KR101201178B1 - 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 엑스선 이미지 센서용 격자 구조화된 섬광체 패널 및 그 제조방법에 대한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널은 복수의 섬광체와, 섬광체지지부를 포함한다. 상기 섬광체지지부는 엑스선을 통과시킬 수 있으며, 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 섬광체를 감싼다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 노광단계와, 현상단계와, 섬광체지지부형성단계와, 반사층증착단계와, 섬광체형성단계를 포함한다. 상기 노광단계는 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 단계이다. 상기 현상단계는 상기 노광된 감광막을 현상하는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머로 된 섬광체지지부를 형성하는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 섬광체가 삽입될 상기 섬광체지지부의 내부에 반사층을 증착하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 반사층이 증착된 섬광체지지부의 내부에 섬광체를 형성시키는 단계이다.
섬광체패널, 엑스선, 영상센서, 격자구조
Description
본 발명은 엑스선 이미지 센서용 격자 구조화된 섬광체 패널 및 그 제조방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속 및 폴리머 기판에 마이크로 격자 구조를 만든 후 표면에 반사층을 증착하고 섬광체를 채워 형성하거나, 반사층 대신 섬광체 구조와 섬광체 지지부 또는 섬광체 구조와 이웃 섬광체 구조간의 계면에서 굴절율의 차이를 이용해 구현한 대량 생산에 용이한 구조의 엑스선 이미지 센서용 격자 구조화된 섬광체 패널 및 그 제조방법에 대한 것이다.
현재 평판 형태의 섬광체 패널을 제작하는 방법으로는 진공 챔버 속에서 섬광체를 증발시켜 증착하는 방법, 하나 또는 두 가지 이상의 섬광체를 용액으로 만들어 닥터 블레이딩, 실크스크린, 침전법 등으로 도포하는 방법 등이 있다. 하지만 이렇게 섬광체만 있는 경우 엑스선이 섬광체 내부에서 반응한 후 발생된 빛의 퍼짐으로 인해 공간해상도가 저하되는 단점이 있다. 또한 마이크로 격자 구조를 이용하여 빛의 퍼짐을 방지하고 공간해상도를 증가시키는 방법이 있으나 제작을 위해서는 실리콘 건식식각을 이용하는 방법, 실리콘을 전기 화학적 식각 방법 등을 이용하여 고종횡비 구조물을 제작하는 방법이 필요하다. 하지만 이러한 방법들은 고가의 공정장비가 필요하거나 공정비용이 많이 들고, 공정 시간이 길다는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 기술인 평판 형태의 섬광체와 마이크로 격자 구조를 이용한 섬광체에서 문제시되었던 내부에 빛의 퍼짐과 낮은 Fill Factor를 동시에 해결할 수 있는 고해상도, 고감도의 섬광체 패널을 제작하는데 그 목적이 있다.
본 발명에서 제안된 매우 간단한 제작공정은 유연하며 높은 해상도와 높은 감도를 특성으로 하는 Fill Factor 100%에 가까운 엑스선 이미지 센서용 격자 구조화된 섬광체 패널을 저렴하고, 짧은 시간 내에 제작할 수 있어 대량 생산에 용이한 구조를 가지는 장점이 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널은 복수의 섬광체와, 섬광체지지부를 포함한다. 상기 섬광체지지부는 엑스선을 통과시킬 수 있으며, 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 섬광체를 감싼다.
또한, 상기의 섬 광체패널은 상기 섬광체지지부와 상기 섬광체 사이에서 상기 섬광체를 감싸는 반사층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 섬광체패널에 있어서, 상기 섬광체는 격자구조로 배열되며, 상기 반사층을 사이에 두고 서로 접촉하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 섬광체패널에 있어서, 상기 섬광체는 격자구조로 배열되며, 서로 굴절률이 상이한 섬광체끼리 서로 접촉하는 것이 가능하다.
또한, 상기의 섬광체패널에 있어서, 상기 섬광체지지부는 금속인 것이 가능 하다.
또한, 상기의 섬광체패널은 상기 섬광체의 일면에 형성된 섬광체보호층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널은 섬광체환봉다발 절편과, 반사층을 포함한다. 상기 섬광체환봉다발 절편은 반사막으로 코팅된 섬광체환봉다발을 일정크기로 절단하여 구비한다. 상기 반사층은 상기 섬광체환봉다발 절편의 일면에 증착된다.
또한, 상기의 섬광체패널은 상기 섬광체환봉다발 절편의 타면에 형성된 섬광체보호층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 노광단계와, 현상단계와, 섬광체지지부형성단계와, 반사층증착단계와, 섬광체형성단계를 포함한다. 상기 노광단계는 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 단계이다. 상기 현상단계는 상기 노광된 감광막을 현상하는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머로 된 섬광체지지부를 형성하는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 섬광체가 삽입될 상기 섬광체지지부의 내부에 반사층을 증착하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 반사층이 증착된 섬광체지지부의 내부에 섬광체를 형성시키는 단계이다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 섬광체형성단계는 섬광체주입단계와, 압착단계와, 경화단계를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 섬광체주입 단계는 액상섬광체를 상기 섬광체지지부의 내부에 주입하는 단계이다. 상기 압착단계는 기판으로 상기 액상섬광체를 덮은 다음 롤러로 상기 기판을 압착하는 단계이다. 상기 경화단계는 상기 액상섬광체를 경화시키는 단계이다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 노광단계에서 음성감광막을 사용하여 노광하는 것이 가능하다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 현상단계후 상기 현상된 감광막을 이용하여 상기 감광막에 형합하는 폴리머몰드를 형성하는 몰드형성단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 몰드형성단계는 상기 감광막을 사용하여 캐스팅으로 상기 폴리머몰드를 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 몰드형성단계는 액상폴리머주입단계와, 압착단계와, 경화단계를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 액상폴리머주입단계는 액상폴리머를 상기 감광막의 내부에 주입하는 단계이다. 상기 압착단계는 기판으로 상기 액상폴리머를 덮은 다음 롤러로 상기 기판을 압착하는 단계이다. 상기 경화단계는 상기 액상폴리머를 경화시키는 단계이다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 노광단계에서 양성감광막을 사용하여 노광하는 것이 가능하다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 노광단계와, 현상단계와, 반사층증착단계와, 섬광체형성단계와, 섬광체지지부형성단계를 포함한다. 상기 노광단계는 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감 광막에 노광하는 단계이다. 상기 현상단계는 섬광체가 삽입될 수 있도록 상기 노광된 감광막을 현상하는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 섬광체가 삽입될 상기 감광막에 내부에 반사층을 형성하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 반사층이 형성된 상기 감광막의 내부에 섬광체를 형성하는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 상기 섬광체를 상기 감광막에서 분리하여 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 섬광체지지부를 상기 섬광체에 결합시키는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 노광단계와, 현상단계와, 섬광체지지부형성단계와, 씨앗층증착단계와, 금속몰드형성단계와, 패턴전사단계와, 반사층증착단계와, 섬광체형성단계를 포함한다. 상기 노광단계는 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 단계이다. 상기 현상단계는 상기 노광된 감광막을 현상하는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머몰드로 된 섬광체지지부를 형성하는 단계이다. 상기 씨앗층증착단계는 상기 섬광체지지부의 내부에 금속씨앗층을 증착하는 단계이다. 상기 금속몰드형성단계는 전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 단계이다. 상기 패턴전사단계는 상기 금속몰드를 상기 섬광체지지부로부터 분리한 후 다른 섬광체지지부를 형성하기 위하여 상기 금속몰드를 사용하여 폴리머판에 상기 금속몰드의 패턴을 전사하는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 패턴전사단계에 의하여 형성된 상기 다른 섬광체지지부의 내부에 반사층을 형성하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 반사층이 형성된 상기 다른 섬광체지지부에 섬광체를 형성하는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 노광단계와, 현상단계와, 섬광체지지부형성단계와, 씨앗층증착단계와, 금속몰드형성단계와, 패턴전사단계와, 섬광체형성단계를 포함한다. 상기 노광단계는 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 단계이다. 상기 현상단계는 상기 노광된 감광막을 현상하는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머몰드로 된 섬광체지지부를 형성하는 단계이다. 상기 씨앗층증착단계는 상기 섬광체지지부의 내부에 금속씨앗층을 증착하는 단계이다. 상기 금속몰드형성단계는 전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 단계이다. 상기 패턴전사단계는 상기 금속몰드를 상기 섬광체지지부로부터 분리한 후 다른 섬광체지지부를 형성하기 위하여 상기 금속몰드를 사용하여 반사층이 형성된 폴리머판에 상기 금속몰드의 패턴을 전사하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 패턴전사단계에 의하여 형성된 상기 다른 섬광체지지부에 섬광체를 형성하는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 노광단계와, 현상단계와, 씨앗층증착단계와, 금속몰드형성단계와, 섬광체형성단계를 포함한다. 상기 노광단계는 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 단계이다. 상기 현상단계는 상기 노광된 감광막을 현상하는 단계이다. 상기 씨앗층증착단계는 상기 현상된 감광막에 금속씨앗층을 증착하는 단계이다. 상기 금속몰드형성단계는 전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 금속몰드를 상기 감광막에서 분리한 후 상기 금속몰드에 섬 광체를 결합시키는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 몰드형성단계와, 섬광체삽입단계와, 지지필름부착단계와, 몰드분리단계와, 다른 섬광체형성단계와, 지지필름제거단계와, 반사층증착단계와, 섬광체지지부형성단계를 포함한다. 상기 몰드형성단계는 섬광체가 삽입되기 위한 복수의 섬광체홈이 형성된 몰드를 형성하는 단계이다. 상기 섬광체삽입단계는 상기 섬광체홈에 섬광체를 삽입하는 단계이다. 상기 지지필름부착단계는 상기 섬광체가 결합하도록 상기 몰드의 일면에 지지필름을 부착시키는 단계이다. 상기 몰드분리단계는 상기 섬광체 및 상기 지지필름으로부터 상기 몰드를 분리시키는 단계이다. 상기 다른 섬광체형성단계는 상기 섬광체 사이에 다른 굴절률을 가진 섬광체를 형성시키는 단계이다. 상기 지지필름제거단계는 상기 섬광체들로부터 상기 지지필름을 분리시키는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 섬광체들의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 몰드형성단계와, 섬광체삽입단계와, 지지필름부착단계와, 몰드분리단계와, 반사층증착단계와, 반사층 일부제거단계와, 섬광체형성단계와, 지지필름제거단계와, 반사층 재증착단계와, 섬광체지지부형성단계를 포함한다. 상기 몰드형성단계는 섬광체가 삽입되기 위한 복수의 섬광체홈이 형성된 몰드를 형성하는 단계이다. 상기 섬광체삽입단계는 상기 섬광체홈에 섬광체를 삽입하는 단계이다. 상기 지지필름부착 단계는 상기 섬광체가 결합하도록 상기 몰드의 일면에 지지필름을 부착시키는 단계이다. 상기 몰드분리단계는 상기 섬광체 및 상기 지지필름으로부터 상기 몰드를 분리시키는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 지지필름에 접착된 섬광체에 반사층을 증착시키는 단계이다. 상기 반사층 일부제거단계는 상기 섬광체의 단부에 증착된 반사층을 제거하는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 반사층으로 서로 접촉하도록 상기 각각의 섬광체 사이에 섬광체를 형성시키는 단계이다. 상기 지지필름제거단계는 상기 섬광체들로부터 상기 지지필름을 분리시키는 단계이다. 상기 반사층 재증착단계는 상기 섬광체들의 일면에 반사층을 재 증착시키는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 몰드형성단계와, 반사층증착단계와, 반사층 일부제거단계와, 몰드제거단계와 섬광체형성단계와, 반사층 재증착단계와, 섬광체지지부형성단계를 포함한다. 상기 몰드형성단계는 각각의 섬광체 사이에 형성된 반사층패턴을 형성하기 위하여 일면이 돌기된 몰드를 형성하는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 몰드의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다. 상기 반사층 일부제거단계는 상기 반사층패턴이 형성되도록 상기 돌기의 일면에 형성된 반사층을 제거하는 단계이다. 상기 몰드제거단계는 상기 반사층패턴에서 상기 몰드를 분리시키는 단계이다. 상기 섬광체형성단계는 상기 몰드가 제거된 반사층패턴에 섬광체를 형성시키는 단계이다. 상기 반사층 재증착단계는 상기 섬광체의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다. 상기 섬광체지지부형성단계는 상기 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 단계이다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법은 섬광체환봉형성단계와, 섬광체환봉다발형성단계와, 섬광체환봉다발절단단계와, 반사층증착단계를 포함한다. 상기 섬광체환봉형성단계는 노즐을 사용하여 섬광체환봉을 형성하는 단계이다. 상기 섬광체환봉다발형성단계는 상기 복수의 섬광체환봉을 집합시켜 다발을 만드는 단계이다. 상기 섬광체환봉다발절단단계는 상기 섬광체환봉 다발을 일정한 크기로 절단하는 단계이다. 상기 반사층증착단계는 상기 절단된 섬광체환봉 다발의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다.
또한, 상기의 섬광체패널 제조방법에 있어서, 상기 섬광체환봉다발형성단계는 상기의 각각의 섬광체 표면에 반사층을 코팅하여 섬광체환봉다발을 만드는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 기존의 평판 형태의 섬광체의 내부에 빛의 퍼짐과 마이크로 격자 구조를 이용한 섬광체의 낮은 Fill Factor 및 마이크로 격자 구조를 갖는 섬광체 제작을 위한 복잡한 공정과 이에 따른 비용 및 시간의 문제를 동시에 해결할 수 있다. 또한, 본 발명에서 제안된 엑스선 이미지 센서용 격자 구조화된 섬광체 패널은 유연하게 제작될 수 있으므로 디지털 엑스선 이미지 센서에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 일 실시예의 개념도이다. 도 1에 도시된 엑스선 이미지 센서는 섬광체패널(30)과, 광검출소자(1) 를 포함한다. 광검출소자(1)는 실리콘기판(2)과 포토다이오드(3)를 구비한다. 광검출소자(1)는 종래의 광검출소자와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.
섬광체패널(30)은 섬광체지지부(11)와, 반사층(14)과, 섬광체(12)와, 섬광체보호층(16)을 구비한다. 섬광체지지부(11)는 엑스선(20)을 통과시킬 수 있으며 섬광체(12)를 지지할 수 있도록 섬광체(12)를 감싼다. 이를 위하여 섬광체지지부(11)는 폴리머로 이루어진다. 섬광체(12)는 복수 개가 배열하여 섬광체지지부(11)에 삽입되어 있다. 반사층(14)은 섬광체지지부(11)와 섬광체(12)의 사이에서 섬광체(12)를 감싸도록 형성되어 있다. 섬광체보호층(16)은 섬광체(12)의 일면에 형성되어 섬광체(12)를 보호한다. 섬광체보호층(16)은 섬광체패널(30)이 광검출소자(1)에 결합하기 위한 접착층으로 사용될 수 있으며, 필요에 따라 섬광체보호층(16)은 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 다른 실시예의 개념도이다. 도 1에 도시된 섬광체패널은 각각의 섬광체(12) 사이에 섬광체지지부(11)가 삽입되어 있다. 그러나 도 2에 도시된 섬광체패널에서는 섬광체지지부(11)가 섬광체를 감싸며, 섬광체(12)는 격자구조로 배열되어 반사층(14)을 사이에 두고 서로 접촉한다. 섬광체보호층(16)은 도 1에 도시된 실시예와 마찬가지로 생략될 수 있다. 그리고 반사층(14)을 사이에 두고 서로 접촉하는 섬광체(12)의 굴절률이 서로 상이한 경우 반사층(14)을 생략할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 또 다른 실시예의 개념도이다. 도 3의 (a)에 도시된 섬광체패널(39)은 금속몰드(70)와, 섬광 체(12)를 구비한다. 금속몰드(70)는 섬광체(43)를 지지하므로 섬광체지지부 역할을 한다. 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에서 섬광체지지부는 폴리머로 구성되었다. 그러나 도 3에 도시된 실시예에서 섬광체지지부는 금속몰드(70)로 구성된다. 이때 엑스선이 통과하기 위해서 금속몰드(70)의 두께는 도 1 및 도 2에 도시된 섬광체지지부에 비하여 상대적으로 얇게 형성된다. 도 3의 (a)의 섬광체패널(39)은 섬광체(12)가 과하게 형성되어 금속몰드(70)에 채워진 후 일정한 두께의 잔여층이 형성된다. 그러나 도 3의 (b)의 섬광체패널(40)은 섬광체(12)가 금속몰드(70)에 정확하게 채워진다.
도 4는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 또 다른 실시예의 개념도이다. 도 4에 도시된 섬광체패널은 도 3에 도시된 실시예와 동일하게 섬광체지지부가 금속몰드로 형성된다. 그리고 도 4의 (a)는 섬광체가 섬광체지지부에 과하게 형성되어 금속몰드의 상부에 일정한 두께의 잔여층이 형성된 실시예이며, 도 4의 (b)는 섬광체가 금속몰드에 정확하게 채워진 실시예이다.
