KR101164368B1 - Light emitting diode package and method for fabricating the same - Google Patents

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이광철
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한국광기술원
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Abstract

발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지는 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹, 및 상기 LED 패키지 그룹 상에 배치되되, 상기 발광다이오드 칩으로부터 방출되는 광원을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 공통스펙트럼 변환물질 혼합층을 포함하되, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광에 대해 초과되는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비한다. A light emitting diode package and a method of manufacturing the same are provided. The light emitting diode package includes a package substrate, a plurality of single wavelength LED packages disposed on the package substrate, the light emitting diode chip and a wavelength conversion material layer disposed on the light emitting diode chip, and emitting different wavelength light. And a common spectral converting material mixture layer disposed on the LED package group and converting a light source emitted from the light emitting diode chip into common spectral pseudo light, wherein the LED package group includes the common spectral similarity. Single wavelength LED packages that emit light in the excess wavelength range for light.

발광다이오드 패키지, 일중태양광 유사광원, 풀스펙트럼 Light Emitting Diode Package, Solar Single Source Light, Full Spectrum

Description

발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법{Light emitting diode package and method for fabricating the same}Light emitting diode package and method for manufacturing same

본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode package and a manufacturing method thereof.

생활하는데 있어 태양은 사물을 확인할 수 있고, 인체에 필요한 요소들을 공급해 줄 수 있어, 필수 자원 중 하나이다. 그러나, 저녁이 되면, 태양광의 공급이 차단되어 인공 조명을 이용하게 되는데 종래에는 이러한 인공 조명으로서 백열등 또는 형광등을 사용하였다. In life, the sun can identify things and provide the human body with necessary elements, making it one of the essential resources. However, in the evening, the supply of sunlight is cut off and artificial lighting is used. Conventionally, incandescent or fluorescent lamps are used as such artificial lighting.

상기 백열등 또는 형광등과 같은 인공조명은 고출력, 발열, 짧은 수명과 같은 문제로 인해 효율이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하고 일중 태양광과 유사한 광을 방출할 수 있는 대체 인공조명 기구가 요구된다. Artificial lighting such as incandescent or fluorescent lamps have a disadvantage in that efficiency is low due to problems such as high power, heat generation, and short lifespan. Therefore, there is a need for an alternative artificial lighting apparatus that can solve the above problems and emit light similar to the single-day sunlight.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 고출력, 발열 및 짧은 수명과 같은 문제점을 해결하고, 태양광과 유사한 광을 확보할 수 있는 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법을 제공함에 있다.The technical problem to be solved by the present invention is to solve the problems such as high power, heat generation and short life, and to provide a light emitting diode package and a method of manufacturing the same that can secure light similar to sunlight.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 발광다이오드 패키지를 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지는 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹, 및 상기 LED 패키지 그룹 상에 배치되되, 상기 발광다이오드 칩으로부터 방출되는 광원을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 공통스펙트럼 변환물질 혼합층을 포함하되, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광에 대해 초과되는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비한다. In order to achieve the above technical problem, an aspect of the present invention provides a light emitting diode package. The light emitting diode package includes a package substrate, a plurality of single wavelength LED packages disposed on the package substrate, the light emitting diode chip and a wavelength conversion material layer disposed on the light emitting diode chip, and emitting different wavelength light. And a common spectral converting material mixture layer disposed on the LED package group and converting a light source emitted from the light emitting diode chip into common spectral pseudo light, wherein the LED package group includes the common spectral similarity. Single wavelength LED packages that emit light in the excess wavelength range for light.

상기 발광다이오드 패키지는 상기 LED 패키지 그룹 및 공통스펙트럼 변환물질 혼합층 사이에 배치되는 봉지층을 더 포함할 수 있다. 상기 단일파장 LED 패키지는 자색, 남색, 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색 파장광을 방출하는 소자일 수 있다. 상기 발광다이오드 칩은 430nm 이하의 파장광을 방출하는 소자일 수 있다. The light emitting diode package may further include an encapsulation layer disposed between the LED package group and the common spectrum conversion material mixed layer. The single wavelength LED package may be a device emitting violet, indigo blue, blue, green, yellow, orange or red wavelength light. The light emitting diode chip may be a device emitting light having a wavelength of 430 nm or less.

상기 패키지 기판은 패키지 리드 프레임 또는 패키지 프리몰드 프레임일 수 있으며, 상기 패키지 기판은 내부에 캐버티를 갖는 하우징을 더 구비할 수 있다. The package substrate may be a package lead frame or a package premold frame, and the package substrate may further include a housing having a cavity therein.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 발광다이오드 패키지를 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지는 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹, 및 상기 LED 패키지 그룹이 배치된 영역 외의 상기 패키지 기판 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광을 방출하는 공통스펙트럼 LED 패키지를 포함하되, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광에 대해 초과되는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비한다. Another aspect of the present invention provides a light emitting diode package to achieve the above technical problem. The light emitting diode package includes a package substrate, a plurality of single wavelength LED packages disposed on the package substrate, the light emitting diode chip and a wavelength conversion material layer disposed on the light emitting diode chip, and emitting different wavelength light. And a common spectral LED package disposed on the package substrate other than a region in which the LED package group is disposed, the common spectral LED package emitting common spectral pseudo light, wherein the LED package group includes the common spectral pseudo light. Single wavelength LED packages that emit light in the excess wavelength range.

상기 공통스펙트럼 LED 패키지는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩, 및 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 상에 배치되되, 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 광원을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비할 수 있다. The common spectrum LED package includes a common spectrum light emitting diode chip and a common spectrum wavelength conversion material mixture layer disposed on the common spectrum light emitting diode chip and converting a light source generated from the common spectrum light emitting diode chip into a common spectrum pseudo light. can do.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지 제조방법은 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키 지들을 구비하는 LED 패키지 그룹을 형성하는 단계, 상기 발광다이오드 칩으로부터 방출되는 광원을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 파장변환물질들을 혼합하는 단계, 및 상기 LED 패키지 그룹 상에 파장변환물질들을 도포하여, 공통스펙트럼 변환물질 혼합층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광에 대해 초과되는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비한다. In order to achieve the above technical problem, an aspect of the present invention provides a light emitting diode package manufacturing method. The method of manufacturing a light emitting diode package includes a package substrate, a light emitting diode chip on the package substrate, and a wavelength converting material layer disposed on the light emitting diode chip, the plurality of single wavelength LED packages emitting different wavelength light. Forming an LED package group including, mixing the wavelength conversion material for converting the light source emitted from the light emitting diode chip into a common spectrum pseudo-light, and coating the wavelength conversion material on the LED package group, common spectrum And forming a converting material mixture layer, wherein the LED package group includes single wavelength LED packages that emit light in an excess wavelength range for the common spectrum pseudo light.

상기 발광다이오드 패키지 제조방법은 상기 공통스펙트럼 변환물질 혼합층을 형성하는 단계 이전에 상기 LED 패키지 그룹 상에 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 공통스펙트럼 변환물질 혼합층은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법을 사용하여 형성할 수 있다. The light emitting diode package manufacturing method may further include forming an encapsulation layer on the LED package group before forming the common spectrum converting material mixed layer. The common spectrum converting material mixed layer may be formed using a blade coating method, a screen printing method, a dip coating method, a dotting method, a spin coating method, a spray method, or an inkjet printing method.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 발광다이오드 패키지 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드 패키지 제조방법은 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹을 형성하는 단계, 및 상기 LED 패키지 그룹이 배치된 영역 외의 상기 패키지 기판 상에 공통스펙트럼 유사광을 방출하는 공통스펙트럼 LED 패키지를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광에 대해 초과되는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비한다. Another aspect of the present invention provides a light emitting diode package manufacturing method for achieving the above technical problem. The light emitting diode package manufacturing method includes a package substrate, a light emitting diode chip on the package substrate, and a wavelength converting material layer disposed on the light emitting diode chip, and includes a plurality of single wavelength LED packages emitting different wavelength light. Forming a common spectral LED package emitting common spectral pseudo light on the package substrate outside the region where the LED package group is disposed, wherein the LED package group is the common package; Single wavelength LED packages that emit light in the excess wavelength band for spectral pseudo light.

상기 공통스펙트럼 LED 패키지는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩을 형성하는 단계, 및 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 상에 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩으로부터 방출되는 광원을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The common spectrum LED package may include forming a common spectrum light emitting diode chip, and converting a common spectrum wavelength converting material mixed layer converting a light source emitted from the common spectrum light emitting diode chip into a common spectrum pseudo light on the common spectrum light emitting diode chip. It may comprise the step of forming.

상술한 바와 같이 발광다이오드 패키지 내에 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비함으로써 일중태양광이 공통적으로 가지고 있는 공통스펙트럼 유사광원을 확보한 후, 단일파장 LED 패키지 강도를 다양하게 변화시킴으로써 여러 종류의 일중태양광 유사광원을 간단하게 구현시킬 수 있다. As described above, by providing a common spectrum wavelength converting material mixed layer in the light emitting diode package, a common spectrum similar light source common to the singlet solar light is obtained, and then the intensity of the single wavelength LED package is variously changed to allow various types of singlet solar light. The pseudo light source can be easily implemented.

또한, 발열이 적고, 소비전력이 낮으며, 수명이 긴 발광다이오드를 사용함으로써 종래 인공조명의 문제점을 해결할 수 있다. In addition, the problem of the conventional artificial lighting can be solved by using a light emitting diode having low heat generation, low power consumption, and long lifespan.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법을 나타내는 단면도이다. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 패키지 기판(10)이 제공된다. 상기 패키지 기판(10)은 패키지 리드 프레임 또는 패키지 프리몰드(pre-mold) 프레임일 수 있다. 상기 패키지 기판(10)은 본딩 패드(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 본딩 패드들은 Au, Ag, Cr, Ni, Cu, Zn, Ti, Pd 등을 함유할 수 있다. 상기 패키지 기판(10)의 외측부에는 상기 본딩 패드들에 각각 연결된 외부 연결단자들(미도시)이 배치될 수 있다. 상기 본딩 패드들 및 상기 외부 연결단자들은 리드 프레임에 구비된 것들일 수 있다. Referring to FIG. 1A, a package substrate 10 is provided. The package substrate 10 may be a package lead frame or a package pre-mold frame. The package substrate 10 may include a bonding pad (not shown). The bonding pads may contain Au, Ag, Cr, Ni, Cu, Zn, Ti, Pd, and the like. External connection terminals (not shown) connected to the bonding pads may be disposed on an outer portion of the package substrate 10. The bonding pads and the external connection terminals may be those provided in the lead frame.

