KR101216527B1 - 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치 - Google Patents

유도가열방식을 이용한 진공 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101216527B1
KR101216527B1 KR1020110019262A KR20110019262A KR101216527B1 KR 101216527 B1 KR101216527 B1 KR 101216527B1 KR 1020110019262 A KR1020110019262 A KR 1020110019262A KR 20110019262 A KR20110019262 A KR 20110019262A KR 101216527 B1 KR101216527 B1 KR 101216527B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
induction heating
deposition apparatus
housing
vacuum deposition
crucible
Prior art date
Application number
KR1020110019262A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120100398A (ko
Inventor
정상헌
이재경
Original Assignee
(주)와이에스썸텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)와이에스썸텍 filed Critical (주)와이에스썸텍
Priority to KR1020110019262A priority Critical patent/KR101216527B1/ko
Publication of KR20120100398A publication Critical patent/KR20120100398A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101216527B1 publication Critical patent/KR101216527B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치에 관한 것으로서, 하우징(210), 하우징(210)의 내부에 위치하는 도가니(220), 도가니(220)의 내부에 형성되어 소스가 주입되는 소스수납부(240), 하우징(210)의 내부에 위치하되, 도가니(220)의 외부에서 자기장에 의해 발생되는 유도전류를 열원으로 사용하는 유도가열코일(230), 유도가열코일(230)에서 발생되는 자기장에 의한 전자기유도 현상에 의해 가열되는 도가니(220)에 형성되되 하우징(210)으로부터 돌출되게 형성된 적어도 하나의 노즐부재(221)를 포함한다.

