KR101267949B1 - 트랩 장치 - Google Patents

트랩 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101267949B1
KR101267949B1 KR1020110101696A KR20110101696A KR101267949B1 KR 101267949 B1 KR101267949 B1 KR 101267949B1 KR 1020110101696 A KR1020110101696 A KR 1020110101696A KR 20110101696 A KR20110101696 A KR 20110101696A KR 101267949 B1 KR101267949 B1 KR 101267949B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
collecting
tubes
housing
trap
Prior art date
Application number
KR1020110101696A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130037340A (ko
Inventor
고경오
심재업
이상윤
노명근
오흥식
Original Assignee
(주)엘오티베큠
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)엘오티베큠 filed Critical (주)엘오티베큠
Priority to KR1020110101696A priority Critical patent/KR101267949B1/ko
Publication of KR20130037340A publication Critical patent/KR20130037340A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101267949B1 publication Critical patent/KR101267949B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/10Particle separators, e.g. dust precipitators, using filter plates, sheets or pads having plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

본 발명은 저압 공정을 수행하는 프로세스 챔버 및 건식 진공 펌프 사이에 연결되어 상기 공정의 부산물을 포집하는 트랩 장치에 관한 것이다. 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태를 유지하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 상기 부산물이 통과하는 경로에 위치하며, 상기 부산물을 포집하는 복수의 포집관들; 및 상기 하우징의 외부에 위치하며, 전도, 대류 및 복사 중 적어도 어느 하나의 방식에 의하여 상기 포집관들에 간접적으로 열을 제공하는 히터를 구비하는 트랩 장치를 제공한다.

Description

트랩 장치{TRAP APPARATUS}
본 발명은 트랩 장치에 관한 것이다.
트랩 장치는 반도체 및 LCD 제조 장치에 흔히 사용된다. 일반적으로 반도체 소자는 이온주입 공정, 증착 공정, 식각 공정, 확산 공정, 사진 공정 등과 같은 다수의 공정들을 거쳐 제조된다. 이러한 공정들에는 여러 가지 공정 부산물 등이 생성되는데, 공정 부산물은 배기 라인 막힘의 원인이 되거나 진공펌프에 충격을 주어 공정 불량을 야기하므로, 배기 라인에 공정 부산물을 트랩시키는 트랩장치가 설치된다.
트랩 장치의 종래 기술로서 한국공개특허 제2009-0076629호에 기재된 기술이 있다. 상기 문헌에 개시된 기술에 있어서, 공정 부산물을 제거하기 위하여 트랩 장치의 하우징 내부에 히터를 장착하여 사용하고 있다.
그러나 상기 종래 기술은 개선의 여지가 있다. 종래 기술에 의한 트랩 장치는 히터가 하우징 내부에 장착되기 때문에 히터 고장으로 트랩 장치가 수리되어야 할 경우 공정 장비와 진공 펌프가 정지된 상태에서 트랩 장치가 수리되어야 한다는 단점을 가진다. 공정 장비가 정지되면 공정 조건이 다시 수립되는데 많은 시간이 소요되고 진공 펌프도 정상 작동하는데까지 많은 시간이 소요된다. 또한 히터 고장으로 교체 시 전체 트랩 장치 또는 히터를 포함하는 포집관을 교체해 주어야 하기 때문에 많은 비용이 든다는 단점을 가진다. 따라서 본 발명의 기술적 과제는 상기 종래기술의 단점을 개선한 트랩 장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 일측면은 저압 공정을 수행하는 프로세스 챔버 및 건식 진공 펌프 사이에 연결되어 상기 공정의 부산물을 포집하는 트랩 장치에 있어서 상기 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태를 유지하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 상기 부산물이 통과하는 경로에 위치하며, 상기 부산물을 포집하는 복수의 포집관들; 및 상기 하우징의 외부에 위치하며, 전도, 대류 및 복사 중 적어도 어느 하나의 방식에 의하여 상기 복수의 포집관들에 열을 제공하는 히터를 구비한다.
