KR101260260B1 - 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법 - Google Patents

통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법

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KR101260260B1 KR1020120150537A KR20120150537A KR101260260B1 KR 101260260 B1 KR101260260 B1 KR 101260260B1 KR 1020120150537 A KR1020120150537 A KR 1020120150537A KR 20120150537 A KR20120150537 A KR 20120150537A KR 101260260 B1 KR101260260 B1 KR 101260260B1
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Abstract

본 발명은 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법에 관한 것이다.
본 발명은 통신용 알루미늄소재 커넥터에 탈지 공정, 염소 에칭 공정, 산세 공정, 활성화 공정으로 이루어지는 전처리공정과, 상기 전처리공정 후 무전해 니켈 스트라이크도금 공정, 상기 무전해 니켈 스트라이크도금 위에 무전해 니켈도금 공정으로 처리함으로써, 도금에 필요한 예비 처리 및 복잡한 전처리공정을 대폭 감소할 수 있는 효과를 제공하고, 또한 알루미늄 소재 커넥터에 전처리 후 바로 무전해 도금 처리를 함으로써, 상기 커넥터와 같이 복잡한 구조에 밀착성 향상 및 각종 도금 공정을 쉽게 할 수 있는 효과를 제공하며, 아울러 알루미늄 소재 커넥터에 무전해 도금 전에 무전해 니켈 스트라이크도금을 처리함으로써, 상기 무전해 니켈도금의 밀착성을 향상시키고, 내식성을 증가시킬 수 있는 효과를 제공하게 된다.

Description

통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법{(METHOD FOR ELECTROLESS NIKEL PLATING OF ALUMINUM CONNECTOR USING TELECOMMUNICTION}
본 발명은 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법에 관한 것으로, 상세하게는 무선통신 및 이동통신용 알루미늄 소재 커넥터에 무전해 도금을 통해 커넥터 도금공정을 대폭 간소화함은 물론 알루미늄 소재의 도금에서 발생하는 밀착성 저하를 개선하고, 얇은 도금두께로 내식성이 우수한 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법에 관한 것이다.
알루미늄은 비중 2.7g/㎤의 경금속으로 연성과 전성이 우수하기 때문에 산업부품의 경량화 적합하며, 높은 전기전도성을 소유하여 전기, 전자제품의 도체로도 많이 사용되고 있다.
현재 무선통신 및 이동통신용 커넥터의 경우, 주로 황동 소재 위에 다층 도금이나 높은 내식성 요구에 부합하는 내식성 합금 도금이 도금두께 2~10㎛ 범위 내로 실시되고 있다.
이와 같이 비교적 얇은 도금 두께로 내식성이 보장된다면, 경량화가 가능하고 소재 원가도 절감할 수 있는 알루미늄소재 커넥터 개발이 바람직하다.
그럼에도 불구하고 아직 도금 두께 및 내식성 문제 때문에 알루미늄소재 커넥터는 사용되지 않고 있는 실정이다.
한편 자동차 알루미늄 휠의 전기도금은 이미 보편적으로 사용되고 있으며, 알루미늄소재 전기도금의 대표적인 사례이지만, 상기 알루미늄 소재의 전기도금은 도 1에 도시한 바와 같이, 탈지(10), 에칭(11), 스머트(smut)제거(12), 제1 진케이트(13), 제1 진케이트 박리(14), 제2 진케이트(15), 활성화(16), 동도금(17), 니켈도금(18), 무전해 도금(19)을 행하게 된다.
그러므로 종래의 알루미늄 소재의 도금은 복잡하고도 많은 전처리 공정과, 전처리 공정 후, 도금시 발생하는 밀착성 저하를 개선하기 위해 무전해 도금 공정에 앞서, 동 도금, 니켈 도금의 복잡한 도금 공정을 실시하여야 하는 복잡한 문제점이 있는가 하면, 상기 알루미늄 도금은 복잡한 도금 공정으로 인하여 60 ~100㎛의 두꺼운 두께로 도금이 이루어지는 도금 두께를 얇게 할 수 없는 문제점을 가지게 되었다.
1. 국내특허공개번호 10-2007-5332호 2. 국내특허공개번호 10-2012-66303호
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 무선통신 및 이동통신용 알루미늄 재질 커넥터에 별도로 촉매 처리하지 않고 무전해 도금을 하여 전체적인 도금공정을 단순화하는 무전해 니켈도금 방법을 제공하는 데 있다.
상기 문제점을 해결하기 위한 다른 본 발명은 통신용 알루미늄 소재 커넥터에 밀착력이 우수하고 얇은 도금두께로 내식성이 양호한 도금층을 형성할 수 있는 무전해 니켈도금 방법을 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 수단은 알루미늄 소재 커넥터에 전처리하는 공정; 상기 전처리된 알루미늄 소재 커넥터에 무전해 니켈 스트라이크 도금을 처리하는 공정; 상기 무전해 니켈 스트라이크 도금 위에 무전해 니켈도금을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 알루미늄 소재 커넥터의 전처리 공정은 알루미늄 소재 커넥터의 탈지 공정, 염소에칭 공정, 산세 공정, 활성화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 염소에칭 공정은 염화니켈 600~650g/ℓ와 젖산 90~110㎖/ℓ로 만든 용액에 상온으로 1분~3분간 수세처리하는 것을 특징으로 한다.
상기 산세 공정은 질산 70~90%에 불산 2~5㎖/ℓ를 첨가한 수용액에서 10초~30초 산세처리하는 것을 특징으로 한다.
상기 활성화 공정은 20~30g/ℓ의 차아인산나트륨과 20~30㎖/ℓ의 수산화암모늄으로 제조된 용액에서 처리하는 것을 특징으로 한다.
상기 무전해 니켈 스트라이크 도금공정은 20~40g/ℓ의 황산니켈, 20~30g/ℓ의 차아인산나트륨, 45~70g/ℓ의 구연산암모늄, 및 안정제로서 티오요소 1~5ppm의 용액으로 80~95℃에서 1분~5분간 처리하는 것을 특징으로 한다.
상기 알루미늄 커넥터는 알루미늄 구리합금과 알루미늄 마그넷 규소 합금으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 과제 해결 수단에 따른 본 발명은 통신용 알루미늄소재 커넥터에 탈지 공정, 염소 에칭 공정, 산세 공정, 활성화 공정으로 이루어지는 전처리공정과, 상기 전처리공정 후 무전해 니켈 스트라이크도금 공정, 상기 무전해 니켈 스트라이크도금 위에 무전해 니켈도금 공정으로 처리함으로써, 도금에 필요한 예비 처리 및 복잡한 전처리공정을 대폭 감소할 수 있는 효과를 제공하게 된다.
또한 본 발명은 알루미늄 소재 커넥터에 전처리 후 바로 무전해 도금 처리를 함으로써, 상기 커넥터와 같이 복잡한 구조에 밀착성 향상 및 각종 도금 공정을 쉽게 할 수 있는 효과를 제공하게 된다.
또한 본 발명은 알루미늄 소재 커넥터에 무전해 도금 전에 무전해 니켈 스트라이크도금을 처리함으로써, 상기 무전해 니켈도금의 밀착성을 향상시키고, 내식성을 증가시킬 수 있는 효과를 제공하게 된다.
도 1은 종래 알루미늄 소재의 무전해 니켈도금 공정도.
도 2는 본 발명 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 공정도.
도 3은 본 발명 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금층의 단면도.
도 4a 내지 도 4m은 본 발명 알루미늄 판상 및 통신용 커넥터의 무전해 니켈도금층의 성분 및 도금 두께의 측정도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명 알루미늄 판상 및 통신용 커넥터의 무전해 니켈도금층의 염수 분무시험 결과 측정도이고, 도 5c는 비교예 1에 의하여 제조된 종래의 방법으로 니켈 도금된 알루미늄 소재 커넥터의 염수분무 시험결과 사진이다.