Description

유도가열방식을 이용한 진공 증착장치{Vacuum Vapor Deposition Apparatus using Induction Heating Method}
본 발명은 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치에 관한 것으로서, 반응챔버에 착탈가능한 진공 증착장치를 형성하되, 비접촉식 유도가열방식에 의해 소스를 승화시켜 기판에 증착되도록 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치에 관한 것이다.
기판에 박막을 형성하는 방법은 코팅, 인쇄법, 열증착법, 물리기상증착법, 화학기상증착법 및 VTD(Vapor Transport Distribution)법 등 여러 가지 방법이 있다.
최근에는 VTD법을 이용한 진공 증착장치가 많이 개발되고 있는데, VTD법을 사용할 경우 승화된 소스의 온도가 균일하지 않아서 소스를 배출하는 슬릿에 잔유물이 발생하는 문제점이 발생하고, 승화된 소스가 슬릿에서 균일하게 배출되지 않기 때문에 기판에 증착된 소스 역시 두께가 균일적이지 않아 대면적 적용이 어려운 문제점이 발생한다.
도 1은 종래기술에 따른 VTD 방식을 이용한 진공 증착장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 VTD 방식을 이용한 진공 증착장치(100)는 하우징(110), 제1 히트부(120), 수납부(130), 제2 히트부(140), 제3 히트부(150), 제4 히트부(160)로 구성된다.
하우징(110)은 내부에 위치하는 제1 히트부(120)와 하우징(110)의 하부에 위치하는 제2 히트부(140) 및 제3 히트부(150)로부터 전도되는 열을 외부로 차단한다.
제1 히트부(120)는 하우징(110)의 내부에 형성되어 수납부(130)에 수납되는 소스(131)에 열을 가하여 소스(131)를 승화시킨다. 아울러, 제1 히트부(120)의 하부에는 슬릿(121)이 형성되어 승화된 소스(131)가 밖으로 배출될 수 있도록 한다.
제2 히트부(140)와 제3 히트부(150)는 제1 히트부(120)의 슬릿(121)으로부터 배출되는 승화된 소스(131)의 기체상태가 지속적으로 유지되도록 하기 위해서 지속적으로 열을 발생한다. 제3 히트부(150)는 슬릿(121)으로부터 배출되는 소스(131)의 배출진행 방향을 가이드하기 위한 가이드부(151)가 형성된다.
제4 히트부(160)에는 기판(170)이 안착되고, 안착된 기판(170)에는 슬릿(121)을 통해 배출되는 승화된 소스(131)가 증착된다.
그러나, 상기와 같은 종래기술은 제2 히트부(140) 및 제3 히트부(150)와 기판(170)의 거리가 매우 가까워 열에 의해 기판(170)에 형성된 소자가 손상되는 문제점이 발생한다. 또한, 승화된 소스(131)의 온도를 균일하게 하기 위해서 즉, 승화된 소스(131)가 다시 고체화되는 것을 방지하기 위해서 다수개의 히트부를 사용해야 하므로 설계가 복잡하고 비용이 많이 소모되는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 VDT 방법을 이용하되, 소스를 비접촉식 유도가열방식에 의해 승화시키고, 도가니의 외부에 형성된 하우징에 냉각장치를 형성하여 열로 인해 기판에 손상이 발생되는 현상을 방지할 수 있는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치는 하우징(210), 상기 하우징(210)의 내부에 위치하는 도가니(220), 상기 도가니(220)의 내부에 형성되어 소스가 주입되는 소스수납부(240), 상기 하우징(210)의 내부에 위치하되, 도가니(220)의 외부에서 자기장에 의해 발생되는 유도전류를 열원으로 사용하는 유도가열코일(230), 상기 유도가열코일(230)에서 발생되는 자기장에 의한 전자기유도 현상에 의해 가열되는 상기 도가니(220)에 형성되되 상기 하우징(210)으로부터 돌출되게 형성된 적어도 하나의 노즐부재(221)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하우징(210)은, 상기 노즐부재(221)가 형성된 위치가 개구된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 노즐부재(221)는, 제1 노즐부재(221a)와 제2 노즐부재(221b)로 형성되어 승화된 상기 소스가 배출되는 슬릿(222)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하우징(210)은, 반응챔버(300)에 착탈가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하우징(210)은, 반응챔버(300)에 실장가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 소스수납부(240)의 양 끝단에 체결되어 상기 소스수납부(240)를 밀폐하는 밀폐부재(250)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하우징(210)의 외부에 형성되어 상기 하우징(210)의 열을 냉각시키기 위한 냉각부재(260)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하우징(210)은, 제1 하우징(211), 제2 하우징(212) 및 받침대(213)로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 받침대(213)에 체결되어 상기 도가니(220)를 거치하는 거치대(270)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 노즐부재(221)의 제2 노즐부재(221b)는, 상기 소스수납부(240)로부터 승화된 소스가 기판에 증착되도록 상기 소스의 배출방향을 가이드하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 도가니(220)의 일측에 형성되어 상기 소스수납부(240)에 캐리어가스를 공급하는 가스주입부(280)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스주입부(280)가 형성된 도가니(220)의 타측에 형성되어 상기 소스수납부(240) 내부의 온도를 측정하는 