KR101195062B1 - Light emitting diode package - Google Patents

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KR101195062B1 KR1020100131145A KR20100131145A KR101195062B1 KR 101195062 B1 KR101195062 B1 KR 101195062B1 KR 1020100131145 A KR1020100131145 A KR 1020100131145A KR 20100131145 A KR20100131145 A KR 20100131145A KR 101195062 B1 KR101195062 B1 KR 101195062B1
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Abstract

본 발명은 세라믹 기판을 이용한 발광 다이오드 패키지에서 열 방출용 금속 코어부와 세라믹 기판부 사이에 열충격 방지용 버퍼를 형성하여 금속 코어부의 열팽창에 의한 충격을 완충시켜 세라믹 기판부의 파손을 방지한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 상부 세라믹 기판부의 하부로 상부 전극과 하부 세라믹 기판부와 하부 전극이 설치되고, 상기 하부 세라믹 기판부의 중앙에는 열방출용 금속 코어부가 형성되며, 상기 금속 코어부의 상면에는 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩이 실장된 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 하부 세라믹 기판부와 금속 코어부 사이에 형성되어 상기 금속 코어부와 상기 하부 세라믹 기판부 사이에 열전달 특성을 개선하고 상기 금속 코어부의 열팽창으로 인한 충격이 상기 하부 세라믹 기판부에 전달되는 것을 방지하도록 완충 공간을 형성하는 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a light emitting diode package in which a thermal shock prevention buffer is formed between a heat dissipation metal core portion and a ceramic substrate portion in a light emitting diode package using a ceramic substrate to buffer a shock caused by thermal expansion of the metal core portion to prevent breakage of the ceramic substrate portion. It aims to provide. According to the present invention, an upper electrode, a lower ceramic substrate part, and a lower electrode are disposed below the upper ceramic substrate part, and a heat dissipation metal core part is formed in the center of the lower ceramic substrate part, and light is emitted on the upper surface of the metal core part. A light emitting diode package in which a diode chip is mounted, the light emitting diode package is formed between the lower ceramic substrate portion and the metal core portion to improve heat transfer characteristics between the metal core portion and the lower ceramic substrate portion, and the impact due to thermal expansion of the metal core portion is improved. It characterized in that it comprises a buffer for forming a buffer space to prevent the transfer to the lower ceramic substrate portion.

Description

발광 다이오드 패키지 {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE} Light Emitting Diodes Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 세라믹 기판을 이용한 발광 다이오드 패키지에서 열 방출용 금속 코어부와 세라믹 기판부 사이에 열충격 방지용 버퍼를 형성하여 금속 코어부의 열팽창에 의한 충격을 완충시켜 세라믹 기판부의 파손을 방지한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, in a light emitting diode package using a ceramic substrate, a buffer for preventing thermal shock is formed between a heat dissipation metal core portion and a ceramic substrate portion to cushion shock caused by thermal expansion of the metal core portion. The present invention relates to a light emitting diode package which prevents damage to a ceramic substrate.

발광 다이오드(light emission diode)는 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자이이고, 이러한 발광 다이오드는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료를 변경하여 발광원을 구성하며, 이와 같은 반도체 소자는 전자부품에 패키지형태로 많이 채택되고 있다. A light emitting diode is a semiconductor device capable of realizing various colors, and the light emitting diode changes a compound semiconductor material such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP to form a light emitting source. The same semiconductor device is widely adopted in the form of a package in electronic components.

일반적으로, 발광 다이오드 소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등이 있고, 이러한 발광 다이오드 소자의 특성은 1차적으로는 발광 다이오드 소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되며, 2차적으로는 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.In general, the criteria for determining the characteristics of a light emitting diode device include a range of color, brightness, and luminance intensity. The characteristics of the light emitting diode device are primarily determined by the compound semiconductor material used in the light emitting diode device. Secondly, it is also greatly influenced by the structure of the package for mounting the chip.

최근 들어서, 발광 다이오드 패키지는 그 활용 범위가 확대되어 점차적으로 고휘도 및 고출력을 요구하게 있으며, 이로 인해 발광 다이오드 패키지에서 소비되는 전력도 상승하고 있다. In recent years, the light emitting diode package has a wide range of application, and gradually requires high brightness and high power, thereby increasing power consumed by the light emitting diode package.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 2는 그 발광 다이오드의 구조를 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting diode package according to the prior art, Figure 2 is a perspective view showing the structure of the light emitting diode.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지는 하부 세라믹 기판부(10)와 상부에 반사층(21)을 형성한 상부 세라믹 기판부(20)가 순차적으로 적층되고, 하부 세라믹 기판부(10)의 상부에는 상부 전극(30)이 형성되며 상기 하부 세라믹 기판(10)의 하부에는 하부 전극(31)이 형성되어 측면에 설치된 전극 연결부(32)를 통해 전기적으로 연결된다.1 and 2, in the LED package, the lower ceramic substrate portion 10 and the upper ceramic substrate portion 20 having the reflective layer 21 formed thereon are sequentially stacked, and the lower ceramic substrate portion ( An upper electrode 30 is formed at an upper portion of the 10, and a lower electrode 31 is formed at a lower portion of the lower ceramic substrate 10 to be electrically connected to each other through an electrode connection part 32 disposed at a side surface thereof.

또한, 상기 하부 세라믹 기판부(10)의 중앙에는 빛을 발광하는 발광 다이어드 칩(40)에서 발생된 열이 방출되도록 금속 코어부(50)가 설치되고, 상기 금속 코어부(50)의 상면에는 상기 발광 다이오드 칩(40)이 Ag 에폭시 등을 통해 고정된다.In addition, a metal core 50 is disposed in the center of the lower ceramic substrate 10 so that heat generated from the light emitting diamond chip 40 emitting light may be disposed on the upper surface of the metal core 50. The light emitting diode chip 40 is fixed through Ag epoxy or the like.

또한, 상기 금속 코어부(50)의 저면은 방열판(60)이 밀착되어 상기 발광 다이오드 칩(40)에서 발생한 열이 금속 코어부(50)를 통해 전도됨과 동시에 방열판(60)을 통해 효과적으로 방출되도록 한다.In addition, the bottom surface of the metal core part 50 is in close contact with the heat sink 60 so that the heat generated from the light emitting diode chip 40 is conducted through the metal core part 50 and is effectively discharged through the heat sink 60. do.

한편, 상기한 발광 다이오드 칩(40)의 전력 소비 증가로 발생한 열을 효과적으로 방출하고, 이러한 열 저항을 낮추기 위한 방법으로는 패키지 재료의 열 전도도를 향상시키는 것이 있다.On the other hand, a method for effectively dissipating heat generated by the increased power consumption of the LED chip 40 and lowering the thermal resistance is to improve the thermal conductivity of the package material.

종래에는 기판의 재료가 Al2O3(열전도도 ~20W/mK) 등을 사용하였으나, 패키지 재료의 열 전도도를 향상시키기 위해 세라믹 기판부(10 및 20)의 재료를 열전도도와 강도가 우수한 AlN과 같은 재료로 대체하고 있으나 AlN으로 제조된 기판은 가격이 매우 고가인 문제점이 있다.Conventionally, Al 2 O 3 (thermal conductivity ˜20 W / mK) or the like is used as the material of the substrate. However, in order to improve the thermal conductivity of the package material, the material of the ceramic substrate portions 10 and 20 may be made of a material such as AlN having excellent thermal conductivity and strength. Substituted, but the substrate made of AlN has a problem that the price is very expensive.

