KR101200150B1 - 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자 - Google Patents
나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 나노 와이어가 불필요한 위치에 형성되어 전기적인 단락을 발생시키는 문제를 방지할 수 있는 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자에 관한 것이다.
일례로, 기판 상에 촉매 패턴을 형성하는 촉매 패턴 형성 단계; 및 나노 물질을 상기 촉매 패턴에 증착시켜 상기 촉매 패턴으로부터 수평 방향 또는 수직 방향으로 성장시키는 나노 물질 성장 단계를 포함하는 나노 와이어 제조 방법이 개시된다.
일례로, 기판 상에 촉매 패턴을 형성하는 촉매 패턴 형성 단계; 및 나노 물질을 상기 촉매 패턴에 증착시켜 상기 촉매 패턴으로부터 수평 방향 또는 수직 방향으로 성장시키는 나노 물질 성장 단계를 포함하는 나노 와이어 제조 방법이 개시된다.
Description
본 발명은 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자에 관한 것이다.
나노기술은 나노미터 크기의 범주에서 조작 및 분석하고 이를 제어함으로써 새롭거나 개선된 물리적?화학적?생물학적 특성을 나타내는 소재나 소자 또는 시스템을 만들어 내는 과학기술로 정의된다.
이러한 나노기술이 발전되면서 다양한 나노 구조물이 소개되고 있는데, 그 중에서 나노 튜브, 나노 와이어 등이 대표적이다.
나노 튜브로는 탄소 나노 튜브가 널리 알려져 있다. 나노 와이어는 레이저, 트랜지스터, 메모리, 화학감지용 센서 등 다양한 분야에 사용될 수 있다.
현재의 나노 와이어 제조 기술은 소재의 길이를 자유자재로 조절할 수 있는 수준까지 발전했다. 예를 들면, 그 넓이를 사람 머리카락의 1000분의 1에서 100분의 1까지 조절할 수 있고, 두께도 5나노미터에서 수백 나노미터까지 조절할 수 있다.
이와 같은 나노 와이어는 대개 촉매를 이용한 성장법으로 제조된다. 이러한 나노 와이어 제조 방법에서 나노 와이어가 주어진 길이로 형성된 후, 사용된 촉매는 제거된다.
본 발명의 목적은 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 나노 와이어가 불필요한 위치에 형성되어 전기적인 단락을 발생시키는 문제를 방지할 수 있는 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 또다른 목적은 나노 와이어를 원하는 방향, 예를 들어 수평 방향 또는 수직 방향으로 형성시킬 수 있는 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법은 기판 상에 촉매 패턴을 형성하는 촉매 패턴 형성 단계; 및 나노 물질을 상기 촉매 패턴에 증착시키고 상기 촉매 패턴으로부터 수평 방향 또는 수직 방향으로 성장시켜 나노 와이어를 형성하는 나노 물질 성장 단계를 포함하며, 상기 촉매 패턴 형성 단계는, 상기 나노 물질을 수평 방향으로 성장시킬 경우, 상기 촉매 패턴의 상면을 덮는 제 1 캡핑층, 상기 촉매 패턴의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층, 및 상기 제 1 캡핑층의 타측에서 수평 방향으로 폭이 좁아지면서 연장되는 제 3 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 촉매 패턴 형성 단계는 상기 촉매 패턴의 상면을 덮도록 캡핑층을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 촉매 패턴 형성 단계는 상기 촉매 패턴의 상면을 덮는 제 1 캡핑층과, 상기 촉매 패턴의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 촉매 패턴 형성 단계는 상기 촉매 패턴의 상면을 덮는 제 1 캡핑층, 상기 촉매 패턴의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층, 및 상기 제 1 캡핑층의 타측에서 수평 방향으로 폭이 좁아지면서 연장되는 제 3 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 캡핑층의 상면과 상기 제 3 캡핑층의 상면이 동일 평면을 이룰 수 있다.
