KR101251802B1 - 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents

메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101251802B1
KR101251802B1 KR1020110074737A KR20110074737A KR101251802B1 KR 101251802 B1 KR101251802 B1 KR 101251802B1 KR 1020110074737 A KR1020110074737 A KR 1020110074737A KR 20110074737 A KR20110074737 A KR 20110074737A KR 101251802 B1 KR101251802 B1 KR 101251802B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
metal layer
circuit board
printed circuit
memory card
Prior art date
Application number
KR1020110074737A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130013216A (ko
Inventor
조윤경
김애림
박창화
엄새란
임설희
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110074737A priority Critical patent/KR101251802B1/ko
Publication of KR20130013216A publication Critical patent/KR20130013216A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101251802B1 publication Critical patent/KR101251802B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183—Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452—Solder masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판은, 메모리 카드용 인쇄회로기판에 있어서, 절연층; 상기 절연층의 제 1 면에 형성되고, 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 실장부; 및 상기 절연층의 제 2 면에 형성되며, 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 단자부를 포함하며, 상기 실장부 및 단자부의 표면에는 동일한 금속층이 형성되어 있다.

Description

메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법{The printed circuit board and the method for manufacturing the same}
본 발명은 메모리 카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
메모리 카드는 컴퓨터, PDA, 디지털 카메라, 캠코더 등 다양한 전자 기기에 저장장치로 사용된다.
도 1은 종래의 메모리 카드의 일면을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 메모리 카드(10)는 메모리 카드용 인쇄회로기판 위에 메모리 소자를 포함하는 반도체 소자가 실장되고, 상기 실장된 반도체 소자는 수지 몰딩부에 의해 차폐된다. 그리고, 상기 메모리 카드의 일면에는 단자부(11)가 형성되어 상기 메모리 카드(10)가 사용되는 전자기기와 전기적으로 연결되는 커넥터 기능을 제공한다.
한편, 상기 단자부(11)는 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 커넥터 기능을 하는 것으로, 상기 단자부(11)에 스크래치나 찍힘 등의 불량이 발생하는 경우 메모리 카드(10)의 수율에 큰 영향을 미치게 된다.
도 2a 내지 2h는 종래의 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법을 공정 순으로 도시한 단면도이다.
도 2a 참조하면, 종래 기술에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판은 절연층(30)을 중심으로, 절연층(30)의 하면에는 단자부(31)가 형성되고, 상기 절연층(30)의 상면에는 실장부(32)가 형성된다. 비록 도시하지는 않았지만, 상기 단자부(31)와 실장부(32)는 도전 물질이 매립된 비아홀을 통해 상호 전기적으로 연결되어 회로를 구성할 수도 있다.
이때, 상기 단자부(31)는 상기 절연층(30) 상면에 형성된 실장부(32)와 외부의 전자기기가 전기적으로 연결되도록 하는 커넥터 기능을 제공하고, 상기 실장부(32)는 회로를 구성하거나, 저항 및 커패시터 등을 실장하거나 메모리 소자와 전기적인 연결을 위한 메탈 패드의 기능을 제공한다.
그리고, 상기 절연층(30)의 상측 및 하측에 상기 단자부(31)와 실장부(32)의 일부분이 노출되도록 포토 솔더 레지스트(33)(PSR)이 형성된다.
도 2b을 참조하면, 상기 절연층(30)의 상측 및 하측에 각각 제1 감광성 드라이 필름(34)을 형성하고 노광 및 현상 공정을 수행하여 상기 메탈 패드의 기능을 제공하는 실장부(32)가 노출되도록 한다.
도 2c를 참조하면, 상기 메탈 패드의 기능을 제공하는 실장부(32) 상에 소프트 골드층(35)을 도금하여 형성한다. 상기 소프트 골드층(35)은 골드 와이어 본딩이 가능하고 남땜성이 양호한 장점을 갖는다.
그리고, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 제1 감광성 드라이필름(34)을 제거한다.
도 2e를 참조하면, 상기 절연층(30)의 상측 및 하측에 각각 제2 감광성 드라이필름(36)을 형성하고 노광 및 현상 공정을 수행하여 상기 커넥터 기능을 제공하는 단자부(31)가 노출되도록 한다.
도 2f을 참조하면, 상기 커넥터 기능을 제공하는 단자부(31) 상에 하드 골드층(37)을 도금하여 형성한다.
상기 하드 골드층(37)은 표면 강도가 높고 부식이 강하기 때문에, 메모리 카드의 커넥터와 같이 다른 전자기기와 자주 탈착되는 부분에 도금된다.
도 2g을 참조하면, 상기 제 2 감광성 드라이 필름(36)을 제거한다. 상기 제 2 감광성 드라이 필름(36)을 제거하기 이전에 상기 하드 골드층(37)이 손상되는 것을 방지하기 위해 보호층(도시하지 않음)을 추가적으로 형성할 수도 있다.
상기와 같은 공정을 수행하면, 메모리 카드용 인쇄회로기판이 제조될 수 있으며, 상기 인쇄회로기판이 제조되면, 메모리 반도체 칩 및 메모리 컨트롤러가 부착되어 메모리 카드로 제작될 수 있다.
