KR101266553B1 - A source gas jetting nozzle for vacuum deposition apparatus and a vacuum deposition apparauts including the source gas jetting nozzle - Google Patents

A source gas jetting nozzle for vacuum deposition apparatus and a vacuum deposition apparauts including the source gas jetting nozzle Download PDF

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Abstract

본 발명은 진공증착 장치에 사용되는 원료가스 분사노즐에 관한 것이다. 상기 분사노즐은 제1 히터, 상기 제1 히터를 수용하고, 일 단부가 원료가스공급부에 연결되며, 외주에 상기 원료가스공급부로부터 공급되는 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제1 분사구멍이 형성된 제1 가스이동관, 및 상기 제1 가스이동관을 수용하고, 외주에 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제2 분사구멍이 형성된 제2 가스이동관을 포함한다.The present invention relates to a source gas injection nozzle used in a vacuum deposition apparatus. The injection nozzle may include a first heater and the first heater, one end of which is connected to a source gas supply part, and a plurality of first injection holes for injecting source gas supplied from the source gas supply part to an outer circumference thereof are formed. And a second gas moving tube for accommodating the first gas moving tube and the first gas moving tube, and having a plurality of second injection holes for injecting the source gas into the outer circumference thereof.

Description

진공증착장치 용 원료가스 분사노즐 및 상기 분사노즐을 포함하는 진공증착장치{A SOURCE GAS JETTING NOZZLE FOR VACUUM DEPOSITION APPARATUS AND A VACUUM DEPOSITION APPARAUTS INCLUDING THE SOURCE GAS JETTING NOZZLE}SOURCE GAS JETTING NOZZLE FOR VACUUM DEPOSITION APPARATUS AND A VACUUM DEPOSITION APPARAUTS INCLUDING THE SOURCE GAS JETTING NOZZLE}

본 발명은 박막 증착에 사용되는 진공증착장치 용 원료가스 분사노즐 및 상기 분사노즐을 포함하는 진공증착장치에 관한 것이며, 특히 진공착공정에서 원료물질을 증발시켜 생성한 원료가스가 분사되어 나오기 전까지 원료가스의 이동 경로를 최대화하고, 상기 이동 경로 상에서 원료가스의 온도를 효과적으로 제어하여 분사되는 원료가스의 균질성을 향상시킴으로써, 대면적 기판에 균일한 두께를 갖는 양질의 박막을 증착할 수 있도록 하는 진공증착장치의 원료가스 분사노즐 및 상기 분사노즐을 포함하는 진공증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a raw material gas injection nozzle for a vacuum deposition device used for thin film deposition and a vacuum deposition device including the injection nozzle, in particular, the raw material gas is evaporated from the raw material in the vacuum deposition process until the raw material gas is injected Maximizing the gas flow path and improving the homogeneity of the source gas sprayed by effectively controlling the temperature of the raw material gas on the moving path, vacuum deposition to deposit a high quality thin film having a uniform thickness on a large area substrate A source gas injection nozzle of an apparatus and a vacuum deposition apparatus comprising the injection nozzle.

진공증착장치는 원료물질을 증발시킨 원료가스를 사용하여 기판에 박막을 증착시키기 위한 장치이다. 상세하게 설명하면, 진공증착장치는 진공상태에서 원료물질을 증발시켜 생성한 원료가스를 분사노즐을 통해 기판을 향해 분사하여 기판에 박막을 증착시키는 장치이다.The vacuum deposition apparatus is a device for depositing a thin film on a substrate using a raw material gas evaporated raw material. In detail, the vacuum deposition apparatus is a device for depositing a thin film on a substrate by spraying the raw material gas generated by evaporating the raw material in a vacuum state toward the substrate through the injection nozzle.

이때, 생성된 원료가스는 분사노즐을 통해 기판을 향해 분사되기 전까지 소정의 경로를 이동하게 된다. 원료가스가 상기 소정의 경로를 이동하는 동안에, 상기 원료가스에 열손실(heat loss)이 발생하여, 분사되는 원료가스의 에너지 상태가 달라질 수 있기 때문에, 기판에 증착된 물질의 물성이 달라질 수 있다. 이로 인하여, 박막의 두께가 일정하지 않은 등의 박막의 품질이 열화될 수 있기 때문에, 상기 열손실을 보상하여 분사되는 원료가스의 에너지 상태를 일정하게 유지할 수 있는 진공증착장치의 구조가 요구된다.At this time, the generated source gas moves a predetermined path until it is injected toward the substrate through the injection nozzle. While the source gas travels through the predetermined path, heat loss may occur in the source gas, and thus the energy state of the injected source gas may be changed, so that physical properties of the material deposited on the substrate may vary. . For this reason, since the quality of the thin film such as the thickness of the thin film may be deteriorated, the structure of the vacuum deposition apparatus capable of compensating the heat loss and maintaining the energy state of the source gas injected is required.

한편, 기판에 박막을 형성할 때, 서로 다른 복수의 원료물질에 열을 가해 증발된 복수의 원료가스를 혼합하여 사용할 수 있는데, 이때, 박막의 품질 열화를 방지하기 위해서는 분사되는 혼합된 원료가스의 균질성이 유지되어야 하기 때문에 복수의 원료가스가 잘 혼합될 수 있는 구조가 요구된다.On the other hand, when forming a thin film on the substrate, it is possible to mix and use a plurality of source gases evaporated by applying heat to a plurality of different raw materials, in this case, in order to prevent deterioration of the quality of the thin film Since homogeneity must be maintained, a structure in which a plurality of source gases can be mixed well is required.

본 발명은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 분사되는 원료가스의 에너지 상태를 균일하게 유지하고, 서로 다른 복수의 원료가스가 잘 혼합될 수 있도록 하는 진공증착장치 용 원료가스 분사노즐 및 상기 분사노즐을 포함하는 진공증착장치를 제공하는 것이다.The present invention is to solve the conventional problems, the source gas injection nozzle for vacuum deposition apparatus and the injection nozzle to maintain a uniform energy state of the source gas to be injected, so that a plurality of different source gas can be mixed well It is to provide a vacuum deposition apparatus comprising a.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 양상에 따른 진공증착 장치에 사용되는 원료가스 분사노즐은 제1 히터, 상기 제1 히터를 수용하고, 일 단부가 원료가스공급부에 연결되며, 외주에 상기 원료가스공급부로부터 공급되는 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제1 분사구멍이 형성된 제1 가스이동관, 및 상기 제1 가스이동관을 수용하고, 외주에 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제2 분사구멍이 형성된 제2 가스이동관을 포함한다.Raw material gas injection nozzle used in the vacuum deposition apparatus according to an aspect of the present invention for solving the above problems is to receive a first heater, the first heater, one end is connected to the raw material gas supply unit, the raw material on the outer periphery A first gas moving tube having a plurality of first injection holes for injecting the raw material gas supplied from the gas supply unit, and a plurality of second injection holes for accommodating the first gas moving tube to the outer periphery; It includes a second gas pipe formed.

상기 제1 가스이동관의 외주에 형성되어 상기 제2 가스이동관의 내주를 향하여 연장되되, 상기 제2 가스이동관의 내주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제1 벽부가 형성되고, 상기 제2 가스이동관의 내주에 형성되어 상기 제1 가스이동관의 외주를 향하여 연장되되, 상기 제1 가스이동관의 외주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제2 벽부가 형성되며, 상기 제1 벽부와 상기 제2 벽부의 각각은 상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이의 공간에 하나씩 교차로 배열될 수 있다.A plurality of first wall parts formed on an outer circumference of the first gas pipe and extending toward an inner circumference of the second gas pipe, and extending in a range not reaching the inner circumference of the second gas pipe, and the second gas pipe Is formed in the inner circumference of the extending toward the outer circumference of the first gas pipe, a plurality of second wall portion is formed extending in a range that does not touch the outer circumference of the first gas pipe is formed, the first wall and the second wall portion Each may be alternately arranged in the space between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe.

상기 분사노즐은 상기 제2 가스이동관을 수용하고, 외주에 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제3 분사구멍이 형성된 제3 가스이동관을 포함할 수 있다.The injection nozzle may include a third gas movement tube for accommodating the second gas movement tube and having a plurality of third injection holes for injecting the source gas into an outer circumference thereof.

상기 제1 분사구멍을 통해 분사된 원료가스는 상기 제1 가스이동관의 외주와 제2 가스이동관의 내주 사이의 공간으로 유입되고, 상기 제2 분사구멍을 통해 분사된 원료가스는 상기 제2 가스이동관의 외주와 상기 제3 가스이동관의 내주 사이의 공간으로 유입될 수 있다.The source gas injected through the first injection hole is introduced into a space between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe, and the source gas injected through the second injection hole is the second gas pipe. It may be introduced into the space between the outer circumference of the and the inner circumference of the third gas pipe.

상기 제1 분사구멍은 상기 제1 가스이동관의 길이 방향으로 배열되어 상기 제1 가스이동관의 외주에 형성되고, 상기 제2 분사구멍은 상기 제2 가스이동관의 길이 방향으로 배열되어 상기 제2 가스이동관의 외주에 형성될 수 있다.The first injection hole is arranged in the longitudinal direction of the first gas pipe and formed on the outer periphery of the first gas pipe, the second injection hole is arranged in the longitudinal direction of the second gas pipe and the second gas pipe It can be formed on the outer periphery of.

상기 제1 분사구멍과 상기 제2 분사구멍은 상기 제1 히터를 중심으로 서로 대향하도록 배치될 수 있다.The first injection hole and the second injection hole may be disposed to face each other with respect to the first heater.

상기 제1 분사구멍과 상기 제2 분사구멍은 상기 제1 히터를 중심으로 서로 대향하도록 배치되고, 상기 제2 분사구멍과 상기 제3 분사구멍은 상기 제1 히터를 중심으로 서로 대향하도록 배치될 수 있다.The first injection hole and the second injection hole may be disposed to face each other with respect to the first heater, and the second injection hole and the third injection hole may be disposed to face each other with respect to the first heater. have.

상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에는 상기 제1 분사구멍을 통해 유입된 상기 원료가스의 이동을 차단하기 위한 차단부가 형성될 수 있다.A blocking portion may be formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe to block the movement of the source gas introduced through the first injection hole.

상기 차단부는 상기 제1 분사구멍에서 상기 제2 분사구멍으로 유동되는 가스의 이동경로가 최대가 되도록 상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에 형성될 수 있다.The blocking unit may be formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe so that the movement path of the gas flowing from the first injection hole to the second injection hole is maximum.

상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에는 상기 제1 분사구멍을 통해 유입된 상기 원료가스의 이동을 차단하기 위한 제1 차단부가 형성되고, 상기 제2 가스이동관의 외주와 상기 제3 가스이동관의 내주 사이에는 상기 제2 분사구멍을 통해 유입된 상기 원료가스의 이동을 차단하기 위한 제2 차단부가 형성될 수 있다.A first blocking portion is formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe to block the movement of the source gas introduced through the first injection hole, and the outer circumference of the second gas pipe. A second blocking part may be formed between the inner circumferences of the third gas pipe to block the movement of the source gas introduced through the second injection hole.

상기 제1 차단부는 상기 제1 분사구멍에서 상기 제2 분사구멍으로 유동되는 상기 원료가스의 이동경로가 최대가 되도록 상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에 형성되고, 상기 제2 차단부는 상기 제2 분사구멍에서 상기 제3 분사구멍으로 유동되는 상기 원료가스의 이동경로가 최대가 되도록 상기 제2 가스이동관의 외주와 상기 제3 가스이동관의 내주 사이에 형성될 수 있다.The first blocking portion is formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe so that the movement path of the source gas flowing from the first injection hole to the second injection hole is maximum. The second blocking part may be formed between the outer circumference of the second gas pipe and the inner circumference of the third gas pipe so that the movement path of the source gas flowing from the second injection hole to the third injection hole is maximized.

상기 제1 히터는 상기 분사노즐의 길이 방향으로 복수개의 영역으로 분할되고, 상기 복수개의 영역은 독립적으로 온도가 제어될 수 있다.The first heater may be divided into a plurality of regions in a length direction of the injection nozzle, and the plurality of regions may be independently controlled in temperature.

상기 제2 가스이동관의 외주에는 상기 제2 분사구멍에서 분사된 원료가스의 이동방향을 안내하기 위한 분사갓이 형성될 수 있다.Injection shades for guiding the movement direction of the source gas injected from the second injection hole may be formed on the outer circumference of the second gas pipe.

상기 분사노즐은 제2 가스이동관의 외주의 일부 및/또는 상기 분사갓의 둘레에 위치하는 제2 히터를 포함할 수 있다.The injection nozzle may include a part of the outer circumference of the second gas pipe and / or a second heater positioned around the injection shade.

상기 제2 히터는 상기 분사노즐의 길이 방향으로 복수개의 영역으로 분할되고, 상기 복수개의 영역은 독립적으로 온도가 제어될 수 있다.The second heater may be divided into a plurality of areas in a length direction of the injection nozzle, and the plurality of areas may be independently controlled in temperature.

상기 제3 가스이동관의 외주에는 상기 제3 분사구멍에서 분사된 원료가스의 이동방향을 안내하기 위한 분사갓이 형성될 수 있다.An outer circumference of the third gas pipe may be formed with a spray shade for guiding a moving direction of the source gas injected from the third injection hole.

상기 제3 가스이동관의 외주의 일부 및/또는 상기 분사갓의 둘레에 위치하는 제2 히터를 포함할 수 있다.It may include a second heater positioned around a portion of the outer periphery of the third gas pipe and / or the injection shade.

상기 제2 히터는 상기 분사노즐의 길이 방향으로 복수개의 영역으로 분할되고, 상기 복수개의 영역은 독립적으로 온도가 제어될 수 있다.The second heater may be divided into a plurality of areas in a length direction of the injection nozzle, and the plurality of areas may be independently controlled in temperature.

상기 제1 가스이동관과 상기 제2 가스이동관은 석영(quartz)으로 이루어질 수 있다.The first gas pipe and the second gas pipe may be made of quartz.

상기 제1 가스이동관, 상기 제2 가스이동관 및 상기 제3 가스이동관은 석영(quartz)으로 이루어질 수 있다.The first gas pipe, the second gas pipe and the third gas pipe may be made of quartz.

본 발명의 다른 양상에 따른 진공 증착 장치는 상기 분사노즐을 포함할 수 있다.Vacuum deposition apparatus according to another aspect of the present invention may include the injection nozzle.

본 발명에 따른 진공증착장치 용 원료가스 분사노즐 및 상기 분사노즐을 포함하는 진공증착장치에 의할 때, 분사되는 원료가스의 에너지 상태를 일정하게 제어하여 박막의 물성을 균일하게 유지할 수 있다.When the source gas injection nozzle for the vacuum deposition apparatus and the vacuum deposition apparatus including the injection nozzle according to the present invention, by controlling the energy state of the source gas to be injected can be uniformly maintained the physical properties of the thin film.

또한, 서로 다른 복수의 원료가스가 잘 혼합되도록 하여 원료가스의 균질성을 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to improve the homogeneity of the source gas by mixing a plurality of different source gas well.

또한, 대면적의 기판에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.In addition, a thin film of uniform thickness can be formed on a large-area substrate.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtained by the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description will be.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제1 단면도를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐에 사용되는 분사슬릿의 평면도를 도시한 도면이다.
도 3은 상기 도 1의 A-A선을 중심으로 한 본 발명의 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제2 단면도를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제1 단면도를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제1 단면도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제1 단면도를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제1 단면도를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 원료가스 분사노즐을 포함하는 진공증착 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 진공증착방법을 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 진공증착 시스템을 설명하는 도면이다.1 is a view showing a first cross-sectional view of a source gas injection nozzle according to a first embodiment of the present invention.
2 is a plan view of the injection slit used for the raw material gas injection nozzle according to the first embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a second cross-sectional view of a source gas injection nozzle according to a first embodiment of the present invention centering on the line AA of FIG. 1.
4 is a view showing a first cross-sectional view of a source gas injection nozzle according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating a first cross-sectional view of a raw material gas injection nozzle according to a third exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram illustrating a first cross-sectional view of a source gas injection nozzle according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 illustrates a first cross-sectional view of a raw material gas injection nozzle according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.
8 is a view showing the configuration of a vacuum deposition apparatus including a source gas injection nozzle according to a sixth embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining a vacuum deposition method according to a seventh embodiment of the present invention.
10 is a view for explaining a vacuum deposition system according to an eighth embodiment of the present invention.

본 발명의 목적 및 효과, 그리고 그것들을 달성하기 위한 기술적 구성들은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 구조, 역할 및 기능 등을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The terms to be described below are terms defined in consideration of structures, roles, and functions in the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 오로지 특허청구범위에 기재된 청구항의 범주에 의하여 정의될 뿐이다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. The present embodiments are merely provided to complete the disclosure of the present invention and to completely inform the scope of the invention to those skilled in the art to which the present invention pertains, and the present invention is described only in the claims. It is only defined by the scope of the claims. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout.

한편, 본 발명의 실시예에 있어서, 각 구성요소들, 기능 블록들 또는 수단들은 하나 또는 그 이상의 하부 구성요소로 구성될 수 있으며, 각 구성요소들이 수행하는 전기, 전자, 기계적 기능들은 전자 회로, 집적 회로, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) 등 공지된 다양한 소자들 또는 기계적 요소들로 구현될 수 있으며, 각각 별개로 구현되거나 2 이상이 하나로 통합되어 구현될 수도 있다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, each of the components, functional blocks or means may be composed of one or more sub-components, the electrical, electronic, mechanical functions performed by each component is an electronic circuit, It may be implemented by various known elements or mechanical elements such as an integrated circuit, an application specific integrated circuit (ASIC), each of which may be implemented separately, or two or more may be integrated into one.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.
Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

제1 1st 실시예Example

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 제1 단면도를 도시한 도면이다. 1 is a view showing a first cross-sectional view of a source gas injection nozzle according to a first embodiment of the present invention.

상기 도 1에 도시된 바와 같이, 분사노즐(100)은 제1 히터(101)를 포함하고, 상기 제1 히터(101)는 내부에 열선을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the injection nozzle 100 may include a first heater 101, and the first heater 101 may include a heating wire therein.

또한, 상기 분사노즐(100)은 상기 제1 히터(101)를 수용하고, 일단부가 원료가스공급부에 연결된 제1 가스이동관(102)을 포함한다. 상기 제1 가스이동관(102)의 단부를 통해 적어도 하나 이상의 원료물질을 증발시킨 후에 생성된 원료가스가 유입된다. 상기 제1 가스이동관(102)의 외주에는 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 분사구멍(103)이 상기 제1 가스이동관(102)의 길이방향으로 형성된다. 이때, 상기 분사구멍(103)은 원형으로 구성될 수 있다.In addition, the injection nozzle 100 includes a first gas moving tube 102 which accommodates the first heater 101 and whose one end is connected to the source gas supply unit. Source gas generated after evaporating at least one raw material through the end of the first gas pipe 102 is introduced. On the outer circumference of the first gas pipe 102, a plurality of injection holes 103 for injecting the source gas are formed in the longitudinal direction of the first gas pipe 102. In this case, the injection hole 103 may be configured in a circular shape.

또한, 분사노즐(100)은 내부에 상기 제1 가스이동관(102)을 수용하는 제2 가스이동관(104)을 포함한다. 상기 제2 가스이동관(104)의 외주에는 상기 원료가스를 분사위한 복수의 원형 분사구멍(105)이 상기 제2 가스이동관(104)의 길이방향으로 형성된다.In addition, the injection nozzle 100 includes a second gas pipe 104 to accommodate the first gas pipe 102 in the interior. On the outer circumference of the second gas pipe 104, a plurality of circular injection holes 105 for injecting the source gas are formed in the longitudinal direction of the second gas pipe 104.

이때, 상기 제1 가스이동관(102)의 분사구멍(103)과 상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)은 상기 제1 히터(101)를 중심으로 서로 대향하도록 배치된다. 그 결과, 상기 분사구멍(103)을 통해 분사되는 상기 원료가스의 분사방향과 상기 분사구멍(105)를 통해 분사되는 상기 원료가스의 분사방향은 서로 반대가 된다. 이와 같이 구성함으로써, 분사노즐(100) 내에서 상기 원료가스의 이동 경로를 최대화할 수 있다.In this case, the injection hole 103 of the first gas pipe 102 and the injection hole 105 of the second gas pipe 104 are disposed to face each other with respect to the first heater 101. As a result, the injection direction of the source gas injected through the injection hole 103 and the injection direction of the source gas injected through the injection hole 105 are opposite to each other. By configuring in this way, the movement path of the source gas in the injection nozzle 100 can be maximized.

상기 제1 가스이동관(102)의 분사구멍(103)을 통해 분사된 원료가스는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주와 상기 제2 가스이동관(104)의 내주 사이의 공간을 돌아 상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)을 통해 분사된다.The raw material gas injected through the injection hole 103 of the first gas pipe 102 is turned around the space between the outer circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104. It is injected through the injection hole 105 of the gas pipe 104.

또한, 상기 분사노즐(100)은 상기 제2 가스이동관(104)을 수용하는 제3 가스이동관(106)을 포함한다. 상기 제3 가스이동관(106)의 외주의 일부에는 상기 원료가스가 분사되기 위한 교체 가능한 분사슬릿(107)이 장착되어 있고, 상기 분사슬릿(107)에는 상기 원료가스가 분사되기 위한 분사구멍(108)이 분사노즐(100)의 길이방향으로 형성된다.In addition, the injection nozzle 100 includes a third gas pipe 106 for receiving the second gas pipe 104. A part of the outer circumference of the third gas pipe 106 is provided with a replaceable injection slit 107 for injecting the raw material gas, and the injection slit 107 for injection holes 108 for injecting the raw material gas. ) Is formed in the longitudinal direction of the injection nozzle (100).

이때, 상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)과 상기 제3 가스이동관(106)의 분사구멍(108)은 상기 제1 히터(101)를 중심으로 서로 대향하도록 배치된다. 그 결과, 상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)을 통해 분사되는 상기 원료가스의 분사방향과 상기 제3 가스이동관(106)의 분사구멍(108)을 통해 분사되는 상기 원료가스의 분사방향은 서로 반대가 된다. 이와 같이 구성함으로써, 분사노즐(100) 내에서 원료가스의 이동 경로를 최대화할 수 있다.In this case, the injection holes 105 of the second gas pipe 104 and the injection holes 108 of the third gas pipe 106 are disposed to face each other with respect to the first heater 101. As a result, the injection direction of the source gas injected through the injection hole 105 of the second gas pipe 104 and the source gas injected through the injection hole 108 of the third gas pipe 106. The injection directions are opposite to each other. By configuring in this way, it is possible to maximize the movement path of the raw material gas in the injection nozzle 100.

상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)을 통과한 원료가스는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주와 상기 제3 가스이동관(106)의 내주 사이의 공간을 돌아 분사슬릿(107)의 분사구멍(108)을 통과하여 기판을 향하여 분사된다.The raw material gas passing through the injection hole 105 of the second gas pipe 104 is turned around the space between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 107. Is sprayed toward the substrate through the spray holes 108 of the?

상기와 같이 분사노즐(100) 내에서 원료가스의 이동 경로가 최대가 되도록 분사노즐(100)의 구조를 형성함으로써, 분사노즐(100)로부터 분사되는 원료가스의 균질성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 우수한 품질의 박막을 얻을 수 있다.As described above, by forming the structure of the injection nozzle 100 to maximize the movement path of the source gas in the injection nozzle 100, it is possible to improve the homogeneity of the source gas injected from the injection nozzle 100. As a result, a thin film of excellent quality can be obtained.

또한, 분사슬릿(107)의 분사구멍(108)로부터 분사되는 원료가스의 분사 방향을 제어하기 위하여 상기 제3 가스이동관(106)의 외주에는 분사슬릿(107)의 양측면으로부터 연장하여 소정 각도로 벌어진 소정 길이의 분사갓(109)이 형성될 수 있다.In addition, in order to control the injection direction of the source gas injected from the injection hole 108 of the injection slit 107, the outer periphery of the third gas pipe 106 extends from both sides of the injection slit 107 and is opened at a predetermined angle. Injection shade 109 of a predetermined length may be formed.

또한, 상기 제3 가스이동관(106)의 외주의 일부와 분사갓(109)의 외측에는 원료가스의 온도를 제어하기 위한 제2 히터(110)가 형성되어 있다. 상기 제2 히터(110)는 열선 등으로 구성될 수 있다.In addition, a second heater 110 for controlling the temperature of the source gas is formed at a part of the outer circumference of the third gas pipe 106 and the outside of the injection shade 109. The second heater 110 may be configured of a hot wire or the like.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 분사노즐에 사용되는 분사슬릿의 평면도를 도시한 도면이다. 상기 도 2에 도시된 바와 같이, 분사슬릿(107)은 교체가 가능한 판 구조로 되어 있고, 분사슬릿(107)에는 분사노즐(100)의 길이 방향으로 복수 개의 원형 분사구멍(108)이 형성되어 있다. 상기 분사구멍(108)은 막히지 않을 정도로 충분히 크게 형성된다. 상기 분사슬릿(107)의 두께를 조정함으로써 분사되는 원료가스의 분사 각도와 방향을 조정할 수 있다.2 is a plan view of a jetting slit used in a jetting nozzle according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the injection slit 107 has a replaceable plate structure, and the plurality of circular injection holes 108 are formed in the injection slit 107 in the longitudinal direction of the injection nozzle 100. have. The injection hole 108 is formed large enough to prevent clogging. By adjusting the thickness of the injection slit 107, the injection angle and direction of the source gas to be injected can be adjusted.

상기 도 2에는 분사구멍(108)이 일렬로 배열된 구조가 도시되어 있지만, 이는 일예에 불과한 것으로 분사구멍(108)은 복수개의 열로 형성될 수 있다.Although FIG. 2 illustrates a structure in which the injection holes 108 are arranged in a line, this is only an example, and the injection holes 108 may be formed in a plurality of rows.

도 3은 상기 도 1의 A-A선을 중심으로 한 본 발명의 제1 실시예에 따른 분사노즐의 제2 단면도를 도시한 도면이다.3 is a view illustrating a second cross-sectional view of the jet nozzle according to the first embodiment of the present invention centering on line A-A of FIG. 1.

상기 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 가스이동관(102)의 일단부로 원료가스가 유입된다. 이때, 제1 가스이동관(102)을 진행하는 원료가스에 열손실이 발생할 수 있다. 열손실로 인하여 상기 원료가스의 에너지 상태가 변하면, 증착된 물질의 특성이 달라질 수 있기 때문에, 상기 원료가스가 이동하는 경로 상에서 상기 열손실로 인한 에너지를 보상해 주어야 한다. 따라서, 본 발명에서는 상기 제1 가스이동관(102)의 중앙에 분사노즐(100)의 길이 방향으로 제1 히터(101)를 위치시켜 원료가스의 열손실로 인한 에너지를 보상한다. 특히, 상기 도 3에 점선으로 표시된 바와 같이 상기 제1 히터(101)는 상기 분사노즐(100)의 길이 방향으로 소정 개수의 구획으로 구분될 수 있고, 상기 제1 히터(101)의 구분된 각 구획은 독립적으로 온도가 제어되어, 보다 정밀하게 원료가스의 열손실로 인한 에너지를 보상할 수 있다. 그 결과, 제1 가스이동관(102)을 진행하는 원료가스의 에너지 상태를 동일하고 안정적인 상태로 유지할 수 있다.As shown in FIG. 3, the source gas is introduced into one end of the first gas pipe 102. At this time, heat loss may occur in the raw material gas traveling through the first gas pipe 102. If the energy state of the source gas is changed due to heat loss, the properties of the deposited material may be changed, so the energy due to the heat loss must be compensated for in the path of the source gas. Therefore, in the present invention, by placing the first heater 101 in the longitudinal direction of the injection nozzle 100 in the center of the first gas pipe 102 to compensate for the energy due to the heat loss of the raw material gas. In particular, as shown by a dotted line in FIG. 3, the first heater 101 may be divided into a predetermined number of sections in the length direction of the injection nozzle 100, and the divided angles of the first heater 101 may be divided into three sections. The compartments are independently temperature controlled, allowing more precise compensation of energy due to heat losses in the feed gas. As a result, the energy state of the raw material gas traveling through the first gas pipe 102 can be maintained in the same and stable state.

상기 제1 가스이동관(102)으로 유입된 원료가스는 상기 제1 가스이동관(102)의 분사구멍(103)을 통하여 분사되어 제2 가스이동관(104)으로 유입된다. 상기 제2 가스이동관(104)에 유입된 원료가스는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주와 상기 제2 가스이동관(104)의 내주 사이의 공간을 돌아 상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)를 통과하여 제3 가스이동관(106)으로 유입된다.The source gas introduced into the first gas pipe 102 is injected through the injection hole 103 of the first gas pipe 102 and flows into the second gas pipe 104. The source gas introduced into the second gas pipe 104 is turned around the space between the outer circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104 to inject the second gas pipe 104. It passes through the hole 105 and flows into the third gas pipe 106.

상기 제3 가스이동관(106)으로 유입된 원료가스는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주와 상기 제3 가스이동관(106)의 내주 사이의 공간을 돌아 상기 제3 가스이동관(106)에 장착된 분사슬릿(107)의 분사구멍(108)을 통하여 분사된다. The source gas introduced into the third gas pipe 106 is turned around the space between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 106 to the third gas pipe 106. It is injected through the injection hole 108 of the injection slit 107.

상기 제1 히터(101), 제1 가스이동관(102), 제2 가스이동관(104), 제3 가스이동관(106)의 재료는 열안정성이 우수한 석영(quartz) 또는 금속이 될 수 있다. The material of the first heater 101, the first gas pipe 102, the second gas pipe 104, and the third gas pipe 106 may be quartz or metal having excellent thermal stability.

본 실시예에서는 제1 가스이동관(102), 제2 가스이동관(104) 및 제3 가스이동관(106)을 모두 포함하는 경우를 설명하였지만, 제1 가스이동관(102)의 구성을 제외하고 제2 가스이동관(104)과 제3 가스이동관(106)을 포함하도록 구성하는 것도 가능하다. 또한, In the present embodiment, the case in which the first gas pipe 102, the second gas pipe 104, and the third gas pipe 106 are all included, the second gas pipe 102 except for the configuration of the first gas pipe 102 It is also possible to comprise the gas pipe 104 and the third gas pipe 106. Also,

이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 원료가스 분사노즐에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, the raw material gas injection nozzle according to the second embodiment of the present invention will be described.

제2 Second 실시예Example

본 실시예에서 상기 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐과 동일한 구성요소에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.In the present embodiment, a description of the same components as the source gas injection nozzles according to the first embodiment will be omitted.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 단면도를 도시한 도면이다. 상기 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 가스이동관(102)에는 본 발명의 제2 실시예에 따른 원료가스 분사노즐(200)의 길이방향으로 원료가스를 제2 가스이동관(104)으로 유입시키기 위한 분사구멍(103)이 형성되어 있다. 상기 분사구멍(103)의 일부는 상기 도 4에 도시된 바와 같이 제1 가스이동관(102)의 외주 에 분사노즐(200)의 길이방향으로 소정 개수(예를 들어, 도 4에서는 2개이며, 이는 예시에 불과함)씩 소정 간격을 두고 형성되고, 나머지는 제1 히터(101)를 중심으로 상기 외주의 반대편의 제1 가스이동관(102)의 외주에 소정 개수씩 소정 간격을 두고 형성된다.4 is a sectional view showing a source gas injection nozzle according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the first gas pipe 102 is introduced into the second gas pipe 104 in the longitudinal direction of the source gas injection nozzle 200 according to the second embodiment of the present invention. Injection holes 103 are formed. A part of the injection holes 103 is a predetermined number (for example, two in Fig. 4) in the longitudinal direction of the injection nozzle 200 on the outer circumference of the first gas pipe 102, as shown in FIG. This is only an example) and are formed at predetermined intervals, and the rest are formed at predetermined intervals on the outer circumference of the first gas pipe 102 on the opposite side of the outer circumference with respect to the first heater 101.

이때, 상기 소정 개수의 분사구멍(103)은 제1 히터(101)를 중심으로 서로 마주보지 않고 서로 엇갈리도록 형성된다.In this case, the predetermined number of injection holes 103 are formed to be staggered with each other without facing each other with respect to the first heater 101.

또한, 제3 가스이동관(106)에는 원료가스를 제3 가스이동관(106)으로 유입시키기 위한 분사구멍(105)이 형성되어 있다. 상기 도 4에 도시된 바와 같이, 분사구멍(105)은 상기 제1 히터(101)를 중심으로 분사구멍(103)을 대향하도록 형성되어 있다.In addition, the third gas pipe 106 is formed with an injection hole 105 for introducing the source gas into the third gas pipe 106. As shown in FIG. 4, the injection hole 105 is formed to face the injection hole 103 with respect to the first heater 101.

제1 가스이동관(102)의 분사구멍(103)과 상기 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)을 상기와 같이 형성함으로써, 원료가스의 이동 경로를 최대화할 뿐만 아니라 원료가스의 이동 경로를 다양화할 수 있다. 이로 인하여, 분사노즐(200)을 통해 분사되는 혼합된 원료가스의 균질성을 유지하여, 우수한 품질의 박막을 얻을 수 있다.By forming the injection hole 103 of the first gas pipe 102 and the injection hole 105 of the second gas pipe 104 as described above, not only the movement path of the source gas is maximized, but also the path of the source gas is moved. Can be diversified. As a result, the homogeneity of the mixed source gas injected through the injection nozzle 200 may be maintained to obtain a thin film having excellent quality.

이하, 본 발명의 제3 실시예에 따른 원료가스 분사노즐에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, the raw material gas injection nozzle according to the third embodiment of the present invention will be described.

제3실시예Third Embodiment

본 실시예에서 상기 제1 실시예 또는 제2 실시예에 따른 원료가스 분사노즐과 동일한 구성요소에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 또한, 본 실시예는 상기 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 구조 또는 상기 제2 실시예에 따른 분사노즐의 구조에 적용될 수 있다.In the present embodiment, the description of the same components as the source gas injection nozzles according to the first or second embodiment will be omitted. In addition, the present embodiment may be applied to the structure of the source gas injection nozzle according to the first embodiment or the structure of the injection nozzle according to the second embodiment.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 원료가스 분사노즐(300)의 제1 단면도를 도시한 도면이다. 상기 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가스이동관(102)의 외주에는 상기 제2 가스이동관(104)의 내주를 향하여 연장되되, 상기 제2 가스 이동관(104)의 내주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제1 벽부(111)가 형성된다.5 is a diagram illustrating a first cross-sectional view of the source gas injection nozzle 300 according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the outer circumference of the first gas pipe 102 extends toward the inner circumference of the second gas pipe 104, but does not reach the inner circumference of the second gas pipe 104. A plurality of extending first wall portions 111 are formed.

또한, 상기 제2 가스이동관(104)의 내주에는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주를 향하여 연장되되, 상기 제1 가스이동관(102)의 외주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제2 벽부(112)가 형성된다.In addition, the second circumference of the second gas pipe 104 extends toward the outer circumference of the first gas pipe 102, the second wall portion extending in a range that does not touch the outer circumference of the first gas pipe 102 112 is formed.

이때, 상기 제1 벽부(111)와 상기 제2 벽부(112)는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주와 상기 제2 가스이동관(104)의 내주 사이의 공간에 하나씩 교차로 배열된다.In this case, the first wall portion 111 and the second wall portion 112 are arranged alternately in the space between the outer circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104.

마찬가지로, 상기 제2 가스이동관(104)의 외주에는 상기 제3 가스이동관(106)의 내주를 향하여 연장되되, 상기 제3 가스 이동관(106)의 내주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제3 벽부(113)가 형성된다.Similarly, a plurality of third wall parts which extend toward the inner circumference of the third gas pipe 106 are formed on the outer circumference of the second gas pipe 107, but do not reach the inner circumference of the third gas pipe 106. 113 is formed.

또한, 상기 제3 가스이동관(106)의 내주에는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주를 향하여 연장되되, 상기 제2 가스이동관(104)의 외주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제4 벽부(114)가 형성된다.In addition, a plurality of fourth wall parts which extend toward the outer circumference of the second gas pipe 104 are formed on the inner circumference of the third gas pipe 107, but do not reach the outer circumference of the second gas pipe 104. 114 is formed.

이때, 상기 제3 벽부(113)와 상기 제4 벽부(114)는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주와 상기 제3 가스이동관(106)의 내주 사이의 공간에 하나씩 교차로 배열된다. In this case, the third wall portion 113 and the fourth wall portion 114 are alternately arranged in a space between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 106.

상기 제1 벽부(111)와 상기 제2 벽부(112)는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주와 상기 제2 가스이동관(104)의 내주 사이의 공간을 마치 미로처럼 형성하고 상기 제3 벽부(113)와 상기 제4 벽부(114)는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주와 상기 제3 가스이동관(106)의 내주 사이의 공간을 마치 미로처럼 형성하여, 원료가스가 상기 공간을 통과할 때의 이동경로를 최대화하여 분사노즐(300)로부터 분사되는 원료가스의 균질성을 향상시킬 수 있다.The first wall 111 and the second wall 112 form a space between the outer circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104 as a maze and the third wall. The 113 and the fourth wall 114 form a space between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 106 like a maze, so that raw material gas passes through the space. By maximizing the movement path at the time can improve the homogeneity of the raw material gas injected from the injection nozzle (300).

이하, 본 발명의 제4 실시예에 따른 원료가스 분사노즐에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, the raw material gas injection nozzle according to the fourth embodiment of the present invention will be described.

제4 Fourth 실시예Example

본 실시예에서 상기 제1 실시예에 따른 원료가스 분사노즐과 동일한 구성요소에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.In the present embodiment, a description of the same components as the source gas injection nozzles according to the first embodiment will be omitted.

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 원료가스 분사노즐(400)의 제1 단면도를 도시한 도면이다. 상기 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 가스이동관(102)의 내주와 제2 가스이동관(104)의 내주 사이에는 제1 가스이동관(102)의 분사구멍(103)을 통해 분사된 원료가스의 이동을 차단하기 위한 제1 차단부(115)가 형성되어 있고, 제2 가스이동관(104)의 외주와 제3 가스이동관(106)의 내주 사이에는 제2 가스이동관(104)의 분사구멍(105)를 통해 분사된 원료가스의 이동을 차단하기 위한 제2 차단부(116)가 형성되어 있다.6 is a diagram illustrating a first cross-sectional view of the source gas injection nozzle 400 according to the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, between the inner circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104, the raw material gas injected through the injection hole 103 of the first gas pipe 102 is formed. A first blocking unit 115 is formed to block movement, and the injection hole 105 of the second gas pipe 104 is disposed between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 106. The second blocking unit 116 is formed to block the movement of the source gas injected through the).

또한, 제1 가스이동관(102)으로 유입된 원료가스의 이동경로를 최대로 하기 위하여 상기 제1차단부(115)와 상기 제2차단부(116)의 인접한 위치에 분사구멍(103)과 분사구멍(105)이 각각 분사노즐(400)의 길이방향으로 형성되어 있다. In addition, in order to maximize the movement path of the source gas introduced into the first gas pipe 102, the injection hole 103 and the injection in the adjacent position of the first blocking portion 115 and the second blocking portion 116 The holes 105 are formed in the longitudinal direction of the injection nozzle 400, respectively.

상기 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 차단부(115)에 의해 제1 가스이동관(102)에 형성된 분사구멍(103)으로부터 분사된 원료가스가 반시계방향으로 진행하는 것이 방지되고, 상기 제2 차단부(116)에 의해 제2 가스이동관(104)에 형성된 분사구멍(105)으로부터 분사된 원료가스가 시계방향으로 진행하는 것이 방지되기 때문에, 분사노즐(400) 내에서 원료가스의 이동경로가 최대화될 수 있다.As shown in FIG. 6, the raw material gas injected from the injection hole 103 formed in the first gas pipe 102 by the first blocking unit 115 is prevented from proceeding in a counterclockwise direction. Since the raw material gas injected from the injection hole 105 formed in the second gas pipe 104 is prevented from traveling in the clockwise direction by the second blocking portion 116, the movement of the raw material gas in the injection nozzle 400 is prevented. The path can be maximized.

이하, 본 발명의 제5 실시예에 따른 원료가스 분사노즐을 포함하는 진공증착 장치에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, the vacuum deposition apparatus including the source gas injection nozzle according to the fifth embodiment of the present invention will be described.

제5 5th 실시예Example

본 실시예에서 상기 제4 실시예에 따른 원료가스 분사노즐과 동일한 구성요소에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 또한, 본 실시예는 상기 제4 실시예에 따른 원료가스 분사노즐의 구조에 적용될 수 있다. In the present embodiment, the description of the same components as the source gas injection nozzles according to the fourth embodiment will be omitted. In addition, the present embodiment can be applied to the structure of the source gas injection nozzle according to the fourth embodiment.

도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 원료가스 분사노즐(500)의 제1 단면도를 도시한 도면이다. 상기 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제1 가스이동관(102)의 외주에는 상기 제2 가스이동관(104)의 내주를 향하여 연장되되, 상기 제2 가스 이동관(104)의 내주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제1 벽부(111)가 형성된다. FIG. 7 illustrates a first cross-sectional view of a source gas injection nozzle 500 according to a fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the outer circumference of the first gas pipe 102 extends toward the inner circumference of the second gas pipe 104, but does not reach the inner circumference of the second gas pipe 104. A plurality of extending first wall portions 111 are formed.

또한, 상기 제2 가스이동관(104)의 내주에는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주를 향하여 연장되되, 상기 제1 가스이동관(102)의 외주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제2 벽부(112)가 형성된다.In addition, the second circumference of the second gas pipe 104 extends toward the outer circumference of the first gas pipe 102, the second wall portion extending in a range that does not touch the outer circumference of the first gas pipe 102 112 is formed.

이때, 상기 제1 벽부(111)와 상기 제2 벽부(112)는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주와 상기 제2 가스이동관(104)의 내주 사이의 공간에 하나씩 교차로 배열된다.In this case, the first wall portion 111 and the second wall portion 112 are arranged alternately in the space between the outer circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104.

마찬가지로, 상기 제2 가스이동관(104)의 외주에는 상기 제3 가스이동관(106)의 내주를 향하여 연장되되, 상기 제3 가스 이동관(106)의 내주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제3 벽부(113)가 형성된다.Similarly, a plurality of third wall parts which extend toward the inner circumference of the third gas pipe 106 are formed on the outer circumference of the second gas pipe 107, but do not reach the inner circumference of the third gas pipe 106. 113 is formed.

또한, 상기 제3 가스이동관(106)의 내주에는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주를 향하여 연장되되, 상기 제2 가스이동관(104)의 외주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제4 벽부(114)가 형성된다.In addition, a plurality of fourth wall parts which extend toward the outer circumference of the second gas pipe 104 are formed on the inner circumference of the third gas pipe 107, but do not reach the outer circumference of the second gas pipe 104. 114 is formed.

이때, 상기 제3 벽부(113)와 상기 제4 벽부(114)는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주와 상기 제3 가스이동관(106)의 내주 사이의 공간에 하나씩 교차로 배열된다.In this case, the third wall portion 113 and the fourth wall portion 114 are alternately arranged in a space between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 106.

상기 제1 벽부(111)와 상기 제2 벽부(112)는 상기 제1 가스이동관(102)의 외주와 상기 제2 가스이동관(104)의 내주 사이의 공간을 마치 미로처럼 형성하고 상기 제3 벽부(113)와 상기 제4 벽부(114)는 상기 제2 가스이동관(104)의 외주와 상기 제3 가스이동관(106)의 내주 사이의 공간을 마치 미로처럼 형성하여, 원료가스가 상기 공간을 통과할 때의 이동경로를 최대화하여 분사노즐(500)로부터 분사되는 원료가스의 균질성을 향상시킬 수 있다.The first wall 111 and the second wall 112 form a space between the outer circumference of the first gas pipe 102 and the inner circumference of the second gas pipe 104 as a maze and the third wall. The 113 and the fourth wall 114 form a space between the outer circumference of the second gas pipe 104 and the inner circumference of the third gas pipe 106 like a maze, so that raw material gas passes through the space. By maximizing the movement path at the time can improve the homogeneity of the raw material gas injected from the injection nozzle (500).

이하, 본 발명의 제6 실시예에 따른 원료가스 분사노즐에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, the raw material gas injection nozzle according to the sixth embodiment of the present invention will be described.

제6 6th 실시예Example

도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 원료가스 분사노즐을 포함하는 진공증착 장치의 구성을 도시한 도면이다. 제6 실시예에 따른 원료가스 분사노즐을 포함하는 진공증착 장치(600)는 분사노즐(610), 혼합부(620), 제1 원료공급부(630), 제2 원료공급부(640), 이동관(650)을 포함한다. 이때, 상기 분사노즐(610)은 상기 제1 실시예 내지 제5 실시예의 분사노즐 중 하나일 수 있다.8 is a view showing the configuration of a vacuum deposition apparatus including a source gas injection nozzle according to a sixth embodiment of the present invention. Vacuum deposition apparatus 600 including the raw material gas injection nozzle according to the sixth embodiment of the injection nozzle 610, mixing unit 620, the first raw material supply unit 630, the second raw material supply unit 640, the moving tube ( 650). In this case, the injection nozzle 610 may be one of the injection nozzles of the first to fifth embodiments.

상기 제1 원료공급부(630)와 상기 제2 원료공급부(640)에서 증착원료를 가열하여 생성한 원료가스가 상기 혼합부(620)로 유입되고, 상기 유입된 원료가스는 혼합되어 원료가스가 되어 이동관(650)을 경유하여 분사노즐(610)로 유입된다. 상기 유입된 원료가스는 분사노즐(610)을 통해 기판을 향해 분사된다.The raw material gas generated by heating the deposition material in the first raw material supplier 630 and the second raw material supplier 640 is introduced into the mixing unit 620, and the introduced raw material gas is mixed to become raw material gas. It flows into the injection nozzle 610 via the moving pipe 650. The introduced raw material gas is injected toward the substrate through the injection nozzle 610.

이때, 제1 원료공급부(630)는 제1 영역(631)과 제2 영역(632)로 나누어지고, 상기 제1 영역(631)과 상기 제2영역(632)은 상기 제1 원료공급부(630)에 설치된 히터에 의해 독립적으로 온도가 제어될 수 있다. 상기 제1영역(631)에서 원료물질이 증발하여 생성된 원료가스가 상기 제2 영역(632)로 오면 상기 제2 영역(632)에서 원료가스의 이동 속도를 빠르게 하기 위하여 상기 제2 영역(632)의 온도를 상기 제1 영역(631)의 온도보다 높게 설정하고 상기 혼합부(620)에서 원료가스의 이동 통로를 좁게 한다.In this case, the first raw material supplier 630 is divided into a first region 631 and a second region 632, and the first region 631 and the second region 632 are the first raw material supplier 630. The temperature can be controlled independently by the heater installed in the). When the source gas generated by the evaporation of the raw material in the first region 631 comes to the second region 632, the second region 632 to speed up the movement of the raw material gas in the second region 632. ) Is set higher than the temperature of the first region 631, and the mixing passage 620 narrows the passage of the source gas.

또한, 제2 원료공급부(640)는 제1 영역(641)과 제2 영역(642)로 나누어지고, 상기 제1 영역(641)과 상기 제2 영역(642)은 상기 제2 원료공급부(640)에 설치된 히터에 의해 독립적으로 온도가 제어된다. 상기 제1 원료공급부(630)와 마찬가지로 상기 제2 원료공급부(640)의 제1 영역(641)에서 원료물질이 증발하여 생성된 원료가스가 상기 제2 영역(642)로 오면 상기 제2 영역(642)에서 원료가스의 이동속도를 빠르게 하기 위하여 상기 제2 영역(642)의 온도를 상기 제1 영역(641)의 온도보다 높게 설정하고 상기 혼합부(620)에서 원료가스의 이동 통로를 좁게 한다.In addition, the second raw material supplier 640 is divided into a first region 641 and a second region 642, and the first region 641 and the second region 642 are the second raw material supplier 640. The temperature is controlled independently by the heater installed in Like the first raw material supplier 630, when the raw material gas generated by evaporation of the raw material in the first region 641 of the second raw material supplier 640 comes to the second region 642, the second region ( In order to accelerate the movement speed of the source gas at 642, the temperature of the second region 642 is set higher than the temperature of the first region 641, and the passage of the source gas is narrowed in the mixing unit 620. .

또한, 상기 이동관(650)에는 히터를 설치하여 원료가스의 열손실을 보상할 수 있다.In addition, the heater 650 may be provided with a heater to compensate for heat loss of the raw material gas.

또한, 상기 분사노즐(610)은 분사노즐(610)의 길이방향으로 제1 영역(611), 제2 영역(612), 제3 영역(613)으로 구분하고 분사노즐(610)에 설치된 히터에 의해 각 영역의 온도가 독립적으로 제어될 수 있다. In addition, the spray nozzle 610 is divided into a first region 611, a second region 612, and a third region 613 in the longitudinal direction of the spray nozzle 610 and is provided with a heater installed in the spray nozzle 610. The temperature in each zone can be controlled independently.

상기와 같이 진공증착장치(600)를 복수의 영역으로 구분하여 온도를 제어함으로써, 분사노즐(610)내에서 원료가스가 이동하는 동안에 원료가스에 발생하는 열손실을 보다 정밀하게 제어함으로써, 분사노즐(610)에서 분사되는 원료가스가 분사 위치에 관계없이 동일한 밀도의 가스가 분출되도록 할 수 있다. 이를 통해, 대면적 기판에 대해서 균일한 두께의 양질의 막을 형성하는 것이 가능하다.By controlling the temperature by dividing the vacuum deposition apparatus 600 into a plurality of regions as described above, the injection nozzle by controlling the heat loss generated in the raw material gas more precisely while the raw material gas moves in the injection nozzle 610, The source gas injected at 610 may allow gas of the same density to be ejected regardless of the injection position. This makes it possible to form a high quality film of uniform thickness on a large area substrate.

상기 도 8에서는 두 개의 원료공급부가 도시되어 있지만, 필요에 따라 추가적인 원료공급부를 더 포함할 수 있다.Although two raw material suppliers are shown in FIG. 8, additional raw material suppliers may be further included as necessary.

이하, 본 발명의 제7 실시예에 따른 원료가스 분사노즐을 포함하는 진공증착 시스템에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, a vacuum deposition system including a source gas injection nozzle according to a seventh embodiment of the present invention will be described.

제7 Seventh 실시예Example

도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 진공증착방법을 설명하는 도면이다. 상기 도 9에 도시된 바와 같이, 원료 공급원에서 원료물질을 녹는점까지 가열하여 원료가스를 생성하고, 챔버(710)의 내부를 충분한 진공(예를 들어, 10-6 torr 이하) 상태 분위기로 만든 후에 셔터(730)를 열어 분사노즐(720)로부터 분사된 원료가스를 이용하여 상기 기판(S)에 박막을 형성하고, 증착이 완료되면 셔터(730)를 닫아 증착 공정을 종료한다. 상기 분사노즐(720)은 상기 본 발명의 제1 실시예 내지 제5실시예에 따른 분사노즐 중 하나일 수 있다.9 is a view for explaining a vacuum deposition method according to a seventh embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the raw material is heated to a melting point at the raw material source to generate a raw material gas, and the interior of the chamber 710 is made into a sufficient vacuum (eg, 10 −6 torr or less) atmosphere. Later, the shutter 730 is opened to form a thin film on the substrate S using the source gas injected from the injection nozzle 720, and when the deposition is completed, the shutter 730 is closed to terminate the deposition process. The injection nozzle 720 may be one of the injection nozzles according to the first to fifth embodiments of the present invention.

또한, 챔버(710)의 내부에는 기판의 온도를 일정하게 유지하기 위하여 히터(740)를 배치하여, 증착된 막의 방향성과 물성을 최적화하고, 재료 효율을 극대화한다. In addition, the heater 740 is disposed in the chamber 710 to maintain a constant temperature of the substrate, thereby optimizing the directionality and physical properties of the deposited film and maximizing material efficiency.

도 9에는 기판(S)을 탑재하여 이송하는 탑재대는 도시되어 있지 않지만, 기판이송속도와 기판과 분사노즐(720)과의 거리인 증착거리(d)의 조절이 가능하도록 탑재대를 구성할 수 있다.Although the mounting table for mounting and transporting the substrate S is not shown in FIG. 9, the mounting table can be configured to enable the substrate transport speed and the deposition distance d, which is the distance between the substrate and the spray nozzle 720, to be adjusted. have.

이하, 본 발명의 제8 실시예에 따른 원료가스 분사노즐을 포함하는 진공증착 시스템에 대해서 설명하기로 한다.
Hereinafter, a vacuum deposition system including a source gas injection nozzle according to an eighth embodiment of the present invention will be described.

제8 Eighth 실시예Example

도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 진공증착 시스템을 설명하는 도면이다. 상기 도 10에 도시된 바와 같이, 진공증착시스템(800)은 진공증착이 수행되는 메인증착챔버(803)과 상기 메인증착챔버(803)로 기판(S)을 반입시키기 위한 로딩챔버(loading chamber)(801)와 진공증착이 완료된 기판을 상기 메인증착챔버(803)으로부터 반출하기 위한 언로딩침버(unloading chamber)(811)을 포함한다. 10 is a view for explaining a vacuum deposition system according to an eighth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, the vacuum deposition system 800 includes a main deposition chamber 803 in which vacuum deposition is performed and a loading chamber for loading the substrate S into the main deposition chamber 803. 801 and an unloading chamber 811 for carrying out the vacuum deposition completed substrate from the main deposition chamber 803.

또한, 상기 메인증착챔버(803)와 상기 로딩챔버(801) 사이에는 개폐 가능한 게이트(802)가 위치하고, 상기 메인증착챔버(803)와 상기 언로딩챔버(811) 사이에는 개폐 가능한 게이트(812)가 위치한다. In addition, a gate 802 that can be opened and closed is positioned between the main deposition chamber 803 and the loading chamber 801, and a gate 812 that can be opened and closed between the main deposition chamber 803 and the unloading chamber 811. Is located.

또한, 상기 메인증착챔버(803)의 외부에는 제1 원료공급부(804), 제2 원료 공급부(804), 제1 원료공급부(804)와 제2 원료공급부(805)의 각각으로부터 공급된 원료가스를 혼합시켜 원료가스를 생성하기 위한 혼합부(806), 상기 혼합부(806)와 메인증착챔버(803)사이의 원료가스의 누출을 방지하기 위한 개스킷(807)을 포함한다. In addition, a source gas supplied from each of the first raw material supplier 804, the second raw material supplier 804, the first raw material supplier 804, and the second raw material supplier 805 outside the main deposition chamber 803. Mixing unit 806 for producing a raw material gas by mixing the gasket 807 for preventing the leakage of the raw material gas between the mixing unit 806 and the main deposition chamber 803.

또한, 상기 메인증착챔버(803)의 내부를 진공 분위기로 만들기 위한 진공펌프(809)와 밸브(810)가 상기 메인증착챔버(803)에 연결되어 있다. 상기 도 10에는 두 개의 원료공급부가 도시되어 있지만, 필요에 따라 진공증착시스템(800)은 원료공급부를 더 포함할 수 있다. In addition, a vacuum pump 809 and a valve 810 for making the interior of the main deposition chamber 803 into a vacuum atmosphere are connected to the main deposition chamber 803. Although two raw material suppliers are shown in FIG. 10, the vacuum deposition system 800 may further include a raw material supplier as necessary.

상기 메인증착챔버(803)의 내부에는 상기 혼합부(806)와 연결된 분사노즐(808)이 마련된다. 상기 분사노즐(808)은 본 발명의 제1 실시예 내지 제5 실시예에 따른 분사노즐일 수 있다.An injection nozzle 808 connected to the mixing unit 806 is provided inside the main deposition chamber 803. The spray nozzle 808 may be a spray nozzle according to the first to fifth embodiments of the present invention.

상기 도 10에서, 로딩챔버(801), 메인증착챔버(803), 언로딩챔버(811)에서 기판을 이송하기 위한 기판이송장치는 생략되었으며, 상기 도 10의 진공증착시스템(800)은 'ㄷ'자 형태로 되어 있지만, 'ㅡ'자 형태로 구성하는 것도 가능하다. In FIG. 10, a substrate transfer apparatus for transferring a substrate from the loading chamber 801, the main deposition chamber 803, and the unloading chamber 811 is omitted, and the vacuum deposition system 800 of FIG. Although it is in the form of 'character', it is also possible to configure in the form of 'ㅡ'.

상기 진공증착시스템은 기판을 연속적으로 진공증착시킬 수 있기 때문에 생산성을 극대화시킬 수 있다. The vacuum deposition system can maximize the productivity because the substrate can be continuously vacuum deposited.

상기에서 설명한 본 발명에 따른 분사노즐, 진공증착장치 및 진공증착시스템은 메탈 또는 유기물등의 혼합 원료를 증발시켜 증착하는 진공증착 및 PVD(Physical Vapor Deposition) 등의 공정에 적용 가능하다. 또한, 솔라셀(solar cell)의 CdZn 박막 증착에 적용가능하며, OLED의 전극 및 형광체의 증착에 적용 가능하다. 즉, 금속 박막이나 산화물 박막을 형성하는 것뿐만 아니라 유기재료의 증착에 의한 유기 박막형성이나 복수의 유기 재료를 이용한 진공증착에 의한 저분자 유기 박막 형성에 적용 가능하다. The spray nozzle, vacuum deposition apparatus and vacuum deposition system according to the present invention described above can be applied to a process such as vacuum deposition and PVD (Physical Vapor Deposition) for evaporating and depositing a mixed raw material such as metal or organic material. In addition, it is applicable to the deposition of CdZn thin films of solar cells, and is applicable to the deposition of electrodes and phosphors of OLEDs. That is, the present invention can be applied not only to forming a metal thin film or an oxide thin film but also to forming an organic thin film by evaporation of an organic material or to forming a low molecular organic thin film by vacuum deposition using a plurality of organic materials.

본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 안되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다. The present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Accordingly, the foregoing detailed description should not be construed in a limiting sense in all respects, but should be considered as illustrative. The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

본 발명은 진공증착장치 및 진공증착시스템에 사용될 수 있다.The present invention can be used in vacuum deposition apparatus and vacuum deposition system.

100: 분사노즐 101: 제1 히터
102: 제1 가스이동관 103: 분사구멍
104: 제2 가스이동관 105: 분사구멍
106: 제3 가스이동관 107: 분사슬릿
108: 분사구멍 109: 분사갓
110: 제2 히터 111: 제1 벽부
112: 제2 벽부 113: 제3 벽부
114: 제4 벽부 115: 제1 차단부
116: 제2 차단부 200: 분사노즐
300: 분사노즐 600: 진공증착장치
610: 분사노즐 611: 제1영역
612: 제2영역 613: 제3영역
620: 혼합부 630: 제1원료공급부
631: 제1영역 632: 제2영역
640: 제2원료공급부 641: 제1영역
642: 제2영역 710: 챔버
720: 분사노즐 730: 셔터
740: 히터 800: 진공증착시스템
801: 로딩챔버 802: 게이트
803: 메인증착챔버 804: 제1원료공급부
805: 제2원료공급부 806: 혼합부
807: 개스킷 808: 분사노즐
809: 진공펌프 810: 밸브
811: 언로딩챔버 812: 게이트
S: 기판100: injection nozzle 101: the first heater
102: first gas pipe 103: injection hole
104: second gas pipe 105: injection hole
106: third gas pipe 107: injection slit
108: injection hole 109: injection shade
110: second heater 111: first wall portion
112: second wall portion 113: third wall portion
114: fourth wall portion 115: first blocking portion
116: second blocking unit 200: injection nozzle
300: spray nozzle 600: vacuum deposition apparatus
610: injection nozzle 611: first region
612: second region 613: third region
620: mixing unit 630: first raw material supply unit
631: first region 632: second region
640: second raw material supply unit 641: first region
642: second region 710: chamber
720: jet nozzle 730: shutter
740: heater 800: vacuum deposition system
801: loading chamber 802: gate
803: main deposition chamber 804: first raw material supply unit
805: second raw material supply unit 806: mixing unit
807: gasket 808: spray nozzle
809: vacuum pump 810: valve
811 unloading chamber 812 gate
S: substrate

Claims (21)

진공증착 장치에 사용되는 원료가스 분사노즐로서,
제1 히터;
상기 제1 히터를 수용하고, 일 단부가 원료가스공급부에 연결되며, 외주에 상기 원료가스공급부로부터 공급되는 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제1 분사구멍이 형성된 제1 가스이동관; 및
상기 제1 가스이동관을 수용하고, 외주에 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제2 분사구멍이 형성된 제2 가스이동관을 포함하고,
상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에는 상기 제1 분사구멍을 통해 유입된 상기 원료가스의 이동을 차단하기 위한 차단부가 형성되는
분사노즐.
Raw material gas injection nozzle used in vacuum deposition apparatus,
A first heater;
A first gas moving tube accommodating the first heater, one end of which is connected to a raw material gas supply part, and a plurality of first injection holes formed on the outer circumference of the raw material gas supplied from the raw material gas supply part; And
A second gas movement tube accommodating the first gas movement tube, the second gas movement tube having a plurality of second injection holes for injecting the raw material gas into an outer circumference;
Between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe is a blocking portion for blocking the movement of the source gas introduced through the first injection hole is formed
Spray nozzle.
제1항에 있어서,
상기 제1 가스이동관의 외주에 형성되어 상기 제2 가스이동관의 내주를 향하여 연장되되, 상기 제2 가스이동관의 내주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제1 벽부가 형성되고,
상기 제2 가스이동관의 내주에 형성되어 상기 제1 가스이동관의 외주를 향하여 연장되되, 상기 제1 가스이동관의 외주에 닿지 않는 범위로 연장되는 복수의 제2 벽부가 형성되며,
상기 제1 벽부와 상기 제2 벽부의 각각은 상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이의 공간에 하나씩 교차로 배열되는,
분사노즐.
The method of claim 1,
A plurality of first wall parts formed on an outer circumference of the first gas pipe and extending toward an inner circumference of the second gas pipe, and extending in a range not reaching the inner circumference of the second gas pipe;
A plurality of second wall parts formed on an inner circumference of the second gas pipe and extending toward an outer circumference of the first gas pipe, and extending to a range not touching the outer circumference of the first gas pipe;
Each of the first wall portion and the second wall portion are arranged alternately one by one in the space between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe.
Spray nozzle.
진공증착 장치에 사용되는 원료가스 분사노즐로서,
제1 히터;
상기 제1 히터를 수용하고, 일 단부가 원료가스공급부에 연결되며, 외주에 상기 원료가스공급부로부터 공급되는 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제1 분사구멍이 형성된 제1 가스이동관;
상기 제1 가스이동관을 수용하고, 외주에 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제2 분사구멍이 형성된 제2 가스이동관; 및
상기 제2 가스이동관을 수용하고, 외주에 상기 원료가스가 분사되기 위한 복수의 제3 분사구멍이 형성된 제3 가스이동관을 포함하고
상기 제1 분사구멍을 통해 분사된 원료가스는 상기 제1 가스이동관의 외주와 제2 가스이동관의 내주 사이의 공간으로 유입되고, 상기 제2 분사구멍을 통해 분사된 원료가스는 상기 제2 가스이동관의 외주와 상기 제3 가스이동관의 내주 사이의 공간으로 유입되는,
분사노즐.
Raw material gas injection nozzle used in vacuum deposition apparatus,
A first heater;
A first gas moving tube accommodating the first heater, one end of which is connected to a raw material gas supply part, and a plurality of first injection holes formed on the outer circumference of the raw material gas supplied from the raw material gas supply part;
A second gas movement tube accommodating the first gas movement tube and having a plurality of second injection holes formed therein for injecting the source gas into an outer circumference; And
A third gas movement tube accommodating the second gas movement tube, and having a plurality of third injection holes for injecting the source gas into an outer circumference thereof;
The source gas injected through the first injection hole is introduced into a space between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe, and the source gas injected through the second injection hole is the second gas pipe. Flows into the space between the outer periphery of the inner periphery of the third gas pipe,
Spray nozzle.
삭제delete 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 분사구멍은 상기 제1 가스이동관의 길이 방향으로 배열되어 상기 제1 가스이동관의 외주에 형성되고,
상기 제2 분사구멍은 상기 제2 가스이동관의 길이 방향으로 배열되어 상기 제2 가스이동관의 외주에 형성되는,
분사노즐.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The first injection hole is formed in the longitudinal direction of the first gas pipe, the outer periphery of the first gas pipe,
The second injection hole is formed in the outer circumference of the second gas pipe is arranged in the longitudinal direction of the second gas pipe,
Spray nozzle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 분사구멍과 상기 제2 분사구멍은 상기 제1 히터를 중심으로 서로 대향하도록 배치되는
분사노즐.
The method according to claim 1 or 2,
The first injection hole and the second injection hole are disposed to face each other with respect to the first heater.
Spray nozzle.
제3항에 있어서,
상기 제1 분사구멍과 상기 제2 분사구멍은 상기 제1 히터를 중심으로 서로 대향하도록 배치되고,
상기 제2 분사구멍과 상기 제3 분사구멍은 상기 제1 히터를 중심으로 서로 대향하도록 배치되는
분사노즐.
The method of claim 3,
The first injection hole and the second injection hole are disposed to face each other with respect to the first heater,
The second injection hole and the third injection hole are disposed to face each other with respect to the first heater.
Spray nozzle.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 차단부는 상기 제1 분사구멍에서 상기 제2 분사구멍으로 유동되는 가스의 이동경로가 최대가 되도록 상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에 형성되는
분사노즐.
The method of claim 1,
The blocking part is formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe so that the movement path of the gas flowing from the first injection hole to the second injection hole is maximum.
Spray nozzle.
제3항에 있어서,
상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에는 상기 제1 분사구멍을 통해 유입된 상기 원료가스의 이동을 차단하기 위한 제1 차단부가 형성되고,
상기 제2 가스이동관의 외주와 상기 제3 가스이동관의 내주 사이에는 상기 제2 분사구멍을 통해 유입된 상기 원료가스의 이동을 차단하기 위한 제2 차단부가 형성되는,
분사노즐.
The method of claim 3,
A first blocking portion is formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe to block the movement of the source gas introduced through the first injection hole.
Between the outer circumference of the second gas pipe and the inner circumference of the third gas pipe is formed a second blocking portion for blocking the movement of the source gas introduced through the second injection hole,
Spray nozzle.
제10항에 있어서,
상기 제1 차단부는 상기 제1 분사구멍에서 상기 제2 분사구멍으로 유동되는 상기 원료가스의 이동경로가 최대가 되도록 상기 제1 가스이동관의 외주와 상기 제2 가스이동관의 내주 사이에 형성되고,
상기 제2 차단부는 상기 제2 분사구멍에서 상기 제3 분사구멍으로 유동되는 상기 원료가스의 이동경로가 최대가 되도록 상기 제2 가스이동관의 외주와 상기 제3 가스이동관의 내주 사이에 형성되는
분사노즐.
The method of claim 10,
The first blocking portion is formed between the outer circumference of the first gas pipe and the inner circumference of the second gas pipe so that the movement path of the source gas flowing from the first injection hole to the second injection hole is maximum.
The second blocking portion is formed between the outer circumference of the second gas pipe and the inner circumference of the third gas pipe so that the movement path of the source gas flowing from the second injection hole to the third injection hole is maximum.
Spray nozzle.
제1항 내지 제3항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 히터는 상기 분사노즐의 길이 방향으로 복수개의 영역으로 분할되고, 상기 복수개의 영역은 독립적으로 온도가 제어되는
분사노즐.
The method according to any one of claims 1 to 3 and 10,
The first heater is divided into a plurality of areas in the longitudinal direction of the injection nozzle, the plurality of areas are independently temperature controlled
Spray nozzle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 가스이동관의 외주에는 상기 제2 분사구멍에서 분사된 원료가스의 이동방향을 안내하기 위한 분사갓이 형성되는
분사노즐.
The method according to claim 1 or 2,
The outer periphery of the second gas pipe is formed with a spray shade for guiding the moving direction of the source gas injected from the second injection hole
Spray nozzle.
제13항에 있어서,
상기 분사노즐은 상기 제2 가스이동관의 외주의 일부와 상기 분사갓의 둘레 중 적어도 한 곳에 위치하는 제2 히터를 포함하는
분사노즐.
The method of claim 13,
The injection nozzle includes a second heater positioned at at least one of a portion of an outer circumference of the second gas pipe and a circumference of the injection shade.
Spray nozzle.
제14항에 있어서,
상기 제2 히터는 상기 분사노즐의 길이 방향으로 복수개의 영역으로 분할되고, 상기 복수개의 영역은 독립적으로 온도가 제어되는
분사노즐.
15. The method of claim 14,
The second heater is divided into a plurality of areas in the longitudinal direction of the injection nozzle, the plurality of areas are independently temperature controlled
Spray nozzle.
제3항에 있어서,
상기 제3 가스이동관의 외주에는 상기 제3 분사구멍에서 분사된 원료가스의 이동방향을 안내하기 위한 분사갓이 형성되는
분사노즐.
The method of claim 3,
The outer periphery of the third gas pipe is formed with a spray shade for guiding the movement direction of the source gas injected from the third injection hole
Spray nozzle.
제16항에 있어서,
상기 분사노즐은
상기 제3 가스이동관의 외주의 일부와 상기 분사갓의 둘레 중 적어도 한 곳에 위치하는 제2 히터를 포함하는
분사노즐.
17. The method of claim 16,
The injection nozzle
And a second heater positioned at at least one of a portion of an outer circumference of the third gas pipe and a circumference of the jet shade.
Spray nozzle.
제17항에 있어서,
상기 제2 히터는 상기 분사노즐의 길이 방향으로 복수개의 영역으로 분할되고, 상기 복수개의 영역은 독립적으로 온도가 제어되는
분사노즐.
18. The method of claim 17,
The second heater is divided into a plurality of areas in the longitudinal direction of the injection nozzle, the plurality of areas are independently temperature controlled
Spray nozzle.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 가스이동관과 상기 제2 가스이동관은 석영(quartz)으로 이루어진
분사노즐.
The method according to claim 1 or 2,
The first gas pipe and the second gas pipe is made of quartz (quartz)
Spray nozzle.
제3항에 있어서,
상기 제1 가스이동관, 상기 제2 가스이동관 및 상기 제3 가스이동관은 석영(quartz)으로 이루어진
분사노즐.
The method of claim 3,
The first gas pipe, the second gas pipe and the third gas pipe is made of quartz (quartz)
Spray nozzle.
제1항 내지 제3항, 제7항, 제9항, 제10항, 제11항, 제16항 내지 제18항 및 제20항 중 어느 한 항의 분사 노즐을 포함하는 진공 증착 장치.Claims 1 to 3, 7, 9, 10, 11, 16 to 18 and 20, the vacuum deposition apparatus comprising the spray nozzle of any one of claims.
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