KR101196700B1 - Blasting method for tunnel - Google Patents

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KR101196700B1
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유정훈
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박윤석
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(주)한화
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    • F42D1/00—Blasting methods or apparatus, e.g. loading or tamping
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    • F42D3/04—Particular applications of blasting techniques for rock blasting

Abstract

PURPOSE: A blasting method for a tunnel is provided to stably perform an underground blasting work in a downtown area by effectively using fine crackers. CONSTITUTION: A blasting method for a tunnel is as follows. A no-charge hole is formed in a center portion. Primary blast holes(a) with the same center as the center of the no-charge hole are formed outside the no-charge hole to form a free surface of a primary triangle cross section(100). Secondary blast holes(b) are formed to form a free surface of a secondary triangle cross section(200) rotated from the center of the primary triangle cross section. Third blast holes(C) are formed to form a free surface of a third triangle cross section(300) for receiving the no-charge, primary, and secondary blast holes therein. The primary, secondary, and third blast holes are successively blasted.

Description

터널의 발파방법{BLASTING METHOD FOR TUNNEL}Blasting Method for Tunnels {BLASTING METHOD FOR TUNNEL}

본 발명은 건설 분야에 관한 것으로서, 상세하게는 터널의 발파방법에 관한 것이다.The present invention relates to the field of construction, and more particularly to a method for blasting a tunnel.

터널의 형성을 위하여, 막장면에 다수의 발파공(B)을 천공한 후, 상기 발파공에 폭약을 장전하여 발파하는 방식이 일반적으로 적용된다(도 1).In order to form a tunnel, a method of blasting by blasting the explosives by blasting a plurality of blast holes (B) on the membrane surface, and then loading the explosive holes (FIG. 1).

이러한 발파공(B)은 심발공(①), 확대공(②), 굴착선보조공(③), 굴착선공(④), 바닥공(⑤) 등으로 구분되고, 각 발파공(B)에 장전된 폭약은 미세한 시간간격을 두고 순차적으로 발파된다.The blasting hole (B) is divided into a deep blasting hole (①), an expanding hole (②), an excavation vessel assistant (③), an excavation vessel (④), a bottom hole (⑤), and the explosives loaded in each blasting hole (B). Are blasted sequentially with a small time interval.

심발공(①)에서 터널 막장면의 중심부에 형성하는 무장약공(A)은 초기 자유면을 제공하는 역할을 하며 무장약공(A)의 바로 외측에 형성되는 발파공들은 모든 발파공 중 최초로 발파되는 영역으로서, 무장약공의 크기를 확대하는 역할을 한다.Armed medicine hole (A) formed in the center of the tunnel face in the heart hole (①) serves to provide an initial free surface and the blast holes formed just outside the armed medicine hole (A) is the first blasting area of all blasting holes It also serves to expand the size of armed pharmacy.

한편, 도심지의 지하 발파작업의 경우, 큰 진동이 발생하면 안 되므로, 미진동 화약을 사용하여야 하는데, 이 경우 발파공의 간격이 좁아져야 하므로, 전체적인 배치의 변화가 필요하다는 문제가 제기되어 왔다.On the other hand, in the case of underground blasting work in the downtown area, because a large vibration should not occur, it is necessary to use a micro-vibration gunpowder, in which case the gap of the blast hole should be narrowed, the problem has been raised that the change of the overall arrangement is required.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 미진동 화약을 효과적으로 사용할 수 있도록 하여, 큰 진동의 발생을 방지하여야 하는 도심지의 지하 발파작업에 안정적으로 적용될 수 있도록 하는 터널의 발파방법을 제시하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and the blasting method of the tunnel to be applied stably to the underground blasting work in the downtown area to be able to effectively use the micro vibration powder, to prevent the generation of large vibrations Its purpose is to present.