상기 촉매 패턴 형성 단계는 상기 촉매 패턴의 상면 가장자리와 측면을 덮는 캡핑층을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 나노 물질 성장 단계는 thermal CVD, laser ablation CVD(LACVD), plasma enhanced CVD(PECVD), LPCVD, MOCVD 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 이루어질 수 있다.
상기 촉매 패턴은 Au, graphite, Cu, 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.
상기 나노 물질은
CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi,
ZnS:Tb, ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8,2SrCl2:Eu,
SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu,
YAG(Yittrium, Alumium, Garnet) 또는 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 화합물, 또는
ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함할 수 있다.
상기 나노 물질은 Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물인 도펀트를 더 포함할 수 있다.
상기 캡핑층은 ITO(Indium Tin Oxide), Ti(Titanium), Cr(Chrome), SiO2, SiNx, Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
상기와 같은 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성되는 나노 와이어를 갖는 전자 장치는 기판; 상기 기판 위에 수평 방향으로 형성되는 나노 와이어; 상기 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 1 전극; 및 상기 나노 와이어의 타단에 연결되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성되는 나노 와이어를 갖는 전자 장치는 기판; 상기 기판 위에 형성되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 위에 수직 방향으로 형성되는 나노 와이어; 및 상기 나노 와이어의 위에 형성되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자는 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 나노 와이어가 불필요한 위치에 형성되어 전기적인 단락을 발생시키는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법 및 나노 와이어를 갖는 전자 소자는 나노 와이어를 원하는 방향, 예를 들어 수평 방향 또는 수직 방향으로 형성시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법을 보여주는 순서도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계를 보여주는 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 6a 및 도 6b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성된 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성된 또다른 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계를 보여주는 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 6a 및 도 6b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성된 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성된 또다른 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 도시한 평면도 및 단면도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
여기서, 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 전기적으로 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법을 보여주는 순서도이며, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계를 보여주는 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법은 촉매 패턴 형성 단계(S1)와 나노 물질 성장 단계(S2)를 포함한다.
도 2a를 참조하면, 상기 촉매 패턴 형성 단계(S1)는 나노 와이어를 형성하고자 하는 기판(110) 상에 촉매 패턴(120)을 형성하는 단계이다. 이는 상기 나노 와이어의 형성을 위해서는 나노 와이어의 형성을 위한 촉매가 필요하기 때문이다.
구체적으로, 상기 촉매 패턴 형성 단계(S1)는 기판(110)에 촉매를 입자 형태 또는 박막 형태로 도포하고, 패터닝 공정을 통해 실질적으로 나노 와이어가 형성되지 않을 영역에 촉매 패턴(120)을 형성한다. 상기 촉매 패턴(120)은 복수개의 촉매가 이격되어 형성될 수 있으며, 촉매의 두께는 약 1nm 내지 50nm일 수 있고, 촉매들 간 이격 거리는 약 4nm 내지 100㎛일 수 있다. 이와 같이 형성되는 촉매 패턴(120)은 나노 와이어의 형성 이후에는 제거될 수 있다. 여기서, 상기 촉매 패턴(120)의 형성을 위한 촉매는 Au, graphite, Cu, 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
도 2b를 참조하면, 상기 나노 물질 성장 단계(S2)는 나노 물질을 촉매 패턴(120)에 증착시켜 촉매 패턴(120)으로부터 성장시키는 단계이다.
상기 나노 물질의 성장 단계(S2)는 thermal CVD, laser ablation CVD(LACVD), plasma enhanced CVD(PECVD), LPCVD, MOCVD 중에서 선택되는 어느 하나의 방법을 이용하여 이루어질 수 있다. 이러한 방법에 의해, 나노 물질이 촉매 패턴(120)으로부터 수평 또는 수직 방향으로 성장되어, 촉매 패턴(120)의 노출된 상면 및 측면들에 연결되는 나노 와이어(130)가 형성된다. 여기서, 상기 나노 와이어(130) 중 불필요한 부분, 예를 들어 촉매 패턴(120)의 상면과 측면들 중 일부 측면에 형성된 부분은 별도의 공정을 통해서 제거될 수 있다.