도 5는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 또 다른 실시예의 개념도이다. 도 5에 도시된 섬광체패널(47)은 섬광체환봉다발 절편(93)과 반사층(14)을 포함한다. 섬광체환봉다발 절편(93)은 반사막으로 코팅된 섬광체환봉이 복수개가 모여서 형성된 섬광체환봉다발을 일정크기로 잘라 형성된다. 반사층(14)은 섬광체환봉다발 절편(93)의 일면에 형성된다.
이하에서는 상기에서 설명한 섬광체패널의 제조방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 6은 본 발명에 따른 섬광체패널의 제조방법의 일 실시예의 순서도 이다. 그리고 도 7 및 도 8은 도 6에 도시된 섬광체패널의 제조방법의 개념도이다. 도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 섬광체패널의 제조방법의 일 실시예를 설명한다.
도 6에 도시된 섬광체패널의 제조방법은 노광단계(S11)와, 현상단계(S13)와, 섬광체지지부형성단계(S17)와, 반사층증착단계(S19)와, 섬광체형성단계(S21)를 포함한다.
노광단계(S11)에서는 도 7의 (a)와 같이 디퓨저기판(50)을 음성감광막(53)이 코팅된 금속 패턴된 투명한 기판(56)에 정렬하고 적정 조건으로 노광한다. 현상단계(S13)에서는 도 7의 (b)와 같이 음성감광막(53)을 현상한다. 섬광체지지부형성단계(S17)에서는 도 7의 (c)와 같이 현상된 음성감광막(53)에 폴리머를 사용하여 캐스팅 공정을 통해 섬광체지지부(54)를 형성한다. 이때 필요에 따라 음성감광막(53)에 이형제를 형성하여 사용할 수 있다. 그리고 자연경화, UV경화, 열경화, 진공경화 등의 방법을 사용할 수 있다. 도 7의 (c)에서 형성된 섬광체지지부(54)는 섬광체패널을 제조하는데 사용되기 위하여 도 7의 (d)와 같이 분리된다. 도 7의 (e)는 음성감광막(53)에서 분리된 섬광체지지부(54)의 전자현미경 사진이다.
반사층증착단계(S19)는 도 8의 (a)의 섬광체지지부(54)에 도 8의 (b)와 같이 섬광체가 삽입될 섬광체지지부(54)의 내부에 반사층(14)을 증착한다.
섬광체형성단계(S21)는 도 8의 (c)와 같이 반사층(14)이 형성된 섬광체지지부(54)의 내부에 섬광체(12)를 채워 넣어서 섬광체패널(33)을 완성한다. 도 8의 (c)의 경우 섬광체(12)를 섬광체지지부(54)에 넘치도록 채워 넣었다. 그러나 도 8 의 (d)와 같이 섬광체(12)를 섬광체지지부(54)의 내부에 정확하게 채워 잔여층이 생기지 않도록 섬광체(12)를 채워 넣어서 섬광체패널(34)을 형성할 수 있다.
도 9는 섬광체패널을 형성하기 위하여 섬광체지지부를 형성하는 다른 실시예이다. 도 9의 (a)의 경우 노광단계(S11)로서 디퓨저기판(50)을 음성감광막(53)이 코팅된 금속 패턴된 투명한 기판(56)에 정렬하고 적정조건보다 과 노광을 한다.
도 9의 (b)의 경우 노광단계(S11) 이후 현상단계(S13)로서 노광된 음성감광막(53)을 현상한다. 도 9의 (c)의 경우 섬광체지지부형성단계(S15)로서 현상된 음성감광막(53)에 폴리머로 캐스팅공정을 통해 섬광체지지부(54)를 형성한다. 도 9의 (d)의 경우 형성된 섬광체지지부(54)를 음성감광막(53)으로부터 분리시킨다.
도 10의 경우 본 발명에 따른 섬광체패널의 제조방법의 다른 실시예이다. 도 10의 경우 섬광체형성단계는 롤러를 사용하여 섬광체를 형성한다. 이를 위하여 섬광체형성단계는 섬광체주입단계와, 압착단계와, 경화단계를 구비한다. 도 10의 (a) 및 (b)는 도 8의 (a) 및 (b)와 동일하다. 도 10의 (c)는 섬광체형성단계중 액상섬광체(12)를 섬광체지지부(54)의 내부에 주입하는 섬광체주입단계와 기판(82)으로 액상섬광체(12)를 덮은 다음 롤러(66)로 기판(82)을 압착하는 압착단계이다. 이때 압착단계를 필요에 따라 진공상태에서 진행할 수 있다. 그리고 기판(82)은 액상섬광체(12)와 접착성이 없거나 매우 작은 물질을 사용한다. 도 10의 (d)는 액상섬광체(12)를 경화하는 경화단계이다. 도 10의 (d)는 기판(82)을 제거하여 섬광체패널(35)을 형성하는 단계이다.
도 11은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 다 른 실시예의 순서도이다. 도 11에 도시된 실시예의 경우 도 6에 도시된 실시예에 비하여 현상단계(S13)와 섬광체지지부형성단계(S17)의 사이에 몰드형성단계(S15)를더 포함한다. 몰드형성단계(S15)는 현상된 감광막을 이용하여 상기 감광막에 형합하는 폴리머몰드를 형성하는 단계이다.
도 12는 도 11에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 개념도이다. 도 12의 (a)는 디퓨저기판(50)과 포토마스크(51)를 양성감광막(52)이 코팅된 웨이퍼(57)에 정렬하여 노광하는 노광단계(S11)이다. 도 7에 도시된 실시예의 경우 음성감광막(53)을 사용하였으나 도 12의 경우 양성감광막(52)을 사용한다. 도 12의 (b)는 노광된 양성감광막(52)을 현상하는 현상단계(S13)이다. 도 12의 (c)의 경우 현상된 양성감광막(52)에 캐스팅 공정을 통해 폴리머몰드(55)를 형성하는 몰드형성단계(S15)이다. 이때 필요에 따라 현상된 양성감광막(52)에 이형제(10)를 증착할 수도 있다. 도 12의 (d)의 경우 섬광체지지부(54)를 형성하기 위하여 폴리머몰드(55)를 분리하는 단계이다. 또한, 이때 필요에 따라 분리된 폴리머몰드(55)에 이형제(10)를 증착할 수도 있다. 도 12의 (e)의 경우 폴리머몰드(55)를 사용하여 캐스팅하여 폴리머로 된 섬광체지지부(54)를 형성하는 섬광체지지부형성단계(S17)이다. 도 12의 (f)의 경우 섬광체지지부(54)를 폴리머몰드(55)에서 분리하는 단계이다. 도 12의 (g)는 양성감광막(52)에서 분리된 폴리머몰드(55)의 전자현미경 사진이다.
여기서 디퓨저기판(Diffuser substrate)으로는 Sandblasted diffuser, Opal diffuser, Holographic diffuser, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) diffuser 등이 사용될 수 있다.
그리고 폴리머몰드(55)의 재료로는 PDMS(Polydimethylsiloxane), Oligosiloxane 등의 실리콘고무 종류와, PTFE(Polytetrafluoroethylene), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene) 등의 테플론 종류와, PE(Polyethylene), PMMA(Polymethyl methacrylate), PA(Polyamide), SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton 등을 포함하는 캐스팅 및 UV 경화, 열경화가 가능한 모든 폴리머가 사용될 수 있다.
그리고 이형제(10)로는 목랍(Palmitic acid glyceride 기반), 유지(Alcohol ester 기반) 등의 왁스 기반 재료와, PDMS(Polydimethylsiloxane), Oligosiloxane, TMCS(Trimethylchlorosilane) 등의 실리콘고무 기반 재료와, PPFC(Plasma Polymerized Fluorocarbon), Parylene, PTFE(Polytetrafluoroethylene), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene Copolymer), PFA(Perfluoroalkoxy) 등의 불화탄소 기반 재료 등 접착을 방지할 수 있는 모든 재료가 사용될 수 있다.
도 13은 는 도 11에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 다른 개념도이다. 도 13의 (a)는 노광단계(S11)이다. 이때 도 12(a)는 적정 조건으로 노광하지만 도 13의 (a)의 경우 과 노광을 한다. 나머지 도 13의 (b) 내지 (f)는 도 12의 (b) 내지 (f)와 동일하다. 도 13의 (g)는 양성감광막(52)에서 분리된 폴리머몰드(55)의 전자현미경 사진이며, 도 13의 (h)는 섬광체지지부(54)의 전자현미경 사진이다.
도 14는 도 11에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 다른 개 념도이다. 도 14는 도 12에 도시된 실시예와 달리 몰드형성단계(S15)가 액상폴리머주입단계와, 압착단계와, 경화단계를 구비한다. 도 14의 (a)는 노광단계(S11) 후 웨이퍼(57)의 상부에 형성된 양성감광막(52)을 현상한 현상단계(S13)이다. 도 14의 (b) 내지 도 14의 (d)는 몰드형성단계(S15)이다. 먼저 도 14의 (b)는 액상폴리머(67)를 현상된 양성감광막(52)의 내부에 주입하는 액상폴리머주입단계와, 기판(82)으로 액상폴리머(67)를 덮은 다음 롤러(66)로 기판(82)을 압착하는 압착단계이다. 이때 롤러(66)를 기판(82)의 한쪽 끝 부분부터 천천히 압착하여 진행하며, 필요에 따라 진공상태에서 진행할 수 있다. 도 14의 (c)는 압착단계에서 형성된 기판(82)과 액상폴리머(67)를 폴리머몰드(55)로 경화시키는 경화단계이다. 도 14의 (d)는 기판(82)에 경화된 폴리머몰드(55)를 분리하여 표면에 이형제(10)를 증착시키는 단계이다. 도 14의 (e)는 섬광체지지부형성단계(S17)이다. 이형제(10)가 처리된 폴리머몰드(55)의 상부에 액상폴리머(67)를 부은 다음 기판(82)을 덮어 롤러(66)를 이용하여 한쪽 끝 부분부터 천천히 압착하고 경화시켜 섬광체지지부(54)를 형성한다. 도 14의 (f)는 도 14의 (e)에서 형성된 섬광체지지부(54)를 분리시킨다.
이때 경화법으로 자연경화, 열경화, UV 경화, 진공경화 등을 사용할 수 있다.
여기서 액상폴리머(67)의 재료는 폴리머몰드(55)로 사용될 수 있는 PDMS(Polydimethylsiloxane), Oligosiloxane 등의 실리콘고무 종류와 PTFE(Polytetrafluoroethylene), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene) 등의 테플론 종류와 PE(Polyethylene), PMMA(Polymethyl methacrylate), PA(Polyamide), SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton 등을 포함하는 캐스팅 및 자연경화, UV 경화, 열경화, 진공경화가 가능한 모든 폴리머의 액상이 사용될 수 있다.
도 15는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도이고, 도 16은 도 15에 도시된 섬광체패널의 제조방법의 개념도이다.
도 15에 도시된 제조방법은 노광단계(S31)와, 현상단계(S33)와, 반사층증착단계(S35)와, 섬광체형성단계(S37)와, 섬광체지지부형성단계(S39)를 포함한다.
노광단계(S31) 및 현상단계(S33)는 도 6의 노광단계 및 현상단계와 동일하다. 반사층증착단계(S35)는 섬광체가 삽입될 감광막의 내부에 반사층을 형성하는 단계이다. 섬광체형성단계(S37)는 상기 반사층이 형성된 상기 감광막의 내부에 섬광체를 형성하는 단계이다. 섬광체지지부형성단계(S39)는 상기 섬광체를 상기 감광막에서 분리하여 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 섬광체지지부를 상기 섬광체에 결합시키는 단계이다.
도 16의 (a)는 양성감광막(52)을 사용하여 현상하는 단계이다. 도 16의 (b)는 섬광체가 삽입될 양성감광막(52)의 내부에 이형제(10)를 증착하는 단계이다. 도 16의 (c)는 이형제(10)가 증착된 양성감광막(52)의 내부에 반사층(14)을 형성하는 단계이다. 도 16의 (d)는 반사층(14)이 형성된 양성감광막(52)의 내부에 섬광체(12)를 형성하는 단계이다. 이때 필요에 따라 반사층(14)이 증착된 양성감광 막(52)에 섬광체를 과다하게 채워 넣을 수 있으며 또는 섬광체를 정확하게 채워 넣을 수 있다. 도 16의 (e)는 섬광체(12)를 양성감광막(52)으로부터 분리하는 단계이다. 도 16의 (f)는 섬광체(12)를 지지하기 위하여 섬광체지지부(54)를 형성하는 단계이다. 상기의 과정에 의하여 섬광체패널(36)이 완성된다.
도 17은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도로서, 섬광체지지부형성단계 후 섬광체형성단계까지의 실시예의 순서도이다. 도 17에 도시된 섬광체패널의 제조방법은 섬광체지지부형성단계(S41)와, 씨앗층증착단계(S43)와, 금속몰드형성단계(S45)와, 패턴전사단계(S47)와, 반사층증착단계(S48)와, 섬광체형성단계(S49)를 포함한다. 섬광체지지부형성단계(S41)는 폴리머로 된 섬광체지지부를 형성하는 단계로서 앞에서 설명한 섬광체지지부형성단계와 동일하다. 씨앗층증착단계(S43)는 섬광체지지부의 내부에 금속씨앗층을 증착하는 단계이다. 금속몰드형성단계(S45)는 전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 단계이다. 패턴전사단계(S47)는 상기 금속몰드를 상기 섬광체지지부로부터 분리한 후 다른 섬광체지지부를 형성하기 위하여 상기 금속몰드를 사용하여 폴리머판에 상기 금속몰드의 패턴을 전사하는 단계이다. 반사층증착단계(S48)는 패턴전사단계(S47)에 의하여 형성된 상기 다른 섬광체지지부의 내부에 반사층을 형성하는 단계이다. 섬광체형성단계(S49)는 상기 반사층이 형성된 상기 다른 섬광체지지부에 섬광체를 형성하는 단계이다.
도 18의 (a)는 섬광체지지부(54)를 형성하는 단계이다. 섬광체지지부(54)는 앞에서 설명한 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다. 도 18의 (b)는 섬광 체지지부(54)의 내부에 금속씨앗층(15)을 증착하는 단계이다. 이때 필요에 따라 이형제(10)를 증착하고 금속씨앗층(15)을 증착할 수 있다. 도 18의 (c)는 금속씨앗층(15)이 증착된 섬광체지지부(54)에 전주도금을 실시하여 금속몰드(70)를 형성하는 단계이다. 도 18의 (d)는 금속몰드(70)의 후면을 기계적 또는 화학적 연마공정을 통해 평탄화한 후 이형제가 증착된 섬광체지지부(54)로부터 금속몰드(70)를 분리시키는 단계이다. 도 18의 (e)는 폴리머판에 금속몰드(70)의 패턴을 전사하여 섬광체지지부(54)를 형성하는 단계이다. 도 18의 (f)는 금속몰드(70)로부터 섬광체지지부(54)를 분리하는 단계이다. 도 18의 (g)는 분리된 섬광체지지부(54)에 반사층(14)을 증착하는 단계이다. 도 18의 (h)는 섬광체지지부(54)에 섬광체(12)를 채워넣어 섬광체패턴(37)을 완성하는 단계이다. 도 18의 (h)는 섬광체를 과다하게 채워넣어 잔여층이 남도록 형성한 실시예이고 도 18의 (i)는 섬광체를 정확하게 채워넣어 잔여층이 생기지 않도록 섬광체패널(38)을 형성한 실시예이다. 섬광체패널은 도 18의 (h)의 형태 또는 도 18의 (i)의 형태로도 가능하다.
도 18의 경우 금속몰드(70)로 패턴을 전사하여 섬광체지지부(54)를 형성한 후 도 18의 (g)에서 섬광체지지부(54)에 반사층(14)을 증착하였다. 그러나 도 19와 같이 반사층(14)이 증착된 폴리머판에 금속몰드(70)로 패턴을 전사할 수 있다. 도 19의 (a)는 금속몰드형성단계(S45)에 의하여 형성된 금속몰드(70)이다. 도 19의 (b)는 반사층이 증착된 폴리머판(17)이다. 도 19의 (c)는 반사층이 증착된 폴리머판(19)에 금속몰드(70)의 패턴을 전사하여 섬광체지지부(54)를 형성하는 단계이다. 도 19의 (d)는 금속몰드(70)로부터 섬광체지지부(54)에서 금속몰드를 분리하는 단 계이다. 섬광체지지부(54)에 섬광체를 채워넣어 섬광체패널을 형성할 수 있다. 여기서 반사층이 증착된 폴리머판(19)은 폴리머판에 반사막을 증착시켜 형성하거나, 시판중인 금속박막이 증착된 폴리머판이 사용될 수 있다.
여기서 금속몰드(70)로는 Ni, NiCo, Cu 등의 각종 금속과 금속합금이 사용될 수 있다. 그리고 금속씨앗층(15)으로는 Cr, Al, Ti, Cu, Ni, Au 등의 각종 금속과, NiCo, NiFe 등의 각종 금속 합금이 단층 또는 복층으로 사용될 수 있다. 그리고 폴리머판의 재료는 PMMA(Polymethyl methacrylate), PE(Polyethylene), PA(Polyamide), PET(Polyetylene Terephthalate), PP(Polypropylene), PVC(Polyvinyl Chloride), PC(Poly Carbonate), PI(Polyimide), POM(Polyacetal), PBT(Polybuthylene Terephthalate), PS(Polystyrene), ABS(Acrylonitrile Butadiens Styrene), PPO(Poly Phenylene Oxide), PPS(Polyphenylene Sulfide), PEI(Polyetherimide), PES(Polyether sulfone), PAR(Polyarylate), PEEK(Poly(etheretherketone)), PAI(Polyamideimide), PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PDMS(Polydimethyl Siloxane), COC(Cyclic Olefin Copolymer). SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 테프론, 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton, 실리콘 고무 등을 포함한 각종 폴리머 중에서 사용될 수 있다.
도 20은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도이다. 도 20에 도시된 제조방법은 노광단계(S51)와, 현상단계(S53)와, 씨앗층증착단계(S55)와, 금속몰드형성단계(S57)와, 섬광체형성단계(S59)를 포함한다. 노광단계(S51) 및 현상단계(S53)는 앞에서 설명한 노광단계 및 현상단계와 동일하다. 씨앗층증착단계(S55)는 현상된 감광막에 금속씨앗층을 증착하는 단계이다. 금속몰드형성단계(S57)는 전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 단계이다. 섬광체형성단계(S59)는 상기 금속몰드를 상기 감광막에서 분리한 후 상기 금속몰드에 섬광체를 결합시키는 단계이다.
도 21의 (a)는 금속패턴된 투명한 기판(56)위에 현상된 음성감광막(53)을 준비하는 단계이다. 도 21의 (b)는 음성감광막(53)의 일면에 금속씨앗층(15)을 증착하는 단계이다. 도 21의 (c)는 금속씨앗층(15)이 증착된 음성감광막(53)에 전기도금을 실시하여 금속몰드(70)를 제작하는 단계이다. 금속몰드(70)로 엑스선이 통과하여야 하므로 금속몰드(70)가 너무 두꺼우면 엑스선이 통과하지 못한다. 그래서 이때 금속몰드(70)의 두께는 0.1 내지 1000㎛ 정도가 되게 진행한다. 도 21의 (d)는 금속몰드(70)를 음성감광막(53)으로부터 분리시키는 단계이다. 이때 금속몰드(70)의 구조를 보강하기 위해 폴리머를 이용하여 보강을 할 수 있으며, 폴리머보강재는 섬광체를 채운 후 제거할 수 있다. 도 21의 (e)는 금속몰드(70)에 섬광체(12)를 채워서 섬광체(12)를 형성하는 단계이다. 섬광체(12)를 도 21의 (e)와 같이 채워 섬광체패널(39)을 완성할 수 있으며, 또는 도 21의 (f)와 같이 채워 섬광체패널(40)을 완성할 수 있다. 그리고 이때 필요에 따라 금속몰드(70)의 요철부의 내부에 반사층을 증착할 수 있다.
도 22는 도 20의 실시예의 다른 개념도이다. 도 22의 절차는 도 22의 (d)에서 금속몰드(70)를 기계적 또는 화학적 연마공정을 통해 평탄화한 후, 음성감광막(53)으로부터 분리시키는 단계를 제외하고 도 21의 절차와 동일하다.
도 23은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도이다.
도 23에 도시된 제조방법은 몰드형성단계(S61)와, 섬광체삽입단계(S63)와, 지지필름부착단계(S65)와, 몰드분리단계(S67)와, 다른 섬광체형성단계(S69)와, 지지필름제거단계(S71)와, 반사층증착단계(S73)와, 섬광체지지부형성단계(S75)를 포함한다.
몰드형성단계(S61)는 섬광체가 삽입되기 위한 복수의 섬광체홈이 형성된 몰드를 형성하는 단계이다. 섬광체삽입단계(S63)는 상기 섬광체홈에 섬광체를 삽입하는 단계이다. 지지필름부착단계(S65)는 상기 섬광체가 결합하도록 상기 몰드의 일면에 지지필름을 부착시키는 단계이다. 몰드분리단계(S67)는 상기 섬광체 및 상기 지지필름으로부터 상기 몰드를 분리시키는 단계이다. 다른 섬광체형성단계(S69)는 상기 섬광체 사이에 다른 굴절률을 가진 섬광체를 형성시키는 단계이다. 지지필름제거단계(S71)는 상기 섬광체들로부터 상기 지지필름을 분리시키는 단계이다. 반사층증착단계(S73)는 상기 섬광체들의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다. 섬광체지지부형성단계(S75)는 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 단계이다.
도 24는 몰드형성단계(S61)의 개념도이다. 도 24의 (a)는 준비된 실리콘 기판(2)에 리소그래피 공정을 이용하여 감광막 패턴(6)을 식각 패턴으로 형성하는 단계이다. 이때 필요에 따라 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 박막을 식각 패턴으로 사용할 수 있다. 도 24의 (b)는 감광막 패턴(6)에 따라 DRIE(Deep reactive ion etcher)를 이용한 깊은 준위 건식식각 공정과 세정공정을 최종공정으로 하는 방법은 엑스선 이미지 센서용 격자 구조화된 섬광체 패널을 제작하기 위해 필요한 실리콘 몰드(7)를 제작하는 단계이다. 이때 필요에 따라 실리콘 식각 단면에 형성된 스켈럽(Scallop)을 제거하기 위해 실리콘 산화막 형성 및 실리콘 산화막 식각공정을 사용할 수 있다. 이때 상기 공정은 재료에 따라 UV-LIGA(Lithographie, Galvanoformung, Abformung), X-ray 리소그래피 공정 등의 정밀가공공정을 이용하여 제작할 수 있다.
도 25는 실리콘 몰드(7) 또는 몰드(80, 83) 제작 시의 마스크 형상 예를 보여준다. 사각형, 삼각형, 원형 등의 형상을 모서리가 근접하도록 제작하여 사용한다.
도 26의 (a)는 몰드(80)에 섬광체(12)를 정확하게 채워 잔여층이 남지 않도록 섬광체를 삽입하는 단계이다. 도 26의 (b)는 섬광체(12)가 결합하도록 몰드(80)의 일면에 지지필름(81)을 부착시키는 단계이다. 그러면 섬광체(12)가 지지필름(81)에 붙어서 고정된다. 도 26의 (c)는 섬광체(12) 및 지지필름(81)으로부터 몰드(80)를 분리시키는 단계이다. 도 26의 (d)는 섬광체(12) 사이에 다른 굴절률을 가진 섬광체(13)를 형성시키는 단계이다. 그래서 섬광체(12)는 다른 굴절률을 가진 섬광체(13)와 접촉한다. 도 26의 (e)는 섬광체(12, 13)들로부터 지지필름(81)을 분리시키는 단계이다. 도 26의 (f)는 섬광체(12, 13)의 일면에 반사층(14)을 증착시키는 단계이다. 도 26의 (g)는 반사층(14)이 증착된 면에 섬광체지지부 역할을 하는 기판(82)을 형성하는 단계이다. 이러한 과정을 통하여 섬광체패널(43)이 완성된 다.