즉, 도 2h에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(30) 상측의 포토 솔더 레지스트(33) 상에 메모리 소자(40)를 실장하고, 상기 메모리 소자(40)를 상기 소프트 골드층(35)과 와이어(39)를 통해 전기적으로 연결한다. 예를 들어 상기 메모리(40)는 메모리 칩 및 메모리 컨트롤로가 될 수도 있다.
그리고, 상기 메모리 소자(40), 소프트 골드층(35)을 포함하는 상기 절연층(30)의 상측에 몰딩 부재(41)를 형성한다. 상기 몰딩 부재(41)는 EMC(Epoxy Molding Compound)라 불리는 에폭시 몰딩으로 형성되어 상기 메모리 소자(40)를 포함하는 회로 구성 부품들을 외부 충격이나 외부 환경으로부터 보호한다.
그러나, 상기 설명한 바와 같은 종래 기술에 따른 메모리 기판용 인쇄회로기판의 제조 공정에 따르면, 추가적인 단자부(31)와 실장부(32)에 요구되는 특성이 각각 달라, 상기 단자부(31)와 실장부(32)에 서로 다른 금 도금 단계를 수행해야 하며, 이에 따라 별도의 노광 및 현상, 그리고 드라이 필름의 박리 단계와 같은 다수의 공정이 포함되어야 하므로, 경제성 및 생산성에 악영향을 주고 있는 실정이다.
본 실시 예에서는, 새로운 구조의 메모리 기판용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하도록 한다.
또한, 본 실시 예에서는, 새로운 구조의 메모리 기판을 제공하도록 한다.
또한, 본 실시 예에서는 메모리 기판용 인쇄회로기판의 실장부 및 단자부에 각각 요구되는 물성을 동시에 부여할 수 있는 신규 표면 처리 방법 및 이를 통해 제조된 메모리 기판용 인쇄회로기판을 제공하도록 한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판은, 메모리 카드용 인쇄회로기판에 있어서, 절연층; 상기 절연층의 제 1 면에 형성되고, 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 실장부; 및 상기 절연층의 제 2 면에 형성되며, 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 단자부를 포함하며, 상기 실장부 및 단자부의 표면에는 동일한 금속층이 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드는, 절연층을 포함하는 인쇄회로기판과, 상기 인쇄회로기판의 제 1면의 일정 영역에 실장되는 메모리 소자와, 상기 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 제 1 패턴을 포함하고, 상기 인쇄회로기판의 제 2면에 형성되어 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 제 2 패턴을 포함하는 인쇄회로기판을 포함하는 메모리 카드에 있어서, 상기 제 1 패턴의 표면에는 금속 물질을 도금하여 형성된 적어도 하나의 금속층을 포함하며, 상기 제 2 패턴의 표면에는 상기 제 1 패턴의 표면에 형성된 금속층과 동일한 금속층이 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법은, 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서, 상면 및 하면에 금속 박막이 형성된 절연층을 준비하는 단계; 상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 금속 박막을 선택적으로 제거하여 상기 절연층의 상면에 실장부 및 상기 절연층의 하면에 단자부를 형성하는 단계; 상기 절연층의 상면 및 하면에 상기 실장부 및 단자부의 표면을 노출하는 포토 솔더 레지스트를 선택적으로 형성하는 단계; 및 상기 노출된 실장부 및 단자부의 표면에 동일한 금속 물질을 도금하여 표면 처리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 실시 예에 의하면, 금 도금층의 두께를 줄이면서 경도 및 와이어 본딩성을 동시에 만족시키는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 표면 처리 공법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따라 금 도금층의 두께를 줄일 경우, 표면 처리에 들어가는 금 두께가 감소하면서도 경도 및 와이어 본딩성을 동시에 만족시키는 도금층을 확보할 수 있어 일반 인쇄회로기판 제품뿐만 아니라, 다양한 기판에 적용이 가능하다.
또한, 본 발명의 실시 예에 나타난 도금층을 메모리 카드 분야에 적용할 경우, 단자부와 패드부의 도금 공정을 각각 별도로 행하지 않고, 한번에 진행할 수 있어, 인쇄회로기판의 제조 공정을 단순화시켜 공정 비용을 절감할 수 있고, 금 두께 감소에 따라 재료비를 절감할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 메모리 카드를 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2h는 종래 기술에 따른 메모리 카드 및 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 카드 및 메모리 카드용 인쇄회로기판을 도시한 도면이다.
도 4 내지 11은 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드 및 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법을 공정 순으로 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판을 도시한 도면이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 3를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 메모리 카드 및 메모리 카드용인쇄회로기판(100)은 절연층(110), 상기 절연층(110)의 상면에 형성된 실장부(120), 상기 절연층(110)의 하면에 형성된 단자부(130), 상기 절연층(110) 상에 형성된 보호층(140), 상기 실장부(120) 및 단자부(130) 위에 각각 형성된 제 1 금속층(150), 상기 제 1 금속층(150) 위에 형성된 제 2 금속층(160) 및 상기 제 2 금속층(160) 위에 형성된 제 3 금속층(170)을 포함한다.
절연층(110)은 단일 회로 패턴이 형성되는 인쇄회로기판의 지지 기판일 수 있으나, 복수의 적층 구조를 가지는 인쇄회로기판 중 한 회로 패턴(도시하지 않음)이 형성되어 있는 절연층 영역을 의미할 수도 있다.