온도측정부(290)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 도가니(220)는, 유도가열이 가능한 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 도가니(220)는, Boron Nitride, SiC, Copper, Graphite, Molybdenum, Nickel, Tantalum, Tungsten 중 적어도 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유도가열코일(230)은, 알루미나, 질화 규소, 탄화 규소 중 적어도 어느 하나의 절연체로 코팅되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유도가열코일(230)은, 상기 도가니(220)의 열을 단열하는 단열재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 승화 또는 기화 온도가 서로 다른 두 개 이상의 소스를 수납하기 위한 복수개의 소스수납부와, 승화 또는 기화된 서로 다른 두 개 이상의 소스가 혼합될 하나의 수납부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유도가열코일(230)은, 내부에 냉각수가 흐르는 냉각수 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면 본 발명은 VDT 방법을 이용하되, 소스를 비접촉식 유도가열방식에 의해 승화시키고, 도가니의 외부에 형성된 하우징에 냉각장치를 형성하여 열로 인해 기판에 손상이 발생되는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 VTD 방식을 이용한 진공 증착장치를 나타내는 단면도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치를 개략적으로 도시한 단면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치를 반응챔버에 연결한 상태를 개략적으로 도시한 단면도
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치(200, 이하 진공 증착장치라 함)는 하우징(210), 도가니(220), 유도가열코일(230), 소스수납부(240), 밀폐부재(250), 냉각부재(260), 받침대(213), 거치대(270), 가스주입부(280), 온도측정부(290)를 포함한다.
하우징(210)은 제1 하우징(211)과 제2 하우징(212)으로 형성되고, 제1 하우징(211)과 제2 하우징(212)은 받침대(213)에 의해 연결된다. 하우징(210)은 받침대(213)에 의해 반응챔버(300)에 착탈이 가능하도록 설계된다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 반응챔버(300)는 하우징(210)에 실장되도록 설계될 수도 있다.
도가니(220)는 하우징(210)의 내부에 형성된다. 이때, 도가니(220)는 절연성 재질로 형성되어 유도가열코일(230)로부터 발생되는 자기장에 의해 도가니(220)에는 전자기유도 현상이 나타나고, 이로 인해, 소용돌이 전류가 발생하여 도가니(220)에 열이 발생되는 인덕션 히팅의 원리를 이용한다.
노즐부재(221)는 도가니(220)와 일체로 형성되되, 하우징(210)의 외부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 아울러, 노즐부재(221)는 제1 노즐부재(221a)와 제2 노즐부재(221b)로 형성되되, 제1 노즐부재(221a)와 제2 노즐부재(221b)는 특정 간격으로 이격되어 도가니(220)에 슬릿(222)을 형성한다. 노즐부재(221)는 도가니(220)에 발생된 열이 전도되어 도가니(220)에서 승화된 소스가 기체상태를 유지할 수 있도록 한다.
제2 노즐부재(221b)는 제1 노즐부재(221a)보다 길이가 길게 형성되어 슬릿(222)을 통해 배출되는 승화된 소스가 제1 노즐부재(221a)의 방향으로 배출되도록 하는 가이드부재의 역할을 수행한다.
이때, 도가니(220)는 보론 나이트라이드(BN), 실리콘 카바이드(SiC), 흑연(Graphite), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다.
유도가열코일(230)은 하우징(210)의 내부에 형성되되, 도가니(220)의 일부를 감싸는 형태로 형성될 수 있다. 또한, 유도가열코일(230)은 노즐부재(221)가 형성된 위치를 제외한 도가니(220)의 전면에 감겨져 위치할 수 있으며, 도가니(220)의 일측 또는 삼측면에 감겨져 위치할 수 있다.
유도가열코일(230)은 자기장에 의해 발생되는 유도전류를 열원으로 이용한다. 유도가열코일(230)의 상부에 금속재질로 형성된 도가니(220)가 위치하기 때문에, 도가니(220)에서는 전자기유도 현상에 의해 소용돌이 전류가 발생하고 줄열에 의해 도가니(220)가 가열되는 인덕션 히팅의 원리를 이용한다.
유도가열코일(230)은 구리코일로 형성될 수 있고 내부에는 냉각수가 흐르도록 냉각수 통로가 마련될 수 있으며, 진공에서 유도가열코일(230)과 도가니(220)에서 아크나 플라즈마 발생을 방지하고, 도가니(220)로부터 발생하는 복사열을 차단하기 위해서 알루미나, 질화 규소, 탄화 규소 중 적어도 어느 하나로)코팅할 수 있다.
소스수납부(240)는 도가니(220)의 내부에 형성되어 기판에 박막 또는 후막을 형성하는 소스가 수납된다. 소스는 CdTe 등과 같은 소스로써, 파우더 형태, 봉 형태, 바 형태 등 다양한 형태로 소스수납부(240)에 수납될 수 있다. 소스수납부(240)의 양 끝단에는 소스수납부(240)를 밀폐하기 위한 밀폐부재(250)와 체결될 결합부(미도시)가 형성된다.
아울러, 소스수납부(240)에 수납된 소스가 모두 승화 또는 기화된 경우, 결합부와 밀폐부재(250)의 체결을 해제하여 소스수납부(240)에 소스를 추가로 공급할 수 있다.
또한, 도시되지는 않았으나, 소스수납부(240)에 수납될 소스가 두 종류 이상일 경우에 도가니(220)에는 각각의 소스가 수납될 복수의 소스수납부를 형성하고, 각 소스수납부에서 승화 또는 기화된 각각의 소스를 결합하기 위한 소스결합부(미도시)가 추가로 형성될 수 있다. 이 경우, 소스결합부에서 결합된 복수의 소스가 슬릿(222)을 향해 배출된다.
유도가열코일(230)에 의해 발생된 열에 의한 도가니(220)의 온도가 특정 온도 이상이 되면 도가니(220)의 내부에 형성된 소스수납부(240)에 수납된 소스는 승화 또는 기화되어 도가니(220)에 형성된 슬릿(222)을 통해 배출된다.
밀폐부재(250)에는 소스수납부(240)에 형성된 결합부와 체결되기 위해, 나사산 등의 형태가 형성될 수 있다.
받침대(213)는 제1 하우징(211)과 제2 하우징(212)을 연결하여 하나의 하우징(210)을 만들고, 하우징(210)이 반응챔버(300)에 장착될 때 걸림턱 역할을 수행함과 동시에 반응챔버(300)가 진공상태를 유지할 수 있도록 한다. 또한, 받침대(213)의 내부에는 제1 냉각부재(261)가 형성된다. 또한, 받침대(213)에는 거치대(270)가 체결되어 도가니(220)가 하우징(210)의 내부에 위치할 수 있게 한다.
제1 냉각부재(261)는 받침대(213)의 내부에 형성되어 유도가열코일(230)에 의하여 도가니(220)에서 발생되는 열에 의해 하우징(210)으로 전도된 열을 냉각시키는 역할을 수행한다.
또한, 제2 냉각부재(262)는 하우징(210)의 외부에 형성되어 유도가열코일(230)에 의하여 도가니(220)에서 발생되는 열에 의해 하우징(210)으로 전도된 열을 냉각시키는 역할을 수행한다.
제1 냉각부재(261)와 제2 냉각부재(262)는 하우징(210)으로 전도된 열을 냉각시켜 하우징(210)의 온도를 특정 온도 이하로 유지함으로써, 하우징(210)의 외부 즉, 슬릿(222)과 가까운 위치에서 이송되는 기판이 열로 인해 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
보다 구체적으로, 종래에는 도가니(220)에서 발생되는 열을 제대로 냉각시키지 못하여 기판이 열로 인하여 손상되는 현상이 발생하는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명에서는 도가니(220)에서 발생되어 하우징(210)에 전도되는 열을 효율적으로 냉각시켜 기판의 손상을 최소한으로 제한하며, 노즐부재(221)를 이용하여 소스가 승화 또는 기화되는 특정 온도 이상이 되도록 유지함으로써, 기판에 소스를 균일적으로 증착되게 할 수 있는 효과가 있다.
거치대(270)는 받침대(213)와 체결되고, 도가니(220)의 양 끝단과 체결된다. 이때, 거치대(270)는 도가니(220)의 양 끝단에 체결되는 밀폐부재(250)와 체결될 수 있고, 절연 세라믹(271)을 통해 도가니(220)와 연결되어 도가니(220)를 하우징(210) 내부에 거치할 수 있다. 이때, 절연 세라믹(271)은 거치대(270)와 도가니(220)의 열전달 및 통전을 방지할 수 있다.
가스주입부(280)는 도가니(220)에 캐리어가스를 주입하기 위해 도가니(220)의 양 끝단 중 어느 하나의 끝단을 관통하여 도가니(220)에 형성된 소스수납부(240)에 연결된다. 캐리어가스는 도가니(220) 내부의 압력과 반응챔버의 압력차이가 작아서, 승화된 소스가 기판까지 용이하게 도달되지 않는 상황이 발생할 경우, 승화된 소스가 기판에 용이하게 도달될 수 있도록 주입된다.
이때, 가스주입부(280)는 밀폐부재(250)를 관통하여 소스수납부(240)에 연결될 수 있고, 도가니(220)의 특정 부분을 통해 소스수납부(240)에 연결될 수 있다.
온도측정부(290)는 소스수납부(240)의 양 끝단 중 어느 하나의 끝단을 관통하여 형성되되, 가스주입부(280)가 형성된 끝단이 반대편에 형성될 수 있다. 온도측정부(290)는 소스수납부(240) 내부의 온도를 측정하기 위해 형성된다.
온도측정부(290)는 밀폐부재(250)를 관통하여 소스수납부(240)에 연결될 수 있고, 도가니(220)의 특정 부분을 통해 소스수납부(240)에 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치를 반응챔버에 연결한 상태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 진공 증착장치(200)를 반응챔버(300)에 연결한 장치는 크게 진공 증착장치(200)와 반응챔버(300)를 포함한다.
진공 증착장치(200)는 도 2의 설명에서 기술하였으므로 상세한 설명을 생략한다.
반응챔버(300)는 기판(340)이 인입되는 입구(310), 기판(340)이 이송되는 다수개의 롤러(330), 롤러(330)를 따라 이송된 기판(340)이 인출되는 출구(320) 및 진공 증착장치(200)가 탈착되는 탈착부(350)로 구성된다. 또한, 반응챔버(300)의 크기를 최소화하기 위해 기판(340)이 이송되는 것이 아니라 진공 증착장치(200)가 기판(340) 위를 이동하며 소스가 증착될 수 있다.
기판(340)은 입구(310)에서 출구(320)의 방향으로 롤러(330)에 의해 이송되고, 이송되는 기판(340)의 상부에는 진공 증착장치(200)의 슬릿(222)으로부터 배출되는 기화된 소스가 증착된다.
본 발명의 실시예에서는 반응챔버(300)의 상부에 탈착부(350)가 형성되어 기판(340)이 진공 증착장치(200)의 하부에 위치하는 상태를 예로 설명하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반응챔버(300)의 하부에 탈착부(350)가 형성된 경우, 진공 증착장치(200)의 슬릿(222)은 위쪽을 향하게 되어 기판(340)이 진공 증착장치(200)의 상부에 위치하게 된다.
도시되지는 않았으나, 반응챔버(300)의 내부는 진공펌프에 의해 진공상태를 유지할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 하기에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
200: 진공 증착장치
210: 하우징 211: 제1 하우징
212: 제2 하우징 213: 받침대
220: 도가니 221: 노즐부재
221a: 제1 노즐부재 221b: 제2 노즐부재
222: 슬릿 230: 유도가열코일
240: 소스수납부 250: 밀폐부재
260: 냉각부재 261: 제1 냉각부재
262: 제2 냉각부재 270: 거치대
271: 절연 세라믹 280: 가스주입부
290: 온도측정부 300: 반응챔버
310: 입구 320: 출구
330: 롤러 340: 기판
350: 탈착부