여기서 몰드(80)는 상기 제작된 실리콘 몰드(7) 또는 PMMA(Polymethyl methacrylate), PE(Polyethylene), PA(Polyamide), PET(Polyetylene Terephthalate), PP(Polypropylene), PVC(Polyvinyl Chloride), PC(Poly Carbonate), PI(Polyimide), POM(Polyacetal), PBT(Polybuthylene Terephthalate), PS(Polystyrene), ABS(Acrylonitrile Butadiens Styrene), PPO(Poly Phenylene Oxide), PPS(Polyphenylene Sulfide), PEI(Polyetherimide), PES(Polyether sulfone), PAR(Polyarylate), PEEK(Poly(etheretherketone)), PAI(Polyamideimide), PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PDMS(Polydimethyl Siloxane), COC(Cyclic Olefin Copolymer). SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 테프론, 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton, 실리콘 고무 등을 포함한 폴리머, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon), 다결정 실리콘(Poly-crystalline Silicon), 단결정 실리콘(Single-crystalline Silicon), 화합물 반도체(Compound Semiconductor) 등의 고체 반도체(Solid Semiconductor) 재료를 기반으로 실리콘, 화합물 반도체 등의 상용 웨이퍼 기판(Wafer Substrate), 석영(Quartz), BSG(Boro-Silicate Glass), BPSG(Boro Phosphor Silicate Glass), Slide Glass 등의 다양한 유리, 알루미나(Al2O3), 베릴리아(BeO), 스테아타이트(MgOSiO2), 포스테라이트(2MgOSiO2) 등의 다양한 세라믹, 구리, 알루미늄, 니켈, 마그네슘, 티타늄, 철, 스테인레스 합금(SUS) 등을 포함한 각종 금속 및 금속합금 등의 기판을 가공하여 몰드로 사용할 수 있다.
여기서 지지필름(81)은 PMMA(Polymethyl methacrylate), PE(Polyethylene), PA(Polyamide), PET(Polyetylene Terephthalate), PP(Polypropylene), PVC(Polyvinyl Chloride), PC(Poly Carbonate), PI(Polyimide), POM(Polyacetal), PBT(Polybuthylene Terephthalate), PS(Polystyrene), ABS(Acrylonitrile Butadiens Styrene), PPO(Poly Phenylene Oxide), PPS(Polyphenylene Sulfide), PEI(Polyetherimide), PES(Polyether sulfone), PAR(Polyarylate), PEEK(Poly(etheretherketone)), PAI(Polyamideimide), PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PDMS(Polydimethyl Siloxane), COC(Cyclic Olefin Copolymer). SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 테프론, 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton, 실리콘 고무 등을 포함한 폴리머, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon), 다결정 실리콘(Poly-crystalline Silicon), 단결정 실리콘(Single-crystalline Silicon), 화합물 반도체(Compound Semiconductor) 등의 고체 반도체(Solid Semiconductor) 재료를 기반으로 실리콘, 화합물 반도체 등의 상용 웨이퍼 기판(Wafer Substrate), 석영(Quartz), BSG(Boro-Silicate Glass), BPSG(Boro Phosphor Silicate Glass), Slide Glass 등의 다양한 유리, 알루미나(Al2O3), 베릴리아(BeO), 스테아타이트(MgOSiO2), 포스테라이트(2MgOSiO2) 등의 다양한 세라믹, 구리, 알루미늄, 니켈, 마그네슘, 티타늄, 철, 스테인레스 합금(SUS) 등을 포함한 각종 금속 및 금속합금 등의 기판을 사용할 수 있다.
여기서 기판(82)은 PMMA(Polymethyl methacrylate), PE(Polyethylene), PA(Polyamide), PET(Polyetylene Terephthalate), PP(Polypropylene), PVC(Polyvinyl Chloride), PC(Poly Carbonate), PI(Polyimide), POM(Polyacetal), PBT(Polybuthylene Terephthalate), PS(Polystyrene), ABS(Acrylonitrile Butadiens Styrene), PPO(Poly Phenylene Oxide), PPS(Polyphenylene Sulfide), PEI(Polyetherimide), PES(Polyether sulfone), PAR(Polyarylate), PEEK(Poly(etheretherketone)), PAI(Polyamideimide), PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PDMS(Polydimethyl Siloxane), COC(Cyclic Olefin Copolymer). SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 테프론, 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton, 실리콘 고무 등을 포함한 폴리머, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon), 다결정 실리콘(Poly-crystalline Silicon), 단결정 실리콘(Single-crystalline Silicon), 화합물 반도체(Compound Semiconductor) 등의 고체 반도체(Solid Semiconductor) 재료를 기반으로 실리콘, 화합물 반도체 등의 상용 웨이퍼 기판(Wafer Substrate), 석영(Quartz), BSG(Boro-Silicate Glass), BPSG(Boro Phosphor Silicate Glass), Slide Glass 등의 다양한 유리, 알루미나(Al2O3), 베릴리아(BeO), 스테아타이트(MgOSiO2), 포스테라이트(2MgOSiO2) 등의 다양한 세라믹, 구리, 알루미늄, 니켈, 마그네슘, 티타늄, 철, 스테인레스 합금(SUS) 등을 포함한 각종 금속 및 금속합금 등의 다양한 금속 박판 등을 사용할 수 있다.
도 27은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도이다. 도 27에 도시된 제조방법은 몰드형성단계(S81)와, 섬광체삽입단계(S83)와, 지지필름부착단계(S85)와, 몰드분리단계(S87)와, 반사층증착단계(S89)와, 반사층일부제거단계(S91)와, 섬광체형성단계(S93)와, 지지필름제거단계(S95)와, 반사층재증착단계(S97)와, 섬광체지지부형성단계(S99)를 포함한다. 몰드형성단계(S81) 내지 몰드분리단계(S87)는 도 23에 도시된 실시예와 동일하다. 반사층증착단계(S89)는 지지필름에 접착된 섬광체에 반사층을 증착시키는 단계이다. 반사층일부제거단계(S91)는 상기 섬광체의 단부에 증착된 반사층을 제거하는 단계이다. 섬광체형성단계(S93)는 반사층으로 서로 접촉하도록 상기 각각의 섬광체 사이에 섬광체를 형성시키는 단계이다. 지지필름제거단계(S95)는 상기 섬광체들로부터 상기 지지필름을 분리시키는 단계이다. 반사층재증착단계(S97)는 상기 섬광체들의 일면에 반사층을 재 증착하는 단계이다. 섬광체지지부형성단계(S99)는 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 단계이다.
도 28의 (a)에서 도 28의 (c)는 몰드형성단계(S81)에서 몰드분리단계(S87)까지로 도 26의 (a)에서 도 26의 (c)와 동일하다. 도 28의 (d)는 지지필름(81)에 접착된 섬광체(12)에 반사층(14)을 증착하는 단계이다. 도 28의 (e)는 섬광체(12)의 단부에 증착된 반사층(14)을 제거하는 단계이다. 이 과정에 의하여 지지필름(81)에 증착된 섬광체(12)도 제거된다. 도 28의 (f)는 반사층(14)을 사이에 두고 각각의 섬광체가 서로 접촉하도록 상기 각각의 섬광체 사이에 섬광체를 삽입하여 형성시키는 단계이다. 도 28의 (g)는 섬광체(12)들로부터 지지필름(81)을 제거하는 단계이다. 도 28의 (h)는 섬광체(12)들의 일면에 반사층(14)을 재 증착시키는 단계이다. 도 28의 (i)는 반사층(14)이 증착된 면에 섬광체지지부의 역할을 하는 기판(82)을 붙이는 단계이다. 상기의 과정에 의하여 섬광체패널(44)이 완성된다. 도 28의 (j)는 몰드(80)에서 분리한 경화된 지지필름(81)에 붙은 섬광체(12)의 전자현미경 사진이다. 그리고 여기서 필요에 따라 지지필름(81)을 제거하지 않고 반사층(14) 증착 후 기판(82)을 붙여 지지필름(81)을 제거할 수 있다.
도 29는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 개념도이다. 도 28의 경우 도 28의 (e)와 같이 반사층일부제거단계(S91)를 먼저 실시한 후 도 28의 (f)와 같이 섬광체형성단계(S93)를 실시하였다. 그러나 도 29의 경우 도 29의 (e)와 같이 섬광체형성단계(S93)를 먼저 실시한 후 도 29의 (f)와 같이 반사층일부제거단계(S91)를 실시한다. 나머지 실시예는 도 28의 경우와 동일하다.
도 30은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도이다.
도 30에 도시된 제조방법은 몰드형성단계(S101)와, 반사층증착단계(S103)와, 반사층일부제거단계(S105)와, 몰드제거단계(S107)와, 섬광체형성단계(S109)와, 반사층재증착단계(S111)와, 섬광체지지부형성단계(S113)를 포함한다.
몰드형성단계(S101)는 각각의 섬광체 사이에 형성된 반사층패턴을 형성하기 위하여 일면이 돌기된 몰드를 형성하는 단계이다. 반사층증착단계(S103)는 상기 몰드의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다. 반사층 일부제거단계(S105)는 상기 반사층패턴이 형성되도록 상기 돌기의 일면에 형성된 반사층을 제거하는 단계이다. 몰드제거단계(S107)는 반사층패턴에서 상기 몰드를 분리시키는 단계이다. 섬광체형성단계(S109)는 상기 몰드가 제거된 반사층패턴에 섬광체를 형성시키는 단계이다. 반사층재증착단계(S111)는 상기 섬광체의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다. 섬광체지지부형성단계(S113)는 상기 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 단계이다.
도 31의 (a)는 각각의 섬광체 사이에 형성된 반사층패턴을 형성하기 위하여 일면이 돌기된 몰드(83)를 형성하는 단계이다. 도 31의 (b)는 몰드(83)의 일면에 반사층(14)을 증착시키는 단계이다. 도 31의 (c)는 반사층패턴(18)이 형성되도록 마스크 없이 건식식각을 통해 몰드(83)의 돌기의 일면에 형성된 반사층(14)을 제거하는 반사층일부제거단계이다. 도 31의 (d)는 반사층패턴(18)에서 몰드(83)를 분리시키는 단계이다. 도 31의 (e)는 몰드(83)가 제거된 반사층패턴(18)에 섬광체(12)를 형성시키는 단계이다. 도 31의 (f)는 섬광체(12)의 일면에 반사층(14)을 재 증착시키는 반사층 재증착단계이다. 도 31의 (g)는 반사층(14)이 증착된 면에 섬광체지지부 역할을 하는 기판(82)을 부착시키는 단계이다. 도 31의 (h)는 반사층패턴(18)의 사시도이다. 상기의 과정에 의하여 섬광체패널(46)이 완성된다.
여기서 필요에 따라 도 31의 (f)에서 지지필름(81)을 붙여 반사막(14)을 증착하고, 그 면에 기판(82)을 붙이고 난 후 지지필름(81)을 제거할 수 있다.
그리고 몰드(83)는 PMMA(Polymethyl methacrylate), PE(Polyethylene), PA(Polyamide), PET(Polyetylene Terephthalate), PP(Polypropylene), PVC(Polyvinyl Chloride), PC(Poly Carbonate), PI(Polyimide), POM(Polyacetal), PBT(Polybuthylene Terephthalate), PS(Polystyrene), ABS(Acrylonitrile Butadiens Styrene), PPO(Poly Phenylene Oxide), PPS(Polyphenylene Sulfide), PEI(Polyetherimide), PES(Polyether sulfone), PAR(Polyarylate), PEEK(Poly(etheretherketone)), PAI(Polyamideimide), PVDF(Poly Vinylidene Fluoride), PDMS(Polydimethyl Siloxane), COC(Cyclic Olefin Copolymer). SU-8(감광저항제), PR(감광성 막), 테프론, 나일론, 폴리에스테르, 폴리비닐, Kapton, 실리콘 고무 등을 포함한 폴리머, 비정질 실리콘(Amorphous Silicon), 다결정 실리콘(Poly-crystalline Silicon), 단결정 실리콘(Single-crystalline Silicon) 등의 상용 웨이퍼를 가공하여 사용할 수 있다.
도 32는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도이다. 도 32에 도시된 제조방법은 섬광체환봉형성단계(S121)와, 섬광체환봉다발형성단계(S123)와, 섬광체환봉다발절단단계(S125)와, 반사층증착단계(S127)를 포함한다.
섬광체환봉형성단계(S121)는 노즐을 사용하여 섬광체환봉을 형성하는 단계이다. 섬광체환봉다발형성단계(S123)는 상기 복수의 섬광체환봉을 집합시켜 다발을 만드는 단계이다. 이때 상기의 각각의 섬광체환봉의 표면에 반사층을 코팅하여 섬광체환봉다발을 만들 수 있다. 섬광체환봉다발절단단계(S125)는 상기 섬광체환봉 다발을 일정한 크기로 절단하는 단계이다. 반사층증착단계(S127)는 상기 절단된 섬광체환봉 다발의 일면에 반사층을 증착시키는 단계이다.
도 33의 (a)는 섬광체(12)를 노즐(90)을 통해 토출시켜 적당한 길이로 절단 하여 극세형 섬광체환봉(91)을 형성하는 단계이다. 도 33의 (b)는 극세형 섬광체환봉(91)을 모으는 단계이다. 이때 필요에 따라 극세형 섬광체환봉의 표면에 반사층을 코팅할 수 있으며, 굴절률이 다른 물질을 접착제로 사용할 경우 반사층 코팅을 생략할 수 있다. 도 33의 (c)는 접착제를 이용하여 극세형 섬광체환봉(91)을 극세형 섬광체환봉 다발(92)로 합치는 단계이다. 여기서 극세형 섬광체환봉 다발은 극세형 섬광체와 코팅된 반사층, 접착제로 이루어지거나 또는 극세형 섬광체와 굴절률이 다른 접착제로 형성될 수 있다.
도 34의 (a)는 극세형 섬광체환봉 다발(92)을 결의 수직방향으로 얇게 절단하여 극세형 섬광체환봉 다발 절편(93)으로 제작하는 단계이다. 이때 필요에 따라 기계적 또는 화학적 연마공정을 사용할 수 있다. 도 34의 (b)는 극세형 섬광체환봉 다발 절편(93)의 일면에 반사층(14)을 증착하는 단계이다. 이 과정에 의하여 섬광체패널(47)이 완성된다.
여기서 제작된 극세형 섬광체환봉 다발 절편(93)의 두께는 1~10000 μm 사이가 될 수 있으며, 절단한 뒤 표면연마 공정을 사용할 수 있으며, 극세형 섬광체 환봉 다발 절편(93)의 반사층(14)이 증착된 면에 기판(82)을 붙여 사용할 수 있다.
이상 제작된 섬광체 패널에 채워진 섬광체(12)를 보호하기 위하여 폴리머, 산화막 등의 보호막이 증착될 수 있다.
여기서 섬광체(12, 13)는 상기 섬광체 지지부(11)의 조건에 맞게 Gd2O2S:Tb, Gd2O2S:Lu, Gd2O2S:Eu, Gd2O3, NaI:Tl, CsI:Na, CsI:Tl, LiI:Eu, CaF4, BGO(Bi4Ge3O12), GSO:Ce(Gd2SiO5:Ce), BaF2, CdWO4, LSO(Lu2(SiO4)O:Ce), YSO(Y2SiO5), LYSO(Lu1.8Y0.2SiO5) 등의 재료 중에서 직접 사용하거나 적합한 용매 및 바인더에 섞어 특정 굴절률을 가지도록 제조하여 사용될 수 있다.
여기서 섬광체 두께는 1~10000 μm를 가지며, 섬광체 지지부의 두께는 1~10000 μm를 가질 수 있다.
상기 본 발명에서 제안된 섬광체는 치과용 X-ray 센서와 흉부 및 마모그라피(mammography), 치아 등의 신체 X-ray 촬영, CT 등의 의료용으로 사용될 수 있으며, 비파괴 검사 등의 산업용 응용이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 일 실시예의 개념도,
도 2는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 다른 실시예의 개념도,
도 3은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 또 다른 실시예의 개념도,
도 4는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 또 다른 실시예의 개념도,
도 5는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 또 다른 실시예의 개념도,
도 6은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 일 실시예의 순서도,
도 7은 도 6에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 개념도,
도 8은 도 6에 도시된 제조방법에 따른 섬광체패널을 형성하는 개념도,
도 9는 도 6에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 다른 개념도,
도 10은 본 발명에 따른 섬광체패널을 형성하는 다른 개념도,
도 11은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 다른 실시예의 순서도,
도 12는 도 11에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 개념도,
도 13은 도 11에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 다른 개념도,
더 14는 본 발명에 따른 섬광체지지부를 형성하는 또 다른 개념도,
도 15는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 16은 도 15에 도시된 섬광체패널의 제조방법의 개념도,
도 17은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 18은 도 17에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 개념도,
도 19는 도 17에 도시된 제조방법에 따른 섬광체지지부를 형성하는 다른 개념도,
도 20은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 21은 도 20에 도시된 제조방법에 따른 섬광체패널의 제조방법의 개념도,
도 22는 도 20에 도시된 제조방법에 따른 섬광체패널의 제조방법의 다른 개념도,
도 23은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 24는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널을 제조하기 위한 몰드의 제조방법의 개념도,
도 25는 도 24에 도시된 몰드의 평면도,
도 26은 도 23에 도시된 제조방법에 따른 섬광체패널의 제조방법의 개념도,
도 27은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 28은 도 27에 도시된 제조방법에 따른 섬광체패널의 제조방법의 개념도,
도 29는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 다른 개념도,
도 30은 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 31은 도 30에 도시된 제조방법에 따른 섬광체패널의 제조방법의 개념도,
도 32는 본 발명에 따른 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널의 제조방법의 또 다른 실시예의 순서도,
도 33은 도 32에 도시된 제조방법에 따른 섬광체환봉다발의 제조방법의 개념도,
도 34는 도 32에 도시된 섬광체패널의 제조방법의 개념도이다.
<도면부호의 간단한 설명>
1 : 광검출소자 2 : 실리콘기판
3 : 포토다이오드 6 : 감광막패턴
7 : 실리콘몰드 10 : 이형제
11 : 섬광체지지부 12, 13 : 섬광체
14 : 반사층 15 : 씨앗층
16 : 섬광체보호층 17 : 식각된 반사층
18 : 반사층패턴 19 : 반사층이 증착된 폴리머판
20 : 엑스선 30 내지 47 : 섬광체패널
50 : 디퓨저기판 51 : 포토마스크
52 : 양성감광막 53 : 음성감광막
54 : 섬광체지지부 55 : 폴리머몰드
56 : 금속 패턴된 투명한 기판 57 : 웨이퍼
66 : 롤러 67 : 액상폴리머
70 : 금속몰드 80 : 몰드
81 : 지지필름 82 : 기판
83 : 몰드 90 : 노즐
91 : 섬광체환봉 92 : 섬광체환봉다발
93 : 섬광체환봉다발 절편
Claims (24)
- 복수의 섬광체와,엑스선을 통과시킬 수 있으며, 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 섬광체를 감싸는 섬광체지지부와,상기 섬광체지지부와 상기 섬광체 사이에서 상기 각각의 섬광체를 감싸는 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널.
- 제1항에 있어서,상기 섬광체는 격자구조로 배열되며, 상기 반사층을 사이에 두고 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널.
- 격자구조로 배열되고 굴절률이 상이한 것이 서로 접촉하는 복수의 섬광체와,엑스선을 통과시킬 수 있으며, 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 섬광체를 감싸는 섬광체지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널.
- 복수의 섬광체와,엑스선을 통과시킬 수 있으며, 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 상기 각각의 섬광체를 감싸는 금속으로된 섬광체지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 섬광체의 일면에 형성된 섬광체보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널.
- 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 노광단계와,상기 노광된 감광막을 현상하는 현상단계와,섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머로 된 섬광체지지부를 형성하는 섬광체지지부형성단계와,상기 섬광체가 삽입될 상기 섬광체지지부의 내부에 반사층을 증착하는 반사층증착단계와,상기 반사층이 증착된 섬광체지지부의 내부에 섬광체를 형성시키는 섬광체형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 섬광체형성단계는액상섬광체를 상기 섬광체지지부의 내부에 주입하는 섬광체주입단계와,기판으로 상기 액상섬광체를 덮은 다음 롤러로 상기 기판을 압착하는 압착단계와,상기 액상섬광체를 경화시키는 경화단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 노광단계에서 음성감광막을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 현상단계후 상기 현상된 감광막을 이용하여 상기 감광막에 형합하는 폴리머몰드를 형성하는 몰드형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 몰드형성단계는 상기 감광막을 사용하여 캐스팅으로 상기 폴리머몰드를 형성하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 몰드형성단계는액상폴리머를 상기 감광막의 내부에 주입하는 액상폴리머주입단계와,기판으로 상기 액상폴리머를 덮은 다음 롤러로 상기 기판을 압착하는 압착단계와,상기 액상폴리머를 경화시키는 경화단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 노광단계에서 양성감광막을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 노광단계와,섬광체가 삽입될 수 있도록 상기 노광된 감광막을 현상하는 현상단계와,상기 섬광체가 삽입될 상기 감광막에 내부에 반사층을 형성하는 반사층증착단계와,상기 반사층이 형성된 상기 감광막의 내부에 섬광체를 형성하는 섬광체 형성단계와,상기 섬광체를 상기 감광막에서 분리하여 상기 섬광체를 지지할 수 있도록 섬광체지지부를 상기 섬광체에 결합시키는 섬광체지지부형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 노광단계와,상기 노광된 감광막을 현상하는 현상단계와,섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머몰드로 된 섬광체지지부를 형성하는 섬광체지지부형성단계와,상기 섬광체지지부의 내부에 금속씨앗층을 증착하는 씨앗층증착단계와,전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 금속몰드형성단계와,상기 금속몰드를 상기 섬광체지지부로부터 분리한 후 다른 섬광체지지부를 형성하기 위하여 상기 금속몰드를 사용하여 폴리머판에 상기 금속몰드의 패턴을 전사하는 패턴전사단계와,상기 패턴전사단계에 의하여 형성된 상기 다른 섬광체지지부의 내부에 반사층을 형성하는 반사층증착단계와,상기 반사층이 형성된 상기 다른 섬광체지지부에 섬광체를 형성하는 섬광체형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 노광단계와,상기 노광된 감광막을 현상하는 현상단계와,섬광체가 삽입될 수 있도록 캐스팅공정을 이용하여 폴리머몰드로 된 섬광체지지부를 형성하는 섬광체지지부형성단계와,상기 섬광체지지부의 내부에 금속씨앗층을 증착하는 씨앗층증착단계와,전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 금속몰드형성단계와,상기 금속몰드를 상기 섬광체지지부로부터 분리한 후 다른 섬광체지지부를 형성하기 위하여 상기 금속몰드를 사용하여 반사층이 형성된 폴리머판에 상기 금속몰드의 패턴을 전사하는 패턴전사단계와,상기 패턴전사단계에 의하여 형성된 상기 다른 섬광체지지부에 섬광체를 형성하는 섬광체형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 디퓨저기판과 감광막을 정렬시킨 후 상기 감광막에 노광하는 노광단계와,상기 노광된 감광막을 현상하는 현상단계와,상기 현상된 감광막에 금속씨앗층을 증착하는 씨앗층증착단계와,전주도금을 실시하여 금속몰드를 형성하는 금속몰드형성단계와,상기 금속몰드를 상기 감광막에서 분리한 후 상기 금속몰드에 섬광체를 결합시키는 섬광체형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 섬광체가 삽입되기 위한 복수의 섬광체홈이 형성된 몰드를 형성하는 몰드형성단계와,상기 섬광체홈에 섬광체를 삽입하는 섬광체삽입단계와,상기 섬광체가 결합하도록 상기 몰드의 일면에 지지필름을 부착시키는 지지필름부착단계와,상기 섬광체 및 상기 지지필름으로부터 상기 몰드를 분리시키는 몰드분리단계와,상기 섬광체 사이에 다른 굴절률을 가진 섬광체를 형성시키는 다른 섬광체형성단계와,상기 섬광체들로부터 상기 지지필름을 분리시키는 지지필름제거단계와,상기 섬광체들의 일면에 반사층을 증착시키는 반사층증착단계와,반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 섬광체지지부형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 섬광체가 삽입되기 위한 복수의 섬광체홈이 형성된 몰드를 형성하는 몰드형성단계와,상기 섬광체홈에 섬광체를 삽입하는 섬광체삽입단계와,상기 섬광체가 결합하도록 상기 몰드의 일면에 지지필름을 부착시키는 지지필름부착단계와,상기 섬광체 및 상기 지지필름으로부터 상기 몰드를 분리시키는 몰드분리단계와,상기 지지필름에 접착된 섬광체에 반사층을 증착시키는 반사층증착단계와,상기 섬광체의 단부에 증착된 반사층을 제거하는 반사층 일부제거단계와,반사층으로 서로 접촉하도록 상기 각각의 섬광체 사이에 섬광체를 형성시키는 섬광체형성단계와,상기 섬광체들로부터 상기 지지필름을 분리시키는 지지필름제거단계와,상기 섬광체들의 일면에 반사층을 재 증착시키는 반사층 재증착단계와,반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 섬광체지지부형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
- 각각의 섬광체 사이에 형성된 반사층패턴을 형성하기 위하여 일면이 돌기된 몰드를 형성하는 몰드형성단계와,상기 몰드의 일면에 반사층을 증착시키는 반사층증착단계와,상기 반사층패턴이 형성되도록 상기 돌기의 일면에 형성된 반사층을 제거하는 반사층 일부제거단계와,상기 반사층패턴에서 상기 몰드를 분리시키는 몰드제거단계와,상기 몰드가 제거된 반사층패턴에 섬광체를 형성시키는 섬광체형성단계와,상기 섬광체의 일면에 반사층을 증착시키는 반사층 재증착단계와,상기 반사층이 증착된 면에 섬광체지지부를 형성시키는 섬광체지지부형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 이미지 센서용 섬광체패널 제조방법.
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