KR101148844B1 - 금속 촉매를 이용한 그래핀의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 촉매를 이용한 그래핀의 제조 방법에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 금속 촉매에 합금 원소를 첨가하여 합금시키는 단계; 상기 금속촉매 기판에 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체 분위기하에서 스텝구조를 형성시키는 단계; 및 탄화수소 및 수소 기체를 공급하는 단계를 포함하는 그래핀을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 그래핀 제조 방법은 그래핀이 에피택셜하게 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 그래핀 성장 속도를 촉진하여 단층 그래핀을 형성시킬 수 있다.
Description
본 발명은 금속 촉매를 이용한 그래핀의 제조 방법에 관한 것이다.
그래핀은 이미 1962년에 Hanns-Peter Boehm에 의해 그 존재가 예언되었지만 2004년에 이르러서야 맨체스터 대학의 가임(Geim)과 노보셀로프(Novoselov) 교수팀에서 스카치 테이프로 흑연에서 원자단위의 층을 분리하는데 성공하게 되었다. 그 후 2005년에 그래핀으로 가임 교수팀이 페르미 디락 통계를 따르는 입자에 대해, 김필립 교수팀이 양자 홀 효과(Quantum Hall Effect)에 대해 실험한 결과가 각각 발표되면서 물리학계의 난제들이 해결되었다. 이전에는 단원자층인 그래핀에 대해 자연상에서 형태를 유지할 수 없고 열역학적으로 불안정하여 낮은 융점을 가질 것으로 예상되기도 했지만 실제로는 매우 안정적이고 결정성이 뛰어난 결과를 보였다.
그래핀은 전기적 성질이 서로 다른 탄소원자들이 각각 삼각형 아격자(Sublattice) 두 개를 구성하고 이들이 겹쳐 육각형 창살 격자를 만든 것이다. 상세히 살펴 보면 그래핀을 구성하는 탄소의 최외각 전자 4개 중 3개는 sp2혼성 오비탈(sp2 hybrid orbitals)을 형성하여 강한 공유결합인 시그마(σ)결합을 이루며 남은 1개의 전자는 주변의 다른 탄소와 파이(π)결합을 형성하면서 그래핀 네트를 구성한다. 이 때 탄소원자들 사이의 전자는 같은 성질의 원자들을 통해 점프하며 이동하는데 그 이동속도는 20,000~50,000㎠/Vs로 Si 반도체보다 100배 빠르고 전기저항이 적어 발열량이 작다. 이뿐 아니라 리본 상으로 제조하면 가장자리 제어효과를 이용하거나 나노패터닝, 도핑 등을 통해 반도체 특성을 가지는 기능성 그래핀의 제조가 가능하다. 기계적 성질도 뛰어나 파괴강도가 125GPa로 철강의 100배, 다이아몬드의 2배에 이른다. 또한 10cm 크기인 그래핀 필름을 10% 잡아당겨도 전기적 특성을 잃지 않을 정도로 신축성이 풍부하여 쉽게 깨지지 않기 때문에 산화인듐주석(ITO)을 대체하여 디스플레이 소재와 전자종이로 활용될 투명전극 소재로 각광받고 있다. 2010년에는 세계 최대의 30인치 대면적 그래핀을 제조하는 롤투롤 (Roll to Roll) 방식 기술이 등장하는 등 산업계에서 활용할 수 있는 기술들이 지속적으로 개발되고 있다.
산업적으로 활용하기 위해서는 그래핀 박막을 단층으로 균일하게 구현하는 것이 중요한데 종래 기술에서 일반 동박을 사용할 때는 그래핀의 애피택셜 성장속도가 늦어 다층 그래핀이 섬(islands)형태로 군데 군데 존재하는 문제가 있다.
본 발명의 발명자들은 촉매기판(Catalyst Substrate)의 방위와 표면에너지 상태, 특히 스텝구조가 탄소원자의 흡착과 그래핀 성장에 큰 영향을 끼친다는 사실을 발견하였다. 스텝구조는 이미 그래핀 연구자들에 의해 관찰되었지만 그 생성기구나 과정은 아직 밝혀지지 않았다. 본 발명자들은 연구를 통해 이들 스텝구조가 적층결함에너지(Stacking Fault Energy), 어닐링 온도, 방위에 따른 원자 충진율, 가공상태에 따른 전위집적도(Dislocation Density)와 쌍정(Twin) 등 여러 요인들에 의해 결정된다는 것을 확인하여 본 발명에 이르렀다.