상기 나노 와이어(130)의 형성을 위한 나노 물질은 발광 소자, 트랜지스터 및 캐패시터 등을 구현하기 위한 물질로 형성될 수 있으며, 나노 와이어(130)가 발광 소자의 형광체로 구현되는 경우 나노 와이어(130)의 형성을 위한 나노 물질은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색 형광체 물질일 수 있다.
예를 들어, 상기 나노 물질은 적색 형광체 물질로서, CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물일 수 있다.
또한, 상기 나노 물질은 녹색 형광체 물질로서, ZnS:Tb(Host:dopant), ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8,2SrCl2:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물일 수 있다.
또한, 상기 나노 물질은 청색 형광체 물질로서 SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물일 수 있다.
또한, 상기 나노 물질은 백색 형광체 물질로서, YAG(Yittrium, Alumium, Garnet)일 수 있다. 또한, 상기 나노 물질은 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 화합물일 수 있다.
상기 나노 물질은 모체를 형성하는 호스트(host)와 모체의 내부에서 발광의 중심이 되는 도펀트(dopant)를 포함하여 형성된다. 이러한 나노 물질은 트랜지스터에서 반도체 활성층과 반도체 채널 영역을 포함하여 형성될 수 있다.
또한, 통상 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드 포함), P, B-C, B-P(BP6), B-Si, Si-C, Si-Ge, Si-Sn 및 Ge-Sn, SiC, BN/BP/BAs, AlN/AlP/AlAs/AlSb, GaN/GaP/GaAs/GaSb, InN/InP/InAs/InSb, BN/BP/BAs, AlN/AlP/AlAs/AlSb, GaN/GaP/GaAs/GaSb,InN/InP/InAs/InSb, ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe, CdS/CdSe/CdTe, HgS/HgSe/HgTe, BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe, GeS, GeSe,GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, AgF, AgCl, AgBr, AgI, BeSiN2, CaCN2,ZnGeP2, CdSnAs2, ZnSnSb2, CuGeP3, CuSi2P3, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, Al2CO와 같은 물질이 반도체 나노 물질로 사용될 수 있다.
특히, ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe의 각각, 또는 화합물과 같은 물질로 만들어진 나노 와이어는 기본적으로 반도체 기능을 가지며, 별도의 도펀트 추가에 의해 발광 기능도 갖는다. 물론, 상기 도펀트의 조성을 조절함으로써, 발광 색상을 적절히 조절할 수 있다. 더불어, 도펀트로 주로 사용되는 물질은 Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga의 각각, 그 화합물일 수 있으나, 이러한 물질로 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법은 나노 물질을 기판(110)에 증착시키고 성장시켜 기판(110)에 직접 나노 와이어(130)를 형성함으로써, 기존에 나노 와이어를 형성한 후 별도로 기판에 이동시키는 공정을 삭제할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법은 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 나노 와이어를 형성한 후 별도로 기판에 이동시키는 공정 중 나노 와이어가 불필요한 위치에 형성되어 전기적인 단락을 발생시키는 문제를 방지할 수 있다.
다음은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 다른 예에 대해 설명하기로 한다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 촉매 패턴 형성 단계(S1)는 나노 와이어를 형성하고자 하는 기판(110) 상에 촉매 패턴(120)을 형성하고, 촉매 패턴(120)에 캡핑층(225)을 형성한다. 여기서, 촉매 패턴(120)의 형성은 도 2a에서 이미 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 3a의 촉매 패턴 형성 단계(S1)에서, 상기 캡핑층(225)은 촉매 패턴(120)의 상면을 덮도록 형성된다. 이러한 캡핑층(225)은 나노 물질 성장 단계(S2)에서 나노 물질이 촉매 패턴(120)으로부터 수직 방향이 아닌 수평 방향으로 성장되게 조절하는 역할을 한다. 이를 위해, 상기 캡핑층(225)은 블록킹 효율(blocking effect)이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide), Ti(Titanium), Cr(Chrome), SiO2, SiNx, Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 또한, 상기 캡핑층(225)는 약 1nm 내지 1000㎛의 두께를 가질 수 있다.
도 3b를 참조하면, 나노 물질 성장 단계(S2)는 나노 물질을 캡핑층(225)이 형성된 촉매 패턴(120)에 증착시켜 촉매 패턴(120)으로부터 성장시키는 단계이다. 이러한 나노 물질 성장 단계(S2)에서, 나노 물질이 캡핑층(225)이 형성된 촉매 패턴(120)으로부터 수평 방향으로 성장되어, 촉매 패턴(120)의 노출된 측면들에 연결되는 나노 와이어(230)가 형성된다. 여기서, 상기 나노 와이어(230) 중 불필요한 부분, 예를 들어 촉매 패턴(120)의 측면들 중 일부 측면에 형성된 부분은 별도의 공정을 통해서 제거될 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 다른 예는 촉매 패턴(120)의 상면을 덮도록 캡핑층(225)을 형성하여 나노 물질의 성장 방향을 조절함으로써, 나노 와이어(230)를 원하는 방향, 예를 들어 수평 방향으로 형성시킬 수 있다.
다음은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 또다른 예에 대해 설명하기로 한다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 촉매 패턴 형성 단계(S1)는 나노 와이어를 형성하고자 하는 기판(110) 상에 촉매 패턴(120)을 형성하고, 촉매 패턴(120)에 캡핑층(325)을 형성한다. 여기서, 촉매 패턴(120)의 형성은 도 2a에서 이미 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4a의 촉매 패턴 형성 단계(S1)에서, 상기 캡핑층(325)은 촉매 패턴(120)의 상면과 일측면을 덮도록 형성된다. 구체적으로, 상기 캡핑층(325)은 촉매 패턴(120)의 상면을 덮는 제 1 캡핑층(325a)와, 촉매 패턴(120)의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층(325a)의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층(325b)을 포함한다. 이러한 캡핑층(325)은 나노 물질 성장 단계(S2)에서 나노 물질이 촉매 패턴(120)으로부터 수직 방향이 아닌 수평 방향으로 성장되게 조절하는 역할을 한다. 또한, 상기 캡핑층(325)은 도 2b의 나노 와이어(130) 또는 도 3b의 나노 와이어(230)와 달리 도 4b에서 나노 와이어(330)가 필요한 부분에만 형성되도록 하여, 나노 와이어 중 불필요한 부분을 제거하는 공정을 생략하게 할 수 있다. 여기서, 캡핑층(325)은 캡핑층(225)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 나노 물질 성장 단계(S2)는 나노 물질을 캡핑층(325)이 형성된 촉매 패턴(120)에 증착시켜 촉매 패턴(120)으로부터 성장시키는 단계이다. 이러한 나노 물질 성장 단계(S2)에서, 나노 물질이 캡핑층(325)이 형성된 촉매 패턴(120)으로부터 수평 방향으로 성장되어, 촉매 패턴(120)의 노출된 측면들에 연결되는 나노 와이어(330)가 형성된다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 또다른 예는 촉매 패턴(120)의 상면 및 일측면을 덮도록 제 1 캡핑층(325a) 및 제 2 캡핑층(325b)을 포함하는 캡핑층(325)을 형성하여 나노 와이어(330)가 필요한 부분으로 나노 물질의 성장 방향을 조절함으로써, 나노 와이어 중 불필요한 부분의 제거를 위한 공정 없이 나노 와이어를 원하는 방향, 예를 들어 수평 방향으로 형성시킬 수 있다.
