KR101174807B1 - 실리카 유리판재 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

제조의 수율이 좋고, 제조비용이 낮고, 엑시머 램프광의 투과성과 내광성이 우수한, 고품질의 실리카 유리판재 및 그 제조방법을 제공한다.

SiOH기를 1ppm 이상 함유하는 관상의 합성 실리카 유리체의 축 방향으로 슬릿을 형성하고, 상기 슬릿이 윗면이 되도록 노 내의 내열성 평판 상에 가만히 놓고, 가열변형시키는 것에 의해 평판상의 실리카 유리체를 얻는 공정과, 상기 평판상의 실리카 유리체를 600~1200℃의 온도에서 열처리하는 공정과, 상기 평판상의 실리카 유리체의 바깥둘레 부분의 오염부분을 제거하는 공정을 가지도록 했다.

실리카, 유리판재, 투과성, 내광성, 엑시머램프, 판재

Description

실리카 유리판재 및 그 제조방법{Silica glass plate member and producing method for the same}

도 1은 본 발명에 따른 방법의 일 예의 수순의 대략을 나타내는 플로차트이다.

도 2는 관개성형법에 있어서 관상의 실리카 유리체의 정치방법의 일 예를 나타내는 개략설명도이다.

도 3은 성형 후의 평판상의 실리카 유리체를 나타내는 개략설명도이다.

도 4는 실시예 1의 성형공정의 가열조건을 나타내는 그래프이다.

도 5는 실시예 1~3, 비교예 1 및 2의 진공 자외영역의 초기 투과율 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.

도 6은 실시예 1~3, 비교예 1 및 2의 30mW의 키세논 엑시머 램프 조사에 의한 172nm 투과율의 변화를 나타내는 그래프이다.

[부호의 설명]

10 : 관상의 실리카 유리체, 12 : 슬릿, 14 : 내열성 평판, 16 : 평판상의 실리카 유리체.

본 발명은 자외선을 투과하는 대형 합성 실리카 유리판재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체나 LCD에 관계되는 VUV/O₃ 세정의 광원으로서 사용되고 있는 키세논 엑시머 램프 조사장치의 창재료로 바람직하게 이용될 수 있는 실리카 유리판재 및 그 제조방법에 관한 것이다.

근래, 액정의 제조공정에 있어서, 키세논 엑시머 램프가 진공 자외 (VUV)/O₃ 세정의 광원으로 사용되고 있다. 이는 유전체 배리어 방전 엑시머 램프라고 불리는 것으로 일반적으로는 크고 작은 석영관에서 형성된 방전공간에서 엑시머 발광시키는 구조로 되어 있고(관이 1개인 경우도 있다), 곧은 관인 형광등과 같은 형상으로 발광한다. 이 램프를 다수 배치하는 것에 의해 넓은 면적을 일괄하여 노광 가능한 유닛을 형성하는데, 이것이 엑시머 램프 조사장치로서 산업용으로 개발되어 있다. 키세논 엑시머 램프의 발광파장은 172nm로 상당한 단파장이기 때문에, 일반적으로 합성 실리카 유리가 투과용 재료로서 사용되고 있다. 최근 액정의 사이즈도 대형화 일도(一途)로 가고, 그것에 수반하여 조사장치도 대형화되어, 이것에 사용되는 합성 실리카 유리판 투과재도 대형인 것이 요구되고 있다.

일반적으로 합성 실리카 유리는 사염화규소 등을 원료로 하여 기상반응법에 의해 합성된다. 이는 상기 원료를 수소ㆍ산소화염 중에 도입하여 생성된 실리카 미 립자를 내열성 타겟 상에 퇴적시키는 방법으로, 퇴적과 동시에 용융하여 투명 유리체를 얻는 직접법, 또는 일단 다공질체(스토)를 얻은 후, 전기로 등에서 가열ㆍ용융하여 투명 유리체를 얻는 간접법(스토법)이라 불리는 두 가지가 대표적인 제조방법이다. 이렇게 해서 제조된 합성 실리카 유리는 금속불순물이 아주 적기 때문에 자외선영역까지 바람직한 투과율을 나타내는데, 특히 키세논 엑시머 램프의 발광파장인 172nm이라고 한 극자외선 영역의 투과성이 요구되는 재료는 실리카 유리 중의 수산기(SiOH기)가 적은 타입이 바람직하여 간접법으로 제조된 실리카 유리가 사용되는 경우가 많다.

일반적으로 간접법에 의한 합성 실리카 유리는 VAD법이나 OVD법이라 불리는 방법으로 제조되고 있다. 이들 방법으로 제조되는 실리카 유리체의 형상은 직경 100mm 정도인 원기둥, 또는 원통형상을 하고 있고, 대형 평판형상인 것을 얻기 위해서는 상기 형상의 실리카 유리체를 가열성형할 필요가 있다. 가열성형은 통상, 상기 실리카 유리체를 성형용 형 내에 설치하고 고온으로 가열하여 변형시키는 것에 의해 소정의 형상, 예를 들면 각주상(角柱狀)으로 성형하고 다시 얇은 판상으로 슬라이스하는 것으로 평판상의 실리카 유리판을 얻을 수 있다.

그러나 최근 LCD의 대형화에 수반하여 엑시머 램프광 투과용의 평판도 1m를 초과하는 사이즈인 것이 요구되고 있고, 이렇게 대형인 것에 대응하기 위해서는 상당히 큰 각주성형체를 얻을 필요가 있다. 이러한 경우, 원료가 되는 실리카 유리체를 복수 개, 동시에 성형하는 것이 필요하기 때문에 각각의 실리카 유리체가 용착(溶着)할 때 생기는 계면에서 맥리(脈理)가 발생하고, 광투과재로서의 특성이 악화 되는 것이 괘념된다. 또한, 일반적으로 성형의 형재료로서 카본재료가 사용되지만, 이것들은 소모부재이고, 재료의 대형화에 수반하여 이들 형재료도 대형인 것이 필요해져서 비용 면에서 큰 문제가 되고 있다. 또한, 판상 실리카 유리에 슬라이스 가공할 때의 재료가공 손실도 재료가 대형이 되면 될수록 더욱 커지는 절삭비용과 마진을 맞출 필요가 있어 손실이 가산되고 만다. 이렇게 근래의 대형평판의 요구에 대해서는 상기 성형법이 그다지 바람직한 제조방법이라고는 말할 수 없게 되었다.

대형화에 대응한 평판의 제조방법으로서, 실리카 유리관을 펼쳐 평판상 실리카 유리를 얻는 방법이 특허문헌 1에 제안되어 있다. 이것은 관상(管狀) 실리카체의 축 방향으로 슬릿을 형성하고, 슬릿이 윗면이 되도록 노(爐) 내에 넣어 놓아 관이 판상이 될때까지 가열하는 평판의 제조방법이다. 특허문헌 1에는 실리카 유리관을 펼쳐 평판으로 하기 위한 온도조건이 규정되어 있고, 기술상 중요한 점으로서 노 내의 온도분포를 들고 있다. 또한, 상기 특허문헌에서 제조되는 실리카 유리 평판의 용도로서, LCD 제조용인 대형 마스크재료나 투명층과 불투명층의 복수 층으로 이루어지는 실리카 유리 평판 등이 거론되고 있다.

상기 특허문헌 1에 있어서 특히 주목되는 효과는 일단 관을 만들어 펼친다는 공정을 거치는 것으로 대형화한 마스크재료에 있어서 유해한 맥리발생을 억제할 수 있고, 제조비용 면에서도 유리하다는 것이 기재되어 있다. 이렇게 관을 펼치는 것에 의한 성형법이 판재제조에 유리하다는 것이 나타나 있지만, 최근 1m를 초과하는 사이즈의 대형화가 진행되고 있는 키세논 엑시머 램프광 투과용의 판재를 제조하기 위해서는 상기 단순히 관을 펼치는 제조방법(관개제조방법)만으로는 물성적으로 불 충분한 것밖에 얻지 못한다는 것이 알려져 있다.

[특허문헌 1] 특개 2003-286041호 공보

키세논 엑시머 램프용인 대형 창재료에 요구되는 물성을 몇 가지 들 수 있는데, 특히 중요한 물성은 엑시머 램프광의 투과성과 내광성(耐光性)이다. 즉, 진공 자외영역까지 충분한 투과율을 가지고 있는 것, 또한 장기간의 엑시머 램프광의 조사에 의한 투과율의 저하가 생기지 않는 것이다. 또 광학재료로서 사용하기에는 램프 조사시의 형광도 적은 것이 바람직하다. 이러한 광학적인 물성을 만족한 재료를 관개(管開)성형법으로 제조하기 위해서는 종래의 방법을 답습하는 것만으로는 불충분하며 더욱 창의적인 고안이 필요하다고 인식되어 왔다.

본 발명은 상술한 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 제조의 수율이 좋고, 제조비용이 낮으며 엑시머 램프광의 투과성과 내광성이 우수한 고품질의 실리카 유리판재 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 실리카 유리판재의 제조방법은 SiOH기를 1ppm 이상 함유하는 관상의 합성 실리카 유리체의 축 방향으로 슬릿을 형성하고, 상기 슬릿이 윗면이 되도록 노 내의 내열성 평판 상에 가만히 놓고, 가열변형시키는 것에 의해 평판상의 실리카 유리체를 얻는 공정과, 상기 평판상의 실리카 유리체를 600~1200℃의 온도에서 열처리하는 공정과, 상기 평판상의 실리카 유리체의 바깥둘레 부분의 오염부분을 제거하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

상기 관상의 합성 실리카 유리체가 불소를 함유하는 것이 바람직하다.

본 발명의 키세논 엑시머 램프광 투과성 실리카 유리판재는 본 발명의 방법으로 제조되는 실리카 유리판재로서, 254nm의 여기광에 의한 형광이 없는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실리카 유리판재는 가상(假想)온도가 1200℃ 이하이고, 또한 두께 5mm에서의 172nm~190nm의 영역에 있어서 초기 투과율이 85% 이상인 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 실리카 유리판재는 불소를 50ppm 이상 5000ppm 이하 함유하는 것이 바람직하다.

본 발명의 실리카 유리판재는 키세논 엑시머 램프광의 투과재로서 특히 바람직하게 사용된다.

이하에 본 발명의 실시의 형태를 첨부도면에 기초하여 설명하지만, 도시예는 예시적으로 보이는 것으로, 본 발명의 기술사상에서 일탈하지 않는 한 다양한 변형이 가능함은 말할 것도 없다.

엑시머 램프광의 투과성과 내광성이 우수한 실리카 유리 대형 판재를 얻기 위해 본 발명자들은 예의연구를 행하여 다음과 같은 결과를 얻었다.

우선 키세논 엑시머 램프광의 투과성에 관해서는, 그 파장이 172nm인 진공 자외영역이며, 이 영역에서 충분한 투과성을 가지는 것은 합성 실리카 유리라고 할지라도 몇 가지 종류로 한정되어 있다. 일반적으로 키세논 엑시머 램프의 발광선은 160nm~190nm의 영역에 걸쳐 비교적 넓은 스펙트럼을 나타내나, 실리카 유리의 상기 영역의 투과성에 영향을 미치는 요인으로서 SiOH기 양, 산소결함, 금속불순물 등이 있고, 이들의 물성치가 충분히 관리된 실리카 유리를 사용하는 것이 중요하다.

특히 금속불순물의 함유는 상기 자외선영역의 투과율을 현저히 악화시킨다. 각종 금속불순물이 투과율 저하를 일으키는데, 특히 나트륨 함유량을 억제하는 것으로 높은 투과성을 유지할 수 있는 것이 알려져 있다. 따라서, 제조공정에서 나트륨에 의한 오염을 가능한 한 최소화하는 것이 중요하다.

조사 내성이라는 것은 키세논 엑시머 램프광을 조사한 때에 생기는 각종 광학적 데미지이고, 일반적으로는 투과율의 저하나 뒤틀림의 생성 등이 알려져 있다. 특히 장기간에 걸쳐 균일한 램프광 조사 강도를 얻기 위해서는 판재의 투과율의 저하를 억제하는 것이 중요하다. 실리카 유리의 투과율 저하는 엑시머 램프광 조사로 생기는 결함생성에 기인하는 것이고, 결함생성을 억제하기 위해서 실리카 유리의 네트워크구조를 더욱 안정한 것으로 해야한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위한 구체적인 수단으로서, 본 발명의 실리카 유리판재의 제조방법을 제안하는 것이다. 이하, 본 발명의 실리카 유리판재의 제조방법의 일 예에 관해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실리카 유리판재의 제조방법의 일 예의 수순의 대략을 나타내는 플로차트이다.

도 1에 나타낸 것처럼, 우선, 관상의 합성 실리카 유리체를 얻는다(스텝 100). 상기 관상의 실리카 유리체로서는 SiOH기 농도가 1ppm 이상인 것을 사용한다. 상기 스텝 100에 있어서, 관상의 실리카 유리체의 제조방법은 특히 한정되지 않지만, 간접법으로 제조하는 것이 바람직하다. SiOH기 양은 합성 실리카 유리의 제조방법에 심하게 의존하고 있고, 일반적으로 직접법이라 불리는 방법으로 제조된 실리카 유리에서는 500ppm 이상의 SiOH기를 함유하고 있기 때문에 진공 자외영역의 투과성이 좋지 않다. 이에 대해 간접법(스토법)이라 불리는 방법으로 제조된 합성 실리카 유리의 SiOH기 양은 제조조건에 의해 어느 정도 자유롭게 컨트롤할 수 있기 때문에 키세논 엑시머 램프용에 바람직한 재료라 할 수 있다.

SiOH기에 의한 흡수에 주목한 경우, SiOH기가 적을수록 바람직하다고 생각된다. 일반적으로 스토법에서는 염소 등의 탈수제를 사용하여 SiOH기를 거의 제거하는 것이 행해지고 있다. 그러나 이렇게 탈수처리된 실리카 유리에서는 강렬한 탈수작용에 수반하여 산소결핍결함(ODC)이 생기는 경우가 많고, 이 결함은 163nm에서 피크를 가지는 강한 흡수대를 가지기 때문에, 172nm의 투과율에 극심한 영향을 미치고 만다. 산소결핍결함은 SiOH기 농도를 대략 1ppm 이상으로 제어하는 것으로 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명에 사용되는 관상의 합성 실리카 유리체의 SiOH기 농도는 1ppm 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 또한 상한에 관해서는 SiOH기 자신의 흡수를 고려하여 상한을 400ppm 정도로 억제하여 두는 것이 바람직하다.

다음으로, 상기 관상의 실리카 유리체를 평판상으로 하기 위해, 관개성형법에 의한 성형공정을 실시한다(스텝 102). 도 2 및 도 3은 스텝 102를 원리적으로 나타내는 개략설명도이고, 도 2는 관상의 실리카 유리체의 정치(靜置)방법, 도 3은 성형 후의 평판상 실리카 유리체를 각각 나타낸다.

도 2에 나타낸 것처럼, 관상의 합성 실리카 유리체(10)의 축 방향으로 슬릿 (12)을 형성하고, 이 슬릿(12)이 윗면이 되도록 노 내의 내열성 평판(14) 상에 가만히 놓는다(정치한다). 이때, 슬릿이 정확히 제대로 위가 되도록 배치하는 것이 중요하다. 상기 슬릿(12)은 상기 관상의 실리카 유리체(10)의 축 방향으로 절단되어 있으면 바람직하고, 슬릿의 형성방법 및 가공형상 등은 특히 한정되지 않는다.

상기 내열성 평판(14)의 재질 등은 특히 한정되지 않지만, 성형 후에 직접 평판상의 실리카 유리체와 접촉하기 위해 고순도인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 고순도의 카본, 구체적으로는 회분(灰分) 20ppm 이하 정도의 고순도 등급인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 성형 후의 실리카 유리체의 평면성은 내열성 평판의 평면성에 좌우되기 때문에, 내열성 평판은 미리 평면도의 촌법정도(寸法精度)가 높은 것을 준비해 두는 것이 중요하다. 평면정도(平面精度)가 높은 내열성 평판을 사용하는 것에 의해 평면정도가 높은 평판상의 실리카 유리체를 형성할 수 있다.

사용하는 노는 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들면 카본을 사용한 진공가열로나 통상의 대기분위기로 사용 가능한 가열로 등을 들 수 있다. 또한, 투과율 저하를 억제하기 위해 가능한 한 금속불순물에 의한 오염이 적은 노를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 카본이 내열성 평판(14) 등의 부재에 사용되고 있는 타입의 노에서는 고순도의 카본, 구체적으로는 회분 20ppm 이하 정도의 고순도 등급인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 성형공정 중에는 상당히 높은 온도로 쐬이기 때문에 금속불순물이 외부로부터 실리카 유리 안으로 진입하기 쉬워지기 때문에 가능한 한 고순도로 유지된 노 내에서 처리하는 것이 필요하다.

전술한 것 같이 관상의 실리카 유리체(10)를 노 내에 배치한 후, 가열변형시키는 것에 의해 관상의 실리카 유리체(10)의 슬릿(12)부터 관이 펼쳐지고, 도 3에 나타낸 것처럼, 평판상의 실리카 유리체(16)가 얻어진다. 또한, 관상의 실리카 유리체(10)는 가열에 의해 자중(自重) 변형시키는 것이 가능한데, 필요에 따라 성형장치(예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 성형장치) 등을 사용해도 좋다.

가열성형할 때의 분위기는 진공, 질소 등의 불활성가스, 대기 등 특히 한정되는 것은 아니지만, 내열성 평판(14)이 카본인 경우는 불활성가스나 진공분위기가 일반적이다.

성형공정의 온도조건에 관해서는 처리하는 실리카 유리체의 사이즈나 유리두께 등에서 최적조건이 다르지만, 실리카 유리의 점도가 아직 충분히 높은 온도, 대략 1200℃ 까지는 적당한 속도로 온도를 상승시키고, 변형이 시작되는 1200℃ 정도부터 1500℃정도까지는 비교적 느린 속도로 온도를 상승시키는 것이 바람직하다. 이때의 온도 프로그램을 어떻게 설정하는가는 관상의 실리카 유리체의 사이즈나 유리두께로 다소 조정할 필요가 있지만, 1200℃~1500℃의 온도범위는 대략 2℃/분 정도의 승온속도로 설정하는 것이 바람직하다.

이 조건에서 1500℃ 정도까지의 승온이 완료되면 관은 내열성 평판 상에서 대부분 펼쳐진 상태에 있다. 경우에 따라서는 관의 펼쳐짐이 불충분하여 끝부분이 다소 평판에서 떠 있는 경우도 있지만, 이를 완전히 내열성 평판을 따르는 상태까지 변형시키기 위해서는 약 1700℃까지 승온을 계속하는 것이 바람직하다. 이때의 승온은 관을 펼치기 위해서가 아니라 내열성 평판에 밀착시키기 위해 행하는 것이 기 때문에 승온속도에 관해서는 그다지 고려할 필요가 없고, 가능한 한 빠른 승온속도로 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 외부로부터의 불순물 확산의 측면에서도 높은 온도로 쬐이는 시간이 짧을수록 오염이 적어지기 때문에, 오염을 억제하는 효과가 기대될 수 있다. 특히 Na금속불순물은 합성 실리카 유리의 자외선 영역의 투과성을 악화시키는 것이 알려져 있고, 가능한 한 Na에 의해 평판상의 실리카 유리체의 내부까지 오염되지 않도록 1700℃까지 빠르게 승온하는 것이 바람직하다.

상기 성형공정 후, 얻어진 평판상의 실리카 유리체를 600℃ 이상 1200℃ 이하의 온도로 열처리한다(스텝 104:열처리공정). 스텝 104에 의해 평판상의 실리카 유리체의 형광을 소실시키는 것이 가능하며 또한, 가상온도를 상기 성형공정 직후의 상태보다도 낮게 설정하는 것이 가능하기 때문에 키세논 엑시머 램프 조사 내성을 개선시킬 수 있다.

상기 스텝 102에 의해 얻어진 평판상의 실리카 유리체의 아랫면은 내열성 평판에 접해 있기 때문에 특히 표면부분에 금속불순물 등에 의한 오염이 확인되는 경우가 많다. 또한, 윗면에서도 노 내의 분위기부터도 어느 정도 오염이 발생하기 때문에 평판상의 실리카 유리체의 위아래 양면의 표면 근방은 Na 등의 금속불순물로 오염되어 있는 경우가 많다. 또한, 이들의 오염에 수반하여 실리카 유리판 전체에 황색 또는 녹색의 형광이 발생하는 경우가 많다. 형광 검사는 저압수은램프의 254nm 휘선(輝線)을 조사하는 것에 의해 육안으로 검사되는데, 일반적으로 황색(540nm)이나 녹색(490nm)의 형광은, 오염원은 특정할 수 없지만, 무엇인가의 금속불순물에 의해 실리카 유리가 오염된 경우에 생기는 컬러센터에 기인하는 것으로 생각되고 있다. 불순물을 특정할 수 없다고는 하지만, 경험상 Cu가 혼입한 경우 등, 강한 황색이나 녹색의 형광이 생기는 것이 알려져 있어 형광의 원인물질이라고 의심되고 있다.

본 발명의 방법에 있어서, 상기 성형 후의 평판상 실리카 유리체를 불순물이 적은 분위기 안에서 열처리(어닐)하는 것으로(스텝 104) 이들의 형광을 효과적으로 소실시킬 수 있다. 이는 형광의 원인이 되는 불순물이 외부로 확산하여 방출되기 때문이라고 생각하고 있다. 상기 스텝 104에 있어서 상기 분위기는 통상 대기나 질소 등의 불활성가스가 선택되지만, 특별히 한정되지 않는다.

일반적으로는 불순물을 외부로 확산시키기 위해서는 1200℃ 이하의 온도조건에서 처리하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 온도가 지나치게 높으면 역으로 노 내의 분위기를 고순도로 유지하는 것이 어렵기 때문이다. 또한, 지나치게 온도가 낮으면 형광을 소실시키는 효과가 낮아, 대략 600℃ 이상의 온도가 필요하다. 열처리시간은 재료의 종류, 사이즈 등에 의해 조정되는데, 두께 10mm 정도의 평판상 실리카 유리체의 경우, 1시간 이상의 열처리 시간이 바람직하고, 12시간 이상 열처리하는 것이 더욱 바람직하다. 열처리 시간의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 100시간 열처리하면 충분한 효과가 얻어지기 때문에 100시간 이하가 바람직하다.

또한, 조사에 의한 데미지 메커니즘에 관해서는 아직 잘 해명되지 않은 부분도 많지만, 실리카 유리 네트워크가 자외선 조사에 의해 변화하여 무엇인가의 결함구조가 생성되고, 이것이 투과율 저하를 일으킨다고 생각되고 있다. 구조결함으로서 일반적으로 잘 알려진 것은 215nm에서 흡수 피크를 가지는 E' 센터, 260nm에서 흡수를 가지는 NBOHC 등을 들 수 있다. 172nm에 대해 투과율 저하를 일으키는 결함종은 아직 잘 판명되어 있지 않지만, 실리카 유리 네트워크구조의 안정성을 늘리는 것에 의해, 투과율에 영향을 미치는 데미지 발생을 억제할 수 있다는 것이 알려져 있다.

가상온도를 낮게 설정하는 것에 의해 실리카 유리 네트워크의 안정성이 증대되고, 엑시머 램프 조사에 의한 결함발생이 억제되고, 나아가 투과율의 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 가상온도는 가능한 한 낮은 것이 바람직하지만, 지나치게 낮은 온도로 설정하려면 장시간의 열처리가 필요하여 생산성에 악영향을 미친다. 본 발명자들의 연구에 따라 가상온도를 1200℃ 이하로 설정하여 두면, 엑시머 램프 용도로는 충분히 사용 가능한 내성이 높은 것이 생긴다는 것을 알았다. 따라서, 가상온도를 1200℃ 이하로 설정하는 것이 바람직하다.

다음으로, 상기 스텝 104에 의해 형광을 제거하고, 조사 내성의 향상을 행한 상기 평판상 실리카 유리체에 대해 상기 평판상의 실리카 유리체의 바깥부분의 오염부분을 제거하는 제거처리공정을 실시한다(스텝 106). 또 바깥 둘레부분은 평판상 실리카 유리체의 위아래 양면 및 측면 4면의 외표면 부분을 의미하는 것이다.

상기 스텝 104에 의해 얻어진 평판상의 실리카 유리체는 내열성 평판에 접촉한 아랫면이나 노 내 분위기로 쐬인 윗면에서는 금속불순물에 의한 오염이 어느 정도의 깊이까지 도달하고 있고 또한, 측면에 있어서도 오염이 확인되기 때문에 이 오염부분의 172nm 투과율의 악화가 괘념되지만, 상기 스텝 106에 의한 상기 오염부분을 제거하는 것에 의해 투과율이 높은 실리카 유리판재를 제조할 수 있다.

바깥둘레부분의 오염부분을 제거처리하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 평면연삭판 등으로 오염부분을 가공하여 제거하는 것이 바람직하다. 제거량은 실리카 유리체의 외표면 부분의 오염상태에 따라 결정하는 것이 바람직하고 특별히 한정되지는 않지만, 통상 본 발명의 방법의 제조조건의 경우, 실리카 유리체의 위아래 면의 불순물에 의한 오염은 표면으로부터 약 1~2mm 정도에 머무르고 있기 때문에 윗면 및 아랫면에 관해서는 각각 표면을 1mm 이상 제거하는 것이 바람직하다. 제거량의 상한은 특별히 한정되지는 않지만 표면으로부터 2mm 제거하면 충분한 효과가 얻어지기 때문에 제거량을 2mm 이하로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 측면의 제거량은 표면으로부터 10~20mm의 범위로 제거하는 것이 바람직하다.

상기 스텝 106으로 오염부분을 제거하는 것에 의해 실리카 유리판재의 Na 농도를 5ppb 이내로 하는 것이 가능하고, 자외선영역에 있어서 특별히 현저한 투과율 저하도 확인되지 않고, 두께 5mm 정도의 172nm 초기 투과율이 85% 이상인 것을 안정적으로 제조할 수 있다.

상술한 것처럼, 본 발명 방법에 따르면, 광학적인 물성이 뛰어나고 키세논 엑시머 램프용의 투과재료로서 바람직한 대형 실리카 유리판재를 얻을 수 있다. 본 발명의 방법으로 제조된 대형 실리카 유리판재는 254nm의 여기광(예를 들면, 저압수은램프 조사)에 의한 가시의 형광이 실질적으로 확인되지 않고, 또한 키세논 엑시머 램프광의 투과성과 내광성이 극히 양호하다. 또한, 본 발명의 방법에 따르면, 두께 5mm 정도의 172nm~190nm의 영역에 있어서 초기투과율이 85% 이상을 유지하고 있고, 덧붙여 가상온도가 1200℃ 이하로 설정되어 있는 것으로부터 장기간의 엑시 머 램프 조사에 대해서도 안정적인 투과성을 나타내는 대형 실리카 유리판재를 얻을 수 있다.

다음으로, 본 발명의 실리카 유리판재의 제조방법의 다른 예에 관하여 설명한다. 본 발명의 방법에 있어서는 실리카 유리체에 불소를 도프하는 것에 의해 실리카 유리 네트워크의 구조안정성을 증가시켜 조사 내성을 더욱 향상시킬 수 있다.

불소가 미량으로 도프되는 것에 의해 SiO₂ 네트워크 중에 존재하는 불순물의 1종인 SiOH기가 Si-F기로 일부 치환되는데, 이것이 네트워크의 구조안정성에 기여하고 있다. 즉, SiO₂ 네트워크 중에 어느 일정한 농도로 불소가 분포하는 것으로 SiO₂의 네트워크구조 자체의 완화를 돕는 효과를 나타내며 SiO₂ 구조의 결합각이나 결합거리가 더욱 안정적인 구조를 얻기 쉬워지기 때문에 네트워크구조 자체가 통상의 순수한 석영유리보다 안정화한다고 생각되고 있다.

도프하는 불소량을 특별히 한정하지는 않지만, 일반적으로 상당히 많은 양의 불소를 고온에서 반응시킨 경우, 강렬한 탈수작용에 의해 SiOH기가 1ppm 미만으로 되고, 163nm에 산소결손에 의한 강한 흡수밴드가 생성하는 경우가 많다. 이 밴드는 키세논 엑시머 램프 파장인 172nm에 큰 영향을 주기 때문에 산소결손의 생성은 충분히 억제할 필요가 있다. 따라서, 적어도 SiOH기가 1ppm 이상 잔류하고 또한, 일정량의 불소도 함유하고 있는 것이 바람직하다. 불소의 함유량으로서 바람직한 수치는 대략 50ppm~5000ppm이다. 이 이하에서는 구조안정화의 효과를 기대할 수 없고, 또한 이 이상에서는 산소결손이 발생하기 쉽기 때문이다.

불소의 도프는 제조공정 중 어느 단계에서 실시해도 바람직한데, 예를 들면 관상의 실리카 유리체를 제조하는 단계나 얻어진 관상의 실리카 유리체 또는 평판상의 실리카 유리체에 대해 불소를 함유하는 분위기 안에서 열처리하는 것을 들 수 있는데, 관상의 실리카 유리체를 제조하는 단계에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 본 발명의 방법의 다른 예에 있어서는 불소 및 SiOH기를 함유하는 관상의 합성 실리카 유리체를 얻은 후, 상기 본 발명의 방법의 일 예와 동일하게 관개성형법에 의한 평판상의 실리카 유리체의 성형공정, 열처리공정 및 제거처리공정을 실시하는 것이 바람직하다.

상기 불소 및 SiOH기를 함유하는 관상의 합성 실리카 유리체의 제조방법은 특별히 한정되지 않지만, 규소화합물의 화염가수분해법에 의해 얻어진 실리카 미립자를 퇴적시킨 소위 다공질모재(스토)의 단계에서 불소를 함유하는 분위기 안에서 열처리하는 방법이 일반적이다. 이때 사용하는 불소함유 화합물은 특별히 한정되 않지만, 예를 들면, SiF₄, SF₆, F₂ 등을 들 수 있고, 이것을 불활성가스에 희석하여 불소를 함유하는 분위기의 가스를 얻을 수 있다. 처리온도나 처리시간은 도프하는 불소농도나 스토의 크기 등에 의해 적당히 조절되는데, 일반적으로 처리온도는 실온~1000℃, 처리시간은 1시간 이상이라고 한 조건이 바람직하게 선택된다.

이렇게 관상의 합성 실리카 유리체로부터 제조된 불소를 일정량 함유하는 실리카 유리판재는 특히 우수한 조사 내성을 가지고, 바람직하게 키세논 엑시머 램프용의 투과재료로서 사용가능한 것이다.

[실시예]

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 이들 실시예는 예시적으로 나타낸 것으로, 한정적으로 해석되지 않음은 말할 것도 없다.

실시예 및 비교예에서 사용하는 측정치는 이하의 측정법에 의한다.

i) SiOH기의 측정

적외선 흡수 스펙트럼 분광광도계(일본분광(주) 제조 IR-700형)로 파장 2.7미크론의 O-H 신축진동 밴드의 강도를 측정하고, 하기식 (1)에 의해 산출. 하기식 (1) 중, D는 파장 2.7미크론의 밴드의 흡광도, t는 샘플두께(cm)를 나타낸다.

ㆍㆍㆍ(1)

ii) 불소 함유량의 측정

불소이온 전극을 사용하여 정량분석.

iii) 진공 자외 영역의 초기 투과율의 측정

일본분광(주)제 VUV-2000 진공 자외 흡수 분광광도계로 측정. 스펙트럼의 측정은 두께 5mm 광학 양면연마를 행한 시료를 사용했다.

iv) 가상온도(FT)의 측정

실리카 유리의 라만 스펙트럼과 가상온도와의 관계가 검토되어 있고, 결함선이라고 불리고 있는 D₁(495cm^-1)과 D₂(606cm^-1)의 밴드의 면적강도가 가상온도와 관계 하고 있다는 것이 알려져 있다(비정질 실리카재료 응용 핸드북, 리아라이즈출판사, 96쪽). 이 특성을 이용하여 퀀칭(quenching)에 의해 강제적으로 가상온도를 설정한 실리카 유리의 D₁ 및 D₂ 밴드의 면적강도를 측정하여 검량선을 만들고 이후, 라만 스펙트럼을 측정하는 것에 의해 실제 시료의 가상온도가 측정된다. 또한, 라만 스펙트럼 측정은 일본분광(주) 제조의 NR-1100라만 분광광도계를 이용하였다.

(v) 형광측정

암실에서, 254nm의 휘선을 내는 소비전력 18W의 저압수은램프광을 샘플에 5cm의 거리에서 조사하고, 육안으로 형광의 유무를 관찰. 다시 형광분광광도계(일립제조 F-4500)를 사용하여 형광을 측정.

vi) 뒤틀림

직교니콜법으로 육안관찰.

vii) 키세논 엑시머 램프 조사 내성

두께 5mm인 양면광학연마 샘플로 에너지 30mW인 키세논 엑시머 램프광을 1000시간 조사하고, 진공 자외 영역의 투과율 스펙트럼을 측정하여 172nm의 투과율 변화를 산출했다.

(실시예 1)

사염화규소를 원료로 하여 스토외(外)붙임법으로 바깥지름 150mm, 안지름 80mm, 길이 1200mm인 원통형상의 투명 실리카 유리체를 얻었다. 이 원통형상 실리카 유리체를 가열로 안에 도입하고, 연속적으로 바깥지름을 확장시키는 가열변형을 행하면서 꺼내는 것에 의해 바깥지름 200mm, 유리두께 8mm인 관상의 실리카 유리체를 얻었다. 얻어진 관상의 실리카 유리체의 SiOH기 농도는 200ppm이고, 형광측정의 결과, 특별히 눈에 띄는 형광은 확인되지 않았다.

상기 관상의 실리카 유리체를 길이 800mm로 절단하고, 길이방향으로 폭 3mm인 슬릿을 형성하고, 상기 슬릿이 윗면이 되도록 가열로 내의 내열성 평판 상에 가만히 놓았다(정치했다)(도 2 참조). 또한, 관상의 실리카 유리체를 정치하는 내열성 평판은 회분 20ppm 이하의 고순도 등급의 카본을 사용했다.

다음으로 노 내를 진공으로 유지하고, 관상의 실리카 유리체를 판상으로 펼치기 위해 가열했다. 이때의 온도조건은 도 4에 나타냈다. 실온에서 1200℃까지는 90분 승온하고, 1200℃~1470℃의 범위는 1분 당 2℃의 속도로 승온했다. 그 후, 1700℃까지 42분 승온하고 1700℃에서 5분간 유지한 후, 냉각했다. 내열성 평판 상에 정치한 관상의 실리카 유리체는 평판을 따라 완전한 평판상으로 성형되어 있고, 약 800mm×600mm×8mm인 평판상의 실리카 유리체가 얻어졌다.

얻어진 평판상의 실리카 유리체는 내열성 평판을 따라 성형되어 있기 때문에 좋은 평면성을 가지고 있었다. 이 단계에서 254nm 저압수은램프를 조사하여 형광을 관찰한 결과, 유리체 전체에 황색의 형광이 관찰되었다. 다음으로, 얻어진 평판상의 실리카 유리체를 가열로 안에 정치, 대기 중에서 1050℃로 48시간 열어닐처리를 행했다. 두 번째로, 저압수은램프를 조사하여 형광을 관찰한 결과, 황색의 형광은 소실되었고, 특히 눈에 띄는 형광은 관찰되지 않고, 형광분광광도계에 의한 측정에 있어서도 형광은 검출되지 않았다. 이 실리카 유리체의 가상온도는 1020℃, 뒤틀림 양은 5nm/cm 이하였다.

어닐 후의 실리카 유리체의 측면으로부터 각각 20mm, 위아래 양면으로부터 각각 1.5mm 깍아내고, 최종적으로 두께 5mm인 양면광학연마품을 제작했다. 얻어진 양면광학연마품 중 임의의 여러 개소에서 샘플을 잘라내고, 진공 자외영역의 초기 투과율을 측정한 결과, 172nm의 초기 투과율[(표면반사손실을 포함하는 출사광강도)÷(입사광강도)%]은 87.8%, 또한, 170~190nm인 영역에서 85% 이상의 높은 투과성을 나타냈다. 도 5에 실시예 1의 투과율 스펙트럼을 나타냈다.

다시 키세논 엑시머 램프 조사 내성을 조사하기 위해, 조도(照度) 30mW의 키세논 엑시머 램프광을 상기 샘플에 조사하고, 172nm의 투과율 열화(劣化)를 검토했다. 도 6에 172nm 초기 투과율의 변화를 나타냈는데, 1000시간 조사 후에 172nm의 투과율을 측정한 결과, 두께 5mm 샘플에서 76%의 투과율을 나타냈다.

실시예 1에서 제작한 실리카 유리판재는 높은 초기 투과율을 가지기 때문에 효율 좋게 172nm의 엑시머 램프광을 투과하고 또한, 장시간의 조사에 의해서도 크게 투과율을 저하시키는 일 없이 비교적 안정적이어서, 키세논 엑시머 램프용으로 바람직하게 사용될 수 있는 실리카 유리재료이다.

(실시예 2)

실시예 1과 동일한 방법으로 바깥지름 250mm, 유리두께 9mm, 길이 1500mm인 관상의 실리카 유리체를 얻었다. 상기 실리카 유리체의 SiOH기 농도는 200ppm, 또한 저압수은램프 조사의 검사에서도 특별히 눈에 띄는 형광은 확인되지 않았다.

실시예 1과 동일한 방법 및 조건으로 가열하여 700mm×1500mm의 영역에서 거 의 평판형상으로 되어 있는 두께 9mm의 실리카 유리체를 얻었다. 다시 실시예 1의 경우와 동일하게 대기중에서, 1050℃로 48시간 열어닐처리를 행했다. 얻어진 평판상의 실리카 유리체에는 저압수은램프 조사 및 형광분광광도계의 검사 결과, 형광은 검출되지 않았다. 또한, 이 실리카 유리체의 가상온도는 1020℃, 뒤틀림 양도 5nm/cm 이하였다. 실시예 1과 동일하게 어닐 후의 실리카 유리체의 측면으로부터 각각 20mm, 위아래 양면으로부터 각각 2mm 자르고, 최종적으로 두께 5mm인 양면광학연마품을 제작했다.

얻어진 양면광학연마품으로부터 샘플을 잘라내고 실시예 1과 동일하게 각각 측정했다. 172nm의 초기 투과율은 87.7%, 또한 170~190nm의 영역에서 85% 이상의 높은 투과성을 나타냈다. 조도 30mW의 키세논 엑시머 램프광을 1000시간 조사한 후의 172nm의 투과율(두께 5mm)은 75%였다. 도 5에 진공 자외영역의 투과율 스펙트럼을, 또, 도 6에 키세논 엑시머 램프를 조사한 경우의 172nm에서의 투과율 열화를 각각 나타냈다.

실시예 2에서 제작한 실리카 유리판재는 높은 초기 투과율을 가지기 때문에 효율 좋게 172nm의 엑시머 램프광을 투과하고, 또한 장시간의 조사에 의해서도 크게 투과율을 저하시키는 일 없이 안정적이다. 또한, 원료가 되는 관상의 실리카 유리체로서 비교적 큰 것을 선택하는 것에 의해 넓은 면적의 실리카 유리판재를 얻을 수 있고, 실시예 2에서 제작된 실리카 유리판재는 특히 대형의 엑시머 램프 조사장치의 창재료 등에 바람직하게 사용가능한 것이다.

(실시예 3)

사염화규소를 원료로 한 스토외붙임법에 의한 실리카 유리의 제조방법에 따라, 바깥지름 260mm, 안지름 100mm, 길이 1500mm인 원통상 스토 모재를 제작하고, 이것을 불소를 함유하는 분위기 안에서 열처리하여 불소를 도프했다. 불소도프의 처리조건은 분위기가스는 1체적%의 SiF₄/He의 혼합가스, 처리온도는 300℃, 처리시간은 10시간이다. 그 후, 진공 중에서 투명유리화를 행하여 바깥지름 150mm, 안지름 80mm, 길이 1200mm인 원통형상의 투명 실리카 유리체를 얻었다.

이 원통형상 실리카 유리체를 가열로 안에 도입하고 연속적으로 바깥지름을 확장시키는 가열변형을 행하면서 꺼내는 것에 의해 바깥지름 200mm, 유리두께 9mm, 길이 800mm인 관상의 실리카 유리체를 얻었다. 상기 실리카 유리체의 SiOH기 농도는 15ppm, 불소농도는 800ppm이었고, 저압수은램프 조사의 검사에서도 특별히 형광은 확인되지 않았다. 실시예 1과 동일한 방법 및 조건에서 가열하여 500mm×800mm의 영역에서 거의 평판형상으로 되어 있는 두께 11mm의 실리카 유리체를 얻었다.

상기 실리카 유리체를 대기중에서 1000℃로 48시간 열어닐처리를 행했다. 얻어진 실리카 유리체에서는 저압수은램프 조사 및 형광분광광도계의 검사에 의해 발견된 형광은 관찰되지 않았다. 또한, 이 실리카 유리체의 가상온도는 980℃였고, 뒤틀림 양도 5nm/cm 이하였다. 실시예 1과 동일하게 어닐 후의 실리카 유리체의 측면으로부터 각각 20mm, 위아래 양면으로부터 각각 2mm 깍아내고, 최종적으로 두께 5mm인 양면광학연마품을 제작했다.

얻어진 양면광학연마품으로부터 샘플을 잘라내고, 실시예 1과 동일하게 각각 측정했다. 상기 샘플의 진공 자외영역의 투과율 측정에서 172nm의 초기 투과율은 87.8%, 또한 170~190nm의 영역에서 85% 이상의 높은 투과성을 나타냈다. 또한 실시예 3의 샘플은 160nm인 극단파장영역에서도 75% 이상의 고투과율을 나타냈다. 도 5에 진공 자외영역의 투과율 스펙트럼을 나타내었는데, 실시예 3의 샘플의 투과율이 특히 단파장측까지 향상되어 있는 것을 알았다. 조사 내성에 관해서도 실시예 1과 동일한 방법으로 평가한 결과, 조도 30mW의 키세논 엑시머 램프광을 1000시간 조사한 후의 172nm는 84%(두께 5mm)였고, 상당히 좋은 조사 내성을 나타냈다(도 6).

실시예 3에서 제작한 실리카 유리판재는 160nm 정도까지 높은 투과율을 나타내고, 따라서 효율 좋게 172nm의 엑시머 램프광을 투과하며 또한, 장시간의 조사에 의해서도 거의 투과율을 저하시키는 일 없이 안정적이기 때문에, 특히 엑시머 램프 조사장치의 창재료나 투과재 등에 바람직하게 사용될 수 있는 것이다.

(비교예 1)

형광제거와 가상온도 설정을 위한 1000℃, 48시간의 대기중에서의 열어닐처리를 행하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 양면광학연마품을 제작했다. 얻어진 양면광학연마품으로부터 샘플을 잘라내고, 실시예 1과 동일하게 각각 측정했다. 저압수은램프 조사시의 형광 육안 검사에서는 얻어진 실리카 유리체 전체에 상당히 강한 황색 형광이 관찰되었다. 실리카 유리체의 일부를 잘라내어 형광분광광도계로 측정한 결과, 540nm에서 피크를 가지는 강한 형광 밴드가 관찰되었다. 또한, 이 실리카 유리체의 가상온도는 1250℃였다.

두께 5mm 샘플에서의 172nm 초기 투과율은 86.4%로, 그다지 나쁜 것은 아니 지만, 170~190nm의 영역에서 약간의 흡수가 확인되었다(도 5). 실시예 1과 동일한 방법으로 조도 30mW인 키세논 엑시머 램프를 조사하여 장시간 172nm에 있어서의 투과율 변화를 측정한 결과를 도 6에 나타내었는데, 조사 직후부터 급격히 투과율 저하가 발생했고, 1000시간 조사 후의 두께 5mm 샘플에서의 초기 투과율은 59%까지 저하했다. 실시예 1과 비교해서도 상당히 큰 투과율 저하를 일으키고 있는 것이 확인되었다.

이는, 가상온도가 높은 것에 기인하고 있는 것으로 생각되고, 열어닐을 생략하는 것에서 SiO₂ 네트워크 구조의 안정성이 낮은 상태로 구조가 동결됐기 때문에, 자외선 조사에 대한 데미지가 증가한 것이라고 생각된다. 또한, 키세논 엑시머 램프 조사시의 황색 형광도 상당히 강했고, 또한 뒤틀림도 10nm/cm 이상 가지고 있었으며, 키세논 엑시머 램프용의 재료로서 그다지 바람직한 것은 얻어지지 않았다.

(비교예 2)

바깥지름 200mm, 두께 6mm, 길이 800mm인 관상의 실리카 유리체를 사용하여 어닐처리 후의 제거처리공정에 있어서, 평판상의 실리카 유리체의 위아래 면으로부터 각각 0.5mm(합계 1mm)를 자르고, 측면을 제거하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 두께 5mm인 양면광학연마품을 제작했다. 얻어진 실리카 유리판재의 가상온도는 1020℃였다.

두께 5mm에서의 172nm 초기 투과율은 84.6%였고, 실시예 1과 비교하면 약간 낮은 수치로 되었다. 또한 170~200nm에서는 현저한 투과율 저하가 확인되었고, 키 세논 엑시머 램프광의 일부가 흡수된다는 것을 알았다(도 5). 또한, 조사 내성에 관해서는 실시예 1의 경우와 거의 동등하였고, 조도 30mW인 키세논 엑시머 램프를 1000시간 조사한 후 172nm에서의 초기 투과율(두께 5mm)은 72.5%였다(도 6).

비교예 2에서는 어닐 후 위아래 면으로부터 각각 0.5mm 정도밖에 연삭제거하지 않아, 평판상의 실리카 유리체의 오염부분이 완전히 제거되지 않았기 때문에 자외선영역, 특히 170~190nm 영역의 투과율을 저하시킨 것으로 생각된다. 투과율의 저하량은 그다지 현저하지는 않지만, 키세논 엑시머 램프용의 재료로서는 그다지 바람직한 것이 얻어지지 않았다.

본 발명의 실리카 유리판재의 제조방법에 따르면, 키세논 엑시머 램프광 등의 진공 자외광의 투과성 및 내광성이 우수하고, 키세논 엑시머 램프 조사시에 형광이 발생하지 않는, 대형 실리카 유리판재를 간단하게 또한 저비용으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법으로 제조된 본 발명의 실리카 유리판재는 172nm에 있어서 초기 투과율이 높고, 장기간의 키세논 엑시머 램프 조사에 의한 투과율의 저하도 적어 안정적이며, 또한 램프 조사시의 황색 형광도 관측되지 않는 고품질의 실리카 유리판재로서, 특히 대형 키세논 엑시머 램프 조사장치의 창판(窓板) 등에 바람직하게 사용할 수 있는 것이다.

Claims (10)

1. SiOH기를 1ppm 이상 함유하는 관상의 합성 실리카 유리체의 축 방향으로 슬릿을 형성하고, 상기 슬릿이 윗면이 되도록 노 내의 내열성 평판 상에 가만히 놓고, 1200℃~1500℃의 온도범위 및 소정의 승온속도에서 상기 합성 실리카 유리체를 가열변형시키는 것에 의해 평판상의 실리카 유리체를 얻는 공정;

   상기 평판상의 실리카 유리체 중의 불순물을 외부에 확산하여 방출하기 위하여 상기 평판상의 실리카 유리체를 600℃~1200℃의 온도에서 12시간 이상 100시간 이하로 열처리하는 공정; 및

   상기 열처리한 평판상의 실리카 유리체의 바깥둘레 부분의 오염부분을 윗면 및 아랫면에 대하여는 1~2mm 및 측면에 대하여는 10~20mm의 범위에서 연삭제거하여 실리카 유리체 중의 Na 농도를 5ppb 이하로 하는 공정;을 가지며,

   상기 소정의 승온속도가 2℃/분 이고, 254nm의 여기광에 의한 형광이 없고, 가상온도가 1200℃ 이하이고, 두께 5mm에서의 172nm~190nm 영역의 초기 투과율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 키세논 엑시머 램프광 투과성 실리카 유리판재의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 관상의 합성 실리카 유리체가 불소를 함유하는 것을 특징으로 하는 키세논 엑시머 램프광 투과성 실리카 유리판재의 제조방법.
3. 제 2항에 있어서, 불소를 50ppm 이상 5000ppm 이하 함유하는 것을 특징으로 하는 키세논 엑시머 램프광 투과성 실리카 유리판재의 제조방법.
4. 키세논 엑시머 램프광의 투과재로 사용하는 것을 특징으로 하는 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 실리카 유리판재.
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