Claims (18)

  1. 하우징(210);
    상기 하우징(210)의 내부에 위치하는 도가니(220);
    상기 도가니(220)의 내부에 형성되어 소스가 주입되는 소스수납부(240);
    상기 하우징(210)의 내부에 위치하되, 도가니(220)의 외부에서 자기장에 의해 발생되는 유도전류를 열원으로 사용하는 유도가열코일(230);
    상기 유도가열코일(230)에서 발생되는 자기장에 의한 전자기유도 현상에 의해 가열되는 상기 도가니(220)에 형성되되 상기 하우징(210)으로부터 돌출되게 형성된 적어도 하나의 노즐부재(221);를 포함하되,
    상기 하우징(210)은,
    제1 하우징(211), 제2 하우징(212) 및 받침대(213)로 형성된 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하우징(210)은,
    상기 노즐부재(221)가 형성된 위치가 개구된 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 노즐부재(221)는,
    제1 노즐부재(221a)와 제2 노즐부재(221b)로 형성되어 승화된 상기 소스가 배출되는 슬릿(222)을 형성하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 하우징(210)은,
    반응챔버(300)에 착탈가능한 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하우징(210)은,
    반응챔버(300)에 실장가능한 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 소스수납부(240)의 양 끝단에 체결되어 상기 소스수납부(240)를 밀폐하는 밀폐부재(250);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 하우징(210)의 외부에 형성되어 상기 하우징(210)의 열을 냉각시키기 위한 냉각부재(260);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 받침대(213)에 체결되어 상기 도가니(220)를 거치하는 거치대(270);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 제2 노즐부재(221b)는,
    상기 소스수납부(240)로부터 승화된 소스가 기판에 증착되도록 상기 소스의 배출방향을 가이드하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 도가니(220)의 일측에 형성되어 상기 소스수납부(240)에 캐리어가스를 공급하는 가스주입부(280);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가스주입부(280)가 형성된 도가니(220)의 타측에 형성되어 상기 소스수납부(240) 내부의 온도를 측정하는 온도측정부(290);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 도가니(220)는,
    유도가열이 가능한 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 도가니(220)는,
    Boron Nitride, SiC, Copper, Graphite, Molybdenum, Nickel, Tantalum, Tungsten 중 적어도 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 유도가열코일(230)은,
    알루미나, 질화 규소, 탄화 규소 중 적어도 어느 하나의 절연체로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 유도가열코일(230)은,
    상기 도가니(220)의 열을 단열하는 단열재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  17. 제1항에 있어서,
    승화 또는 기화 온도가 서로 다른 두 개 이상의 소스를 수납하기 위한 복수개의 소스수납부와, 승화 또는 기화된 서로 다른 두 개 이상의 소스가 혼합될 하나의 수납부;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 유도가열코일(230)은,
    내부에 냉각수가 흐르는 냉각수 통로;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치.
KR1020110019262A 2011-03-04 2011-03-04 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치 KR101216527B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110019262A KR101216527B1 (ko) 2011-03-04 2011-03-04 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110019262A KR101216527B1 (ko) 2011-03-04 2011-03-04 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120100398A KR20120100398A (ko) 2012-09-12
KR101216527B1 true KR101216527B1 (ko) 2012-12-31

