KR101217728B1 - 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 - Google Patents
높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101217728B1 KR101217728B1 KR1020100018878A KR20100018878A KR101217728B1 KR 101217728 B1 KR101217728 B1 KR 101217728B1 KR 1020100018878 A KR1020100018878 A KR 1020100018878A KR 20100018878 A KR20100018878 A KR 20100018878A KR 101217728 B1 KR101217728 B1 KR 101217728B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- base material
- plating
- magnesium base
- etching
- copper
- Prior art date
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 79
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 33
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 26
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 16
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 12
- FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J sodium diphosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 10
- 229940048086 sodium pyrophosphate Drugs 0.000 claims description 10
- 235000019818 tetrasodium diphosphate Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 claims description 10
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 8
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 150000004712 monophosphates Chemical class 0.000 claims description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 claims description 4
- 229940048084 pyrophosphate Drugs 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 36
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 14
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LEKPFOXEZRZPGW-UHFFFAOYSA-N copper;dicyanide Chemical compound [Cu+2].N#[C-].N#[C-] LEKPFOXEZRZPGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- SPOCRUOICRJFPC-UHFFFAOYSA-N copper;2-hydroxypropanoic acid Chemical compound [Cu].CC(O)C(O)=O SPOCRUOICRJFPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- DYROSKSLMAPFBZ-UHFFFAOYSA-L copper;2-hydroxypropanoate Chemical compound [Cu+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O DYROSKSLMAPFBZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O Chemical compound [Cu+3].[O-]P([O-])([O-])=O RAOSIAYCXKBGFE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PEHFFJSIXZRLAE-UHFFFAOYSA-J dizinc dicarbonate Chemical compound [Zn++].[Zn++].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O PEHFFJSIXZRLAE-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- -1 nickel 60 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
- C25D5/42—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated of light metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/22—Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
본 발명은 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법에 관한 것으로서, 마그네슘 모재의 표면에 부착된 오물을 제거하는 에칭 1 단계; 상기 에칭 1단계에서 생길 수 있는 마그네슘 모재 표면의 막을 제거하는 디스머트 단계; 상기 디스머트이후 표면에 부착된 오물을 제거하는 에칭 2단계; 및 아연금속피막을 형성과 에칭 2단계에서 생성될 수 있는 부착생성물 제거를 위한 징케이트 단계; 를 포함하는 것으로서, 본 발명에 의할 경우 마그네슘 모재의 도금 후의 수율이 높은 전처리 방법 및 후처리 방법을 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 마그네슘의 도금 방법에 관한 것으로 특히 높은 수율을 가진 마그네슘 모재의 도금 방법에 관한 것이다.
많은 전자기기와 자동차 부품 등이 소형화, 경량화 되면서 수지 이상의 강도를 요구하고, 알루미늄 이상의 경량화의 필요성으로 인해 마그네슘 모재에 대한 도금의 필요성은 점차로 증가하고 있다.
마그네슘은 도장으로는 얻기 힘든 금속감을 낼 수 있으며, 마찰 성능 등 신뢰성이 필요한 곳에 많은 사용이 가능해지고 있다.
특히 마그네슘 자체의 특징으로 인해 도장에 비해 월등히 내마모성이 우수하고 내충격성이 뛰어나서 마그네슘 도금체들이 휴대전자기기 케이스 및 자동차 부품 등에 그 사용이 점차 증가하고 있으나, 종래의 마그네슘 모재의 도금 방법은 산과 알칼리에 약해 공기 중에서 마그네슘이 쉽게 부식되는 문제점과 수율이 낮은 문제점을 해결하지 못하고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 수율이 높은 마그네슘 모재에의 도금 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법은, 마그네슘 모재의 표면에 부착된 부착물을 제거하는 에칭 제1 단계; 상기 에칭 1단계에서 생기는 마그네슘 모재 표면의 막을 제거하는 디스머트 단계; 상기 디스머트이후 마그네슘 모재 표면에 부착된 부착물을 제거하는 에칭 제2단계; 및 아연금속피막을 형성하고, 에칭 제2단계에서 생성되는 부착물 제거를 위한 징케이트 단계; 에 의해 달성될 수 있다.
또한, 상기 징케이트 단계 이후에는, 동스트라이크 단계; 를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 디스머트 단계는, 가성소다와 불화소다를 포함하는 디스먼트 용액에 의해 수행될 수 있다.
또한, 상기 디스머트 용액은, 100 (g/ℓ) 내지 200(g/ℓ), 불화소다를 250 (g/ℓ)내지 300(g/ℓ)을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 에칭 제2단계는, 피로인산 소다와 일인산가리를 포함하는 에칭액에 의해서 수행될 수 있다.
또한, 상기 에칭액은, 피로인산 소다 40 (g/ℓ) 내지 60(g/ℓ)와 일인산가리를 5 (g/ℓ)내지 15(g/ℓ)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 징케이트 단계는, 피로인산 소다, 불화소다, 및 염화아연을 포함하는 징게이트액에 의해서 수행될 수 있다.
또한, 상기 징게이트액은, 피로인산 소다 100 (g/ℓ) 내지 150(g/ℓ), 불화소다를 250(g/ℓ) 내지 300(g/ℓ), 그리고 염화아연을 100 (g/ℓ) 내지 150(g/l)를 포함할 수 있다.
본 발명의 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법은 마그네슘 모재의 도금에 있어서 전처리 및 후처리를 특정의 조건에서 수행함으로써, 수율이 높은 마그네슘 모재의 도금 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법 중 도금 전처리 방법을 나타내는 순서도를,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법 중 도금 후처리 방법을 나타내는 순서도를,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법에 의한 도금 후의 단면도를 각 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법 중 도금 후처리 방법을 나타내는 순서도를,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법에 의한 도금 후의 단면도를 각 나타낸다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 아래의 특정 실시 예들을 기술하는데 있어서, 여러 가지의 특정적인 내용들은 발명을 더 구체적으로 설명하고 이해를 돕기 위해 작성되었다. 하지만 본 발명을 이해할 수 있을 정도로 이 분야의 지식을 갖고 있는 독자는 이러한 여러 가지의 특정적인 내용들이 없어도 사용될 수 있다는 것을 인지할 수 있다. 어떤 경우에는, 발명을 기술하는 데 있어서 흔히 알려졌으면서 발명과 크게 관련 없는 부분들은 본 발명을 설명하는데 있어 별 이유 없이 혼돈이 오는 것을 막기 위해 기술하지 않음을 미리 언급해 둔다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금방법 중 도금 전처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 중 도금 전처리 방법은 전해탈지단계, 에칭 1단계, 디스머트 단계, 에칭 2단계, 징케이트 단계 및 동스트라이크 단계를 포함한다.
전해탈지단계(S110)는 전기분해법으로 도체의 겉표면에 붙어있는 기름을 떼어내는 단계를 말하는 것으로, 마그네슘 모재 표면에 붙어 있는 유해한 지문이나 기름 때를 제거하는 단계이다. 전해탈지단계는 65 내지 80℃에서 60 내지 120초간 수행될 수 있다.
에칭 1단계(S120)는 전해탈지 단계와 마찬가지로 마그네슘 모재의 표면에 묻어 있는 제품에 유해한 지문 또는 기름때를 없애기 위해 수행된다. 에칭은 화학약품의 부식작용을 응용한 표면가공방법으로서 흔히 식각이라고도 한다. 에칭 1단계는 58 내지 62℃에서 30 내지 35초간 수행될 수 있다.
에칭 1단계로 인해 마그네슘 모재 표면의 부식이 일어나 표면에 막이 생기게 된다. 이를 제거하기 위해 디스머트 단계(S130)가 수행된다.
디스머트란 스머트 즉, 앞 공정에서 생긴 검고 결집력이 없는 푸석한 표면 피막을 제거하는 공정을 말하는 것으로, 디스머트 단계는 전해방식으로 이루어지며, 표면의 유기물 및 산화막을 제거한다. 디스머트 단계의 수행으로 에칭 1단계에서의 결과로 생긴 피막을 제거할 수 있다.
디스머트 단계에서 물 1ℓ에 가성소다(수산화나트륨, NaOH)를 100 내지 200(g/ℓ), 불화소다(NaF)를 250 내지 300(g/ℓ)포함할 수 있다. 그리고 디스머트 단계는 65 내지 70℃에서 수행될 수 있다.
종래 디스머트 단계에서 물 1ℓ에 도프리프 F 를 35(g/ℓ), 청화소다(시안화나트륨, NaCN)를 17(g/ℓ)를 포함하고 45 내지 50℃에서 수행되는 경우보다 도금 후의 불량률이 약 47% 줄어드는 효과가 있었다.
이를 표로 나타내면 다음과 같다.
구분 | 종래 디스머트 방법 | 본 발명의 디스머트 방법 |
구성약품 | 도프리프 F(35g/ℓ) 및 청화소다(17g/ℓ) |
가성소다 (150g/ℓ) 및 불화소다 (280g/ℓ) |
작업온도(℃) | 45~50℃ | 65~70℃ |
수율(%) | 32% | 79% |
수율 상승(%) | 47% |
여기에서의 수율이란, 불량품이 생산되지 않는정도를 말하는 것으로서, 전처리의 불완전으로 인해 생기는 불량품에는, 도금이 벗겨지거나 기포가 생기는 경우, 얼룩, 구름낌 등의 광택이 불균일한 경우, 도금의 요철(더덕 부착)의 경우, 핀홀의 발생으로 도금제품의 내식성의 저하 및 도금 피막의 부서짐등을 말한다.
디스머트 단계 이후에는 에칭 2단계(S140)가 수행될 수 있다.
에칭 2단계는, 디스머트 단계 이후에 마그네슘 모재의 표면에 묻어 있을 수 있는 제품에 유해한 지문, 기름 때 등을 제거하는 단계이다.
에칭 2단계는, 물 1ℓ 대비, 피로인산 소다(Na4P2O7)를 40 내지 60(g/ℓ), 일인산가리(일인산칼륨, KH2PO4)를 5 내지 15(g/ℓ) 포함하여 에칭할 수 있다. 그리고 60 내지 65℃에서 수행될 수 있다.
종래 에칭 2단계에서 물 1ℓ에 에틸렌디아민(NH2CH2CH2NH2) 150cc/ℓ를 포함하고 55 내지 60℃에서 수행되는 경우보다 도금 후의 불량률이 약 31% 줄어드는 효과가 있었다.
이를 표로 나타내면 다음과 같다.
구분 | 종래 에칭 2 방법 | 본 발명의 에칭 2 방법 |
구성약품 | 에틸렌디아민(NH2CH2CH2NH2) 150cc/ℓ |
피로인산소다(50g/ℓ) 일인산가리(11g/ℓ) |
작업온도(℃) | 55~60℃ | 60~65℃ |
수율(%) | 52% | 83% |
수율 상승(%) | 31% |
여기에서의 수율이란, 불량품이 생산되지 않는 정도를 말하는 것으로서, 불량의 종류는 디스머트 단계에서의 설명과 동일하다.
에칭 2단계 이후에는 징케이트 단계(S150)가 수행될 수 있다.
징케이트 단계는 아연 치환 및 마그네슘 모재에 부착되어 있는 부착생성물을 제거하는 단계로서 무전해 방식으로 수행된다. 또한, 이후에 수행될 동스트라이크 단계에서 동이 잘 붙을 수 있도록 수행되는 단계이다.
징케이트 단계는, 물 1ℓ 대비 피로인산 소다(Na4P2O7)를 100 내지 150(g/ℓ), 불화소다(NaF)를 250 내지 300(g/ℓ), 염화아연(ZnCl2)을 100 내지 150(g/ℓ) 포함하여 징케이트 단계를 수행할 수 있다.
종래 징케이트 단계를, 피로인산 소다 290(g/ℓ), 염화아연 70(g/ℓ), 룻셀염(87g/ℓ), 불화소다120(g/ℓ)을 포함하고 75 내지 80℃에서 수행되는 경우보다 도금 후의 불량률이 약 35% 줄어드는 효과가 있었다.
이를 표로 나타내면 다음과 같다.
구분 | 종래 징케이트 방법 | 본 발명의 징케이트 방법 |
구성약품 | 피로인산 소다 290(g/ℓ), 염화아연 70(g/ℓ), 룻셀염(87g/ℓ), 불화소다120(g/ℓ) |
피로인산 소다 120(g/ℓ), 염화아연 137(g/ℓ), 불화소다 270(g/ℓ) |
작업온도(℃) | 75~80℃ | 60~62℃ |
수율(%) | 51% | 86% |
수율 상승(%) | 35% |
여기에서의 수율이란, 불량품이 생산되지 않는 정도를 말하는 것으로서, 불량의 종류는 디스머트 단계에서의 설명과 동일하다.
징케이트 단계 이후에는 동스트라이크 도금 단계(S160)가 수행될 수 있다. 마그네슘 모재에 직접 동 도금하면 동이 잘 붙지 않기 때문에 징케이트 단계로 아연의 피막을 형성한 다음 동 도금이 수행될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 전처리 후의 도금 방법을, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 전처리 후의 도금 상태도를 각 나타낸다.
마그네슘 모재의 도금 전처리는 전해탈지단계, 에칭 1단계, 디스머트 단계, 에칭 2단계, 징케이트 단계 및 동스트라이크 단계를 포함하는 것은 앞에서 본 바와 같다. 이로써 마그네슘 모재(10)위에 아연(20)과 동(30)이 덮혀질 수 있다.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네슘 모재의 도금 전처리 이후에는 청화동 도금 단계(S210)와 유산동 도금 단계(S220), 니켈 도금 단계(S230) 및 크롬 도금 단계(S240)를 포함하여 수행된다.
청화동 도금단계(S210)는 전처리 공정에 의해 표면에 아연치환된 마그네슘 모재(10)를 청화동전해탈지액 속에 침지하고, 마그네슘 모재(10)의 표면에 적당한 두께의 청화동도금층(40)이 형성되도록 15 내지 16분간 2.6 내지 2.8V의 전류를 가하여 전기적화학반응을 발생시키는 것으로 구성된다.
이는 전기적 화학반응에 의해 청화동의 동 이온이 마그네슘 모재(10) 표면에 습식전해도금되는 것으로, 상기 아연피막에 의해 마그네슘 모재(10)의 표면이 부식되지 않고 청화동을 습식전해도금으로 청화동도금층(40)을 형성할 수 있는 것이다.
청화동 도금 단계(S210) 이후에는 유산동 도금 단계(S220)가 수행된다. 유산동(50)이란 황산구리를 말하는 것으로 산성의 성질을 가진 동을 말한다.
상기 청화동 도금단계(S210)를 거친 마그네슘 모재(10)를 18 내지 28℃의 유산동전해도금액 속에 침지하고, 청화동도금층(40)이 형성된 마그네슘 모재(10) 표면으로 적당한 두께의 유산동도금층(50)이 형성되도록 4.5 내지 5V의 전류를 20 내지 22분간 가하여 청화동도금층(40)의 표면에 전기적 화학반응을 발생시키는 것으로 구성된다.
유산동 도금 단계(S220) 이후에는 니켈 도금단계(S230)가 수행된다. 니켈(60)이란, 공기, 물, 알칼리 따위에 철보다 덜 침식되는 재질의 은백색 금속원소를 말한다.
유산동 도금 단계(S220)를 거친 마그네슘 모재(10)를 니켈 전해도금액 속에 침지하고, 상기 유산동도금층(50)의 표면으로 적당한 두께의 니켈도금층(60)이 형성되도록 5.95 내지 6.05V의 전류를 10 내지 12분간 가하여 전기적 화학반응을 발생시키는 것으로 구성된다.
이는 유산동 도금단계(S220)에 의해 형성된 유산동도금층(50)에 의해 니켈(60)이온이 용이하게 밀착되어 니켈도금층(60)이 마그네슘 모재(10)의 표면에 더욱 견고하게 형성된다.
니켈 도금 단계(S230) 이후에는 크롬 도금 단계(S240)가 수행된다. 크롬(70)이란, 공기 가운데에서 녹이 슬지 않고 약품에 잘 견디는 은백색의 광택이 나는 단단한 금속 원소를 말한다.
크롬 도금 단계(S240)는 상기 니켈 도금 단계(S230)를 거친 마그네슘 모재(10)를 28 내지 34℃의 3가크롬전해도금액에 침지하고, 니켈도금층(60)이 형성된 표면으로 적당한 두께의 3가크롬도금층(70)이 형성되도록 6.2 내지 6.5V의 전류를 70 내지 150초간 가하여 니켈도금층(60)에 전기적 화학반응을 발생시키는 것으로 구성된다.
도 2에는 청화동 도금단계(S210), 유산동 도금 단계(S220), 니켈 도금 단계(S230) 및 크롬 도금 단계(S240)만 기재하였으나, 각 도금 단계 중간에 수세단계가 포함될 수 있다.
도 1에서의 전처리 공정이 수행된 후 도 2에서의 후처리 공정이 수행되어야만, 도금 후의 불량률이 줄어드는 효과가 있게된다.
즉, 위와 같은 구성의 공정을 통하여, 산과 염분이 포함된 물에 강하게 부식되는 마그네슘 모재(10)에 전자파를 차단하는 청화동과 유산동을 마그네슘 모재(10)의 표면에 부식 없이 습식전해도금법으로 도금층을 형성할 수 있고, 내식성이 있는 니켈을 습식전해도금법으로 마그네슘 모재(10)의 부식 없이 유산동도금층(50)에 밀착된 니켈도금층(60)을 형성할 수 있고, 외관이 미려하고 내열성이 강한 3가크롬도금층(70)을 습식전해도금법으로 형성할 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
10 : 마그네슘 모재 20 : 징케이트 (아연)
30 : 동스트라이크 40 : 청화동
50 : 유산동 60 : 니켈
70 : 크롬
30 : 동스트라이크 40 : 청화동
50 : 유산동 60 : 니켈
70 : 크롬
Claims (8)
- 마그네슘 모재의 표면에 부착된 부착물을 제거하는 에칭 제1 단계;
상기 에칭 1단계에서 생기는 마그네슘 모재 표면의 막을 제거하는 디스머트 단계;
상기 디스머트이후 마그네슘 모재 표면에 부착된 부착물을 제거하는 에칭 제2단계; 및
아연금속피막을 형성하고, 에칭 제2단계에서 생성되는 부착물 제거를 위한 징케이트 단계; 를 포함하며,
상기 디스머트 단계는,
가성소다와 불화소다를 포함하는 디스머트 용액에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 징케이트 단계 이후에는,
동스트라이크 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 디스머트 용액은, 상기 가성소다를 100 (g/ℓ) 내지 200(g/ℓ)을 포함하고, 불화소다를 250 (g/ℓ)내지 300(g/ℓ)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 제2단계는,
피로인산 소다와 일인산가리를 포함하는 에칭액에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 에칭액은, 피로인산 소다 40 (g/ℓ) 내지 60(g/ℓ)와 일인산가리를 5 (g/ℓ)내지 15(g/ℓ)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 징케이트 단계는,
피로인산 소다, 불화소다, 및 염화아연을 포함하는 징게이트액에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 징게이트액은, 피로인산 소다 100 (g/ℓ) 내지 150(g/ℓ), 불화소다를 250(g/ℓ) 내지 300(g/ℓ), 그리고 염화아연을 100 (g/ℓ) 내지 150(g/ℓ)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 모재의 도금방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100018878A KR101217728B1 (ko) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100018878A KR101217728B1 (ko) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110099878A KR20110099878A (ko) | 2011-09-09 |
KR101217728B1 true KR101217728B1 (ko) | 2013-01-02 |
Family
ID=44952536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100018878A KR101217728B1 (ko) | 2010-03-03 | 2010-03-03 | 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101217728B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130122281A (ko) | 2012-04-30 | 2013-11-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 전극 표면의 피막 분석 장치 및 이를 이용한 리튬 이차 전지용 전극 표면의 피막 분석 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000050666A1 (fr) * | 1999-02-25 | 2000-08-31 | Hosaka Inc. | Procede de traitement d'article metallique a base de magnesium et solution de traitement associee |
KR20080111628A (ko) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 한용순 | 마그네슘합금판재의 도금방법 |
KR20090104574A (ko) * | 2008-03-31 | 2009-10-06 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 마그네슘 합금의 표면처리방법 및 표면 처리된 마그네슘합금 |
-
2010
- 2010-03-03 KR KR1020100018878A patent/KR101217728B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000050666A1 (fr) * | 1999-02-25 | 2000-08-31 | Hosaka Inc. | Procede de traitement d'article metallique a base de magnesium et solution de traitement associee |
KR20080111628A (ko) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 한용순 | 마그네슘합금판재의 도금방법 |
KR20090104574A (ko) * | 2008-03-31 | 2009-10-06 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 마그네슘 합금의 표면처리방법 및 표면 처리된 마그네슘합금 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110099878A (ko) | 2011-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100629793B1 (ko) | 전해도금으로 마그네슘합금과 밀착성 좋은 동도금층 형성방법 | |
CN101525711B (zh) | 电镀锌、镍复合镀层镁合金及其电镀方法 | |
US20110114497A1 (en) | Method for surface treatment of magnesium or magnesium alloy by anodization | |
CN105274545A (zh) | 一种铝合金的电镀或化学镀的前处理方法及其用途 | |
US20090211914A1 (en) | Trivalent Chromium Electroplating Solution and an Operational Method Thereof | |
JP4736084B2 (ja) | マグネシウム又はマグネシウム合金からなる製品の製造方法 | |
KR20060073941A (ko) | 마그네슘 또는 마그네슘 합금으로 이루어진 제품 및 이의제조방법 | |
CN105349971A (zh) | 一种铝合金表面改性工艺 | |
JP2013104121A (ja) | 高剥離強度と環境にやさしい微細な粒状表面からなるプリント回路基板用銅箔の製造方法。 | |
CN105088289A (zh) | 铝基镶铜工件的电镀及退镀方法 | |
KR101217728B1 (ko) | 높은 수율의 마그네슘 모재의 도금 방법 | |
WO2015015524A1 (en) | Surface treatment method and electroless nickel plating of magnesium alloy | |
JPH1046366A (ja) | アルミニウム合金用エッチング液およびエッチング方法 | |
KR100783006B1 (ko) | 동 도금된 마그네슘합금 및 그 형성방법 | |
KR101191564B1 (ko) | 마그네슘 합금의 표면 처리방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 마그네슘 합금 | |
KR100881061B1 (ko) | 마그네슘합금판재의 도금방법 | |
JP2021101037A (ja) | 表面処理銅箔及びその製造方法 | |
JP3604572B2 (ja) | マグネシウム合金部材のめっき方法およびマグネシウム合金めっき部材ならびに該部材のめっき剥離方法 | |
KR101383323B1 (ko) | 무전해 도금방법 및 무전해 도금 피처리물 | |
US20130327435A1 (en) | Coated stainless steel member | |
US6589413B2 (en) | Method of making a copper on INVAR® composite | |
KR101235556B1 (ko) | 다중 도금법에 의한 편광필름 제조설비용 가이드 롤러의 제조방법 | |
KR100402730B1 (ko) | 마그네슘합금에 동-니켈 도금층을 전해 도금으로 형성하는방법 | |
KR20020000855A (ko) | 마그네슘 합금에 양극산화피막을 형성한 후 그 위에동도금층 및 니켈도금층을 전해도금으로 형성하는 방법 | |
TWI415742B (zh) | A method for manufacturing fine grain copper foil with high peel strength and environmental protection for printed circuit board tool |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160628 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |