KR101164200B1 - 반도체 공정 부산물 트랩장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 공정 부산물 트랩 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 내부가 중공인 원통 형상으로 형성되는 하우징 본체와 상기 하우징 본체의 하측에 형성되어 폐가스가 유입되는 폐가스 유입구 및 상기 하우징 본체의 상측에 형성되어 폐가스가 배출되는 폐가스 배출구를 포함하는 하우징과, 상기 하우징 본체의 내부 하측에 위치하며 상기 폐가스 유입구를 통하여 유입되는 폐가스를 냉각하는 냉각 유닛과, 상기 냉각 유닛의 상부에 위치하며, 상기 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스를 필터링하여 상부로 배출하는 필터링 유닛 및 상기 하우징의 내부에 고정되면서 상기 필터링 유닛을 내부에 수용하여 상기 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스가 상기 필터링 유닛으로 유입되도록 하며, 상기 필터링 유닛을 통과한 폐가스를 상부로 배출하는 필터 고정 유닛을 포함하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치가 제공된다.

Description

반도체 공정 부산물 트랩장치{APPARATUS FOR TRAPPING SEMICONDUCTOR RESIDUAL PRODUCT}

본 발명은 반도체 공정 부산물 트랩장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.

따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크러버(Scrubber)를 설치한다.

하지만, 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 배기가스는 대기와 접촉하거나 주변의 온도가 낮으면 고형화되어 파우더로 변하게 되는데, 상기 파우더는 배기라인에 고착되어 배기압력을 상승시킴과 동시에 진공펌프로 유입될 경우 진공펌프의 고장을 유발하고, 배기가스의 역류를 초래하여 프로세스 챔버 내에 있는 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.

한편, 반도체 제조 공정 뿐만 아니라 LCD 제조 공정 또는 OLED 제조 공정에서도 반도체 제조 공정과 유사하게 증착 및 식각 공정과 같은 반도체 공정이 진행되며 동일한 문제가 있다.

본 발명은 반도체 제조 공정에서 발생되는 반응 부산물을 효율적으로 포집할 수 있는 반도체 공정 부산물 트랩 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 반도체 공정 부산물 트랩 장치는 내부가 중공인 원통 형상으로 형성되는 하우징 본체와 상기 하우징 본체의 하측에 형성되어 폐가스가 유입되는 폐가스 유입구 및 상기 하우징 본체의 상측에 형성되어 폐가스가 배출되는 폐가스 배출구를 포함하는 하우징과, 상기 하우징 본체의 내부 하측에 위치하며 상기 폐가스 유입구를 통하여 유입되는 폐가스를 냉각하는 냉각 유닛과, 상기 냉각 유닛의 상부에 위치하며, 상기 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스를 필터링하여 상부로 배출하는 필터링 유닛 및 상기 하우징의 내부에 고정되면서 상기 필터링 유닛을 내부에 수용하여 상기 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스가 상기 필터링 유닛으로 유입되도록 하며, 상기 필터링 유닛을 통과한 폐가스를 상부로 배출하는 필터 고정 유닛을 포함하는 것을 특징한다.

또한, 상기 냉각 유닛은 내부가 중공이며, 수평 방향을 따라 지그재그로 절곡되는 냉각 배관을 적어도 3개를 포함하며, 상기 냉각 배관은 양측에 위치하는 절곡부와 상기 절곡부 사이에 위치하는 직선부를 구비하며, 일측 또는 타측에 위치하는 하나의 상기 절곡부로부터 타측 또는 일측으로 연장되는 두 개의 직선부는 이격 거리가 감소되도록 연장되어 형성될 수 있다.

또한, 상기 필터링 유닛은 상부와 하부가 개방된 원통 형상으로 형성되는 필터 및 상기 필터의 하부 형상에 대응되는 평판의 링 형상으로 형성되며 중앙에 형성되는 관통홀을 구비하여 상기 필터의 하부에 결합되는 지지 플레이트를 포함하여 형성될 수 있다.

또한, 상기 필터 고정 유닛은 상기 하우징의 내부에 고정되면서 상기 필터의 상면에 결합되며 상기 필터에 대응되는 영역에 형성되는 관통홀을 구비하는 상부 플레이트와 상기 상부 플레이트의 하면에 결합되며 상기 필터의 중앙을 관통하는 고정 샤프트와 상면에 형성되는 지지바를 포함하며, 상기 지지바에 의하여 상기 필터의 하부를 지지하면서 상기 필터의 하면과 이격되도록 상기 고정 샤프트의 하부에 결합되는 하부 플레이트 및 상부와 하부가 개방되는 원통 형상이며, 상부가 상기 상부 플레이트의 하면에 결합되며, 상기 필터를 내부에 수용하는 내부 하우징을 포함하여 형성될 수 있다.

또한, 상기 반도체 공정 부산물 트랩 장치는 상기 필터링 유닛의 상부에 위치하는 제 2 필터링 유닛과 제 2 필터 고정 유닛을 더 포함하며, 상기 제 2 필터링 유닛은 상부와 하부가 개방된 원통 형상으로 형성되는 제 2 필터를 포함하며, 상기 제 2 필터 고정 유닛은 상기 제 2 필터의 상면에 결합되며 상기 제 2 필터에 대응되는 영역에 형성되는 제 2 관통홀을 구비하는 제 2 상부 플레이트와 상기 제 2 상부 플레이트의 하면에 결합되며 상기 제 2 필터의 중앙을 관통하는 제 2 고정 샤프트와 상기 제 2 필터의 하부로부터 이격되도록 상기 제 2 고정 샤프트의 하부에 결합되는 제 2 하부 플레이트 및 상부와 하부가 개방되고 상부가 상기 제 2 상부 플레이트의 하면에 결합되며, 상기 제 2 필터를 내부에 수용하는 제 2 내부 하우징을 포함하여 형성될 수 있다.

본 발명의 반도체 공정 부산물 트랩 장치에 따르면 필터링 유닛으로 유입되는 폐가스를 사전에 냉각 유닛으로 냉각함으로써 미립자가 냉각 유닛에서 사전에 포집될 수 있도록 하며, 필터링 유닛의 필터링 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 상기 반도체 공정 부산물 트랩 장치는 필터링 유닛으로 유입되는 폐가스의 온도를 낮춤으로써 필터링 유닛을 포함하는 필터링 장치 및 필터링 장치 후단 배관의 온도를 낮출 수 있는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치의 수직 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치를 구성하는 냉각 유닛의 측면도이다.
도 2b는 도 2a의 냉각 유닛의 평면도이다.
도 2c는 도 2a의 냉각 유닛의 하부 배관층과 중간 배관층의 평면도이다.
도 2d는 도 2a의 냉각 유닛의 상부 배관층의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치를 구성하는 필터 고정 유닛의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 A-A 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치의 수직 단면도이다. 도 2a는 반도체 공정 부산물 트랩 장치를 구성하는 냉각 유닛의 측면도이며, 도 2b는 냉각 유닛의 평면도이며, 도 2c는 냉각 유닛의 하부 배관층과 중간 배관층의 평면도이며, 도 2d는 도 2a의 냉각 유닛의 상부 배관층의 평면도이다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치를 구성하는 필터 고정 유닛의 평면도이고 도 3b는 도 3a의 A-A 단면도이다.

이하의 설명에서 일측과 타측은 도면을 기준을 좌측 방향과 우측 방향을 각각 의미하며, 상측 또는 전측과 하측 또는 후측은 도면을 기준으로 상부 방향과 하부 방향을 각각 의미한다. 또한, 상기의 위치에 대한 기재는 상대적인 개념으로 위치를 특별히 한정해야 하는 경우를 제외하고는, 구성 요소의 형성 위치를 한정하지는 않는다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정 부산물 트랩 장치(100)는, 도 1 내지 도 3b를 참조하면, 하우징(110)와 냉각 유닛(120)와 필터링 유닛(130) 및 필터 고정 유닛(140)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 반도체 공정 부산물 트랩 장치는 제 2 필터링 유닛(150)과 제 2 필터 고정 유닛(160)을 포함하여 형성될 수 있다.

상기 반도체 공정 부산물 트랩 장치는 필터링 유닛(130)으로 유입되는 폐가스를 사전에 냉각 유닛(120)으로 냉각함으로써 미립자가 냉각 유닛(120)에서 사전에 포집될 수 있도록 하며, 필터링 유닛(130)의 필터링 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 반도체 공정 부산물 트랩 장치는 필터링 유닛(130)으로 유입되는 폐가스의 온도를 낮춤으로써 필터링 유닛(130)을 포함하는 필터링 장치의 온도를 낮출 수 있게 된다.