상기 과제의 해결을 위하여, 본 발명은 터널의 형성을 위하여, 막장면에 무장약공(A)과 다수의 발파공을 천공한 후, 상기 발파공에 폭약을 장전하여 발파하는 터널의 발파방법에 있어서, 막장면의 중심부에 무장약공(A)을 천공하는 무장약공 형성단계; 상기 무장약공(A)의 외측에 상기 무장약공(A)의 중심과 동일한 중심을 갖는 1차 삼각형 단면(100)의 자유면이 형성되도록, 1차 발파공(a)을 천공하는 1차 발파공 형성단계; 상기 1차 삼각형 단면(100)이 그 중심을 기준으로 30~90°회전한 형상의 2차 삼각형 단면(200)의 자유면이 형성되도록, 2차 발파공(b)을 천공하는 2차 발파공 형성단계; 상기 무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b)이 내부 영역에 포함되는 3차 사각형 단면(300)의 자유면이 형성되도록, 3차 발파공(c)을 천공하는 3차 발파공 형성단계; 상기 1차 발파공(a), 상기 2차 발파공(b), 상기 3차 발파공(c)의 순서로 발파하는 발파단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법을 제시한다.In order to solve the above problems, the present invention in the tunnel blasting method of blasting by loading the explosives in the blasting hole after the armed holes (A) and a plurality of blasting holes in the membrane surface for the formation of the tunnel, Armed medicine forming step of drilling the armed medicine hole (A) in the center of the surface; A primary blasting hole forming step of drilling the primary blasting hole (a) so that the free surface of the primary triangular cross section 100 having the same center as the center of the armed medicine hole (A) is formed on the outside of the armed medicine hole (A) ; The secondary blast hole forming step of drilling the secondary blast hole (b) so that the free surface of the secondary triangular cross section 200 of the shape of the primary triangular cross section 100 is rotated 30 ~ 90 ° with respect to the center ; 3 which drills the tertiary blast hole (c) so that the free surface of the tertiary rectangular cross section 300 is included in the armed medicine hole (A), the primary blast hole (a), the secondary blast hole (b) is included in the inner region Forming a blast hole; And a blasting step of blasting in order of the first blasting hole (a), the second blasting hole (b), and the third blasting hole (c).

상기 1차 발파공(a)은 상기 1차 삼각형 단면(100)의 3개의 꼭지점에 각각 형성된 1번 발파공, 2번 발파공, 3번 발파공을 포함하도록 형성하고, 상기 발파단계는 상기 1차 발파공(a)을 상기 1번 발파공, 2번 발파공, 3번 발파공의 순서로 발파하는 것이 바람직하다.The primary blasting hole (a) is formed to include the first blasting hole, the second blasting hole, the third blasting hole formed at three vertices of the first triangle cross-section 100, the blasting step is the primary blasting hole (a ) Blasting in the order of the first blasting hole, the second blasting hole, the third blasting hole.

상기 2차 발파공(b)은 상기 2차 삼각형 단면(200)의 3개의 꼭지점에 각각 형성된 4번 발파공, 5번 발파공, 6번 발파공을 포함하도록 형성하고, 상기 발파단계는 상기 2차 발파공(b)을 상기 4번 발파공, 5번 발파공, 6번 발파공의 순서로 발파하는 것이 바람직하다.The secondary blasting hole (b) is formed to include four blasting holes, five blasting holes, and six blasting holes formed at three vertices of the second triangular cross section 200, and the blasting step is the secondary blasting hole (b ) Blasting in the order of the 4 blasting hole, 5 blasting hole, 6 blasting hole.

상기 4번 발파공은 상기 1번 발파공과 2번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것이 바람직하다.The fourth blasting hole is preferably formed in a region between the first blasting hole and the second blasting hole.

상기 5번 발파공은 상기 1번 발파공과 3번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것이 바람직하다.The fifth blasting hole is preferably formed in a region between the first blasting hole and the third blasting hole.

상기 6번 발파공은 상기 2번 발파공과 3번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것이 바람직하다.The blasting hole 6 is preferably formed in a region between the blasting hole 2 and the blasting hole 3.

상기 1차 발파공(a) 중 하나와, 2차 발파공(b) 중 하나가 각각 상기 3차 사각형 단면(300)의 상변 및 하변에 위치하도록 하는 것이 바람직하다.It is preferable that one of the primary blasting holes (a) and one of the secondary blasting holes (b) are located on the upper side and the lower side of the tertiary rectangular cross section 300, respectively.

상기 3차 사각형 단면(300)의 상변에 위치하는 상기 1차 발파공(a)은 3번 발파공이고, 상기 3차 사각형 단면(300)의 하변에 위치하는 상기 2차 발파공(b)은 4번 발파공인 것이 바람직하다.The primary blasting hole (a) located on the upper side of the tertiary rectangular cross section 300 is the third blasting hole, and the secondary blasting hole (b) located on the lower side of the tertiary rectangular cross section (300) is the fourth blasting hole. Is preferably.

상기 3차 발파공(c)은 상기 3차 사각형 단면(300)의 양 측변에 각각 형성된 7번 발파공, 8번 발파공과, 상기 3차 사각형 단면(300)의 4개의 꼭지점에 각각 형성된 9번 발파공, 10번 발파공, 11번 발파공, 12번 발파공을 포함하도록 형성하고, 상기 발파단계는 상기 3차 발파공(c)을 상기 7번 발파공부터 상기 12번 발파공의 순서로 발파하는 것이 바람직하다.The third blasting hole (c) is a blasting hole 7 formed on both sides of the tertiary rectangular cross section 300, blasting hole 8 and blasting hole 9 formed at four vertices of the tertiary rectangular cross section 300, 10 blasting hole, 11 blasting hole, 12 blasting hole is formed, and the blasting step is preferably blasting the third blasting hole (c) in the order of the blasting hole from the seventh blasting hole.

