CN102884651B - 具有纳米线的发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种具有纳米线的发光显示设备，目的是提供一种具有在电流通过时发光的纳米线的发光显示设备。为此，本发明公开了一种发光显示设备，包括：被电连接到第一电源线的发光元件；被电连接在发光元件和第二电源线之间的驱动晶体管；被电连接在驱动晶体管、第二电源线、以及数据线之间的电容；被电连接在驱动晶体管、数据线、以及扫描线之间的开关晶体管，其中发光元件由纳米线制成。此外，本发明公开了一种发光显示设备，包括：被电连接在第一电源线和第二电源线之间的纳米线发光晶体管；被电连接在纳米线发光晶体管、第二电源线、以及数据线之间的电容；被电连接在纳米线发光晶体管、数据线、电容、以及扫描线之间的开关晶体管。

Description

具有纳米线的发光显示设备
技术领域
本发明的一个实施方式涉及具有纳米线的发光显示设备。
背景技术
由于已经被广泛用作主要的平面显示设备的液晶显示设备不使用自发光元件，额外的发光元件（例如，背光源（backlight））对于液晶显示设备是需要的。由于上述结构，液晶显示器在厚度或者被简化的结构上有限制。
由于被设想用于克服液晶显示设备的上述限制的有源矩阵有机发光设备（AMOLED）采用了自发光的有机发光设备，不需要背光源或者彩色滤光片（filter）。由于上述原因，有源矩阵有机发光设备具有简单的结构以及高的光提取效率。
尽管自发光元件有上述优点，但是由于材料限制，到目前为止很难采用AMOLED。由于材料易受水分影响的特点，封装过程应该是必要的，以及除了真空沉积过程之外没有用于制造元件的特定过程。为了克服上述限制，材料已经被扩展为高分子材料，并且已经发现了另一方法，例如喷墨方法、激光诱导热成像（LITI）方法等，然而，满足特点的方法以及元件的寿命还没有被泛化。
发明内容
将由本发明的一个实施方式实现的技术解决方案将提供具有纳米线发光元件的发光显示设备，其中纳米线形成在具有不同功函数的电极之间，以当电流施加于该纳米线时发射光。
将由本发明的另一实施方式实现的技术解决方案将提供具有纳米线发光元件的发光显示设备，其中发光元件和晶体管以及电容由该纳米线制造，以使制造过程能够被简化。
将由本发明的另一实施方式实现的技术解决方案将提供具有纳米线发光元件的发光显示设备，该纳米线发光元件利用具有半导体的功能和发光功能的纳米线发光晶体管，以简化制造过程并与驱动电路部分比较增加一个发光区域。
根据本发明，所述发光显示设备包括被电连接到第一电源线的发光元件；被电连接到所述发光元件和第二电源线的驱动晶体管；被电连接到所述驱动晶体管、所述第二电源线和数据线的电容；以及被电连接在所述驱动晶体管、所述数据线、以及扫描线之间的开关晶体管。这里，所述发光元件由纳米线制成。
所述发光元件还包括覆盖所述纳米线的一端和该一端的内圆周表面和外圆周表面、并且被电连接到所述第一电源线的第一电极；以及覆盖所述纳米线的另一端和该另一端的内圆周表面和外圆周表面、并且被电连接到所述第二电源线的的第二电极。这里，所述第一电极具有不同于所述第二电极的功函数。所述第一电极与所述第二电极齐平，并且在水平方向与所述第二电极隔开。
所述发光元件还包括在所述纳米线下面形成的第一电极；以及在所述纳米线上面形成的第二电极。这里，所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。所述第一电极不与所述第二电极齐平，并且在垂直方向与所述第二电极隔开。
所述发光元件包括至少一个第一电极；以及在水平方向与所述第一电极隔开、并且包围所述第一电极的至少三个侧表面的第二电极，以及所述纳米线形成在所述第一电极和所述第二电极之间。这里，所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。彩色滤光片被进一步形成在所述发光元件之上或之下。
所述驱动晶体管或者开关晶体管包括栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在对应于所述栅电极的所述栅绝缘层上形成的第二纳米线；被连接到所述第二纳米线的一端的第一电极；以及被连接到所述第二纳米线的另一端的第二电极。
所述驱动晶体管或者所述开关晶体管包括第二纳米线；覆盖所述第二纳米线的栅绝缘层；在对应于所述第二纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极；覆盖所述栅电极以及对应于外围栅电极的所述栅绝缘层的层间绝缘体；贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述第二纳米线的一端的第一电极；以及贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述第二纳米线的另一端的第二电极。
所述驱动晶体管或者所述开关晶体管包括第二纳米线；被连接到所述第二纳米线的一端的第一电极；被连接到所述第二纳米线的另一端的第二电极；覆盖所述第二纳米线、所述第一电极和所述第二电极的栅绝缘层；以及在对应于所述第二纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极。
所述电容包括在衬底上形成的第二纳米线；包围所述第二纳米线的绝缘层；包围所述绝缘层的第一电极；以及被连接到通过所述绝缘层暴露的所述第二纳米线的第二电极。一个凹槽在对应于绝缘体的衬底的一个区域上形成。
所述电容包括第二纳米线；被连接到所述第二纳米线的第一电极；覆盖所述第二纳米线的绝缘层；以及在对应于所述第二纳米线的所述绝缘层上形成的第二电极。
所述纳米线由CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu,Bi、Gd2O3:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn、CaLa2S4:Ce、SrY2S4:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、SrS:Eu、Y2O3:Eu、YVO4:Eu,Bi、ZnS:Tb、ZnS:Ce,Cl、ZnS:Cu,Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb,Zn、Y2O3:Tb,Zn、SrGa2S4:Eu、Y2SiO5:Tb、Y2Si2O7:Tb、Y2O2S:Tb、ZnO:Ag、ZnO:Cu,Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、YBO3:Ce,Tb、Ba2SiO4:Eu、（Ba,Sr）2SiO4:Eu、Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu、(Ba,Sr)Al2O4:Eu、Sr2Si3O8、2SrCl2:Eu、SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn、YSiO5:Ce、(Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG（钇、铝、石榴石）的混合物或化合物形成，或者由利用通过合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-1Al2O3:Eu+2的混合物或者化合物形成，或者从由ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物形成。为从由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物的掺杂物可以被进一步添加到所述第二纳米线。
第二纳米线是由从ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物形成。为从由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物的掺杂物可以被进一步添加。
所述驱动晶体管的所述第一电极和所述第二电极或者所述开关晶体管的所述第一电极和所述第二电极具有相同的功函数。否则，所述驱动晶体管和所述开关晶体管的第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数，以及遮光构件（member）进一步形成在所述驱动晶体管或者所述开关晶体管之上或者之下。
根据本发明的一个实施方式的所述发光显示设备包括被电连接到第一电源线和第二电源线的纳米线发光晶体管；被电连接到所述纳米线发光晶体管、所述第二电源线、以及数据线的电容；被电连接到所述纳米线发光晶体管、所述数据线、所述电容、以及扫描线的开关晶体管。
所述纳米线发光晶体管包括栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在对应于所述栅电极的所述栅绝缘层上形成的纳米线；被连接到所述纳米线的一端的第一电极；以及被连接到所述纳米线的另一端的第二电极。这里，所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
所述纳米线发光晶体管包括纳米线；覆盖所述纳米线的栅绝缘层；在对应于所述纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极；覆盖所述栅电极以及对应于外围栅电极的所述栅绝缘层的层间绝缘体；贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述纳米线的一端的第一电极；以及贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述纳米线的另一端的第二电极。这里，所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
所述纳米线发光晶体管包括纳米线；被连接到所述纳米线的一端的第一电极；被连接到所述纳米线的另一端的第二电极；覆盖所述纳米线、所述第一电极和所述第二电极的栅绝缘层；以及在对应于所述纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极，这里，所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
所述开关晶体管包括栅电极；覆盖所述栅电极的栅绝缘层；在对应于所述栅电极的栅绝缘层上形成的纳米线；被连接到所述纳米线的一端的第一电极；以及被连接到所述纳米线的另一端的第二电极。
所述开关晶体管包括纳米线；覆盖所述纳米线的栅绝缘层；在对应于所述纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极；覆盖所述栅电极以及对应于外围栅电极的所述栅绝缘层的层间绝缘体；贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述纳米线的一端的第一电极；以及贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述纳米线的另一端的第二电极。
所述开关晶体管包括纳米线；被连接到所述纳米线的一端的第一电极；被连接到所述纳米线的另一端的第二电极；覆盖所述纳米线、所述第一电极和所述第二电极的栅绝缘层；以及在对应于所述纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极。
所述电容包括在所述衬底上形成的纳米线；包围所述纳米线的绝缘层；包围所述绝缘层的第一电极；以及被连接到通过所述绝缘层暴露的所述纳米线的第二电极。所述衬底具有一个在对应于所述绝缘体的衬底的区域上形成的凹槽。
所述电容包括纳米线；被连接到所述纳米线的第一电极；覆盖所述纳米线的绝缘层；以及在对应于所述纳米线的所述绝缘层上形成的第二电极。
所述第一电极被电连接到所述第一电源线，以及所述第二电极被电连接到所述第二电源线。这里，所述第一电极的功函数大于所述第二电极的功函数。
所述栅电极由透明导电氧化物或者不透明金属形成。
所述纳米线由CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu,Bi、Gd2O3:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn、CaLa2S4:Ce、SrY2S4:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、SrS:Eu、Y2O3:Eu、YVO4:Eu,Bi、ZnS:Tb、ZnS:Ce,Cl、ZnS:Cu,Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb,Zn、Y2O3:Tb,Zn、SrGa2S4:Eu、Y2SiO5:Tb、Y2Si2O7:Tb、Y2O2S:Tb、ZnO:Ag、ZnO:Cu,Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、YBO3:Ce,Tb、Ba2SiO4:Eu、（Ba,Sr）2SiO4:Eu、Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu、(Ba,Sr)Al2O4:Eu、Sr2Si3O8、2SrCl2:Eu、SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn、YSiO5:Ce、(Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG（钇、铝、石榴石）的混合物或化合物形成，或者由利用通过合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-1Al2O3:Eu+2的混合物或者化合物形成，或者从由ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物形成。为从由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物的掺杂物可以被进一步添加到所述纳米线。
所述开关晶体管或者所述电容的所述纳米线是由从ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物形成。为从由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga组成的组中选择出的任意一者或者它们的混合物或者化合物的掺杂物可以被进一步添加到所述开关晶体管或者所述电容的所述纳米线。
所述开关晶体管的所述第一电极和所述第二电极具有相同的功函数。而不是互不相同的功函数，遮光构件形成在所述开关晶体管之上或者之下。
本发明的一个实施方式提供了利用纳米线发光元件的所述发光显示设备，其中纳米线形成在具有不同功函数的电极之间，以在电流被施加于纳米线时发出特定颜色的光，并因此所述发光显示设备具有简单的结构，而不使用具有复杂结构的、且在传统的液晶显示设备中采用的背光源和彩色滤光片。
此外，本发明的另一个实施方式提供了所述发光显示设备，其中所述发光元件和所述晶体管以及所述电容由纳米线制造，并因此不需要使用复杂的过程（如真空沉积）以及工具（如，用于制造过程的精细（fine）金属掩膜）。
另外，本发明的又一个实施方式提供了利用具有半导体功能和发光功能的所述纳米线发光晶体管的所述发光显示设备，以使制造工程能够被简化以及与驱动电路部分相比能够增加一个发光区域。
此外，本发明的又一个实施方式提供了对水分或者空气不敏感的发光显示设备，以使发光特性能够仅由稀薄保护层维持。
附图说明
图1a是示出了根据本发明的一个实施方式的发光显示设备的平面视图，图1b是示出了图1a的（红蓝绿）RGB像素的平面视图，以及图1c是示出了另一个RGB像素的横截面视图；
图2是示出了根据本发明的一个实施方式的具有纳米线的发光显示设备的电路图；
图3a和图3b是分别示出了根据本发明的另一个实施方式的具有卧式和立式发光元件的发光显示设备的像素的平面视图；
图4a和图4b是示出了根据本发明的又一个实施方式的卧式发光元件的平面视图；
图5a和图5b是示出了根据本发明的又一个实施方式的卧式发光元件的平面视图和横截面视图；
图6a和图6b是示出了根据本发明的又一个实施方式的立式发光元件的平面视图和横截面视图；
图7a是示出了根据本发明的另一个实施方式的纳米线底部栅晶体管的横截面视图，以及图7b是示出了根据本发明的又一个实施方式的纳米线底部栅晶体管的横截面视图；
图8是示出了根据本发明的另一个实施方式的纳米线顶部栅晶体管的横截面视图；
图9是示出了根据本发明的又一个实施方式的纳米线顶部栅晶体管的横截面视图；
图10是示出了根据本发明的又一个实施方式的纳米线电容的横截面视图；
图11是示出了根据本发明的又一个实施方式的电容的横截面视图；
图12是示出了根据本发明的一个实施方式的具有纳米线发光晶体管的发光显示设备的电路图；
图13a和图13b是示出了根据本发明的又一个实施方式的底部栅纳米线发光晶体管的平面视图和横截面视图，以及根据图13c是示出了本发明的又一个实施方式的纳米线底部栅晶体管（开关晶体管）的横截面视图；
图14是示出了根据本发明的又一个实施方式的顶部栅纳米线发光晶体管的横截面视图；
图15是示出了根据本发明的又一个实施方式的顶部栅纳米线发光晶体管的横截面视图。
具体实施方式
在下文中，本发明的示例性实施方式将通过参考附图被详细的描述。以下示例性实施方式被描述是为了使本领域的普通技术人员能够具体化（embody）和实践本发明。
这里，具有类似的结构以及执行类似的功能的元件在整个说明书中由相同的参考数字指示。另外，“一部分被电连接到另一部分”的表达不仅包括所述部分和所述另一部分被直接地互相连接的情况，而且还包括所述部分和所述另一部分通过布置于二者之间的另一个元件而互相连接的情况。
图1a是示出了根据本发明的一个实施方式的发光显示设备的平面视图，图1b是示出了图1a的RGB像素的平面视图，以及1c是示出了另一个RGB像素的横截面视图。
如图1a所示，根据本发明的一个实施方式的发光显示设备10包括显示区域11，非显示区域12，驱动驱动器13，以及外部连接部分14。N×M个数量的像素15在显示区域11上形成，并且每一个像素15由三个像素（红（R），绿（G），蓝（B）像素）组成。这里，从R、G和B像素发出的光的颜色取决于形成纳米线的材料。
如图1b所示，根据本发明的一个实施方式的所述像素15可以由纳米线15a、电路和导线截面15b组成。所述纳米线15a是发出红色光、蓝色光和绿色光中的一者的部分，所述电路和所述导线截面15b是在其上被提供用来驱动和控制所述纳米线的晶体管、电容和导线的部分。
如图1c所示，根据本发明的另一个实施方式的RGB像素可以包括发出白色光的纳米线150a、电路和导线截面15b。为了显示红色、绿色和蓝色光中的每一个，此时，RGB彩色滤光片17可以被排列在发出所述白色光的纳米线150a之上或之下。因此，尽管所述纳米线150a发出白色光，但由于所述RGB彩色滤光片17被排列在所述纳米线之上或之下，利用上述的显示设备能够显示彩色光。没有被说明的参考数字16指示衬底。
图2是示出了根据本发明的一个实施方式的具有纳米线的发光显示设备的电路图。
如图2所示，根据本发明的一个实施方式的具有纳米线的发光显示设备20包括第一电源线Vdd，发光元件LED，驱动晶体管T1，第二电源线Vss，电容C，开关晶体管T2，数据线Vdata和扫描线Sn。
例如，所述第一电源线Vdd供应约5V的电压。与传统的AMOLED相比，具有所述纳米线的所述发光元件LED以低电流运行，并因此供应5伏的电力到所述第一电源线Vdd是足够的。然而，本发明并不限于上述。换句话说，比上述电压更高或者更低的电压都可以通过第一电源线Vdd被供应给具有所述纳米线的所述发光元件。
具有所述纳米线的所述发光元件LED包括多个由无机发光材料形成的纳米线，被电连接到所述纳米线的一端的第一电极以及被电连接到所述纳米线的另一端的第二电极。这里，所述第一电极被电连接到第一电源线Vdd。因此，所述第一电极可以是阳极。所述第二电极被电连接到所述驱动晶体管T1。因此，所述第二电极可以是阴极。具有所述纳米线、且如上述描述那样进行构建的所述发光元件LED的多种结构将在下文被描述。
所述驱动晶体管T1被电连接到所述发光元件LED。所述驱动晶体管T1包括第一电极，第二电极和栅电极。所述驱动晶体管T1的所述第一电极（源电极或者漏电极）被电连接到所述发光元件LED的所述第二电极。所述驱动晶体管T1的所述第二电极（漏电极或者源电极）被电连接到所述第二电源线Vss。所述驱动晶体管T1的所述栅电极被电连接到所述电容C以及所述开关晶体管T2。另一方面，上述驱动晶体管T1还可以包括所述纳米线。这种驱动晶体管T1的多种结构将在下文被描述。
所述第二电源线Vss供应比被所述第一电源线Vdd供应的电压更低的电压。例如，所述第二电源线Vss可以供应地电压。然而，本发明并不限于上述。换句话说，比所述地电压更高或者更低的电压可以通过第二电源线Vss被供应给具有所述纳米线的所述发光元件LED。
所述电容C被电连接到所述驱动晶体管T1、所述开关晶体管T2和所述第二电源线Vss。所述电容C具有第一电极和第二电极。所述电容C的所述第一电极被电连接到所述驱动晶体管T1和所述开关晶体管T2的栅电极。所述电容C的所述第二电极被电连接到第二电源线Vss和所述驱动晶体管T1的所述第二电极。与此同时，上述电容C还可以包括所述纳米线。所述电容C的多种结构将在下文被描述。
所述开关晶体管T2被电连接到所述驱动晶体管T1、所述电容C、所述数据线Vdate和所述扫描线Sn。所述开关晶体管T2包括第一电极、第二电极和栅电极。所述开关晶体管T2的所述第一电极被电连接到所述驱动晶体管T1的所述栅电极以及所述电容C的所述第一电极。所述开关晶体管T2的所述第二电极被电连接到所述数据线Vdata。所述开关晶体管T2的所述栅电极被电连接到所述扫描线Sn。与此同时，上述开关晶体管T2还可以包括所述纳米线。所述开关晶体管T2的多种结构将在下文被描述。
所述数据线Vdata供应数据信号。由数据线Vdata供应的数据通过所述开关晶体管T2被保存在所述电容C中。
所述扫描线Sn供应扫描信号。所述开关晶体管T2被通过所述扫描线Sn而供应的所述扫描信号打开。另外，当所述开关晶体管T2如上面描述的那样被打开时，通过所述数据线Vdata而供应的数据被保存在所述电容C中。
在上文中，由两个晶体管和一个电容（2TR 1CAP）组成的所述发光显示电路20作为示例被阐述。然而，用于改善所述发光显示设备的性能的所有已知的或者将要被知道的所述发光显示电路会很自然地被采用。
图3a和图3b是分别示出了根据本发明的另一个实施方式的具有卧式和立式发光元件的发光显示设备的像素的平面视图。
如图3a所示，具有卧式发光元件的所述发光显示设备的像素30包括具有以水平方向形成的纳米线的发光元件31，被电连接到所述发光元件31的驱动晶体管32，电容33和开关晶体管34。这里，为了提高所述光提取效率，所述卧式发光元件31具有最大的尺寸或者区域，且其结构将在下文被阐述。
如图3b所述，具有立式发光元件的所述发光显示设备的像素40包括具有以垂直方向形成的纳米线的发光元件41，被电连接到所述发光元件41的驱动晶体管42，电容43和开关晶体管44。这里，为了提高所述光提取效率，所述立式发光元件41具有最大的尺寸或者区域，且其结构将在下文被阐述。
在上文中，由两个晶体管和一个电容组成的像素30、40的像素布局作为示例被阐述。然而，用于改善所述像素的性能的所有已知的或者将要被知道的所有像素的布局会很自然地被采用。
图4a和图4b是示出了根据本发明的又一个实施方式的卧式发光元件的平面视图。
如图4a所示，根据本发明的另一个实施方式的卧式发光元件31包括具有粗略的（rough）“⊥”形状的第一电极31a（或者第二电极）；与所述第一电极31a隔开、并且包围所述第一电极31a的粗略的“∩”形状的第二电极31b（或者第一电极）；以及在所述第一电极31a和所述第二电极31b之间形成的、并且被电连接到所述第一电极31a和所述第二电极31b的多个纳米线31c。
如图4b所示，根据本发明的另一个实施方式的卧式发光元件31包括具有粗略的形状的第一电极31a’（或者第二电极）；与所述第一电极31a’隔开、并且包围所述第一电极31a’的粗略的“∩”形状的第二电极31b’（或者第一电极）；以及在所述第一电极31a’和所述第二电极31b’之间形成的多个纳米线31c’。
在根据本发明的另一个实施方式的所述卧式发光元件31、31’中，由于以上结构，尽可能多的纳米线被形成并且被排列在所述第一电极和所述第二电极之间，并且被电连接所述第一电极和所述第二电极，因此所述光提取效率被最大化。
图5a和图5b是示出了根据本发明的又一个实施方式的卧式发光元件的平面视图和横截面视图。
如图5a和图5b所示，根据本发明的又一个实施方式的发光元件310包括在衬底310上形成的多个纳米线313；覆盖所述纳米线313的一端部分以及该一端部分的内圆周表面和外圆周表面的第一电极311；以及覆盖所述纳米线313的另一端部分以及该另一端部分的内圆周表面和外圆周表面的第二电极312。这里，所述第一电极311可以被电连接到第一电源线，以及所述第二电极312可以被电连接到第二电源线。另外，所述第一电极311和所述第二电极312可以彼此齐平，并且在水平方向彼此分开。
所述衬底301可以从陶瓷衬底、硅衬底、晶圆衬底、玻璃衬底、聚合物衬底和它们的等价物之中选择。特别的是，在具有所述纳米线的所述发光元件被提供在透明的发光显示设备中的情况下，所述衬底可以由玻璃或者透明塑料形成。所述玻璃衬底可以由硅氧化物形成。另外，所述聚合物衬底可以由聚合物形成，例如聚对苯二甲酸乙二醇脂（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚酰亚胺。在图中没有被说明的参考数字302指示缓冲层。
所述第一电极311以薄层的形状形成，并且可以被用作阳极。另外，所述第一电极311同时覆盖所述纳米线313的一端部分以及所述纳米线的一端部分的内圆周表面和外圆周表面，以使所述第一电极被电连接到所述纳米线313。所述第一电极311可以由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一个金属来形成。另外，所述第一电极311可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物来形成。
多个纳米线313被提供用来形成具有一定厚度的薄层。不言而喻，这样的纳米线313被电连接到所述第一电极311和所述第二电极322。另外，所述纳米线313可以被排列，使得纳米线的纵向并行于或者垂直于所述第一电极311（或者所述第二电极）的纵向。换句话说，所述纳米线313可以被形成使得所述纳米线在第一电极311（或者所述第二电极）的纵向中从所述第一电极311（或者所述第二电极）的一端穿到另一端，或者在向外的方向中，所述纳米线可以被定向为从所述第一电极311（或者所述第二电极）的平面向外。
所述纳米线313以具有长度大于直径的线的形状形成。所述纳米线的直径大概是1nm-300nm，以及长度大概是2nm-500μm。所述纳米线313的所述薄层的厚度的均匀性与所述纳米线313的所述直径成反比。另一方面，如果所述纳米线313的所述直径约大于300nm，所述纳米线313的所述薄层的厚度被部分地增加，以使所述纳米线313的薄层的平整度被破坏。
与此同时，所述纳米线311由无机发光材料形成。根据颜色，各种荧光粉可以作为无机发光材料被使用。
例如，例如CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu,Bi、Gd2O3:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn、CaLa2S4:Ce、SrY2S4:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、SrS:Eu、Y2O3:Eu、YVO4:Eu,Bi的混合物或者化合物的荧光粉（其是红色的荧光粉）可以作为无机发光材料被使用。
另外，例如ZnS:Tb、ZnS:Ce,Cl、ZnS:Cu,Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb,Zn、Y2O3:Tb,Zn、SrGa2S4:Eu、Y2SiO5:Tb、Y2Si2O5:Tb、Y2Si2O7:Tb、Y2O2S:Tb、ZnO:Ag、ZnO:Cu,Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、YBO23:Ce,Tb、Ba2SiO4:Eu、（Ba,Sr）2SiO4:Eu、Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu、(Ba,Sr)Al2O4:Eu、Sr2Si3O8、2SrCl2:Eu中的每一个的荧光粉（其是绿色的荧光粉）或者它们的混合物或者化合物可以作为无机发光材料被使用。
而且，例如SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn、YSiO5:Ce、(Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu中的每一个的荧光粉（其是蓝色的荧光粉）或者它们的混合物或者化合物可以作为无机发光材料被使用。
另外，例如YAG（钇、铝、石榴石）的白色荧光粉可以作为无机发光材料被使用。而且，作为无机发光材料，利用通过合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-1Al2O:Eu+2的混合物或者化合物可以被采用。另外，白色光可以通过混合ZnO+SnO和以上无机发光材料被得到。
这里，所述无机发光材料包括形成物质的主体（host）和在所述物质中作为发光中心的掺杂物。
总的来说，例如Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C（包括金刚石）P、B-C、B-P（BP6）、B-Si、Si-C、Si-Ge、Si-Sn和Ge-Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr、AgI、BeSiN2、CaCN2、ZnGeP2、CdSnAs2、ZnSnSb2、CuGeP3、CuSi2P3、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、Al2Co的物质可以被应用于形成半导体纳米线。
基本上，特别的是，由例如ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的每一个、或者它们的混合物或者化合物的材料形成的纳米线通过添加单独的掺杂物而具有半导体的功能和发光功能。当然，通过调整所述掺杂物的组分，适当地调整发出的光的颜色是可能的。另外，Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga中的每一个、或者它们的混合物或者化合物可以被应用为掺杂物，然而，本发明不仅限于上述材料。
与此同时，平坦化（planarizing）层（没有示出）可被进一步形成在所述纳米线313之间的间隔之中或之上。根据纳米线313的电特性，介电层或者导电层可以被形成作为平坦化层。如果所述纳米线313具有电导率，由于电荷不被累积在所述纳米线的表面，介电层或者绝缘层可以被形成作为所述平坦化层。另外，所述纳米线313没有电导率，由于当低电压被激励（excited）时电荷被累积在所述纳米线的表面，为了保护电荷的积累，导电层可以被形成作为平坦化层。所述平坦化层填补在所述纳米线313之间的间隔，使整个纳米线能够被平坦化。所述平坦化层可以由介电材料、高分子树脂或者氧化物形成。
所述第二电极312也以具有一定厚度的薄层的形状形成，并且具有与第一电极311相反的极性。换句话说，如果第一电极311是阳极，所述第二电极312可以被用作阴极。所述第二电极312被电连接到纳米线313。也就是说，所述第二电极312同时覆盖所述纳米线313的另一端以及该另一端的内圆周表面和外圆周表面，以使所述第二电极312被电连接到所述纳米线313。另外，所述第二电极312可以是由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一者形成的金属层。而且，所述第二电极312可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物形成。
同时，如果所述第一电极311的功函数与所述第二电极312的功函数不同，那么很难从所述纳米线313发光。因此，如果第一电极311被用作阳极，则所述第一电极311优选地由从具有相对高的功函数的铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个形成。上述材料的所述功函数大约是4.9eV，是相对高的功函数。
另外，如果所述第二电极312被用作阴极，所述第二电极312优选地由从具有相对低的功函数的铝和与它的等价物之中选择出的一个形成。上述材料的功函数大概是4.1eV，是相对低的功函数。
此外，在由铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）形成的所述第一电极311被用作阴极的情况下，为了保持所述第一电极和所述第二电极312之间的功函数的不同，镁和铝可以在形成所述第一电极311之前预先被沉积。
另外，所述第一电极311与所述第二电极312齐平，并且所述第一电极311和所述第二电极312在水平方向被相互分开，以使所述卧式发光元件310被实现。此外，在上述卧式发光元件310的情况中，双向发光结构能够被获得，其中通过该双向发光结构，光在向上的方向和向下的方向中被发出，并且通过在所述发光元件之上或者之下额外形成不透明的反射层，所述发光方向能被调整成仅在一个方向中发光。
图6a和图6b是示出了根据本发明的又一个实施方式的立式发光元件的平面视图和横截面视图。
如图6a和图6b所示，根据本发明的又一个实施方式的立式发光元件410包括纳米线413、在所述纳米线413下面形成的第一电极411、以及在所述纳米线413上面形成的第二电极412。
如上述描述的，所述纳米线413、所述第一电极411和所述第二电极412由相同的材料形成。另外，所述第一电极411的功函数不同于上述纳米线413的第二电极的功函数，以在纳米线413上生成发光现象。
另外，所述第一电极411与所述第二电极412不齐平，并且所述第一电极和所述第二电极在垂直方向被互相分开，以使所述立式发光元件310被提供。在上述立式发光元件410的情况中，由于分别形成所述第一电极411和所述第二电极412的位置能够被相互交换，根据发光的方向，透明阳极电极（例如，由ITO/IZO等形成）以及不透明阴极电极（例如，由铝形成）能够被恰当的排列以确定发光的方向。所述附图中没有被说明的参考数字414指示绝缘层。
下面阐述的本发明的又一个实施方式阐述了所述发光元件和所述驱动晶体管，所述开关晶体管和所述电容由纳米线组成。因此，根据本发明的所述发光显示设备能利用公共纳米线实现多个元件（所述发光元件，所述驱动晶体管，所述开关晶体管和所述电容），并因此，本领域的技术人员能够理解这个结构明显地简化了制造过程。
在下文中，由所述纳米线形成的所述驱动晶体管、所述开关晶体管和所述电容的结构将被阐述。这里，由于所述驱动晶体管和所述开关晶体管具有相同的结构，应该理解的是底部栅晶体管或者顶部栅晶体管被视为所述驱动晶体管和所述开关晶体管。另外，与具有上面提到的发光特性的纳米线相同种类的纳米线被采用。换句话说，该纳米线是由例如ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的每一个或者它们的混合物或者化合物的材料形成的。毫无疑问，掺杂物被添加到上述材料中，所述掺杂物可以是Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga的中一者或者它们的混合物或者化合物。
与此同时，由于以下被描述的晶体管的第一电极和第二电极没有不同，发光现象基本不发生。因此，不必要的发光现象在所述晶体管的运行期间不会被产生。
然而，尽管所述第一电极和具有彼此不同的功函数的所述第二电极被使用，通过在所述晶体管之上或者在所述晶体管之下形成遮光构件，可以阻止从所述晶体管发出的光被散发到所述发光设备之外。
图7a是示出了根据本发明的另一个实施方式的纳米线底部栅晶体管的横截面视图，以及图7b是示出了根据本发明的又一个实施方式的纳米线底部栅晶体管的横截面视图。
如图7a所示，根据被发明的另一个实施方式的纳米线底部栅晶体管510包括在衬底501的缓冲层502上形成的栅电极511；覆盖所述栅电极511的栅绝缘层512；在对应于所述栅电极511的所述栅绝缘层512上形成的纳米线512；被连接到纳米线513的一端的第一电极514；以及被连接到所述纳米线513的另一端的第二电极515。
这里，所述第一电极514和所述第二电极515可以是由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一个金属形成的金属层。另外，所述第一电极514和所述第二电极515可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物形成。另外，由于被布置在所述第一电极514和第二电极515之间、且被电连接到所述第一电极514和第二电极515的所述纳米线不应该发光，因此优选的是所述第一电极514和所述第二电极515由具有相同功函数的材料形成。例如，如果所述第一电极514由铝形成，那么所述第二电极515也由铝形成。
如图7b所示，根据本发明的又一个实施方式的遮光构件516可以进一步在底部栅晶体管510a之上或者之下形成。如上文所述，在具有彼此不同的功函数的所述第一电极514和所述第二电极515被使用的情况下，所述纳米线513能够发光。然而，通过遮光构件516可以阻止从所述纳米线513发出的光被散发到所述发光设备之外。基本上，上述遮光构件可以被提供在下面介绍的驱动晶体管和开关晶体管中。
图8是示出了根据本发明的另一个实施方式的纳米线顶部栅晶体管的横截面视图。
根据本发明的另一个实施方式的顶部栅晶体管610包括在衬底601的缓冲层602上形成的纳米线611；覆盖所述纳米线611的栅绝缘层612；在对应于所述纳米线611的所述栅绝缘层612上形成的栅电极613；覆盖所述栅电极613和对应于外围栅电极的所述栅绝缘层612的层间绝缘体614；贯穿所述层间绝缘体614并通过其贯穿部分而被连接到所述纳米线611的一端的第一电极615；以及贯穿所述层间绝缘体614并通过其贯穿部分而被连接到所述纳米线611的另一端的第二电极616。
这里，所述第一电极615和所述第二电极616可以由与上文所述材料相同的材料形成。另外，为了不允许所述纳米线611发光，所述第一电极615和所述第二电极616分别由具有相同的功函数的材料形成。
图9是示出了根据本发明的又一个实施方式的顶部栅晶体管的横截面视图。
如图9所示，根据本发明的又一个实施方式的顶部栅晶体管710包括在衬底701的缓冲层702上形成的纳米线711；被连接到所述纳米线711的一端的第一电极712；被连接到所述纳米线711的另一端的第二电极712；覆盖所述纳米线711、所述第一电极712和所述第二电极712的栅绝缘层714；以及在对应于所述纳米线711的所述栅绝缘层714上形成的栅电极715。
这里，所述第一电极712和所述第二电极713可以由与上文所述的材料相同的材料形成。另外，为了不允许所述纳米线711发光，所述第一电极712和所述第二电极713分别由具有相同的功函数的材料形成。
图10是示出了根据本发明的又一个实施方式的电容的横截面视图。
如图10所示，根据本发明的又一个实施方式的电容810包括在具有其上形成的凹槽803且具有一定深度的衬底801上形成的纳米线811；包围所述纳米线811的绝缘层812；包围所述绝缘层812的第一电极813；以及被连接到通过绝缘层812暴露的所述纳米线811的第二电极814。这里，由于所述纳米线811被电连接到所述第二电极814，所述纳米线811阻止所述第一电极811形成一个电容。
这里，所述第一电极813和所述第二电极814可以由与上文所述材料相同的材料形成。另外，为了不允许所述纳米线811发光，所述第一电极813和所述第二电极814分别由具有相同的功函数的材料形成。没有被描述的参考数字802指示缓冲层。毫无疑问，基本上，尽管在所述第一电极813和所述第二电极814之间有不用的功函数，但由于所述电容不是电流元件，所述光不被发出。换句话说，相互之间具有不同的功函数的所述第一电极813和所述第二电极814可以在电容上被使用。
图11是示出了根据本发明的又一个实施方式的电容的横截面视图。
如图11所示，根据本发明的又一个实施方式的电容910包括在衬底901上形成的纳米线911；被电连接到所述纳米线911的第一电极912；覆盖所述纳米线911的绝缘层913；以及在对应于所述纳米线911的所述绝缘层913上形成的第二电极914。这里，由于所述纳米线911也被电连接到所述第一电极912，所述纳米线911阻止所述第二电极914形成一个电容。
所述第一电极912和所述第二电极914可以由与上文所述材料相同的材料形成。另外，为了不允许所述纳米线911发光，所述第一电极912和所述第二电极914分别由具有相同的功函数的材料形成。
图12是示出了根据本发明的又一个实施方式的具有纳米线发光晶体管的发光显示设备的电路图。
如图12所示，根据本发明的又一个实施方式的发光显示设备50包括第一电源线Vdd，纳米线发光晶体管LED T1，第二电源线Vss，电容C，开关晶体管T2，数据线Vdate和扫描线Sn。
例如，所述第一电源线Vdd供应大约5V的电压。这里，与传统的AMOLED相比，由于所述纳米线发光晶体管LED T1以低电流运行，5V的电压足够用于将被供应到所述第一电源线Vdd的电力。然而，本发明不限于此。换句话说，比上述电压更高或者更低的电压也可以通过第一电源线Vdd被供应给所述纳米线发光晶体管LED T1。
所述纳米线发光晶体管LED T1被电连接到所述第一电源线Vdd。所述纳米线发光晶体管LED T1包括第一电极、第二电极和栅电极。所述纳米线发光晶体管LED T1的所述第一电极（源电极或者漏电极）被电连接到所述第一电极线Vdd。所述纳米线发光晶体管LED T1的所述第二电极（漏电极或者源电极）被电连接到所述第二电源线Vss。所述纳米线发光晶体管LEDT1的所述栅电极被电连接到所述电容C和所述开关晶体管T2。与此同时，所述纳米线发光晶体管LED T1包括具有半导体功能和发光功能的纳米线。换句话说，所述纳米线发光晶体管LED T1在例如Vgs＞Vth的情况下被打开。此时，发出规定颜色的光。上述纳米线发光晶体管LED T1的详细结构将在下文被描述。
所述第二电源线Vss提供比从第一电源线Vdd提供的电压更低的电压。例如，所述第二电源线Vss能提供地电压。然而，本发明不限于此。换句话说，比所述地电压更高或者更低的电压也能够通过第二电源线Vss被供应给所述纳米线发光晶体管LED T1。
所述电容C被电连接到所述纳米线发光晶体管LED T1、所述开关晶体管T2和所述第二电源线Vss。所述电容C具有第一电极和第二电极。所述电容C的所述第一电极被电连接到所述纳米线发光晶体管LED T1和所述开关晶体管T2的栅电极。所述电容C的所述第二电极被电连接到所述第二电源线Vss和所述纳米线发光晶体管LED T1的第二电极。上述电容C可以包括所述纳米线。这种电容C的多种结构将在下文再一次被描述。
所述开关晶体管T2被电连接到所述纳米线发光晶体管LED T1、所述电容C、所述数据线Vdata和所述扫描线Sn。所述开关晶体管T2包括第一电极、第二电极和栅电极。所述开关晶体管T2的所述第一电极被电连接到所述纳米线发光晶体管LED T1的栅电极和所述电容C的所述第一电极。所述开关晶体管T2的所述第二电极被电连接到数据线Vdata。所述开关晶体管T2的所述栅电极被电连接到所述扫描线Sn。与此同时，上述开关晶体管T2也可以包括所述纳米线。这样开关晶体管T2本质上与所述纳米线发光晶体管LED T1是相同的。在所述开光晶体管T2中，所述第一电极的功函数与第二电极的功函数相同。然而，在所述纳米线发光晶体管LED T1中，所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
所述数据线Vdata供应数据信号。由数据线Vdata供应的数据通过所述开关晶体管T2被保存在所述电容C中。
所述扫描线Sn供应扫描信号。所述开关晶体管T2由通过所述扫描线Sn供应的所述扫描信号打开。另外，当开关晶体管T2如上文描述的那样被打开时，通过所述数据线Vdata供应的数据被保存在所述电容C中。
在上文，尽管通过示例示出了由两个晶体管和一个电容（2TR 1CAP）组成的所述发光显示电路20，但是用于改善发光显示设备的性能的所有已知的或者将要知道的发光显示电路可以被应用。
图13a和图13b是示出了根据本发明的又一个实施方式的底部栅纳米线发光晶体管的平面视图和横截面视图，以及图13c是示出了根据本发明的又一个实施方式的纳米线底部栅晶体管（开关晶体管）的横截面视图。
如图13a和13b所示，根据本发明的又一个实施方式的底部栅纳米线发光晶体管1010包括在衬底1001的缓冲层1002上形成的栅电极1011；覆盖所述栅电极1011的栅绝缘层1012；在对应于所述栅电极1011的所述栅绝缘层1012上形成的纳米线1013；被连接到所述纳米线1013的一端的第一电极1014；以及被连接到所述纳米线1013的另一端的第二电极1015。
所述衬底1001可以是从陶瓷衬底、硅晶圆衬底、玻璃衬底、聚合物衬底和它们的等价物中选择出的一个。特别的是，在所述衬底被应用在双向发光显示设备中的情况下，所述衬底可以由玻璃或者透明塑料形成。所述玻璃衬底可以由硅氧化物形成。另外，所述聚合物衬底可以由聚合物材料形成，例如聚对苯二甲酸乙二醇脂（PET），聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN），聚酰亚胺。
