KR101187465B1 - 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자 - Google Patents
다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101187465B1 KR101187465B1 KR1020110009229A KR20110009229A KR101187465B1 KR 101187465 B1 KR101187465 B1 KR 101187465B1 KR 1020110009229 A KR1020110009229 A KR 1020110009229A KR 20110009229 A KR20110009229 A KR 20110009229A KR 101187465 B1 KR101187465 B1 KR 101187465B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sol
- component
- piezoelectric
- piezoelectric ceramic
- gel
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 28
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead-based oxides
- H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
본 발명은 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 압전 세라믹 소자는 압전 세라믹 소재층과, 각각 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 일측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 제1 졸겔층과, 상기 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 타측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 제2 졸겔층과, 상기 복수의 제1 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 제1 졸겔층의 표면에 형성되는 제1 전극과, 상기 복수의 제2 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 제2 졸겔층의 표면에 형성되는 제2 전극을 포함하며; 상기 각 제1 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라믹 소재층으로부터 상기 제1 전극으로 갈수록 낮아지며; 상기 각 제2 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라막 소재층으로부터 상기 제2 전극으로 갈수록 낮아지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, PZT 계열이나 NKN 계열 등의 압전 세라믹 소자의 특성 향상, 예를 들어 공공 및 결정립계에 의한 특성 저하의 영향을 감소시키고 누설 전류의 증가 없이 전기적 신호 연결을 위한 전극이 형성 가능하게 된다.
Description
본 발명은 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다층 졸겔층을 이용하여 공공 및 결정립계에 의한 특성 저하의 영향을 감소시키고 누설 전류의 증가 없이 전기적 신호 연결을 위한 전극이 형성 가능한 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 관한 것이다.
압전성은 재료에 기계적인 응력을 가하면 전하 또는 전위차가 발생하는 것으로 19세기 후반에 발견된 성질이며, 이러한 물리적인 현상을 압전 효과라고 한다. 역으로, 재료에 전기장을 인가하면 기계적 변형 또는 힘이 발생하는데, 이러한 현상을 역압전 효과라 부른다.
압전 효과 또는 역압전 효과를 나타내는 압전 소자, 예를 들어 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열이나 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소자는 높은 에너리 밀도, 큰 힘 및 토크, 빠른 응답 속도를 가질 뿐만 아니라, 높은 감도를 가짐으로서 미세 신호의 측정이 가능한 장점을 가지므로, 액츄에이터나 센서 등에 널리 사용되고 있다.
근래에, 압전 소자는 탄성 변환기, 유체 및 입자의 이송 및 제어를 위한 펌프나 밸브, 가속도계, 마이크로 스피커와 마이크로폰, 물리 센서 또는 화학 센서분야 등 센서, 구동기 및 에너지 하베스팅 분야 등에 그 활용 범위가 넓어지고 있는 추세이다.
압전 센서나 구동기는 압전 구동 방식이 가지는 빠른 응답 속도, 낮은 구동 전압 및 높은 선형성 및 감지 감도, 낮은 소모의 전력 등의 장점 때문에 꾸준히 연구되고 있지만, 그 응용 범위를 확대하기 위해서는 높은 압전 계수를 갖는 것이 필요하다.
현재 가장 높은 압전 계수를 갖는다고 알려진 Pb 성분을 포함하는 PZT 계열 재료는 세라믹 소재를 제작하는 과정에서 결정립계가 형성되는 다결정 구조를 가지며 Pb 및 바인더 재료의 휘발성에 의한 공공 등의 결함 또한 대부분 동반하고 있다.
이와 같은, 압전 소자에서의 결정립계 및 공공 등의 결함은 외부에서 전기적 신호가 인가하였을 때 결정 내에서 분극의 형성을 완화시키게 되고, 분극 형성의 완화는 구동 특성의 저하를 야기시킨다. 또한, 결정립계 및 공공 등의 결합은 외부의 기계적 응력에 대해서도 완충 역할을 하여 센서의 감도를 크게 감소시키는 요인으로 작용한다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, PZT 계열이나 NKN 계열 등의 압전 세라믹 소자의 특성 향상, 예를 들어 공공 및 결정립계에 의한 특성 저하의 영향을 감소시키고 누설 전류의 증가 없이 전기적 신호 연결을 위한 전극이 형성 가능한 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 있어서, 압전 세라믹 소재층과, 각각 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 일측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 제1 졸겔층과, 상기 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 타측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 제2 졸겔층과, 상기 복수의 제1 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 제1 졸겔층의 표면에 형성되는 제1 전극과, 상기 복수의 제2 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 제2 졸겔층의 표면에 형성되는 제2 전극을 포함하며; 상기 각 제1 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라믹 소재층으로부터 상기 제1 전극으로 갈수록 낮아지며; 상기 각 제2 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라막 소재층으로부터 상기 제2 전극으로 갈수록 낮아지는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 제1 졸겔층 및 상기 제2 졸겔층은 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되며; 상기 휘발성 압전 성분은 Pb 성분을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 졸겔층 및 상기 제2 졸겔층은 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 형성되며; 상기 휘발성 압전 성분은 Na 성분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 각 제1 졸겔층을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 상기 압전 세라믹 소재층으로부터 상기 제1 전극으로 갈수록 점진적으로 높아지며; 상기 각 제2 졸겔층을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 상기 압전 세라막 소재층으로부터 상기 제2 전극으로 갈수록 점진적으로 높아질 수 있다.
그리고, 상기 압전 세라믹 소재층에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20% 정도로 형성되며; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 50% 정도로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 제1 졸겔층 및 상기 제2 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율로 결정될 수 있다.
여기서, 상기 압전 세라믹 소재층에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 1.2 내외로 형성되며; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 있어서, 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 압전 세라믹 후막층과, 각각 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 일측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 졸겔층과, 상기 복수의 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 졸겔층의 표면에 형성되는 전극을 포함하며; 상기 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라믹 후막층으로부터 상기 전극으로 갈수록 낮아지는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 의해서도 달성될 수 있다.
여기서, 상기 졸겔층은 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되며; 상기 휘발성 압전 성분은 Pb 성분을 포함할 수 있다.
또한, 상기 졸겔층은 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 형성되며; 상기 휘발성 압전 성분은 Na 성분을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 각 졸겔층을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 상기 압전 세라믹 후막층으로부터 상기 전극으로 갈수록 점진적으로 높아질 수 있다.
그리고, 상기 압전 세라믹 후막층에 인접한 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20% 정도로 형성되며; 상기 전극에 인접한 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 50% 정도로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율로 결정될 수 있다.
그리고, 상기 압전 세라믹 후막층에 인접한 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 1.2 내외로 형성되며; 상기 전극에 인접한 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성될 수 있다.
상기와 같은 구성을 통해, 본 발명에 따르면, PZT 계열이나 NKN 계열 등의 압전 세라믹 소자의 특성 향상, 예를 들어 공공 및 결정립계에 의한 특성 저하의 영향을 감소시키고 누설 전류의 증가 없이 전기적 신호 연결을 위한 전극이 형성 가능한 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자가 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 압전 세라믹 소자의 단면을 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 압전 세라믹 소자의 표면 특성을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자의 단면을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 압전 세라믹 소자의 표면 특성을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자의 단면을 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명을 설명하는데 있어, 용매나 용질 등의 농도와 같이, 숫자를 통해 표기할 때 수치적으로 표기된 해당 숫자에 본 발명의 권리가 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 당업자가 표기된 해당 숫자로 인식할 수 있는 정도의 범위를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 예컨대, 20%의 농도는 수치적으로 정확한 20%를 의미하는 것으로 해석되어서는 않되며, 20%로 인식할 수 있는 정도의 농도도 20%의 범위 안에 포함될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(100)의 단면을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(100)는 다층의 졸겔층(21a,21b,21c)을 갖는다.