다음은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 또다른 예에 대해 설명하기로 한다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 촉매 패턴 형성 단계(S1)는 나노 와이어를 형성하고자 하는 기판(110) 상에 촉매 패턴(120)을 형성하고, 촉매 패턴(120)에 캡핑층(425)을 형성한다. 여기서, 촉매 패턴(120)의 형성은 도 2a에서 이미 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5a의 촉매 패턴 형성 단계(S1)에서, 상기 캡핑층(425)은 촉매 패턴(120)의 상면과 일측면을 덮도록 형성된다. 구체적으로, 상기 캡핑층(425)은 촉매 패턴(120)의 상면을 덮는 제 1 캡핑층(425a)과, 촉매 패턴(120)의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층(425a)의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층(425b)과, 제 1 캡핑층(425a)의 타측에서 수평 방향으로 폭이 좁아지면서 연장되는 제 3 캡핑층(425c)을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 캡핑층(425a)의 상면과 제 3 캡핑층(425c)의 상면은 동일 평면을 이룰 수 있다. 이러한 캡핑층(425)은 나노 물질 성장 단계(S2)에서 나노 물질이 촉매 패턴(120)으로부터 수직 방향이 아닌 수평 방향으로 성장되게 조절하는 역할을 한다. 또한, 상기 캡핑층(425)은 도 2b의 나노 와이어(130) 또는 도 3b의 나노 와이어(230)와 달리 도 5b에서 나노 와이어(430)가 필요한 부분에만 형성되도록 하여, 나노 와이어 중 불필요한 부분을 제거하는 공정을 생략하게 할 수 있다. 또한, 상기 캡핑층(425)은 제 3 캡핑층(425c)을 이용하여 나노 물질을 수직 방향으로 성장되는 것을 더욱 효율적으로 막으면서 촉매 패턴(120)으로부터 수평 방향으로 균일하게 성장하도록 조절할 수 있다. 여기서, 캡핑층(425)은 캡핑층(225)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 나노 물질 성장 단계(S2)는 나노 물질을 캡핑층(425)이 형성된 촉매 패턴(120)에 증착시켜 촉매 패턴(120)으로부터 성장시키는 단계이다. 이러한 나노 물질 성장 단계(S2)에서, 나노 물질이 캡핑층(425)이 형성된 촉매 패턴(120)으로부터 수평 방향으로 성장되어, 촉매 패턴(120)의 노출된 측면들에 연결되는 나노 와이어(430)가 형성된다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 또다른 예는 촉매 패턴(120)의 상면 및 일측면을 덮도록 제 1 캡핑층(425a), 제 2 캡핑층(425b) 및 제 3 캡핑층(425c)을 포함하는 캡핑층(425)을 형성하여 나노 와이어(430)가 필요한 부분으로 나노 물질의 성장 방향을 효율적으로 조절함으로써, 나노 와이어 중 불필요한 부분의 제거를 위한 공정 없이 나노 와이어를 원하는 방향, 예를 들어 수평 방향으로 균일하게 형성시킬 수 있다.
다음은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 또다른 예에 대해 설명하기로 한다.
도 6a 및 도 6b는 도 1의 촉매 패턴 형성 단계 및 나노 물질 성장 단계의 또다른 예를 보여주는 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 촉매 패턴 형성 단계(S1)는 나노 와이어를 형성하고자 하는 기판(110) 상에 촉매 패턴(120)을 형성하고, 촉매 패턴(120)에 캡핑층(525)을 형성한다. 여기서, 촉매 패턴(120)의 형성은 도 2a에서 이미 설명되었으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6a의 촉매 패턴 형성 단계(S1)에서, 상기 캡핑층(525)은 촉매 패턴(120)의 상면 가장자리와 측면을 덮도록 형성된다. 이러한 캡핑층(525)은 나노 물질 성장 단계(S2)에서 나노 물질이 촉매 패턴(120)으로부터 수평 방향이 아닌 수직 방향으로 성장되게 조절하는 역할을 한다. 여기서, 캡핑층(525)은 캡핑층(225)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 나노 물질 성장 단계(S2)는 나노 물질을 캡핑층(525)이 형성된 촉매 패턴(120)에 증착시켜 촉매 패턴(120)으로부터 성장시키는 단계이다. 이러한 나노 물질 성장 단계(S2)에서, 나노 물질이 캡핑층(525)이 형성된 촉매 패턴(120)으로부터 수직 방향으로 성장되어, 촉매 패턴(120)의 노출된 상면들에 연결되는 나노 와이어(530)가 형성된다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법의 또다른 예는 촉매 패턴(120)의 상면 가장자리와 측면을 덮도록 캡핑층(525)을 형성하여 나노 물질의 성장 방향을 조절함으로써, 나노 와이어(530)를 원하는 방향, 예를 들어 수직 방향으로 형성시킬 수 있다.
다음은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성되는 나노 와이어를 갖는 전자 소자에 대해 설명하기로 한다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성된 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 도시한 평면도 및 단면도이다. 여기서, 도 7a 도 7b에 도시된 나노 와이어를 갖는 전자 소자(1000)는 예를 들어 수평형 발광 소자로 구현된 경우이나, 트랜지스터 및 캐패시터 등 여러 가지 소자로 구현 가능하다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노 와이어를 갖는 전자 소자(1000)는 기판(110) 위에 형성된 다수의 나노 와이어(130), 상기 나노 와이어(130)의 일단 및 상기 일단의 내주연 표면과 외주연을 덮는 제 1 전극(131), 상기 나노 와이어(130)의 타단 및 상기 타단의 내주연 표면과 외주연을 덮는 제 2 전극(132)을 포함한다. 여기서, 상기 제 1 전극(131)은 제 1 전원선(미도시)에 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 전극(132)은 제 2 전원선(미도시)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(131)과 상기 제 2 전극(132)은 같은 평면으로서 상호간 수평 방향으로 이격되어 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 세라믹 기판, 실리콘 웨이퍼 기판, 유리 기판, 폴리머 기판 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있다. 특히, 상기 나노 와이어를 갖는 전자 소자(1000)가 투명 발광 표시 장치에 사용되는 경우에, 기판(110)은 유리 기판 또는 투명 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 상기 유리 기판은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 폴리머 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에릴렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드와 같은 폴리머 재질로 형성될 수 있다. 한편 도시하진 않았지만, 상기 기판(110)의 상부에는 버퍼층이 형성될 수 있다.
상기 나노 와이어(130)는 도 2a 및 도 2b의 단계를 통해 형성된다. 상기 나노 와이어(130)는 복수개가 구비되어 일정 두께의 박막을 이룬다. 물론, 이러한 나노 와이어(130)는 제 1 전극(131) 및 제 2 전극(132)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 나노 와이어(130)는 길이 방향이 제 1 전극(131)(또는 제 2 전극(132))의 길이 방향과 평행한 방향 또는 수직한 방향으로 배열될 수 있다. 즉, 상기 나노 와이어(130)는 제 1 전극(131)(또는 제 2 전극(132))의 길이 방향을 따라 제 1 전극(131)(또는 제 2 전극(132))의 일단으로부터 타단으로 가로지르도록 배열되거나, 또는 제 1 전극(131)(또는 제 2 전극(132))의 평면으로부터 외측으로 향하는 방향으로 배열될 수 있다.
상기 제 1 전극(131)은 박막으로 형성되며, 애노드(anode)로 이용될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(131)은 상기 나노 와이어(130)의 일단과, 상기 일단의 내주연 표면 및 외주연을 동시에 덮음으로써, 상기 나노 와이어(130)에 전기적으로 연결된다. 상기 제 1 전극(131)은 알루미늄(Al), 주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나의 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(131)은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 산화아연(Zinc Oxide), 산화주석(SnO2), 산화인듐(In2O3) 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나의 투명 도전성 산화물로 형성될 수 있다.