상기 무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b), 3차 발파공(c)이 내부 영역에 포함되는 4차 사각형 단면(400)의 자유면이 형성되도록, 4차 발파공(d)을 천공하는 4차 발파공 형성단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.The fourth blasting hole such that the free surface of the quadrangular cross section 400 including the arming hole (A), the first blasting hole (a), the second blasting hole (b), and the third blasting hole (c) is included in the inner region. It is preferable to further include; forming a fourth blast hole to puncture (d).

상기 3차 발파공(c) 중 6개의 발파공이 상기 4차 사각형 단면(400)의 양 측변에 위치하도록 하는 것이 바람직하다.Six blast holes of the third blast holes (c) is preferably located on both side sides of the fourth rectangular cross-section (400).

상기 4차 사각형 단면(400)의 일측변에 위치하는 상기 3차 발파공(c)은 7번 발파공, 9번 발파공, 12번 발파공이고, 상기 4차 사각형 단면(400)의 타측변에 위치하는 상기 4차 발파공(d)은 8번 발파공, 10번 발파공, 11번 발파공인 것이 바람직하다.The third blasting hole (c) located at one side of the fourth quadrangular cross section 400 is a blasting hole of seven, a blasting hole of 9, and a blasting hole of 12, wherein the third blasting hole is located at the other side of the fourth rectangular cross section 400. The fourth blasting hole (d) is preferably blasting hole 8, blasting 10, blasting 11 times.

상기 4차 발파공(d)은 상기 4차 사각형 단면(400)의 상하변에 각각 형성된 13번 발파공, 14번 발파공과, 상기 4차 사각형 단면(400)의 4개의 꼭지점에 각각 형성된 15번 발파공, 16번 발파공, 17번 발파공, 18번 발파공을 포함하도록 형성하고, 상기 발파단계는 상기 4차 발파공(d)을 상기 13번 발파공부터 상기 18번 발파공의 순서로 발파하는 것이 바람직하다.The fourth blasting hole (d) is a blasting hole 13 formed on the upper and lower sides of the fourth rectangular cross-section 400, the blasting hole 14 and the blasting hole 15 formed at four vertices of the fourth rectangular cross-section 400, Formed to include 16 blasting holes, 17 blasting holes, 18 blasting holes, the blasting step is preferably blasting the fourth blasting hole (d) in the order of the blasting hole from the 13th blasting hole.

본 발명은 미진동 화약을 효과적으로 사용할 수 있도록 하여, 큰 진동의 발생을 방지하여야 하는 도심지의 지하 발파작업에 안정적으로 적용될 수 있도록 하는 터널의 발파방법을 제시한다.The present invention proposes a blasting method of the tunnel to be able to effectively use the micro-vibration gunpowder, to be stably applied to the underground blasting work in the downtown area to prevent the generation of large vibration.

도 1,2는 종래의 터널 발파방법에 관한 구성도.
도 1 이하는 본 발명의 실시예를 도시한 것으로서,
도 3은 제1 실시예의 단면도.
도 4는 제2 실시예의 단면도.
도 5는 제3 실시예의 단면도.1 and 2 are configuration diagrams related to the conventional tunnel blasting method.
Figure 1 below shows an embodiment of the present invention,
3 is a cross-sectional view of the first embodiment.
4 is a sectional view of a second embodiment;
5 is a sectional view of a third embodiment.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 이하에 도시된 바와 같이, 본 발명은 기본적으로 터널의 형성을 위하여, 막장면에 무장약공(A)과 다수의 발파공을 천공한 후, 발파공에 폭약을 장전하여 발파하는 터널의 발파방법에 관한 것으로서, 다음과 같은 공정에 의해 구성된다.As shown in Figure 3 below, the present invention is basically in the blasting method of the tunnel blasting by loading the explosives in the blasting holes after drilling the armed holes (A) and a plurality of blasting holes on the membrane surface As related, it is comprised by the following process.

막장면의 중심부에 무장약공(A)을 천공한다.Drill the armed medicine hole (A) in the center of the curtain surface.

무장약공(A)의 외측에 상기 무장약공(A)의 중심과 동일한 중심을 갖는 1차 삼각형 단면(100)의 자유면이 형성되도록, 1차 발파공(a)을 천공한다.The first blasting hole (a) is drilled so that the free surface of the primary triangular cross section 100 having the same center as the center of the armed medicine hole (A) is formed outside the armed medicine hole (A).

1차 삼각형 단면(100)이 그 중심을 기준으로 30~90°회전한 형상의 2차 삼각형 단면(200)의 자유면이 형성되도록, 2차 발파공(b)을 천공한다.The secondary blast hole (b) is punctured so that the free surface of the secondary triangular cross section 200 of the shape in which the primary triangular cross section 100 is rotated 30 to 90 degrees with respect to the center thereof is formed.

무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b)이 내부 영역에 포함되는 3차 사각형 단면(300)의 자유면이 형성되도록, 3차 발파공(c)을 천공한다.The third blast hole (c) is drilled so that the free surface of the tertiary rectangular cross section 300 included in the armed drug hole (A), the primary blast hole (a), and the secondary blast hole (b) is formed in the inner region.

1차 발파공(a), 2차 발파공(b), 3차 발파공(c)의 순서로 발파한다.Blasting is carried out in the order of the 1st blasting hole (a), the 2nd blasting hole (b), and the 3rd blasting hole (c).

종래에는, 심발공의 형태가 사각형 단면, 원형 단면 구조를 취함에 따라, 발파공 사이의 간격을 좁게 설계하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.Conventionally, as the shape of the heart hole has a rectangular cross section and a circular cross section structure, there is a problem that it is difficult to design a narrow gap between the blast holes.

본 발명에 의한 발파방법에서는, 1차 삼각형 단면(100)의 자유면이 형성되도록, 1차 발파공(a)을 천공하고, 2차 삼각형 단면(200)의 자유면이 형성되도록, 2차 발파공(b)을 천공하고, 이러한 발파공을 이용하여 발파작업을 수행하도록 한다.In the blasting method according to the present invention, the secondary blasting hole (a) is drilled so that the free surface of the primary triangular cross section 100 is formed, and the free surface of the secondary triangular cross section 200 is formed. Drill b) and use these blast holes to carry out blasting operations.

이는 Langefors의 폭약 단위중량당 강도(폭약위력) 이론에(수학식 1 참조) 입각한 것으로서 미진동 화약을 사용하면, 동일한 장약량을 사용하더라도 폭약의 위력이 약하므로, 본 발명과 같이 2개의 상하대칭구조의 삼각형 단면의 꼭지점에 발파공을 형성할 수 있어, 발파공 사이의 간격을 안정적으로 좁게 설계할 수 있다는 장점이 있다.This is based on the theory of strength per unit weight of explosives (explosive force) of Langefors (see Equation 1). When using a vibrating gunpowder, the explosive power is weak even when the same dosage is used. Blasting holes can be formed at the vertices of the triangular cross section of the structure, there is an advantage that the spacing between the blasting holes can be stably narrowed.

Figure 112012056423456-pat00001
Figure 112012056423456-pat00001

e : 에너지 계수 = A/500e: energy factor = A / 500

υ : 체적계수 = V/850υ: Volume factor = V / 850

(여기에서 V = 0℃, 1기압에서의 기체의 부피)Where V = 0 ° C and the volume of gas at 1 atmosphere

A : 작업계수 = 425Qv/1000A: Work Factor = 425Q v / 1000

Qv : 폭발열 = Kcal/Kg
Q v : Explosion Heat = Kcal / Kg

따라서 큰 진동의 발생을 방지하여야 하는 도심지의 지하 발파작업을 위하여 미진동 화약을 사용하면서도, 발파공의 간격을 좁게 하여 안정적인 발파작업이 이루어지도록 한다는 효과가 있다.Therefore, while using the micro-vibration gunpowder for underground blasting work in the city that should prevent the generation of large vibration, there is an effect that a stable blasting work is made by narrowing the interval of the blasting hole.

2차 삼각형 단면(200)의 자유면은 1차 삼각형 단면(100)이 그 중심을 기준으로 30~90°회전한 형상으로 형성됨으로써, 전체적으로 2개의 삼각형이 상하대칭구조로 결합한 형상을 취할 수 있다.The free surface of the secondary triangular cross-section 200 is formed in a shape in which the primary triangular cross-section 100 is rotated by 30 to 90 ° with respect to the center thereof, so that two triangular triangular cross sections are combined in a vertically symmetrical structure. .

예컨대, 1차 삼각형 단면(100)과 2차 삼각형 단면(200)이 정삼각형인 경우, 1차 삼각형 단면(100)을 60°회전하면 이와 상하대칭구조의 2차 삼각형 단면(200)을 형성할 수 있다.For example, when the primary triangle cross section 100 and the secondary triangle cross section 200 are equilateral triangles, the primary triangle cross section 100 may be rotated by 60 ° to form the secondary triangle cross section 200 having a vertically symmetrical structure. have.