所述栅电极1011在所述衬底1001的所述缓冲层衬底1001上形成。在从所述显示设备发出的光被向上散发的情况下，这个栅电极1011可以由不透明反射金属形成。例如，所述栅电极1011可以由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一个不透明发射金属形成。另外，在从所述显示设备发出的光被向下或者向两方向散发的情况下，这个栅电极1011可以由透明导电氧化物形成。例如，栅第二电极1011可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物形成。
所述栅绝缘层1012覆盖所述栅电极1012和对应于所述外围栅电极的缓冲层1012。所述栅绝缘层1012可以是从传统的氧化层、氮化层和它们的等价物之中选择出的一者。
所述纳米线1013在对应于所述栅电极1011的所述栅绝缘层1012上形成。这样纳米线1013具有发光功能和半导体功能。
多个纳米线1013被提供以在所述栅绝缘层1012上形成具有一定厚度的薄层。毫无疑问的是，所述纳米线1013被电连接到在下文被描述的第一电极1014和第二电极1015。另外，所述纳米线1313可以被排列使得所述纳米线的纵向平行于或者垂直于所述第一电极1014（或者所述第二电极）的纵向。换句话说，所述纳米线1013可以被形成使得所述纳米线在第一电极1014（或者第二电极）的纵向方向中从所述第一电极1014（或者第二电极）的一端贯穿到另一端，或者在向外的方向中，所述纳米线可以被定向为从所述第一电极1014（或者第二电极）的平面表面向外。
所述纳米线1013以具有比直径大的长度的线的形状形成。所述纳米线的直径大概是1nm-300nm，并且长度大概是2nm-500μm。所述纳米线313的所述薄层的厚度的均匀性与所述纳米线1013的直径成反比。另一方面，如果所述纳米线1013的直径约大于300nm，那么所述纳米线1013的所述薄层的厚度被部分地增加以使所述纳米线1013的所述薄层的平整度被破坏。
与此同时，所述纳米线1311由无机发光材料形成。根据颜色，荧光粉可以用作无机发光材料。
例如，例如CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu,Bi、Gd2O3:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn、CaLa2S4:Ce、SrY2S4:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、SrS:Eu、Y3O3:Eu、YVO4:Eu,Bi中的每一个的荧光粉（其是红色的荧光粉）或者它们的混合物或者化合物可以用作无机发光材料。
另外，例如ZnS:Tb（主体；掺杂物）、ZnS:Ce,Cl、ZnS:Cu,Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb,Zn、Y2O3:Tb,Zn、SrGa2S4:Eu、Y2SiO5:Tb、Y2Si2O7:Tb、Y2O2S:Tb、ZnO:Ag、ZnO:Cu,Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、YBO3:Ce,Tb、Ba2SiO4:Eu、（Ba,Sr）2SiO4:Eu、Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu、(Ba,Sr)Al2O4:Eu、Sr2Si3O8、2SrCl2:Eu中的每一个的荧光粉（其是绿色的荧光粉）或者它们的混合物或者化合物可以用作无机发光材料。
而且，例如SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn、YSiO5:Ce、(Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu中的每一个的荧光粉（其是蓝色的荧光粉）或者它们的混合物或者化合物可以用作无机发光材料。
另外，例如YAG（钇、铝、石榴石）的白色荧光粉可以用作无机发光材料。而且，作为无机发光材料，利用通过合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-1Al2O3:Eu+2的混合物或者化合物可以被应用。另外，白色光可以通过混合ZnO+SnO和以上无机发光材料被得到。
换句话说，所述无机发光材料包括形成物质的主体和在所述物质中作为发光中心的掺杂物。另外，这种无机发光材料在晶体管中的半导体活动层和半导体通道区上形成。
总的来说，例如Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C（包括金刚石）P、B-C、B-P（BP6）、B-Si、Si-C、Si-Ge、Si-Sn和Ge-Sn、SiC、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、BN/BP/BAs、AlN/AlP/AlAs/AlSb、GaN/GaP/GaAs/GaSb、InN/InP/InAs/InSb、ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe、CdS/CdSe/CdTe、HgS/HgSe/HgTe、BeS/BeSe/BeTe/MgS/MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr、AgI、BeSiN2、CaCN2、ZnGeP2、CdSnAs2、ZnSnSb2、CuGeP3、CuSi2P3、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、Al2Co的物质可以用于形成所述半导体纳米线。
基本上，特别的是，由例如ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的每一个、或者它们的混合物或者化合物的材料形成的纳米线通过添加单独的掺杂物而具有半导体的功能和发光功能。当然，通过调整所述掺杂物的组分，适当地调整发出的光的颜色是可能的。另外，Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga中的每一个、或者它们的混合物或者化合物可以用作掺杂物，然而，本发明不仅限于上述材料。
与此同时，平坦化层（没有示出）可以被进一步形成在所述纳米线1013之间的间隔之中或者之上。根据纳米线1313的电特性，介电层或者导电层可以被形成作为平坦化层。如果所述纳米线1013具有电导率，由于电荷不被累积在所述纳米线的表面，介电层或者绝缘层可以被形成作为所述平坦化层。另外，如果所述纳米线1013没有电导率，由于在低电压被激励时电荷被累积在所述纳米线的表面，因此为了防止电荷的积累，导电层可以被形成作为平坦化层。所述平坦化层填补在所述纳米线1013之间的间隔，以使整个纳米线能够被平坦化。所述平坦化层可以由介电材料、高分子树脂或者氧化物形成。
所述第一电极1014以薄层的形状形成，并且可以用作源电极（或者漏电极）。而且，所述第一电极1014同时覆盖所述纳米线1013的一端和该一端的内圆周表面和外圆周表面，使得所述第一电极被电连接到所述纳米线1013。所述第一电极1014可以由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一个金属形成。另外，所述第一电极1014可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物形成。
所述第二电极1015也以具有一定厚度的薄层的形状形成，并且具有与第一电极1014相反的极性。换句话说，如果第一电极1014是源电极，所述第二电极1015可以被用作漏电极（或者源电极）。所述第二电极1015被电连接到纳米线1013。也就是说，所述第二电极1015同时覆盖所述纳米线1013的另一端以及该另一端的内圆周表面和外圆周表面，以使所述第二电极被电连接到所述纳米线1013。另外，所述第二电极1015可以被形成作为由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一个形成的金属层。另外，所述第二电极1015可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物形成。
同时，如果所述第一电极1014的功函数不与所述第二电极1015的功函数不同，那么很难从所述纳米线1013发光。举一个例子，第一电极1014可以由从具有相对高的功函数的铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个形成。上述材料的功函数大概是4.9eV，其是相对高的工作函数。
同时，所述第二电极312可以由从具有相对低的功函数的铝和它的等价物之中选择出的一个形成。上述材料的功函数大概是4.1eV，其是相对低的功函数。
此外，在例如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）等的材料被用于同时形成所述第一电极1014和所述第二电极1015的情况下，为了产生所述第一电极1014和所述第二电极312之间的功函数的差，镁和铝可以在形成任意一个电极之前预先被沉积。
另外，所述第一电极1014与所述第二电极1015齐平，并且所述第一电极和所述第二电极在水平方向相互分开，以使所述卧式纳米线发光晶体管LED T1被实现。此外，在上述卧式纳米线发光晶体管LED T1的情况中，双向发光结构能够被获得，其中通过该双向发光结构，光在向上的方向和向下的方向被发出，并且通过形成较低的栅电极1011作为不透明的反射金属层或者在所述纳米线发光晶体管上额外形成不透明的金属反射层，所述发光方向能被调整成仅在一个方向中发光。
如图13c所示，单独的遮光构件1016可以被进一步形成在根据本发明的又一个实施方式的底部栅晶体管1010a（开关晶体管）之上或者之下。如上文描述的，如果具有不同的功函数的第一电极1014和第二电极1015被应用，所述纳米线1013能够发光。然而，由于所述遮光构件1016，阻止从所述纳米线1013发出的光被散发到所述显示设备的外面是可能的。当然，在这种开关晶体管中，如果具有相同的功函数的第一电极和所述第二电极被应用，抑制光如上文被发出是可能的。
图14是示出了根据本发明的又一个实施方式的顶部栅纳米线发光晶体管的横截面视图。
如图14所示，顶部栅纳米线发光晶体管1110包括在衬底1101的缓冲层1102上形成的纳米线1111；覆盖所述纳米线1111的栅绝缘层1112；在对应于所述纳米线1111的所述栅绝缘层1112上形成的栅电极1113；覆盖所述栅绝缘电极1113和对应于外围栅电极1113的所述栅绝缘层1112的层间绝缘体1114；贯穿所述层间绝缘体1114并且通过其贯穿部分被连接到所述纳米线1111的一端的第一电极1115；以及贯穿所述层间绝缘体1114并且通过其贯穿部分被连接到所述纳米线1111的另一端的第二电极1116。
这里，所述纳米线1111由具有发光功能和半导体功能的上述材料形成，以及第一电极1115和第二电极1116可以由上述材料形成。当然，为了使所述纳米线1111能够具有发光功能和半导体功能，所述第一电极1114和所述第二电极1115分别由功函数彼此不同的材料形成。
图15是示出了根据本发明的又一个实施方式的顶部栅纳米线发光晶体管的横截面视图。
如图15所示，顶部栅纳米线发光晶体管1210包括在衬底1201的缓冲层1202上形成的纳米线1211；被连接到所述纳米线1211的一端的第一电极1212；被连接到所述纳米线1211的另一端的第二电极1212；覆盖所述纳米线1211、所述第一电极1212和所述第二电极1212的栅绝缘层1214；以及在对应于所述纳米线1211的所述栅绝缘层1214上形成的栅电极1215。
这里，所述纳米线1211由具有发光功能和半导体功能的上述材料形成，以及第一电极1212和第二电极1213可以由上述材料形成。当然，为了使所述纳米线1211能够具有发光功能和半导体功能，所述第一电极1212和所述第二电极1213分别由功函数彼此不同的材料形成。
另一方面，图12所示的所述开关晶体管T2具有实质上与上文描述的纳米线发光晶体管1010、1110和1210的结构相同的结构。除了第一电极和第二电极由相同的材料形成（即，所述第一电极和第二电极由具有相同的功函数的材料形成）以阻止所述开关晶体管T2的所述纳米线发光，所述开关晶体管具有与纳米线发光晶体管1010、1110和1210的结构相同的结构。
举一个例子，在所述开关晶体管T2中的第一电极和第二电极可以由从铝（Al）、锡（Sn）、钨（W）、金（Au）、铬（Cr）、钼（Mo）、钯（Pd）、铂（Pt）、镍（Ni）、钛（Ti）和它们的等价物之中选择出的一个金属形成。另外，所述第一电极和所述第二电极可以由从铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、锌氧化物、锡氧化物（SnO2）、铟氧化物（In2O3）和它们的等价物之中选择出的一个透明导电氧化物形成。
如上文所描述的，所述第一电极和所述第二电极由具有相同功函数的材料形成，以阻止被布置在所述第一电极和所述第二电极之间、并且被电连接到所述第一电极和所述第二电极的所述纳米线发光。例如，如果第一电极由铝形成，所述第二电极也由铝形成。另外，如果第一电极由铟锡氧化物形成，所述第二电极也由铟锡氧化物形成。
毫无疑问的，图12所示的所述开关晶体管T2可以具有与所述纳米线发光晶体管1010、1110和1210的结构完全相同的结构。换句话说，具有不同功函数的所述第一电极和所述第二电极能够被应用。同时，像所述纳米线发光晶体管1010、1110和1210那样，所述开关晶体管T2发出规定颜色的光。通过在所述开关晶体管T2之上或者之下形成单独的遮光构件，阻止从所述纳米线513发出的光被散发到外面是可能的（见图13c）。
上述说明书仅仅描述了用于实施根据本发明的具有纳米线的发光显示设备的一个示例，本发明不限于上述实施方式，并且本领域的技术人员可以在不偏离本发明所附的权利要求书所要求的范围内对本发明进行修改。

Claims (18)

1.一种发光显示设备，该发光显示设备包括；
被电连接到第一电源线的发光元件；
被电连接到所述发光元件和第二电源线的驱动晶体管；
被电连接到所述驱动晶体管、所述第二电源线、以及数据线的电容；以及
被电连接在所述驱动晶体管、所述数据线、以及扫描线之间的开关晶体管，
其中所述发光元件由纳米线制成，
其中所述电容包括：
在衬底上形成的第二纳米线；
包围所述第二纳米线的绝缘层；
包围所述绝缘层的第一电极；以及
被连接到通过所述绝缘层暴露的所述第二纳米线的第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述发光元件还包括：
第一电极，该第一电极覆盖所述纳米线的一端以及该一端的内圆周表面和外圆周表面，并且该第一电极被电连接到所述第一电源线；以及
第二电极，该第二电极覆盖所述纳米线的另一端以及该另一端的内圆周表面和外圆周表面，并且该第二电极被电连接到所述第二电源线，
其中所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
3.根据权利要求2所述的发光显示设备，其中所述第一电极与所述第二电极齐平，并且所述第一电极在水平方向上与所述第二电极隔开。
4.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述发光元件还包括：
在所述纳米线之下形成的第一电极；以及
在所述纳米线之上形成的第二电极，
其中所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
5.根据权利要求4所述的发光显示设备，其中所述第一电极不与所述第二电极齐平，并且所述第一电极在垂直方向上与所述第二电极隔开。
6.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述发光元件包括：
至少一个第一电极；以及
第二电极，该第二电极在水平方向上与所述第一电极隔开，并且该第二电极包围所述第一电极的至少三个侧表面，
其中所述纳米线形成在所述第一电极与所述第二电极之间，并且
其中所述第一电极的功函数不同于所述第二电极的功函数。
7.根据权利要求6所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括在所述发光元件之上或之下形成的彩色滤光片。
8.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述驱动晶体管或所述开关晶体管包括：
栅电极；
覆盖所述栅电极的栅绝缘层；
在对应于所述栅电极的所述栅绝缘层上形成的第二纳米线；
被连接到所述第二纳米线的一端的第一电极；以及
被连接到所述第二纳米线的另一端的第二电极。
9.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述驱动晶体管或所述开关晶体管包括：
第二纳米线；
覆盖所述第二纳米线的栅绝缘层；
在覆盖所述第二纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极；
覆盖所述栅电极以及对应于外围栅电极的所述栅绝缘层的层间绝缘体；
贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述第二纳米线的一端的第一电极；以及
贯穿所述层间绝缘体、并且被连接到所述第二纳米线的另一端的第二电极。
10.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述驱动晶体管或所述开关晶体管包括：
第二纳米线；
被连接到所述第二纳米线的一端的第一电极；
被连接到所述第二纳米线的另一端的第二电极；
覆盖所述第二纳米线、所述第一电极和所述第二电极的栅绝缘层；以及
在对应于所述第二纳米线的所述栅绝缘层上形成的栅电极。
11.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述衬底具有在该衬底对应于所述绝缘层的区域上形成的凹槽。
12.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述电容包括：
第二纳米线；
被连接到所述第二纳米线的第一电极；
覆盖所述第二纳米线的绝缘层；以及
在对应于所述第二纳米线的所述绝缘层上形成的第二电极。
13.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中所述纳米线由下列的混合物或化合物形成：CaS:Eu、ZnS:Sm、ZnS:Mn、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Eu,Bi、Gd2O3:Eu、(Sr,Ca,Ba,Mg)P2O7:Eu,Mn、CaLa2S4:Ce、SrY2S4:Eu、(Ca,Sr)S:Eu、SrS:Eu、Y2O3:Eu、YVO4:Eu,Bi、ZnS:Tb、ZnS:Ce,Cl、ZnS:Cu,Al、Gd2O2S:Tb、Gd2O3:Tb,Zn、Y2O3:Tb,Zn、SrGa2S4:Eu、Y2SiO5:Tb、Y2Si2O7:Tb、Y2O2S:Tb、ZnO:Ag、ZnO:Cu,Ga、CdS:Mn、BaMgAl10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Mn、YBO3:Ce,Tb、Ba2SiO4:Eu、(Ba,Sr)2SiO4:Eu、Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu、(Ba,Sr)Al2O4:Eu、Sr2Si3O8、2SrCl2:Eu、SrS:Ce、ZnS:Tm、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Te、Zn2SiO4:Mn、YSiO5:Ce、(Sr,Mg,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、YAG(钇、铝、石榴石)，或者由利用通过合成CaAl2O3和SrAl2O3得到的CaxSrx-1Al2O3:Eu+2的混合物或化合物形成，或者由从由ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe组成的组中选择的任意一者或者它们的混合物或化合物形成。
14.根据权利要求8至12中任意一项权利要求所述的发光显示设备，其中所述第二纳米线由从由ZnO、In2O3、SnO2、SiGe、GaN、InP、InAs、Ge、GaP、GaAs、GaAs/P、InAs/P、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe组成的组中选择的任意一者或者它们的混合物或化合物形成。
15.根据权利要求13所述的发光显示设备，其中所述纳米线还包含掺杂物，所述掺杂物是从由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga组成的组中选择的任意一者或者它们的混合物或化合物。
16.根据权利要求14所述的发光显示设备，其中所述第二纳米线还包含掺杂物，所述掺杂物是从由Ce、Tm、Ag、Cl、Te、Mn、Eu、Bi、Tb、Cu、Zn、Ga组成的组中选择的任意一者或者它们的混合物或化合物。
17.根据权利要求8-10中任意一项权利要求所述的发光显示设备，其中所述第一电极和所述第二电极具有相同的功函数。
18.根据权利要求8-10中任意一项权利要求所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括在所述驱动晶体管或所述开关晶体管之上或之下形成的遮光构件。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013052541A2 (en) * 2011-10-04 2013-04-11 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University Quantum dots, rods, wires, sheets, and ribbons, and uses thereof
US9400862B2 (en) 2014-06-23 2016-07-26 Synopsys, Inc. Cells having transistors and interconnects including nanowires or 2D material strips
US10037397B2 (en) 2014-06-23 2018-07-31 Synopsys, Inc. Memory cell including vertical transistors and horizontal nanowire bit lines
US9361418B2 (en) 2014-06-23 2016-06-07 Synopsys, Inc. Nanowire or 2D material strips interconnects in an integrated circuit cell
US20160063163A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Synopsys, Inc. Arrays with compact series connection for vertical nanowires realizations
US10312229B2 (en) 2016-10-28 2019-06-04 Synopsys, Inc. Memory cells including vertical nanowire transistors
WO2019207938A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 株式会社村田製作所 発光装置、およびコンデンサ
WO2020046710A2 (en) 2018-08-24 2020-03-05 Matthew Hartensveld Nanowire light emitting switch devices and methods thereof
US11532669B2 (en) * 2019-08-23 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Memory device and manufacturing method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3797877B2 (ja) * 2001-02-05 2006-07-19 シャープ株式会社 アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置
CN1979705A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 佳能株式会社 纳米线电容器及相关电路器件
CN101388412A (zh) * 2008-10-09 2009-03-18 北京大学 自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100736515B1 (ko) * 2005-12-01 2007-07-06 삼성전자주식회사 다공성 템플릿을 이용한 나노 와이어의 제조방법 및나노와이어 구조체
KR100904588B1 (ko) * 2007-07-05 2009-06-25 삼성전자주식회사 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자
KR20090131903A (ko) * 2008-06-19 2009-12-30 경기대학교 산학협력단 트랜지스터 및 그를 포함하는 플랙서블 유기 전계 발광표시 장치
KR101267222B1 (ko) * 2008-06-19 2013-05-23 경기대학교 산학협력단 나노와이어 트랜지스터와 이의 제조방법
WO2010024652A2 (ko) * 2008-09-01 2010-03-04 경기대학교 산학협력단 무기 발광 소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3797877B2 (ja) * 2001-02-05 2006-07-19 シャープ株式会社 アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置
CN1979705A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 佳能株式会社 纳米线电容器及相关电路器件
CN101388412A (zh) * 2008-10-09 2009-03-18 北京大学 自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法

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