도 1을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(100)는 압전 세라믹 소재층(10), 복수의 제1 졸겔층(21,22,23), 복수의 제2 졸겔층(31,32,33), 제1 전극(40) 및 제2 전극(50)를 포함한다.
압전 세라믹 소재층(10)은 압전성을 갖는 재질로 마련된다. 본 발명에 따른 압전 세라믹 소재층(10)은 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 마련되는 것을 예로 한다.
복수의 제1 졸겔층(21,22,23)은 압전 세라믹 소재층(10)의 일측 표면, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 압전 세라믹 소재층(10)의 상부 표면에 순차적으로 적층되어 형성된다.
여기서, 복수의 제1 졸겔층(21,22,23)의 성분은 압전 세라믹 소재층(10)을 형성하는 소재와 동일한 소재, 예를 들어 압전 세라믹 소재층(10)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 경우, 복수의 제1 졸겔층(21,22,23)도 각각 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성된다. 또한, 압전 세라믹 소재층(10)이 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 경우, 복수의 제1 졸겔층(21,22,23) 또한 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성될 수 있다.
이 때, 복수의 제1 졸겔층(21,22,23)을 구성하는 성분에는 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분이 포함되는데, 상기와 같이 각각의 제1 졸겔층(21,22,23)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열로 형성되는 경우, 휘발성 압전 성분은 Pb 성분이 된다.
한편, 복수의 제2 졸겔층(31,32,33)은 압전 세라믹 소재층(10)의 타측 표면, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 압전 세라믹 소재층(10)의 하부 표면에 순차적으로 적층되어 형성된다.
여기서, 복수의 제2 졸겔층(31,32,33)의 성분은, 복수의 제1 졸겔층(21,22,23)과 마찬가지로, 압전 세라믹 소재층(10)을 형성하는 소재와 동일한 소재, 예를 들어 압전 세라믹 소재층(10)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 경우, 복수의 제2 졸겔층(31,32,33)도 각각 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성된다. 또한, 압전 세라믹 소재층(10)이 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 경우, 복수의 제2 졸겔층(31,32,33) 또한 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성될 수 있다.
이 때, 복수의 제2 졸겔층(31,32,33)을 구성하는 성분에는 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분이 포함되는데, 상기와 같이 각각의 제2 졸겔층(31,32,33)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열로 형성되는 경우, 제1 졸겔층(21,22,23)의 휘발성 압전 성분과 동일하게 Pb 성분이 된다.
본 발명의 제1 실시예에서는 제1 졸겔층(21,22,23) 및 제2 졸겔층(31,32,33)이 각각 3층 구조를 갖는 것을 예로 하고 있다. 이 때, 각각의 제1 졸겔층(21,22,23)의 휘발성 압전 성분, 즉 Pb 성분의 함량은 압전 세라믹 소재층(10)으로부터 제1 전극(40) 측으로 갈수록 낮아지도록 마련된다. 마찬가지로 각각의 제2 졸겔층(31,32,33)의 휘발성 압전 성분, 즉 Pb 성분의 함량은 압전 세라믹 소재층(10)으로부터 제2 전극(50) 측으로 갈수록 낮아지도록 마련된다.
여기서, 휘발성 압전 성분의 함량, 즉 Pb의 함량은 제1 졸겔층(21,22,23) 또는 제2 졸겔층(31,32,33)의 전체 용질 성분 중 휘발상 압전 성분의 비율로 결정된다. 예를 들어 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 경우 Pb 성분, Zn 성분, Nb 성분 중 휘발성 압전 성분인 Pb 성분의 비율, 즉 Pb 성분/(Zn 성분+Nb 성분)로 결정되며, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 경우 Pb 성분, Zn 성분, Ti 성분 중 Pb 성분의 비율, 즉 Pb 성분/(Zn 성분+Ti 성분)로 결정된다.
이와 같이, 압전 세라믹 소재층(10)과 인접한 제1 졸겔층(21) 및 제2 졸겔층(31)의 Pb 성분의 함량을 높여 Pb 성분의 휘발성으로 인한 Pb 성분의 감소의 영향을 완화시킬 수 있다. 본 발명에서는 압전 세라믹 소재층(10)과 인접한 제1 졸겔층(21) 및 제2 졸겔층(31)의 Pb 성분의 함량, 즉 Pb 성분/(Zn 성분+Nb 성분) 또는 Pb 성분/(Zn 성분+Ti 성분) 값이 1.2 내외인 것을 예로 한다.
한편, 제1 졸겔층(21,22,23) 및 제2 졸겔층(31,32,33) 중 제1 전극(40) 및 제2 전극(50)에 각각 인접한 제1 졸겔층(23) 및 제2 졸겔층(33)의 전체 용질 성분 중 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성된다. 본 발명에서는 Pb 성분/(Zn 성분+Nb 성분) 또는 Pb 성분/(Zn 성분+Ti 성분) 값이 1 내외가 되도록 형성하는 것을 예로 한다.
이와 같이, 제1 졸겔층(21,22,23) 및 제2 졸겔층(31,32,33) 중 제1 전극(40) 및 제2 전극(50)에 각각 인접한 제1 졸겔층(23) 및 제2 졸겔층(33)의 전체 용질 성분 중 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성함으로써, 잉여 Pb 성분이 제1 전극(40) 및 제2 전극(50)과 반응하여 전도성 막이 형성되는 것을 차단하게 된다.
여기서, Pb 성분의 함량은 각각의 제1 졸겔층(21,22,23) 및 각각의 제2 졸겔층(31,32,33)을 형성하기 위한 전구체 용액의 형성시 Pb 전구체 용액, 즉 Pb 전구체와 용매인 2-메톡시에탄올에 의해 형성되는 Pb 전구체 용액의 양을 조절함으로써 조절 가능하다.
한편, 본 발명에 따른 압전 세라믹 소자(100)에서, 각각의 제1 졸겔층(21,22,23)을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 압전 세라믹 소재층(10)으로부터 제1 전극(40)으로 갈수록 점진적으로 높아지도록 형성된다. 마찬가지로, 각각의 제2 졸겔층(31,32,33)을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 압전 세라믹 소재층(10)으로부터 제2 전극(50)으로 갈수록 점진적으로 높아지도록 형성된다.
본 발명에서는 압전 세라믹 소재층(10)에 인접한 제1 졸겔층(21) 및 제2 졸겔층(31)의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20% 정도로 형성되고, 제1 전극(40) 및 제2 전극(50) 각각에 인접한 제1 졸겔층(23) 및 제2 졸겔층(33)의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 50% 정도로 형성되는 것을 예로 한다.
이 때, 복수의 제1 졸겔층(21,22,23) 및 복수의 제2 졸겔층(31,32,33) 중 중간에 위치하는 제1 졸겔층(22) 및 제2 졸겔층(32)의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20% ~ 50% 사이의 값을 갖도록 형성되며, 중간에 위치하는 제1 졸겔층(22) 및 제2 졸겔층(32)이 다층으로 형성되는 경우 제1 전극(40) 또는 제2 전극(50)으로 갈수록 20% ~ 50% 사이에서 농도가 점진적으로 높아지도록 형성된다.