이러한 1차 삼각형 단면(100)과 2차 삼각형 단면(200)은 서로 동일한 크기를 갖도록 할 수도 있고(도 3,4), 서로 다른 크기를 갖도록 할 수도 있다(도 5).The first triangular cross section 100 and the second triangular cross section 200 may have the same size as each other (FIGS. 3 and 4), or may have different sizes (FIG. 5).

1차 발파공(a)은 1차 삼각형 단면(100)의 3개의 꼭지점에 각각 형성된 1번 발파공, 2번 발파공, 3번 발파공을 포함하도록 형성하고, 이러한 1차 발파공(a)을 1번 발파공, 2번 발파공, 3번 발파공의 순서로 발파하는 것이 안정적인 자유면의 형성을 위하여 바람직하다.The primary blasting hole (a) is formed to include the first blasting hole, the second blasting hole, and the third blasting hole formed at three vertices of the first triangle cross section 100, and the first blasting hole (a) is the first blasting hole, Blasting in the order of 2 blasting holes, 3 blasting holes is preferable for the formation of a stable free surface.

2차 발파공(b)은 2차 삼각형 단면(200)의 3개의 꼭지점에 각각 형성된 4번 발파공, 5번 발파공, 6번 발파공을 포함하도록 형성하고, 이러한 2차 발파공(b)을 4번 발파공, 5번 발파공, 6번 발파공의 순서로 발파하는 경우, 위 효과를 더욱 안정적으로 얻을 수 있다.Secondary blasting holes (b) are formed to include four blasting holes, five blasting holes, and six blasting holes formed at three vertices of the secondary triangular cross-section 200, and the second blasting hole (b) four blasting holes, When blasting in the order of 5 blasting hole, 6 blasting hole, the above effect can be obtained more stably.

2차 발파공(b) 중 최초로 발파하는 4번 발파공은 1번 발파공과 2번 발파공의 사이 영역에 형성함으로써, 그 직전에 발파하는 1차 발파공(a) 중 3번 발파공과 먼 거리에 위치하도록 하는 것이 안정적인 자유면의 형성을 위하여 바람직하다.The first blasting hole of the second blasting hole (b) is formed in the area between the first blasting hole and the second blasting hole, so that it is located far from the blasting hole of the third blasting hole (a) immediately before it. It is preferable for the formation of a stable free surface.

5번 발파공은 1번 발파공과 3번 발파공의 사이 영역에 형성함으로써, 4번 발파공과 먼 거리에 위치하면서도, 최초로 발파된 1번 발파공과 가까운 거리에 위치하도록 하는 것이 안정적인 자유면의 형성을 위하여 바람직하다.Blasting hole 5 is formed in the area between blasting hole 1 and blasting hole 3, so that it is located at a long distance from the blasting hole 4, but located close to the blasting hole 1 first blasted for the formation of a stable free surface Do.

6번 발파공은 2번 발파공과 3번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것이 위와 같은 이유로 바람직하다.The blasting hole 6 is preferably formed in the region between the blasting hole 2 and the blasting hole 3, for the same reason as above.

무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b)의 외측에는 이들이 내부 영역에 포함되는 3차 사각형 단면(300)의 자유면이 형성되도록, 3차 발파공(c)을 천공한다.On the outside of the armed medicine hole (A), the primary blasting hole (a), the secondary blasting hole (b), the third blasting hole (c) is drilled so that the free surface of the tertiary rectangular cross section 300 included in the inner region is formed. do.

3차 사각형 단면(300)의 4변 내측에 1차 발파공(a), 2차 발파공(b)이 모두 위치하도록 할 수도 있으나, 1차 발파공(a) 중 하나와, 2차 발파공(b) 중 하나가 각각 3차 사각형 단면(300)의 상변 및 하변에 위치하도록 하는 것이 효과적인 자유면의 형성을 위하여 바람직하다.Although the primary blasting hole (a) and the secondary blasting hole (b) may be positioned inside the four sides of the third rectangular cross section 300, one of the primary blasting holes (a) and the secondary blasting holes (b) It is preferable for the formation of an effective free surface so that one is located on the upper side and the lower side of the tertiary rectangular cross section 300, respectively.