본 발명은 촉매의 표면에 미세한 스텝구조를 형성함으로써 금속촉매에 합금을 첨가시키는 단계; 상기 합금된 금속 촉매 기판에 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체 및 수소기체 분위기하에서 스텝구조를 형성시키는 단계; 및 탄화수소 및 수소 기체를 공급하는 단계를 포함하는 그래핀을 제조하는 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 구체예에서 금속촉매에 합금원소를 첨가하여 합금시키는 단계; 상기 금속 촉매 기판에 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체 분위기하에서 스텝구조를 형성시키는 단계; 및 탄화수소 및 수소 기체를 공급하는 단계를 포함하는 그래핀을 제조하는 방법을 제공한다. 또한, 상기 금속 촉매는 이에 한정하지는 않지만 알루미늄, 은, 금 또는 구리일 수 있고, 상기 합금원소로 600~1060℃ 범위에서 수소 고용도를 가지거나 탄화물을 형성하는 전이원소 중 어느 하나 이상을 첨가하는 것일 수 있으며, 상기 합금 원소로 13 내지 15족 원소이면서 2주기 내지 6주기에 속하는 원소 중 선택되는 어느 하나 이상을 첨가하는 것일 수 있으며, 상기 합금 원소는 알루미늄, 인듐, 규소, 게르마늄, 주석 및 안티몬 중 선택되는 어느 하나 이상일 수 있으며, 상기 금속 촉매는 면심입방격자로서 (111) 또는 (100)의 육각격자구조 단일 방위를 가지는 금속 촉매일 수 있으며, 상기 금속 촉매는 냉간압연 압하율 85% 이상일 수 있으며, 상기 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체는 이에 한정하지는 않지만 네온, 아르곤, 크립톤, 질소, 탄화수소, 이산화탄소, 일산화탄소 및 스팀(H2O)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.
일 구체예에서 상기 구체예의 방법에 의해 제조된 그래핀을 제공한다.
일 구체예에서 금속 촉매 기판에 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체 분위기하에서 스텝구조를 형성시키는 단계; 및 탄화수소및 수소 기체를 공급하는 단계를 포함하는 그래핀을 제조하는 방법을 제공한다. 또한 상기 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체와 함께 수소기체 분위기하에서 스텝구조를 형성시킬 수 있고, 상기 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체는 이에 한정하지는 않지만 네온, 아르곤, 크립톤, 질소, 탄화수소, 이산화탄소, 일산화탄소 및 스팀(H2O)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있으며, 상기 금속 촉매는 면심입방격자로서 (111) 또는 (100)의 육각격자구조 단일 방위를 가지는 금속 촉매일 수 있다.
본 발명에서 촉매 기판은 균일하고 애피택셜한 그래핀으로 성장시키려면 육각형 격자구조의 단일 방위를 가지는 것이 바람직하다. 또한 거시적으로는 평활하면서도 원자단위의 미시적 표면상태에서는 스텝 구조인 것이 중요하고, 상기 촉매 기판의 면지수가 (111)과/또는 (100)인 단일방위인 것이 바람직하다. 본 발명의 스텝구조는 도3 (b)와 도5에 나타낸 바와 같이 원자단위에서부터 미크론 단위의 계단형으로 발달한 구조이다. 본 발명자들이 발견한 스텝의 형태는 주로 네 가지로 나타난다(도 1). 계단형의 스텝과 평면상에 교번으로 평면굴곡을 만드는 렛지(Ledge), 톱니 모양의 라쳇(Ratchet), 육면체 조각이 쌓인 형태의 멀티큐브(Multi-cube)이다. 높은 압하율로 냉간압연된 박판을 600℃ 이상에서 어닐링하면서 탄소원자량(12g/mol) 이상의 질량을 가지는 가스를 공급해 줄 때 발달하였다.
도 2는 본 발명에서 구리만 존재할 경우의 원자배열과 치환형 합금원소가 첨가된 구리합금의 상태를 모사한 그림이다. (a)는 구리의 원자배열, (b)와 (c)는 각각 구리보다 원자직경이 큰 치환형 원소가 첨가된 고용합금과 작은 원소가 첨가된 고용합금의 원자배열 상태를 나타낸다. (b) 및 (c)처럼 원자반경에서 차이가 있으면 치환형 원자 주변에 격자변형(Lattice distortion, lattice strain)이 존재하고 이는 에너지의 불균형 상태를 초래하게 된다. 치환형 원소 주변의 원자간 연결선은 이런 격자변형 상태를 나타내는 선이다. 구리합금에서 이들 격자변형 상태는 압연과 같이 물리적으로 외부 응력을 받는 과정에서 전위가 생성되는 것을 촉진한다. 이 스텝구조들은 핵생성 사이트로 작용하기 때문에 탄화수소를 흡착하여 그래핀 핵이 되는 탄소 라디칼을 생산한다. 일단 그래핀 핵이 생성되면 이 핵의 탄소 라디칼은 주변의 탄소 라디칼과 결합하거나 직접 탄화수소를 흡착함으로써 탄소-탄소 결합으로 그래핀이 성장하게 된다.
본 발명의 일 구체예에서, 촉매 기판의 적층결함에너지를 낮추거나 격자변형 증가에 의해 재료 내부에 전위나 쌍정이 생기기 쉬워 내부 에너지가 높아 어닐링 후에 스텝구조를 쉽게 형성하도록 합금을 수행하였다. 이와 달리 적층결함에너지가 높은 금속에서는 전위가 서로 당기고 교차슬립이 쉽게 일어나 전위밀도가 낮아지므로 재료의 내부 에너지도 낮아진다. 따라서, 본 발명에서 합금원소를 첨가함으로써 적층결함에너지를 낮추면 고온에서 어닐링 쌍정이 발생하기 쉬워지며, 쌍정 부위는 표면에너지가 높아 같은 조건에서 더 큰 그래핀 결정을 얻을 수 있다. 합금원소는 그래핀 합성이 가능한 온도인 600~1060℃ 범위에서 수소 고용도를 가지거나 탄화물을 형성하는 전이원소 즉, 3족~12족 전이금속과 13, 14, 15족 원소들 중에 2주기~6주기에 속하는 원소들이다. 원소별로 대략적인 수소가스 고용도는 1000℃에서 구리 70.5ppm, 금 4.5ppm, 은 22.4ppm, 크롬 2.6ppm, 몰리브덴 1.2ppm, 망간 32.8ppm, 코발트 186.2ppm, 철 251ppm, 니켈 562.3ppm, 로듐 7079ppm, 백금 4.7ppm, 티타늄 11879ppm, 알루미늄 85.1ppm이다. 이를 보면 전이금속은 대부분 수소에 대해 고용도를 가진다. 그리고 전이금속이 아닌 원소들 즉, 13족의 알루미늄은 수소고용도가 크고, 인듐은 고온에서 수소와 결합하여 화합물을 형성할 정도로 결합력이 강하다. 14족과 15족 원소 중 규소는 탄화물을 만들고 게르마늄, 주석, 안티몬, 비스무스는 인듐처럼 수소화합물을 형성한다. 따라서 본 발명의 합금원소들은 대부분 첨가 가능하다.
본 발명의 일 구체예에서, 압하율이 높고 구리박의 두께가 얇을수록 전위가 많이 증가하고 고온 어닐링 과정에서 재결정입자들의 회전을 용이하게 할 수 있다. 85% 이상 압하율로 냉간압연한 구리박에서 어닐링 후에는 95% 이상 (100) 단일 방위면으로 회전하는 것을 확인하였다. 따라서, 단일 방위 집합조직을 얻기 위해 압하율 85% 이상, 두께는 50㎛ 이하로 가공할 수 있다.
구리는 적층결함에너지가 낮아 냉간가공하면 내부에 전위밀도가 높아져 어닐링 중에 원자이동과 확산을 유발한다. 고온으로 가열되면서 전위들 간에 작용하는 영상힘(image force)으로 이동하게 되는데 최종적으로 표면에 버거스 벡터(Burgers vector)만큼 스텝구조를 남기며 소멸된다. 촉매 구리합금의 적층결함에너지와 변형응력(Flow stress)이 낮고 냉간압하율이 높을수록 재료 내부의 전위 이동이 활발하여 스텝구조(Step)를 쉽게 형성한다. 하지만 이렇게 전위 이동에 의한 버거스 벡터 크기로 형성되는 원자층 단위의 스텝구조는 1000℃의 고온에서도 너무 작고 완만하게 형성되어 가스 분자들을 흡착하기에는 약하다. 따라서, 본 발명에서는 어닐링 과정에서 분위기 중에 아르곤이나 질소와 같이 탄소원자량 이상의 분자량을 가지면서 구리박과 화학반응성이 적은 가스를 수소와 함께 공급하면 600℃ 정도의 온도에서도 가스 분자들이 고온에서 브라운 운동으로 구리의 표면에 충돌하며 원자이동을 도와 스텝구조 형성을 촉진한다. 불순물 원소나 합금원소들이 화합물로 존재하는 부분과 달리 스텝은 촉매표면 전체에 균일하게 분포하게 되므로 그래핀이 애피택셜하게 성장하는 환경을 조성한다.
일 구체예에서, 수소량은 환원성 분위기를 유지할 정도면 되므로 진공을 유지한 뒤에는 가스 유량의 10~40%로 첨가한다. 어닐링 뒤에 그래핀 합성 공정에서는 수소의 비율이 높아질수록 탄화수소의 분해 속도가 늦어지므로 그래핀 성장속도를 조절하는 역할도 하게 된다. 가스 유량은 0.1~10sccm/㎛의 범위로 구리박의 두께가 늘어남에 따라 증량할 수 있고, 온도가 높을수록 원자량이 클수록 감량한다.
이 스텝구조들은 핵생성 사이트로 작용하기 때문에 탄화수소를 흡착하여 그래핀 핵이 되는 탄소 라디칼을 생산한다. 일단 그래핀 핵이 생성되면 이 핵의 탄소 라디칼은 주변의 탄소 라디칼과 결합하거나 직접 탄화수소를 흡착함으로써 탄소-탄소 결합으로 그래핀이 성장하게 된다.
본 발명에 의한 그래핀 제조 방법은 그래핀이 에피택셜하게 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라, 그래핀 성장 속도를 촉진하여 단층 그래핀을 형성시킬 수 있다.
도 1은 금속박판을 가스분위기에서 어닐링할 때 형성되는 스텝들의 종류이다.
도 2는 구리의 원자 배열과 치환형 원소 합금 상태의 모사도이다.
도 3은 구리와 구리합금을 600℃에서 30분 동안 그래핀 합성한 결과이다.
도 4는 구리과 구리합금을 800℃에서 30분간 고농도 메탄 분위기로 CVD하여 그래핀을 합성한 결과이다.
도 5는 구리 및 여러가지 구리합금 촉매에서 CVD로 그래핀을 합성한 결과이다.
도 6은 어닐링 과정을 제외한 그래핀 합성 결과이다.
도 2는 구리의 원자 배열과 치환형 원소 합금 상태의 모사도이다.
도 3은 구리와 구리합금을 600℃에서 30분 동안 그래핀 합성한 결과이다.
도 4는 구리과 구리합금을 800℃에서 30분간 고농도 메탄 분위기로 CVD하여 그래핀을 합성한 결과이다.
도 5는 구리 및 여러가지 구리합금 촉매에서 CVD로 그래핀을 합성한 결과이다.
도 6은 어닐링 과정을 제외한 그래핀 합성 결과이다.
이하, 본 발명을 하기의 실시예 및 실험예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예
1. 구리합금 촉매기판에서
그래핀의
형성
140ppm의 은을 첨가한 구리합금(도 3의 (b) 참조)에서 600℃, 30분 동안 메탄 70sccm, 수소 10sccm 분위기로 가열하여 그래핀형성 여부를 확인하였고, 대조군으로 구리(도 3의 (a) 참조)을 동일한 조건에서 그래핀 형성 여부를 확인하였다(도 3 참조).
구리에서 그래핀을 성장시킨 경우에는 그래핀 섬과 탄화물이 형성되지만 은을 첨가한 구리합금에서는 그래핀이 애피택셜하게 성장한 것을 볼 수 있다. 다만, 구리는 800℃에서 사전에 어닐링시켜 스텝구조를 형성해 준 경우에 그래핀이 애피택셜하게 성장되었다.
상기 구리합금 및 구리는 어닐링 후 (111) 또는 (100)의 육각격자구조 단일 방위를 가지게 되며 이하의 실시예에서도 촉매기판은 동일한 방위를 가진다.
따라서 구리에 치환형 합금을 첨가하는 것이 그래핀 핵생성 사이트 작용과 동시에 스텝구조의 발달을 촉진하여 탄화물형성을 억제하고 에피택셜 그래핀 성장이 가능하게 한다는 것을 알 수 있었다.
