KR101182359B1 - 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조 - Google Patents

메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR101182359B1
KR101182359B1 KR1020100126870A KR20100126870A KR101182359B1 KR 101182359 B1 KR101182359 B1 KR 101182359B1 KR 1020100126870 A KR1020100126870 A KR 1020100126870A KR 20100126870 A KR20100126870 A KR 20100126870A KR 101182359 B1 KR101182359 B1 KR 101182359B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spacer
phosphor
phosphor layer
metal nanoparticles
plasmon resonance
Prior art date
Application number
KR1020100126870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120065641A (ko
Inventor
최경철
이성민
오승화
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020100126870A priority Critical patent/KR101182359B1/ko
Publication of KR20120065641A publication Critical patent/KR20120065641A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101182359B1 publication Critical patent/KR101182359B1/ko

Links

Images

Abstract

본 발명에 의한 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조가 개시된다.
본 발명에 따른 음극선 발광 형광체의 구조는 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층; 및 표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 형광체 층과 결합되는 메탈 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 형광체의 발광 휘도를 크게 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 저비용으로 고효율 소자 구현이 가능할 수 있다.

Description

메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조{STRUCTURE OF ENHANCED CATHODOLUMINESCENCE PHOSPHOR OWING TO SURFACE PLASMON RESONANCE OF METALIC NANO PARTICLES}
본 발명은 투명 플라즈마 디스플레이 소자에 관한 것으로, 특히, 발광 파장과 공진을 이룰 수 있는 메탈 나노 입자를 형광체 층과 결합시켜 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 형광체 층이 위치하도록 함으로써, 음극선 발광 형광체의 발광 프로세스를 강화시킬 수 있도록 한 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조에 관한 것이다.
음극선에 의해서 여기되어 발광하는 형광체는 기존 CRT 및 FED, 전계 발광 백라이트 등에 널리 사용되어 왔다. 전자의 충돌을 여기 에너지 원으로 사용하여 형광체에 전자를 충돌시킴으로써 형광체의 들뜬 에너지 상태를 만들 수 있다. 이후 다시 바닥 상태의 안정한 에너지 준위로 돌아가면서, 가시광원 영역에서 발광을 하므로 디스플레이 및 광원 소스로도 활용이 가능하였다. 이러한 디스플레이 방식은 높은 색순도를 가지며 명암비가 좋아 평판 디스플레이 소자로서 활발히 개발되어왔다.
최근에는 이러한 음극선 발광 형광체와 전자 방출 팁을 이용하고 구조를 간단하게 제조함으로써 고효율 백라이트의 개발도 이루어져 CCFL 및 LED를 대체할 수 있는 백라이트 소자로서의 가능성도 제시되고 있다. 더불어 투명 디스플레이 시장에 대비하여 투명 FED 등과 같은 소자 개발에 응용되고 있는 상황이다.
그러나, 음극선 발광 형광체는 아직 발광 휘도가 낮아 음극선 발광 형광체를 사용하는 디스플레이, 광원 소자 등의 저효율 문제에 큰 영향을 미치고 있는 것이 사실이다.
이를 위해서, 기존에는 형광체보다는 전자 방출 및 전자 충돌의 효율적인 메커니즘에 관하여 주로 연구되어 왔다. 또한 고효율 신조성의 형광체를 개발하기 위한 연구도 병행되어 왔으나, 아직 상용화에는 미흡한 수준이다. 더욱이 음극선 발광 형광체를 투명하게 제조하였을 경우에는 본래의 휘도보다 더 저하되는 문제가 발생하여 고효율 투명 디스플레이 및 광원 소자 개발이 어려운 상황에 놓여있다.
이러한 문제를 해결하기 위해서 형광체 자체의 발광 휘도를 개선할 수 있는 방법이 시급히 요구된다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광 파장과 공진을 이룰 수 있는 메탈 나노 입자를 형광체 층과 결합시시켜 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 형광체 층이 위치하도록 함으로써 음극선 발광 형광체의 발광 프로세스를 강화시킬 수 있도록 한 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조를 제공하는데 있다.
이를 위하여, 본 발명의 다른 한 관점에 따른 음극선 발광 형광체의 구조는 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층; 및 표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 형광체 층과 결합되는 메탈 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 표면 플라즈몬 공명 특성을 갖는 금 나노 입자, 은 나노 입자, 알루미늄 나노 입자, 구리 나노 입자 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 표면 플라즈몬 공명 특성이 강화될 수 있도록 구형, 다면체, 및 보우 타이(bow tie) 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 열적 증착 방법, 전자빔 증착 방법, 및 스크린 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착되되, 불규칙하게 배열되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 하나 이상의 재질이 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 메탈 나노 입자는 상기 형광체 층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 메탈 나노 입자는 상기 형광체 층의 상단, 중간, 및 하단 중 어느 하나의 위치에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 한 관점에 따른 음극선 발광 형광체의 구조는 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층; 상기 형광체 층과 인접하여 형성되는 스페이서; 및 표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 스페이서 내부 또는 외부에 배치되는 메탈 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 표면 플라즈몬 공명 특성을 갖는 금 나노 입자, 은 나노 입자, 알루미늄 나노 입자, 구리 나노 입자 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 표면 플라즈몬 공명 특성이 강화될 수 있도록 구형, 다면체, 및 보우 타이(bow tie) 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 열적 증착 방법, 전자빔 증착 방법, 및 스크린 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착되되, 불규칙하게 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 메탈 나노 입자는 하나 이상의 재질이 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 스페이서는 그 재질이 MgO, SiO2, 및 Al2O3 중 어느 하나의 유전체인 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 스페이서는 1 내지 10 사이의 유전상수를 갖는 유전체를 사용하는 것을 특징으로 한다.
필요에 따라, 상기 스페이서는 그 두께가 5nm 내지 100nm 사이로 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 스페이서는 상기 형광체 층의 상부에 형성되고 상기 스페이서의 상부에 상기 메탈 나노 입자가 배치되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 스페이서는, 상기 형광체 층의 상단, 중간, 및 하단 중 어느 하나의 위치에 형성되되, 상기 스페이서의 내부에 상기 메탈 나노 입자가 배열되는 것을 특징으로 한다.
이를 통해, 본 발명은 발광 파장과 공진을 이룰 수 있는 메탈 나노 입자를 형광체 층과 결합시켜 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 형광체 층이 위치하도록 함으로써, 형광체의 발광 휘도를 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 발명은 발광 파장과 공진을 이룰 수 있는 메탈 나노 입자를 형광체 층과 결합시켜 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 형광체 층이 위치하도록 함으로써, 저비용으로 고효율 소자 구현이 가능할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음극선 발광 형광체의 구조를 나타내는 제1 예시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 음극선 발광 형광체의 구조를 나타내는 제2 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메탈 나노 입자의 SEM 이미지를 나타내는 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 CL 측정 데이터를 나타내는 예시도이다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조를 첨부된 도 1 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 동작 및 작용을 이해하는데 필요한 부분을 중심으로 상세히 설명할 것이다.
본 발명은 발광 파장과 공진을 이룰 수 있는 메탈 나노 입자를 형광체 층과 결합시켜 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 형광체 층이 위치하도록 함으로써, 음극선 발광 형광체의 발광 프로세스를 강화시킬 수 있는 방안을 제안한다.
이때, FED(Field Emission Display) 및 BLU 소자는 그 구조는 전극 개수 및 위치에 따라 다양한 형태로 연구되고 있으나, 전자를 충돌시켜 음극선 발광 형광체를 여기시킴으로써 가시광선을 얻는 다는 점에서 발광 메커니즘이 동일하다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 원리는 음극선 발광 형광체를 사용하는 통상의 디스플레이 소자, 및 광원 소자에 유사하게 적용하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음극선 발광 형광체의 구조를 나타내는 제1 예시도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선 발광 형광체는 기판(110), 형광체 층(120), 및 메탈 나노 입자(140) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
그림 (a)에서는 메탈 나노 입자(140)가 형광체 층(120)의 상부에 형성되어 있다.
그림 (b)에서는 메탈 나노 입자(140)가 형광체 층(120)의 하단에 형성되어 있으며, 그림 (c)에서는 메탈 나노 입자(140)가 형광체 층(120)의 중간에 형성되어 있다.
즉, 메탈 나노 입자(140)는 형광체 층과 결합되도록 형성되는 것이 바람직하다.
물론, 그림에서는 메탈 나노 입자(140)가 형광체 층의 하단과 중간에만 형성되어 있었지만, 이에 한정되지 않고 형광체 층의 상단, 중간, 하단 등의 어느 위치에라도 형성될 수 있다.
이때, 메탈 나노 입자는 주변의 광원 소스 및 형광체의 발광 에너지에 반응하여 표면 플라즈몬 공명 특성을 발현할 수 있다. 표면 플라즈몬 공명은 집중적인 전기적 필드로 나타나며, 그 효과가 메탈 나노 입자 주변으로 확대되고 국부화된다.
본 발명에서는 음극선 발광 형광체로서 레드 발광 형광체를 예시로 나타내었다. 이때, 메탈 나노 입자는 가시광선 영역에서 표면 플라즈몬 공명 특성을 갖을 수 있는 은 나노 입자로 선택하였다. 은 나노 입자는 표면에 집단적인 거동을 위한 충분한 전자밀도가 있으므로 형광체의 발광 영역에서 표면 플라즈몬 공명 특성을 보일 수 있다. 이러한 표면 플라즈몬 공명 특성은 은 나노 입자와 같이 표면 전자의 밀도가 높은 입자에서 통상 관찰되는데, 은, 금, 알루미늄 등과 같은 전이 금속에서 나타난다. 이들은 표면의 전자 입사광에 반응하게 되므로 음의 유전상수값을 갖게 되고, 따라서 특정 파장에서 표면 플라즈몬 공명 특성을 보일 수가 있다.
이와는 반대로 유전체의 경우에는 표면 전자의 밀도가 매우 낮아 전도 특성이 없고, 양의 유전상수값을 가지므로 임의의 광원에 대해서 표면 플라즈몬 공명 특성을 보이지 않는다.
따라서 본 발명에서 제안한 플라즈몬이 결합된 형광체 구조를 이용하기 위해서는 메탈 재질의 입자를 사용해야함이 자명하다. 그리고 표면 플라즈몬은 물질의 재질, 모양, 크기 등에 따라 공명 위치가 다양하게 나타날 수 있다.
이때, 메탈 나노 입자(140)는 표면 플라즈몬 공명 특성을 발현할 수 있는 금 나노 입자, 은 나노 입자, 알루미늄 나노 입자, 및 구리 나노 입자 중 어느 하나일 수 있다.
또한, 메탈 나노 입자(140)는 표면 플라즈몬 공명 특성이 강화될 수 있도록 구형, 다면체, 및 보우 타이(bow tie) 등의 형태로 형성된다. 예컨대, 은 나노 입자는 100nm 미만의 직경을 갖는 구에 가까운 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 은 나노 입자는 물리적 증착 방법에서는 구에 가깝게 형성되나 화학적 성장 방법에서는 표면 플라즈몬 공명 특성이 강화되도록 다면체, 및 보우타이 형태로 형성될 수 있다.
또한, 메탈 나노 입자(130)는 열적 증착 방법, 전자빔 증착 방법, 스크린 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착되되, 불규칙하게 배열되도록 형성된다.
또한, 메탈 나노 입자(231)는 한 가지 이상의 재질이 혼합되어 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 음극선 발광 형광체의 구조를 나타내는 제2 예시도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극선 발광 형광체는 기판(110), 형광체 층(120), 스페이서(130), 및 메탈 나노 입자(140) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
그림 (a)에서는 스페이서(130)가 형광체 층(120)의 상부에 형성되고 그 스페이서(130)의 상부에 메탈 나노 입자(140)가 형성되어 있다.
그림 (b)에서는 스페이서(130)가 형광체 층(120)의 하단에 형성되고 그 스페이서(130)의 내부에 메탈 나노 입자(140)가 배치되어 있으며, 그림 (c)에서는 스페이서(130)가 형광체 층(120)의 중간에 형성되고 그 스페이서(130)의 내부에 메탈 나노 입자(140)가 배치되어어 있다.
즉, 메탈 나노 입자(140)가 내부에 배치되어 있는 스페이서(130)는 형광체 층과 결합되도록 형성되는 것이 바람직하다.
물론, 그림에서는 메탈 나노 입자(140)가 내부에 배치되어 있는 스페이서(130)가 형광체 층의 하단과 중간에만 형성되어 있었지만, 이에 한정되지 않고 형광체 층의 상단, 중간, 하단 등의 어느 위치에라도 형성될 수 있다.
스페이서(130)는 발광체에 따라 메탈 나노 입자에 너무 가까이 위치한 경우 오히려 발광 세기가 감소하는 퀀칭 효과(Quenching effect) 효과에 의해 오히려 발광 강도가 감소하는 현상을 막기 위한 용도로서 유전체 스페이서가 구비된다.
이때, 스페이서(130)는 그 재질이 MgO, SiO2, Al2O3 등과 같은 유전체를 사용하며, 그 유전 상수가 1 내지 10 사이인 유전체를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 스페이서(130)는 그 두께가 5nm 내지 100nm 사이로 형성되는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메탈 나노 입자의 SEM 이미지를 나타내는 예시도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 메탈 나노 입자로서 은 나노 입자를 불규칙한 배열로 구비한 SEM(Secondary Electron Microscope) 이미지를 보여주고 있다.
여기서 SEM은 10-3Pa이상의 진공 중에 놓여진 시료표면을 1-100nm정도의 미세한 전자선으로 X-Y의 이차원방향으로 주사하여 시료의 형태, 미세구조의 관찰이나 구성원소의 분포, 정성, 정량 등의 분석을 행하는 장치를 일컫는다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 CL 측정 데이터를 나타내는 예시도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 메탈 나노 입자로서 은 나노 입자를 2.5nm 증착하고 스페이서를 MgO로서 20nm의 두께로 증착하였을 때, 증가된 음극선 발광(CathodoLuminescence; CL) 측정 데이터를 보여주고 있다.
또한, 은 나노 입자의 발광 스펙트럼(extinction spectrum)을 보여주고 있는데, 그림에서와 같이 발광 파장을 포함하여 가시광선 영역에서 발광(extinction) 특성을 가지고 있으므로, 가시광에 대해서 플라즈몬 특성을 보일 수 있다. 본 음극선 발광은, Gatan MonoCL3 장비를 이용하여 측정되었으며, 파장은 0.5 nm 로 스캔한 결과이다. 측정 조건에 따라 발광 스펙트럼의 모양은 다소 상이해질 수 있다고 예상되나, 피크의 위치 및 증가는 동일하게 나타난다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 발광 파장과 공진을 이룰 수 있는 메탈 나노 입자를 형광체 층과 결합시켜 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 형광체 층이 위치하도록 함으로써, 형광체의 발광 휘도를 크게 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 저비용으로 고효율 소자 구현이 가능할 수 있다.
본 발명에 의한, 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 형태로 변형, 응용 가능하며 상기 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 상기 실시 예와 도면은 발명의 내용을 상세히 설명하기 위한 목적일 뿐, 발명의 기술적 사상의 범위를 한정하고자 하는 목적은 아니며, 이상에서 설명한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형, 및 변경이 가능하므로 상기 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아님은 물론이며, 후술하는 청구범위뿐만이 아니라 청구범위와 균등 범위를 포함하여 판단되어야 한다.
110: 기판
120: 형광체 층
130: 스페이서
140: 메탈 나노 입자

Claims (17)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 기판;
    상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층;
    상기 형광체 층과 인접하여 형성되는 스페이서; 및
    표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 스페이서 외부에 배치되는 메탈 나노 입자를 포함하며,
    상기 스페이서는 상기 형광체 층의 상부에 형성되고 상기 스페이서의 상부에 상기 메탈 나노 입자가 배치되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 메탈 나노 입자는, 표면 플라즈몬 공명 특성을 갖는 금 나노 입자, 은 나노 입자, 알루미늄 나노 입자, 및 구리 나노 입자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 메탈 나노 입자는, 표면 플라즈몬 공명 특성이 강화될 수 있도록 구형, 다면체, 및 보우 타이(bow tie) 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 메탈 나노 입자는, 열적 증착 방법, 전자빔 증착 방법, 및 스크린 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착되되, 불규칙하게 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  12. 삭제
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 스페이서는, 그 재질이 MgO, SiO2, Al2O3 중 어느 하나의 유전체인 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 스페이서는, 1 내지 10 사이의 유전상수를 갖는 유전체를 사용하는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  15. 제8 항에 있어서,
    상기 스페이서는, 그 두께가 5nm 내지 100nm 사이로 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
  16. 삭제
  17. 기판;
    상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층;
    상기 형광체 층의 내부에 형성되는 스페이서; 및
    표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 스페이서 내부에 배치되는 메탈 나노 입자를 포함하며,
    상기 스페이서는 상기 형광체 층의 상단, 중간, 및 하단 중 어느 하나의 위치에 형성되고, 상기 스페이서의 내부에 상기 메탈 나노 입자가 배열되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조.
KR1020100126870A 2010-12-13 2010-12-13 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조 KR101182359B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100126870A KR101182359B1 (ko) 2010-12-13 2010-12-13 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100126870A KR101182359B1 (ko) 2010-12-13 2010-12-13 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120065641A KR20120065641A (ko) 2012-06-21
KR101182359B1 true KR101182359B1 (ko) 2012-09-20

Family

ID=46685287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100126870A KR101182359B1 (ko) 2010-12-13 2010-12-13 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101182359B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8809889B2 (en) 2013-01-03 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode package and display apparatus including the same
US9575228B2 (en) 2014-04-03 2017-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device including a color conversion layer

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103489998B (zh) * 2013-10-15 2017-01-18 四川柏狮光电技术有限公司 发光组件及其制造方法以及具有该发光组件的led照明装置
CN104241552A (zh) * 2014-01-02 2014-12-24 上海大学 一种具有金属增强荧光外转换层的oled发光器件制备方法
US11495428B2 (en) 2019-02-17 2022-11-08 Kla Corporation Plasmonic photocathode emitters at ultraviolet and visible wavelengths
US11217416B2 (en) 2019-09-27 2022-01-04 Kla Corporation Plasmonic photocathode emitters

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8809889B2 (en) 2013-01-03 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode package and display apparatus including the same
US9575228B2 (en) 2014-04-03 2017-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device including a color conversion layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120065641A (ko) 2012-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101182359B1 (ko) 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 적용하여 강화된 음극선 발광 형광체의 구조
WO2015127803A1 (zh) 有机电致发光器件和显示装置
Niioka et al. Multicolor cathodoluminescence microscopy for biological imaging with nanophosphors
Choi et al. The high contrast ratio and fast response time of a liquid crystal display lit by a carbon nanotube field emission backlight unit
JPWO2005115740A1 (ja) 面発光体
KR20070053144A (ko) 전계 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR100898288B1 (ko) 백색 형광체, 이를 이용하는 발광 장치, 및 이 발광 장치를백 라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시 장치
Psuja et al. Rare-earth doped nanocrystalline phosphors for field emission displays
US20070210704A1 (en) Electroluminescent device using nanorods
CN101482674B (zh) 显示装置及其发光面板
JP2006032355A (ja) 発光型の透明導電層及びこれを備えた電子放出素子
Kim et al. Building a backlight unit with lateral gate structure based on carbon nanotube field emitters
JP5612688B2 (ja) 発光素子、その製造方法および発光方法
CN102714120B (zh) 一种玻璃基材发光元件、其制造及其发光方法
KR20140090070A (ko) 확률론적 나노 구조물을 이용하여 양자 효율이 향상된 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법
JP2011257651A (ja) 発光基板および該発光基板を備えた画像表示装置
CN110164910B (zh) 颜色转换层及其制备方法、显示装置
JP2009266449A (ja) 有機ｅｌ素子
CN109545991B (zh) 金纳米双锥在oled器件中的应用
JP2010114069A (ja) 画像表示装置
KR101262887B1 (ko) 메탈 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명 특성을 이용하는 투명 플라즈마 디스플레이 소자의 구조
KR101383777B1 (ko) 금속 나노 입자의 표면 플라즈몬을 이용한 유기 발광 소자
JP4660522B2 (ja) 発光装置
JP5119631B2 (ja) 画像表示装置
US20090295270A1 (en) Device with electron beam excitation for making white light source

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150826

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee