JP5224395B2

JP5224395B2 - Ｍｅｍｓベースの露光モジュール及び関連技術

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Publication number: JP5224395B2
Application number: JP2009168496A
Authority: JP
Inventors: 毅張; 壮平松本; 秋男三村; 寿浩伊藤
Original assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 2009-07-17
Filing date: 2009-07-17
Publication date: 2013-07-03
Anticipated expiration: 2029-07-17
Also published as: JP2011022440A

Description

本発明は、ファイバー状の基体にマイクロ構造を形成するための技術に関し、特に、フォトリソグラフィ用のマスクに関する。

半導体製造プロセスやMEMS製造プロセスにおいては、伝統的に、基体として平面状の基板が用いられてきた。これに対して、例えば円筒状や球状の基体を用いると、単位体積当りの表面積が増えるため、機能を高密度に実装することができ、同じ機能を有するデバイスを従来よりも小さく作ることができ、また、同じ大きさで従来よりも高度な機能を実装することが可能になる。さらに、例えば光ファイバーのような極細の基材にマイクロ機能構造を形成することができれば、これを織り上げて、様々な機能を有する大面積且つ柔軟なシートに仕立て上げることも可能であろう。このため、繊維状のマイクロデバイスの実現には大きな期待が寄せられており、医療や無線通信、ロボット、スマート環境など多くの技術分野に著しい発展をもたらすものと考えられている。そこで、これまでにも、細長い基体にマイクロ機能構造を形成するための取り組みがなされてきた。

このような技術の一種にソフトリソグラフィと呼ばれる技術がある（非特許文献１参照）。図１にソフトリソグラフィのプロセスの概要を示した。まず、柔軟性を有する材質で形成されたフォトマスク（１０１）を準備し、これをフォトレジスト（１０２）が塗布された湾曲基体（１０３）に密着させ、マスクの上から露光（１０４）する。マスクを剥離すると、露光された部分と露光されていない部分からなるパターン（１０５）を得ることができる。この技術は、柔軟性を有するマスクを用いることから、湾曲した面にフォトリソグラフィ技術を用いてパターンを転写することができる。なお、図１は非特許文献１の図７の一部を抜粋して利用したものである。

しかしながら、ソフトリソグラフィにおいては、フォトマスクを基材に密着させ、剥離するという工程が必要となるため、径の細い基材へのパターン転写には向いていない。特に、直径が４ｍｍ以下となると、特に剥離工程においてフォトレジストを一緒に剥がしてしまう問題が深刻となる。また、柔軟性を有するとはいっても、転写工程のたびに曲げられることは、マスクの寿命をかなり短くする。特に、基材の径が細くなればなるほど、フォトマスクも大きく曲げられなければならないため、曲げ負荷がより強くかかり、劣化も早まってしまう。このため、ソフトリソグラフィは、径の細い基体へのリソグラフィには適していない。さらに問題であることには、この技術は、フォトマスクの装着・剥離工程が存在するために、連続プロセスには全く適していないことである。従って、ソフトリソグラフィ技術を、細く且つ長尺のファイバーに対するリソグラフィ手段として応用することは、非常に困難である。

非特許文献２には、光造型法を用いてマイクロコイルを製造する技術が記載されている。光造型法は、３次元ＣＡＤデータに従って、液状の光硬化性樹脂を紫外線レーザーにより硬化させて所望の３次元構造を得る技術である（図２参照）。光造型法は、マイクロコイルなどの３次元構造を製造することは可能であるが、基体上に回路パターンを形成することは不可能である。また、光造型法では、長尺の構造体を形成することは製造設備上の制約から非常に困難であり、樹脂の硬化にも時間がかかることから、連続プロセスにも適した方法とはいえない。さらにコストも非常に高い。

非特許文献３には、強力なシンクロトロン光によって基体からマイクロコイルを直接削り出す技術が記載されている。この技術の概要を図３に示す。図示されるように、（ａ）回転軸３０２の周りにPTFE樹脂層３０４を形成し、（ｂ）PTFE樹脂層３０４を回転させつつ、マスク３０６を介してシンクロトロン光を照射し、削り出しを行う。削り出しが終わると（ｃ）のようなマイクロコイルが軸３０２の周りに出来上がる。

円筒状の基体を回転させつつ、マスクを介して強力なシンクロトロン光を照射し、基体からマイクロコイルを直接削り出す技術が記載されている（図３参照）。しかし、現実的な速度で基体を削ることができるほど強力なシンクロトロン光を得ることは、ごく限られた施設でしか可能ではなく、この方法が商業ベースで実用化されることはまず考えられない。

このほか、特許文献１〜３には、球状の基体の表面を一様に露光してパターンの転写を行いうる技術が記載されている。しかし、この技術は球状基体に対する露光方法であり、長尺の基体にマイクロ機能構造を形成することには向いていない。

J. G. Kim, N. Takama, B. J. Kim, H. Fujita, Optical-softlithographic technology for patterning on curved surfaces, Journal of Micromechanics and Microengineering, 19 (2009) 055017 C. Sun, N. Fang, D. M. Wu, X. Zhang, Projection micro-stereolithography using digital microy-mirror dynamic mask, Sensors and Actuators A 121 (2005) 113-120 T. Katoh, N. Nishi, M. Fukagawa, H. Ueno, S. Sugiyama, Direct writing for three-dimensional microfabrication using synthcrotron radiation etching, MEMS 2000

特開平１１−１９５５８０号公報特開平１１−１２１３６８号公報特開平１１−１１１６０９号公報

本発明は、これらの背景に鑑みてなされたものであって、ファイバー状の細長い基体にマイクロ構造を形成するための技術を提供することを目的とする。

本発明の範囲には、ファイバー状の細長い部材にフォトリソグラフィ技術によってパターンを転写するための新規な露光モジュールが含まれる。この露光モジュールは、入口及び出口を有する筒状の空洞が設けられる透光性の基体と、前記筒状の空洞の壁面に設けられた遮光パターンとを有することを特徴とする。

前記筒状の空洞は、例えば円筒状の空洞であることができる。この空洞に、フォトレジストを塗布したファイバー状の部材を挿入し、モジュールの外側から光を照射することにより、露光を行うことができる。露光が終わったファイバー部分はモジュールから引き出して、次に露光するべきファイバーの部分をモジュール内に位置させて露光を行うというステップを繰り返すことにより、長尺のファイバー材の各部分を順々に露光していくことが可能となる。すなわち長尺のファイバー材に対する事実上連続的なリソグラフィ手段が提供される。

そして、この露光モジュールは、ソフトリソグラフィで用いられるフレキシブルマスクのように使用時に折り曲げられることがないので、劣化が極めて遅く、長く使い続けることができる。

前記露光モジュールは、好ましくは露光する部材を支持・案内する構造を備えていることが好ましい。一例では、モジュールの前記筒状空洞の入口及び出口付近に形成され、露光される部材を潤滑液を介して又は介さないで摺動可能に支持する部材支持部が設けられる。前記遮光パターンは、前記部材支持部より奥の部分の壁面に設けられる。むろん、前記潤滑液は、露光プロセスに悪影響を与えないものであることが好ましい。

前記部材支持部は、露光中にモジュールを支持するだけでなく、遮光パターンに対して露光する部材を所定の場所に位置させるという位置決めの機能を果たす。従って、露光する部材がぐらつくことなくしっかり支えられるように、前記部材支持部の形状は、露光する部材の外形にほぼ等しいことが好ましい。しかしながら、横方向の位置合わせを行うべく部材を摺動させる際に部材やモジュールが摩擦により損傷することを防ぐべく、前記部材支持部は、潤滑液を介して露出する部材を支持しうるように構成されてもよい。

この構成によれば、露光モジュールに部材を通すだけで、遮光パターンとの間隔が自動的に定まってしまうため、縦方向の位置決めを精度良く簡単に行うことができる。

横方向の位置決めのためには、例えば環状のマークなど、位置決めに使用しうる何らかのマークを露出モジュールに設けておくことが好ましい。

前記露光モジュールにおいて、遮光パターンが形成される部分の内径は、前記部材支持部の内径よりも若干大きくされることが好ましい。このようにしておくと、部材が遮光パターンに接触しないため、部材をスライドさせたときに摩擦で遮光パターンが壊れることを防止することができる。ただし、露光時に光の散乱を防ぐために、モジュール空洞の内壁面と露光する部材との間の空間は、モジュールの基材と屈折率が同じか少なくとも極めて近い液体で満たされることが望ましい。または、光の屈折を積極的に利用し、高屈折率の液体を満たしてステッパーの開口率を向上させる、いわゆる液浸リソグラフィが知られており、この技術に用いられる液体を使用することができる。これらの液体は、前述の潤滑液としての機能も果たすことができる。

本発明は、前述の露光モジュールを製造するいくつかの方法をもその範囲に含む。該露光モジュールは、筒状空洞の中心軸を通る平面によって分割される複数の部分に分けて製造することができるが、当該部分を製造する方法の一例は、
・溝面が円筒面の一部を為す溝を透光性の基体上に形成する工程と、
・前記溝面に、抗接着性物質の皮膜を形成すると共に、該抗接着性物質の皮膜上に金属皮膜を形成し、さらに該金属皮膜上に接着性物質の皮膜を形成する工程と、
・前記接着性物質の皮膜上に透光性の樹脂を積層する工程と、
・前記樹脂を硬化させると共に、該樹脂を前記金属皮膜ごと前記透光性基体から剥離する工程と、
・前記剥離した樹脂に対し、前記透光性基体の溝に対応して形成された隆条が覆われるように、前記金属皮膜上からフォトレジストを塗布すると共に、フォトエッチングによって前記金属皮膜をパターンに形成する工程と、
・前記樹脂が剥離された前記透光性基体に対し、前記抗接着性物質を除去すると共に、前記溝面を覆うように第２の金属皮膜を形成し、さらに該第２の金属皮膜上にフォトレジストの層を形成する工程と、
・前記パターンが形成された前記樹脂を、前記隆条が前記溝に再び収まるように、前記透光性基体に重ねる工程と、
・前記樹脂上の前記パターンをマスクとしてフォトエッチングを行うことにより、前記樹脂上の前記パターンを前記第２の金属皮膜に転写する工程と、
を含む。

前述の部分を製造する方法の別の一例は、
・溝面が円筒面の一部を為す溝を透光性の基体上に形成する工程と、
・前記溝上に透光性の樹脂を積層し、硬化後に剥離する工程と、
・前記剥離した樹脂に対し、前記透光性基体の溝に対応して形成された隆条を覆うように金属皮膜を形成すると共に、前記金属皮膜をパターンに形成する工程と、
・前記樹脂が剥離された前記透光性基体に対し、前記溝面を覆うように第２の金属皮膜を形成し、さらに該第２の金属皮膜上にフォトレジストの層を形成する工程と、
・前記パターンが形成された前記樹脂を、前記隆条が前記溝に再び収まるように、前記透光性基体に重ねる工程と、
・前記樹脂上の前記パターンをマスクとしてフォトエッチングを行うことにより、前記樹脂上の前記パターンを前記第２の金属皮膜に転写する工程と、
を含む。

これらの製造方法の利点を含め、本発明に関するその他の目的や構成、作用効果は、例示的な実施形態を用いて後に詳述される。

従来技術である、ソフトリソグラフィプロセスの概要を説明するための図従来技術である、光造形法を用いたマイクロコイルの製造を説明するための図従来技術である、シンクロトロン光を用いたマイクロコイルの製造を説明するための図実施例として紹介するMEMS露光モジュールの概要を説明するための図である。実施例として紹介するMEMS露光モジュールの概要を説明するための図である。実施例として紹介するMEMS露光モジュールの概要を説明するための図である。 MEMS露光モジュール４００を、その長手方向の中心軸で切断した断面図である。 MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第１の例の工程を説明するための図である。半円溝６０２を形成した基体６０１の光学顕微鏡写真である。部品６００を図６（ｅ）の符号６１８の方向から撮影した光学顕微鏡写真である。部品６００を図６（ｅ）の符号６２０の方向から撮影した光学顕微鏡写真である。 MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第２の例の工程を説明するための図である。 MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第２の例の工程を説明するための図である。 MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第３の例の工程を説明するための図である。ファイバー状基体に形成しうる微小温度計の回路パターン例１１００を示す図である。 MEMS露出モジュール４００を利用して、ファイバー状基体に微小温度計回路パターン１１００を形成するプロセスを説明するための図である。 MEMS露出モジュール４００を利用して製造しうるマイクロインダクタを説明するための図である。図１３Ｂのマイクロインダクタ１３２０を、MEMS露出モジュール４００を利用して製造するプロセスの例を説明するための図である。

以下、本発明のより深い理解に資するために、好適な実施例の説明を通して、本発明の様々な側面について図面を用いて詳細に説明する。

本発明の好適な実施形態は、直径が１ｍｍ以下ともなりうる非常に細いファイバー状基材のための、低コストで高解像度のリソグラフィ技術を提供しうる。このリソグラフィ技術は、本明細書で「MEMS露光モジュール」と呼ばれるものを利用する。「MEMS」露光モジュールと呼ぶ理由は、この露光モジュールがMEMS技術を用いて製造されうるからである。図４Aに、実施例として紹介するMEMS露光モジュール４００の径方向の断面図を示す。MEMS露光モジュール４００は、上半分の部分４０２と下半分の部分４０４とに分けて製造され、これらを接合して製造される。モジュール４００の中央部分には円筒形の孔（空洞）４０６が形成される。この空洞に、露光されるファイバー部材４２０が挿入せしめられる。図４Bに、空洞４０６にファイバー部材４２０を挿入した様子を描いた。空洞４０６の内面には露光により転写されるべきマスクパターン４０８が設けられる。MEMS露光モジュール４００は、全体としては直方体状の外観を呈し、空洞４０６の中心線の方向はモジュール４００の長手方向の軸に一致する。（なお、これが単に例示的な形状であり、本発明の実施形態の形状を限定するものではないことには注意されたい。）

部分４０２，４０４の接合面は、空洞４０６の中心線を通る面上に位置する。従って、これらの部分に形成される半円筒状の溝は、それぞれ空洞４０６のちょうど半分を形成する。本実施例では２つの部分に分割されているが、製造上必要であれば、もっと多くの部分に分けて製造してもよい。が、空洞４０６の形状が円筒状である場合は、２つの部分に分ければ、製造の容易さを確保するという目的に十分に叶うだろう。これらの部分はMEMS又は他の既存のパッケージング技術を用いて接合される。各部分の基体には、リソグラフィを行おうとするファイバーの寸法に応じて、マイクロ加工プロセスや精密加工プロセスを利用して溝が形成される。図４Ｃは、図４Ａに描かれたモジュール４００の下半分４０４を描いた断面図であるが、断面が半円となる半円筒状の溝４１４が形成されていることが分かる。この溝が部分４０２の対応する溝に組み合わされることにより、図４Ａに描かれる円筒空洞４０６が形成される。溝４１４は、既存のドライエッチングやウェットエッチングの技法を用いて容易に形成することができる。

モジュール４００は、露光用の光を通過させなければならないので、透光性の高い物質で形成される必要がある。また、加工性の高い物質であることも望ましい。このような要求に叶う材料の一例は石英やガラスである。無論、これらの物質に限られるものではない。パターン４０８は、露光時にマスクとして利用されるため、金属その他の遮光性の物質で形成される必要がある。好適なマスク材料の一例として、MEMS製造プロセスによく適合するという利点から、Cr/Cr₂O₃を挙げることができる。

図５は、MEMS露光モジュール４００を、その長手方向の中心軸で切断した断面図を表したものである。図４Ａに描かれた、モジュール４００の上半分４０２は、マスクパターン４０８が設けられる部分４０２ａと、その他の部分４０２ｂとに分けられる。同様に、モジュール４００の下半分４０４（図４Ａ参照）も、マスクパターン４０８が設けられる部分４０４ａと、その他の部分４０４ｂとに分けられる。

部分４０２ｂ，４０４ｂは、モジュール４００の入口及び出口付近、すなわち図４Ａで符号４０６で示された空洞の４０６の入口及び出口付近に形成され、空洞４０６を貫通するファイバー４２０を支持する役目を果たす。このため、部分４０２ｂ及び４０４ｂで画定される孔の内径は、ファイバー４２０の外径にほぼ一致するように形成されることが望ましい。これに対してマスクパターン４０８が設けられる領域、すなわち部分４０２ａ及び４０４ａで画定される孔の内径は、ファイバー４２０の外径よりも若干大きくなっている。これは、ファイバー４２０の給送中に、ファイバー４２０とマスクパターン４０８が接触し、マスクパターン４０８が損傷することを防ぐためである。

露光モジュール４００を用いた長尺ファイバー部材４２０へのリソグラフィプロセスは、露光を行う部分を位置決めしてモジュール４００内にセットして、露光を行い、ファイバー４２０を給送して露光を終えた部分を引き出し、次に露光を行う部分をモジュール４００内にセットして、再び露光を行うという、段階的プロセスによって行われる。図５では、露光を終えてパターンが転写された箇所が符号４２で示されている。従って、このリソグラフィプロセスは、「連続的」又は「逐次的」と表現できる。

ファイバー４２０の各位置に露光されるパターンがそれぞれ同じような解像度で形成されるためには、ファイバー４２０の心材４２２の周りに形成されたフォトレジスト層４２４と、マスクパターン４０８との距離が、各露光段階において同一である必要がある。この点で、部分４０２ｂ及び４０４ｂで画定される孔の内径を、ファイバー４２０の外径にほぼ一致するように形成しておけば、当該孔は、ファイバー４２０を支持するだけでなく、フォトレジスト層４２４とマスクパターン４０８との距離を一定に保つ働きも有することになるので、非常に有利である。すなわち部分４０２ｂ及び４０４ｂで画定される孔は、ファイバー４２０の支持機能に加えて、ファイバー４２０の径方向の位置決めの機能をも有する。

前述のように、部分４０２ａ及び４０４ａで画定される孔の内径は、マスクパターン４０８の接触破損を防止すべく、ファイバー４２０の外径よりも若干大きく形成されることが好ましい。MEMSプロセスは非常に高精度の加工が可能であるので、露光ギャップが数μｍ以下になるように精密に制御することが可能である。しかし、たとえごく僅かなギャップであったとしても、マスクパターン４０８とフォトレジスト層４２４とが離間していると、露光時に光の屈折や散乱が生じる可能性があることから、高精度のパターン形成という点からは不利である。そこで、露光中は、マスクパターン４０８とフォトレジスト層４２４との間の空隙を、部分４０２ａ及び４０４ａの部材にできるだけ近い屈折率を有する液体で満たすことが好ましい。無論、可能であれば、この液体の屈折率は、部分４０２ａ及び４０４ａの屈折率と完全に等しいことが好ましい。このようにすることで、マスクパターン４０８とフォトレジスト層４２４とが離間していることに起因する光の屈折や散乱の影響を極限まで抑えることが可能となる。

または、光の屈折を積極的に利用し、ギャップに高屈折率の液体を満たすこととしてもよい。高屈折率の液体を満たすことでステッパーの開口率を向上させる、いわゆる液浸リソグラフィが知られており、本発明の実施形態においても同様の原理を応用することができる。

さらに、これらの液体は、部分４０２ｂ及び４０４ｂで画定される孔の部分において、ファイバー給送時の摩擦を減らすための潤滑液として役割も果たすことができる。従って、部分４０２ｂ及び４０４ｂで画定される孔の内径は、ファイバー４２０の支持のためにはその外径にできるだけ一致することが好ましいが、これらの間に潤滑液が介在できる程度のごく僅かな隙間はあったほうが好ましい。

部分４０２ａ及び４０４ａの材質は、図５に概念的に示されているように光５００を透過させる透光性の材質で形成される必要があるが、部分４０２ｂ及び４０４ｂについては、必ずしも透光性の材質である必要はなく、余計な光をレジスト層４２４に照射しないためには、むしろ光を透過させない材質で形成されることが好ましい。部分４０２ｂ及び４０４ｂを部分４０２ａ及び４０４ａと同じ材質で形成する場合、部分４０２ｂ及び４０４ｂの筒面は、遮光性の物質でコーティングすることが好ましい。

続いて、MEMS露光モジュール４００の製造方法の例についていくつか説明する。前述のように、MEMS露光モジュール４００は２つの部分４０２と４０４に分けられて製造され、後に接合される。以下に説明するのは、これらの部分４０２または４０４を製造する方法である。
〔製造方法例１〕

図６に、MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第１の例の工程を示す。

図６（ａ）は、直方形の基体６０１に、半円筒状の溝６０２を形成する段階を示す。基体６０１は、前述のMEMS露光モジュール４００の部品４０２や４０４の基体であり、従って石英やガラスなどの透光性の材質で作られる。また溝６０２は、図４Ａなどに描かれた空洞４０６の半分に対応するものである。半円溝６０２は、トライエッチングやウェットエッチングといった周知の技法を用いて容易に形成することができる。図７に、半円溝６０２を形成した基体６０１の光学顕微鏡写真を示す。

続いて図６（ｂ）に示すように、基体６０１の表面に金属層６０４を電気めっき等の技法により形成し、その上にスプレーコーティング等の技法によりフォトレジスト層６０６を形成する。これらの層形成は、半導体製造プロセスにおいて良く知られている技法を用いることができる。金属層６０４やレジスト層６０６は、基体６０１の表面の前面を覆う必要は必ずしもないが、半円溝６０２の溝面は少なくとも覆うように形成されることが好ましい。金属層６０４は、後に光を遮るマスクとして形成されるため、光を通さないものである必要がある。例えばCr/Cr₂O₃の層であることができる。

さらに続いて、図６（ｃ）に示すように、フォトマスク６０８を介して光６１０をフォトレジスト層６０６に照射し、露光を行う。これを現像すると、図６（ｄ）に示すように、金属層６０４上にフォトレジストのパターン６０６ａが残る。さらに適当なエッチング処理を施すことにより、金属層のうち不要な部分や残ったレジストが除去され、半円溝６０２の内面に金属層６０４のうち必要な部分が残り、金属のパターン６０４ａが形成される（図６（ｅ）参照）。これらの工程によって部品６００が完成する。部品６００は、MEMS露光モジュール４００の部分４０２又は４０４でありうる。

図８ａは、部品６００の光学顕微鏡写真である。この写真は、図６（ｅ）の矢印６１８の方向から撮影したものである。半円溝は矢印６０２で示されているが、黒く写っている符号６０２ａで示した部分が溝壁の部分であり、符号６０４ａで示した部分が形成された金属マスクパターンである。なお、図６と図８ａで同じ構成には同じ符号が用いられていることを念のために記しておく。図６の方法にてきれいなマスクパターンを形成しうることが写真から理解しうるであろう。

符号６２２で示した矩形パターンや、符号６２４で示した格子パターンは、２つの部品６００を貼り合わせて図４Ａに示すような露光モジュールに仕上げる際に、位置合わせに使用するマークである。このようなパターンは、一度の露光プロセスで簡単に形成することが可能である。マーク６２２や６２４は、２つの部品６００を接合する際だけではなく、ファイバーを給送する際の横方向の位置決めを行うためにも使用されうる。このような位置合わせ用のパターンは、マイクロコイルや似たような構造を製造するにおいて便利なものであるが、このようなパターンや他の位置合わせマークを精度良く形成することは、従来のソフトリソグラフィプロセスなどでは困難である。

図８ｂは、部品６００を図（ｅ）の矢印６２０の方向から撮影した光学顕微鏡写真である。写真で明らかなように、半円溝６０２及びその中の金属マスクパターン６０４ａが写っている。また、溝壁部分６０２ａにおいても薄い線状の構造が写っており、この部分にも金属マスクパターンが形成されていることが分かる。これらのマスクパターンは、露光によりファイバー基材４２０にコイルパターンを形成することが意図されている。矢印６２０の方向から撮影しても溝構造が写っていることから、基体６０１が透明であることが分かる。つまり、基体６０１はフォトリソグラフィプロセスにおける露光用の光を通過させうる材質で形成されている。

図６の製造方法の弱点は、マスク６０８と半円溝６０２の底部との間に距離があるため、露光時に光の屈折や散乱の影響でリソグラフィの解像度が落ちてしまうことである。このため図６の製造方法は、溝が比較的浅い場合、例えば直径が１００μｍ以下である場合（すなわち最大深度が５０μｍ以下である場合）に使用することが好ましい。溝がより深い場合は、次に示す製造方法を用いることが好ましい。
〔製造方法例２〕

図９に、MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第２の例の工程を示す。

図９（ａ）に示す工程は、直方形の基体６０１を準備し、それに半円筒状の溝６０２を形成する工程であり、図６（ａ）の工程と同一である。なお、図６と同一要素には同一符号を付してある。図９（ｂ）の工程は、図６（ｂ）の工程とは異なり、基体６０１の表面に形成される皮膜９０２は、DTSなどの抗接着性物質の皮膜である。抗接着性物質皮膜９０２の上に、薄膜形成技術を利用して金属薄膜９０４を形成する。この皮膜は後にフォトマスクとして利用するため、光を通す材質であってはいけない。最も好適な皮膜材料の一つはCr/Cr₂O₃である。

