by three or more electrodes. For example, a 1st sensor electrode (disconnection detection) which opposes the conductive pattern which a feed electrode opposes, a 2nd sensor electrode (short detection) which opposes the conduction pattern adjacent to the conductive pattern which a 1st sensor electrode opposes, and There is an example of the configuration of a sensor electrode (noise detection: noise electrode) facing a conductive pattern spaced apart from this by a few patterns.

전술한 실시 형태는, 이하의 발명을 포함하고 있다.Embodiment mentioned above includes the following invention.

(1) 기판 상에 배열된 복수의 도전 패턴에 대해, 미리 정한 패턴수를 떨어뜨린 적어도 2개의 상기 도전 패턴의 상방에 이격하여 용량 결합에 의해, 동일한 교류 신호로 이루어지는 검사 신호를 계속적으로 인가하는 제1 및 제2 급전 전극과, 상기 검사 신호가 인가된 상기 2개의 도전 패턴 상방에 이격하여 각각에 용량 결합하고, 인가된 상기 검출 신호를 취득하는 제1 및 제2 센서 전극을 갖는 검사부와,(1) A plurality of conductive patterns arranged on a substrate are continuously spaced above at least two of the conductive patterns having a predetermined number of patterns, and capacitively coupled to continuously apply a test signal made of the same alternating current signal. An inspection unit having first and second feed electrodes, first and second sensor electrodes spaced apart from each other above the two conductive patterns to which the inspection signal is applied, and first and second sensor electrodes acquiring the applied detection signal;

상기 급전 전극 및 상기 센서 전극의 이격 상태를 유지하여 상기 도전 패턴의 연신 방향과 교차하는 방향으로 이동하는 이동 기구와, A moving mechanism which maintains a spaced state of the feeding electrode and the sensor electrode and moves in a direction crossing the stretching direction of the conductive pattern;

동일한 도전 패턴으로부터 상기 제1 및 제2 센서 전극에 의해 취득된 각각의 검출 신호에 대해, 인가한 시간차분의 위상의 어긋남이 없어지도록 일치시켜, 미리 설정한 임계값을 초과하는 국소 신호를 검출하는 검사 신호 처리부와, The respective detection signals acquired by the first and second sensor electrodes from the same conductive pattern are matched so that the phase shift of the applied time difference is eliminated so as to detect local signals exceeding a preset threshold value. Inspection signal processing unit,

상기 검사 신호 처리부에 의해, 상기 제1 및 제2 센서 전극으로부터 모두 검출된 국소 신호를 검사 결과로 하고, 어느 한쪽의 센서 전극이 검출한 국소 신호를 노이즈라고 판단하는 결함 판정부The defect determination part which judges that the local signal detected by both the sensor electrodes is noise by the said test signal processing part as a test result, and detected the local signal detected from the said 1st and 2nd sensor electrode.

를 구비하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치.Circuit pattern inspection apparatus comprising a.

(2) 상기 검사부에서, (2) in the inspection section,

상기 제1 급전 전극 및 제1 센서 전극과, The first feed electrode and the first sensor electrode,

상기 제2 급전 전극 및 제2 센서 전극과, 상기 제1 도전 패턴으로부터 임의의 패턴열분의 거리를 떨어뜨린 제2 도전 패턴의 상방에 이격하여 배치되는 제1 노이즈 전극을 갖는 제1 검사부와, A first inspection unit having the second feed electrode and the second sensor electrode and a first noise electrode spaced apart from the first conductive pattern above the second conductive pattern in which a distance of an arbitrary pattern heat is separated from the first conductive pattern;

상기 제1 급전 전극이 대향하는 상기 제1 도전 패턴으로부터 임의의 패턴열분의 거리를 떨어뜨린 제3 도전 패턴의 상방에 이격하여 배치되는 제2 급전 전극 및 제2 센서 전극과, 상기 제3 도전 패턴으로부터 임의의 패턴열분의 거리를 떨어뜨린 제4 도전 패턴의 상방에 이격하여 배치되는 제2 노이즈 전극을 갖는 제2 검사부A second feed electrode and a second sensor electrode disposed to be spaced apart above the third conductive pattern in which a distance of an arbitrary pattern heat is separated from the first conductive pattern to which the first feed electrode is opposed; and the third conductive pattern 2nd inspection part which has a 2nd noise electrode arrange | positioned spaced apart above the 4th conductive pattern which dropped the distance of arbitrary pattern heat from the

를 구비하는 듀얼 검사부로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 (1)항에 기재된 회로 패턴 검사 장치.It is comprised by the dual inspection part provided with the circuit pattern inspection apparatus of said (1) characterized by the above-mentioned.

