KR101165163B1 - 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지 - Google Patents
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Abstract
염료감응 태양전지의 그리드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지가 제공된다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법은 서로 대향하는 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판, 상기 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판상에는 적층된 그리드 및 이들 기판 사이에 충진되는 전해질을 포함하며, 복수 개의 단위 셀로 구성된 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법에 있어서, 그리드가 형성 영역의 일면을 제외한 타면을 밀봉층으로 밀봉하는 단계; 상기 일면을 통하여 그리드를 상기 그리드 형성 영역으로 주입하는 단계; 및 상기 일면을 또 다른 밀봉층으로 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법은 밀봉층에 의하여 미리 형성된 그리드 공간에 그리드를 채우는 방식이므로, 페이스트 형태의 두 금속층을 정밀하게 접합시켜야 하는 종래 기술에 비하여 그리드 제조 공정이 경제적이다. 더 나아가, 상하 기판 그리드 전극의 접촉능을 증가시켜 모듈의 전기적 특성이 향상되며, 공간에 균일하게 형성된 그리드에 의하여 기판 사이의 기계적 지지 특성 또한 향상된다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법은 서로 대향하는 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판, 상기 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판상에는 적층된 그리드 및 이들 기판 사이에 충진되는 전해질을 포함하며, 복수 개의 단위 셀로 구성된 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법에 있어서, 그리드가 형성 영역의 일면을 제외한 타면을 밀봉층으로 밀봉하는 단계; 상기 일면을 통하여 그리드를 상기 그리드 형성 영역으로 주입하는 단계; 및 상기 일면을 또 다른 밀봉층으로 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법은 밀봉층에 의하여 미리 형성된 그리드 공간에 그리드를 채우는 방식이므로, 페이스트 형태의 두 금속층을 정밀하게 접합시켜야 하는 종래 기술에 비하여 그리드 제조 공정이 경제적이다. 더 나아가, 상하 기판 그리드 전극의 접촉능을 증가시켜 모듈의 전기적 특성이 향상되며, 공간에 균일하게 형성된 그리드에 의하여 기판 사이의 기계적 지지 특성 또한 향상된다.
Description
본 발명은 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 측면으로 전도성 물질을 충진하여, 기판 간의 그리드를 형성시키므로, 상하 그리드의 정확한 접합 공정이 필요하지 않으므로, 경제성 있는 염료감응 태양전지의 제조가 가능하고, 또한, 상하 기판 그리드 전극의 접촉능을 증가시켜 모듈의 전기적 특성이 향상되는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법 및 이에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
1991년 스위스의 마이클 그라첼(Michael Gratzel) 등에 의해 발표된 것이 대표되는 염료감응 태양전지는 기존의 실리콘 태양전지에 비해 제조단가가 낮고, 단가 대비 에너지 변화효율이 높으며, 투명성과 구부림이 가능한 셀을 제조할 수 있어 다양한 응용분야에 이용될 수 있는 장점이 있어 주목을 받아 오고 있다. 이러한 염료감응 태양전지는 빛을 가시광선 영역에서 흡수하여 전자-홀 쌍을 생성할 수 있는 염료분자와 생성된 전자를 전달하는 이산화티타늄(TiO2) 전이금속산화물이 포함된 광전극과 전해질 용액의 산화환원반응의 촉매 역할을 하는 백금층이 코팅된 상대전극으로 구성된다. 다공질 막의 형태로 존재하는 광전극은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2)과 같은 넓은 밴드갭을 가진 n형 산화물 반도체로 구성되고, 이 표면에 단분자층의 염료가 흡착되어 있다. 태양광이 태양 전지에 입사되면 염료 속의 페르미 에너지 부근의 전자가 태양에너지를 흡수하여 전자가 채워지지 않은 상위 준위로 여기 된다. 이때, 전자가 빠져나간 하위 준위의 빈자리는 전해질 속의 이온이 전자를 제공함으로써 다시 채워진다. 염료에 전자를 제공한 이온은 광전극으로 이동하여 전자를 제공받게 된다. 백금 상대전극은 전해질 용액 속에 있는 이온의 산화환원 반응의 촉매로 작용하여 표면에서의 산화 환원 반응을 통하여 전해질 속의 이온에 전자를 제공하는 역할을 한다.
즉, 이러한 염료감응 태양전지는 염료분자가 흡착된 나노 결정 산화물 필름이 코팅된 투명의 전도성 전극, 금속 플라티늄 등이 코팅된 상대전극 및 산화-환원의 작용을 하는 전해질로 구성되는데, 이때 이와 같은 구성을 갖는 염료감응형 태양전지는 하나의 기판에 하나의 염료감응 태양전지를 구비시켜 사용하거나, 하나의 기판 위에 다수개의 염료감응 태양전지를 서로 연결시켜 모듈 형태로 사용하게 된다.
도 1은 종래의 모듈 형태의 염료감응 태양전지의 구성을 나타내는 평면도이고, 도 2는 종래의 모듈 형태의 염료감응 태양전지를 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 1과 2를 참조하면, 종래의 모듈 형태의 염료감응 태양전지는 제 1 기판(2)과 제 2 기판(4)이 서로 접합된 샌드위치 구조를 갖고, 제 2 기판(4)에 대향되는 제 1 기판(2)의 면에는, ITO, FTO 등의 전도성 물질을 포함하는 투명 전도성 전극(22)이 있고, 상기 전도성 전극(22) 상에는 염료분자가 흡착된 TiO2 등의 나노입자 산화물층(6, 이하 반도체 전극)이 적층된다. 또한, 상기 제 1 기판에 대향되는 제 2 기판의 일 면에는 또 다른 전도성 전극 (22) 및 상대전극(8)이 적층된다. 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이의 공간에는 전해질(18)이 충진되어 있고, 상기 제 1 기판(2), 제2 기판(4), 전해질(18)로 이루어진 단위를 하나의 셀(cell)로 하여 다수의 셀을 금속 그리드(grid, 10)로 Z-serise 형태의 직렬 모듈로 연결설치되어 구성된다. 이때, 상기 그리드는 통상적으로 전해질에 취약하므로 상기 그리드(10)의 외부를 밀봉부재(14)로 감싸 전해질(18)과 접촉되는 것을 방지하고, 전체 염료감응 태양전지 중 외측에 위치하는 염료감응 태양전지의 벽면을 밀봉부재(14)로 마감시켜 전해질이 외부로 누액되는 것을 방지한다.
상기 그리드(10)는 제 1 기판(2)에서 연장되는 제 1 그리드 및 제 2 기판(4)에서 연장되는 제 2 그리드가 상호 접합된 구조로서, 일반적으로 은과 같은 금속의 페이스트가 사용되는데, 상기 그리드 제조 방법은 아래에서 상세히 설명된다.
도 3a 및 3b는 종래 기술에 따른 그리드 제조 방법을 설명하는 단계도이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 먼저, 제 1 기판(100) 상에 페이스트 형태의 제 1 그리드(110)가 적층된다. 상기 페이스트 형태의 제 1 그리드(110)는 아직 소성 단계 이전이므로, 충분한 강성이 확보되지 않은 상황이다(도 3a 참조). 이후, 동일한 방식으로 페이스트 형태의 제 2 그리드(120)가 상부에 적층된 제 2 기판(130) 이 상기 제 1 기판(100)에 대향하는 방식으로 상기 제 1 기판(100)에 접합되는데, 이때 상기 제 1 그리드(110)와 제 2 그리드(120)는 상호 접촉하여, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 전기적으로 연결하게 된다. 이후, 소성단계를 통하여 페이스트 내의 용매 물질을 휘발시켜 소정의 강성을 갖는 그리드가 제조되며, 이는 도 2의 도면부호 10에 해당한다.
상기 제 1 그리드(110) 및 제 2 그리드(120)는 제 1 및 제 2 기판이 닿을 때 서로 접촉할 수 있는 수준의 높이를 유지하여야 하며, 만약 충분한 높이가 확보되어 있지 않은 경우, 기판 사이의 전자 흐름이 차단될 수 있다. 하지만, 반대로 과도한 큰 높이를 갖는 경우, 그리드의 변성에 의한 문제가 발생할 수 있다.
이와 같이 종래 기술은 그리드 간의 충분한 접촉을 달성하기 위하여, 페이스트 물질을 1차 사용한 후, 그리드가 형성된 후, 이를 소성시킴으로써 그리드를 완성하는 방식인데, 이러한 방식의 경우 기판 상의 그리드 형성과정에 따라 금속 그리드의 높이가 일정하지 못하다는 문제가 있다.
즉, 정확한 높이로 페이스트를 적층하는 것은 매우 어려우며, 제 1기판과 제 2기판 접합 시 가압하는 힘이나 기판 면적에 따라 불균일한 페이스트간 접촉 효과가 발생하므로 그리드 높이가 일정해지지 않다는 문제가 있다.
더 나아가, 제 1기판과 제 2기판 접합 시, 의도하지 않은 그리드의 형태 변형 등이 발생하여, 기판 간의 전기적 전도도가 저하될 수 있다. 이러한 문제를 방지하기 위해서는 상하 기판에 적층된 페이스트 간의 정확한 접촉과 접합이 매우 중요하며, 이를 위해서는 상하 기판 접합 시 그 위치 조절이 매우 정확하여야 한다는 문제가 있다.
따라서 상기 문제를 해결하기 위한 본 발명의 과제는 그리드의 변형 방지, 기판 간의 균일한 전도도 및 우수한 경제성을 가지는, 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는 상술한 방법에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 서로 대향하는 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판, 상기 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판상에는 적층된 그리드 및 이들 기판 사이에 충진되는 전해질을 포함하며, 복수 개의 단위 셀로 구성된 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법에 있어서, 그리드 형성 영역의 일면을 제외한 타면을 밀봉층으로 밀봉하는 단계; 상기 일면을 통하여 그리드를 상기 그리드 형성 영역으로 주입하는 단계; 및 상기 일면을 또 다른 밀봉층으로 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 그리드는 유동성을 가지며, 본 발명에 따른 그리드 제조방법은 상기 그리드 주입 후, 상기 그리드를 경화시키는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 그리드는 금속 페이스트이며, 그리드가 유입되는 상기 일면의 타측면의 밀봉층은 일부 개방된다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 일부 개방된 부분에 연결된 진공 인가 장치를 이용, 그리드가 유입되는 상기 그리드 형성 영역에 진공을 인가한다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 그리드는 나노섬유 및 상기 나노섬유에 흡착된 금속 페이스트로 이루어지며, 상기 그리드는 금속 물질, 유기용매에 혼입된 탄소계 또는 탄소나노튜브 및 발포제로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 그리드가 유입되는 그리드 형성 영역의 적어도 일부면에는 전도성 초발수 코팅막이 형성될 수 있다.
상기 또 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 상술한 방법에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지를 제공한다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법은 밀봉층에 의하여 미리 형성된 그리드 공간에 그리드를 채우는 방식이므로, 페이스트 형태의 두 금속층을 정밀하게 접합시켜야 하는 종래 기술에 비하여 그리드 제조 공정이 경제적이다. 더 나아가, 상하 기판 그리드 전극의 접촉능을 증가시켜 모듈의 전기적 특성이 향상되며, 공간에 균일하게 형성된 그리드에 의하여 기판 사이의 기계적 지지 특성 또한 향상된다.
도 1은 종래의 모듈 형태의 염료감응 태양전지의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 종래의 모듈 형태의 염료감응 태양전지를 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 및 3b는 종래 기술에 따른 그리드 제조 방법을 설명하는 단계도이다.
도 4 내지 6은 본 발명에 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법을 설명하는 염료감응 태양전지의 단계별 정면도이다.
도 2는 종래의 모듈 형태의 염료감응 태양전지를 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 및 3b는 종래 기술에 따른 그리드 제조 방법을 설명하는 단계도이다.
도 4 내지 6은 본 발명에 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법을 설명하는 염료감응 태양전지의 단계별 정면도이다.
이하 본 발명에 대하여, 도면과 실시예를 참조하여 상세하게 설명한다. 하기의 설명은 본 발명을 구체적으로 실시하기 위한 것으로 하기 설명에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
먼저 본 발명에 일 실시예로 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법을 설명한다.
도 4 내지 6은 본 발명에 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법을 설명하는 염료감응 태양전지의 단계별 정면도이다.
도 4의 4a를 참조하면, 먼저 염료가 흡착된 반도체 전극(6)을 포함하는 복수 개의 단위 셀(A, B, C, D, E)로 이루어진 염료감응 태양전지가 개시된다. 상기 태양전지는 상-하부 기판이 소정 간격으로 이격되어 서로 대향하는 형태이다. 또한, 상부 및 하부 기판(제 1 기판 및 제 2 기판) 사이에는 기판의 경계면 및 그리드 주변 영역에 형성된 밀봉층(14)에 의하여 접합된 상태이다. 이때, 단위 셀 사이의 그리드 형성 영역(110) 주변의 일면을 제외하고, 나머지 주변면에 밀봉층(14a, 14b, 14c)이 도포되어, 밀봉된 상태이다. 즉, 본 발명은 그리드 밀봉층의 일면을 미리 개방시키고, 개방된 일면을 통하여 그리드를 채우는 방식으로 염료감응 태양전지의 그리드를 제조한다. 본 발명의 또 다른 일 실시예에서는 그리드가 주입되는 측면의 대향측면의 밀봉층(14b)의 일부가 개방된 구조(H)를 갖는다(도 4b 참조). 대향측면에 형성된 밀봉층의 상기 개방구조(예를 들면 홀)로부터 그리드 형성 공간에 존재하는 공기 등이 그리드 주입에 따라 배출되어, 그리드에 잔존할 수 있는 기포가 제거된다. 또한, 상기 개방된 밀봉층(14b)의 일부 영역(H)을 통하여 진공을 인가, 그리드 주입 속도를 증가시킬 수 있으며, 이때 그리드 형성 공간에 존재하는 공기 등이 그리드 주입에 따라 배출되어, 그리드에 잔존할 수 있는 기포가 제거된다.
본 명세서에서 사용되는 상기 제 1 또는 제 2 기판은 폴리에테르술폰(polyethersulphone:PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate:PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide:PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate:PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이드(polyethyleneterephthalate:PET), 폴리페닐렌설파이드(polypheylenesulfide:PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate:PC), 셀룰로오스트리아세테이트(cellulosetriacetate:CAP) 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱재 또는 유리재와 같이 빛, 특정적으로 태양광이 투과하는 동시에 염료감응 태양전지의 외관을 제공하는 좁은 의미의 기판뿐만 아니라, 좁은 의미의 기판 일측 표면에 적층되어, 염료감응 태양전지에 제공된 가시광선을 염료가 흡수하며 여기된 전자가 이동하는 경로를 제공하는 전도성 물질, 예를 들면 ITO, FTO, ZnO-(Ga2O3 또는 Al2O3), SnO2-Sb2O3 등을 포함하는 것을 해석되어야 한다.
도 5를 참조하면, 밀봉층(14a, 14b, 14c)에 의하여 밀봉되지 않은 그리드 형성 영역(110) 주변의 일 측면(b)를 통하여 그리드(10)가 주입되며, 주입된 그리드(10) 또는 그리드 전구체는 타면에 형성된 밀봉층(14a, 14b, 14c)에 의하여 반대쪽으로 흐르지 않고, 상기 그리드 형성 영역(110)의 공간을 채우게 된다. 이를 위하여 상기 일면(b)으로 주입되는 그리드 또는 그리드 전구체는 가해주는 힘에 의하여 일정한 유동성을 가져 상기 그리드 형성 영역(110) 상의 공간을 이동할 수 있는 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 그 일 예로 금속 페이스트가 상기 그리드 구성 물질로 사용될 수 있으나, 밀봉층(14)과 상, 하부 기판에 의하여 형성된 그리드 형성 영역(110)을 유동할 수 있으며, 우수한 전기 전도도를 가지는 임의의 모든 물질이 상기 그리드(10)의 구성 물질로 사용될 수 있으며, 이는 모두 본 발명의 범위에 속한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 그리드 제조방법은 은 페이스트와 같은 단일 금속물질과 대신 전도성 물질(예를 들면 은)이 흡착된 나노섬유 등을 상기 그리드 형성 영역에 충진시킨다. 또한, 상기 그리드 물질은 은 페이스트와 같은 금속 물질, 유기용매에 혼입된 탄소계 또는 탄소나노튜브(다중벽 또는 단일벽 탄소나노튜브) 페이스트 물질 및 발포제를 포함할 수 있다. 상기 발포제는 경화공정 중 온도 상승에 따라 발포하여 그리드 공간을 충분히 채우게 되며, 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 페이스트에 사용된 나노섬유는 페이스트 내의 금속물질의 경화에 따라 그리드 물질이 수축되어 연결성이 떨어지는 문제를 해결한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 발포제는 당업계에서 사용되는 임의의 모든 물질이 사용가능하나, 온도 상승에 따라 발포되는 열 의존성 발포제인 것이 바람직하다.
나노섬유를 기재로 하는 그리드 물질은 상기 그리드 형성 영역(110) 일면(b)으로 노출된 공간을 통하여 나노섬유를 채움으로써 그리드를 형성할 수 있다.
이와 달리, 본 발명의 또 다른 일 실시예는 전도성 발포제를 상기 공간에 채우고, 상기 발포제를 발포시킴으로써 그리드 형성 영역(110)을 전도성 물질로 채우는 방법을 제공한다. 이 경우, 발포되어 부피 팽창된 전도성 물질이 기판 사이의 전기 이동 통로가 될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 노출된 그리드 형성 영역(110)의 일면에 밀봉층(14d)를 형성시켜, 그리드 형성 영역(110)에 채워진 그리드를 밀봉시킨다.
본 발명에 따른 그리드 제조방법에 사용되는 밀봉층은 글라스 프릿 등과 같이 레이저 등의 국소 가열 수단에 의하여 가열되어, 경화될 수 있는 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 더 나아가, UV 경화성 물질인 에폭시 등도 상기 밀봉층의 주요물질로 사용되어, 국소 가열에 따라 경화될 수 있다.
본 발명은 또한 상술한 방법에 의하여 제조된 그리드를 포함하는 염료감응 태양전지를 제공한다. 상기 방법에 의하여 제조된 염료감응 태양전지는 상하 기판 사이에 정밀한 그리드 맞춤 작업을 요하지 않으므로, 우수한 기판 접촉능을 가지며, 이에 따라 모듈의 전기적 특성 및 기계적 특성이 모두 향상된다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 개방된 밀봉층의 일부 영역(도 4b의 H)을 통하여 진공을 인가, 그리드 주입 속도를 증가시킬 수 있는데, 이 경우 전해질이 주입되는 방향의 타측면의 개방부(H)에 진공 인가 장치가 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는 기판 사이의 좁은 간격으로의 친수성의 전해질이 잘 흐르지 못하는 점을 해결하기 위하여, 그리드가 유입되는 공간으로 먼저 전도성 초발수 코팅막을 형성시킨 후 건조시켜, 후속하여 주입되는 그리드의 유동을 촉진시키는 방식을 제공한다.
이 경우, 상기 전도성 초발수 코팅은 카본 블랙, 탄소나노튜브와 같은 전도성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄소나노튜브(CNT)를 전도성 물질로 사용하고, 소수성을 지니는 불소계 실란컴파운드와 탄소나노튜브를 혼합하여 코팅용액을 제조하고, 코팅용액을 그리드 형성 기판에 코팅하여 표면구조를 제어함으로써 대전방지가 가능함과 동시에 초발수 처리가 가능하다.
초발수 코팅막을 통한 그리드의 원활한 유동을 위하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예는 상대전극에 전도성 초발수 코팅막을 코팅하고, 다시 상대전극을 형성하고, 두 기판을 접합하여 모듈을 제조한다. 이후, 상대전극이 형성된 기판을 저면으로 하여 그리드 물질을 두 기판 사이에 주입시킴으로써 그리드의 원활한 유동이 가능하다. 이와 같이 본 발명은 그리드 형성 영역의 적어도 일면을 초발수 코팅처리함으로써, 유입되는 그리드의 유동속도를 증가시킨다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명이 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이와 균등하거나 또는 등가적인 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다 할 것이다.
Claims (10)
- 서로 대향하는 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판, 상기 제 1 전극 기판과 제 2 전극 기판상에는 적층된 그리드 및 이들 기판 사이에 충진되는 전해질을 포함하며, 복수 개의 단위 셀로 구성된 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법에 있어서,
그리드 형성 영역의 일면을 제외한 타면을 밀봉층으로 밀봉하는 단계;
상기 일면을 통하여 그리드를 상기 그리드 형성 영역으로 주입하는 단계; 및
상기 일면을 또 다른 밀봉층으로 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 그리드는 유동성을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 2항에 있어서, 상기 제조방법은
상기 그리드 주입 후, 상기 그리드를 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 2항에 있어서,
상기 그리드는 금속 페이스트인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 1항에 있어서,
그리드가 유입되는 상기 일면의 타측면의 밀봉층은 일부 개방된 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 5항에 있어서,
상기 일부 개방된 부분에 연결된 진공 인가 장치를 이용, 그리드가 유입되는 상기 그리드 형성 영역에 진공을 인가하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 4항에 있어서,
상기 그리드는 나노섬유 및 상기 나노섬유에 흡착된 금속 페이스트로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 그리드는 금속 물질, 유기용매에 혼입된 탄소계 또는 탄소나노튜브 및 발포제로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 제 1항에 있어서,
상기 그리드가 유입되는 그리드 형성 영역의 적어도 일부면에는 전도성 초발수 코팅막이 형성된 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 그리드 제조방법. - 삭제
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