続いて、金属層９０４の上に接着性物質を塗布し、その上にＰＤＭＳの層を形成する（図９（ｃ））。ＰＤＭＳは、半円溝６０２の形状に合わせて硬化せしめられる。すなわち、図９（ｃ）の工程は、基体６０１を型としてＰＤＭＳを成形する、モールディングプロセスである。ＰＤＭＳを硬化させた後、ＰＤＭＳ成形物９０６を基体６０１から剥離すると、基体６０１と金属層９０４との間に抗接着性物質皮膜９０２が存在し、金属層９０４とＰＤＭＳ成形物９０６との間には接着性物質が塗布されていたことから、金属層９０４はＰＤＭＳ成形物９０６へ貼り付いたまま基体６０１から剥がれることになる（図９（ｄ））。ＰＤＭＳ成形物９０６には、半円溝６０２に対応する半円筒形の隆条９０７が形成される。ＰＤＭＳ成形物９０６は、続く工程で、基体６０１のためのフォトマスクとして制作される。

図９（ｅ）の工程では、まずＰＤＭＳ成型物９０６の金属層９０４上にスピンコーティングやスプレーコーティングなどの手法を用いてフォトレジスト層９０８を形成すると共に、フォトマスク９１０を準備し、フォトレジスト層９０８にフォトマスク９１０を介して光９１２を照射することにより、露光を行う。これを現像し、エッチング処理によって不要なレジスト及び金属を除去すると、図９（ｆ）に示すように、金属層９０４が、フォトマスク９１０のパターンに対応したパターン９０４ａへと加工される。

一方、図９（ｇ）の工程では、ＰＤＭＳ成形物９０６が剥離された基体６０１の表面を清掃し、特に抗接着性物質皮膜９０２をきれいに除去し、改めて金属層９１４を形成する。金属層９１４は、少なくとも半円溝６０２を覆うように形成されることが好ましい。金属層９１４もCr/Cr₂O₃などによって形成されることができる。さらに、スピンコーティングやスプレーコーティングなどの手法を用いて、金属層９１４の上にフォトレジスト層９１６を形成する。

図９（ｈ）の工程では、金属及びフォトレジストの皮膜が形成された基体６０１に、マスクパターン９０４ａが形成されたＰＤＭＳ成形物９０６を重ね合わせる。ＰＤＭＳ成形物９０６の隆条９０７は、もともと基体６０１の半円溝６０２を型として形成されたものであるので、ＰＤＭＳ成形物９０６と基体６０１とはほとんど隙間なく嵌め合わせることができる。さらに図９（ｉ）の工程では、接触面とは反対側から光９１８を照射することにより、ＰＤＭＳ成形物９０６（のパターン９０４ａ）をマスクとして、フォトレジスト層９１６を露光する。ＰＤＭＳは透明であるため、光を通過させることに留意されたい。この露光により、マスク９０４ａのパターンをレジスト層９１６へ転写することができる。

露光の完了後、ＰＤＭＳ成形物９０６を取り外し、現像及びエッチング処理により不要なレジスト及び金属を除去すると、図９（ｊ）に描かれるように、溝６０２の内面に金属層９１４を由来とする金属パターン９１４ａを得ることができる。図９（ｊ）には、完成した部品が符号９００で表されているが、これは図６の部品６００に対応する部品であり、MEMS露光モジュール４００の部品４０２又は４０４でありうる部品である。

図９の製造方法の利点は、マスクと転写層（フォトレジスト）との距離を著しく短縮できることである。

図６の製造方法では、図６（ｃ）に描かれるように、溝６０２とマスク６０８との距離が開いてしまっている。マスク６０８が平面状であるため、マスク６０８を溝の底部に位置させることは不可能であり、せいぜいマスクを溝の開口部のすぐ上上に設置することくらいしかできない。このため、溝の奥部とマスクとの間には一定の間隔が開くことにならざるを得ない。すると、マスクのエッジからフォトレジストに届く光に多少の屈折が生じることは避けられないので、転写されるパターンが滲んでしまい、高精度の転写を行うことが困難となる。

しかし、図９の製造方法では、図９（ｈ）（ｉ）に描かれるように、マスク（９０４ａ）とフォトレジスト層（９１６）は接触又は極めて近接しているので、光の屈折や散乱が問題とならず、高精度の描画を行うことが可能になる。

図９（ｃ）の工程において、ＰＤＭＳははじめ液体状態で溝６０２に流し込まれるので、溝６０２の形状が如何なる形状であろうとも、その形状にぴったり合った形に適応し、硬化することができる。従って、マスク（９０４ａ）とフォトレジスト層（９１６）との形状は非常によく一致し、接触性は極めて良好である。この特徴は、高精度の描画を行う上で非常に有利な点である。なお、本発明の実施形態で用いることのできる材料はＰＤＭＳに限られる訳ではなく、ＰＤＭＳと同様に、液体相から硬化し、透光性を有する材料であれば、ＰＤＭＳの代わりに用いることができる。

図９の製造方法のさらなる利点は、隆条状のマスク９０４ａの頂部付近で、最も高精度のマスクを形成できることである。これは、すなわち溝６０２の底部付近で最も解像度の高い描画を行うことができるという結果をもたらす。

図９（ｅ）に描かれるように、溝６０２に対応する部分９０７が突き出ていることから、レジスト層９０８のうちマスターマスク９１０に最も近接する部分は隆条９０７の頂部ということになる。従って、マスターマスク９１０を通過した光の屈折や散乱の影響を受けることが最も少ないのが隆条９０７の頂部ということになる。さらに、隆条９０７の頂部においては接平面が光９１２に対して垂直に近くなるため、その点でもさらに解像度の高い描画が可能になる。これらの理由より、マスク９０４ａにおいて最も高精度のパターンが形成さる。

このＰＤＭＳ成型物９０６を用いて基体６０１のレジスト層９１６の露光を行う図９（ｈ）（ｉ）のステップにおいては、最も精度の高いパターンが隆条部９０７の頂部付近であることと、光９１８に対して接平面が垂直に近いとの理由で、溝６０２の底部において、最も解像度の高い描画が可能になる。

図５に描かれるように、ファイバー４２０の露光時に、光は部品４０２と４０４の接合面に対して垂直に照射される。このため、ファイバー４２０において接平面が光に対して垂直になり、描画条件の最も良い場所は、図５におけるファイバー４２０の上部と下部、すなわち部品４０２と４０４の接合面から最も遠い部分であり、つまり図６や図９で半円溝６０２の底部付近ということになる。従って、この付近に最も精度を必要とする機能パターンを描画できることが好ましい。例えば図９に具現化される製造方法の発明は、正に半円溝の底部において最も精度の高いマスクパターンを形成することを可能とするので、ファイバー材への適切なパターン描画を行う上で、非常に利益が大きい。

上記の製造方法によっても、ＰＤＭＳマスクの隆条の根本付近、すなわち露光モジュールの溝の開口部付近に対応する部分おいては、露光用の光に対してマスクパターンが斜めに形成されてしまうため、隆条の頂部（溝の深部）に比べると、解像度は低下する。そこで、これらの部位には、隆条の頂部（溝の深部）よりは、精度を必要としない機能部分（例えば単なる配線など）のパターンを形成することが好ましい。

図９の製造方法は、溝６０２の深さに依らず適用しうるが、特に、図６の製造方法ではマスク６０８と溝６０２の底部との距離に依存する悪影響が目立ち始める、溝の直径が１００μｍ以上である場合（すなわち最大深度が５０μｍ以上である場合）に特に利益が大きい。
〔製造方法例３〕

図１０に、MEMS露光モジュール４００の部分４０２や４０４を製造する方法の第３の例の工程を示す。図９の製造方法との違いは、ＰＤＭＳ成型物に金属皮膜を直接形成し、柔軟なステンシルマスクを用いたソフトリソグラフィによってマスクパターンを形成する点である。

図１０（ａ）に示す工程は、直方形の基体６０１を準備し、それに半円筒状の溝６０２を形成する工程であり、図６（ａ）や図９（ａ）の工程と同一である。なお、図６と同一要素には同一符号を付してある。しかし、この後は図９の製法とは異なり、基体６０１の上に直接ＰＤＭＳ層１００２を形成する。ＰＤＭＳ層１００２は、硬化させた後、基体６０１から剥離される。剥離が容易になるように、これらの間に抗接着性の物質を予め塗布しておいても良い。

一方、図１０（ｃ）に描かれるような、柔軟性のあるステンシルマスク１００４を用意しておく。ステンシルマスク１００４には、予めパターン１００６を形成しておく。ステンシルマスクの作製は、既存のMEMSテクノロジーや他のパターンニング技術によって行なうことができる。ステンシルマスクは十分な精度を有するように作成されねばならない。

図１０（ｄ）の工程では、ＰＤＭＳ成形物１００２に、金属層１００８及びフォトレジスト層１０１０を形成する。ＰＤＭＳ成形物１００２に金属層１００８を形成する手法としては、ＰＶＤなどのスパッタリング法や、無電解めっきなどの化学的方法を用いることができる。そして、フォトレジスト層１０１０の上に、用意したステンシルマスク１００４を被せ、光１０１２を照射して露光する。その後、現像及びエッチング処理を施すことにより、金属層１００８に由来する金属パターン１００８ａを形成することができる。

図１０（ｅ）で完成したＰＤＭＳマスクは、図９（ｆ）のＰＤＭＳマスクと同一であるので、後は図９（ｇ）〜（ｊ）の工程によりファイバー材への描画を行うことが可能である。

図１０の製造方法は、ＰＤＭＳ１００２にステンシルマスク１００４を被せるという工程が必要になるため、ステンシルマスク１００４の隆条部１００３がある程度大きいことが望ましい。従って、溝６０２の直径が２００μｍを超える場合、すなわち溝の深さが１００μｍより深くなり、対応して隆条部１００３の高さが１００μｍを超えるような場合に、好適に適用しうる。

溝６０２が大きい場合、ステンシルマスク１００４を直接溝内に設置するということも考えられるが、実際にはその作業は困難である。それよりも、溝６０２を型にしてＰＤＭＳ１００２を作製し、その隆条部１００３にステンシルマスク１００４を被せる方が、遙かに容易である。従って、溝６０２が大きい場合であっても、依然としてＰＤＭＳ成形物を作る有用性は失われない。
〔部品の接合〕

例えば前述の製法により、MEMS露光モジュール４００の各部分４０２，４０４を作成した後、これらを接合してMEMS露光モジュール４００を完成させる。接合には既知のMEMS製造・パッケージング技術を用いることが可能である。部品４０２及び４０４の位置合わせには、前述のように、マスクパターンの形成時に一緒に形成しておいた、位置合わせマーク６２２，６２４などのようなものを利用することが可能である。これらの位置合わせマークはファイバー給送時の軸方向の位置合わせにも利用することが可能である。

前述の製造方法は、いずれも、既存のＭＥＭＳ製造プロセスと相性が良く、製造・加工のコストも低廉である。また、ガラスや石英などの固く加工性の良い材料を使用することができることも、製造のし易さやコストの点で有利である。

露光モジュール４００を用いた長尺ファイバー部材４２０へのリソグラフィプロセスは、露光を行う部分を位置決めしてモジュール４００内にセットして、露光を行い、ファイバー４２０を給送して露光を終えた部分をモジュール４００から引き出し、次に露光を行うべき部分をモジュール４００内にセットして、再び露光を行うという、段階的な連続プロセスによって行われる。ファイバー部材４２０は、ヘッド部分４０２ｂ及び４０４ｂによって支持されると共に、径方向の位置が定められてしまうので、ファイバー部材４２０をモジュール４２０に通すだけで、径方向の位置決めは完了する。依然として軸方向の位置決めは必要ではあるものの、位置決め作業は非常に容易である。発明者の知る限り、単一のモジュールで、ファイバー状の基材に対して、これほどに容易に位置合わせと露光を行うことのできる技術が提供されたのは、本明細書が初めてである。
〔応用例１・・・微小温度計〕

温度計は、最もよく利用されている物理センサーであり、様々な用途に利用されている。ファイバー状の基体に微小温度計を形成することも望まれてきた。例えば、ファイバー上に形成した微小温度計を、やはりファイバーを利用した医療器具へ組み込むことが考えられている。また、ファイバー状に形成した多数の微小温度計を多数織り込んで、温度検出機能を備えたシートを作ることも考えられている。このようなシートは人工皮膚などに応用できると考えられており、医療やロボットの分野で大きな期待がもたれている。本発明によれば、かかるファイバー状微小温度計を低コストで簡単に製造することが可能となる。

図１１に、ファイバー状基体に形成しうる微小温度計の回路パターンの一例を示す。微小温度計回路パターン１１００は、白金パターン部１１０２とタングステンパターン部１１０４とから構成され、タングステンパターン部１１０４を介して白金パターン部１１０２の抵抗値を測定することにより、温度を測定することができる。

図１２を用いて、MEMS露出モジュール４００を利用して、ファイバー状基体に微小温度計回路パターン１１００を形成するプロセスを説明する。

図１２（ａ）は、ファイバー状基体１２０２を準備する工程を表している。ファイバー状基体１２０２としては、例えば市販の光ファイバーを用いることができる。図１２（ｂ）の工程では、ファイバー１２０２の外周に、スプレーコーティングなど適当な手法にてフォトレジストを塗布する。これを図４Ａや図５に挿入し、位置を合わせて露光を行う。露光を終えたファイバー部分をモジュール４００から引き出し、現像すると、図１２（ｃ）のように、フォトレジストによるパターンがファイバー１２０２の表面に形成される。これを、図１２（ｄ）の工程において、Ｐｔによる金属皮膜１２０６を約２００ｎｍの厚さに形成する。Ｐｔの薄膜は、電気めっきなどのスパッタリング法によって形成することができる。その後、不要な部分を適当なエッチング処理により除去すると、図１１のＰｔパターン部１１０２が得られる（図１２（ｅ））。図１２において、完成したＰｔパターン部は符号１２０６ａで表されている。再び図１２（ｄ）の工程に戻り（工程１２０８）、今度はタングステンの被膜を形成し、不要な部分を適当なエッチング処理により除去する。これによって、図１１のＷパターン部１１０４も完成する（図１２（ｅ））。

白金パターン１１０２のジグザグ構造は、熱の不整合に対して高い抵抗性を有し、安定的に温度を測定しうるという利点を有している。
さらに、Ｗ（タンクステン）の回路を形成する。図６に、ファイバーに形成される回路パターンを示す。Ｐｔの部分が温度により変形するので、その電気抵抗の変化をＷに接続する装置で測定する。この温度計構造は、（１）（２）構造が頂部にあることから、高い位置合わせ精度を有するという特徴がある。
〔応用例２・・・マイクロインダクタ〕

MEMS技術を用いてマイクロインダクタを製造しようとする努力はこれまでにもなされてきたが、製造コストが高い、加工が難しい、壊れやすい、Ｑファクタが低いなどの理由で、その利用分野は極めて限定されていた。マイクロインダクタの最も望ましい形は、図１３Ａに描かれるようなソレノイドである。前掲の非特許文献３は、強力なシンクロトロン光を照射し、基体からマイクロコイルを直接削り出す技術であったが、そのような手法は非常にコストが高く極めて限られた施設でしか使用することはできない。また、下記非特許文献４には、既存のMEMSプロセスによってマイクロコイルを製造する方法が記載されているが、深いエッチングを行う必要があることと、何度も位置合わせを行う必要があるために、コストや時間がかかり、また出来上がったコイルも壊れやすいという欠点がある。
J. W. Kim, M. H. Jung, N. K. Park, E. J. Yun, Microfabrication of solenoid-type RF SMD chip inductors with an Al2O3 core, Current Applied Physics, 8 (2008) 631-636.

しかし、上述の製造方法によれば、マイクロコイルも安価に且つ高精度に作製することが可能である。パターンは、わずか１回の露光により焼き付けることが可能である。

図１３Ａは、強磁性体のコア１３０２の周囲に螺旋状に金属パターン１３０４が形成された、マイクロインダクタ１３００を示す。図１３Ａのようなマイクロソレノイドを、適切なマスクパターンが形成されたMEMS露出モジュール４００を用いて製造可能であることは、これまでの説明から当業者には直ちに諒解可能であろう。図１３Ｂのマイクロインダクタ１３２０は、コア１３２１をガラスで形成し、強磁性体は薄膜１３２２としてガラスコア１３２１の周囲に形成した例である。金属のコイルパターン１３２４は、強磁性体の薄膜１３２２の上に形成される。図１３Ｃに、図１３Ｂの層構造を拡大して示した。シミュレーションによれば、図１３Ｂのようにコアを１００％の磁性材料で作らなくとも、インダクタとしての性能はそれほど変わらない。図１３Ｂのマイクロインダクタ１３２０は、高価な磁性体の代わりにガラスファイバーをコアに用いているので、材料費を大幅に削減することができる。

図１４を用いて、図１３Ｂのマイクロインダクタ１３２０を、MEMS露出モジュール４００を利用して製造するプロセスの例を説明する。

図１４（ａ）は、ガラスファイバー１３２１を準備する工程を表す。図１４（ｂ）の工程では、ガラスファイバー１３２１の周囲に磁性体の薄膜１３２２を電気めっきなどの手法を用いて形成する。なお、図１４と図１３Ｂで、同一の要素には同一の符号を用いていることに留意されたい。図１４（ｃ）の工程では、磁性体薄膜１３２２の上に、スプレーコーティングなどの手法を用いてフォトレジスト層１３３０を形成する。

一方、コイルパターンが形成されたMEMS露出モジュール４００を別に用意しておく。一度の露光でコイルパターンの全ての転写が可能なように、マスクパターンが形成されていることが望ましい。連続的なコイルパターンを形成するべく、モジュールには位置合わせに用いることのできるマークなどの構造が形成されていることが好ましい。図１４（ｃ）の工程でレジストを塗布したファイバー１３２１を、準備した露光モジュール内に挿入し、露光を行う。露光された部分をモジュールから引き出し、現像すると、レジストのパターンが現出する（図１４（ｄ））。このパターンの上に、ＡｕやＣｕなどの金属の薄膜１３２４'をスパッタリング法や電気めっきなどの手法により形成する（図１４（ｅ））。その後、適当なエッチング処理を行うことにより、金属のコイルパターン１３２４を得ることができ、マイクロインダクタ１３２０が完成する。

同様のプロセスにて、他の様々なマイクロデバイスやマイクロ構造を作成することができる。例えば、くし形構造を有する電極なども簡単に製造することができるが、それはセンシングの分野や通信分野において非常によく用いられている電極構造である。

以上、本発明の様々な側面を実施例を用いて説明してきたが、これらの実施例や説明は、本発明の範囲を制限する目的でなされたものではなく、本発明の理解に資するために提供されたものであることを付言しておく。本発明の範囲は、明細書に明示的に説明された構成や製法に限定されるものではなく、本明細書に開示される本発明の様々な側面の組み合わせをも、その範囲に含むものである。本発明のうち、特許を受けようとする構成を、添付の特許請求の範囲に特定したが、発明者は、現在の処は特許請求の範囲に特定されていない構成であっても、本明細書に開示される構成を、将来的に特許請求する可能性があることを、念のために申し述べる。

４００ MEMS露光モジュール
４０２ MEMS露光モジュールの上半分の部分
４０４ MEMS露光モジュールの下半分の部分
４０６円筒状空洞
４０８マスクパターン
４２０ファイバー部材
４２４フォトレジスト層
６００部品
６０１基体
６０２半円溝
６０４金属層
６０６フォトレジスト層
６０８フォトマスク
６２２，６２４マーク
９０２抗接着性物質皮膜
９０４金属薄膜
９０６ＰＤＭＳ成形物
９０７隆条部
９０８フォトレジスト層
９１０フォトマスク
９１４金属層
９１６フォトレジスト層
１００２ＰＤＭＳ成形物
１００３隆条部
１００４ステンシルマスク
１００６パターン
１００８金属層
１０１０フォトレジスト層
１１００微小温度計回路パターン
１１０２白金パターン部
１１０４タングステンパターン部
１２０２ファイバー
１２０６金属皮膜
１３００マイクロインダクタ
１３０２コア
１３０４金属パターン
１３２０マイクロインダクタ
１３２１ガラスファイバー
１３２２磁性体薄膜
１３２４コイルパターン
１３３０フォトレジスト層

Claims

ファイバー状の細長い部材にフォトリソグラフィ技術によってパターンを転写するための露光モジュールであって、
入口及び出口を有する筒状の空洞が設けられる透光性の基体と、前記筒状の空洞の壁面に設けられた遮光パターンとを有する、露光モジュール。
前記筒状空洞の入口及び出口付近に形成され、露光される部材を潤滑液を介して又は介さないで摺動可能に支持する部材支持部と、前記部材支持部より奥の部分に設けられ、前記部材支持部より筒径の大きな露光部とを有し、前記遮光パターンは前記露光部の洞壁面に設けられる、請求項１に記載の露光モジュール。
前記部材支持部における空洞の洞壁面は遮光材で覆われている、請求項２に記載の露光モジュール。
前記部材支持部は、前記露光部の材質とは異なる難透光性の材質で形成される、請求項２又は３に記載の露光モジュール。
前記筒状空洞の中心軸を通る平面によって分割される複数の部品に分けて製造される、請求項１から４のいずれかに記載の露光モジュール。
請求項５に記載の露光モジュールを構成する前記複数の部品の少なくとも１つを製造する方法であって、
溝面が円筒面の一部を為す溝を透光性の基体上に形成する工程と、
前記溝面に金属皮膜を形成し、さらに該金属皮膜上にフォトレジストを塗布する工程と、
前記フォトレジストにマスクを介して光を照射し現像することにより、該フォトレジストにパターンを転写する工程と、
エッチングにより、不要なフォトレジスト及び金属皮膜を除去する工程と、
を備える、方法。
請求項５に記載の露光モジュールを構成する前記複数の部品の少なくとも１つを製造する方法であって、
溝面が円筒面の一部を為す溝を透光性の基体上に形成する工程と、
前記溝面に、抗接着性物質の皮膜を形成すると共に、該抗接着性物質の皮膜上に金属皮膜を形成し、さらに該金属皮膜上に接着性物質の皮膜を形成する工程と、
前記接着性物質の皮膜上に透光性の樹脂を積層する工程と、
前記樹脂を硬化させると共に、該樹脂を前記金属皮膜ごと前記透光性基体から剥離する工程と、
前記剥離した樹脂に対し、前記透光性基体の溝に対応して形成された隆条が覆われるように、前記金属皮膜上からフォトレジストを塗布すると共に、フォトエッチングによって前記金属皮膜をパターンに形成する工程と、
前記樹脂が剥離された前記透光性基体に対し、前記抗接着性物質を除去すると共に、前記溝面を覆うように第２の金属皮膜を形成し、さらに該第２の金属皮膜上にフォトレジストの層を形成する工程と、
前記パターンが形成された前記樹脂を、前記隆条が前記溝に再び収まるように、前記透光性基体に重ねる工程と、
前記樹脂上の前記パターンをマスクとしてフォトエッチングを行うことにより、前記樹脂上の前記パターンを前記第２の金属皮膜に転写する工程と、
を備える、方法。
請求項５に記載の露光モジュールを構成する前記複数の部品の少なくとも１つを製造する方法であって、
溝面が円筒面の一部を為す溝を透光性の基体上に形成する工程と、
前記溝上に透光性の樹脂を積層し、硬化後に剥離する工程と、
前記剥離した樹脂に対し、前記透光性基体の溝に対応して形成された隆条を覆うように金属皮膜を形成すると共に、前記金属皮膜をパターンに形成する工程と、
前記樹脂が剥離された前記透光性基体に対し、前記溝面を覆うように第２の金属皮膜を形成し、さらに該第２の金属皮膜上にフォトレジストの層を形成する工程と、
前記パターンが形成された前記樹脂を、前記隆条が前記溝に再び収まるように、前記透光性基体に重ねる工程と、
前記樹脂上の前記パターンをマスクとしてフォトエッチングを行うことにより、前記樹脂上の前記パターンを前記第２の金属皮膜に転写する工程と、
を備える、方法。
前記樹脂上の前記金属皮膜に前記パターン形成する工程を、ソフトリソグラフィを利用して行う、請求項８に記載の方法。
前記樹脂上の前記金属皮膜に前記パターン形成する工程を、ステンシルリソグラフィを利用して行う、請求項８に記載の方法。
微細構造を有するファイバーを製造する方法であって、請求項１から５のいずれかに記載の露光モジュールをマスクとして用いるフォトリソグラフィ法に基づいて前記微細構造を形成する、方法。