또한, 열방출용 금속 코어부(50)가 설치된 발광 다이오드 패키지는 제조과정에서 금속 코어부(50)와 세라믹 기판부(10) 사이의 열팽창 계수 차이로 인해 세라믹 기판부(10)에 크랙(Crack)이 발생하는 문제점이 있다.In addition, the LED package having the heat dissipation metal core part 50 installed therein is cracked in the ceramic substrate part 10 due to a difference in thermal expansion coefficient between the metal core part 50 and the ceramic substrate part 10 during the manufacturing process. ) Is a problem that occurs.

즉 금속 코어부(50)를 세라믹 기판부(10)에 체결하여 동시 소성하거나 또는 세라믹 기판부(10)를 소성한 후 금속 코어부(50)를 결합하는 과정에서 공급되는 열에 의해 상기 금속 코어부(50)가 열팽창한 충격이 세라믹 기판부(10)에 가해져 미세 크랙이 발생하는 문제점이 있다.That is, the metal core part is formed by heat supplied in the process of fastening the metal core part 50 to the ceramic substrate part 10 and co-firing the metal core part 50, or after bonding the metal core part 50. Impact of thermal expansion 50 is applied to the ceramic substrate portion 10, there is a problem that a fine crack occurs.

또한, 상기 세라믹 기판부(10)에 크랙이 발생되면 열 저항이 높아져 발광 다이오드 패키지 전체의 열 저항이 증가하는 문제점이 있고, 이로 인한 휘도 저하가 발생하여 신뢰도가 감소하는 문제점이 있다.In addition, when a crack occurs in the ceramic substrate 10, the thermal resistance is increased to increase the thermal resistance of the entire LED package, and thus, a decrease in luminance occurs, thereby reducing reliability.

또한, 상기 세라믹 기판부(10)에 크랙이 발생되면 세라믹 기판부(10)와 금속 코어부(50) 사이에 공기층이 형성되어 고온 다습한 환경에서의 습기 침투에 따른 반사층(21)의 Ag 도금면이 변색되어 광속 저하가 발생하는 문제점이 있고, 이로 인한 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
In addition, when a crack occurs in the ceramic substrate part 10, an air layer is formed between the ceramic substrate part 10 and the metal core part 50 to cause Ag plating of the reflective layer 21 due to moisture infiltration in a high temperature and high humidity environment. There is a problem in that the surface is discolored and the luminous flux is lowered, thereby lowering the reliability of the LED package.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 세라믹 기판을 이용한 발광 다이오드 패키지에서 열방출용 금속 코어부와 세라믹 기판부 사이에 열충격 방지용 버퍼를 형성하여 금속 코어부의 열팽창에 의한 충격을 완화시켜 세라믹 기판부의 파손을 방지한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
In order to solve this problem, the present invention forms a buffer for thermal shock between the heat-dissipating metal core portion and the ceramic substrate portion in the light emitting diode package using the ceramic substrate to alleviate the impact of thermal expansion of the metal core portion to break the ceramic substrate portion An object of the present invention is to provide a light emitting diode package which is prevented.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 상부 세라믹 기판부의 하부로 상부 전극과 하부 세라믹 기판부와 하부 전극이 설치되고, 상기 하부 세라믹 기판부의 중앙에 형성된 관통공에는 열방출용 금속 코어부가 형성되며, 상기 금속 코어부의 상면에는 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩이 실장된 발광 다이오드 패키지에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides an upper electrode, a lower ceramic substrate portion, and a lower electrode under the upper ceramic substrate portion, and a heat dissipation metal core portion is formed in the through hole formed in the center of the lower ceramic substrate portion. In the light emitting diode package is mounted a light emitting diode chip for emitting light on the upper surface of the metal core,

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하부 세라믹 기판부의 관통공 내측면에 Ag 또는 Cu 중 어느 하나로 도금되는 제 1 버퍼와, 금속 코어부의 외부면에 Ag 또는 Cu 중 어느 하나로 도금되는 제 2 버퍼를 형성하여 상기 하부 세라믹 기판부와 금속 코어부 사이에 금속 결합구조가 형성된 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
A first buffer plated with Ag or Cu on the inner surface of the lower ceramic substrate portion and a second buffer plated with Ag or Cu on the outer surface of the metal core portion to form the second ceramic plate portion and the metal core. It characterized in that it comprises a buffer unit formed with a metal bonding structure between the portions.

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본 발명은 세라믹 기판을 이용한 발광 다이오드 패키지에서 열충격 방지용 버퍼를 형성하여 금속 코어부의 열팽창에 의한 충격을 완충시켜 발광 다이오드 패키지의 제조시 세라믹 기판부의 파손을 방지할 수 있는 장점이 있다.The present invention has the advantage of preventing the breakage of the ceramic substrate in the manufacture of the LED package by buffering the impact of thermal expansion by forming a thermal shock prevention buffer in the LED package using the ceramic substrate.

또한, 본 발명은 열충격 방지용 버퍼를 통해 제조과정에서 발생되는 세라믹 기판부의 파손을 방지하여 발광 다이오드 패키지의 수명 저하 방지와 높은 휘도를 유지할 수 있어 신뢰도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage of preventing the breakage of the ceramic substrate portion generated in the manufacturing process through the thermal shock protection buffer to prevent the degradation of the life of the light emitting diode package and maintain high luminance, thereby improving reliability.

또한, 본 발명은 금속 코어부와 세라믹 기판부 사이에 형성한 버퍼를 통해 금속 코어부와 세라믹 기판부의 접착력을 개선할 수 있는 장점이 있다.
In addition, the present invention has an advantage of improving the adhesion between the metal core portion and the ceramic substrate portion through a buffer formed between the metal core portion and the ceramic substrate portion.

도 1 은 일반적인 종래의 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 2 는 도 1에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 사시도.
도 3 은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제 1 실시예 구조를 나타낸 단면도.
도 4 는 도 3에 따른 발광 다이오드 패키지의 하부 세라믹 기판부 일부를 나타낸 평면도.
도 5 는 도 3에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 사시도.
도 6 은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제 2 실시예 구조를 나타낸 단면도.
도 7 은 도 6에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 사시도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional conventional LED package.
2 is a perspective view showing the structure of the LED package according to FIG.
3 is a cross-sectional view showing the structure of a first embodiment of a light emitting diode package according to the present invention;
4 is a plan view illustrating a portion of a lower ceramic substrate of the light emitting diode package according to FIG. 3.
5 is a perspective view showing the structure of the LED package according to FIG.
Figure 6 is a cross-sectional view showing the structure of a second embodiment of the LED package according to the present invention.
7 is a perspective view showing the structure of the LED package according to FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of a light emitting diode package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

(제 1 실시예)(Embodiment 1)

도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제 1 실시예 구조를 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3에 따른 발광 다이오드 패키지의 하부 세라믹 기판부 일부를 나타낸 평면도이며, 도 5는 도 3에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 사시도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a first embodiment of a light emitting diode package according to the present invention, FIG. 4 is a plan view showing a part of a lower ceramic substrate portion of the light emitting diode package according to FIG. 3, and FIG. 5 is light emitting according to FIG. 3. A perspective view showing the structure of a diode package.

도 3 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하부 세라믹 기판부(100)와, 상부에 반사층(210)을 형성한 상부 세라믹 기판부(200)와, 하부 세라믹 기판부(100)의 상부에 설치된 상부 전극(300)과, 하부 세라믹 기판부(100)의 하부에 설치된 하부 전극(310)과, 하부 세라믹 기판부(100)의 측면에 설치되어 상기 상부 전극(300) 및 하부 전극(310)을 전기적으로 연결하는 전극 연결부(320)와, 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩(400)과, 상기 발광 다이오드 칩(400)에서 발생하는 열이 방출되도록 하는 금속 코어부(500)와, 상기 금속 코어부(500)와 하부 세라믹 기판부(100) 사이에 형성된 버퍼부(700)를 포함하여 구성된다.3 to 5, the light emitting diode package according to the present invention includes a lower ceramic substrate portion 100, an upper ceramic substrate portion 200 having a reflective layer 210 formed thereon, and a lower ceramic substrate portion ( The upper electrode 300 provided on the upper portion of the upper portion, the lower electrode 310 provided on the lower portion of the lower ceramic substrate portion 100, and the upper electrode 300 disposed on the side of the lower ceramic substrate portion 100. An electrode connector 320 electrically connecting the lower electrode 310, a light emitting diode chip 400 emitting light, and a metal core part 500 emitting heat generated from the light emitting diode chip 400. And a buffer part 700 formed between the metal core part 500 and the lower ceramic substrate part 100.

상기 하부 세라믹 기판부(100)는 발광 다이오드 칩(400)을 실장 할 수 있는 기판이면 되고, Al2O3(알루미나) 또는 AlN(질화 알루미늄) 등이 상기 하부 세라믹 기판(100)의 재질이 될 수 있다. The lower ceramic substrate 100 may be a substrate on which the LED chip 400 may be mounted, and Al 2 O 3 (alumina) or AlN (aluminum nitride) may be a material of the lower ceramic substrate 100.

또한, 상기 하부 세라믹 기판부(100)는 다수개의 세라믹 시트가 적층되어 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the lower ceramic substrate 100 may be formed by stacking a plurality of ceramic sheets.

또한, 상기 하부 세라믹 기판부(100)는 그 중앙부에 하부 세라믹 기판(100)을 관통하여 상기 금속 코어부(500)가 삽입되는 관통공(110)이 형성된다.In addition, the lower ceramic substrate part 100 has a through hole 110 through which the metal core part 500 is inserted through the lower ceramic substrate 100 at a central portion thereof.

상기 상부 세라믹 기판부(200)는 하부 세라믹 기판부(100)와 동일한 재질로 구성되고, 발광 다이오드 칩(400)을 둘러싸도록 캐비티가 형성되며, 상면에는 발광 다이오드 칩(400)으로부터 발광된 빛 중에서 측면으로 확산되는 빛이 반사되도록 반사층(210)이 설치된다.The upper ceramic substrate portion 200 is made of the same material as the lower ceramic substrate portion 100, the cavity is formed to surround the light emitting diode chip 400, the upper surface of the light emitted from the light emitting diode chip 400 The reflective layer 210 is installed to reflect the light diffused to the side.

또한, 상기 하부 세라믹 기판부(100)는 상면과 하면에 각각 상부 전극(300)과 하부 전극(310)이 설치되고, 상부 전극(300)은 발광 다이오드 칩(400)과 와이어(미도시)를 통해 전기적으로 연결된다.In addition, the lower ceramic substrate unit 100 has upper and lower electrodes 310 and 310 disposed on upper and lower surfaces, respectively, and the upper electrode 300 includes a light emitting diode chip 400 and a wire (not shown). Is electrically connected through.

또한, 상기 하부 세라믹 기판부(100)의 측면에는 전극 연결부(320)가 형성되어 상부 전극(300)과 하부 전극(310)이 전기적으로 연결되도록 한다.In addition, an electrode connection part 320 is formed on a side surface of the lower ceramic substrate part 100 so that the upper electrode 300 and the lower electrode 310 are electrically connected to each other.

상기 금속 코어부(500)는 열 전도성이 우수한 금속 또는 합금으로 이루어지고, 예를 들면, Cu 또는 Al 등의 전도성 재질로 구성되며, 원기둥 형태로 형성된다.The metal core part 500 is made of a metal or an alloy having excellent thermal conductivity, for example, is made of a conductive material such as Cu or Al, and is formed in a cylindrical shape.

또한, 상기 금속 코어부(500)의 상면에는 발광 다이오드 칩(40)과 Ag 에폭시 등을 통해 고정되어 상기 발광 다이오드 칩에서 발생된 열이 상기 금속 코어부(500)를 통해 외부로 방출되도록 한다.In addition, the upper surface of the metal core 500 is fixed through the light emitting diode chip 40 and Ag epoxy so that heat generated from the light emitting diode chip is discharged to the outside through the metal core 500.

또한, 상기 금속 코어부(500)의 하면에는 하부 세라믹 기판부(100)의 저면 일부와 밀착된 방열판(600)이 밀착되어 상기 금속 코어부(500)로부터 전달되는 열을 더욱 효과적으로 방출되도록 한다.In addition, the bottom surface of the metal core part 500 is in close contact with the heat sink 600 in close contact with the bottom surface of the lower ceramic substrate part 100 to more effectively discharge the heat transferred from the metal core part 500.

상기 버퍼부(700)는 하부 세라믹 기판부(100)의 관통공(110)과 금속 코어부(600) 사이에 설치되어 상기 금속 코어부(600)의 열팽창으로 인한 열충격이 상기 하부 세라믹 기판부(100)에 가해져 크랙(Crack) 등의 파손이 발생되는 것을 방지한다.The buffer part 700 is installed between the through hole 110 of the lower ceramic substrate part 100 and the metal core part 600 such that thermal shock due to thermal expansion of the metal core part 600 is lower than the lower ceramic substrate part ( 100) to prevent cracking or the like from occurring.

즉 상기 버퍼부(700)는 발광 다이오드 패키지의 제조시에 금속 코어부(500)를 하부 세라믹 기판부(100)의 관통공(110)에 설치한 후 동시 소성하거나 또는 하부 세라믹 기판부(100)를 소성한 후 금속 코어부(500)를 결합하는 과정에서 열팽창 계수가 낮은 하부 세라믹 기판부(100)와 열팽창 계수가 높은 금속 코어부(500) 사이의 열팽창 계수차로 인하여 상기 금속 코어부(500)의 열팽창으로 인한 충격이 상기 하부 세라믹 기판부(100)에 가해지는 것을 완충시키거나 또는 방지한다.That is, the buffer part 700 is installed in the through hole 110 of the lower ceramic substrate part 100 at the time of manufacturing the light emitting diode package and then simultaneously baked or lower ceramic substrate part 100. In the process of bonding the metal core portion 500 after firing the metal core portion 500 due to the thermal expansion coefficient difference between the lower ceramic substrate portion 100 having a low thermal expansion coefficient and the metal core portion 500 having a high thermal expansion coefficient Shock or shock caused by thermal expansion of the lower ceramic substrate portion 100 is buffered or prevented.

상기 버퍼부(700)는 다이아몬드, AlN, SiC 및 BeO 중 선택된 어느 하나의 재료와 실리콘(Si)을 혼합한 고방열재가 충진되고, 이러한 물질들은 예시적인 것 일뿐 다양한 고방열 재료들이 사용될 수 있을 것이다.The buffer unit 700 is filled with a high heat radiation material mixed with silicon (Si) and any one material selected from diamond, AlN, SiC, and BeO, these materials are only illustrative and various high heat radiation materials may be used. .

따라서 상기 버퍼부(700)는 패키지의 제조시 금속 코어부(500)의 열팽창으로 인한 충격이 하부 세라믹 기판부(100)에 전달되는 것을 완충 또는 방지하여 하부 세라믹 기판부(100)의 크랙 발생을 차단할 수 있다.
Accordingly, the buffer part 700 buffers or prevents the shock due to thermal expansion of the metal core part 500 from being transmitted to the lower ceramic substrate part 100 when the package is manufactured to prevent cracking of the lower ceramic substrate part 100. You can block.

(제 2 실시예)(Second Embodiment)

도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제 2 실시예 구조를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 사시도이다.6 is a cross-sectional view showing the structure of a second embodiment of the LED package according to the present invention, Figure 7 is a perspective view showing the structure of the LED package according to FIG.

도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제 2 실시예는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하부 세라믹 기판부(100)와, 상부에 반사층(210)을 형성한 상부 세라믹 기판부(200)와, 하부 세라믹 기판부(100)의 상부에 설치된 상부 전극(300)과, 하부 세라믹 기판부(100)의 하부에 설치된 하부 전극(310)과, 하부 세라믹 기판부(100)의 측면에 설치되어 상기 상부 전극(300) 및 하부 전극(310)을 전기적으로 연결하는 전극 연결부(320)와, 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩(400)과, 상기 발광 다이오드 칩(400)에서 발생하는 열이 방출되도록 하는 금속 코어부(500)와, 상기 금속 코어부(500)와 하부 세라믹 기판부(100) 사이에 형성된 버퍼부(800)를 포함하여 구성된다.6 and 7, according to the second embodiment of the LED package according to the present invention, the LED package according to the present invention includes a lower ceramic substrate portion 100 and an upper portion in which a reflective layer 210 is formed. The ceramic substrate part 200, the upper electrode 300 provided on the lower ceramic substrate part 100, the lower electrode 310 provided on the lower ceramic substrate part 100, and the lower ceramic substrate part 100. Installed on the side of the electrode electrode 320 to electrically connect the upper electrode 300 and the lower electrode 310, the light emitting diode chip 400 for emitting light, and the light emitting diode chip 400 It includes a metal core 500 for dissipating the generated heat, and a buffer 800 formed between the metal core 500 and the lower ceramic substrate 100.

상기 도 6 및 도 7에 설명하는 제 2 실시예에서 상부 세라믹 기판부(200), 상부 및 하부 전극(300 및 310), 전극 연결부(320), 발광 다이오드 칩(400), 방열판(600)은 제 1 실시예의 구성과 동일한 구성 및 기능을 가지는 것이므로 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.In the second embodiment described with reference to FIGS. 6 and 7, the upper ceramic substrate 200, the upper and lower electrodes 300 and 310, the electrode connecting part 320, the light emitting diode chip 400, and the heat sink 600 are provided. Since it has the same configuration and function as the configuration of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

제 1 실시예와 제 2 실시예의 차이점은 하부 세라믹 기판부(100)와 금속 코어부(500) 사이에 금속재를 이용하여 완충 공간을 형성할 수 있도록 제 1 버퍼(810)와 제 2 버퍼(820)를 갖는 버퍼부(800)의 구성에 차이점이 있다.The difference between the first embodiment and the second embodiment is that the first buffer 810 and the second buffer 820 to form a buffer space using a metal material between the lower ceramic substrate portion 100 and the metal core portion 500. There is a difference in the configuration of the buffer unit 800 having a).

즉 제 1 실시예에 따른 버퍼부(700, 도 3 참조)는 하부 세라믹 기판부(100)와 금속 코어부(500) 사이에 고방열재가 충진되어 완충 공간이 형성되도록 하고, 제 2 실시예에 따른 버퍼부(800)는 하부 세라믹 기판부(100)와 금속 코어부(500) 사이에 금속재에 의한 완충 공간이 형성되도록 한다.That is, the buffer unit 700 according to the first embodiment (see FIG. 3) fills a high heat dissipation material between the lower ceramic substrate unit 100 and the metal core unit 500 to form a buffer space. The buffer part 800 allows a buffer space formed by a metal material to be formed between the lower ceramic substrate part 100 and the metal core part 500.

상기 버퍼부(800)는 하부 세라믹 기판부(100)의 관통공(110) 내측면에 형성되는 제 1 버퍼(810)와 금속 코어부(500)의 외부면(510)에 형성되는 제 2 버퍼(820)로 이루어진다.The buffer unit 800 is a first buffer 810 formed in the inner surface of the through hole 110 of the lower ceramic substrate 100 and a second buffer formed in the outer surface 510 of the metal core 500. 820.

상기 제 1 및 제 2 버퍼(810 및 820)는 열전도성이 우수한 Ag 또는 Cu 중 어느 하나를 포함한 금속재로 구성되고, 상기 제 1 버퍼(810)와 제 2 버퍼(820)는 전기도금을 통해 각각 하부 세라믹 기판부(100)의 관통공 내측면(110)과 금속 코어부(500)의 외부면(510)에 형성된다.The first and second buffers 810 and 820 are made of a metal material including any one of Ag or Cu having excellent thermal conductivity, and the first buffer 810 and the second buffer 820 are each electroplated. It is formed on the inner surface 110 of the through hole of the lower ceramic substrate 100 and the outer surface 510 of the metal core 500.

즉 하부 세라믹 기판부(100)의 소결을 완료한 후 레이저 가공법 등을 통해 관통공(110)을 형성한 후 상기 형성된 관통공(110)의 내측면에 전기 도금을 통한 제 1 버퍼(810)가 형성되도록 하고, 금속 코어부(500)의 외부면(510)에 전기 도금을 통한 제 2 버퍼(820)가 형성되도록 한다. That is, after the sintering of the lower ceramic substrate part 100 is completed, the through hole 110 is formed through a laser processing method, and then the first buffer 810 is formed on the inner surface of the formed through hole 110 by electroplating. The second buffer 820 is formed on the outer surface 510 of the metal core 500 by electroplating.

따라서 상기 버퍼부(800)는 발광 다이오드 패키지의 제조시 하부 세라믹 기판부(100)의 관통공(110)에 삽입 설치된 금속 코어부(500)가 열팽창하면 그에 따른 충격이 완화되도록 하여 하부 세라믹 기판부(100)의 크랙 발생을 방지할 수 있도록 한다.
Accordingly, the buffer part 800 may be configured to lower the impact of the metal core part 500 inserted into the through hole 110 of the lower ceramic substrate part 100 when the LED package is manufactured. It is possible to prevent the generation of cracks (100).

상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It can be understood that

100 : 하부 세라믹 기판부 110 : 관통공
200 : 상부 세라믹 기판부 210 : 반사층
300 : 상부 전극 310 : 하부 전극
320 : 전극 연결부 400 : 발광 다이오드 칩
500 : 금속 코어부 510 : 금속 코어부 외경
600 : 방열판 700 : 버퍼부
800 : 버퍼부 810 : 제 1 버퍼
820 : 제 2 버퍼100: lower ceramic substrate portion 110: through hole
200: upper ceramic substrate portion 210: reflective layer
300: upper electrode 310: lower electrode
320: electrode connection 400: light emitting diode chip
500: metal core portion 510: metal core portion outer diameter
600: heat sink 700: buffer unit
800: buffer unit 810: first buffer
820: second buffer

Claims (6)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 상부 세라믹 기판부의 하부로 상부 전극과 하부 세라믹 기판부와 하부 전극이 설치되고, 상기 하부 세라믹 기판부의 중앙에 형성된 관통공에는 열방출용 금속 코어부가 형성되며, 상기 금속 코어부의 상면에는 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩이 실장된 발광 다이오드 패키지에 있어서,
하부 세라믹 기판부의 관통공 내측면에 Ag 또는 Cu 중 어느 하나로 도금되는 제 1 버퍼와, 금속 코어부의 외부면에 Ag 또는 Cu 중 어느 하나로 도금되는 제 2 버퍼를 형성하여 상기 하부 세라믹 기판부와 금속 코어부 사이에 금속 결합구조가 형성된 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.An upper electrode, a lower ceramic substrate portion, and a lower electrode are disposed below the upper ceramic substrate portion, and a through-hole formed in the center of the lower ceramic substrate portion is provided with a heat dissipation metal core portion, and emits light on the upper surface of the metal core portion. In a light emitting diode package mounted with a light emitting diode chip,
A first buffer plated with Ag or Cu on the inner surface of the lower ceramic substrate portion and a second buffer plated with Ag or Cu on the outer surface of the metal core portion to form the second ceramic plate portion and the metal core. A light emitting diode package comprising a buffer unit having a metal bonding structure formed therebetween. 삭제delete 삭제delete
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