3차 사각형 단면(300)의 상변에 위치하는 1차 발파공(a)은 3번 발파공이고, 3차 사각형 단면(300)의 하변에 위치하는 2차 발파공(b)은 4번 발파공으로 적용하여, 1차 발파공(a) 및 2차 발파공(b)의 발파 중간 무렵에 3차 사각형 단면(300)의 자유면의 형성이 시작되도록 하는 것이 효과적인 자유면의 형성을 위하여 바람직하다.The primary blasting hole (a) located on the upper side of the third rectangular cross section 300 is the third blasting hole, and the secondary blasting hole (b) located on the lower side of the third rectangular cross section 300 is applied as the fourth blasting hole, It is preferable for the formation of the free surface to start the formation of the free surface of the tertiary rectangular cross section 300 at the middle of the blasting of the primary blasting hole (a) and the secondary blasting hole (b).

3차 발파공(c)은 구체적으로, 3차 사각형 단면(300)의 양 측변에 각각 형성된 7번 발파공, 8번 발파공과, 3차 사각형 단면(300)의 4개의 꼭지점에 각각 형성된 9번 발파공, 10번 발파공, 11번 발파공, 12번 발파공을 포함하도록 형성하고, 이러한 3차 발파공(c)을 7번 발파공부터 12번 발파공의 순서로 발파하는 것이 무장약공에 가까운 지점으로부터 먼 지점의 순서로 발파한다는 측면에서 바람직하다.The third blasting hole (c) is specifically, blasting hole 7 formed on both sides of the tertiary rectangular cross section 300, blasting hole 8, and blasting hole 9 formed at four vertices of the tertiary rectangular cross section 300, It is formed to include the 10 blasting hole, 11 blasting hole, 12 blasting hole, and blasting the third blasting hole (c) in the order of blasting hole 7 to 12 blasting hole in the order of points far from the point close to the armed pharmacy It is preferable in that it is.

나아가, 무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b), 3차 발파공(c)이 내부 영역에 포함되는 4차 사각형 단면(400)의 자유면이 형성되도록, 4차 발파공(d)을 천공하는 것이 안정적인 자유면의 형성을 위하여 더욱 바람직하다(도 4).Further, the fourth order such that the free surface of the quadrangular cross section 400 including the arm holes A, the first blast holes a, the second blast holes b, and the third blast holes C included in the inner region is formed. Perforating the blast hole (d) is more preferable for the formation of a stable free surface (Fig. 4).

이러한 3차 발파공(c) 중 6개의 발파공이 4차 사각형 단면(400)의 양 측변에 위치하도록 하는 것이 바람직하다.Among the third blast holes (c), six blast holes are preferably positioned at both sides of the fourth rectangular cross section 400.

구체적으로, 4차 사각형 단면(400)의 일측변에 위치하는 3차 발파공(c)은 7번 발파공, 9번 발파공, 12번 발파공이고, 4차 사각형 단면(400)의 타측변에 위치하는 4차 발파공(d)은 8번 발파공, 10번 발파공, 11번 발파공으로 적용함으로써, 3차 발파공(c)의 발파 중간 무렵에 4차 사각형 단면(400)의 자유면의 형성이 시작되도록 하는 것이 효과적인 자유면의 형성을 위하여 바람직하다.Specifically, the third blasting hole (c) located on one side of the fourth rectangular cross section 400 is a blasting hole no. 7, blasting no. 9, blasting no. 12, 4 located on the other side of the fourth rectangular cross section 400 The primary blasting hole (d) is applied to the blasting hole 8, the blasting hole 10, the blasting hole 11, it is effective to start the formation of the free surface of the fourth rectangular cross section 400 in the middle of the blasting of the third blasting hole (c) It is preferred for the formation of the free surface.

4차 발파공(d)은 4차 사각형 단면(400)의 상하변에 각각 형성된 13번 발파공, 14번 발파공과, 4차 사각형 단면(400)의 4개의 꼭지점에 각각 형성된 15번 발파공, 16번 발파공, 17번 발파공, 18번 발파공을 포함하도록 형성하고, 이러한 4차 발파공(d)을 13번 발파공부터 18번 발파공의 순서로 발파하는 것이 위와 같은 이유로 바람직하다.The fourth blasting hole (d) is a blasting hole 13, 14 blasting holes formed on the upper and lower sides of the fourth rectangular cross-section 400, and 15 blasting holes, 16 blasting holes formed at four vertices of the fourth rectangular cross section 400, respectively Formed to include 17 blasting holes, 18 blasting holes, and blasting the fourth blasting hole (d) in the order of 13 blasting holes to 18 blasting holes is preferable for the above reasons.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

A : 무장약공 B : 발파공
a : 1차 발파공 b : 2차 발파공
c : 3차 발파공 d : 4차 발파공
100 : 1차 삼각형 단면 200 : 2차 삼각형 단면
300 : 3차 사각형 단면 400 : 4차 사각형 단면A: Armed Pharmacy B: Blaster
a: 1st blast hole b: 2nd blast hole
c: 3rd blast hole d: 4th blast hole
100: 1st triangle cross section 200: 2nd triangle cross section
300: 3rd rectangular cross section 400: 4th rectangular cross section

Claims (13)

터널의 형성을 위하여, 막장면에 무장약공(A)과 다수의 발파공을 천공한 후, 상기 발파공에 폭약을 장전하여 발파하는 터널의 발파방법에 있어서,
막장면의 중심부에 무장약공(A)을 천공하는 무장약공 형성단계;
상기 무장약공(A)의 외측에 상기 무장약공(A)의 중심과 동일한 중심을 갖는 1차 삼각형 단면(100)의 자유면이 형성되도록, 1차 발파공(a)을 천공하는 1차 발파공 형성단계;
상기 1차 삼각형 단면(100)이 그 중심을 기준으로 30~90°회전한 형상의 2차 삼각형 단면(200)의 자유면이 형성되도록, 2차 발파공(b)을 천공하는 2차 발파공 형성단계;
상기 무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b)이 내부 영역에 포함되는 3차 사각형 단면(300)의 자유면이 형성되도록, 3차 발파공(c)을 천공하는 3차 발파공 형성단계;
상기 1차 발파공(a), 상기 2차 발파공(b), 상기 3차 발파공(c)의 순서로 발파하는 발파단계;를
포함하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.In the tunnel blasting method for drilling the armed holes (A) and a plurality of blasting holes on the membrane surface, and then loaded with the explosives in the blasting holes,
Arming drug formation step of drilling the armed medicine hole (A) in the center of the film surface;
A primary blasting hole forming step of drilling the primary blasting hole (a) so that the free surface of the primary triangular cross section 100 having the same center as the center of the armed medicine hole (A) is formed on the outside of the armed medicine hole (A) ;
The secondary blast hole forming step of drilling the secondary blast hole (b) so that the free surface of the secondary triangular cross section 200 of the shape of the primary triangular cross section 100 is rotated 30 ~ 90 ° with respect to the center ;
3 which drills the tertiary blast hole (c) so that the free surface of the tertiary rectangular cross section 300 is included in the armed medicine hole (A), the primary blast hole (a), the secondary blast hole (b) is included in the inner region Forming a blast hole;
Blasting step of blasting in the order of the first blasting hole (a), the second blasting hole (b), the third blasting hole (c);
Tunnel blasting method comprising a. 제1항에 있어서,
상기 1차 발파공(a)은 상기 1차 삼각형 단면(100)의 3개의 꼭지점에 각각 형성된 1번 발파공, 2번 발파공, 3번 발파공을 포함하도록 형성하고,
상기 발파단계는 상기 1차 발파공(a)을 상기 1번 발파공, 2번 발파공, 3번 발파공의 순서로 발파하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 1,
The first blasting hole (a) is formed to include the first blasting hole, the second blasting hole, the third blasting hole formed at three vertices of the first triangle cross-section 100,
The blasting step is a blasting method of the tunnel, characterized in that for blasting the first blasting hole (a) in the order of the first blasting hole, the second blasting hole, the third blasting hole. 제2항에 있어서,
상기 2차 발파공(b)은 상기 2차 삼각형 단면(200)의 3개의 꼭지점에 각각 형성된 4번 발파공, 5번 발파공, 6번 발파공을 포함하도록 형성하고,
상기 발파단계는 상기 2차 발파공(b)을 상기 4번 발파공, 5번 발파공, 6번 발파공의 순서로 발파하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 2,
The secondary blasting hole (b) is formed to include four blasting holes, five blasting holes, six blasting holes formed at three vertices of the secondary triangular cross section 200,
The blasting step is a blasting method of the tunnel, characterized in that for blasting the second blasting hole (b) in the order of the 4 blasting hole, 5 blasting hole, 6 blasting hole. 제3항에 있어서,
상기 4번 발파공은 상기 1번 발파공과 2번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 3,
The fourth blasting hole is a blasting method of the tunnel, characterized in that formed in the area between the first blasting hole and the second blasting hole. 제4항에 있어서,
상기 5번 발파공은 상기 1번 발파공과 3번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.5. The method of claim 4,
The 5 blasting hole is a blasting method of the tunnel, characterized in that formed in the area between the blasting hole 1 and the blasting hole 3. 제5항에 있어서,
상기 6번 발파공은 상기 2번 발파공과 3번 발파공의 사이 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 5,
And the blasting hole 6 is formed in a region between the blasting hole 2 and the blasting hole 3. 제3항에 있어서,
상기 1차 발파공(a) 중 하나와, 2차 발파공(b) 중 하나가 각각 상기 3차 사각형 단면(300)의 상변 및 하변에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 3,
One of the primary blasting hole (a) and one of the secondary blasting hole (b) are respectively blasting method of the tunnel, characterized in that located on the upper side and the lower side of the third rectangular cross-section (300). 제7항에 있어서,
상기 3차 사각형 단면(300)의 상변에 위치하는 상기 1차 발파공(a)은 3번 발파공이고, 상기 3차 사각형 단면(300)의 하변에 위치하는 상기 2차 발파공(b)은 4번 발파공인 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 7, wherein
The primary blasting hole (a) located on the upper side of the tertiary rectangular cross section 300 is the third blasting hole, and the secondary blasting hole (b) located on the lower side of the tertiary rectangular cross section (300) is the fourth blasting hole. The blasting method of the tunnel, characterized in that. 제8항에 있어서,
상기 3차 발파공(c)은 상기 3차 사각형 단면(300)의 양 측변에 각각 형성된 7번 발파공, 8번 발파공과, 상기 3차 사각형 단면(300)의 4개의 꼭지점에 각각 형성된 9번 발파공, 10번 발파공, 11번 발파공, 12번 발파공을 포함하도록 형성하고,
상기 발파단계는 상기 3차 발파공(c)을 상기 7번 발파공부터 상기 12번 발파공의 순서로 발파하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.9. The method of claim 8,
The third blasting hole (c) is a blasting hole 7 formed on both sides of the tertiary rectangular cross section 300, blasting hole 8 and blasting hole 9 formed at four vertices of the tertiary rectangular cross section 300, Form to include 10 blast holes, 11 blast holes, 12 blast holes,
The blasting step is a blasting method of the tunnel, characterized in that for blasting the third blasting hole (c) in the order of the blasting hole from the seventh blasting hole. 제9항에 있어서,
상기 무장약공(A), 1차 발파공(a), 2차 발파공(b), 3차 발파공(c)이 내부 영역에 포함되는 4차 사각형 단면(400)의 자유면이 형성되도록, 4차 발파공(d)을 천공하는 4차 발파공 형성단계;를
더 포함하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.10. The method of claim 9,
The fourth blasting hole such that the free surface of the quadrangular cross section 400 including the arming hole (A), the first blasting hole (a), the second blasting hole (b), and the third blasting hole (c) is included in the inner region. (d) forming a fourth blast hole to puncture;
The blasting method of the tunnel, characterized in that it further comprises. 제10항에 있어서,
상기 3차 발파공(c) 중 6개의 발파공이 상기 4차 사각형 단면(400)의 양 측변에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 10,
The blasting method of the tunnel, characterized in that the six blasting holes of the third blasting holes (c) are located on both sides of the fourth rectangular cross section (400). 제11항에 있어서,
상기 4차 사각형 단면(400)의 일측변에 위치하는 상기 3차 발파공(c)은 7번 발파공, 9번 발파공, 12번 발파공이고, 상기 4차 사각형 단면(400)의 타측변에 위치하는 상기 4차 발파공(d)은 8번 발파공, 10번 발파공, 11번 발파공인 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 11,
The third blasting hole (c) located at one side of the fourth quadrangular cross section 400 is a blasting hole of seven, a blasting hole of 9, and a blasting hole of 12, wherein the third blasting hole is located at the other side of the fourth rectangular cross section 400 The fourth blasting hole (d) is a blasting method of the tunnel, characterized in that the 8 blasting hole, 10 blasting hole, 11 blasting hole. 제12항에 있어서,
상기 4차 발파공(d)은 상기 4차 사각형 단면(400)의 상하변에 각각 형성된 13번 발파공, 14번 발파공과, 상기 4차 사각형 단면(400)의 4개의 꼭지점에 각각 형성된 15번 발파공, 16번 발파공, 17번 발파공, 18번 발파공을 포함하도록 형성하고,
상기 발파단계는 상기 4차 발파공(d)을 상기 13번 발파공부터 상기 18번 발파공의 순서로 발파하는 것을 특징으로 하는 터널의 발파방법.The method of claim 12,
The fourth blasting hole (d) is blasting holes 13, 14 blasting holes formed on the upper and lower sides of the fourth rectangular cross section 400, and 15 blasting holes formed at four vertices of the fourth rectangular cross section 400, Formed to include 16 blast holes, 17 blast holes, 18 blast holes,
The blasting step is a blasting method of the tunnel, characterized in that for blasting the fourth blasting hole (d) in the order of the blasting hole from the 13th blasting hole.
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