상기 절연층(110)은 열경화성 또는 열가소성 고분자 기판, 세라믹 기판, 유-무기 복합 소재 기판, 또는 글라스 섬유 함침 기판일 수 있으며, 고분자 수지를 포함하는 경우, 에폭시계 절연 수지를 포함할 수 있으며, 이와 달리 폴리이미드계 수지를 포함할 수도 있다.
상기 절연층(110)의 상면에는 실장부(120)가 형성되어 있고, 상기 절연층(110)의 하면에는 단자부(130)가 형성되어 있다.
이때, 도면상에는 상기 실장부(120) 및 단자부(130)가 절연층(110)의 상면 및 하면에 각각 형성된다고 도시하였지만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 상기 실장부(120)와 단자부(130)가 절연층(110)의 한 면에 모두 형성될 수 있을 것이다.
예를 들어, 상기 실장부(120)는 절연층(110)의 상면 및 하면 중 어느 한 영역에만 형성될 수 있고, 상기 절연층(110)의 상하면 모두에 형성될 수도 있을 것이다. 또한, 단자부(130)도 상기 실장부(120)와 마찬가지로 절연층(110)의 상면 및 하면 중 어느 한 영역에 또는 두 영역에 모두 형성될 수 있을 것이다. 또한, 도면에서와 같이 상기 실장부(120)는 상기 절연층(110)의 상면에 형성되고, 상기 단자부(130)는 상기 절연층(110)의 하면에 각각 형성될 수도 있을 것이다.
상기 실장부(120) 및 단자부(130)는 전도성 물질로 형성되며, 상기 절연층(110)의 상면 및 하면에 구비된 금속 박막을 선택적으로 제거하여 형성될 수 있다.
따라서, 상기 실장부(120) 및 단자부(130)는 구리를 포함하는 합금으로 형성되며, 표면에 조도가 형성될 수 있다.
이때, 상기 실장부(120)는 부품 실장을 위해 형성되며, 상기 단자부(130)는 외부 디바이스와 전기적으로 연결하기 위해 형성된다.
즉, 상기 단자부(130)는 상기 절연층(110) 상면에 형성된 실장부(120)와 외부의 전자기기가 전기적으로 연결되도록 하는 커넥터 기능을 제공하고, 상기 실장부(120)는 회로를 구성하거나, 저항 및 커패시터 등을 실장하거나 메모리 소자와 전기적인 연결을 위한 메탈 패드의 기능을 제공한다.
상기 절연층(110)의 상측 및 하측에는 상기 실장부(120)와 단자부(130)의 일부분이 노출되도록 포토 솔더 레지스트(140)(PSR: Photo-imagable solder resist)가 형성된다.
상기 포토 솔더 레지스트(140)는 상기 절연층(110)의 하면 및 상기 단자부(130)의 일부에 도포되고, 상기 절연층(110)의 상면 및 회로를 구성하는 실장부(120)에 도포된다. 이때, 상기 메탈 패드의 기능을 제공하는 실장부(120)에는 상기 포토 솔더 레지스트(140)가 도포되지 않을 수 있다.
상기 실장부(120) 및 단자부(130) 위에는 동일한 금속층이 형성되어 있다.
이때, 상기 실장부(120)와 단자부(130)의 표면은 상기와 같은 기능에 따라 요구되는 특성도 상이하다.
상기 실장부(120)은 상기 소자의 실장을 위해 일정 수준 이상의 와이어 본딩성을 가져야 하며, 상기 단자부(130)는 일정 수준 이상의 경도를 만족해야 한다. 즉, 상기 단자부(130)는 외부로 노출되는 부분이기 때문에 광택성 및 충분한 내마모성을 가져야 한다.
이에 따라, 도 2a 내지 2h에 도시된 바와 같이 종래에는 상기 실장부(120)와 단자부(130) 각각에 서로 다른 표면 처리를 적용하였다.
그러나, 본 발명에서는 상기 실장부(120)와 단자부(130)에 동일한 표면 처리를 적용하여, 상기 실장부(120)가 가져야 하는 와이어 본딩성과, 상기 단자부(130)가 가져야 하는 광택성 및 내마모성을 모두 만족할 수 있도록 한다. 이에 따라, 종래에는 복수의 도금 공정을 상기 절연층(110)을 중심으로 상면 및 하면에 각각 실시해야 했지만, 본 발명에서는 한 번에 상기 절연층(110)의 상면 및 하면에 동일한 층을 형성한다.
이를 위해, 상기 실장부(120)와 단자부(130) 위에는 제 1 금속층(150)이 형성되어 있다.
상기 제 1 금속층(150)은 니켈을 포함하는 니켈 합금층이다. 이때, 상기 제 1 금속층(150)의 표면에는 조도가 부여될 수 있다.
상기 제 1 금속층(150)은 니켈을 포함하는 합금으로 형성되는데, 상기 제 1 금속층(150)은 순수 니켈만을 포함하는 니켈층일 수도 있으며, 이와 다르게 다른 금속을 포함하는 니켈 합금층일 수도 있다.
상기 제 1 금속층(150)은 5~8㎛을 만족하는 두께로 상기 실장부(120)와 단자부(130)의 상면에 각각 형성될 수 있다.
이때, 도면상에는 상기 제 1 금속층(150)이 실장부(120)의 상면 및 측면을 모두 감싸며 형성되고, 상기 단자부(130)의 상면에만 형성된다고 도시하였지만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 실시 예에 따라 변경될 수도 있을 것이다.
상기 제 1 금속층(150) 위에는 제 2 금속층(160)이 형성되어 있다.
상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐 합금층이다.
이때, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.5㎛를 만족하는 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 보다 더 바람직하게는, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.1㎛를 만족하는 두께로 형성된다.
상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐-니켈을 포함하는 금속 물질로 형성된 팔라듐 합금층이다.
다른 실시 예로, 상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐 -코발트, 팔라듐-아연 및 팔라듐-무기물 중 어느 하나로 형성된 팔라듐 합금층이다.
상기 제 2 금속층(160)은 일정 수준 이상의 경도를 만족하기 위하여, 팔라듐-니켈 합금으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제 2 금속층(160)이 팔라듐-니켈 합금으로 형성되는 경우, 상기 팔라듐과 니켈의 비율은 85:15~75:25를 만족하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 이때, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.5㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 상기 제 2 금속층(160)이 팔라듐-니켈 합금층이면, 상기 제 2 금속층(160)은 상기 니켈이 15~25 중량%, 팔라듐이 75~85 중량%로 구성된 도금액으로 0.01~0.5㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐 -코발트, 팔라듐-아연 및 팔라듐-무기물 중 어느 하나의 팔라듐 합금층일 수도 있다.
이때, 상기 제 2 금속층(160)이 팔라듐 -코발트, 팔라듐-아연 및 팔라듐-무기물을 포함하는 합금으로 형성된 경우, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.1㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성될 수 있으며, 상기 코발트, 아연 및 무기물 중 어느 하나의 금속 물질의 함량은 전체 중량 대비 0.1~20%로 구성될 수 있다.
상기 제 2 금속층(160) 위에는 금을 포함하는 금속 물질을 도금한 제 3 금속층(170)이 형성된다.
구체적으로 살펴보면, 상기 제 2 금속층(160) 위에는 순수 금, 금-은 합금, 금-코발트 합금, 금-팔라듐 합금, 금-구리 합금, 금-아연 합금 및 금-무기물 합금 중 어느 하나의 금속 물질을 도금한 제 3 금속층(170)이 형성된다.
또한, 상기 제 3 금속층(170)이 금을 포함하는 합금으로 형성되는 경우, 상기 제 3 금속층(170) 형성을 위해 사용되는 도금액은 80~99.9 중량 %의 금과, 0.1~20 중량%의 은, 코발트, 팔라듐, 구리, 아연 및 무기물 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
이때, 상기 제 3 금속층(170)은 0.01~0.6㎛를 만족하는 두께로 형성된다. 보다 바람직하게는, 제 3 금속층(170)은 0.01~0.1㎛를 만족하는 두께로 형성된다.
이때, 상기와 같은 금속층들을 형성하기 위한 도금액은 포토 솔더 레지스트 및 드라이 필름의 용출로 인한 도금액 및 기판의 손상을 막기 위해 산성~중성 타입을 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 메모리 카드용 인쇄회로기판은 금 도금층의 두께를 줄이면서 경도 및 와이어 본딩성을 동시에 만족시키는 표면 처리 공법을 제공할 수 있다.
또한, 상기 금 도금층의 두께를 줄일 경우, 표면 처리에 들어가는 금 두께가 감소하면서도 경도 및 와이어 본딩성을 동시에 만족시키는 도금층을 확보할 수 있어 일반 인쇄회로기판 제품뿐만 아니라, 메모리 카드용 접촉 단자 등 다양한 기판에 적용이 가능하다.
또한, 상기와 같은 도금층을 메모리 카드 분야에 적용할 경우, 단자부와 실장부의 도금 공정을 각각 별도로 행하지 않고, 한번에 진행할 수 있어, 인쇄회로기판의 제조 공정을 단순화시켜 공정 비용을 절감할 수 있고, 금 두께 감소에 따라 재료비를 절감할 수 있다.
이하, 도 4 내지 11을 참조하여, 도 3의 메모리 기판 및 메모리 기판용 인쇄회로기판의 제조 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 도 4를 참조하면, 절연층(110)의 상면에는 실장부(120)가 형성되고, 절연층(110)의 하면에는 단자부(130)를 형성시킨다. 또한 비록 도시하지는 않았지만, 상기 실장부(120)과 단자부(130)는 도전물질이 매립된 비아홀을 통해 상호 전기적으로 연결되어 회로를 구성할 수도 있다.
상기 절연층(110)은 절연성질을 가지는 물질로 만들어지고, 상기 실장부 및 단자부(120,130)는 상기 절연층(110)의 상면 및 하면에 구비된 금속 박막을 선택적으로 제거하여 형성될 수도 있다.
이를 위해, 절연층(110)을 준비하고, 상기 절연층(110) 위에 도전층(도시하지 않음)을 적층한다. 이때, 상기 절연층(110)과 도전층의 적층 구조는 통상적인 CCL(Copper Clad Laminate)일 수 있다. 또한, 상기 도전층은 상기 절연층(110) 위에 비전해 도금을 하여 형성할 수 있으며, 상기 도전층이 비전해 도금하여 형성되는 경우, 상기 절연층(110)의 상면에 조도를 부여하여 도금이 원활히 수행되도록 할 수 있다.
이때, 상기 절연층(110)의 하면에 형성된 단자부(130)는 상기 절연층(110) 상면에 형성된 실장부(120)와 외부의 전자기기가 전기적으로 연결되도록 하는 커넥터 기능을 제공하고, 상기 실장부(120)는 단지 회로를 구성하거나, 저항 및 커패시터 등을 실장하거나, 메모리 소자와 전기적인 연결을 위한 메탈 패드의 기능을 제공한다.
그리고, 상기 절연층(110)의 상측 및 하측에 상기 실장부(120) 및 단자부(130)의 일부분이 노출되도록 포토 솔더 레지스트(140)(PSR: Photo-imagable solder resist)가 형성된다.
상기 포토 솔더 레지스트(140)는 상기 절연층(110)의 하면 및 단자부(130)의 일부에 도포되고, 상기 절연층(110)의 상면 및 회로를 구성하는 실장부(120)에 도포된다. 이때, 상기 메탈 패드의 기능을 제공하는 실장부(120)에는 상기 포토 솔더 레지스트(140)가 도포되지 않을 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면 상기 절연층(110)의 상측 및 하측에 각각 감광성 드라이필름(145)을 형성하고 노광 및 현상 공정을 수행하여 상기 메탈 패드의 기능을 제공하는 실장부(120)와, 상기 외부기기와 접속하는 단자부(130)가 노출되도록 한다.
즉, 상기 감광성 드라이 필름(145)은 상기 절연층(110)의 상면 및 하면에 모두 형성되고, 상기 실장부(120)와 단자부(130)의 일부를 모두 노출하도록 형성된다.
다음으로, 도 6을 참조하면 상기 메탈 패드의 기능을 제공하는 실장부(120)와, 상기 단자부(130) 상에 제 1 금속층(150)을 도금하여 형성한다.
상기 제 1 금속층(150)은 상기 단자부(130) 및 실장부(120) 위에 니켈을 포함하는 도금액을 도금하여 형성된다.
이때, 상기 제 1 금속층(150) 형성을 위해 사용되는 도금액은 순수 니켈만을 포함할 수 있으며, 상기 니켈뿐만 아니라 다른 금속물질을 더 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 제 1 금속층(150)은 니켈층일 수 있으며, 이와 다르게 니켈 합금층일 수도 있다.
또한, 상기 실장부(120) 및 단자부(130)의 표면에는 조도가 부여되어 상기 제 1 금속층(150)의 형성이 용이하게 이루어질 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 금속층(150)은 5~8㎛을 만족하는 두께로 상기 실장부(120)와 단자부(130)의 상면에 형성될 수 있다.
이때, 도면상에는 상기 제 1 금속층(150)이 실장부(120)의 상면 및 측면을 모두 감싸고, 상기 단자부(130)의 상면에만 형성된다고 도시하였지만, 이는 일 실시 예에 불과할 뿐, 상기 제 1 금속층(150)의 형성 모양은 실시 예에 따라 변경될 수 있다.
다음으로, 도 7에서와 같이 상기 제 1 금속층(150) 위에 제 2 금속층(160)을 형성한다.
상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐 합금층이다.
이때, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.5㎛를 만족하는 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 보다 더 바람직하게는, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.1㎛를 만족하는 두께로 형성된다.
다시 말해서, 상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐-니켈을 포함하는 금속 물질로 형성된 팔라듐 합금층이다. 다른 실시 예로, 상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐 -코발트, 팔라듐-아연 및 팔라듐-무기물 중 어느 하나로 형성된 팔라듐 합금층이다.
상기 제 2 금속층(160)은 일정 수준 이상의 경도를 만족하기 위하여, 팔라듐-니켈 합금으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제 2 금속층(160)이 팔라듐-니켈 합금으로 형성되는 경우, 상기 팔라듐과 니켈의 비율은 85:15~75:25를 만족하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 이때, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.5㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 상기 제 2 금속층(160)이 팔라듐-니켈 합금층이면, 상기 제 2 금속층(160)은 상기 니켈이 15~25 중량%, 팔라듐이 75~85 중량%로 구성된 도금액으로 0.01~0.5㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(160)은 팔라듐 -코발트, 팔라듐-아연 및 팔라듐-무기물 중 어느 하나의 팔라듐 합금층일 수도 있다.
이때, 상기 제 2 금속층(160)이 팔라듐 -코발트, 팔라듐-아연 및 팔라듐-무기물을 포함하는 합금으로 형성된 경우, 상기 제 2 금속층(160)은 0.01~0.1㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성될 수 있으며, 상기 코발트, 아연 및 무기물 중 어느 하나의 금속 물질의 함량은 전체 중량 대비 0.1~20%로 구성될 수 있다.
다음으로, 도 8에서와 같이 상기 제 2 금속층(160) 위에 순수 금 또는 금을 포함하는 합금을 도금하여 제 3 금속층(170)을 형성한다.
구체적으로 살펴보면, 상기 제 2 금속층(160) 위에는 순수 금, 금-은 합금, 금-코발트 합금, 금-팔라듐 합금, 금-구리 합금, 금-아연 합금 및 금-무기물 합금 중 어느 하나의 금속 물질을 도금한 제 3 금속층(170)이 형성된다.
또한, 상기 제 3 금속층(170)이 금을 포함하는 합금으로 형성되는 경우, 상기 금은 80~99.9 중량 %로 구성될 수 있으며, 나머지 은, 코발트, 팔라듐, 구리, 아연 및 무기물 중 어느 하나는 0.1~20 중량%로 구성될 수 있다.
이때, 상기 제 3 금속층(170)은 0.01~0.6㎛를 만족하는 두께로 형성되며, 바람직하게는, 0.01~0.1㎛를 만족하는 두께로 형성된다.
이때, 상기와 같은 제 1, 2 및 3 금속층들을 형성하기 위한 도금액은 포토 솔더 레지스트 및 드라이 필름의 용출로 인한 도금액 및 기판의 손상을 막기 위해 산성~중성 타입을 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 형성된 제 1, 2 및 3 금속층(150,160,170)은 와이어 본딩이 가능하고 남땜성이 양호한 장점을 가짐과 동시에 일정 수준의 경도를 만족하여 광택성 및 내마모성도 뛰어난 장점을 가진다.
그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 감광성 드라이필름(145)을 제거한다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 메모리 소자(180)를 부착하고, 상기 부착된 메모리 소자(180)와 실장부(120)(보다 바람직하게는, 실장부(120) 위에 형성된 제 1, 2 및 3 금속층(150,160,170)을 와이어(185)를 통해 전기적으로 연결한다.
이때, 상기 메모리 소자(180)의 실장 과정에서 상기 단자부(130)에 형성된 제 3 금속층(170)의 스크래치 또는 찍힘 등의 불량이 발생될 수 있으므로, 상기 제 3 금속층(170)이 손상되는 것을 방지하기 위하여 상기 단자부(130) 상에 형성된 제 3 금속층(170) 상에 보호층(190)을 형성한다.
상기 보호층(190)은 전기도금(electro-plating) 방식 또는 전착(electro-deposition) 방식으로 형성될 수 있다.
상기 보호층(190)은 금속 또는 비금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(190)이 전기도금 방식으로 형성되는 경우, 상기 보호층(190)은 구리(Cu), 납(Pb), 주석(Sn), 니켈(Ni) 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 보호층(190)이 전착 방식으로 형성되는 경우, 상기 보호층(190)을 레지스트층으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 보호층(190)은 상기 감광성 드라이 필름(145)이 제거되기 이전에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 보호층(190)이 형성되면, 상기 절연층(110) 상측의 포토 솔더 레지스트(140) 상에 메모리 소자(180)를 설치하고, 상기 메모리 소자(180)를 상기 실장부(120) 위에 형성된 제 3 금속층(170)과 와이어(185)를 통해 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 상기 메모리 소자(180)는 메모리 반도체 칩 및 메모리 컨트롤러가 될 수도 있다.
또한, 비록 상세히 도시되지는 않았지만, 상기 실장부(120)의 제 3 금속층(170) 위에는 레지스터나 커패시터와 같은 수동 소자들이 설치될 수도 있다.
다음으로, 도 11을 참조하면 상기 메모리 소자(180), 실장부(120)의 제 3 금속층(170)을 포함하는 상기 절연층(110)의 상측에 몰딩 부재(195)를 형성한다. 상기 몰딩 부재(195)는 EMC(Epoxy Molding Compound)라 불리는 에폭시 몰딩으로 형성되어 상기 메모리 소자(180)를 포함하는 회로 구성 부품들을 외부 충격이나 외부 환경으로부터 보호한다.
상기와 같이, 메모리 카드를 제조하기 위한 주요 공정이 완료되면, 상기 보호층(190)을 제거한다. 상기 보호층(190)은 사용되는 재질에 따라 전용 박리제를 통해 제거될 수 있으며, 이때, 상기 단자부(130) 상에 형성된 제 3 금속층(170)은 손상되지 않는다. 예를 들어, 상기 보호층(190)으로 구리가 사용된 경우, 상기 구리를 알카리 에칭으로 제거할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 메모리 카드용 인쇄회로기판을 도시한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 메모리 카드용 인쇄회로기판(200)은 절연층(210), 상기 절연층 상면에 형성된 실장부(220), 상기 절연층 상면에 형성된 단자부(230), 상기 절연층(210) 위에 형성되며, 상기 실장부(220)와 단자부(230)를 노출하는 포토 솔더 레지스트(240), 상기 실장부(220) 및 단자부(230) 상에 각각 형성된 제 1 금속층(250), 제 2 금속층(260) 및 제 3 금속층(270)을 포함한다.
즉, 도 12에는 도 3 내지 11에 도시된 메모리 카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법과 실질적으로 동일하며, 상기 단자부(230)가 상기 절연층(210)의 하면이 아닌 상면에 형성되는 것만 상이하다.
다시 말해서, 도 12는 상기 일반적인 인쇄회로기판을 도시한 것으로, 상기 도 3 내지 11에 도시된 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 제조 방법의 특징들이 일반 인쇄회로기판에 적용될 수도 있을 것이다.
즉, 본 발명의 실시 예에 따른 제 1, 2 및 3 금속층(150,160,170,250,260,270)은 일정 수준 이상의 와이어 본딩성과, 일정 수준 이상의 광택성 및 내마모성을 가짐으로써, 서로 다른 특성을 요구하는 배선의 표면에 형성될 수 있다. 다시 말해서, 제 1, 2 및 3 금속층(150,160,170,250,260,270)은 와이어 본딩성을 요구하는 배선 위에도 형성될 수 있으며, 이와 다르게 경도에 따른 광택성 및 내마모성을 요구하는 배선 위에도 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성된 제 1, 2 및 3 금속층(150,160,170,250,260,270)의 와이어 본딩성 및 경도를 측정해보았다.
종래 기술 본 발명
측정 샘플 Hard Au Soft Au Normal baking
point 1 360.96 253.37 446.77 532.71
point 2 341.63 213.71 469.07 485.14
point 3 364.00 268.05 423.14 472.07
point 4 352.06 256.66 458.80 510.41
point 5 358.21 242.90 447.82 515.96
평균(Hv) 355.37 246.94 449.12 503.26
상기 표 1은 본 발명의 실시 예에 의해 형성된 제 1 내지 3 금속층의 열처리 전(Normal) 및 열처리 후(baking)에 대한 경도 실험 결과이다. 상기 표 1은 상기 제 2 금속층(160)을 팔라듐-니켈 합금층을 형성하였을 경우에 대한 실험 결과이다.
상기와 같이, 종래의 표면 처리의 경도 값과 본 발명의 실시 예에 의해 형성된 금속층의 경도 값을 비교해본 결과, 종래 기술의 하드 골드층보다 높은 경로 값이 나옴을 확인할 수 있었다.
종래 기술 본 발명
측정 샘플 Soft Au Hard Au Normal Baking
평균 9.1910 3.577 10.3592 7.985
또한, 상기 표 2에 나타난 바와 같이, 종래 기술에 의해 형성된 금속층과, 본 발명의 실시 예에 의해 형성된 금속층의 와이어 본딩성을 비교해본 결과, 기존의 소프트 골드와 동등한 수준의 와이어 본딩성을 확보할 수 있었다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술된 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다
100: 인쇄회로기판
110: 절연층
120: 실장부
130: 단자부
140: 포토 솔더 레지스트
150: 제 1 금속층
160: 제 2 금속층
170: 제 3 금속층
180: 메모리 소자
195: 몰딩 부재

Claims (20)

  1. 메모리 카드용 인쇄회로기판에 있어서,
    절연층;
    상기 절연층의 제 1 면에 형성되고, 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 실장부; 및
    상기 절연층의 제 2 면에 형성되며, 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 단자부를 포함하며,
    상기 실장부 및 단자부의 표면에는 동일한 금속층이 형성되어 있는 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속층은,
    니켈을 포함하는 금속으로 형성된 제 1 금속층과,
    팔라듐을 포함하는 금속으로 형성된 제 2 금속층과,
    금을 포함하는 금속으로 형성된 제 3 금속층을 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 금속층은, 5~8㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성되고,
    상기 제 2 금속층은, 0.01~0.5㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성되며,
    상기 제 3 금속층은, 0.01~0.6㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성되는 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 금속층은,
    75~99.9 중량 %의 팔라듐과 0.1~25 중량% 의 코발트, 아연 및 무기물 중 적어도 하나를 포함하는 팔라듐 합금층인 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 금속층은,
    75~85 중량%의 팔라듐과 15~25 중량%의 니켈을 포함하는 팔라듐-니켈 합금층인 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 2 금속층은,
    300Hv~600Hv 범위의 경도를 만족하는 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 제 3 금속층은,
    순수 금층 또는 금-은 합금, 금-구리 합금, 금-팔라듐 합금, 금-아연 합금, 금-코발트 합금 및 금-무기물 합금 중 적어도 어느 하나로 형성된 금합금층인 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 금합금층은 80~99.9 중량 %의 금과, 0.1~20 중량%의 은, 코발트, 팔라듐, 구리, 아연 및 무기물 중 어느 하나로 형성되는 메모리 카드용 인쇄회로기판.
  9. 절연층을 포함하는 인쇄회로기판과, 상기 인쇄회로기판의 제 1면의 일정 영역에 실장되는 메모리 소자와, 상기 메모리 소자와 전기적으로 연결되는 제 1 패턴을 포함하고, 상기 인쇄회로기판의 제 2면에 형성되어 외부의 전자기기와 전기적으로 연결되는 제 2 패턴을 포함하는 인쇄회로기판을 포함하는 메모리 카드에 있어서,
    상기 제 1 패턴의 표면에는 금속 물질을 도금하여 형성된 적어도 하나의 금속층을 포함하며,
    상기 제 2 패턴의 표면에는 상기 제 1 패턴의 표면에 형성된 금속층과 동일한 금속층이 형성되어 있는 메모리 카드.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 금속층은,
    5~8㎛ 범위를 만족하는 두께로 형성되는 순수 니켈층 또는 니켈 합금층과,
    0.01~0.5㎛ 범위를 만족하는 두께로 상기 순수 니켈층 또는 니켈 합금층 위에 형성되는 팔라듐 합금층과,
    0.01~0.6㎛ 범위를 만족하는 두께로 상기 팔라듐 합금층 위에 형성되는 순수 금층 또는 금 합금층을 포함하는 메모리 카드.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 팔라듐 합금층은,
    75~99.9 중량%의 팔라듐과 0.1~25 중량%의 코발트, 아연 및 무기물 중 적어도 하나로 형성되는 메모리 카드.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 팔라듐 합금층은,
    75~85 중량%의 팔라듐 및 15~25 중량%의 니켈로 형성되는 메모리 카드.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 금 합금층은,
    75~99.9 중량%의 금과 0.1~25 중량%의 은, 구리, 팔라듐, 아연, 코발트 및 무기물 중 적어도 하나로 형성되는 메모리 카드.
  14. 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법에 있어서,
    상면 및 하면에 금속 박막이 형성된 절연층을 준비하는 단계;
    상기 절연층의 상면 및 하면에 형성된 금속 박막을 선택적으로 제거하여 상기 절연층의 상면에 실장부 및 상기 절연층의 하면에 단자부를 형성하는 단계;
    상기 절연층의 상면 및 하면에 상기 실장부 및 단자부의 표면을 노출하는 포토 솔더 레지스트를 선택적으로 형성하는 단계; 및
    상기 노출된 실장부 및 단자부의 표면에 동일한 금속 물질을 도금하여 표면 처리하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 표면 처리하는 단계는,
    상기 포토 솔더 레지스트가 형성되지 않은 실장부 및 단자부 위에 니켈을 포함하는 제 1 금속층을 형성하는 단계와,
    상기 제 1 금속층 위에 팔라듐을 포함하는 제 2 금속층을 형성하는 단계와,
    상기 제 2 금속층 위에 금을 포함하는 제 3 금속층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 표면 처리에 의해 상기 실장부 및 단자부의 최 외각에 형성된 금속층은 서로 동일한 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 제 1 금속층을 형성하는 단계는,
    니켈을 포함하는 금속 물질을 도금하여, 5~8㎛ 범위를 만족하는 두께를 가진 제 1 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 제 2 금속층을 형성하는 단계는,
    75~99.9 중량%의 팔라듐 및 0.1~25 중량%의 코발트, 아연, 무기물 중 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 합금을 제 1 금속층 위에 도금하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 제 2 금속층을 형성하는 단계는,
    75~85% 함량의 팔라듐 및 15~25% 함량의 니켈을 포함하는 합금을 제 1 금속층 위에 도금하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
  20. 제 15항에 있어서,
    상기 제 3 금속층을 형성하는 단계는,
    순수 금 또는 75~99.9 중량% 함량의 금과 0.1~25 중량%의 은, 구리, 팔라듐, 아연, 코발트 및 무기물 중 적어도 하나의 금속 물질을 제 2 금속층 위에 도금하여, 0.01~0.6㎛ 범위를 만족하는 두께를 가진 제 3 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 카드용 인쇄회로기판의 제조 방법.
KR1020110074737A 2011-07-27 2011-07-27 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 KR101251802B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110074737A KR101251802B1 (ko) 2011-07-27 2011-07-27 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110074737A KR101251802B1 (ko) 2011-07-27 2011-07-27 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130013216A KR20130013216A (ko) 2013-02-06
KR101251802B1 true KR101251802B1 (ko) 2013-04-09

Family

ID=47893700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110074737A KR101251802B1 (ko) 2011-07-27 2011-07-27 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101251802B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102014088B1 (ko) * 2012-03-20 2019-08-26 엘지이노텍 주식회사 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060109365A (ko) * 2005-04-15 2006-10-20 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판 및 그 표면처리방법
KR20080030413A (ko) * 2006-09-30 2008-04-04 엘지마이크론 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20090073003A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 인텔 코포레이션 Ｌｇａ 기판 및 그 제조 방법
KR20100011818A (ko) * 2008-07-25 2010-02-03 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법 그리고 메모리 카드 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060109365A (ko) * 2005-04-15 2006-10-20 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판 및 그 표면처리방법
KR20080030413A (ko) * 2006-09-30 2008-04-04 엘지마이크론 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20090073003A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 인텔 코포레이션 Ｌｇａ 기판 및 그 제조 방법
KR20100011818A (ko) * 2008-07-25 2010-02-03 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법 그리고 메모리 카드 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130013216A (ko) 2013-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100653249B1 (ko) 메탈코어, 패키지 기판 및 그 제작방법
KR101241544B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법
US10531569B2 (en) Printed circuit board and method of fabricating the same
US10262930B2 (en) Interposer and method for manufacturing interposer
JP2015065400A (ja) 素子内蔵型印刷回路基板及びその製造方法
KR101167453B1 (ko) 전자부품 내장형 인쇄회로기판 및 그 제조방법
KR102014088B1 (ko) 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
KR101251802B1 (ko) 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
KR101262561B1 (ko) 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
KR101262587B1 (ko) 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
KR20120012348A (ko) 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법
KR20100011818A (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법 그리고 메모리 카드 제조방법
KR20150059086A (ko) 칩 내장 기판 및 그 제조 방법
KR20150041529A (ko) 인쇄회로기판
KR102005487B1 (ko) 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
US20230016067A1 (en) Printed circuit board
KR20130021027A (ko) 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법
KR20130120100A (ko) 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
KR20130070472A (ko) 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법
JPH02305494A (ja) 多層配線基板の製造方法
KR20150069767A (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2016219477A (ja) 電子部品内蔵配線板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170307

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee