KR101237968B1

KR101237968B1 - 레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막 패터닝 방법

Info

Publication number: KR101237968B1
Application number: KR1020100049124A
Authority: KR
Inventors: 김영환; 조태익
Original assignee: 주식회사 이오테크닉스
Priority date: 2010-05-26
Filing date: 2010-05-26
Publication date: 2013-02-27
Also published as: KR20110129635A

Abstract

개시된 가공방법은, 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔헤드를 구비하는 레이저 가공 시스템의 가공방법으로서, 스캔 헤드를 제1방향으로 이동시키면서 가공 대상물에 레이저 빔을 조사하여, 가공 대상물에 제1방향의 제1가공라인을 형성하는 단계와, 스캔 헤드를 제1방향으로 이동시키는 동안에 갈바노미러장치를 이용하여 레이저 빔을 제1방향에 대하여 직각방향으로 오프셋시키는 단계를 포함한다.

Description

레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막 패터닝 방법{Processing method of laser processing system and patterning method of transparent conductive film}

본 발명은 레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막의 패터닝 방법에 관한 것으로서, 특히 스캔 헤드의 가/감속 및 정지시간을 줄일 수 있는 레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막의 패터닝 방법에 관한 것이다.

레이저 가공 시스템은 레이저 발진기로부터 출사되는 레이저 빔을 스캔 헤드를 통하여 대상물에 조사한다. 대상물 또는 스캔 헤드는 평면 내에서 이동되며, 스캔 헤드는 평면에 대하여 직각으로 레이저 빔을 조사한다.이에 의하여 대상물의 일 평면에 대한 마킹, 노광, 식각, 스크라이빙 등의 레이저 가공이 수행될 수 있다.

레이저 빔이 조사되는 대상물의 가공라인이 직선이 아닌 경우 또는 방향이 전환되는 전환점을 갖는 형태의 가공라인을 형성하기 위하여는 스캔 헤드를 일방향으로 이동시키면서 레이저 빔을 대상물에 조사하다가 감속/정지 시킨 후에 다시 방향을 바꾸어 가속하면서 레이저 빔을 대상물에 조사하여야 한다. 이와 같이 가속시간과 감속시간이 소요되면 전체 가공시간이 증가하게 된다.

본 발명은 가공 라인이 직선이 아닌 경우 또는 방향전환점을 갖는 형태의 가공 라인을 신속하게 형성할 수 있는 레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막의 패터닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 레이저 가공시스템의 가공방법은, 레이저 빔을 제1방향과 이에 직각방향인 제2방향으로 각각 오프셋시키는 X-갈바노미러유닛과 Y-갈바노미러유닛을 포함하는 갈바노미러장치를 구비하고 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔헤드를 포함하는 레이저 가공 시스템의 가공방법으로서, (가) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키면서 상기 대상물에 레이저 빔을 조사하여, 상기 가공 대상물에 상기 제1방향의 제1가공라인을 형성하는 단계; (나) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키는 동안에 상기 Y-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋시키는 단계;를 포함한다.

상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 온 상태로 유지하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1방향에 대하여 경사진 제2가공라인을 형성할 수 있다. 상기 가공방법은, 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제2가공라인의 상기 제1가공라인에 대한 경사각도를 조절하는 단계를 더 구비할 수 있다.

상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 오프 상태로 하고 오프셋이 완료된 후에 상기 레이저 빔을 다시 온 상태로 하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1가공라인에 대하여 상기 제2방향으로 오프셋된 제3가공라인을 형성할 수 있다. 상기 가공방법은, 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제3가공라인의 상기 제1가공라인에 대한 상기 제1방향의 오프셋 양을 조절하는 단계를 더 구비할 수 있다.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 투명도전막의 페터닝방법은, 레이저 빔을 제1방향과 이에 직각방향인 제2방향으로 각각 오프셋시키는 X-갈바노미러유닛과 Y-갈바노미러유닛을 포함하는 갈바노미러장치를 구비하고 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔헤드를 포함하는 레이저 가공 시스템을 이용하여, 기판 상에 도포된 투명도전막에 레이저 빔을 조사함으로써 상기 투명도전막을 원하는 형상으로 패터닝하는 투명도전막 패터닝하는 방법으로서, (가) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키면서 상기 투명 도전막에 레이저 빔을 조사하여, 상기 투명 도전막에 상기 제1방향의 제1패터닝라인을 형성하는 단계; (나) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키는 동안에 상기 Y-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋시키는 단계;를 포함한다.

상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 온 상태로 유지하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1방향에 대하여 경사진 제2패터닝라인을 형성할 수 있다. 상기 패터닝방법은, 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제2패터닝라인의 상기 제1패터닝라인에 대한 경사각도를 조절하는 단계를 더 구비할 수 있다.

상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 오프 상태로 하고 오프셋이 완료된 후에 상기 레이저 빔을 다시 온 상태로 하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1패터닝라인에 대하여 상기 제2방향으로 오프셋된 제3패터닝라인을 형성할 수 있다. 상기 패터닝 방법은, 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제3패터닝라인의 상기 제1패터닝라인에 대한 상기 제1방향의 오프셋 양을 조절하는 단계를 더 구비할 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막의 패터닝 방법에 따르면, 스캔 헤드의 이동방향을 변화시키거나 스캔 헤드를 가감속 및 정지시키지 않고, 스캔 헤드의 이동방향에 대하여 경사진 가공라인 및/또는 스캔헤드의 이동방향에 대하여 직각방향으로 오프셋된 가공라인을 형성할 수 있다. 따라서, 복잡한 가공라인을 형성하는 공정에서 스캔 헤드의 가감속 시간과 정지 시간을 줄일 수 있어, 공정 시간을 절감할 수 있다. 또한, 스캔 헤드에 비하여 상대적으로 관성이 작은 갈바노미러장치를 이용하여 레이저 빔을 오프셋시키므로, 복잡한 가공라인을 형성하기 위한 제어 부담을 경감할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 가공방법이 적용되는 레이저 가공 시스템의 일 예를 도시한 구성도.
도 2는 도 1에 도시된 경사가공용 스캔 헤드의 일 실시예의 구성을 도시한 사시도.
도 3은 제1가공라인에 대하여 경사진 제2가공라인을 형성하는 방법을 설명하는 도면.
도 4는 제1가공라인에 대하여 경사진 제2가공라인 및 이와 연결되고 제1가공라인에 대하여 오프셋된 제3가공라인을 형성하는 방법을 설명하는 도면.
도 5는 제1가공라인에 대하여 오프셋된 제3가공라인을 형성하는 방법을 설명하는 도면.
도 6는 액정 디스플레이 장치의 일 예를 도시한 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 투명 도전막의 패터닝 방법에 의하여 패터닝된 구동전극의 일 예를 도시한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 투명 도전막의 패터닝 방법을 적용하기 위한 가공대상물의 일 예를 도시한 도면.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 레이저 가공 시스템의 가공방법 및 투명도전막 패터닝방법의 실시예들을 설명한다.

도 1에는 본 발명에 따른 가공방법을 구현하기 위한 레이저 가공 시스템의 일 예를 도시한 사시도이다. 도 1을 참조하면, X-이동블록(10), Y-이동블록(20), 및 스캔 헤드(100)가 도시되어 있다. X-이동블록(10)은 X 방향으로 설치된 한 쌍의 레일(30)을 따라 X 방향으로 이동될 수 있게 설치된다. Y-이동블록(20)은 X-이동블록(10)에 Y 방향으로 이동될 수 있게 설치된다. 도 1에는 3개의 Y-이동블록(20)이 도시되어 있으나, 그 갯수에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 스캔 헤드(100)는 Y-이동블록(20)에 설치된다. 스캔 헤드(100)는 Y-이동블록(20)에 설치된 Z-컬럼(column)(40)을 따라 Z방향으로 이동될 수도 있다. 작업대(50)에는 가공 대상물(200)이 탑재된다.

도 2는 스캔 헤드(100)를 상세히 도시한 구성도이다. 도 1과 도 2를 보면, 스캔 헤드(100)는 레이저 발진기(110)와, 갈바노미러장치(140)를 구비한다. 갈바노미러장치(140)는 레이저 빔을 X 방향으로 스캔하기 위한 X-갈바노미러유닛(120)과, 레이저 빔을 Y 방향으로 스캔하기 위한 Y-갈바노미러유닛(130)을 구비할 수 있다. X-갈바노미러유닛(120)은 X-반사미러(121)와, 이를 회전시키는 X-미러모터(122)를 포함할 수 있다. Y-갈바노미러유닛(130)은 Y-반사미러(131)와, 이를 회전시키는 Y-미러모터(132)를 포함한다.

이하, 도 1 및 도 2에 도시된 레이저 가공 시스템을 이용하여 본 발명에 따른 가공방법의 실시예를 설명한다.

도 1을 보면, 가공대상물(200)은 테이블(50)에 적재된다. 스캔 헤드(100)는 X 방향 또는 Y 방향으로 이동되면서 가공대상물(200)에 레이저 빔을 조사하여 마킹, 식각, 노광 등의 가공작업을 수행할 수 있다. 이하에서는 스캔 헤드(100)가 Y 방향의 소정의 위치에 위치되고, X-이동블록(10)이 X 방향으로 이동되면서 가공작업을 수행하는 경우를 예로써 설명한다.

도 3을 보면, 발진기(110)를 온(ON)시킨 상태에서 스캔 헤드(100)가 X 방향으로 이동되면, 가공대상물(200)에는 레이저 빔에 의하여 X 방향으로 제1가공라인(WL1)에 형성된다. 도 3에서 각 가공라인의 두께는 가공 대상물(200)에 조사되는 레이저 빔의 스폿 직경에 대응되는 것이며, 가공라인의 시작 또는 끝부분에 원형으로 표시된 것은 레이저 빔의 스폿을 표시한다.

제1가공라인(WL1)으로부터 X 방향에 대하여 경사진 제2가공라인(WL2)을 형성하기 위하여는 X-이동블록(10)을 정지시키고, Y-이동블록(20)을 구동하여 스캔 헤드(100)를 Y 방향으로 이동시키면서 레이저 빔을 가공대상물(200)에 조사하는 방안을 고려할 수 있다. 이 경우에, X-이동블록(10)은 그 관성으로 인하여 즉시 정지되기 어려우며, 소정의 감속과정을 거쳐서 정지되어야 한다. 또, Y-이동블록(20) 역시 정상적인 가공속도에 도달될 때까지 소정의 가속과정을 거쳐야 하며, 제2가공라인(WL2)의 형성이 완료되면 다시 감속과정을 거쳐 정지되어야 한다. 이와 같이, 스캔 헤드(100) 자체를 X, Y 방향으로 이동시켜 제1, 제2가공라인(WL1)(WL2)을 형성하는 경우에는 가속, 정지, 가속, 정지를 반복하여야 하므로 가감속에 소요되는 시간만큼 가공시간이 증가된다. 이러한 가공시간의 증가는 가공라인의 형상이 복잡할수록 더욱 증가하게 된다.

본 발명에 따른 가공방법은, 스캔 헤드(100)의 가감속과 정지를 수반하지 않는 가공방법을 제공한다. 제1가공라인(WL1)의 형성이 완료된 후에 제2가공라인(WL2)을 형성하기 위하여, Y-갈바노미러유닛(130)을 이용한다. 도 2와 도 3을 참조하면, 제1가공라인(WL1)을 형성한 후에 Y-미러모터(132)를 이용하여 Y-반사미러(131)를 Y1 방향으로 회전시킨다. 그러면, 발진기(110)로부터 출사된 레이저 빔은 제1가공라인(WL1)에 대하여 +Y 방향으로 오프셋된다. 이 오프셋과정에서 발진기(110)를 온(ON)상태로 유지하면 레이저 빔이 가공대상물(200)에 지속적으로 조사되어 제2가공라인(WL2)이 형성된다. 이 과정에서 스캔 헤드(100)는 X 방향으로 계속하여 이동되므로 제2가공라인(WL2)과 제1가공라인(WL1)이루는 각도(A)는 둔각이 된다. 하지만, Y-갈바노미러유닛(130)의 회전관성은 매우 작고, 또 Y-반사미러(131)로부터 가공대상물(200)에 이르는 광로길이가 오프셋 거리(Lx)에 비하여 충분히 크다면 Y-반사미러(131)의 회전각도는 매우 작다. 그러므로, 실질적으로 Y-반사미러(131)를 회전시키는데 소요되는 시간은 매우 짧다. 이러한 점을 감안하면 각도(A)는 거의 직각에 가깝다.

상술한 실시예에서 각도(A)가 둔각인 경우에는 Y-미러모터(132)를 제어하여 Y-반사미러(131)의 회전속도를 조절함으로써 각도(A)의 크기를 조절할 수 있다. 다만, 각도(A)는 둔각에 한정되지 않는다. 예를 들어, 각도(A)는 직각으로 할 수도 있다. 이는 X-갈바노미러유닛(120)을 이용하면 구현될 수 있다. 각도(A)가 둔각이 되는 것은 Y-반사미러(131)를 회전시키는 동안에 스캔 헤드(100)가 계속하여 X 방향으로 이동되기 때문이다. 따라서, 스캔 헤드(100)의 X 방향의 이동을 보상할 수 있도록, Y-반사미러(131)를 회전시키는 동안에 X-반사미러(121)를 X2방향으로 회전시켜 레이저 빔을 -X 방향으로 오프셋시키면 된다. 즉, 스캔 헤드(100)의 X 방향의 이동속도와 동일한 속도로 레이저 빔이 -X 방향으로 이동되도록 X-미러모터(122)를 제어하여 X-반사미러(131)의 회전속도를 조절하면 된다.

이 경우에, 레이저 빔의 -X 방향으로의 오프셋 속도를 스캔 헤드(100)의 X 방향의 이동속도보다 더 빠르게 하면 제1가공라인(WL1)과 제2가공라인(WL2)이 이루는 각도(A)는 예각이 될 수도 있다.

Y-반사미러(132)를 Y1방향으로 회전시킨 상태에서 스캔 헤드(100)가 X 방향으로 이동되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 가공대상물(200)에는 제1가공라인(WL1)에 대하여 +Y 방향으로 오프셋된 제3가공라인(WL3)이 형성된다. 이와 같은 과정에 의하여 X 방향의 제1가공라인(WL1), 제1가공라인(WL1)에 대하여 경사진 제2가공라인(WL2), 및 제1가공라인(WL1)에 대하여 Y 방향으로 오프셋된 제3가공라인(WL3)이 서로 연결된 형태의 가공라인을 형성할 수 있다.

Y-반사미러(131)를 Y1방향으로 회전시키는 동안에 발진기(110)를 오프(OFF)상태로 제어하면 제2가공라인(WL2)은 형성되지 않으므로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1가공라인(WL1)에 대하여 Y 방향으로 오프셋된 제3가공라인(WL3)을 형성할 수 있다. 이 경우에 제3가공라인(WL3)의 X 방향의 오프셋거리(Lx)는 Y-반사미러(131)의 회전속도에 따라 달라질 수 있다. 또한, X-반사미러(121)를 회전시킴으로써 오프셋거리(Lx)는 0 또는 음의 값을 가질 수도 있다.

상술한 실시예에서는 직선 형태의 제2가공라인(WL2)을 형성하는 경우에 대하여 설명하였으나, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. Y-반사미러(131)의 회전속도를 조절함으로써 임의의 곡선 형태를 갖는 제2가공라인(WL2)을 형성할 수 있다. 또한, 임의의 곡선 형태의 제2가공라인(WL2)은 Y-반사미러(131)와 X-반사미러(121)의 회전속도를 동시에 조절하여 구현될 수도 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 가공방법에 따르면, 스캔 헤드(100)의 이동방향을 제1방향이라 할 때에 제1방향에 대하여 경사진 가공라인을 형성하기 위하여 스캔 헤드(100)의 가감속 및 정지시간이 필요치 않으므로 복잡한 형태의 가공라인을 형성하기 위한 가공시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 스캔 헤드(100)에 비하여 관성이 작은 갈바노미러장치(140)를 구동하므로, 가공장치의 제어부담 역시 저감될 수 있다.

상기한 가공방법은 액정디스플레이 장치의 구동 전극 또는 공통 전극을 패터닝하기 위한 투명도전막의 패터닝공정에 적용될 수 있다.

도 6에는 액정 디스플레이 장치의 단면도가 개시되어 있다. 도 6을 참조하면, 액정디스플레이 장치는 도 6을 보면, 액정 디스플레이 장치는, 상부기판(61)과 하부기판(62) 사이에 봉입된 액정층(66)의 배향을 조절함으로써 도시되지 않은 광원장치로부터 조사되는 광을 선택적으로 통과/차단하여 화상을 표시하는 장치를 말한다. 상부 가판(21)의 하측에 행렬 배열 방식으로 빨강(R), 초록(G), 파랑(B)의 칼라 필터(64)가 순차적으로 배열되어 있다. 이들 칼라 필터(64) 사이에는, 상기 각 색상 사이에서 혼합 색이 나타나는 것을 방지하기 위한 격자 모양의 블랙 매트릭스(63)가 형성되어 있다. 각각의 화소에 대응되는 구동 전극들(68)은 서로 떨어져서 액정층(66)에 전기장을 인가하기 위한 구동소자들(67), 예를 들면 구동용 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)와 개별적으로 연결된다.또, 필요에 따라서는 공통 전극(65) 역시 각각의 화소에 대응되도록 패터닝될 수 있다.

구동 전극(68)은 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같은 형태일 수 있다. 이와 같은 형태의 구동 전극(65)을 형성하기 위하여 도 8에 도시된 바와 같이 가공 대상물(200)로서, 일면에 투명 도전막(220)이 형성된 기판(210)을 준비한다. 투명 도전막(220)은 예를 들어 ITO 박막일 수 있다. 도 1에 도시된 레이저 가공장치를 이용하여 투명 도전막(220)에 레이저 빔을 조사하여 도 7에 도시된 바와 같은 구동 전극(68)의 형태로 패터닝하게 된다. 이때, 레이저 빔의 파장은 투명 도전막(220)에 의하여 흡수될 수 있는 적절한 파장 범위로 선정된다.

도 7에 도시된 바와 같은 구동전극(68)을 패터닝할 때에, 예를 들어 제1 내지 제3패터닝라인(PL1)(PL2)(PL3)과 같은 형태의 가공라인이 반복될 수 있다. 이 경우에, 위에서 설명한 바와 같은 가공방법을 적용하여, 스캔 헤드(100)가 X 방향으로 일정한 속도로 이동되는 동안에, 제1패터닝라인(PL1)을 형성한 후에, Y-반사미러(131)를 회전시켜 제1패터닝라인(PL1)에 대하여 경사진 제2패터닝라인(PL2)을 형성하고, 계속하여 제1패터닝라인(PL1)에 대하여 Y 방향으로 오프셋된 제3패터닝라인(PL3)을 형성할 수 있다.또한, Y-반사미러(131)를 회전시키는 동안에 X-반사미러(121)를 회전시킴으로써 제1패터닝라인(PL1)에 대한 제2패터닝라인(PL2)의 경사각도를 조절할 수 있다.

또한, 제3패터닝라인(PL3)을 형성한 후에 다음 구동전극(68')의 제1패터닝라인(PL1')을 형성하기 위하여, Y-반사미러(131)를 앞서 회전된 방향의 반대방향으로 회전시키고, 이 동안에 발진기(110)를 오프(OFF)상태로 할 수 있다. 이 때, 스캔 헤드(100)의 X 방향의 이동속도를 감안하여 X-반사미러(121)를 회전시킴으로써 제3패터닝라인(PL3)에 대한 다음 구동전극(68')의 제1패터닝라인(PL1')의 X 방향의 오프셋 양을 조절할 수 있다.

상기한 바와 같은 패터닝 방법에 따르면, 패터닝시에 스캔 헤드(100)의 가감속 시간과 정지 시간을 줄여 전체 가공시간을 절감할 수 있다.

상술한 실시예에서 구동전극(68)의 형태는 도 7에 도시된 예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 또한, 상술한 실시예에서는 구동전극(68)을 패터닝하는 예에 대하여만 설명하였으나, 필요에 따라서는 공통 전극(65)을 패터닝하는 데에도 적용될 수 있다.

상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.

1...레이저 가공 시스템 10...X-이동블록
20...Y-이동블록 30...레일
40...Z-컬럼 50...작업대
60..액정디스플레이장치 61...상부기판
62...하부기판 63...블랙매트릭스
64...칼라필터 65...공통전극
66...액정층 67...구동소자
68...구동전극 100...스캔 헤드
110...발진기 120...X-갈비노미러유닛
121...X-반사미러 122...X-미러모터
130...Y-갈비노미러유닛 131...Y-반사미러
132...Y-미러모터 140...갈바노미러장치

Claims

레이저 빔을 제1방향과 이에 직각방향인 제2방향으로 각각 오프셋시키는 X-갈바노미러유닛과 Y-갈바노미러유닛을 포함하는 갈바노미러장치를 구비하고 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔헤드를 포함하는 레이저 가공 시스템의 가공방법으로서,
(가) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키면서 상기 대상물에 레이저 빔을 조사하여, 상기 가공 대상물에 상기 제1방향의 제1가공라인을 형성하는 단계;
(나) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키는 동안에 상기 Y-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋시키는 단계;를 포함하는 레이저 가공 시스템의 가공방법.
제1항에 있어서,
상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 온 상태로 유지하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1방향에 대하여 경사진 제2가공라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 시스템의 가공방법.
제2항에 있어서,
(다) 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제2가공라인의 상기 제1가공라인에 대한 경사각도를 조절하는 단계를 더 구비하는 레이저 가공 시스템의 가공방법.
제1항에 있어서,
상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 오프 상태로 하고 오프셋이 완료된 후에 상기 레이저 빔을 다시 온 상태로 하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1가공라인에 대하여 상기 제2방향으로 오프셋된 제3가공라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 시스템의 가공방법.
제4항에 있어서,
(라) 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제3가공라인의 상기 제1가공라인에 대한 상기 제1방향의 오프셋 양을 조절하는 단계를 더 구비하는 레이저 가공 시스템의 가공방법.
레이저 빔을 제1방향과 이에 직각방향인 제2방향으로 각각 오프셋시키는 X-갈바노미러유닛과 Y-갈바노미러유닛을 포함하는 갈바노미러장치를 구비하고 레이저 빔을 가공 대상물에 조사하는 스캔헤드를 포함하는 레이저 가공 시스템을 이용하여, 기판 상에 도포된 투명도전막에 레이저 빔을 조사함으로써 상기 투명도전막을 원하는 형상으로 패터닝하는 투명도전막 패터닝하는 방법으로서,
(가) 상기 스캔 헤드를 성기 제1방향으로 이동시키면서 상기 투명 도전막에 레이저 빔을 조사하여, 상기 투명 도전막에 상기 제1방향의 제1패터닝라인을 형성하는 단계;
(나) 상기 스캔 헤드를 상기 제1방향으로 이동시키는 동안에 상기 Y-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋시키는 단계;를 포함하는 투명도전막 패터닝하는 방법.
제6항에 있어서,
상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 온 상태로 유지하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1방향에 대하여 경사진 제2패터닝라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 패터닝하는 방법.
제7항에 있어서,
(다) 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제2패터닝라인의 상기 제1패터닝라인에 대한 경사각도를 조절하는 단계를 더 구비하는 투명도전막 패터닝하는 방법.
제6항에 있어서,
상기 (나) 단계에서, 상기 레이저 빔을 상기 제2방향으로 오프셋 시키는 동안에 상기 레이저 빔을 오프 상태로 하고 오프셋이 완료된 후에 상기 레이저 빔을 다시 온 상태로 하여, 상기 스캔 헤드의 이동방향을 바꾸지 않고 상기 제1패터닝라인에 대하여 상기 제2방향으로 오프셋된 제3패터닝라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 패터닝하는 방법.
제9항에 있어서,
(라) 상기 (나) 단계를 수행하는 동안에 상기 X-갈바노미러유닛을 이용하여 상기 레이저 빔을 상기 제1방향으로 오프셋시켜 상기 제3패터닝라인의 상기 제1패터닝라인에 대한 상기 제1방향의 오프셋 양을 조절하는 단계를 더 구비하는 투명도전막 패터닝하는 방법.