KR101254797B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 제조공정 중에서 발생된 불량품을 선택적으로 리페어하도록 하여 생산수율과 제조비 절감을 할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 한정하는 게이트 배선과 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되는 영역에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 화소 영역에서 상기 박막 트랜지스터와 콘택되도록 형성된 화소 전극; 및 상기 화소 영역에 배치된 표시패턴을 포함한다.
본 발명은 선택적인 리페어 공정으로 생산수율을 높이고 제조비를 줄일 수 잇는 효과가 있다.
액정표시장치, 리페어, 화소, 패턴, 컬러필터층, 휘도

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소구조를 도시한 평면도.
도 2는 종래 기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조를 도시한 평면도.
도 4는 상기 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단한 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소구조를 도시한 평면도.
도 6은 상기도 5의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 절단한 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
101a,101b: 게이트배선 103a,103b,103c: 데이터배선
105a,105b,105c: 화소전극 110: 절연기판
112: 게이트 절연막 114: 액티브층
119: 보호막 200,300: 표시패턴
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 제조공정 중에서 발생된 불량 품을 선택적으로 리페어하도록 하여 생산수율과 제조비 절감을 할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 현대사회가 정보 사회화로 변해 감에 따라 정보표시장치의 하나인 액정표시장치 모듈의 중요성이 점차로 증가되어 가고 있다. 지금까지 가장 널리 사용되고 있는 CRT(cathode ray tube)는 성능이나 가격적인 측면에서 많은 장점이 있지만, 소형화 또는 휴대성 측면에서 많은 단점이 있다.
이와 같이 CRT의 단점을 보완하기 위해서 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력 및 저가격화를 실현할 액정표시장치가 개발되었다.
상기 액정표시장치는 표시 해상도가 다른 평판표시장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때, 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 응답 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
그리고 상기 액정표시장치는 화소전극과 TFT(Thin Film Transistor: TFT)가 형성된 TFT 기판과 R(적), G(녹), B(청) 컬러필터층이 형성된 컬러필터기판이 액정층을 사이에 두고 합착된 구조로 되어 있고, 상기 TFT 기판과 컬러필터기판은 여러번의 마스크 공정을 진행하여 제작된다.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조를 도시한 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 구동신호를 인가하는 게이트 배선(1a, 1b)과 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선(3a, 3b, 3c)이 수직으로 교차 배열되어 단위 화소 영역들을 정의하고 있다.
상기 게이트 배선(1a, 1b)과 데이터 배선(3a, 3b, 3c)이 수직으로 교차되는 영역 상에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되어 있다.
상기 단위화소 영역에는 투명금속으로 형성된 화소전극(5a, 5b, 5c)이 각각 형성되어 있는데, 상기 화소전극(5a, 5b, 5c)들은 상기 단위화소 영역에 형성된 TFT와 전기적으로 콘택되면서 일측 가장자리 일부가 인접한 게이트 배선과 오버랩되어 보조 정전용량(storage capacitance)을 형성하고 있다.
그리고 상기 게이트 배선(1a, 1b)의 가장자리 끝단에는 회로기판으로부터 구동신호를 인가받는 게이트 패드(미도시)가 형성되어 있고, 마찬가지로 상기 데이터 배선(3a, 3b, 3c)의 가장자리 끝단에는 회로기판으로부터 데이터 신호를 인가받는 데이터 패드(미도시)가 형성되어 있다.
상기와 같은 구조를 갖는 액정표시장치의 제조공정을 개략적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 투명성 절연기판 상에 금속막을 증착하고 식각하여 게이트전극, 게이트 배선(1a, 1b) 및 게이트 패드를 형성한 다음, 상기 게이트전극이 형성된 절연기판 상에 반도체층을 형성한 다음, 식각하여 상기 게이트전극 상부에 채널층과 오믹콘택층으로 구성된 액티브층을 형성한다.
그런 다음, 절연기판 상에 금속막을 증착하고 식각하여 상기 게이트 배선(1a, 1b)과 수직한 방향으로 데이터 배선(3a, 3b, 3c)을 형성한다. 이때, 상기 게이트전극 상에 형성된 채널층 상에는 소스/드레인 전극이 형성되어 TFT가 완성된다. 그런 다음, 절연기판 상에 보호막을 형성하고 콘택홀을 형성한 다음, 투명성 금속막을 증착하고 식각하여 단위화소 영역 상에 화소전극(5a, 5b, 5c)을 형성한 다.
이렇게 형성된 TFT 기판은 합착공정전에 패턴 검사 등을 진행하여 불량 화소 또는 불량 배선이 형성된 기판들을 선별한 후 리페어 공정을 진행한다. 이와 같이, TFT 검사 공정이 완료되면 컬러필터기판과 합착하고, 합착한 후 셀공정에서 액정을 주입한 다음, 점등 검사를 진행하여 불량 여부를 검사한다.
특히, TFT 기판의 리페어 공정은 불량이 발생된 화소 영역의 TFT와 화소전극을 레이저로 절단하고, 상기 화소전극과 오버랩되는 게이트 배선 영역을 용접하여 암점화하는 방식으로 이루어진다.
그러나, 이와 같은 리페어 공정에는 다음과 같은 문제가 있다. 사람의 시각에서 휘도와 가장 관련이 깊은 것은 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러중에서 녹(G) 컬러인데 이와 대응되는 화소영역을 리페어하여 암점화하면 휘도 불량으로 감지되게 된다.
도 2는 종래 기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 게이트 배선(1a, 1b)과 데이터 배선(3a, 3b, 3c)이 수직으로 교차하는 영역에 형성된 화소전극(5a, 5b, 5c)중 컬러필터기판의 녹(G) 컬러필터층과 대응되는 화소전극(5a)에 패턴불량이 발생되었다.
R, G, B 표시는 각각의 화소영역에 대응하는 컬러필터기판의 컬러필터층을 표시한 것이다.
이와 같이, TFT 기판의 리페어되는 화소 영역이 컬러필터기판에 형성된 컬러필터층중 녹(G) 컬러필터층과 대응되는 경우에는 컬러필터기판 합착후 진행하는 셀 검사 공정에서 다시 휘점 불량으로 발생된다.
즉, TFT 기판 제조공정 중에서 발생되는 불량중 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소전극의 불량은 리페어하더라도(암점화 또는 휘점화) 이후 셀점등 검사에서 휘점 불량으로 나타나 합착된 기판이 폐기된다.
특히, TFT 기판 제조단계에서는 해당하는 화소 영역이 컬러필터기판의 어느 컬러필터층과 대응하는 화소 영역인가를 알 수 없기 때문에 공정 낭비는 더욱 심각하다.
본 발명은, 액정표시장치의 TFT 기판 제조 공정중에 화소 영역에 표시패턴을 형성함으로써, 리페어 공정을 선택적으로 진행하여 생산 수율 및 공정비용을 줄일 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 액정표시장치는,
기판;
상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 한정하는 게이트 배선과 데이터 배선;
상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되는 영역에 형성된 박막 트랜지스터;
상기 화소 영역에서 상기 박막 트랜지스터와 콘택되도록 형성된 화소 전극; 및
상기 화소 영역에 배치된 표시패턴을 포함한다.
여기서, 상기 표시패턴은 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성되고, 상기 표시패턴은 상기 데이터 배선과 동일한 층에 형성되며, 상기 표시패턴은 박막트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시패턴은 화소 영역의 모서리를 따라 한개 이상 형성되고, 상기 표시패턴은 박막 트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 블랙 매트릭스 영역과 오버랩되지 않는 화소 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 액정표시장치 제조방법은,
기판을 제공하는 단계;
상기 기판 상에 게이트 전극과 화소 영역이 형성될 영역에 표시패턴을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막을 형성하는 기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음 식각하여 게이트 전극 상에 채널층과 오믹콘택층을 형성하는 단계;
상기 채널층과 오믹콘택층이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하고 식각하여 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명 금속을 증착하고 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 액정표시장치 제조방법은,
기판을 제공하는 단계;
상기 기판 상에 게이트 전극과 게이트 배선을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막을 형성하는 기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 식각하여 게이트 전극 상에 채널층과 오믹콘택층을 형성하는 단계;
상기 채널층과 오믹콘택층이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하고, 식각하여 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 화소영역 상에 표시패턴을 형성하는 단계;
상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명 금속을 증착하고 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 표시패턴은 상기 데이터 배선 물질과 동일한 물질로 형성하고, 상기 표시패턴은 화소 영역을 따라 한개 이상 형성하며, 상기 표시패턴은 컬러필터기판의 녹(G) 컬러필터층에 대응하는 화소 영역에 형성하고, 상기 표시패턴은 박막 트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 블랙 매트릭스 영역과 오버랩되지 않는 화소 영역에 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 액정표시장치의 TFT 기판 제조 공정중에 화소 영역에 표시패턴을 형성함으로써, 리페어 공정을 선택적으로 진행하여 생산 수율 및 공정비용을 줄일 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치의 구조를 도시한 평면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 구동신호를 인가하는 게이트 배선(101a, 101b)과 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선(103a, 103b, 103c)이 수직으로 교차 배열되어 단위화소 영역들을 정의하고 있다.
상기 게이트 배선(101a, 101b)과 데이터 배선(103a, 103b, 103c)이 수직으로 교차되는 영역 상에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되어 있다.
상기 단위화소 영역에는 투명금속으로 형성된 화소전극(105a, 105b, 105c)이 각각 형성되어 있는데, 상기 화소전극(105a, 105b, 105c)들은 상기 단위화소 영역에 형성된 TFT와 전기적으로 콘택되면서 일측 가장자리 일부가 인접한 게이트 배선과 오버랩되어 보조 정전용량(storage capacitance)을 형성하고 있다.
또한, 본 발명에서는 컬러필터기판의 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러필터층과 대응하는 화소 영역중, 녹(G) 컬러필터층에 대응하는 화소 영역에는 표시패턴(200)이 형성되어 있다.
상기 표시패턴(200)은 게이트 배선(101a, 101b)과 게이트 전극 형성공정중에 동시에 형성되고 물질은 상기 게이트 배선(101a, 101b)과 동일한 물질로 형성된다.
그리고 상기 게이트 배선(101a, 101b, 101c)의 가장자리 끝단에는 회로기판으로부터 구동신호를 인가받는 게이트 패드(미도시)가 형성되어 있고, 마찬가지로 상기 데이터 배선(103a, 103b, 103c)의 가장자리 끝단에는 회로기판으로부터 데이터 신호를 인가받는 데이터 패드(미도시)가 형성되어 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 리페어 공정을 진행하더라도 셀검사 공정에서 휘점 불량이 발생되는 화소 영역에 표시패턴(200)을 형성해 둠으로써, 상기 표시패턴(200)이 형성된 화소 영역에 불량이 발생된 경우에는 리페어 공정을 진행하지 않는다.
즉, 녹(G) 컬러필터층에 대응하는 화소영역은 리페어하더라도 이후 공정에서 불량으로 검출되기 때문에 리페어 하지 않고 표시패턴(200)이 없는 영역에서 발생된 불량만을 리페어한다.
이로써, 불필요한 리페어 공정 진행을 줄이고 생산 수율을 향상시킨 효과가 있다.
도 4는 상기 도 3의 Ⅰ-Ⅰ'선을 절단한 단면도로서, 도 4에 도시한 바와 같이, 투명성 절연기판(110) 상에 금속막을 증착하고 식각하여 게이트전극(111), 게이트 배선(도 3의 101a, 101b) 및 게이트 패드(미도시)를 형성한다.
이때, 컬러필터기판과 합착될 때, 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소 형성 영역에 표시패턴(200)을 형성하는데, 상기 표시패턴(200)은 화소 영역의 투과율을 저해하지 않는 크기로 블랙 매트릭스와 오버랩되지 않는 화소영역에 형성한다.
도 3과 도 4에서는 박막 트랜지스터 또는 데이터 배선(도 3의 103a)과 인접한 영역에 형성하였지만, 경우에 따라서 화소 영역의 네 모서리 영역을 따라 한개 이상의 표시패턴을 형성할 수 있을 것이다. 본 발명의 표시패턴(200)은 도면에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 데이터 배선과 각각 인접하도록 사각형 형태의 패턴을 형성하였다.
상기 게이트 전극(111)이 형성된 절연기판(110) 상에 게이트 절연막(112)을 형성하고, 계속해서 비정질 실리콘과 도핑된 비정질 실리콘으로 구성된 반도체층을 형성하고, 이를 식각하여 채널층과 오믹콘택층으로 구성된 액티브층(114)을 형성한다.
상기와 같이 액티브층(114)이 절연기판(110) 상에 형성되면, 금속막을 증착하고 식각하여, 소스/드레인 전극(116a, 116b) 및 데이터 배선(103a)을 형성한다.
이와 같이, 소스/드레인 전극(116a, 116b)이 형성되면, 절연기판(110) 상에 보호막(119)을 형성한 다음, 콘택홀을 형성한다. 그런 다음, 절연기판(110) 상에 투명 금속을 증착하고 식각하여 화소전극(105a)을 형성한다.
이와 같이, 본 발명에서는 리페어 공정을 선택할 수 있는 표시패턴(200)을 게이트 전극 형성공정에서 형성하기 때문에 추가적인 공정없이 표시패턴(200)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소구조를 도시한 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이,게이트 배선(101a, 101b)과 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선(103a, 103b, 103c)이 교차 배열되어 단위화소 영역들을 정의하고 있다.
상기 게이트 배선(101a, 101b)과 데이터 배선(103a, 103b, 103c)이 수직으로 교차되는 영역 상에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)와 화소전극(105a, 105b, 105c)이 각각 형성되어 있는데, 컬러필터기판의 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러필터층과 대응하는 화소 영역중, 녹(G) 컬러필터층에 대응하는 화소 영역에는 표시패턴(300)이 형성되어 있다.
상기 표시패턴(300)은 데이터 배선(103a, 103b, 103c) 형성 공정중에 동시에 형성하고, 상기 표시패턴(300)의 물질은 상기 데이터 배선(103a, 103b, 103c)과 동일한 금속으로 형성한다.
그리고 상기 게이트 배선(101a, 101b, 101c)의 가장자리 끝단에는 회로기판으로부터 구동신호를 인가받는 게이트 패드(미도시)가 형성되어 있고, 마찬가지로 상기 데이터 배선(103a, 103b, 103c)의 가장자리 끝단에는 회로기판으로부터 데이터 신호를 인가받는 데이터 패드(미도시)가 형성되어 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 리페어 공정을 진행하더라도 셀검사 공정에서 휘점 불량이 발생되는 화소 영역에 표시패턴(300)을 형성해 둠으로써, 상기 표시패턴(300)이 형성된 화소 영역에 불량이 발생된 경우에는 리페어 공정을 진행하지 않는다.
이로써, 불필요한 리페어 공정 진행을 줄이고 생산 수율을 향상시킨 효과가 있다.
도 6은 상기도 5의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 절단한 단면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 투명성 절연기판(110) 상에 금속막을 증착하고 식각하여 게이트전극(111), 게이트 배선(도 3의 101a, 101b) 및 게이트 패드를 형성한다.
상기 게이트 전극(111)이 형성된 절연기판(110) 상에 게이트 절연막(112)을 형성하고, 계속해서 비정질 실리콘과 도핑된 비정질 실리콘으로 구성된 반도체층을 형성하고, 이를 식각하여 채널층과 오믹콘택층으로 구성된 액티브층(114)을 형성한다.
상기와 같이 액티브층(114)이 절연기판(110) 상에 형성되면, 금속막을 증착하고 식각하여, 소스/드레인 전극(116a, 116b), 데이터 배선(103a)을 형성한다.
이때, 컬러필터기판과 합착될 때, 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소 형성 영역에 표시패턴(300)을 형성하는데, 상기 표시패턴(300)은 화소 영역의 투과율을 저해하지 않는 크기로 블랙 매트릭스와 오버랩되지 않는 영역에 형성한다.
도 5과 도 6에서는 박막 트랜지스터 또는 데이터 배선(도 5의 103a)과 인접한 영역에 형성하였지만, 경우에 따라서 화소 영역의 네 모서리 영역을 따라 한개 이상의 표시패턴을 형성할 수 있을 것이다.
이와 같이, 소스/드레인 전극(116a, 116b)이 형성되면, 절연기판(110) 상에 보호막(119)을 형성한 다음, 콘택홀을 형성한다. 그런 다음, 절연기판(110) 상에 투명 금속을 증착하고 식각하여 화소전극(105a)을 형성한다.
이와 같이, 본 발명에서는 리페어 공정을 선택할 수 있는 표시패턴(300)을 게이트 전극 형성공정에서 형성하기 때문에 추가적인 공정없이 표시패턴(300)을 형성할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 액정표시장치의 TFT 기판 제조 공정중에 화소 영역에 표시패턴을 형성함으로써, 리페어 공정을 선택적으로 진행하여 생산 수율 및 공정비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 표시패턴을 TFT 공정중에 동시에 형성하기 때문에 추가 공정은 소요되지 않는 이점이 있다.
또한, 표시패턴을 다양한 형태와 위치에 형성할 수 있는 이점이 있다.

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 교차 배열되어 화소 영역을 한정하는 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되는 영역에 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 화소 영역에서 상기 박막 트랜지스터와 콘택되도록 형성된 화소 전극; 및
    상기 화소 영역에 배치된 표시패턴을 포함하고,
    상기 표시패턴은 박막트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소 영역에만 형성되고,
    상기 표시패턴은 화소 전극 아래에 배치되며, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 데이터 배선과 인접한 영역에 사각형 패턴 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 표시패턴은 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 표시패턴은 상기 데이터 배선과 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 표시패턴은 화소 영역의 모서리를 따라 한개 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 표시패턴은 박막 트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 블랙 매트릭스 영역과 오버랩되지 않는 화소 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 게이트 전극과 화소 영역이 형성될 영역에 표시패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막을 형성하는 기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음 식각하여 게이트 전극 상에 채널층과 오믹콘택층을 형성하는 단계;
    상기 채널층과 오믹콘택층이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하고 식각하여 상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널층 및 오믹콘택층과 함께 박막 트랜지스터를 이루는 소스/드레인 전극을 형성하고, 동시에 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명 금속을 증착하고 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 표시패턴은 컬러필터기판의 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소 영역에만 형성되고,
    상기 표시패턴은 상기 게이트 전극 물질과 동일한 물질로 형성되며, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 데이터 배선과 인접한 영역에 사각형 패턴 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 표시패턴은 화소 영역을 따라 한개 이상 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 표시패턴은 박막 트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 블랙 매트릭스 영역과 오버랩되지 않는 화소 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  12. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 게이트 전극과 게이트 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막을 형성하는 기판 상에 비정질 실리콘, 도핑된 비정질 실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 식각하여 게이트 전극 상에 채널층과 오믹콘택층을 형성하는 단계;
    상기 채널층과 오믹콘택층이 형성된 기판 상에 금속막을 형성하고, 식각하여 상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널층 및 오믹콘택층과 함께 박막 트랜지스터를 이루는 소스/드레인 전극을 형성하고, 동시에 데이터 배선 및 화소 영역 상에 표시패턴을 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명 금속을 증착하고 식각하여 화소전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 표시패턴은 컬러필터기판의 녹(G) 컬러필터층에 대응되는 화소 영역에만 형성되고,
    상기 표시패턴은 상기 데이터 배선 물질과 동일한 물질로 형성되며, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 데이터 배선과 인접한 영역에 사각형 패턴 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  13. 삭제
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 표시패턴은 화소 영역을 따라 한개 이상 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
  15. 삭제
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 표시패턴은 박막 트랜지스터 기판과 합착되는 컬러필터기판의 블랙 매트릭스 영역과 오버랩되지 않는 화소 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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