상기 제 2 전극(132) 역시 일정한 두께를 갖는 박막으로 형성되며 제 1 전극(131)과 반대의 극으로 형성된다. 즉, 상기 제 1 전극(131)이 애노드일 경우, 상기 제 2 전극(132)은 캐소드(cathode)로 이용될 수 있다. 상기 제 2 전극(132)은 상기 나노 와이어(130)와 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 제 2 전극(132)은 상기 나노 와이어(130)의 타단과, 상기 타단의 내주연 표면 및 외주연을 동시에 덮음으로써, 상기 나노 와이어(130)에 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 제 2 전극(132)은 알루미늄(Al), 주석(Sn), 텅스텐(W), 금(Au), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나의 금속층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전극(132)은 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide:ITO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide:IZO), 산화아연(Zinc Oxide), 산화주석(SnO2), 산하인듐(In2O3) 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나의 투명 도전성 산화물로 형성될 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어를 갖는 전자 소자(1000)는 나노 와이어(130)와, 같은 평면 위에 형성되고 상호간 수평 방향으로 이격되는 제 1 전극(131) 및 제 2 전극(132)을 구비함으로써, 수평형 발광 소자를 구현할 수 있다. 이러한 수평형 발광 소자의 경우 기본적으로 상부 및 하부 방향으로의 양방향 발광 구조가 가능하고, 하부 또는 상부에 불투명 반사막을 더 형성함으로써, 발광 방향을 한쪽 방향으로만 조정할 수도 있다.
다음은 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성되는 또다른 나노 와이어를 갖는 전자 소자에 대해 설명하기로 한다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성된 또다른 나노 와이어를 갖는 전자 소자를 도시한 평면도 및 단면도이다. 여기서, 도 8a 도 8b에 도시된 나노 와이어를 갖는 전자 소자(2000)는 예를 들어 수직형 발광 소자로 구현된 경우이나, 트랜지스터 및 캐패시터 등 여러 가지 소자로 구현 가능하다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 와이어 제조 방법에 의해 형성되는 또다른 나노 와이어를 갖는 전자 소자(2000)는 나노 와이어(530), 상기 나노 와이어(530)의 아래에 형성된 제 1 전극(531) 및 상기 나노 와이어(530)의 위에 형성된 제 2 전극(532)을 포함한다.
상기 나노 와이어(530)는 도 6a 및 도 6b의 단계를 통해 형성되며, 복수개가 구비되어 일정 두께의 박막을 이룬다. 물론, 이러한 나노 와이어(530)는 제 1 전극(531) 및 제 2 전극(532)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 나노 와이어(530)는 길이 방향이 제 1 전극(531)(또는 제 2 전극(532))의 길이 방향과 수직한 방향으로 배열될 수 있다.
상기 제 1 전극(531)과 상기 제 2 전극(532)은 상기 제 1 전극(131)과 상기 제 2 전극(132)과 동일하다. 다만, 상기 제 1 전극(531)과 상기 제 2 전극(532)은 서로 다른 평면 위에 형성되고, 상호간 수직 방향으로 이격됨으로써, 수직형 발광 소자가 구현되게 한다. 이러한 수직형 발광 소자의 경우 제 1 전극(531) 및 제 2 전극(532)의 형성 위치는 서로 교체 가능하므로 발광 방향에 따라 투명 애노드 전극(예를 들면, ITO/IZO 등)과 불투명 캐소드 전극(예를 들면, 알루미늄)을 적절히 배치하여 발광 방향을 결정할 수 있다. 도면중 미설명 부호 533는 절연층이다.