또한, 상기 반도체 공정 부산물 트랩 장치(100)는 반도체 제조 공정뿐만 아니라 LCD 제조 공정 및 OLED 제조 공정에도 사용될 수 있음은 물론이다.

상기 하우징(110)은 하우징 본체(111)와 폐가스 유입구(112) 및 폐가스 배출구(113)를 포함하여 형성된다. 상기 하우징(110)은 내부에 냉각 유닛(120)과 필터링 유닛(130) 및 필터 고정 유닛(140)을 수용하게 된다. 또한, 상기 하우징(110)은 전체적으로 밀폐되도록 형성됨으로써 폐가스 유입구(112)로 유입되는 폐가스가 냉각 유닛(120)과 필터링 유닛(130)을 통과하여 폐가스 배출구(113)로 배출되도록 한다.

상기 하우징 본체(111)는 내부가 중공인 원통형상으로 형성되며 폐가스 유입구(112)와 폐가스 배출구(113)가 형성되는 부분을 제외하고는 전체적으로 밀폐되도록 형성된다. 상기 하우징 본체(111)는 내부에 냉각 유닛(120)과 필터링 유닛(130) 및 필터 고정 유닛(140)을 설치하기 위하여 적어도 2개의 부분으로 분리 결합될 수 있도록 형성된다.

상기 하우징 본체(111)는 내열성와 내부식성이 있는 스테인레스 스틸과 같은 재질로 형성된다.

상기 폐가스 유입구(112)는 하우징 본체(111)의 하부 일측에 형성되며, 외부의 공정 챔버(도면에 도시하지 않음) 또는 공정 배관(도면에 도시하지 않음)과 연결된다. 상기 폐가스는 폐가스 유입구(112)를 통하여 하우징 본체(111)로 유입된다. 한편, 상기 폐가스 유입구(112)는 반도체 공정 부산물 트랩 장치가 설치되는 위치와 방향에 따라 다른 위치에 형성될 수 있다.

상기 폐가스 배출구(113)는 하우징 본체(111)의 상측에 형성되며, 외부의 진공 펌프(도면에 도시하지 않음) 또는 스크러버(도면에 도시하지 않음)와 연결된다. 상기 폐가스는 폐가스 배출구(113)를 통하여 펌프 또는 스크러버로 배출된다. 한편, 상기 폐가스 배출구(113)는 반도체 공정 부산물 트랩 장치가 설치되는 위치와 방향에 따라 다른 위치에 형성될 수 있다.

상기 냉각 유닛(120)은 적어도 2개의 냉각 배관(121)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 냉각 유닛(120)은 냉각 배관(121)을 연결하는 냉각수 공급관(125)과 냉각수 배출관(126) 및 연결 배관(127)을 더 포함하여 형성될 수 있다.

상기 냉각 유닛(120)은 하우징 본체(111)의 내부 하측에 위치한다. 상기 냉각 유닛(120)은 냉각 배관(121)의 내부로 냉각수가 흐르면서 폐가스 유입구(112)를 통하여 유입되는 폐가스를 냉각시켜 폐가스에 포함되어 있는 입자를 포집하게 된다. 상기 냉각 유닛(120)은 냉각수의 온도가 낮은 경우에 냉각 배관(121)의 표면에 포집되는 입자가 점성을 띠게 되어 입자를 액체 특성을 가지도록 포집하게 된다. 따라서, 상기 냉각 유닛(120)은 필터링 유닛(130)으로 유입되는 폐가스의 입자 수를 감소시킴으로써 필터링 유닛(130)의 수명과 교체 시기를 증가시키게 된다. 이를 위하여 상기 냉각 유닛(120)은 바람직하게는 내부에 흐르는 냉각수의 온도를 -10℃ 내지 30℃로 유지하여 냉각 유닛(120)이 위치하는 영역의 온도를 -5℃ 내지 35℃로 유지하게 되며, 폐가스의 냉각 효율과 포집 효율을 증가시키게 된다. 상기 냉각 유닛(120)은 폐가스를 냉각시켜 필터링 유닛(130)으로 공급하게 된다.

상기 냉각 배관(121)은 하부 배관(122)과 상부 배관(123)을 포함하며, 중간 배관(124)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 냉각 배관(121)은 하부 배관(122)과 상부 배관(123)이 각각 하나의 층을 이루도록 형성된다. 따라서, 상기 냉각 배관(121)은 적어도 2개의 층을 이루도록 형성된다. 상기 냉각 배관(121)은 층의 수가 증가함에 따라 냉각 효율과 포집 효율이 증가된다. 상기 하부 배관(122)과 상부 배관(123) 및 중간 배관(124)은 전체적으로 유사한 구성으로 형성되며 일부 형상에 있어서만 차이가 있게 된다.

상기 냉각 배관(121)은 내부가 중공인 배관이 수평 방향을 따라 지그재그로 절곡되어 형성된다. 상기 냉각 배관(121)은 양측에 위치하는 절곡부(121a)와 절곡부 사이에 위치하는 직선부(121b)로 형성된다. 상기 직선부는 일측 또는 타측에 위치하는 절곡부로부터 타측 또는 일측으로 연장될 때 두 개의 직선부 사이의 이격 거리가 감소되도록 연장되어 형성된다. 따라서, 상기 직선부는 전체 길이가 증가되면서 포집 효율과 냉각 효율을 증가시키게 된다. 상기 냉각 배관(121)은 전체적으로 평면 형상의 층을 이루게 된다. 상기 냉각 배관(121)은 배관의 내부에 흐르는 냉각수에 의하여 냉각된다. 또한, 상기 냉각 배관(121)은 평면 형상이 하우징 본체(111)의 내부 형상에 대응되는 형상을 이루게 되며, 하우징 본체(111)의 수평 단면 형상이 원형인 경우에 원형의 평면을 이루게 된다. 따라서, 상기 냉각 배관(121)은 하우징 본체(111)의 수평 단면 형상이 사각 형상인 경우에 동일하게 사각 형상의 평면을 이루도록 형성된다.

상기 하부 배관(122)은 수평 방향을 따라 지그재그로 절곡되어 형성되며, 하부 절곡부(122a)와 하부 제 1 직선부(122b)와 하부 제 2 직선부(122c) 및 하부 제 3 직선부(122d)를 구비하여 형성된다. 상기 하부 배관(122)은 하부 제 1 직선부(122b)와 하부 절곡부(122a)와 하부 제 2 직선부(122c) 및 하부 절곡부(122a)가 순차적으로 형성되며, 마지막에 하부 제 3 직선부(122d)가 형성되도록 하나의 배관이 절곡되어 형성된다. 상기 하부 배관(122)은 냉각 배관(121)에서 가장 하부에 위치하게 된다. 상기 냉각 배관(121)은 외부로 연결되는 냉각수 공급관(125)과 연결되어 냉각 배관(121)으로 냉각수가 공급되도록 한다.

상기 하부 절곡부(122a)는 배관이 'U'자 형상으로 절곡되어 형성되며, 하부 배관(122)에서 양측에 복수 개로 형성된다. 상기 하부 절곡부(122a)는 하부 배관(122)이 평면 형상이 전체적으로 원형을 이루도록 수평 중심을 기준으로 상측과 하측으로 갈수록 양측에 위치하는 하부 절곡부(122a) 사이의 이격 거리가 감소되도록 형성된다. 다만, 상기 하부 절곡부(122a)는 하부 배관(122)이 사각 형상의 평면을 이루도록 형성되는 경우에 양측에 위치하는 하부 절곡부(122a) 사이의 거리는 동일하게 된다.

상기 하부 제 1 직선부(122b)는 하부 배관(122)에서 하측에 위치하는 하부 절곡부(122a)로부터 연장되어 형성되며, 수평 방향으로 연장되도록 형성된다. 상기 하부 제 1 직선부(122b)는 외부로 연결되는 냉각수 공급관(125)과 연결된다.

상기 하부 제 2 직선부(122c)는 하부 절곡부(122a)로부터 반대측 방향으로 연장되어 형성된다. 이때 상기 하부 제 2 직선부(122c)는 일측 또는 타측에 위치하는 하나의 하부 절곡부(122a)로부터 연장되는 두 개의 하부 제 2 직선부(122c) 사이의 이격 거리가 감소되도록 형성된다.

상기 하부 제 3 직선부(122d)는 하부 배관(122)에서 상측에 위치하는 하부 절곡부(122a)로부터 연장되어 형성되며, 이웃하는 하부 제 2 직선부(122c)와 이격 거리가 감소되도록 연장되도록 형성된다. 상기 하부 제 3 직선부(122d)는 연결 배관(127)을 통하여 중간 배관(124)과 연결된다.

상기 상부 배관(123)은 상부 절곡부(123a)와 상부 제 1 직선부(123b)와 상부 제 2 직선부(123c) 및 상부 제 3 직선부(123d)를 구비하여 형성된다. 상기 상부 배관(123)은 냉각 배관(121)에서 가장 상부에 위치하게 된다. 상기 상부 배관(123)은 외부로 연결되는 냉각수 배출관과 연결되어 사용된 냉각수를 외부로 배출하게 된다. 상기 상부 배관(123)을 형성하는 상부 절곡부(123a)와 상부 제 1 직선부(123b)와 상부 제 2 직선부(123c) 및 상부 제 3 직선부(123d)은 하부 배관(122)의 하부 절곡부(122a)와 하부 제 1 직선부(122b)와 하부 제 2 직선부(122c) 및 하부 제 3 직선부(122d)와 동일 유사하게 형성된다. 다만, 상기 상부 제 3 직선부(123d)는 수평 방향으로 연장되어 하부에 위치하는 하부 배관(122) 또는 중간 배관(124)보다 단부가 돌출되도록 형성된다. 또한, 상기 상부 제 3 직선부(123d)는 하부로부터 올라오는 냉각수 배출관과 연결된다. 따라서, 상기 상부 제 3 직선부(123d)와 연결되는 냉각수 배출관은 하부에 위치하는 하부 배관(122) 또는 중간 배관(124)과 간섭되지 않게 되다.

상기 중간 배관(124)은 중간 절곡부(124a)와 중간 제 1 직선부(124b)와 중간 제 2 직선부(124c) 및 중간 제 3 직선부(124d)를 구비하여 형성된다. 또한, 상기 중간 배관(124)은 적어도 하나의 층으로 형성되며, 복수의 층으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 냉각 배관(121)은 적어도 3개의 층으로 형성된다.

상기 중간 배관(124)을 형성하는 중간 절곡부(124a)와 중간 제 1 직선부(124b)와 중간 제 2 직선부(124c) 및 중간 제 3 직선부(124d)는 하부 배관(122)의 하부 절곡부(122a)와 하부 제 1 직선부(122b)와 하부 제 2 직선부(122c) 및 하부 제 3 직선부(122d)와 동일 유사하게 형성된다. 다만, 상기 중간 제 1 직선부(124b)는 연결 배관(127)에 의하여 하부 배관(122)의 하부 제 1 직선부(122b)와 연결된다. 또한, 상기 중간 제 3 직선부(124d)는 연결 배관(127)에 의하여 상부 제 3 직선부(123d) 또는 상부에 위치하는 다른 중간 배관(124)의 중간 제 3 직선부(124d)와 연결된다.

상기 냉각수 공급관(125)은 배관으로 형성되며 하부 배관(122)과 결합된다. 보다 구체적으로 상기 냉각수 배출관은 하우징 본체(111)의 하부로부터 상부로 올라오도록 형성되며, 하부 배관(122)의 하부 제 1 직선부(122b)와 연결된다. 상기 냉각수 공급관(125)은 하우징 본체(111)를 관통하여 외부로 연장되거나 외부로부터 하우징 본체(111)의 내부로 관통되는 별도의 배관과 연결될 수 있다. 상기 냉각수 공급관(125)은 냉각 배관(121)으로 냉각수를 공급하게 된다.

상기 냉각수 배출관(126)은 배관으로 형성되며 상부 배관(123)과 결합된다. 보다 구체적으로 상기 냉각수 배출관은 하우징 본체(111)의 하부로부터 상부로 올라오도록 형성되며, 상부 배관(123)의 상부 제 3 직선부(123d)와 연결되다. 상기 냉각수 배출관(126)은 하우징 본체(111)를 관통하여 외부로 연장되거나 외부로부터 하우징 본체(111)의 내부로 관통되는 별도의 배관과 연결될 수 있다.

상기 연결 배관(127)은 하부 배관(122)과 중간 배관(124), 중간 배관(124)과 중간 배관(124) 또는 중간 배관(124)과 상부 배관(123)을 연결하게 된다. 보다 구체적으로는 하부 배관(122)의 하부 제 3 직선부(122d)와 중간 배관(124)의 중간 제 3 직선부(124d), 중간 배관(124)의 중간 제 1 직선부(124b)과 상부에 위치하는 중간 배관(124)의 중간 제 1 직선부(124b), 중간 배관(124)의 중간 제 3직선부과 상부에 위치하는 중간 배관(124)의 중간 제 3 직선부(124d), 또는 중간 배관(124)의 중간 제 1 직선부(124b)와 상부 배관(123)의 상부 제 1 직선부(123b)를 연결하게 된다.

상기 필터링 유닛(130)은 상부와 하부가 개방된 원통형상으로 형성되는 필터(131)와 지지 플레이트(132)를 포함하여 형성된다. 상기 필터링 유닛(130)은 냉각 유닛(120)의 상부에 위치하며, 냉각 유닛(120)으로부터 유입되는 폐가스를 필터링하여 상부로 배출하게 된다. 보다 구체적으로는 상기 필터링 유닛(130)은 폐가스가 필터의 내측면과 외측면을 통하여 필터의 내부로 유입되며, 유입된 폐가스는 필터의 상부를 통하여 배출된다.

상기 필터(131)는 폐가스의 필터링에 사용되는 일반적인 필터가 사용될 수 있으며, 바람직하게는 폴리에틸렌 수지로 이루어진 필터가 사용될 수 있다.

상기 지지 플레이트(132)는 필터(131)의 하부 형상에 대응되는 평판의 링 형상으로 형성된다. 상기 지지 플레이트(132)는 필터의 하부에 결합되어 필터를 지지하게 된다.

또한, 상기 지지 플레이트(132)는 중앙홀(132a)을 구비하여 형성되다. 상기 중앙홀(1321a)는 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스가 필터의 내측면으로 흘러가도록 한다.

상기 필터 고정 유닛(140)은 상부 플레이트(141)와 고정 샤프트(143)와 하부 플레이트(145) 및 내부 하우징(147)을 포함하여 형성된다.

상기 필터 고정 유닛(140)은 하우징 본체(111)의 내부에 고정되면서 필터링 유닛(130)을 내부에 수용하여 냉각 유닛(120)으로부터 유입되는 폐가스가 필터링 유닛(130)으로 유입되도록 하며, 필터링 유닛(130)을 통과한 폐가스가 상부로 배출되도록 한다.

상기 상부 플레이트(141)는 판상으로 형성되며, 복수의 관통홀(141a)을 포함하여 형성된다. 상기 상부 플레이트(141)는 하우징 본체(111)의 수평 단면 형상에 대응되는 형상으로 형성되며 하우징 본체(111)의 내부에 고정된다. 또한, 상기 상부 플레이트(141)는 필터의 상면에 결합된다. 따라서, 상기 상부 플레이트(141)는 필터 고정 유닛(140)과 필터링 유닛(130)을 하우징 본체(111)의 내부 공간에 고정하게 된다.

상기 관통홀(141a)은 필터링 유닛(130)이 결합되는 상부 플레이트(141)의 위치에 대응되는 위치에 형성된다. 따라서, 상기 관통홀(141a)은 필터링 유닛(130)을 통과한 폐가스를 필터 고정 유닛(140)의 상부로 배출하게 된다. 상기 관통홀(141a)은 폐가스의 유량에 따라 적정한 수로 형성될 수 있다.

상기 고정 샤프트(143)는 바 형상으로 형성되며, 상부 플레이트(141)의 중앙에서 하부 방향으로 연장되도록 형성된다. 따라서, 상기 고정 샤프트(143)는 상부 플레이트(141)로부터 필터링 유닛(130)의 중앙을 관통하도록 형성된다.

상기 하부 플레이트(145)는 판상으로 형성되며, 바람직하게는 필터의 하부 형상에 대응되는 형상으로 형성된다. 상기 하부 플레이트(145)는 지지바(146)를 포함하여 형성된다. 상기 하부 플레이트(145)는 지지바(146)에 의하여 필터의 하부로부터 이격되도록 고정 샤프트(143)의 하부에 결합되며, 필터를 지지하여 고정하게 된다.

상기 지지바(146)는 블록 형상이며, 하부 플레이트(145)의 상면에서 상부로 돌출되도록 형성된다. 상기 지지바(146)는 상면이 필터의 하면에 접촉되어 필터의 하부와 하부 플레이트(145) 사이를 이격시키게 된다.

상기 내부 하우징(147)은 상부와 하부가 개방된 원통 형상으로 형성된다. 상기 내부 하우징(147)은 상부 플레이트(141)의 하면에 결합되며 내부에 필터링 유닛(130)을 수용하게 된다. 또한, 상기 내부 하우징(147)은 바람직하게는 필터의 외측면과 이격되도록 형성된다. 따라서, 상기 내부 하우징(147)은 냉각 유닛(120)으로부터 유입되는 폐가스가 필터의 외측면을 통하여 필터의 내부로 유입되도록 한다.

또한, 상기 내부 하우징(147)은 냉각 유닛(120)을 내부에 수용하도록 하부로 연장되어 형성될 수 있다. 따라서, 상기 내부 하우징(147)은 보다 많은 양의 폐가스가 냉각 유닛(120)을 통과하여 필터링 유닛(130)으로 유입될 수 있도록 한다.

상기 제 2 필터링 유닛(150)은 필터링 유닛(130)과 동일한 구성으로 형성되며, 필터 고정 유닛(140)의 상부에 위치한다. 즉, 상기 제 2 필터링 유닛(150)은 제 2 필터를 구비하여 형성된다. 여기서 상기 제 2 필터는 필터와 동일한 구성으로 형성된다. 따라서, 상기 제 2 필터링 유닛(150)에 대하여는 추가적인 설명을 생략한다.

상기 제 2 필터 고정 유닛(160)은 필터 고정 유닛(140)과 동일한 구성으로 형성된다. 즉, 상기 제 2 필터 고정 유닛(160)은 제 2 필터의 상면에 결합되며 제 2 필터에 대응되는 영역에 형성되는 제 2 관통홀(161a)을 구비하는 제 2 상부 플레이트(161)와, 제 2 상부 플레이트의 하면에 결합되며 제 2 필터의 중앙을 관통하는 제 2 고정 샤프트(163)와, 상면에 형성되는 제 2 지지바(166)를 포함하며 제 2 지지바에 의하여 제 2 필터의 하부를 지지하며 필터의 하면으로부터 이격되도록 제 2 고정 샤프트(163)의 하부에 결합되는 제 2 하부 플레이트(165) 및 상부와 하부가 개방되고 상부가 제 2 상부 플레이트(161)의 하면에 결합되며, 제 2 필터를 내부에 수용하는 제 2 내부 하우징(167)을 포함하여 형성된다. 다만, 상기 제 2 내부 하우징(167)은 하부에 냉각 유닛(120)이 없으므로 추가적으로 연장되지 않는다. 상기 제 2 필터 고정 유닛(160)에 대하여는 추가적인 설명을 생략한다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

100: 반도체 공정 부산물 트랩 장치
110: 하우징 120: 냉각 유닛
130: 필터링 유닛 140: 필터 고정 유닛
150: 제 2 필터링 유닛 160: 제 2 필터 고정 유닛

Claims (12)

1. 내부가 중공인 원통 형상으로 형성되는 하우징 본체와 상기 하우징 본체의 하측에 형성되어 폐가스가 유입되는 폐가스 유입구 및 상기 하우징 본체의 상측에 형성되어 폐가스가 배출되는 폐가스 배출구를 포함하는 하우징과,
   상기 하우징 본체의 내부 하측에 위치하며 상기 폐가스 유입구를 통하여 유입되는 폐가스를 냉각하는 냉각 유닛과,
   상기 냉각 유닛의 상부에 위치하며, 상기 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스를 필터링하여 상부로 배출하는 필터링 유닛 및
   상기 하우징의 내부에 고정되면서 상기 필터링 유닛을 내부에 수용하여 상기 냉각 유닛으로부터 유입되는 폐가스가 상기 필터링 유닛으로 유입되도록 하며, 상기 필터링 유닛을 통과한 폐가스를 상부로 배출하는 필터 고정 유닛을 포함하며,
   상기 필터링 유닛은
   상부와 하부가 개방된 원통형상으로 형성되는 필터 및
   상기 필터의 하부 형상에 대응되는 평판의 링 형상으로 형성되며 중앙에 형성되는 관통홀을 구비하여 상기 필터의 하부에 결합되는 지지 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 냉각 유닛은
   내부가 중공이며, 수평 방향을 따라 지그재그로 절곡되는 냉각 배관을 적어도 3개를 포함하며,
   상기 냉각 배관은 양측에 위치하는 절곡부와 상기 절곡부 사이에 위치하는 직선부를 구비하며, 일측 또는 타측에 위치하는 하나의 상기 절곡부로부터 타측 또는 일측으로 연장되는 두 개의 직선부는 이격 거리가 감소되도록 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 냉각 배관은 하부에 위치하는 하부 배관과 상부에 위치하는 상부 배관 및 상기 하부 배관과 상부 배관 사이에 위하는 중간 배관을 포함하며,
   상기 하부 배관은 양측에 위치하는 복수의 하부 절곡부와 하측의 상기 하부 절곡부로부터 연장되는 하부 제 1 직선부 및 상측의 상기 하부 절곡부로부터 연장되는 하부 제 3 직선부 및 상기 하부 제 1 직선부와 하부 제 3 직선부 사이에 위치하는 하부 제 2 직선부를 구비하며 상기 하부 제 1 직선부가 수평 방향으로 연장되도록 형성되며,
   상기 상부 배관은 양측에 위치하는 복수의 상부 절곡부와 하측의 상기 상부 절곡부로부터 연장되는 상부 제 1 직선부 및 상측의 상기 상부 절곡부로부터 연장되는 상부 제 3 직선부 및 상기 상부 제 1 직선부와 상부 제 3 직선부 사이에 위치하는 상부 제 2 직선부를 구비하며 상기 상부 제 1 직선부와 상부 제 3 직선부가 수평 방향으로 연장되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 중간 배관은 양측에 위치하는 복수의 중간 절곡부와 하측의 상기 중간 절곡부로부터 연장되는 중간 제 1 직선부 및 상측의 상기 중간 절곡부로부터 연장되는 중간 제 3 직선부 및 상기 중간 제 1 직선부와 중간 제 3 직선부 사이에 위치하는 중간 제 2 직선부를 구비하며 상기 중간 제 1 직선부가 수평 방향으로 연장되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 하부 제 1 직선부는 외부로 연결되는 냉각수 공급관과 연결되며,
   상기 하부 제 3 직선부는 상기 중간 제 3 직선부와 연결되며,
   상기 중간 제 1 직선부는 상기 상부 제 1 직선부와 연결되며,
   상기 상부 제 3 직선부는 외부로 연결되는 냉각수 배출관과 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 하부 제 3 직선부와 상기 중간 제 3 직선부 및 상기 중간 제 1 직선부와 상기 상부 제 1 직선부는 연결 배관에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
7. 삭제
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 필터 고정 유닛은
   상기 하우징의 내부에 고정되면서 상기 필터의 상면에 결합되며 상기 필터에 대응되는 영역에 형성되는 관통홀을 구비하는 상부 플레이트와
   상기 상부 플레이트의 하면에 결합되며 상기 필터의 중앙을 관통하는 고정 샤프트와
   상면에 형성되는 지지바를 포함하며, 상기 지지바에 의하여 상기 필터의 하부를 지지하면서 상기 필터의 하면과 이격되도록 상기 고정 샤프트의 하부에 결합되는 하부 플레이트 및
   상부와 하부가 개방되는 원통 형상이며, 상부가 상기 상부 플레이트의 하면에 결합되며, 상기 필터를 내부에 수용하는 내부 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치..
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 필터 고정 유닛은 상기 하우징에 결합되어 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 하우징은 상기 냉각 유닛을 수용하도록 상기 냉각 유닛의 하부로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 필터링 유닛의 상부에 위치하는 제 2 필터링 유닛과 제 2 필터 고정 유닛을 더 포함하며,
    상기 제 2 필터링 유닛은 상부와 하부가 개방된 원통형상으로 형성되는 제 2 필터를 포함하며,
    상기 제 2 필터 고정 유닛은
    상기 제 2 필터의 상면에 결합되며 상기 제 2 필터에 대응되는 영역에 형성되는 제 2 관통홀을 구비하는 제 2 상부 플레이트와
    상기 제 2 상부 플레이트의 하면에 결합되며 상기 제 2 필터의 중앙을 관통하는 제 2 고정 샤프트와
    상기 제 2 필터의 하부로부터 이격되도록 상기 제 2 고정 샤프트의 하부에 결합되는 제 2 하부 플레이트 및
    상부와 하부가 개방되고 상부가 상기 제 2 상부 플레이트의 하면에 결합되며, 상기 제 2 필터를 내부에 수용하는 제 2 내부 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치..
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 필터 고정 유닛은 상기 하우징에 결합되어 고정되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 부산물 트랩 장치.

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