이하 첨부되는 도면에 의거 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 공정도이고, 도 3은 본 발명의 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금층의 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 알루미늄 소재 커넥터(20)에 탈지 공정(21), 염소에칭 공정(22), 산세 공정(23), 활성화 공정(24)으로 처리하는 전처리 공정; 상기 공정에서 전처리 된 알루미늄 소재 커넥터(20)에 무전해 니켈 스트라이크 도금공정(25), 상기 무전해 니켈 스트라이크 도금 위에 무전해 니켈도금 공정(28)으로 이루어지게 된다.
이와 같은 본 발명은 알루미늄 2024 소재의 판체와 커넥터(20)에 알칼리탈지(21)하고 수세한 후, 염소 에칭(22)하고 수세한 뒤, 산세(23)하고 활성화(24)하여 전처리 한 후, 무전해 니켈 스트라이크도금(Nickel Strike Plating)공정(25)하고 이어서 무전해 니켈 도금 공정(26)을 처리함으로써, 도금공정을 대폭 간소화함은 물론 알루미늄 소재의 도금에서 발생하는 밀착성 저하를 개선하여 밀착력이 우수하고, 도금공정의 도금두께에 비교하여 얇은 도금두께로 내식성이 우수한 무전해 니켈도금을 얻을 수 있게 된다.
여기서 상기 탈지 공정(21)은 알루미늄 소재의 판체와 커넥터(20)에 부착된 이물질과 기름 성분을 제거하기 위한 공정으로, 알칼리성 민코(Minco) 탈지제를 40~50g/ℓ로 55~70℃에서 2분~5분 수세 처리하게 된다.
상기 염소에칭 공정(22)은 알루미늄 소재의 판체 및 커넥터(20)에 산화 피막의 제거와 니켈 치환도금을 하기 위하여 염화니켈 600~650g/ℓ와 젖산 90~110㎖/ℓ로 만든 용액에 상온으로 1분~3분간 에칭 처리하게 된다.
상기 산세 공정(23)은 상기 염소에칭 공정(22)에서 니켈 치환도금과 알루미늄 합금성분의 용해에 의해 나타나는 스머트(smut) 등을 제거하여 깨끗한 소재를 만들어주기 위한 것으로, 질산 70~90%와 2~5㎖/ℓ의 불산을 첨가한 수용액에서 10초~30초간 수세 처리하게 된다.
상기 활성화 공정(24)은 상기 알루미늄 소재 및 커넥터의 표면에 활성화를 부여하기 위한 것으로, 20~30g/ℓ의 차아인산나트륨과 20~30㎖/ℓ의 수산화암모늄으로 제조된 용액에서 활성화 처리하게 된다.
이어서 무전해 니켈 스트라이크 도금(Electroless Nickel Strike Plating)공정(25)은 1차 베리어(barrier) 피막하는 것으로, 전처리 된 알루미늄 소재 및 커넥터(20)의 표면에 무전해 도금층의 밀착성을 유지시키고, 최종 무전해 니켈도금의 촉매 활성화를 하기 위한 것이다.
상기 무전해 니켈 스트라이크 도금 공정(25)은 20~40g/ℓ의 황산니켈과 20~30g/ℓ의 차아인산나트륨 및 45~70g/ℓ의 구연산암모늄, 그리고 안정제로서 티오요소 1~5ppm의 용액으로 80~95℃에서 1분~5분간 처리하여, 도 3에 도시한 바와 같이 전처리 된 상기 알루미늄 소재 및 커넥터(20)의 표면에 무전해 스트라이크 니켈 도금하여 10㎛ 두께의 무전해 스트라이크 도금층(251)을 형성하게 된다.
상기 무전해 니켈도금 공정(26)은 알루미늄 소재 및 커넥터(20)의 표면에 도금된 무전해 스트라이크 도금층(251)의 10㎛도금 두께를 보강하기 위한 것으로, SENNiHP-1 용액(삼원테크 제조)으로 85~95℃에서 60분간 도금하여 10㎛의 무전해 니켈 도금층(261)을 형성하게 된다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 제시한다. 다만, 하기하는 실시예는 본 발명을 더욱 잘 이해하기 위하여 제시되는 것일 뿐 본 발명이 하기하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
알루미늄 소재의 중공 판상 시편을 준비한 후, 40~50g/ℓ 민코(Minco) 탈지제로 55~70℃에서 약 3분 수세하여 탈지한 뒤에, 염화니켈 620g/ℓ와 젖산 100㎖/ℓ 용액으로 상온에서 약 2분 정도 수세하여 염소 에칭하고, 질산 80%와 4㎖/ℓ의 불산을 첨가한 수용액에서 약 20초간 산세하고 수세한 뒤에, 25g/ℓ의 차아인산나트륨과 25㎖/ℓ의 수산화암모늄 용액에서 활성화 처리하였다.
이어서 상기 활성화 처리된 시편에 20g/ℓ의 황산니켈과 30g/ℓ의 차아인산나트륨 및 55g/ℓ의 구연산암모늄, 안정제로 티오요소 3ppm의 용액으로 80~95℃에서 약 3분간 무전해 스트라이크 니켈 도금 처리한 후, SENNiHP-1 용액(삼원테크 제조)으로 85~95℃에서 60분간 무전해 도금하였다.
[실시예 2]
알루미늄 소재의 중공 판상 시편을 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 25g/ℓ의 황산니켈을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 3]
알루미늄 소재의 중공 판상 시편을 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 30g/ℓ의 황산니켈을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 4]
알루미늄 소재의 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 40g/ℓ의 황산니켈을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 5]
알루미늄 소재의 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 25g/ℓ의 차아인산나트륨을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 6]
알루미늄 소재의 통신용 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 60g/ℓ의 구연산암모늄을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 7]
알루미늄 소재의 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 65g/ℓ의 구연산암모늄을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 8]
알루미늄 소재의 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이, 탈지,에칭,산세, 활성화를 동일하게 실시한 후, 70g/ℓ의 구연산암모늄을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[실시예 9]
알루미늄 소재의 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 35g/ℓ의 황산니켈과 25g/ℓ의 차아인산나트륨을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 조건으로 무전해 도금 공정을 진행하였다.
[비교예 1]
알루미늄 소재의 커넥터를 준비한 후, 실시예 1에서와 같이 탈지,에칭,산세,활성화를 동일하게 실시한 후, 통상의 니켈 도금을 실시하였다.
도 4a 내지 도 4m은 본 발명의 알루미늄 판체 및 커넥터의 무전해 니켈도금층의 성분 및 도금두께를 측정한 측정도이다.
도 4a 내지 도 4m은 도시한 바와 같이, 무전해 니켈도금층(261)이 형성된 실시예 1,2 3의 알루미늄 판체(5번,12번,12-1번) 및 실시예 4~9의 알루미늄 커넥터(1,2,3,4,6,7번)의 표면에 도금된 무전해 니켈도금층(261)을 FE-SEM/EDS 장비로 성분 및 두께를 측정하되, 상기 실시예 1,2,3의 알루미늄 판체(5번,12번,12-1번)를 종방향으로 커팅하고, 상기 실시예 4~9의 알루미늄 커넥터(1~7번)를 횡방향으로 커팅한 후, 상기 도금층(261)의 외부(1 point)와 내부(2 point)를 각각 측정하였다.
측정 결과, 상기 실시예 1,2,3의 알루미늄 판체(5번,12번,12-1번) 및 실시예 4~9의 커넥터(1,2,3,4,6,7번)의 무전해 니켈 도금층(261)에서 인(P), 니켈(Ni)성분이 측정되고, 그 도금층(261)의 외부(1 point)와 내부(2 point)의 두께가 10㎛로 측정되었다.
도 5a 및 도 5b는 각각 본 발명의 알루미늄 판체 및 커넥터의 무전해 니켈도금층의 염수 분무시험한 결과 측정도이고, 도 5c는 비교예 1에 의하여 제조된 종래의 방법으로 니켈 도금된 알루미늄 소재 커넥터의 염수분무 시험결과 사진이다.
실시예 1,2,3,4,6의 무전해 니켈도금층(261)이 형성된 알루미늄 판체 및 커넥터(20)에 도금된 무전해 니켈도금층(261)을 소금농도 5%, 챔버온도 35℃에서 24시간 동안 침전시켜 염수 분무 시험한 결과, 도 5a 및 도 5b에서 보는 바와 같이, 니켈도금층(261)의 표면에 부식이 발생하지 않았으나, 반면에 도 5c에서 보는 바와 같이 통상의 니켈도금 방법으로 형성된 비교예 1의 알루미늄 커넥터(20)는 부식이 발생하였음을 알 수 있다.
그러므로 본 발명은 무전해 니켈 스트라이크도금(Nickel Strike Plating)공정을 도입하여 커넥터 도금공정을 대폭 간소화함은 물론, 알루미늄 소재의 도금에서 발생하는 밀착성 저하를 개선하여 밀착력이 우수하고, 10㎛ 내외의 얇은 도금두께로 내식성이 우수한 무전해 도금을 구현할 수 있게 되는 것이다.
20; 판체와 커넥터 251; 무전해 스트라이크 도금층
261; 무전해 니켈도금층

Claims (7)

  1. 알루미늄 소재 통신용 커넥터를 전처리하는 공정;
    상기 전처리 된 알루미늄 소재 통신용 커넥터의 표면을 도금 처리하는 무전해 니켈 스트라이크 도금을 처리하는 공정;
    상기 무전해 니켈 스트라이크 도금 위에 무전해 니켈도금을 처리하는 공정을 포함하며,
    상기 알루미늄 소재 커넥터의 전처리 공정은 알루미늄 소재 커넥터의 탈지 공정, 염소에칭 공정, 산세 공정, 활성화 공정을 포함하고,
    상기 염소에칭 공정은 염화니켈 600~650g/ℓ와 젖산 90~110㎖/ℓ로 만든 용액에 상온으로 1분~3분간 수세처리하는 것을 특징으로 하는 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 알루미늄 소재 통신용 커넥터를 전처리하는 공정;
    상기 전처리 된 알루미늄 소재 통신용 커넥터의 표면을 도금 처리하는 무전해 니켈 스트라이크 도금을 처리하는 공정;
    상기 무전해 니켈 스트라이크 도금 위에 무전해 니켈도금을 처리하는 공정을 포함하며,
    상기 알루미늄 소재 커넥터의 전처리 공정은 알루미늄 소재 커넥터의 탈지 공정, 염소에칭 공정, 산세 공정, 활성화 공정을 포함하고,
    상기 산세 공정은 질산 70~90%에 불산 2~5㎖/ℓ를 첨가한 수용액에서 10초~30초간 산세처리하는 것을 특징으로 하는 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법.
  5. 알루미늄 소재 통신용 커넥터를 전처리하는 공정;
    상기 전처리 된 알루미늄 소재 통신용 커넥터의 표면을 도금 처리하는 무전해 니켈 스트라이크 도금을 처리하는 공정;
    상기 무전해 니켈 스트라이크 도금 위에 무전해 니켈도금을 처리하는 공정을 포함하며,
    상기 알루미늄 소재 커넥터의 전처리 공정은 알루미늄 소재 커넥터의 탈지 공정, 염소에칭 공정, 산세 공정, 활성화 공정을 포함하고,
    상기 활성화 공정은 20~30g/ℓ의 차아인산나트륨과 20~30㎖/ℓ의 수산화암모늄으로 제조된 용액에서 처리하는 것을 특징으로 하는 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법.
  6. 제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무전해 니켈 스트라이크 도금공정은 20~40g/ℓ의 황산니켈, 20~30g/ℓ의 차아인산나트륨, 45~70g/ℓ의 구연산암모늄, 및 안정제로서 티오요소 1~5ppm의 용액으로 80~95℃에서 1분~5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법.
  7. 제 1 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 알루미늄 커넥터는 알루미늄 구리합금과 알루미늄 마그넷 규소 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 통신용 알루미늄 커넥터의 무전해 니켈도금 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100511549B1 (ko) 2003-01-17 2005-09-09 (유)해송피앤씨 알에프 커넥터의 도금 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101826783B1 (ko) 2015-11-20 2018-03-22 주식회사 넥스플러스 방열부재의 도금방법

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