상기와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 또다른 나노 와이어를 갖는 전자 소자(2000)는 나노 와이어(530)와, 다른 평면 위에 형성되고 상호간 수직 방향으로 이격되는 제 1 전극(531) 및 제 2 전극(532)을 구비함으로써, 수직형 발광 소자를 구현할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
110: 기판 120: 촉매 패턴
130, 230, 330, 430, 530: 나노 와이어
1000, 2000: 나노 와이어를 갖는 전자 소자
130, 230, 330, 430, 530: 나노 와이어
1000, 2000: 나노 와이어를 갖는 전자 소자
Claims (13)
- 기판 상에 촉매 패턴을 형성하는 촉매 패턴 형성 단계; 및
나노 물질을 상기 촉매 패턴에 증착시키고 상기 촉매 패턴으로부터 수평 방향 또는 수직 방향으로 성장시켜 나노 와이어를 형성하는 나노 물질 성장 단계를 포함하며,
상기 촉매 패턴 형성 단계는, 상기 나노 물질을 수평 방향으로 성장시킬 경우, 상기 촉매 패턴의 상면을 덮는 제 1 캡핑층, 상기 촉매 패턴의 일측면을 덮으며 상기 제 1 캡핑층의 일측과 연결되는 제 2 캡핑층, 및 상기 제 1 캡핑층의 타측에서 수평 방향으로 폭이 좁아지면서 연장되는 제 3 캡핑층을 포함하는 캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캡핑층의 상면과 상기 제 3 캡핑층의 상면이 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 촉매 패턴 형성 단계는
상기 촉매 패턴의 상면 가장자리와 측면을 덮는 캡핑층을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 나노 물질 성장 단계는 thermal CVD, laser ablation CVD(LACVD), plasma enhanced CVD(PECVD), LPCVD, MOCVD 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 촉매 패턴은 Au, graphite, Cu, 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 나노 물질은
CaS:Eu, ZnS:Sm, ZnS:Mn, Y2O2S:Eu, Y2O2S:Eu,Bi, Gd2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn, CaLa2S4:Ce, SrY2S4: Eu, (Ca,Sr)S:Eu, SrS:Eu, Y2O3:Eu, YVO4:Eu,Bi,
ZnS:Tb, ZnS:Ce,Cl, ZnS:Cu,Al, Gd2O2S:Tb, Gd2O3:Tb,Zn, Y2O3: Tb,Zn, SrGa2S4:Eu, Y2SiO5:Tb, Y2Si2O7:Tb, Y2O2S:Tb, ZnO:Ag, ZnO:Cu,Ga, CdS:Mn, BaMgAl10O17:Eu,Mn, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu, Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn, YBO3:Ce,Tb, Ba2SiO4:Eu, (Ba,Sr)2SiO4:Eu, Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, (Ba,Sr)Al2O4:Eu, Sr2Si3O8,2SrCl2:Eu,
SrS:Ce, ZnS:Tm, ZnS:Ag,Cl, ZnS:Te, Zn2SiO4:Mn, YSiO5:Ce, (Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu, BaMgAl10O17:Eu, BaMg2Al16O27:Eu,
YAG(Yittrium, Alumium, Garnet) 또는 CaAl2O3와 SrAl2O3를 합성한 CaxSrx-1Al2O3:Eu+2를 이용한 화합물, 또는
ZnO, In2O3, SnO2, SiGe, GaN, InP, InAs, Ge, GaP, GaAs, GaAs/P, InAs/P, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 나노 물질은
Ce, Tm, Ag, Cl, Te, Mn, Eu, Bi, Tb, Cu, Zn, Ga으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물 또는 화합물인 도펀트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 제 5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캡핑층은 ITO(Indium Tin Oxide), Ti(Titanium), Cr(Chrome), SiO2, SiNx, Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법. - 기판;
상기 제 1 항, 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 와이어 제조 방법에 의해 상기 기판 위에 수평 방향으로 형성되는 나노 와이어;
상기 나노 와이어의 일단에 연결되는 제 1 전극; 및
상기 나노 와이어의 타단에 연결되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어를 갖는 전자 소자. - 기판;
상기 기판 위에 형성되는 제 1 전극;
상기 제 1 항, 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 나노 와이어 제조 방법에 의해 에 상기 제 1 전극 위에 수직 방향으로 형성되는 나노 와이어; 및
상기 나노 와이어의 위에 형성되는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어를 갖는 전자 소자.
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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Non-Patent Citations (2)
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| My Ali El Khakani et al. IEEE Transactions on Nanotechnology. May 2006, Vol. 5, No. 3, pp. 237-242* |
| Yinghui Shan et al. ACS Nano. 2008, Vol. 2, No. 3, pp. 429-434* |
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