본 발명에 의한 트랩 장치는 하우징 외부에 히터를 장착하므로, 히터 고장 시 메인 공정 장비와 진공 펌프를 정지시키지 않은 상태에서 히터를 교체 또는 수리할 수 있으므로, 반도체 제조 효율 향상은 물론 비용을 절감할 수 있다. 또한 본 발명에 대한 트랩 장치는 히터의 포집관이 분리되어 있으므로 히터 고장 시 히터만 교체할 수 있으므로 히터 및 포집관 모두를 교체하여야 하는 종래 기술에 비하여 비용이 절감될 수 있다는 장점을 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랩 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 표현된 트랩 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1에 표현된 트랩 장치의 포집/히터 어셈블리들을 분리한 부품 전개도이다.
도 4는 도 3에 표현된 포집/히터 어셈블리들 중 각 포집/히터 어셈블리의 상세 부품 전개도이다.
도 5는 도 2 내지 4에 표현된 포집관의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 트랩 장치를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 표현된 트랩 장치의 단면도이다.
도 8은 도 6에 표현된 트랩 장치의 포집/히터 어셈블리들을 분리한 부품 전개도이다.
도 9은 도 8에 표현된 포집/히터 어셈블리들 중 각 포집/히터 어셈블리의 상세 부품 전개도이다.
도 10은 도 6에 표현된 히터 어셈블리의 변형예를 나타내는 도면이다.
개시된 기술에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시 예에 불과하므로, 개시된 기술의 권리범위는 본문에 설명된 실시 예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시 예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 개시된 기술의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시 예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 트랩 장치를 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1에 표현된 트랩 장치의 단면도이다. 도 3은 도 1에 표현된 트랩 장치의 포집/히터 어셈블리들을 분리한 부품 전개도이다. 도 4는 도 3에 표현된 포집/히터 어셈블리들 중 각 포집/히터 어셈블리의 상세 부품 전개도이다. 도 5는 도 2 내지 4에 표현된 포집관의 단면도이다.
도 1 내지 5를 참조하면, 트랩 장치는 저압 공정이 수행되는 프로세스 챔버(미도시) 및 진공 펌프(미도시) 사이에 연결되어 공정의 부산물을 포집한다. 프로세스 챔버에 의하여 수행되는 저압 공정은 예로서 식각 공정, 증착 공정, 이온주입 공정 또는 확산 공정일 수 있으며, 이에 한정되지 아니한다. 진공 펌프는 예로서 건식 진공 펌프. 터보 분자 펌프 또는 크라이오 펌프일 수 있으며, 이에 한정되지 아니한다. 공정의 부산물은 예로서 식각된 물질 또는 미반응 가스를 포함하며, 이에 한정되지 아니한다. 트랩 장치는 메인 하우징(100), 포집/히터 어셈블리(200) 및 집진통(300)을 포함한다. 도면에는 포집/히터 어셈블리(200)가 메인 하우징(100)의 양면에 설치된 예가 표현되어 있으나, 도면과 달리 포집/히터 어셈블리(200)는 메인 하우징(100)의 일면에만 설치될 수도 있다. 포집/히터 어셈블리(200)는 포집 어셈블리(210) 및 히터 어셈블리(220)를 포함한다.
메인 하우징(100)은 흡입구(110) 및 배출구(111)를 구비한다. 흡입구(110)는 관 등을 통하여 프로세스 챔버(미도시)에 연결될 수 있으며, 배출구(111)는 관 등을 통하여 진공 펌프(미도시)에 연결될 수 있다. 흡입구(110)는 메인 하우징(100)의 상면에 위치하며, 배출구(111)는 메인 하우징(100)의 하면에 위치할 수 있다. 메인 하우징(100)의 흡입구 측 내면에는 흡입구 인어 실드(112)가 배치될 수 있으며, 배출구 측 내면에는 배출구 인어 실드(113)가 배치될 수 있다. 흡입구 인어 실드(112) 및 배출구 인어 실드(113) 각각은 복수의 포집관(213)들로부터 복사되는 광을 반사하는 반사경을 포함할 수 있다. 흡입구 인어 실드(112) 및 배출구 인어 실드(113) 각각의 재질은 금속일 수 있다. 메인 하우징(100)의 내면에는 보온재(114)가 배치될 수 있다. 메인 하우징(100) 및 이후에 설명될 포집 하우징(211)을 통칭하여 하우징(100, 211)이라 한다. 메인 하우징(100) 및 포집 하우징(211)은 도면에 표현된 바와 같이 별도로 형성될 수도 있으며, 도면과 달리 일체로 구성될 수도 있다. 하우징(100, 211)은 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태를 유지한다. 따라서 진공 펌프가 정상적으로 동작하는 동안, 하우징(100, 211)의 내부는 저압 상태가 되며, 하우징(100, 211)의 외부는 대기압 상태가 된다.
포집 어셈블리(210)는 포집 하우징(211), 포집부 인어 실드(212) 및 복수의 포집관들(213)을 포함한다. 포집 하우징(211)을 기준으로 내측 즉 복수의 포집관들(213)이 위치한 측은 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태에 있으며, 외측 즉 히터(221)가 위치한 측은 대기압 상태에 있다. 포집부 인어 실드(212)는 복수의 포집관들(213)의 상부 및 하부에 배치된다. 포집부 인어 실드(212)는 복수의 포집관들(213)로부터 복사되는 광을 반사한다. 이와 같은 구성을 가짐으로써 포집부 인어 실드(212)는 복수의 포집관들(213)의 열손실을 감소시킨다. 포집부 인어 실드(212)는 예로서 금속 판일 수 있다.
복수의 포집관들(213)은 하우징의 내부에 공정의 부산물이 통과하는 경로에 위치하며, 공정의 부산물을 포집한다. 복수의 포집관들(213) 중 각 포집관(213)은 도면과 같이 막대 형태를 가질 수도 있으며, 도면과 달리 판 형태를 가질 수도 있으며, 또한 공정의 부산물들을 포집할 수 있는 다른 형태를 가질 수도 있다. 복수의 포집관들(213)은 도면에 표현된 바와 같이 역 'V'자 형태를 가질 수 있다. 또한, 복수의 포집관들(213)은 도면과 달리 'V'자 형태를 가질 수도 있으며, 지그재그 형태를 가질 수도 있다. 복수의 포집관들(213)이 이와 같은 형태를 가지면, 복수의 포집관들(213)이 나란히 배치된 경우에 비하여 공정의 부산물이 포집관들(213)과 접촉할 확률이 높아져, 공정의 부산물들이 보다 많이 포집될 수 있다. 또한, 복수의 포집관들(213)은 도면과 달리 나란히 배치될 수도 있다.
예로서 복수의 포집관들(213) 중 각 포집관(213)은 히트 파이프(214), 내부 층(215) 및 외부 층(216)을 구비할 수 있다. 히트 파이프(214)는 내부 층(215)의 안쪽에 배치될 수 있다. 히트 파이프(214)는 당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 내부를 배기(排氣)한 파이프로 작은 구멍이 많이 뚫려 있는 안쪽에 휘발성 액체를 가득 넣은 것이다. 히트 파이프(214)의 한쪽 끝에 열을 가하면 액체는 증발하여 열에너지를 가지면서 다른 끝으로 이동한다. 히트 파이프(214)의 다른 끝에서 방열하고, 속을 지나 본래의 위치로 돌아오는 구조로 되어 있다. 히트 파이프(214)의 본체의 재료는 예로서 구리 또는 알루미늄 등이 사용되고, 안벽은 예로서 다공질의 파이버 등이 사용된다. 내부의 휘발성 물질로는 예로서 메탄올, 아세톤 또는 수은 등이 사용된다. 히트 파이프(214)가 사용되면, 포집관(213)이 보다 균일한 온도를 가질 수 있다. 내부 층(215)은 제1 재질을 가지며, 외부 층(216)은 제2 재질을 가진다. 제1 재질은 제2 재질에 비하여 높은 열 전달율을 가진다. 또한 제2 재질은 제1 재질에 비하여 높은 내부식성을 가진다. 예로서, 제1 재질로서 동, 알루미늄 등과 같은 열 전달률이 높은 재질이 사용될 수 있으며, 제2 재질로서 스테인리스, 티타늄 등과 같이 내부식성이 높은 재질이 사용될 수 있다. 포집관(213)은 제1 재질을 가지는 내부 층(215)과 제2 재질을 가지는 외부 층(216)을 가짐으로써, 히터(221)에서 발생하는 열을 보다 멀리까지 전달할 수 있으며, 동시에 공정 부산물 포집시 포집관(213)에 부식이 일어나는 현상을 방지할 수 있다. 도면과 달리 포집관(213)에 있어서 히트 파이프(214) 및 내부 층(215)은 생략될 수 있다. 따라서 포집관(213)은 외부 층(216)만을 구비할 수도 있고, 외부 층(216) 및 내부 층(215)을 구비할 수도 있고, 외부 층(216) 및 히트 파이프(214)를 구비할 수도 있고, 외부 층(216), 내부 층(215) 및 히트 파이프(214)를 구비할 수도 있다. 포집관(213)이 히트 파이프(214)를 구비하지 아니하는 경우, 포집관(213)은 내부에 구멍을 가질 수 있다. 이 경우, 히터(221)로부터 포집관(213)의 내부면으로 복사를 통하여 전열이 수행된다.