또한, 상기 패키지 기판(10)은 내부에 캐버티(12a)를 갖는 하우징(12)을 더 구비할 수 있다. 이때, 상기 캐버티(12a) 내에 상기 본딩 패드들의 일부가 노출될 수 있다. 상기 하우징(12)은 실리콘, 금속, 세라믹 또는 수지로 형성될 수 있다. 또한, 상기 하우징(12)은 몰딩법에 의해 형성되거나, 상기 패키지 기판(10) 상에 하우징층을 형성한 후 패터닝하는 방법에 의해 형성될 수도 있다. In addition, the package substrate 10 may further include a housing 12 having a cavity 12a therein. In this case, some of the bonding pads may be exposed in the cavity 12a. The housing 12 may be formed of silicon, metal, ceramic, or resin. In addition, the housing 12 may be formed by a molding method, or may be formed by a method of forming a housing layer on the package substrate 10 and then patterning the housing layer.

상기 패키지 기판(10)과 상기 하우징(12)은 서로 분리되지 않은 일체형일 수 있다. 이 경우에, 상기 패키지 기판(10)과 상기 하우징(12)은 상기 본딩 패드들을 사이에 두고 일체로 사출 성형된 것일 수 있다. The package substrate 10 and the housing 12 may be integrally separated from each other. In this case, the package substrate 10 and the housing 12 may be injection molded integrally with the bonding pads therebetween.

도 1b를 참조하면, 상기 패키지 기판(10) 상에 서로 다른 파장광을 방출하는 적어도 4개의 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)을 구비하는 LED 패키지 그룹(20), 바람직하게는 서로 다른 파장광을 방출하는 7개의 단일파장 LED 패키지들 을 구비하는 LED 패키지 그룹(20)이 배치된다. 구체적으로, 상기 7개의 단일파장 LED 패키지들은 각각 자색, 남색, 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색 파장광을 방출하는 소자들일 수 있다. 만약, 상기 LED 패키지 그룹(20)이 4개의 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)을 구비하는 경우, 상기 LED 패키지 그룹(20)은 적어도 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장광을 방출하는 소자들을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1B, an LED package group 20, preferably having at least four single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28 emitting different wavelengths of light on the package substrate 10. Is an LED package group 20 having seven single wavelength LED packages emitting different wavelengths of light. Specifically, the seven single wavelength LED packages may be devices emitting violet, indigo blue, blue, green, yellow, orange or red wavelength light, respectively. If the LED package group 20 includes four single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28, the LED package group 20 may emit at least blue, green, orange and red wavelength light. It may include emitting elements.

상기 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)은 제1 클래드층, 제2 클래드층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 구비하는 각각의 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)을 구비할 수 있다. 상기 제1 클래드층은 제1형 불순물 예를들어, n형 불순물이 주입된 반도체층일 수 있다. 상기 n형 불순물은 Si 또는 N, B, P 등일 수 있다. 상기 제2 클래드층은 제2형 불순물 즉, p형 불순물이 주입된 반도체층일 수 있다. 상기 p형 불순물은 Mg 또는 N, P, As, Zn, Li, Na, K, Cu 등일 수 있다. 상기 활성층은 양자점 구조 또는 다중양자우물 구조(Multi Quantum Well Structure)를 가질 수 있다. The single-wavelength LED packages 22, 24, 26, 28 have respective light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, 28a having a first cladding layer, a second cladding layer and an active layer interposed therebetween. It can be provided. The first clad layer may be a semiconductor layer in which a first type impurity is implanted, for example, an n type impurity. The n-type impurity may be Si or N, B, P and the like. The second clad layer may be a semiconductor layer implanted with a second type impurity, that is, a p-type impurity. The p-type impurity may be Mg or N, P, As, Zn, Li, Na, K, Cu and the like. The active layer may have a quantum dot structure or a multi quantum well structure.

이러한 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)은 상기 제1 클래드층과 상기 제2 클래드층 사이에 전계를 인가할 때, 전자와 정공이 재결합하면서 발광한다. 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)은 AlGaAs계, InGaAs계, AlGaInP계, AlGaInPAs계, GaN계, ZnO계 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a emit light when electrons and holes recombine when an electric field is applied between the first cladding layer and the second cladding layer. The light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a may be any one of AlGaAs, InGaAs, AlGaInP, AlGaInPAs, GaN, and ZnO.

상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)은 n 전극과 p 전극을 상부면에 모두 형성한 수평형 소자 또는 n 전극과 p 전극이 각각 상하부면들에 형성된 수직형 소자일 수 있으나, 바람직하게는 수직형 소자일 수 있다. The light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a may be horizontal devices in which both n and p electrodes are formed on an upper surface, or vertical devices in which n and p electrodes are formed on upper and lower surfaces, respectively. It may be a vertical device.

상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)은 자색, 남색, 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색의 단일파장을 방출하는 소자이거나, 청색 또는 UV와 같은 430nm 이하의 단파장광을 방출하는 소자일 수 있다. The light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a may emit a single wavelength of purple, indigo blue, green, yellow, orange, or red, or may emit short wavelength light of 430 nm or less, such as blue or UV. Can be.

만약, 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)이 단파장광을 방출하는 소자인 경우에 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a) 상에는 상기 발광 다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)에서 방출되는 광을 다른 영역의 파장으로 변환시키는 각각의 파장변환물질층들(22b, 24b, 26b, 28b)이 배치될 수 있다. 상기 파장변환물질층들(22b, 24b, 26b, 28b)은 상기 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)에서 방출되는 파장광이 각각 청색, 녹색, 주황색 또는 적색인 경우, 각각 청색변환물질층, 녹색변환물질층, 주황색변환물질층 또는 적색변환물질층일 수 있다. If the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a are elements emitting short wavelength light, the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 26a may be disposed on the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a. Each of the wavelength converting material layers 22b, 24b, 26b, and 28b may be disposed to convert the light emitted from 28a into wavelengths of other regions. The wavelength conversion material layers 22b, 24b, 26b, and 28b may be blue conversion materials when the wavelength light emitted from the LED packages 22, 24, 26, and 28 are blue, green, orange, or red, respectively. Layer, green conversion material layer, orange conversion material layer or red conversion material layer.

일 예로서, 상기 청색변환물질층은 Sr(PO)Cl:Eu, SrMgSiO:Eu, BaMgSiO:Eu, BaMgAlO:Eu, SrPO:Eu, SrSiAlON:Eu등의 형광체층 또는 감청(Fe4[Fe(CN)6]3), 코발트 블루(CoO-Al2O3)등의 안료층일 수 있다. As an example, the blue conversion material layer is Sr (PO) Cl: Eu, SrMgSiO: Eu, BaMgSiO: Eu, BaMgAlO: Eu, SrPO: Eu, SrSiAlON: phosphor layer or tapping such as Eu (Fe 4 [Fe (CN 6 ] 3 ), pigment layers such as cobalt blue (CoO-Al 2 O 3 ).

상기 녹색변환물질층은 BaSiO:Eu, SrSiO:Eu, SrAlO:Eu, SrAlO:Eu, SrGaS:Eu, SrSiAlON:Eu, (Ca,Sr,Ba)SiNO:Eu, YSiON:Tb, YSiON:Tb, GdSiON:Tn의 형광체층, 또는 산화크롬(Cr2O3), 수산화 크롬(Cr2O(OH)4), 염기성 초산구리(Cu(C2H3O2)-2Cu(OH)2), 코발트 그린(Cr2O3-Al2O3-CoO)등의 안료층일 수 있다.The green conversion material layer is BaSiO: Eu, SrSiO: Eu, SrAlO: Eu, SrAlO: Eu, SrGaS: Eu, SrSiAlON: Eu, (Ca, Sr, Ba) SiNO: Eu, YSiON: Tb, YSiON: Tb, GdSiON : Phosphor layer of Tn or chromium oxide (Cr 2 O 3 ), chromium hydroxide (Cr 2 O (OH) 4 ), basic copper acetate (Cu (C 2 H 3 O 2 ) -2Cu (OH) 2 ), cobalt It may be a pigment layer such as green (Cr 2 O 3 -Al 2 O 3 -CoO).

상기 주황색변환물질층은 SrGa2S3:Pb일 수 있고, 상기 적색변환물질층은 황 화물계, 질화물계의 형광체층 또는 산화철(Fe2O3), 사산화 납(Pb3O4), 황화수은(HgS)등의 안료층일 수 있다. 상기 황화물계 형광체는 SrS:Eu 또는 CaS:Eu일 수 있으며, 상기 질화물계 형광체는 SrSiN:Eu, CaSiN:Eu, CaAlSiN, (Ca,Sr,Ba)SiN:Eu, LaSiN:Eu 또는 Sr-α-SiAlON일 수 있다. The orange conversion material layer may be SrGa 2 S 3 : Pb, the red conversion material layer is a sulfide-based, nitride-based phosphor layer or iron oxide (Fe 2 O 3 ), lead tetraoxide (Pb 3 O 4 ), It may be a pigment layer such as mercury sulfide (HgS). The sulfide phosphor may be SrS: Eu or CaS: Eu, and the nitride phosphor is SrSiN: Eu, CaSiN: Eu, CaAlSiN, (Ca, Sr, Ba) SiN: Eu, LaSiN: Eu or Sr-α- SiAlON.

도 1c를 참조하면, 상기 LED 패키지 그룹(20)과 노출된 패키지 기판(10) 상에 상기 캐버티(12a)의 내부를 채우는 봉지층(14)을 형성한다. 상기 봉지층(14)은 상기 LED 패키지 그룹(20)을 보호하고, 봉지하는 역할을 할 수 있다. 상기 봉지층(14)은 투광성수지층일 수 있다. 일 예로서 상기 봉지층(14)은 에폭시 수지층 또는 실리콘 수지층일 수 있다. Referring to FIG. 1C, an encapsulation layer 14 filling the inside of the cavity 12a is formed on the LED package group 20 and the exposed package substrate 10. The encapsulation layer 14 may serve to protect and encapsulate the LED package group 20. The encapsulation layer 14 may be a translucent resin layer. As an example, the encapsulation layer 14 may be an epoxy resin layer or a silicone resin layer.

도 1d를 참조하면, 상기 봉지층(14) 상에 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)로부터 방출되는 광원을 공통스펙트럼 유사광원으로 변환시키는 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)을 형성한다. 여기서, 상기 공통스펙트럼 광원은 다양한 형태의 일중 태양광 스펙트럼들이 공통적으로 가지고 있는 파장대의 스펙트럼 광을 나타낼 수 있다. Referring to FIG. 1D, a common spectral wavelength converting material mixture layer 16 is formed on the encapsulation layer 14 to convert a light source emitted from the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a into a common spectrum like light source. do. Here, the common spectral light source may represent spectral light of a wavelength band that the various types of singlet solar spectrums have in common.

도 2는 일중 태양광 스펙트럼의 파장별 상대 강도를 도시한 그래프이다. 2 is a graph showing relative intensities of wavelengths in the single-day solar spectrum.

도1d 및 도 2를 참조하면, 일중 태양광 스펙트럼은 D50(5000K), D55(5500K), D60(6000K), D65(6500K), D70(7000K), D75(7500K), D80(8000K), D100(10000K), D150(15000K) 및 D200(20000K)로 분류될 수 있다.1D and 2, the single-day solar spectrum is D50 (5000K), D55 (5500K), D60 (6000K), D65 (6500K), D70 (7000K), D75 (7500K), D80 (8000K), D100 10000K, D150 (15000K), and D200 (20000K).

상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)은 적어도 4개의 서로 다른 종류의 파장변환물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 구체적으로 상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)은 적어도 청색, 녹색, 주황색 및 적색 변환물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 파장 변환물질들은 공통스펙트럼 광에서 각 파장대별 스펙트럼이 차지하는 비율과 대응되도록 혼합될 수 있다. The common spectrum wavelength conversion material mixed layer 16 may be formed by mixing at least four different types of wavelength conversion materials. Specifically, the common spectrum wavelength conversion material mixed layer 16 may be formed by mixing at least blue, green, orange, and red conversion materials. In this case, the wavelength converting materials may be mixed so as to correspond to the ratio of the spectrum of each wavelength band in the common spectrum light.

일 예로서, 상기 공통스펙트럼 광은 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 최대 상대 강도가 각각 약 80, 100, 70 및 60을 나타낸다. 이러한 경우, 상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)에 사용되는 각각의 파장변환물질층들은 상기 녹색변환물질 100 기준 광량비에 대해 각각 청색, 주황색 및 적색변환물질로서 각각 80, 70 및 60 상대 광량비가 첨가될 수 있다. As an example, the common spectral light has a maximum relative intensity in the blue, green, orange and red wavelength bands of about 80, 100, 70, and 60, respectively. In this case, each of the wavelength conversion material layers used in the common spectrum wavelength conversion material mixed layer 16 is 80, 70, and 60 relative light amounts, respectively, as the blue, orange, and red conversion materials, respectively, with respect to the 100 reference light quantity ratio of the green conversion material. Rain may be added.

상기와 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법등의 습식코팅법을 사용하여 상기 봉지층(14) 상에 형성할 수 있다. The spectral spectral wavelength conversion material mixed layer 16 may be formed using the encapsulation layer 14 using a wet coating method such as a blade coating method, a screen printing method, a dip coating method, a dotting method, a spin coating method, a spray method, or an inkjet printing method. It can form on a phase.

상기와 같이 제조된 발광다이오드 패키지에 전계를 인가하는 경우, 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)로부터 방출되는 광, 일 예로서, UV의 일부는 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a) 상에 배치된 각각의 파장변환물질층들(22b, 24b, 26b, 28b)에 의해 파장이 변환되고, 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)로부터 방출되는 광의 나머지 일부는 상기 LED 패키지 그룹(20) 상 에 배치된 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)에 의해 파장이 변환될 수 있다. When an electric field is applied to the LED package manufactured as described above, light emitted from the LED chips 22a, 24a, 26a, and 28a, for example, a part of UV may be emitted from the LED chips 22a, 24a, The wavelength is converted by the respective wavelength converting material layers 22b, 24b, 26b, and 28b disposed on 26a and 28a, and the remaining part of the light emitted from the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a and 28a. The wavelength may be converted by the common spectrum wavelength conversion material mixed layer 16 disposed on the LED package group 20.

이때, 상기 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)의 종류와 각 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28) 내에 함유된 파장변환물질들의 농도, 또는 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)의 동작전류를 변화시킴으로서 상기 공통스펙트럼 유사광에서 초과되는 각각의 단일 파장대들의 광량이 조절될 수 있다. At this time, the type of the single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28 and the concentration of the wavelength conversion materials contained in each of the single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28, or single wavelength LED packages By varying the operating current of (22, 24, 26, 28), the amount of light in each single wavelength band exceeded in the common spectrum pseudo light can be adjusted.

그 결과, 상기 공통스펙트럼 유사광에 대해 초과되는 파장대의 광량을 상기 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)로부터 방출되는 광으로 보상해줄 수 있으므로, 다양한 종류의 일중태양광 유사광원 확보가 가능해질 수 있다. As a result, it is possible to compensate the amount of light exceeding the wavelength of the common spectrum similar light with the light emitted from the single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28, so as to secure various types of single-layered solar similar light source Can be enabled.

여기서, 상기 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)로부터 방출되는 파장대의 광을 상기 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28) 내의 파장변환물질들 농도로 조절하는 경우, 상기 단일파장 LED 패키지들(22, 24, 26, 28)로부터 방출되는 파장대의 광량은 상기 파장변환물질들의 농도에 비례할 수 있다. 즉, 파장변환물질의 농도가 증가되는 경우, 최종적으로 방출되는 일중 태양광 유사광의 광량은 증가될 수 있고, 상기 파장변환물질들의 농도가 감소되는 경우, 상기 일중 태양광 유사광의 광량은 감소될 수 있다.Here, when the light of the wavelength band emitted from the single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28 is adjusted to the concentration of the wavelength conversion materials in the single wavelength LED packages 22, 24, 26, 28, The amount of light in the wavelength band emitted from the single wavelength LED packages 22, 24, 26, and 28 may be proportional to the concentration of the wavelength conversion materials. That is, when the concentration of the wavelength converting material is increased, the amount of single-layered sunlight-like light finally emitted may be increased, and when the concentration of the wavelength converting materials is decreased, the amount of light of the single-layered solar light is reduced. have.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다. 후술하는 것을 제외하고는 상술한 도 1a 내지 도 1d를 참조하여 설명한 발광다이오드와 동일하다. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Except for the following description, it is the same as the light emitting diode described with reference to FIGS. 1A to 1D.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지는 별 도의 봉지층(도 1d의 14)을 구비하지 않고, 상기 LED 패키지 그룹(20) 및 노출된 패키지 기판(10) 상의 상기 캐버티(도 1b의 12a) 내를 채우는 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)이 위치할 수 있다. Referring to FIG. 3, the LED package according to another embodiment of the present invention does not have a separate encapsulation layer (14 of FIG. 1D), and the LED package group 20 and the exposed package substrate 10 on the LED package group 20. A common spectrum wavelength converting material mixed layer 16 filling the cavity 12a of FIG. 1B may be located.

이 경우, 상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)은 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)로부터 방출되는 광원을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 역할뿐만 아니라, 상기 LED 패키지 그룹(20)을 보호 및 봉지하는 봉지층 역할을 할 수 있다. In this case, the common spectrum wavelength converting material mixed layer 16 not only converts light sources emitted from the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a into common spectrum pseudo light, but also the LED package group 20. It may serve as an encapsulation layer to protect and encapsulate.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다. 후술하는 것을 제외하고는 상술한 도 1a 내지 도 1d를 참조하여 설명한 발광다이오드와 동일하다. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Except for the following description, it is the same as the light emitting diode described with reference to FIGS. 1A to 1D.

도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 LED 패키지 그룹(20) 상에 별도의 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)을 형성하지 않고, 공통스펙트럼 유사광을 방출하는 공통스펙트럼 LED 패키지(30)를 제조하여 상기 패키지 기판(10) 상에 배치시킬 수 있다. Referring to FIG. 4, the light emitting diode package according to another embodiment of the present invention emits common spectrum pseudo light without forming a separate common spectrum wavelength converting material mixed layer 16 on the LED package group 20. The common spectrum LED package 30 may be manufactured and disposed on the package substrate 10.

구체적으로, 상기 공통스펙트럼 LED 패키지(30)는 제1 클래드층, 제2 클래드층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 구비하는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩(32)을 구비할 수 있다. 상기 발광다이오드 칩(32)은 AlGaAs계, InGaAs계, AlGaInP계, AlGaInPAs계, GaN계, ZnO계 중 어느 하나일 수 있다. Specifically, the common spectrum LED package 30 may include a common spectrum light emitting diode chip 32 having a first cladding layer, a second cladding layer, and an active layer interposed therebetween. The light emitting diode chip 32 may be any one of AlGaAs, InGaAs, AlGaInP, AlGaInPAs, GaN, and ZnO.

상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩(32)은 단파장광을 방출하는 소자일 수 있다. 구체적으로, 상기 공통스펙트럼 발광 다이오드 칩(32)은 430nm 이하의 파장광을 방출하는 소자일 수 있으며, 일 예로서, 상기 발광다이오드 칩(32)은 청색광 또는 UV를 방출하는 소자일 수 있다. The common spectrum light emitting diode chip 32 may be a device emitting short wavelength light. Specifically, the common spectrum LED chip 32 may be a device that emits light having a wavelength of 430 nm or less. For example, the LED chip 32 may be a device that emits blue light or UV light.

상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩(32) 상에는 상기 공통스펙트럼 발광 다이오드 칩(32)에서 방출되는 광을 공통스펙트럼 유사광으로 변환시키는 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(34)이 배치될 수 있다. 상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(34)의 제조방법은 상술한 도 1d를 참조하여 설명한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)의 제조방법과 동일하다. A common spectral wavelength converting material mixture layer 34 may be disposed on the common spectrum light emitting diode chip 32 to convert light emitted from the common spectrum light emitting diode chip 32 into common spectrum like light. The method of manufacturing the common spectrum wavelength converting material mixed layer 34 is the same as the method of manufacturing the common spectrum wavelength converting material mixed layer 16 described with reference to FIG. 1D.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 스펙트럼을 나타낸 모식도이다. 5 is a schematic diagram showing a spectrum of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

일 예로서, 상기 D65 유사광원을 구현하기 위해, 도 1a 내지 도 1d를 참조하여 설명한 발광다이오드, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지를 사용할 수 있다. 그러나, 이하에서는 도 4를 참조하여 설명한 발광다이오드 패키지를 이용하여 상기 D65의 일중태양광 유사광원을 방출하는 발광다이오드 패키지의 제조방법을 설명한다. For example, in order to implement the D65-like light source, the light emitting diodes described with reference to FIGS. 1A to 1D and the light emitting diode package described with reference to FIGS. 3 and 4 may be used. However, hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode package that emits a single solar like light source of D65 using the light emitting diode package described with reference to FIG. 4 will be described.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 D65 유사광원을 구현하기 위해 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩(32) 상에 배치된 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(34)으로서 상기 녹색변환물질 100 기준 광량비에 대해 청색, 주황색 및 적색변환물질을 각각 80, 70 및 60 상대 광량비가 혼합할 수 있다. 4 and 5, as the common spectrum wavelength conversion material mixed layer 34 disposed on the common spectrum light emitting diode chip 32 to implement the D65-like light source, with respect to the reference ratio of green light 100 to the green conversion material 100. The blue, orange, and red converting materials may be mixed in 80, 70, and 60 relative light quantity ratios, respectively.

또한, 상기 LED 패키지 그룹(20)으로서, 상기 청색 LED 패키지(22), 녹색 LED 패키지(24), 주황색 패키지(26), 적색 패키지들(28)에 구비된 파장변환물질들은 상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)에 함유된 녹색변환물질 100 기준 광량비에 대해 각각 40, 10, 5 및 5 상대 광량비가 첨가될 수 있다. In addition, wavelength conversion materials included in the blue LED package 22, the green LED package 24, the orange package 26, and the red packages 28 as the LED package group 20 may be converted into the common spectrum wavelength conversion. 40, 10, 5, and 5 relative light amount ratios may be added to the green light conversion material 100 reference light ratios contained in the material mixture layer 16, respectively.

그 결과, 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)에 의해 발생된 광원의 일부는 상기 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층(16)에 의해 파장대가 변환되어, 도 5의 (g)와 같은 공통스펙트럼 유사광을 방출할 수 있으며, 이와 동시에 상기 발광다이오드 칩들(22a, 24a, 26a, 28a)에 의해 발생된 광원의 나머지 일부는 상기 파장변환물질층(22b, 24b, 26b, 28b)에 의해 파장대가 변환되어, 도 5의 (h)와 같은 각각의 단일 파장광들을 방출할 수 있다. As a result, a portion of the light source generated by the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, and 28a is converted into a wavelength band by the common spectrum wavelength conversion material mixed layer 16, so that the common band as shown in FIG. Spectral-like light can be emitted, and at the same time the remaining portion of the light source generated by the light emitting diode chips 22a, 24a, 26a, 28a is controlled by the wavelength converting material layers 22b, 24b, 26b, 28b. Can be converted to emit respective single wavelength lights as shown in FIG.

따라서, 상기 LED 그룹(20)과 상기 공통스펙트럼 LED 패키지(30)를 동시에 구비한 본 발명에 따른 발광다이오드는 상기 공통스펙트럼 유사광원과 단일 파장광들의 조합으로 인해, 도 5의 (i)와 같이 D65의 일중태양광과 유사한 광원을 방출할 수 있다. Therefore, the light emitting diode according to the present invention having the LED group 20 and the common spectrum LED package 30 at the same time has a combination of the common spectrum pseudo light source and single wavelength light, as shown in FIG. It can emit a light source similar to the singlet sunlight of D65.

상술한 바와 같이 발광다이오드 내에 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비하여 일중태양광이 공통적으로 가지고 있는 공통스펙트럼 유사광원을 확보한 후, 단일파장 LED 패키지들로부터 발생되는 파장대의 광량을 다양하게 변화시킴으로써 여러 종류의 일중태양광과 유사한 광원을 간단하게 구현시킬 수 있다. As described above, a common spectrum wavelength converting material mixture layer is provided in the light emitting diode to secure a common spectrum similar light source common to the singlet solar light, and then various amounts of light are generated by varying the wavelength band generated from single wavelength LED packages. It is simple to implement a light source similar to a kind of singlet sunlight.

이러한 방법을 이용함으로써 실내에서도 일중 태양광과 유사한 광을 조명으로 쉽게 이용할 수 있으며, 작업실, 화실, 거실, 침실, 공부방, 백화점, 미술관 또 는 전시관에서 각각의 환경에 적합한 광원을 적용시킬 수 있다. 또한, 발열이 적고, 소비전력이 낮으며, 수명이 긴 발광다이오드를 사용함으로써 종래 인공조명의 문제점을 해결할 수 있다. By using this method, it is easy to use sunlight-like light in the room as a lighting, and it is possible to apply a light source suitable for each environment in a studio, a painting room, a living room, a bedroom, a study room, a department store, an art gallery or an exhibition hall. In addition, the problem of the conventional artificial lighting can be solved by using a light emitting diode having low heat generation, low power consumption, and long lifespan.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다. As mentioned above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and changes may be made by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention. You can change it.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법을 나타내는 단면도이다. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 2는 일중 태양광 스펙트럼의 파장별 상대 강도를 도시한 그래프이다. 2 is a graph showing relative intensities of wavelengths in the single-day solar spectrum.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 구조를 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 스펙트럼을 나타낸 모식도이다. 5 is a schematic diagram showing a spectrum of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

Claims (13)

패키지 기판;A package substrate; 상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹; 및An LED package group disposed on the package substrate, the LED package group including a light emitting diode chip and a wavelength converting material layer disposed on the light emitting diode chip, the plurality of single wavelength LED packages emitting different wavelength light; And 상기 LED 패키지 그룹 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 포함하되, A common spectral wavelength converting material mixture layer disposed on the LED package group and mixing blue, green, orange, and red wavelength converting materials so as to correspond to a relative intensity ratio of each wavelength band of the common spectrum pseudo light, 상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,The common spectrum pseudo light has a relative intensity in the blue, green, orange, and red wavelength bands of 85% to 95%, 95% to 105%, respectively, when the maximum relative intensity of 5000K single sunlight is 100%. 75% to 85% and 70% to 80% light, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지. The LED package group includes a single wavelength LED package for emitting light in a wavelength band exceeding the amount of light in a portion of the wavelength band of the common spectrum pseudo light. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 LED 패키지 그룹 및 공통스펙트럼 변환물질 혼합층 사이에 배치되는 봉지층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.The LED package further comprises an encapsulation layer disposed between the LED package group and the common spectrum conversion material mixed layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단일파장 LED 패키지는 자색, 남색, 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색 파장광을 방출하는 소자인 발광다이오드 패키지. The single wavelength LED package is a light emitting diode package that emits purple, indigo blue, blue, green, yellow, orange or red wavelength light. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광다이오드 칩은 430nm 이하의 파장광을 방출하는 소자인 발광다이오드 패키지. The light emitting diode chip is a light emitting diode package that emits light of wavelength less than 430nm. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 패키지 기판은 패키지 리드 프레임 또는 패키지 프리몰드 프레임인 발광다이오드 패키지. The package substrate is a light emitting diode package is a package lead frame or a package pre-molded frame. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 패키지 기판은 내부에 캐버티를 갖는 하우징을 더 구비하는 발광다이오드 패키지. The package substrate further comprises a housing having a cavity therein. 패키지 기판;A package substrate; 상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹; 및An LED package group disposed on the package substrate, the LED package group including a light emitting diode chip and a wavelength converting material layer disposed on the light emitting diode chip, the plurality of single wavelength LED packages emitting different wavelength light; And 상기 패키지 기판 상에 상기 LED 패키지 그룹과 병렬로 배치되는 공통스펙트럼 LED 패키지를 포함하되,Comprising a common spectrum LED package disposed in parallel with the LED package group on the package substrate, 상기 공통스펙트럼 LED 패키지는 430nm 이하의 파장광을 방출하는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 및 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비하고,The common spectrum LED package is disposed on the common spectrum light emitting diode chip and the common spectrum light emitting diode chip that emit light having a wavelength of 430 nm or less, and corresponds to the relative intensity ratio of each wavelength band of common spectrum pseudo light. A common spectrum wavelength converting material mixture layer comprising red wavelength converting materials mixed therein; 상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,The common spectrum pseudo light has a relative intensity in the blue, green, orange, and red wavelength bands of 85% to 95%, 95% to 105%, respectively, when the maximum relative intensity of 5000K single sunlight is 100%. 75% to 85% and 70% to 80% light, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지.The LED package group includes a single wavelength LED package for emitting light in a wavelength band exceeding the amount of light in a portion of the wavelength band of the common spectrum pseudo light. 삭제delete 패키지 기판;A package substrate; 상기 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹을 형성하는 단계; Forming an LED package group having a light emitting diode chip and a wavelength converting material layer disposed on the light emitting diode chip, the plurality of single wavelength LED packages emitting different wavelength light; 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합하는 단계; 및Mixing blue, green, orange, and red wavelength converting materials so as to correspond to a relative intensity ratio of each wavelength band of the common spectrum pseudo light; And 상기 LED 패키지 그룹 상에 상기 혼합한 파장변환물질들을 도포하여, 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 형성하는 단계를 포함하되, Applying the mixed wavelength converting materials to the LED package group to form a common spectrum wavelength converting material mixed layer, 상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,The common spectrum pseudo light has a relative intensity in the blue, green, orange, and red wavelength bands of 85% to 95%, 95% to 105%, respectively, when the maximum relative intensity of 5000K single sunlight is 100%. 75% to 85% and 70% to 80% light, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지 제조방법. The LED package group is a light emitting diode package manufacturing method comprising a single wavelength LED package for emitting light in the wavelength band exceeding the amount of light in the wavelength band of the common spectrum pseudo-light. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 공통스펙트럼 변환물질 혼합층을 형성하는 단계 이전에 상기 LED 패키지 그룹 상에 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법. And forming an encapsulation layer on the LED package group prior to forming the common spectrum converting material mixed layer. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9, 상기 공통스펙트럼 변환물질 혼합층은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법을 사용하여 형성하는 발광다이오드 패키지 제조방법. The common spectrum converting material mixture layer is formed using a blade coating method, screen printing method, dip coating method, dotting method, spin coating method, a spray method or an inkjet printing method. 패키지 기판;A package substrate; 상기 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹을 형성하는 단계; 및Forming an LED package group having a light emitting diode chip and a wavelength converting material layer disposed on the light emitting diode chip, the plurality of single wavelength LED packages emitting different wavelength light; And 상기 패키지 기판 상에 상기 LED 패키지 그룹과 병렬로 배치되고, 공통스펙트럼 유사광을 방출하는 공통스펙트럼 LED 패키지를 형성하는 단계를 포함하되,Forming a common spectrum LED package disposed in parallel with the LED package group on the package substrate, the common spectrum LED package emitting common spectrum pseudo light; 상기 공통스펙트럼 LED 패키지는 430nm 이하의 파장광을 방출하는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 및 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비하고,The common spectrum LED package is disposed on the common spectrum light emitting diode chip and the common spectrum light emitting diode chip that emit light having a wavelength of 430 nm or less, and corresponds to the relative intensity ratio of each wavelength band of common spectrum pseudo light. A common spectrum wavelength converting material mixture layer comprising red wavelength converting materials mixed therein; 상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,The common spectrum pseudo light has a relative intensity in the blue, green, orange, and red wavelength bands of 85% to 95%, 95% to 105%, respectively, when the maximum relative intensity of 5000K single sunlight is 100% in the green wavelength range. 75% to 85% and 70% to 80% light, 상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지 제조방법.The LED package group is a light emitting diode package manufacturing method comprising a single wavelength LED package for emitting light in the wavelength band exceeding the amount of light in the wavelength band of the common spectrum pseudo-light. 삭제delete
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