여기서, 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 PZN 졸-겔 용액이나 PZT 졸-겔 용액의 형성시 증류량의 조절을 통해 농도의 조절이 가능하다. 상기와 같이 압전 세라믹 소재층(10)의 용질 성분의 농도를 상대적으로 낮게 형성함으로써, 공공 등의 결합 발생을 제거할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명에 따른 압전 세라믹 소자(100)와, 기존의 압전 세라믹 소자(100)의 표면 특성을 촬영한 도면이다. 표면 특성은 주사전자 현미경을 통해 촬영된 것으로, 도 2의 (a)는 기존의 압전 세라믹 소자(100), 즉 졸겔층이 형성되지 않은 압전 세라믹 소자(100)의 표면 특성을 나타낸 것이고, 도 2의 (b)는 본 발명에 따른 압전 세라믹 소자(100)의 표면 특성을 나타낸 것이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 압전 세라믹 소자(100)에서는 결정립계 및 공공 등의 결함이 나타나지 않고 매끄러운 표면 특성을 나타내고 있음을 확인할 수 있다. 이러한 표면 특성은 제1 전극(40) 또는 제2 전극(50)과 접촉하였을 때 일정한 전기장이 발생하여 우수한 압전 소자 특성을 나타내게 된다.
전술한 제1 실시예에서는 압전 세라믹 소재층(10), 제1 졸겔층(21,22,23), 제2 졸겔층(31,32,33)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 것을 예로 하였다. 이외에도, 압전 세라믹 소재층(10), 제1 졸겔층(21,22,23), 제2 졸겔층(31,32,33)은 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 형성될 수 있다. 이 때, NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 적용되는 경우 상술한 휘발성 압전 성분은 Na 성분이 된다.
또한, 전술한 제1 실시예에서는 제1 졸겔층(21,22,23) 및 제2 졸겔층(31,32,33)이 3층 구조로 갖는 것을 예로 하고 있으나, 2층 구조나 4층 이상의 구조로 마련될 수 있음은 물론이다. 이 경우에도 Pb 성분이나 Na 성분과 같은 휘발성 압전 성분은 압전 세라믹 소재층(10)으로부터 멀어질수록 그 함량이 감소하도록 마련되며, 전체 용질 성분의 농도는 압전 세라믹 소재층(10)으로부터 멀어질수록 높아지도록 마련될 수 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(200)에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(200)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 후막 구조를 가지며 제1 실시예와 마찬가지로 다층 졸겔층(21a,22a,23a)을 갖는다.
도 3응을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(200)는 베이스 기판(210), 압전 세라믹 후막층(10a), 복수의 졸겔층(21a,22a,23a), 및 전극(40a)을 포함한다.
베이스 기판(210)으로는 실리콘 기판, 금속 기판, 유리 기판 등 다양한 종류의 기판이 사용될 수 있으며, 본 발명에서는 실리콘 기판이 적용되는 것을 예로 한다.
압전 세라믹 후막층(10a)은 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 여기서, 본 발명에 따른 압전 세라믹 후막층(10a)은 압전성을 갖는 재질로 마련된다. 본 발명에서는 압전 세라믹 후막층(10a)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 마련되는 것을 예로 한다.
복수의 졸겔층(21a,22a,23a)은 압전 세라믹 후막층(10a)으로부터 순차적으로 적층된다. 여기서, 졸겔층(21a,22a,23a)의 성분은 압전 세라믹 후막층(10a)을 형성하는 소재와 동일한 소재, 예를 들어 압전 세라믹 후막층(10a)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 경우, 복수의 졸겔층(21a,22a,23a)도 각각 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성된다. 또한, 압전 세라믹 후막층(10a)이 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 경우, 복수의 졸겔층(21a,22a,23a) 또한 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 압전 소재로 형성될 수 있다.
이 때, 복수의 졸겔층(21a,22a,23a)을 구성하는 성분에는 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분이 포함되는데, 상기와 같이 각각의 졸겔층(21a,22a,23a)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열로 형성되는 경우, 휘발성 압전 성분은 Pb 성분이 된다.
여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(200)의 졸겔층(21a,22a,23a)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 3층 구조를 갖는 것을 예로 하고 있다. 이 때, 각각의 졸겔층(21a,22a,23a)의 휘발성 압전 성분, 즉 Pb 성분의 함량은 압전 세라믹 후막층(10a)으로부터 전극(40a) 측으로 갈수록 낮아지도록 마련된다.
그리고, 휘발성 압전 성분의 함량, 즉 Pb의 함량은 상술한 제1 실시예에서와 동일하게, 졸겔층(21a,22a,23a)의 전체 용질 성분 중 휘발상 압전 성분의 비율로 결정된다. 예를 들어 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열의 경우 Pb 성분, Zn 성분, Nb 성분 중 휘발성 압전 성분인 Pb 성분의 비율, 즉 Pb 성분/(Zn 성분+Nb 성분)로 결정되며, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 경우 Pb 성분, Zn 성분, Ti 성분 중 Pb 성분의 비율, 즉 Pb 성분/(Zn 성분+Ti 성분)로 결정된다.
이와 같이, 압전 세라믹 후막층(10a)과 인접한 졸겔층(21a)의 Pb 성분의 함량을 높여 Pb 성분의 휘발성으로 인한 Pb 성분의 감소의 영향을 완화시킬 수 있다. 본 발명에서는 압전 세라믹 후막층(10a)과 인접한 졸겔층(21a)의 Pb 성분의 함량, 즉 Pb 성분/(Zn 성분+Nb 성분) 또는 Pb 성분/(Zn 성분+Ti 성분) 값이 1.2 내외인 것을 예로 한다.
한편, 졸겔층(21a,22a,23a) 중 전극(40a)에 각각 인접한 졸겔층(23a)의 전체 용질 성분 중 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성된다. 본 발명에서는 Pb 성분/(Zn 성분+Nb 성분) 또는 Pb 성분/(Zn 성분+Ti 성분) 값이 1 내외가 되도록 형성하는 것을 예로 한다. 이를 통해, 제1 실시예에서와 같이 잉여 Pb 성분이 전극(40a)과 반응하여 전도성 막이 형성되는 것을 차단하게 된다.
여기서, Pb 성분의 함량은 각각의 졸겔층(21a,22a,23a)을 형성하기 위한 전구체 용액의 형성시 Pb 전구체 용액, 즉 Pb 전구체와 용매인 2-메톡시에탄올에 의해 형성되는 Pb 전구체 용액의 양을 조절함으로써 조절 가능하다.
한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 압전 세라믹 소자(200)에서, 각각의 졸겔층(21a,22a,23a)을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 압전 세라믹 후막층(10a)으로부터 전극(40a)으로 갈수록 점진적으로 높아지도록 형성된다. 본 발명에서는 압전 세라믹 후막층(10a)에 인접한 졸겔층(21a)의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20% 정도로 형성되고, 전극(40a)에 인접한 졸겔층(23a)의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 50% 정도로 형성되는 것을 예로 한다.
이 때, 복수의 졸겔층(21a,22a,23a) 중 중간에 위치하는 졸겔층(22a)의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20% ~ 50% 사이의 값을 갖도록 형성되며, 중간에 위치하는 졸겔층(22a)이 다층으로 형성되는 경우 전극(40a)으로 갈수록 20% ~ 50% 사이에서 농도가 점진적으로 높아지도록 형성된다.
여기서, 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 PZN 졸-겔 용액이나 PZT 졸-겔 용액의 형성시 증류량의 조절을 통해 농도의 조절이 가능하다. 상기와 같이 압전 세라믹 후막층(10a)의 용질 성분의 농도를 상대적으로 낮게 형성함으로써, 공공 등의 결합 발생을 제거할 수 있게 된다.
전술한 제2 실시예에서도 압전 세라믹 후막층(10a) 및 졸겔층(21a,22a,23a)이 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되는 것을 예로 하였다. 이외에도, 압전 세라믹 후막층(10a) 및 졸겔층(21a,22a,23a)은 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 형성될 수 있다. 이 때, NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 적용되는 경우 상술한 휘발성 압전 성분은 Na 성분이 된다.
또한, 전술한 제2 실시예에서는 졸겔층(21a,22a,23a)이 3층 구조로 갖는 것을 예로 하고 있으나, 2층 구조나 4층 이상의 구조로 마련될 수 있음은 물론이다. 이 경우에도 Pb 성분이나 Na 성분과 같은 휘발성 압전 성분은 압전 세라믹 후막층(10a)으로부터 멀어질수록 그 함량이 감소하도록 마련되며, 전체 용질 성분의 농도는 압전 세라믹 후막층(10a)으로부터 멀어질수록 높아지도록 마련될 수 있다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
100 : 압전 세라믹 소자 10 : 압전 세라믹 소재층
21,22,23 : 제1 졸겔층 31,32,33 : 제2 졸겔층
40 : 제1 전극 50 : 제2 전극
21,22,23 : 제1 졸겔층 31,32,33 : 제2 졸겔층
40 : 제1 전극 50 : 제2 전극
Claims (14)
- 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 있어서,
압전 세라믹 소재층과,
각각 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 일측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 제1 졸겔층과,
상기 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 타측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 제2 졸겔층과,
상기 복수의 제1 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 제1 졸겔층의 표면에 형성되는 제1 전극과,
상기 복수의 제2 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 제2 졸겔층의 표면에 형성되는 제2 전극을 포함하며;
상기 각 제1 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라믹 소재층으로부터 상기 제1 전극으로 갈수록 낮아지며;
상기 각 제2 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라막 소재층으로부터 상기 제2 전극으로 갈수록 낮아지는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 졸겔층 및 상기 제2 졸겔층은 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되며;
상기 휘발성 압전 성분은 Pb 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 졸겔층 및 상기 제2 졸겔층은 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 형성되며;
상기 휘발성 압전 성분은 Na 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 각 제1 졸겔층을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 상기 압전 세라믹 소재층으로부터 상기 제1 전극으로 갈수록 점진적으로 높아지며;
상기 각 제2 졸겔층을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 상기 압전 세라막 소재층으로부터 상기 제2 전극으로 갈수록 점진적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제4항에 있어서,
상기 압전 세라믹 소재층에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20%로 형성되며;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 50%로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제4항에 있어서,
상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 제1 졸겔층 및 상기 제2 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율로 결정되는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제6항에 있어서,
상기 압전 세라믹 소재층에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 1.2로 형성되며;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각에 인접한 제1 졸겔층 및 제2 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자에 있어서,
베이스 기판과,
상기 베이스 기판 상에 형성되는 압전 세라믹 후막층과,
각각 휘발성을 갖는 휘발성 압전 성분을 포함하여 구성되며, 상기 압전 세라믹 소재층의 일측 표면에 순차적으로 적층되는 복수의 졸겔층과,
상기 복수의 졸겔층 중 최외곽에 위치하는 졸겔층의 표면에 형성되는 전극을 포함하며;
상기 졸겔층의 상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 압전 세라믹 후막층으로부터 상기 전극으로 갈수록 낮아지는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제8항에 있어서,
상기 졸겔층은 PZN(Pb(Zn, Nb)O3) 계열 또는 PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 계열의 압전 소재로 형성되며;
상기 휘발성 압전 성분은 Pb 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제8항에 있어서,
상기 졸겔층은 NKN((Na,K)NbO3) 계열의 압전 소재로 형성되며;
상기 휘발성 압전 성분은 Na 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 각 졸겔층을 구성하는 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 상기 압전 세라믹 후막층으로부터 상기 전극으로 갈수록 점진적으로 높아지는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제11항에 있어서,
상기 압전 세라믹 후막층에 인접한 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 20%로 형성되며;
상기 전극에 인접한 졸겔층의 용매에 대한 전체 용질 성분의 농도는 50%로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제11항에 있어서,
상기 휘발성 압전 성분의 함량은 상기 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율로 결정되는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자. - 제13항에 있어서,
상기 압전 세라믹 후막층에 인접한 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 1.2로 형성되며;
상기 전극에 인접한 졸겔층의 전체 용질 성분 중 상기 휘발성 압전 성분의 비율은 화학적 양론비에 대응하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110009229A KR101187465B1 (ko) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110009229A KR101187465B1 (ko) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120088111A KR20120088111A (ko) | 2012-08-08 |
KR101187465B1 true KR101187465B1 (ko) | 2012-10-02 |
Family
ID=46873447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110009229A KR101187465B1 (ko) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101187465B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100247474B1 (ko) | 1997-05-09 | 2000-03-15 | 김영환 | 피지티 강유전체 캐패시터 제조 방법 |
KR100683325B1 (ko) | 1999-05-21 | 2007-02-15 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막 압전형 바이머프 소자와 이를 이용한 역학량 검출기,잉크젯 헤드 및 이들의 제조방법 |
KR100846052B1 (ko) | 2006-06-26 | 2008-07-11 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 다층 구조를 가지는 2-2 압전 복합 초음파 발진자 및제조방법 |
-
2011
- 2011-01-31 KR KR1020110009229A patent/KR101187465B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100247474B1 (ko) | 1997-05-09 | 2000-03-15 | 김영환 | 피지티 강유전체 캐패시터 제조 방법 |
KR100683325B1 (ko) | 1999-05-21 | 2007-02-15 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막 압전형 바이머프 소자와 이를 이용한 역학량 검출기,잉크젯 헤드 및 이들의 제조방법 |
KR100846052B1 (ko) | 2006-06-26 | 2008-07-11 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 다층 구조를 가지는 2-2 압전 복합 초음파 발진자 및제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120088111A (ko) | 2012-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7273051B2 (ja) | 機械応力センサ及び製造方法 | |
JP5539430B2 (ja) | 電子機器の製造方法 | |
US8148878B2 (en) | Piezoelectric element and gyroscope | |
US9450171B2 (en) | Thin film piezoelectric element and manufacturing method thereof, micro-actuator, head gimbal assembly and disk drive unit with the same | |
JP4369238B2 (ja) | ピエゾ電気構成素子およびその製造方法 | |
US20130032906A1 (en) | Ferroelectric device | |
JP5718910B2 (ja) | 圧電素子 | |
JP2005515641A6 (ja) | ピエゾ電気構成素子およびその製造方法 | |
JP2009130182A (ja) | 圧電薄膜素子 | |
US9620703B2 (en) | Piezoelectric thin-film element, piezoelectric sensor and vibration generator | |
JPWO2017082104A1 (ja) | 圧電たわみセンサ | |
TWI379446B (ko) | ||
JP2010161286A (ja) | 積層型圧電素子及びその製造方法 | |
JP4715836B2 (ja) | 圧電素子、角速度センサ、及び圧電素子の製造方法 | |
KR101187465B1 (ko) | 다층 졸겔층을 갖는 압전 세라믹 소자 | |
JP2006295142A (ja) | 圧電素子 | |
US20110050049A1 (en) | Piezoelectric/electrostrictive element and method of manufacturing piezoelectric/electrostrictive element | |
WO2017002341A1 (ja) | 積層薄膜構造体の製造方法、積層薄膜構造体及びそれを備えた圧電素子 | |
JP5729065B2 (ja) | 薄膜圧電体デバイス | |
WO2017060089A1 (en) | Flexoelectric device | |
JP2013518422A (ja) | 圧電素子 | |
JP2005101274A (ja) | 圧電セラミックスおよびこれを用いた積層型圧電素子並びに噴射装置 | |
JP2004186436A (ja) | 圧電/電歪膜型素子 | |
JP6141080B2 (ja) | 薄膜圧電素子およびその製造方法、マイクロアクチュエータ、ヘッドジンバルアセンブリおよびそれを備えたディスク駆動装置 | |
JP2009170631A (ja) | 圧電素子とその製造方法およびこれを用いた圧電応用デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150901 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160831 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170912 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |