KR101164398B1 - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것으로, 공정 챔버, 공정 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 서셉터의 상측에 설치되며 서셉터 방향으로 제1 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 갖는 제1 가스 공급유닛 및 서셉터와 제1 가스 공급유닛 사이에 회전 가능하게 배치되고 샤워헤드의 중심을 관통하여 회전 운동되며 별도의 제2 공정가스의 공급유로가 형성된 회전축 및 회전축의 회전축선의 가로 방향으로 일정 간격을 두고 방사상으로 회전축에 연결되어 공급유로로부터 공급된 제2 공정가스를 서셉터 방향으로 분사하는 복수개의 분사암을 갖는 제2 가스공급유닛을 포함하는 화학기상증착장치에 제공된다.
본 발명에 의할 경우, 각각의 공정 가스가 서로 다른 위치에서 상이한 구성 요소에 의해 공급되는 바, 종래에 비해 단순하게 구성하는 것이 가능하여 제조가 용이하고 불량률을 낮출 수 있다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, which has a process chamber, a susceptor installed inside the process chamber, on which a wafer is seated, and a shower head installed above the susceptor and spraying a first process gas in a susceptor direction. The horizontal direction of the rotation axis and the rotation axis of the rotary shaft and the rotary shaft disposed rotatably disposed between the first gas supply unit and the susceptor and the first gas supply unit and rotated through the center of the shower head, and a separate supply path for the second process gas is formed. It is provided in the chemical vapor deposition apparatus including a second gas supply unit having a plurality of injection arms connected to the rotary shaft radially at regular intervals to inject the second process gas supplied from the supply passage in the susceptor direction.
According to the present invention, since each process gas is supplied by different components at different positions, it is possible to simply configure as compared to the conventional, it is easy to manufacture and lower the defective rate.

Description

화학기상증착장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Chemical Vapor Deposition Apparatus {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 하나 이상의 공정가스를 이용하여 박막을 증착시키는 화학기상증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a chemical vapor deposition apparatus for depositing a thin film using at least one or more process gases.

화학 기상 증착이란 공정 가스의 화학 반응을 이용하여 기판 상에 박막을 형성하는 공정을 의미한다. 따라서, 화학기상증착장치는 반응성이 좋은 적어도 하나 이상의 공정가스를 챔버에 공급하고, 이를 빛, 열, 플라즈마(plasma), 마이크로 웨이브(micro wave), X-ray, 전기장 등을 이용하여 공정가스를 활성화시켜 기판 상에 양질의 박막을 형성하도록 구성된다.Chemical vapor deposition means a process of forming a thin film on a substrate by using a chemical reaction of a process gas. Therefore, the chemical vapor deposition apparatus supplies at least one highly reactive process gas to the chamber, and uses the light, heat, plasma, microwave, X-ray, or electric field to process the process gas. Activating to form a thin film of good quality on the substrate.

이와 같은 화학기상증착장치는 공정 챔버 내측으로 공정가스를 공급하기 위한 가스 공급유닛을 구비한다. 가스 공급유닛은 공정 챔버 내측 상부에 형성되는 복수개의 분사구를 이용하여 이종의 공정 가스를 각각 공급한다. 그리고, 공정 챔버 내측에서 이종의 공정 가스 간에 반응이 일어나면서 기판 상에 증착이 이루어진다. 이때, 복수개의 공정 가스는 공정 챔버 내측으로 공급되기 이전에 반응이 일어나는 것을 방지하기 위해, 가스 공급유닛은 각각의 공정가스가 별개의 유로를 따라 진행하도록 구성된다.Such a chemical vapor deposition apparatus includes a gas supply unit for supplying a process gas into the process chamber. The gas supply unit supplies heterogeneous process gases using a plurality of injection holes formed in the upper portion of the process chamber. Then, the deposition occurs on the substrate while the reaction occurs between different process gases inside the process chamber. In this case, in order to prevent the reaction from occurring before the plurality of process gases are supplied into the process chamber, the gas supply unit is configured to allow each process gas to proceed along a separate flow path.

그런데, 종래의 경우 하나의 가스 공급유닛에 각각의 공정가스 별로 별개의 유로를 구비하도록 구성되는 바, 구성이 복잡하여 이를 제작하는데 지나치게 많은 시간 및 비용이 소요되는 문제점이 있었다.However, in the related art, a single gas supply unit is configured to have a separate flow path for each process gas, and there is a problem in that the configuration is complicated and takes too much time and cost to produce it.

본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 간단한 구조로 각 공정가스가 균일하게 공급될 수 있는 화학기상증착장치를 제공하기 위함이다.In the present invention, to solve the above problems, it is to provide a chemical vapor deposition apparatus that can be supplied uniformly to each process gas in a simple structure.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 상기 공정 챔버의 상측에 설치되어 상기 서셉터 방향으로 제1 공정가스를 분사하는 제1 가스 공급유닛, 그리고, 상기 제1 가스 공급유닛의 하측에 회전 가능하게 설치되어 상기 서셉터 방향으로 제2 공정가스를 분사하는 제2 가스공급유닛을 포함하는 화학기상증착장치를 제공할 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a process chamber, a susceptor installed inside the process chamber to seat a wafer, and installed above the process chamber to inject a first process gas toward the susceptor. A chemical vapor deposition apparatus may include a first gas supply unit and a second gas supply unit rotatably installed below the first gas supply unit to inject a second process gas toward the susceptor. .

여기서, 상기 제2 가스 공급유닛은 수평 방향으로 회전하면서 상기 제2 공정가스를 분사함과 동시에 제1, 제2 공정가스를 교반하도록 구성되는 것이 바람직하다.Here, the second gas supply unit is preferably configured to agitate the first and second process gases while injecting the second process gas while rotating in the horizontal direction.

이때, 상기 제2 가스 공급유닛은 하면에 상기 제2 공정 가스를 분사하는 복수개의 분사구를 포함하며, 고속으로 회전하면서 상기 서셉터의 상면에 상기 제2 공정 가스를 균일하게 분사할 수 있다.At this time, the second gas supply unit includes a plurality of injection holes for injecting the second process gas on the lower surface, it is possible to uniformly spray the second process gas on the upper surface of the susceptor while rotating at a high speed.

따라서, 상기 제2 공정가스가 상기 서셉터의 상측으로 균일하게 분사되도록, 상기 제2 가스 공급유닛의 분사구는 회전 반경의 외측 방향에 위치할 수록 넓게 형성되도록 구성할 수 있다.Therefore, the injection hole of the second gas supply unit may be formed to be wider as it is located outside the rotation radius so that the second process gas is uniformly sprayed onto the susceptor.

또는, 상기 제2 공정가스가 상기 서셉터의 상측으로 균일하게 분사되도록, 상기 제2 가스 공급유닛은 회전 반경의 외측 방향으로 갈 수록 많은 수의 분사구를 구비하도록 구성될 수 있다.Alternatively, the second gas supply unit may be configured to include a plurality of injection holes toward the outer side of the rotation radius so that the second process gas is uniformly sprayed onto the susceptor.

한편, 상기 제1 가스 공급유닛은 상기 공정 챔버의 상면에 설치되는 샤워헤드를 통해 상기 서셉터의 전면으로 균일하게 다량의 제1 공정 가스를 분사하고, 상기 제2 가스 공급유닛은 상기 제1 공정 가스에 비해 소량의 제2 공정 가스를 상기 분사암을 고속 회전시키면서 균일하게 분사하는 것이 가능하다. On the other hand, the first gas supply unit uniformly injects a large amount of the first process gas to the front of the susceptor through a shower head installed on the upper surface of the process chamber, the second gas supply unit is the first process Compared to the gas, it is possible to uniformly spray a small amount of the second process gas while rotating the spray arm at a high speed.

따라서, 상기 제2 공정가스는 3족 유기금속 화합물을 포함하도록 구성할 수 있다. Therefore, the second process gas may be configured to include a Group 3 organometallic compound.

여기서, 상기 샤워헤드는 상기 제2 가스 공급유닛이 회전 궤적에 대응되는 형상으로 구성되는 것이 바람직하다.Here, the shower head is preferably configured in a shape in which the second gas supply unit corresponds to the rotational trajectory.

구체적으로, 상기 제2 가스 공급유닛은 상기 공정 챔버의 상측에 회전 가능하게 설치되는 회전축, 상기 회전축에 의해 회전하는 복수개의 분사암, 상기 회전축 및 상기 분사암의 내측을 따라 상기 분사구로 제2 공정가스를 공급하는 유로를 포함하여 구성될 수 있다. Specifically, the second gas supply unit is a second process to the injection hole along the rotating shaft rotatably installed on the upper side of the process chamber, a plurality of injection arms rotated by the rotating shaft, the rotating shaft and the injection arm inside It may be configured to include a flow path for supplying gas.

한편, 상기 서셉터는 소정 방향으로 회전 가능하도록 구성되며, 상기 제2 가스 공급유닛은 상기 서셉터의 회전 방향과 반대 방향으로 회전하도록 구동 되는 것이 바람직하다.On the other hand, the susceptor is configured to be rotatable in a predetermined direction, the second gas supply unit is preferably driven to rotate in a direction opposite to the rotation direction of the susceptor.

한편, 전술한 본 발명의 목적은 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 상기 공정 챔버의 상측에 설치되어 상기 서셉터 방향으로 다량의 제1 공정가스를 분사하는 샤워헤드 그리고, 상기 샤워헤드의 하측에 수평 방향으로 회전 가능하게 설치되며, 상기 제1 공정가스에 비해 소량의 제2 공정가스를 고속으로 회전하면서 분사함과 동시에 상기 제1, 제2 공정가스를 교반하는 가스 노즐 어셈블리을 포함하는 유기금속 화학기상증착장치에 의해서도 달성될 수 있다.Meanwhile, an object of the present invention described above is a process chamber, a susceptor installed inside the process chamber to seat a wafer, and a shower installed above the process chamber to inject a large amount of the first process gas toward the susceptor. The head is rotatably installed in the horizontal direction under the shower head, and sprays a small amount of the second process gas at a high speed relative to the first process gas while stirring the first and second process gases. It can also be achieved by an organometallic chemical vapor deposition apparatus comprising a gas nozzle assembly.

여기서, 상기 제2 공정가스는 3족 유기금속 화합물을 포함하도록 구성되는 것이 바람직하다.Here, the second process gas is preferably configured to include a Group 3 organometallic compound.

본 발명에 의할 경우, 각각의 공정 가스가 서로 다른 위치에서 상이한 구성 요소에 의해 공급되는 바, 종래에 비해 단순하게 구성하는 것이 가능하여 제조가 용이하고 불량률을 낮출 수 있다.According to the present invention, since each process gas is supplied by different components at different positions, it is possible to simply configure as compared to the conventional, it is easy to manufacture and lower the defective rate.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상증착장치의 단면을 도시한 단면도이고,
도 2는 도 1의 제1, 제2 가스 공급유닛의 분리 사시도이고,
도 3은 도 1의 제2 가스공급유닛의 하면을 도시한 평면도이고,
도 4는 본 발명의 다른 실시예의 제2 가스공급유닛의 하면을 도시한 평면도이고,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1, 제2 가스 공급유닛의 분리사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a chemical vapor deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
2 is an exploded perspective view of the first and second gas supply units of FIG. 1;
3 is a plan view illustrating a bottom surface of the second gas supply unit of FIG. 1;
4 is a plan view showing a bottom surface of a second gas supply unit according to another embodiment of the present invention;
5 is an exploded perspective view of the first and second gas supply units according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 다른 화학기상증착장치에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 실시예에서는 유기금속 화합물을 포함한 공정가스를 이용하는 화학기상증착장치(Metal Organic Chemical Vapor Deposition apparatus, 이하 MOCVD)를 예를 들어 설명하도록 한다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 이 이외에도 복수개의 공정가스를 화학 반응시켜 증착을 수행하는 각종 화학기상증착장치에 적용될 수 있음을 앞서 밝혀둔다.In this embodiment, a description will be given of an example of a Organic Organic Vapor Deposition apparatus (MOCVD) using a process gas containing an organometallic compound. However, the present invention is not limited thereto. In addition, the present invention may be applied to various chemical vapor deposition apparatuses which perform vapor deposition by chemical reaction of a plurality of process gases.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학기상증착장치의 단면을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a chemical vapor deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 공정 챔버(10), 웨이퍼가 안착되는 공간을 형성하는 서셉터(20), 그리고 상기 서셉터 상면으로 제1, 제2 공정가스를 공급하는 제1, 제2 가스 공급유닛(100, 200)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a process chamber 10, a susceptor 20 forming a space in which a wafer is seated, and first and second process gases on the upper surface of the susceptor. It may be configured to include a first, second gas supply unit (100, 200) for supplying.

공정 챔버(10)는 화학기상증착장치의 몸체를 형성하며, 내측에 웨이퍼의 증착 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 이때, 공정 챔버(10)는 증착효율을 높일 수 있도록 능동적으로 제어되는 가스 유로를 제외하고는, 외부와 기밀 상태를 유지할 수 있도록 형성될 수 있다. 그리고, 공정 내용에 따른 내부 공간의 분위기를 효과적으로 제어할 수 있도록, 공정 챔버(10)의 벽체는 단열성이 우수한 재질로 구성되는 것이 바람직하다.The process chamber 10 forms a body of the chemical vapor deposition apparatus, and provides a space in which the deposition process of the wafer proceeds. In this case, the process chamber 10 may be formed to maintain an airtight state with the outside, except for a gas flow passage that is actively controlled to increase deposition efficiency. In addition, the wall of the process chamber 10 may be made of a material having excellent heat insulation so as to effectively control the atmosphere of the internal space according to the process contents.

한편, 서셉터(20)는 공정 챔버(10)의 내부공간에 설치된다. 그리고, 서셉터 상면에는 웨이퍼가 안착되기 위한 복수개의 안착부(미도시)가 형성된다. 여기서, 안착부는 웨이퍼의 크기에 대응되는 형상으로 단차 형성된 홈으로 구성되어, 웨이퍼가 수용되는 공간을 형성한다.On the other hand, the susceptor 20 is installed in the interior space of the process chamber 10. In addition, a plurality of seating portions (not shown) are formed on the susceptor upper surface for mounting the wafer. Here, the seating portion is formed of a groove stepped in a shape corresponding to the size of the wafer, thereby forming a space in which the wafer is accommodated.

그리고, 서셉터(20)는 서셉터 지지부(40)에 의해 지지되도록 설치되며, 상기 서셉터 지지부(40)는 공정 챔버 하측의 구동축(60)과 연결될 수 있다. 따라서, 이때, 서셉터(20)는 증착 공정의 내용에 따라 구동축(60)의 구동에 승강 또는 회전할 수 있다.In addition, the susceptor 20 is installed to be supported by the susceptor support 40, and the susceptor support 40 may be connected to the drive shaft 60 below the process chamber. Therefore, at this time, the susceptor 20 may be raised or lowered to drive the drive shaft 60 according to the contents of the deposition process.

나아가, 서셉터(20)의 하측에는 서셉터(20)를 가열하기 위한 히터(50)를 구비할 수 있다. 히터(20)에 의해 서셉터 상면에 안착되는 웨이퍼 및 서셉터 상측의 내부 공간이 고온으로 가열되어, 공정 가스들이 웨이퍼 상에 용이하게 증착될 수 있는 환경이 조성된다. 본 실시예에서는, 공정 가스의 종류에 따라 1000℃ 이상까지 서셉터(20)를 가열할 수 있는 히터(50)를 이용하는 것이 바람직하다.Furthermore, a heater 50 for heating the susceptor 20 may be provided below the susceptor 20. The wafer seated on the susceptor upper surface by the heater 20 and the inner space above the susceptor are heated to a high temperature, thereby creating an environment in which process gases can be easily deposited on the wafer. In this embodiment, it is preferable to use the heater 50 which can heat the susceptor 20 to 1000 degreeC or more according to the kind of process gas.

한편, 제1, 제2 가스 공급유닛(100, 200)은 공정 챔버(10) 내측에 설치되어 외부의 가스 라인을 통하여 제1, 제2 공정가스를 각각 서셉터(20) 방향으로 공급한다. 본 실시예와 같이 유기금속 화합물을 이용한 공정 가스를 이용하는 MOCVD는, 일반적으로 암모니아(NH3) 등의 5족 원소를 이용한 하이드라이드 가스와 갈륨(Ga), 인듐(In)의 3족 원소를 이용한 유기금속 화합물 가스가 이용된다.Meanwhile, the first and second gas supply units 100 and 200 are installed inside the process chamber 10 to supply the first and second process gases toward the susceptor 20 through external gas lines. MOCVD using a process gas using an organometallic compound as in the present embodiment generally uses a hydride gas using a Group 5 element such as ammonia (NH 3 ), and a Group 3 element of gallium (Ga) or indium (In). Organometallic compound gases are used.

본 실시예에서는, 암모니아(NH3) 및 트리메틸갈륨(TMGa)을 제1, 제2 공정가스로 이용할 수 있다. 따라서, 암모니아(NH3) 및 트리메틸갈륨(TMGa)가 고온의 환경을 갖는 공정 챔버 내부로 공급되면, 각각의 기재가 분해가 이루어진다. 그리고, III족의 금속 원자(N)와 V족의 기체 원자(Ga)가 웨이퍼 표면에 활성화 되어 있는 원자와 결합하여 질화갈륨(GaN) 결정으로 성장한다.In this embodiment, ammonia (NH 3 ) and trimethylgallium (TMGa) can be used as the first and second process gases. Thus, when ammonia (NH 3 ) and trimethylgallium (TMGa) are fed into the process chamber having a high temperature environment, each substrate is decomposed. Group III metal atoms (N) and group V gas atoms (Ga) are combined with atoms activated on the wafer surface to grow into gallium nitride (GaN) crystals.

다만, 전술한 공정가스의 종류는 일 예에 불과하며, 공정 내용에 따라 다른 종류의 공정 가스를 이용할 수 있으며, 공정 단계에 따라 서로 다른 공정 가스가 공급되도록 가스 라인을 설계하는 것도 가능하다.However, the above-described type of process gas is only an example, and different types of process gases may be used according to process contents, and the gas lines may be designed to supply different process gases according to process steps.

본 실시예의 제1 가스 공급유닛(100)은 공정 챔버(10)의 상측에 형성되는 샤워헤드(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 샤워헤드(130)의 상측에는 외부 가스라인으로부터 유입되는 제1 공정가스가 수용되는 공간을 형성한다. 그리고, 샤워헤드(130)에 구비되는 복수개의 분사구(131)를 통해 제1 공정가스가 상기 서셉터(20) 방향으로 분사될 수 있다.The first gas supply unit 100 of the present embodiment may include a shower head 130 formed on the upper side of the process chamber 10. An upper portion of the shower head 130 forms a space in which the first process gas flowing from the external gas line is accommodated. In addition, the first process gas may be injected toward the susceptor 20 through the plurality of injection holes 131 provided in the shower head 130.

그리고, 제2 가스 공급유닛(200)은 상기 제1 가스 공급유닛(100)의 하측에 설치되는 가스 분사 노즐 어셈블리로 구성될 수 있다. 이때, 가스 분사 노즐 어셈블리는 수직 방향의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 설치되는 적어도 하나의 노즐 구조로 구성되어, 제1 가스공급유닛(100)과 서셉터(20) 사이에서 회전하면서 서셉터(20) 방향으로 제2 공정가스를 분사한다.The second gas supply unit 200 may be configured as a gas injection nozzle assembly installed below the first gas supply unit 100. At this time, the gas injection nozzle assembly is composed of at least one nozzle structure that is rotatably installed around the axis of rotation in the vertical direction, the susceptor 20 while rotating between the first gas supply unit 100 and the susceptor 20 The second process gas is injected in the direction of.

즉, 제1 가스 공급유닛(100)은 공정 챔버(10)의 상측에서 제1 공정가스를 공급하고, 제2 가스 공급유닛(200)은 제1 가스 공급유닛에 비해 낮은 위치에서 제 1 공정가스와 반응하는 제2 공정가스를 공급한다. 이때, 제2 가스 공급유닛(200)은 수평 방향으로 회전하면서 제2 공정가스를 균일하게 공급함과 동시에, 공기를 유동시켜 제1 공정가스와 제2 공정가스를 교반하는 것이 가능하다.That is, the first gas supply unit 100 supplies the first process gas from the upper side of the process chamber 10, and the second gas supply unit 200 is located at a lower position than the first gas supply unit. The second process gas is reacted with. In this case, the second gas supply unit 200 may uniformly supply the second process gas while rotating in the horizontal direction, and simultaneously stir the first process gas and the second process gas by flowing air.

앞서 살펴본 바와 같이, 종래의 가스 공급유닛은 동일한 평면상에 구비되는 분사구를 통해 제1, 제2 공정가스를 각각 공급하며, 각 제1, 제2 공정가스가 분사되는 분사구가 균일하게 분포하도록 구성하였는 바, 미세 튜브 구조를 복수회에 걸쳐 브레이징 시키는 등 그 제조 공정이 까다로울 수 밖에 없었다. 이에 비해, 본 실시예에서는 서로 다른 위치에서 회전 분사 방식으로 공정가스를 균일하게 공급하는 바 구성을 훨씬 단순화시킬 수 있다. 각 가스 공급유닛의 구성에 대해서는 아래에서 더욱 구체적으로 설명하도록 한다.As described above, the conventional gas supply unit supplies the first and second process gases through the injection holes provided on the same plane, and is configured such that the injection holes through which the first and second process gases are injected are uniformly distributed. As a result, the manufacturing process, such as brazing the fine tube structure a plurality of times was inevitable. On the contrary, in the present embodiment, the configuration of the bar uniformly supplying the process gas by the rotational injection method at different positions can be further simplified. The configuration of each gas supply unit will be described in more detail below.

한편, 서셉터(20)의 외측에는 공정가스가 배출되는 배기구(70)가 형성될 수 있다. 여기서, 배기구(70)에는 공정 챔버 내측의 공정가스가 배출되는 것을 유도하기 위한 배기 펌프(미도시)가 설치될 수 있다. 따라서, 제1, 제2 가스 공급유닛(100, 200)에 의해 공급되는 제1, 제2 공정가스는 서셉터(20)의 상측에서 반응하여 웨이퍼 상에 증착이 되고, 잔여 가스는 상기 배기구(70)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.Meanwhile, an exhaust port 70 through which process gas is discharged may be formed outside the susceptor 20. Here, the exhaust port 70 may be provided with an exhaust pump (not shown) for inducing the discharge of the process gas inside the process chamber. Therefore, the first and second process gases supplied by the first and second gas supply units 100 and 200 react on the susceptor 20 to be deposited on the wafer, and the remaining gas is discharged through the exhaust port ( 70) can be discharged to the outside.

도 2는 도 1의 제1, 제2 가스 공급유닛의 분리 사시도이다. 이하에서는, 도1 및 도 2를 참조하여 각 가스 공급 유닛에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다. FIG. 2 is an exploded perspective view of the first and second gas supply units of FIG. 1. Hereinafter, each gas supply unit will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

제1 가스 공급유닛(100)은 도 1에 도시된 바와 같이, 외부의 가스라인으로부터 제1 공정가스가 유입되는 유입구(110), 제1 가스 공급유닛(100) 내측에 형성되어 유입구(100)로부터 유입되는 제1 공정가스가 수용되는 가스 챔버(120), 그리고 제1 가스 공급유닛(100) 저면을 구성하며 가스 챔버(120)에 수용된 제1 공정가스가 분사되는 복수개의 분사구(131)가 구비된 샤워헤드(130)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the first gas supply unit 100 is formed inside the first gas supply unit 100 and the inlet 110 through which the first process gas flows from an external gas line. A plurality of injection holes 131 constituting a gas chamber 120 to accommodate the first process gas introduced therefrom, and a bottom surface of the first gas supply unit 100, and to which the first process gas received in the gas chamber 120 is injected It may be configured to include a shower head 130 provided.

이때, 서셉터(20)의 모든 위치로 균일하게 제1 공정가스를 공급할 수 있도록 상기 샤워헤드(130)의 면적은 서셉터(20)의 크기에 대응되도록 형성될 수 있다. 그리고, 샤워헤드에 형성되는 분사구(131)는 모든 위치에서 균일한 간격으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 외부의 가스라인으로부터 다량의 제1 공정가스가 가스 챔버로 유입되면, 가스 챔버(120)와 연통하는 모든 분사구(131)를 통하여 제1 공정가스를 공급한다. 따라서, 제1 가스 공급유닛(100)은 서셉터(20)의 전면으로 제1 공정가스를 분사할 수 있다.In this case, an area of the shower head 130 may be formed to correspond to the size of the susceptor 20 so that the first process gas may be uniformly supplied to all positions of the susceptor 20. In addition, the injection holes 131 formed in the shower head are preferably formed at uniform intervals at all positions. Therefore, when a large amount of the first process gas flows into the gas chamber from an external gas line, the first process gas is supplied through all the injection holes 131 communicating with the gas chamber 120. Therefore, the first gas supply unit 100 may inject the first process gas to the front surface of the susceptor 20.

한편, 샤워헤드(130)는 제1 공정가스가 분사되는 분사구(131)의 외측으로, 원주 방향을 따라 별도의 분사구(132)가 형성되며, 이를 통해 질소(N2) 등의 비활성 가스를 분사할 수 있다. 비활성 가스는 증착 반응에 관여하지 하지 않으며, 공정 가스가 공정 챔버(10) 내벽에 증착되는 것을 방지함과 동시에 공정 가스의 진행 방향을 서셉터 방향으로 유도하는 가이드 역할을 수행할 수 있다. 이때, 비활성 가스를 공급하는 분사구(132)는 제1 공정 가스(G1)가 공급되는 유로와 별도의 유로를 통해 외부로부터 비활성 가스가 공급되도록 구성된다.On the other hand, the shower head 130 is formed in a separate injection hole 132 in the circumferential direction to the outside of the injection hole 131, the first process gas is injected, through which inert gas such as nitrogen (N 2 ) is injected can do. The inert gas does not participate in the deposition reaction, and may prevent the process gas from being deposited on the inner wall of the process chamber 10 and may serve as a guide for inducing the process gas toward the susceptor. In this case, the injection hole 132 for supplying the inert gas is configured such that the inert gas is supplied from the outside through a flow path separate from the flow path through which the first process gas G1 is supplied.

한편, 제2 가스 공급유닛(200)은 복수개의 분사암(230)을 포함하는 가스 노즐 어셈블리로 구성될 수 있다. 각각의 분사암(230)은 공정 챔버(10) 상측에 설치되는 회전축(220)에 연결되며, 회전축(220)의 회전에 의해 수평 방향으로 회전하도록 구성될 수 있다. 여기서, 상기 회전축(220)은 제1 가스 공급유닛(100)의 중심을 관통하도록 설치되며, 제1 가스 공급유닛(100)의 상측에 구비되는 구동부(미도시)와 연결되어 구동할 수 있다. 다만, 이러한 회전축(220) 및 구동부(미도시)의 설치 위치는 일 예로서, 이 이외에도 다양하게 설치위치를 변경할 수 있다.Meanwhile, the second gas supply unit 200 may be configured as a gas nozzle assembly including a plurality of injection arms 230. Each injection arm 230 is connected to the rotating shaft 220 installed above the process chamber 10, it may be configured to rotate in the horizontal direction by the rotation of the rotating shaft 220. Here, the rotating shaft 220 is installed to penetrate the center of the first gas supply unit 100, it may be connected to the drive unit (not shown) provided on the upper side of the first gas supply unit 100 to drive. However, the installation position of the rotating shaft 220 and the driving unit (not shown) is an example, and in addition to this, the installation position may be changed in various ways.

각각의 분사암(230)의 하측에는 서셉터(20) 방향으로 제2 공정가스를 분사하는 복수개의 분사구(231)가 형성될 수 있다. 각각의 분사구(231)는 분사암(230)의 하면상에 구비되며, 설계시 분사암(230)의 길이에 따라 분사암(230) 단부 외측면에 구비되는 것도 가능하다. 그리고, 회전축(220) 및 각 분사암(230)의 내측에는 외부 가스라인으로부터 제2 공정가스를 각각의 분사구(231)까지 공급할 수 있는 가스 유로(미도시)가 형성될 수 있다. 따라서, 제2 가스 공급유닛(200)은 회전축에 의해 분사암이 회전하면서, 가스 유로를 통하여 공급되는 제2 공정가스를 분사암(230)의 분사구(231)를 통해 분사할 수 있다.A plurality of injection holes 231 for injecting a second process gas in the direction of the susceptor 20 may be formed below each injection arm 230. Each injection hole 231 is provided on the lower surface of the injection arm 230, it is also possible to be provided on the outer surface of the end of the injection arm 230 in accordance with the length of the injection arm 230 in the design. In addition, a gas flow path (not shown) may be formed inside the rotary shaft 220 and each injection arm 230 to supply the second process gas to each injection hole 231 from an external gas line. Accordingly, the second gas supply unit 200 may spray the second process gas supplied through the gas flow path through the injection hole 231 of the injection arm 230 while the injection arm rotates by the rotation shaft.

이처럼, 제2 가스 공급유닛(200)은 분사암(230)이 고속으로 회전하면서 서셉터(20)의 상면으로 균일하게 제2 공정가스를 공급할 수 있다. 나아가, 분사암(230)의 회전에 의하여 분사암(230)과 인접한 위치에서는 회전 방향으로 공정가스의 유동이 발생하게 되고, 이 과정에서 제1, 제2 공정가스가 균일하게 교반될 수 있다. 따라서, 제2 가스 공급유닛에 의해 제1 공정가스와 제2 공정가스를 보다 균일하게 교반한 상태로 서셉터(20) 방향으로 공급하는 것이 가능하다.As such, the second gas supply unit 200 may uniformly supply the second process gas to the upper surface of the susceptor 20 while the injection arm 230 rotates at a high speed. In addition, the rotation of the injection arm 230 causes the flow of the process gas in the rotational direction at a position adjacent to the injection arm 230, and in this process, the first and second process gases may be uniformly stirred. Therefore, it is possible to supply the 1st process gas and the 2nd process gas to the susceptor 20 direction by the 2nd gas supply unit in the state which stirred more uniformly.

전술한 바와 같이, 종래의 경우에는 제1, 제2 공정가스 모두가 샤워헤드에 형성된 각각의 분사구에 의해 공급되었다. 이때, 균일한 가스 공급을 위해 제1 공정가스를 공급하는 분사구 및 제2 공정가스를 공급하는 분사구는 매우 인접한 간격으로 설치되었기 때문에, 하나의 공정가스가 다른 공정가스의 분사압에 의해 방해받지 않고 서셉터 상측으로 공급되기 위해서는 제1, 제2 공정가스를 동일한 유량으로 공급할 필요가 있었다. 이를 위해, 상대적으로 가격이 비싼 3족의 유기금속 화합물을 포함하는 가스의 유량을 늘릴 수 있도록 화학 반응에 참여하지 않는 캐리어 가스의 양을 늘려 공정가스를 제공하였다.As described above, in the conventional case, both the first and second process gases were supplied by respective injection holes formed in the shower head. At this time, since the injection holes for supplying the first process gas and the injection holes for supplying the second process gas are installed at very close intervals for uniform gas supply, one process gas is not disturbed by the injection pressure of the other process gas. In order to be supplied above the susceptor, it was necessary to supply the first and second process gases at the same flow rate. To this end, the process gas was provided by increasing the amount of carrier gas not participating in a chemical reaction so as to increase the flow rate of the gas containing the Group 3 organometallic compound, which is relatively expensive.

다만, 본 실시예에 의할 경우, 제1, 제2 공정가스가 서로 상이한 위치에서 서로 다른 방식으로 공급되는 바, 종래와 같이 유량을 불필요하게 증가하지 않을 수 있다. 특히, 분사암(230)의 분사구(231)를 통하여 분사되는 제2 공정가스의 경우 샤워헤드(130)로부터 공급되는 제1 공정가스에 비해 상대적으로 적은 양을 사용하여 공정을 수행하는 것이 가능하다.However, according to the present embodiment, since the first and second process gases are supplied in different ways at different positions, the flow rate may not be unnecessary. In particular, in the case of the second process gas injected through the injection hole 231 of the injection arm 230, the process may be performed using a relatively small amount compared to the first process gas supplied from the shower head 130. .

따라서, 본 실시예에서는 제1 가스 공급유닛(100)과 제2 가스 공급유닛(200)으로 제1, 제2 공정가스를 공급하는 가스공급시스템(미도시)으로부터, 상기 제1 가스 공급유닛(100) 및 제2 가스 공급유닛(200)으로 공급하는 공정가스의 유량을 제어하여, 상기 제1 가스공급유닛(100)에서 분사하는 제1 공정가스의 양에 비해, 제2 가스공급유닛(200)에서는 상대적으로 소량의 제2 공정가스를 공급하도록 구성할 수 있다. 이때, 적은 면적의 범위에서 적은 양의 가스를 제공하더라도, 분사암(230)의 고속 회전에 의해 서셉터(20)의 상측에 균일하게 분사되면서 교반되는 것이 가능한 바, 반응에 필요한 만큼의 공정가스와 이를 운송하는데 필요한 최소한의 캐리어 가스만을 이용하여 공정을 수행할 수 있는 것이다.Therefore, in the present embodiment, the first gas supply unit (not shown) from a gas supply system (not shown) for supplying the first and second process gases to the first gas supply unit 100 and the second gas supply unit 200. By controlling the flow rate of the process gas supplied to the 100 and the second gas supply unit 200, compared to the amount of the first process gas injected from the first gas supply unit 100, the second gas supply unit 200 ) May be configured to supply a relatively small amount of the second process gas. At this time, even if a small amount of gas is provided in the range of a small area, it is possible to stir while uniformly sprayed on the upper side of the susceptor 20 by the high-speed rotation of the injection arm 230, as much process gas as necessary for the reaction The process can be performed using only the minimum carrier gas necessary to transport it.

여기서, 제1 공정가스는 5족 유기금속 화합물을 포함하는 공정가스로 구성하여 제1 가스 공급유닛(100)에 의해 분사되고, 제2 공정가스는 3족 유기금속 화합물을 포함하는 공정가스로 구성하여 제2 가스 공급유닛(200)에 의해 분사될 수 있다. 이 때, 상대적으로 가격이 높은 제2 공정가스를 제1 공정 가스에 비해 소량 분사하여 공정을 진행할 수 있는 바, 비용을 절약할 수 있는 장점이 있다.Here, the first process gas is composed of a process gas containing a Group 5 organometallic compound is injected by the first gas supply unit 100, the second process gas is composed of a process gas containing a Group 3 organometallic compound It may be injected by the second gas supply unit 200. At this time, the process can be carried out by spraying a relatively small price of the second process gas compared to the first process gas, there is an advantage that can save the cost.

이때, 분사암(230)이 회전시 그리는 궤적은 샤워헤드에서 제1 공정가스가 분사되는 분사구의 위치와 대응될 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다. 따라서, 샤워헤드(130)에서 분사되어 낙하하는 제1 공정가스가, 제2 가스 공급유닛(200)에 의해 분사되는 제2 공정가스와 균일하게 교반되어 서셉터(20)로 공급될 수 있다. 본 실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 샤워헤드(130)를 원형으로 구비하며, 상기 분사암(230)의 길이는 샤워헤드(130)의 반경에 해당하도록 구성하였다. 다만, 이는 일 실시예로서, 이 이외에도 공정가스의 유동을 고려하여 분사암(130)의 길이를 다양하게 변경하여 설계할 수 있다.In this case, the trajectory drawn by the injection arm 230 may be configured to correspond to the position of the injection hole in which the first process gas is injected from the shower head. Therefore, the first process gas injected by the shower head 130 and falling may be uniformly stirred with the second process gas injected by the second gas supply unit 200 and supplied to the susceptor 20. In this embodiment, as shown in Figure 2, provided with a shower head 130 in a circular shape, the length of the injection arm 230 is configured to correspond to the radius of the shower head (130). However, this is one embodiment, in addition to this may be designed by varying the length of the injection arm 130 in consideration of the flow of the process gas.

도 3은 도 1의 제2 가스공급유닛의 하면을 도시한 평면도이다. 3 is a plan view illustrating a bottom surface of the second gas supply unit of FIG. 1.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제2 가스 공급유닛(200)은 분사암(230)이 회전하면서 제2 공정가스를 공급한다. 이때, 분사암(230)은 회전 반경의 외측에 위치할 수록 동일 시간에 더 넓은 궤적을 그리게 된다. 따라서, 서셉터(20)의 모든 위치로 제2 공정가스를 균일하게 공급할 수 있도록, 분사암(230)의 외측에서는 더 많은 유량의 제2 공정가스를 공급하는 것이 바람직하다.As described above, the second gas supply unit 200 of the present invention supplies the second process gas while the injection arm 230 rotates. In this case, as the injection arm 230 is located outside the rotation radius, a wider trajectory is drawn at the same time. Therefore, in order to supply the second process gas uniformly to all the positions of the susceptor 20, it is preferable to supply the second process gas at a higher flow rate from the outside of the injection arm 230.

따라서, 본 실시예에서는 도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 분사암(230)은 회전 반경의 외측 방향으로 갈수록 많은 개수의 분사구(231)를 구비하도록 형성할 수 있다. 즉, 외측 방향으로 갈 수록 각 분사구(231) 사이의 간격을 좁게 형성하여, 많은 양의 공정가스를 분사하는 것이 가능하다.Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 3, each injection arm 230 may be formed to have a larger number of injection holes 231 toward the outer side of the rotation radius. That is, it is possible to form a narrow gap between each injection port 231 toward the outer direction, and to spray a large amount of process gas.

도 4는 본 발명의 다른 실시예의 제2 가스공급유닛의 하면을 도시한 평면도이다. 다만, 이전 실시예와 대응되는 구성에 대해서는 중복을 피하기 위해 설명을 생략하도록 한다.4 is a plan view showing a lower surface of the second gas supply unit according to another embodiment of the present invention. However, the description corresponding to the previous embodiment will be omitted to avoid duplication.

이전 실시예에서는 회전 반경에 따라 분사구(231)가 형성되는 간격을 조절하여 위치에 따른 공정 가스의 공급량을 조절하였다. 다만, 이 이외에도 도 4에 도시된 바와 같이, 분사구(231)의 크기를 조절하여 위치에 따른 공정가스의 공급량을 조절하는 것도 가능하다. 즉, 분사암(230)이 회전 반경의 외측 방향으로 갈 수록 더 분사구(231)의 크기를 크게 형성하여 회전시 내측에 비하여 더 많은 양의 공정가스를 분사할 수 있도록 구성할 수 있다. In the previous embodiment, the supply amount of the process gas is adjusted according to the position by adjusting the interval at which the injection hole 231 is formed according to the rotation radius. However, in addition to this, as shown in FIG. 4, it is also possible to control the supply amount of the process gas according to the position by adjusting the size of the injection hole 231. That is, the injection arm 230 may be configured to increase the size of the injection hole 231 toward the outside of the rotation radius to inject a greater amount of process gas than the inner side during rotation.

한편, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1, 제2 가스 공급유닛의 분리사시도이다. 다만, 이전 실시예와 대응되는 구성에 대해서는 중복을 피하기 위해 설명을 생략하도록 한다.On the other hand, Figure 5 is an exploded perspective view of the first, second gas supply unit according to another embodiment of the present invention. However, the description corresponding to the previous embodiment will be omitted to avoid duplication.

이전 실시예에서는 제2 가스 공급유닛의 분사구가 분사암의 저면에 형성되도록 구성하였다. 이에 비해 도 5에서는 분사구(231)가 분사암(230)의 측면에 형성된 구성을 개시하고 있다.In the previous embodiment, the injection hole of the second gas supply unit is configured to be formed on the bottom of the injection arm. In contrast, FIG. 5 discloses a configuration in which the injection hole 231 is formed on the side surface of the injection arm 230.

도 5에 도시된 바와 같이, 분사구(231)는 분사암(230)의 측면을 따라 복수개로 구성될 수 있다. 이때, 분사구(231)는 제2 공정가스가 원활하게 분사될 수 있도록, 분사암(230)의 회전 방향을 기준으로 후측면에 형성되는 것이 바람직하다. 나아가, 분사구(231)는 분사암(230)의 회전 반경의 외측면에 형성되는 것도 가능하다. 이 경우 또한 전술한 실시예와 마찬가지로 분사암(230)이 회전하면서 서섭터(20) 방향으로 제2 공정가스를 균일하게 공급할 수 있다.As shown in FIG. 5, a plurality of injection holes 231 may be configured along the side surface of the injection arm 230. At this time, the injection hole 231 is preferably formed on the rear side with respect to the rotation direction of the injection arm 230, so that the second process gas can be smoothly injected. Further, the injection hole 231 may be formed on the outer surface of the rotation radius of the injection arm 230. In this case, as in the above-described embodiment, the second arm may be uniformly supplied in the direction of the susceptor 20 while the injection arm 230 rotates.

이와 같이, 본 발명은 제2 가스 공급유닛의 분사구가 설치되는 위치에 한정되는 것은 아니며, 분사암의 크기 및 형상 등을 고려하여 다양한 위치에 변경 설치될 수 있음을 밝혀둔다.As described above, the present invention is not limited to the position at which the injection port of the second gas supply unit is installed, and it can be found that the present invention can be installed at various positions in consideration of the size and shape of the injection arm.

전술한 바와 같이, 본 발명은 제1, 제2 가스 공급유닛(100, 200)이 별도로 구비되어 제조 공정이 용이하고 점검 및 교체가 용이하다. 나아가, 제2 가스 공급유닛의 회전에 의해 제1, 제2 공정가스의 교반이 가능한 바, 균일한 공정 환경을 제공할 수 있다.As described above, in the present invention, the first and second gas supply units 100 and 200 are separately provided so that the manufacturing process is easy and the inspection and replacement are easy. Further, the first and second process gases may be stirred by the rotation of the second gas supply unit, thereby providing a uniform process environment.

Claims (11)

공정 챔버;
상기 공정 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 서셉터;
상기 서셉터의 상측에 설치되며, 상기 서셉터 방향으로 제1 공정가스를 분사하는 샤워헤드를 갖는 제1 가스 공급유닛; 그리고,
상기 서셉터와 상기 제1 가스 공급유닛 사이에 회전 가능하게 배치되고, 상기 샤워헤드의 중심을 관통하여 회전 운동되며 별도의 제2 공정가스의 공급유로가 형성된 회전축 및 상기 회전축의 회전축선의 가로 방향으로 일정 간격을 두고 방사상으로 상기 회전축에 연결되어 상기 공급유로로부터 공급된 상기 제2 공정가스를 상기 서셉터 방향으로 분사하는 복수개의 분사암을 갖는 제2 가스공급유닛을 포함하는 화학기상증착장치.Process chambers;
A susceptor installed inside the process chamber to seat a wafer;
A first gas supply unit installed above the susceptor and having a shower head injecting a first process gas in the susceptor direction; And,
Rotatingly disposed between the susceptor and the first gas supply unit, the rotary shaft penetrates through the center of the shower head in the horizontal direction of the rotation axis and the rotation axis of the rotary shaft formed with a separate supply path for the second process gas And a second gas supply unit having a plurality of injection arms radially connected to the rotary shaft at predetermined intervals to inject the second process gas supplied from the supply passage in the susceptor direction. 제1항에 있어서,
상기 제2 가스 공급유닛의 상기 분사암에는 상기 분사암의 길이 방향을 따라 복수개의 분사구가 형성되며, 상기 분사암은 상기 회전축에 의해 회전 운동되면서 상기 제2 공정가스를 분사함과 동시에 제1 및 제2 공정가스를 교반하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 1,
A plurality of injection holes are formed in the injection arm of the second gas supply unit along a longitudinal direction of the injection arm, and the injection arm rotates by the rotation shaft to inject the second process gas while simultaneously injecting the second process gas. Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that for stirring the second process gas. 제2항에 있어서,
상기 복수개의 분사구는 상기 제2 가스 공급유닛의 하면 또는 일측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 2,
The plurality of injection port is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that formed on the lower surface or one side of the second gas supply unit. 제3항에 있어서,
상기 제2 가스 공급유닛의 상기 복수개의 분사구는 회전 반경의 외측 방향에 위치할수록 보다 좁은 간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 3,
The plurality of injection holes of the second gas supply unit is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that formed in a narrower interval as it is located in the outer direction of the rotation radius. 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 제1 가스 공급유닛의 상기 샤워헤드는 상기 제1 공정가스를 분사하는 복수개의 분사구와 상기 샤워헤드의 원주를 따라 상기 제1 공정가스를 분사하는 복수개의 상기 분사구보다 개수가 적은 비활성 기체를 분사하는 복수개의 분사구를 포함하고,
상기 제1 가스 공급유닛으로부터 분사되는 상기 제1 공정가스의 유량은 상대적으로 상기 제2 가스 공급유닛으로부터 분사되는 상기 제2 공정가스의 유량보다 많은 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 3,
The shower head of the first gas supply unit sprays a plurality of injection holes for injecting the first process gas and fewer inert gases than the plurality of injection holes for injecting the first process gas along the circumference of the shower head. Including a plurality of nozzles to
And the flow rate of the first process gas injected from the first gas supply unit is relatively higher than the flow rate of the second process gas injected from the second gas supply unit. 제6항에 있어서,
상기 샤워헤드의 상기 제1 공정가스를 분사하는 복수개의 상기 분사구가 배치된 외곽선은 상기 제2 가스 공급유닛의 회전 궤적에 대응되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 6,
Chemical vapor deposition apparatus characterized in that the outline of the plurality of injection holes for injecting the first process gas of the shower head is disposed corresponding to the rotational trajectory of the second gas supply unit. 삭제delete 제3항에 있어서,
상기 서셉터는 소정 방향으로 회전 가능하도록 구성되며, 상기 제2 가스 공급유닛은 상기 서셉터의 회전 방향과 반대 방향으로 회전할 수 있도록 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 3,
The susceptor is configured to be rotatable in a predetermined direction, the second gas supply unit is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that installed so as to rotate in a direction opposite to the rotation direction of the susceptor. 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 내측에 설치되어 웨이퍼가 안착되는 공간을 형성하는 서셉터;
상기 공정 챔버의 상측에 설치되어 제1 공정가스를 분사하는 샤워헤드; 그리고,
상기 서셉터와 상기 샤워헤드의 사이에 회전 가능하게 배치되며, 제2공정 가스를 상기 서셉터 방향으로 분사함과 동시에 상기 샤워헤드로부터 분사된 상기 제1 공정가스와 상기 제2 공정가스를 교반하도록 회전 운동되는 가스 노즐 어셈블리를 포함하는 화학기상증착장치.Process chambers;
A susceptor installed inside the process chamber to form a space in which a wafer is seated;
A shower head installed above the process chamber to inject a first process gas; And,
It is rotatably disposed between the susceptor and the shower head, and to spray the second process gas in the susceptor direction and to agitate the first process gas and the second process gas injected from the shower head Chemical vapor deposition apparatus comprising a gas nozzle assembly is a rotary motion. 제10항에 있어서,
상기 제1 공정가스는 5족 유기금속 화합물을 포함하고, 상기 제2 공정가스는 3족 유기금속 화합물을 포함하며,
상기 샤워헤드로부터 분사되는 상기 제1 공정가스의 유량은 상대적으로 상기 가스 노즐 어셈블리로부터 분사되는 상기 제2 공정가스의 유량보다 많은 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.The method of claim 10,
The first process gas includes a Group 5 organometallic compound, the second process gas includes a Group 3 organometallic compound,
And a flow rate of the first process gas injected from the shower head is relatively higher than a flow rate of the second process gas injected from the gas nozzle assembly.
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