(3) 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극은, 상기 제1 도전 패턴에 대해, 상기 이격한 비접촉 상태로 용량 결합에 의해 상기 검사 신호를 인가하고,(3) The first feed electrode and the second feed electrode apply the inspection signal by capacitive coupling to the spaced non-contact state with respect to the first conductive pattern,

상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극은, 상기 제1 도전 패턴에 대해, 상기 이격한 비접촉 상태로 용량 결합에 의해 상기 검사 신호를 취득하여, 상기 검출 신호를 생성하고, The first sensor electrode and the second sensor electrode acquire the inspection signal by capacitive coupling in the spaced non-contact state with respect to the first conductive pattern, and generate the detection signal,

상기 제1 노이즈 전극 및 상기 제2 노이즈 전극은, 상기 제2 도전 패턴의 상방에 이격하여 비접촉 상태로 용량 결합에 의해, 그 제2 도전 패턴의 전위에 중첩되는 노이즈를 검출하고, The first noise electrode and the second noise electrode are spaced above the second conductive pattern to detect noise overlapping the potential of the second conductive pattern by capacitive coupling in a non-contact state,

상기 제1 검사부 및 상기 제2 검사부로부터 송출되는 상기 검출 신호는, 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극이 검출한 상기 검출 신호로부터 상기 노이즈가 제거된 검출 신호인 것을 특징으로 하는 상기 (2)항에 기재된 회로 패턴 검사 장치.The detection signal transmitted from the first inspection unit and the second inspection unit is a detection signal from which the noise is removed from the detection signal detected by the first sensor electrode and the second sensor electrode. The circuit pattern inspection apparatus described in the above section.

(4) 상기 검사 신호 처리부에서, (4) in the test signal processing section,

상기 검사부에 의해 검출된, 적어도 2개의 검출 신호에 대해 평활화 처리를 실시하고, 각각의 상기 검출 신호의 진폭과 요동을 완만화하기 위한 평활화부와,A smoothing unit for performing a smoothing process on at least two detection signals detected by the inspection unit, and for smoothing the amplitude and fluctuation of each of the detection signals;

평활화된 상기 검출 신호에 대해, 상기 시간차를 없애도록 일치시키는 거리축 매칭부와, A distance axis matching unit for matching the smoothed detection signal to eliminate the time difference;

상기 검출 신호로부터 임의의 간격으로 신호값을 취출하고, 시계열적으로 직전의 신호값과의 차분에 의해, 각각의 차분 신호를 생성하는 차분값 산출부와, A difference value calculating section for extracting signal values from the detected signals at arbitrary intervals and generating respective difference signals by a difference from the previous signal value in time series;

상기 차분 신호를 곱하여, 그 차분 신호에 포함되는 신호값으로 변화가 생기는 결함 발생 개소가 보다 강조되는 곱신호를 생성하는 미소 변화 강조부와, A small change emphasis unit that multiplies the difference signal and generates a product signal in which a defect occurrence point at which a change occurs with a signal value included in the difference signal is further emphasized;

상기 곱신호에 포함되는 스파이크 노이즈를 평활화하여 완만화하여 상기 결함 판정 신호를 생성하는 스파이크 노이즈 평활화부A spike noise smoothing unit which smoothes and smoothes the spike noise included in the product signal to generate the defect determination signal.

를 구비하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)항에 기재된 회로 패턴 검사 장치.The circuit pattern test | inspection apparatus as described in said (1) characterized by the above-mentioned.

(5) 기판 상에 배열된 복수의 도전 패턴의 결함을 검출하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법으로서, (5) An inspection method of a circuit pattern inspection device for detecting defects of a plurality of conductive patterns arranged on a substrate,

상기 도전 패턴마다, 교류 신호로 이루어지는 검사 신호를 시간차를 설정하여 적어도 2회 인가하고, For each of the conductive patterns, a test signal composed of an AC signal is applied at least twice with a time difference set therein,

상기 도전 패턴을 전파한 상기 검사 신호를 용량 결합에 의해 검출하여, 각각의 검출 신호를 취득하고, The detection signal propagating the conductive pattern is detected by capacitive coupling to obtain respective detection signals,

검출된 상기 검출 신호에 대해, 상기 시간차를 없애도록 일치시켜, 상기 검출 신호끼리를 곱하는 곱연산을 행하고, 상기 검출 신호에서의 결함 개소를 강조시킨 결함 판정 신호를 생성하고, The detected detection signals are matched so as to eliminate the time difference, multiplication is performed by multiplying the detection signals, and a defect determination signal which emphasizes a defect point in the detection signal is generated.

상기 결함 판정 신호에 대해, 미리 설정된 판정 임계값을 이용하여, 결함을 갖는 도전 패턴을 검출하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법.The conductive pattern having a defect is detected with respect to the defect determination signal using a predetermined determination threshold value.

(6) 복수의 도전 패턴이 열 형상으로 형성된 기판을 검사 대상으로 하고, (6) As a test | inspection object, the board | substrate with which the some conductive pattern was formed in columnar form,

상기 도전 패턴 중의 제1 도전 패턴에 대해, 모두, 대향하는 제1 급전 전극 및 제1 센서 전극을 구비하는 제1 센서쌍과, A first sensor pair including all of the first feeding electrodes and the first sensor electrodes facing each other with respect to the first conductive pattern in the conductive pattern;

상기 제1 도전 패턴으로부터 미리 정한 패턴수분의 거리를 떨어뜨린 제2 도전 패턴에 대해, 모두, 대향하는 제2 급전 전극 및 제2 센서 전극을 구비하는 제2 센서쌍과, 2nd sensor pair which has a 2nd feed electrode and a 2nd sensor electrode which oppose all the 2nd conductive patterns which dropped the distance of predetermined pattern moisture from the said 1st conductive pattern,

상기 제1 센서쌍과 상기 제2 센서쌍을 유지하고, 상기 도전 패턴의 상방에 일정한 거리로 이격하여, 그 도전 패턴의 열을 교차하도록 이동시키는 이동부와,A moving part for holding the first sensor pair and the second sensor pair, moving the spacers apart from each other at a constant distance above the conductive pattern to cross the rows of the conductive pattern;

상기 이동부에 의한 상기 제1 센서쌍과 상기 제2 센서쌍의 이동 중에, 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극에, 교류 신호로 이루어지는 동일한 검사 신호를 공급하고, 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극이 대향하여 용량 결합한, 각각의 도전 패턴에 그 검사 신호를 순차적으로 인가시키는 검사 신호 공급부와, During the movement of the first sensor pair and the second sensor pair by the moving unit, the same test signal composed of an AC signal is supplied to the first feed electrode and the second feed electrode, and the first feed electrode and An inspection signal supply unit for sequentially applying the inspection signal to each conductive pattern to which the second feed electrode is capacitively coupled to each other;

상기 검사 신호가 인가된 상기 도전 패턴에 각각에 용량 결합하여 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극에 의해 취득된, 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호의 각 신호 상에서의 도전 패턴의 위치가 일치하도록, 어느 하나의 검출 신호를 상기 거리만큼 이동시키는 거리축 매칭을 행하는 거리축 매칭부와, The position of the conductive pattern on each signal of the first detection signal and the second detection signal acquired by the first sensor electrode and the second sensor electrode by capacitive coupling to each of the conductive patterns to which the test signal is applied is A distance axis matching section for performing distance axis matching to move any one detection signal by the distance so as to coincide;

상기 검출 신호로부터 임의의 간격으로 신호값을 취출하고, 시계열적으로 직전의 신호값과의 차분에 의해, 제1 및 제2 검출 신호에서의 차분 신호를, 각각에 생성하는 차분값 산출부와, A difference value calculating section for extracting signal values from the detection signals at arbitrary intervals and generating difference signals in the first and second detection signals, respectively, by a difference from the previous signal values in time series;

상기 차분 신호를 곱하여, 그 차분 신호에 포함되는 신호의 국소적으로 변화를 보다 강조하는 곱신호를 생성하는 미소 변화 강조부와, A micro change emphasis unit for multiplying the difference signal and generating a multiplication signal for further emphasizing a local change of the signal included in the difference signal;

상기 곱신호를 미리 정한 판정 기준값과 비교하여, 도전 패턴의 결함의 유무를 판정하는 결함 판정부The defect determination part which judges the presence or absence of the defect of a conductive pattern by comparing the said product signal with the predetermined determination reference value.

를 구비하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치.Circuit pattern inspection apparatus comprising a.

1 : 회로 패턴 검사 장치
2 : 듀얼 검사부
3 : 이동 기구
4 : 구동 제어부
5 : 검사 신호 처리부
6 : 제어부
7 : 입력부
8 : 표시부
9 : 메모리
11 : 검사 신호 공급 유닛
12 : 센서 유닛
13 : 검사 신호 공급부
14 : 평활화부
15 : 거리축 매칭부
16 : 차분값 산출부
17 : 미소 변화 강조부
18 : 스파이크 노이즈 평활화부
19 : CPU
20 : 결함 판정부
21a, 21b : 급전 전극
22, 23 : 센서쌍
22a, 23a : 센서 전극
22b, 23b : 노이즈 전극(센서 전극)
100 : 기판
101 : 도전 패턴
103 : 아암부
104 : 가이드 부재
1: circuit pattern inspection device
2: dual inspection unit
3: moving mechanism
4: driving control unit
5: test signal processing unit
6:
7: input unit
8: display unit
9: memory
11: test signal supply unit
12: sensor unit
13: test signal supply unit
14: smoothing unit
15: distance axis matching unit
16: difference value calculation unit
17: smile change emphasis
18: spike noise smoothing unit
19: CPU
20: defect determination unit
21a, 21b: feeding electrode
22, 23: sensor pair
22a, 23a: sensor electrode
22b, 23b: noise electrode (sensor electrode)
100: substrate
101: challenge pattern
103: arm part
104: guide member

Claims (6)

복수의 도전 패턴이 열 형상으로 형성된 기판을 검사 대상으로 하고,
상기 도전 패턴 중의 제1 도전 패턴에 대해, 모두, 대향하는 제1 급전 전극 및 제1 센서 전극을 구비하는 제1 센서쌍과,
상기 제1 도전 패턴으로부터 미리 정한 패턴수분의 거리를 떨어뜨린 제2 도전 패턴에 대해, 모두, 대향하는 제2 급전 전극 및 제2 센서 전극을 구비하는 제2 센서쌍과,
상기 제1 센서쌍과 상기 제2 센서쌍을 유지하고, 상기 도전 패턴의 상방에 일정한 거리로 이격하여, 그 도전 패턴의 열을 교차하도록 이동시키는 이동부와,
상기 이동부에 의한 상기 제1 센서쌍과 상기 제2 센서쌍의 이동 중에, 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극에, 교류 신호로 이루어지는 동일한 검사 신호를 공급하고, 상기 제1 급전 전극 및 상기 제2 급전 전극이 대향하여 용량 결합한, 각각의 도전 패턴에 그 검사 신호를 순차적으로 인가시키는 검사 신호 공급부와,
상기 검사 신호가 인가된 상기 도전 패턴에 각각에 용량 결합하여 상기 제1 센서 전극 및 상기 제2 센서 전극에 의해 동시에 취득된 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호에 대해, 미리 정한 판정 기준값을 비교하여 결함 후보를 선출하고, 또한, 상기 제1 검출 신호 상 및 상기 제2 검출 신호 상에서의 도전 패턴의 위치가 일치하도록, 어느 하나의 검출 신호의 위치를 이동시키는 거리축 매칭을 행하는 거리축 매칭부를 갖는 검사 신호 처리부와,
상기 도전 패턴의 위치가 일치된 상기 제1 검출 신호와 상기 제2 검출 신호에서의 상기 결함 후보끼리를 비교하고, 동일한 패턴 위치에 공통적으로 존재하는 결함 후보를 상기 도전 패턴의 참된 결함으로 판정하는 제1 판정을 행하는 결함 판정부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치.
As a test | inspection object, the board | substrate with which the some conductive pattern was formed in columnar form,
A first sensor pair including all of the first feeding electrodes and the first sensor electrodes facing each other with respect to the first conductive pattern in the conductive pattern;
2nd sensor pair which has a 2nd feed electrode and a 2nd sensor electrode which oppose all the 2nd conductive patterns which dropped the distance of predetermined pattern moisture from the said 1st conductive pattern,
A moving part for holding the first sensor pair and the second sensor pair, moving the spacers apart from each other at a constant distance above the conductive pattern to cross the rows of the conductive pattern;
During the movement of the first sensor pair and the second sensor pair by the moving unit, the same test signal composed of an AC signal is supplied to the first feed electrode and the second feed electrode, and the first feed electrode and An inspection signal supply unit for sequentially applying the inspection signal to each conductive pattern to which the second feed electrode is capacitively coupled to each other;
By capacitively coupling the conductive pattern to which the inspection signal is applied, the predetermined determination reference value is compared with respect to the first detection signal and the second detection signal simultaneously acquired by the first sensor electrode and the second sensor electrode. And a distance axis matching unit configured to select a defect candidate and perform distance axis matching to move the position of any one detection signal so that the positions of the conductive patterns on the first detection signal and the second detection signal coincide. Inspection signal processing unit,
Comparing the defect candidates in the first detection signal and the second detection signal in which the position of the conductive pattern is matched, and determining a defect candidate commonly present in the same pattern position as a true defect of the conductive pattern; 1 defect determination unit that determines
Circuit pattern inspection apparatus comprising a.
제1항에 있어서,
상기 검사 신호 처리부는,
상기 거리축 매칭부 외에,
상기 거리축 매칭된, 상기 제1 검출 신호로부터 임의의 간격으로 신호값을 취출하고 시계열적으로 직전의 신호값과의 차분에 의한 제1 차분 신호와, 상기 제2 검출 신호로부터 임의의 간격으로 신호값을 취출하고 시계열적으로 직전의 신호값과의 차분에 의한 제2 차분 신호를 생성하는 차분값 산출부와,
상기 제1 차분 신호와 상기 제2 차분 신호를 곱하여, 이들 차분 신호에 포함된 변화한 신호값으로 이루어지는 상기 결함 후보끼리의 곱에 의해 신호값의 변화를 보다 크게 한 곱신호를 생성하는 미소 변화 강조부를 구비하고,
상기 결함 판정부에서, 제2 판정으로서 미리 정한 판별 임계값을 초과한 상기 곱신호에 포함된 결함 후보를 상기 도전 패턴의 참된 결함으로 판정하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치.
The method of claim 1,
The test signal processing unit,
In addition to the distance axis matching unit,
A first difference signal obtained by taking a signal value at an arbitrary interval from the first detection signal matched with the distance axis, and a difference from a previous signal value in time series, and a signal at an arbitrary interval from the second detection signal; A difference value calculating unit for extracting a value and generating a second difference signal based on a difference from a previous signal value in time series;
The small change emphasis which multiplies the said first difference signal and the said second difference signal, and produces | generates the multiplication signal which made the change of a signal value larger by multiplying the said defect candidates which consist of the changed signal values contained in these difference signals. With wealth,
And the defect determination unit determines a defect candidate included in the product signal exceeding a predetermined threshold determined as a second determination as a true defect of the conductive pattern.
제1항에 있어서,
상기 회로 패턴 검사 장치에서,
상기 제1 센서쌍은, 상기 제1 센서 전극으로부터 임의의 패턴수를 떨어뜨린 제3 도전 패턴의 상방에 이격하여 배치되는 제1 노이즈 전극을 갖고, 그리고,
상기 제2 센서쌍은, 상기 제2 센서 전극으로부터 임의의 패턴수를 떨어뜨린 제4 도전 패턴의 상방에 이격하여 배치되는 제2 노이즈 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치.
The method of claim 1,
In the circuit pattern inspection device,
The first sensor pair has a first noise electrode disposed to be spaced apart above the third conductive pattern in which the arbitrary number of patterns is dropped from the first sensor electrode, and
The said 2nd sensor pair has a 2nd noise electrode arrange | positioned spaced apart above the 4th conductive pattern which dropped arbitrary number of patterns from the said 2nd sensor electrode, The circuit pattern inspection apparatus characterized by the above-mentioned.
복수의 도전 패턴이 열 형상으로 형성된 기판을 검사 대상으로 하고, 결함을 갖는 도전 패턴을 검출하기 위한 상기 도전 패턴의 열과 교차하는 방향으로 소정의 패턴수의 거리를 두고 병설되는 적어도 2조의 급전 전극 및 센서 전극의 쌍으로 구성된 검사부를 구비하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법으로서,
상기 열과 교차하는 방향으로 상기 검사부를 이동시켜, 각각의 상기 급전 전극으로부터 교류 신호로 이루어지는 동일한 검사 신호를 이격하는 다른 도전 패턴에 용량 결합에 의해 순차적으로 인가하고,
상기 검사 신호가 인가된 각각의 상기 도전 패턴을 전파한 상기 검사 신호를 용량 결합에 의해, 각각에 상기 센서 전극으로부터 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호를 동시에 취득하고,
상기 제1 검출 신호 및 제2 검출 신호에 대해, 미리 정한 판정 기준값을 비교하여 결함 후보를 선출하고,
상기 제1 검출 신호 상 및 상기 제2 검출 신호 상에서의 도전 패턴의 위치가 일치하도록, 어느 하나의 검출 신호의 위치를 이동시켜 거리축 매칭을 취하고,
상기 도전 패턴의 위치가 일치된 상기 제1 검출 신호와 상기 제2 검출 신호에서의 상기 결함 후보끼리를 비교하고, 동일한 패턴 위치에 공통적으로 존재하는 결함 후보를 상기 도전 패턴의 참된 결함으로 판정하는 제1 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법.
At least two sets of feeding electrodes arranged side by side with a predetermined number of patterns in a direction intersecting a column of the conductive patterns for detecting a conductive pattern having a defect, the substrate having a plurality of conductive patterns formed in a column shape for inspection; An inspection method of a circuit pattern inspection device having an inspection portion composed of a pair of sensor electrodes,
Move the inspection unit in a direction crossing the column, and sequentially apply the same inspection signal from the respective feed electrodes to another conductive pattern spaced apart from each other by capacitive coupling;
Capacitively coupling the inspection signal propagating the respective conductive patterns to which the inspection signal is applied, respectively, to simultaneously acquire a first detection signal and a second detection signal from the sensor electrode;
A defect candidate is selected by comparing a predetermined determination reference value with respect to the first detection signal and the second detection signal,
The distance axis matching is performed by shifting the position of any one of the detection signals so that the positions of the conductive patterns on the first and second detection signals coincide.
Comparing the defect candidates in the first detection signal and the second detection signal in which the position of the conductive pattern is matched, and determining a defect candidate commonly present in the same pattern position as a true defect of the conductive pattern; 1 The judgment method of the circuit pattern inspection apparatus characterized by the above-mentioned.
제4항에 있어서,
상기 도전 패턴의 참된 결함을 판정할 때에,
공통으로 상기 거리축 매칭에 의해 위치가 맞추어진, 상기 제1 검출 신호로부터 임의의 간격으로 신호값을 취출하고 시계열적으로 직전의 신호값과의 차분으로부터 제1 차분 신호와, 상기 제2 검출 신호로부터 임의의 간격으로 신호값을 취출하고 시계열적으로 직전의 신호값과의 차분으로부터 제2 차분 신호를, 각각 생성하고,
상기 제1 차분 신호와 상기 제2 차분 신호를 곱하여, 이들 차분 신호에 포함된 변화한 신호값끼리의 곱에 의해 신호값의 변화를 보다 크게 한 곱신호를 생성하고,
미리 정한 판별 임계값을 초과한 상기 곱신호에 포함된 결함 후보를 상기 도전 패턴의 참된 결함으로 판정하는 제2 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴 검사 장치의 검사 방법.
5. The method of claim 4,
In determining the true defect of the conductive pattern,
The first difference signal and the second detection signal are extracted from the difference with the signal value immediately preceding the signal value at a predetermined interval from the first detection signal, which is commonly aligned by the distance axis matching. Extract the signal values at random intervals from each other, and generate a second difference signal from the difference from the previous signal value in time series,
Multiplying the first difference signal and the second difference signal, and generating a product signal having a larger change in signal value by multiplying the changed signal values included in these difference signals,
And a second determination for determining a defect candidate included in the product signal exceeding a predetermined determination threshold value as a true defect of the conductive pattern.
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