Family

ID=47110140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110019262A KR101216527B1 (ko) 2011-03-04 2011-03-04 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101216527B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106835029A (zh) * 2016-12-28 2017-06-13 武汉华星光电技术有限公司 高频感应蒸发源装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101520639B1 (ko) * 2013-05-31 2015-05-15 에스엔유 프리시젼 주식회사 유도가열을 이용한 기화 장치 및 이를 구비한 진공증착시스템
KR101701865B1 (ko) * 2015-01-30 2017-02-02 한국표준과학연구원 유도 가열 선형 증발 증착 장치
KR102123328B1 (ko) * 2018-08-31 2020-06-26 안호현 고순도 용융소금 제조장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100767036B1 (ko) 2006-05-24 2007-10-12 세메스 주식회사 노즐부를 구비한 증발원

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100767036B1 (ko) 2006-05-24 2007-10-12 세메스 주식회사 노즐부를 구비한 증발원

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106835029A (zh) * 2016-12-28 2017-06-13 武汉华星光电技术有限公司 高频感应蒸发源装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120100398A (ko) 2012-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101216527B1 (ko) 유도가열방식을 이용한 진공 증착장치
JP6417390B2 (ja) Cvdプラズマ処理の方法
JP2019007082A (ja) 蒸発器、堆積アレンジメント、堆積装置及びこれらを操作する方法
US20120040516A1 (en) Method and device for depositing semiconductor film on substrate using close-spaced sublimation process
KR101084333B1 (ko) 유기전계발광 디스플레이 패널 제조용 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
TWI781929B (zh) 瀉流單元和含有瀉流單元的沉積系統以及相關方法
JP2019515132A5 (ko)
KR101611669B1 (ko) 가열장치 및 이를 포함하는 코팅기구
WO2018028872A1 (en) System and method for gas phase deposition
JP6647202B2 (ja) 堆積アレンジメント、堆積装置、及びこれらの操作方法
JP2016540892A5 (ko)
JPWO2018199184A1 (ja) 蒸発源及び成膜装置
KR20180047087A (ko) 유도 가열 증발 증착 장치
JP6845286B2 (ja) ステージ、ステージを備える成膜装置または膜加工装置、および基板の温度制御方法
US7985295B1 (en) RF heater arrangement for substrate heating apparatus
KR101974005B1 (ko) 유도 가열 증발 증착 장치
KR101128348B1 (ko) 기화기
KR101520335B1 (ko) 기판 증착 장치
JP6982695B2 (ja) 蒸着源及び真空処理装置
KR101365467B1 (ko) 박막 증착 장치
JP4344631B2 (ja) 有機物薄膜堆積用分子線源
KR101749570B1 (ko) 유도 가열 선형 증발 증착 장치
KR20170047493A (ko) 선형 증발 증착 장치
TW202012662A (zh) 用於在真空腔室中蒸發沉積材料的蒸發源、用於蒸發沉積材料的系統以及用於操作蒸發源的方法
JP2005048242A (ja) 薄膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160121

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161221

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171221

Year of fee payment: 6