히터 어셈블리(220)는 히터(221), 제1 실드(222), 제2 실드(223), 히터 하우징(224)을 포함한다. 히터(221)는 하우징(100, 211)의 외부에 위치하며, 전도, 대류 및 복사 중 적어도 어느 하나의 방식에 의하여 복수의 포집관들(213)에 열을 제공한다. 예로서, 히터(221)는 할로겐 램프, 원적외선 히터 또는 SiC(Silicon Carbide)히터를 포함하며, 이에 한정되지 아니한다. 히터(221)에서 전달되는 열은 복수의 포집관들(213)을 고온으로 유지시킴으로써, 공정의 부산물이 효율적으로 포집될 수 있다. 제1 실드(222)는 히터(221)를 사이에 두고 복수의 포집관(213)들과 대향되게 배치된다. 제1 실드(222)는 히터(221)의 일부를 감쌀 수 있으며, 히터(221)로부터 복사되는 광을 반사한다. 제1 실드(222)로써 예로서 금속 재질이 사용될 수 있다. 제2 실드(223)는 제1 실드(222) 및 히터(221)를 사이에 두고 포집관(213)들과 대향되게 배치된다. 제2 실드(223)는 단열재를 포함할 수 있으며, 하우징(100, 211) 외부로 손실되는 복사열을 줄일 수 있다. 히터 하우징(224)은 히터(221), 제1 실드(222) 및 제2 실드(223)를 둘러쌀 수 있으며, 히터 하우징(224) 내부에 제1 실드(222) 및 제2 실드(223)를 포함한 이중의 실드를 배치함으로써, 히터(221)에서 발생하는 열손실을 줄일 수 있다.
집진통(300)은 하우징(100, 211)의 아랫면 중에서 흡입구(110)의 아래에 해당하는 부분에 연결된다. 집진통(300)은 원형의 그릇 모양이다. 흡입구(110)를 통하여 들어온 공정의 부산물들 중 고체 중의 일부는 집진통(300)으로 떨어져 집진통(300) 내부에 쌓이게 된다. 무거운 고체일수록 집진통(300)에 쌓이게 될 가능성이 크다.
도 6는 본 발명의 제2 실시예에 따른 트랩 장치를 나타내는 도면이다. 도 7은 도 6에 표현된 트랩 장치의 단면도이다. 도 8은 도 6에 표현된 트랩 장치의 포집/히터 어셈블리들을 분리한 부품 전개도이다. 도 9은 도 8에 표현된 포집/히터 어셈블리들 중 각 포집/히터 어셈블리의 상세 부품 전개도이다.
도 6 내지 9를 참조하면, 트랩 장치는 저압 공정이 수행되는 프로세스 챔버 및 진공 펌프 사이에 연결되어 공정의 부산물을 포집한다. 프로세스 챔버에 의하여 수행되는 저압 공정은 예로서 식각 공정, 증착 공정, 이온주입 공정 또는 확산 공정일 수 있으며, 이에 한정되지 아니한다. 진공 펌프는 예로서 건식 진공 펌프. 터보 분자 펌프 또는 크라이오 펌프일 수 있으며, 이에 한정되지 아니한다. 공정의 부산물은 예로서 식각된 물질 또는 미반응 가스를 포함하며, 이에 한정되지 아니한다. 트랩 장치는 메인 하우징(400), 포집/히터 어셈블리(500) 및 집진통(600)을 포함한다. 도면에는 포집/히터 어셈블리(500)가 메인 하우징(400)의 일면에 설치된 예가 표현되어 있으나, 도면과 달리 포집/히터 어셈블리(500)는 메인 하우징(400)의 양면에 설치될 수도 있다. 포집/히터 어셈블리(500)는 포집 어셈블리(510) 및 히터(521) 를 포함한다.
메인 하우징(400)은 흡입구(410) 및 배출구(411)를 구비한다. 흡입구(410)는 관 등을 통하여 프로세스 챔버(미도시)에 연결될 수 있으며, 배출구(411)는 관 등을 통하여 진공 펌프(미도시)에 연결될 수 있다. 흡입구(410)는 메인 하우징(400)의 상면에 위치하며, 배출구(411)는 메인 하우징(400)의 하면에 위치할 수 있다. 메인 하우징(400)의 흡입구(410) 측 내면에는 흡입구 인어 실드(412)가 배치될 수 있으며, 배출구(411) 측 내면에는 배출구 인어 실드(413)가 배치될 수 있다. 흡입구 인어 실드(412) 및 배출구 인어 실드(413) 각각은 복수의 포집관들(513)로부터 복사되는 광을 반사하는 반사경을 포함할 수 있다. 흡입구 인어 실드(412) 및 배출구 인어 실드(413) 각각의 재질은 금속일 수 있다. 메인 하우징(400)의 내면에는 보온재(414)가 배치될 수 있다. 메인 하우징(400) 및 이후에 설명될 포집 하우징(511)을 통칭하여 하우징(400, 511)이라 한다 메인 하우징(400) 및 포집 하우징(511)은 도면에 표현된 바와 같이 별도로 형성될 수도 있으며, 도면과 달리 일체로 구성될 수도 있다. 하우징(400, 511)은 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태를 유지한다. 따라서 진공 펌프가 정상적으로 동작하는 동안, 하우징(400, 511)의 내부는 저압 상태가 되며, 하우징(400, 511)의 외부는 대기압 상태가 된다.
포집 어셈블리(510)는 포집 하우징(511), 포집부 인어 실드(512) 및 복수의 포집관들(513)을 포함한다. 포집 하우징(511)을 기준으로 복수의 포집관들(513)이 위치한 측은 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태에 있다. 포집부 인어 실드(512)는 복수의 포집관들(513)의 상부 및 하부에 배치된다. 포집부 인어 실드(512)는 복수의 포집관들(513)로부터 복사되는 광을 반사한다. 이와 같은 구성을 가짐으로써 포집부 인어 실드(512)는 복수의 포집관들(513)의 열손실을 감소시킨다. 포집부 인어 실드(512)는 예로서 금속 판일 수 있다.
복수의 포집관들(513)은 하우징(400, 511)의 내부에 공정의 부산물이 통과하는 경로에 위치하며, 공정의 부산물을 포집한다. 복수의 포집관들(513) 중 각 포집관(513)은 도면과 같이 막대 형태를 가질 수도 있으며, 도면과 달리 판 형태를 가질 수도 있으며, 또한 공정의 부산물들을 포집할 수 있는 다른 형태를 가질 수도 있다. 복수의 포집관들(513)은 도면에 표현된 바와 같이 역 'V'자 형태를 가질 수 있다. 또한, 복수의 포집관들(513)들은 도면과 달리 'V'자 형태를 가질 수도 있으며, 지그재그 형태를 가질 수도 있다. 복수의 포집관들(513)이 이와 같은 형태를 가지면, 복수의 포집관들(513)이 나란히 배치된 경우에 비하여 공정의 부산물이 포집관들(513)과 접촉할 확률이 높아져, 공정의 부산물들이 보다 많이 포집될 수 있다. 또한, 복수의 포집관들(513)들은 도면과 달리 나란히 배치될 수도 있다.
포집관(513)은 예로서 금속 관일 수 있다. 금속은 예로서 동, 스테인레스 또는 텅스텐을 포함할 수 있다. 포집관(513)은 입력관(522)로부터 전달된 고온의 기체에 의하여 가열되어, 공정의 부산물을 포집한다.
히터 어셈블리(520)는 히터(521), 입력관(522), 출력관(523) 및 히터 하우징(524)를 포함한다. 히터(521)은 예로서 전열선을 구비한 히터일 수 있다. 입력관(522)은 히터(521)에 접촉되어, 히터(521)로부터 입력관(522)으로 전달된 열이 입력관(522)을 통하여 입력되는 기체를 가열한다. 가열된 기체는 입력관(522)에 연결된 포집관(513)으로 전달된다. 포집관(513)으로부터 배출된 기체는 출력관(523)을 통하여 외부로 배출된다. 히터 하우징(524)은 히터(521), 입력관(522) 및 출력관(523)를 둘러싼다.
집진통(600)은 하우징(400, 511)의 아랫면 중에서 흡입구(410)의 아래에 해당하는 부분에 연결된다. 집진통(600)은 원형의 그릇 모양이다. 흡입구(410)를 통하여 들어온 공정의 부산물들 중 고체 중의 일부는 집진통(600)으로 떨어져 집진통 내부에 쌓이게 된다. 무거운 고체일수록 집진통(600)에 쌓이게 될 가능성이 크다.
도 10은 도 6에 표현된 히터 어셈블리의 변형예를 나타내는 도면이다. 도 10을 참조하면 히터 어셈블리(700)는 제1 히터(710), 제1 입력관(711), 제1 출력관(712), 제2 히터(720), 제2 입력관(721), 제2 출력관(722), 제3 히터(730), 제3 입력관(731), 제3 출력관(732)를 구비한다. 히터 어셈블리(700)가 이와 같이 구성되면, 제1 입력관(711)은 제1 히터(710)에 접촉되어, 제1 히터(710)로부터 제1 입력관(711)으로 전달된 열이 제1 입력관(711)을 통하여 입력되는 기체를 가열한다. 가열된 기체는 포집관(미도시)을 경유한 후 제1 출력관(712)으로 배출되어 제1 연결부(740)를 통해 제2 입력관(721)으로 전달된다. 또한 제2 히터(720)에서 가열된 기체는 포집관을 경유한 후 제2 출력관(722)으로 배출되어 제2 연결부(741)를 통해 제3 입력관(731)으로 전달된다. 제3 입력관(731)으로 전달되어진 기체는 포집관을 경유한 후 제3 출력관(732)을 통하여 외부로 배출된다. 히터 어셈블리(700)는 출력되어진 가열된 기체를 외부로 배출되지 아니하고 연결부를 통하여 입력관으로 다시 전달함으로써, 열손실을 줄이고 비용을 절감할 수 있다.
도 1 내지 도 5
100: 메인 하우징
200: 포집/히터 어셈블리
210: 포집 어셈블리 220: 히터 어셈블리
300: 집진통
도 6 내지 도 9
400: 메인 하우징
500: 포집/히터 어셈블리
510: 포집 어셈블리 520: 히터 어셈블리
600: 집진통
도 10
700: 히터 어셈블리

Claims (11)

  1. 저압 공정을 수행하는 프로세스 챔버 및 건식 진공 펌프 사이에 연결되어 상기 공정의 부산물을 포집하는 트랩 장치에 있어서,
    상기 진공 펌프에 의하여 야기된 저압 상태를 유지하는 하우징;
    상기 하우징의 내부에 상기 부산물이 통과하는 경로에 위치하며, 상기 부산물을 포집하는 복수의 포집관들;
    상기 프로세스 챔버 및 상기 건식 진공 펌프를 정지시키지 않은 상태에서 교체 또는 수리가능하도록 상기 하우징의 외부에 위치하며, 전도, 대류 및 복사 중 적어도 어느 하나의 방식에 의하여 상기 복수의 포집관들에 열을 제공하는 히터; 및
    상기 복수의 포집관들의 상부 및 하부에 배치되며, 상기 포집관들로부터 복사되는 광을 반사하는 포집부 인어 실드를 구비하는 트랩 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 포집관들 각각은 막대 형태 또는 판 형태를 가지는 트랩 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 막대 형태의 상기 복수의 포집관들은 'V'자 형태 또는 역 'V'자 형태로 배치되는 트랩 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 포집관들 각각은 상기 히터로부터 상기 복사를 통한 전열이 가능하도록 내부에 구멍을 가지는 트랩 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 포집관들 각각은 제1 재질을 가지는 내부 층 및 제2 재질을 가지는 외부 층을 구비하며, 상기 제1 재질은 상기 제2 재질에 비하여 높은 열 전달율을 가지며, 상기 제2 재질은 상기 제1 재질에 비하여 높은 내부식성을 가지는 트랩 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 포집관들 각각은 내부에 배치된 히트파이프를 포함하는 트랩 장치.
  7. 제4 내지 제6 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 히터는 할로겐 램프, 원적외선 히터 또는 SiC(Silicon Carbide)히터를 포함하는 트랩 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 포집관들은 상기 히터에 의하여 가열된 기체를 통과시키는 트랩 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    외부로부터 입력되는 상기 기체를 상기 히터를 이용하여 가열하여 상기 복수의 포집관들로 전달하는 입력 관; 및
    상기 복수의 포집관들로부터 배출되는 상기 기체를 외부로 출력하는 출력 관을 더 포함하는 트랩 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    복수의 입력관들 및 복수의 출력관들을 더 포함하며,
    상기 히터는 복수의 히터들을 포함하며,
    상기 복수의 히터들은 상기 복수의 입력관들을 통과하는 상기 기체를 가열하며,
    상기 복수의 출력관들 중 어느 한 출력관은 상기 복수의 입력관들 중 어느 한 입력관에 연결된 트랩 장치.
  11. 삭제
KR1020110101696A 2011-10-06 2011-10-06 트랩 장치 KR101267949B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101696A KR101267949B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 트랩 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101696A KR101267949B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 트랩 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130037340A KR20130037340A (ko) 2013-04-16
KR101267949B1 true KR101267949B1 (ko) 2013-05-27

Family

ID=48438351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110101696A KR101267949B1 (ko) 2011-10-06 2011-10-06 트랩 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101267949B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100676927B1 (ko) * 2006-05-04 2007-02-02 주식회사 미래보 반도체 장치의 부산물 포집장치
KR100717837B1 (ko) * 2006-11-21 2007-05-14 주식회사 이노시스템 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
KR100862684B1 (ko) * 2008-02-19 2008-10-10 (주)화인 반도체공정의 부산물 포집장치
JP2010062194A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び排気トラップ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100676927B1 (ko) * 2006-05-04 2007-02-02 주식회사 미래보 반도체 장치의 부산물 포집장치
KR100717837B1 (ko) * 2006-11-21 2007-05-14 주식회사 이노시스템 반도체 공정의 반응부산물 포집장치
KR100862684B1 (ko) * 2008-02-19 2008-10-10 (주)화인 반도체공정의 부산물 포집장치
JP2010062194A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び排気トラップ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130037340A (ko) 2013-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6918146B2 (ja) 液体および固体の排出物を収集して後に反応させて気体の排出物にする装置
KR102036273B1 (ko) 반도체 공정 부산물 포집장치
AU2009295584B2 (en) Vacuum solar thermal panel with radiative screen
US11623175B1 (en) Apparatus for trapping of reaction by-product having self regenerating function for used inner collecting tower
ITRM20110088A1 (it) Convertitore solare termoionico
CN106164602A (zh) 太阳能聚热装置
KR101267949B1 (ko) 트랩 장치
KR101218263B1 (ko) 진공박막제조용 측향식 진공증발원 및 이를 이용하는 기상증착장치
KR101646228B1 (ko) 탄소발열체를 이용한 이중관 구조의 관상 발열장치가 장착된 탄소보일러
ES2628680A2 (es) Procedimiento y dispositivo para la descarga de un depósito de hidrógeno en colectores de cilindro parabólico
US6119683A (en) Solar heat collecting apparatus
CN102057233B (zh) 具有非蒸散吸气剂泵的真空太阳能电池板
KR101301503B1 (ko) 트랩 장치
JP3895322B2 (ja) 電気装置及び電子装置の少なくとも一方のための冷却装置
KR101565330B1 (ko) 탄소발열체를 이용한 이중관 구조의 관상 발열장치가 장착된 전기온수기
CN113739428A (zh) 太阳能热吸收器元件
KR101231528B1 (ko) 진공 배기 장치, 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법
CN218244170U (zh) 散热模块
JP7418292B2 (ja) トラップ装置及び半導体製造装置
CN210952437U (zh) 热交换器
KR101327384B1 (ko) 일체형 히트 방열기
KR101052120B1 (ko) 집광식 태양열 집열기
NL194925C (nl) Zonnecollector.
TW201521858A (zh) 冷阱
RU190323U1 (ru) Криогенная ловушка

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160406

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170417

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180515

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 7