실시예
2. 스텝구조형성의 효과 확인
니켈 3.2%, 규소 1.5%, 마그네슘 0.4% 함유된 18㎛ 두께의 구리합금박을 1000℃에서 30분간 아르곤 50sccm, 수소 10sccm 혼합가스 분위기에서 어닐링하여 충분히 스텝구조를 만들고, 800℃에서 30분간 메탄 70sccm과 수소 10sccm 혼합 분위기에서 CVD로 그래핀을 합성하였다(도 4(a) 참조).
대조군으로 합금원소를 첨가하지 않은 25㎛ 두께 구리를 1000℃에서 30분간 아르곤 50sccm, 수소 10sccm 혼합가스 분위기에서 어닐링하여 충분히 스텝구조를 만들고, 800℃에서 30분간 메탄 70sccm과 수소 10sccm 혼합 분위기에서 CVD로 그래핀을 합성하였다(도 4(b) 참조).
도 4(a)는 구리합금에서 다층 그래핀 위에 다이아몬드 입자가 덮여 성장하였고, 도 4(b)는 구리에서 다층 그래핀 및 다이아몬드 입자가 함께 성장하였다. 기존 CVD 그래핀 합성온도인 1000~1060℃ 보다 낮은 800℃ 온도이지만 구리합금박에서 탄소 라디칼이 빠르게 생산되는 것을 알 수 있고, 구리박에서도 스텝구조가 형성되면 낮은 온도에서도 그래핀이 성장한다는 것을 확인하였다.
따라서, 이렇게 스텝구조가 충분히 발달한 경우에는 탄화수소 가스의 농도를 줄이거나 시간을 단축하여 그래핀을 합성할 수 있다. 또한 도 4(a)처럼 합금량이 과다한 경우에는 합금량을 1 원자% 이하로 줄이거나, 탄화수소 가스 농도와 합성시간을 줄여 단층 그래핀을 얻을 수 있으며, 도 4(b)처럼 탄화수소 가스의 농도가 지나치게 높은 경우에는 그래핀 성장에 비해 탄소 라디칼의 생산이 빠르므로 핵 생성 위치에서 그래핀 성장과 더불어 삼각, 사각판상 다이아몬드나 막대상, 입상 다이아몬드가 성장하는 것을 알 수 있었다. 이런 경우에도 탄화수소의 농도를 낮추거나 수소 가스의 농도를 높여 그래핀을 합성하면 단층 그래핀을 얻을 수 있었다. 이런 현상을 통해 본 발명자들은 스텝구조형성이 탄소 라디칼 생산뿐 아니라 그래핀 성장 속도를 촉진하여 단층 그래핀을 형성하는데 크게 기여하는 것을 알 수 있었다.
실시예
3. 다양한 합금 원소를 첨가한 촉매기판에서
그래핀
성장 확인
대조군으로 도 5의 (a)에서는 구리를 1000℃에서 30분간 아르곤 50sccm, 수소 10sccm 혼합가스 분위기에서 어닐링하고, 1000℃에서 30분간 메탄 15sccm, 수소 10sccm 공급하면서 CVD로 그래핀을 합성하였다.
한편, 도 5의 (b)에서는 은이 80ppm 합금된 구리합금을 800℃에서 30분간 아르곤 20sccm, 수소 10sccm 혼합가스 분위기에서 어닐링한 후, 1000℃에서 5분간 메탄 20sccm, 수소 10sccm 공급하면서 CVD로 그래핀을 합성한 것이고, 도 5의 (C)는 크롬 40ppm, 도 5의 (d)는 철 200ppm, 도 5의 (e)는 코발트 130ppm, 도 5의 (f)는 니켈 100ppm, 도 5의 (g)는 은 140ppm, 도 5의 (h)는 규소 70ppm을 첨가한 합금으로 1000℃에서 30분간 아르곤 50sccm, 수소 10sccm 혼합가스 분위기에서 어닐링하고, 800℃에서 3분간 메탄 20sccm, 수소 10sccm 공급하면서 CVD로 그래핀을 합성한 것이다. 이들 모두 스텝구조가 잘 발달하고 그래핀이 애피택셜하게 성장한 것을 볼 수 있다. 이때, 그래핀에서 음영이 짙은 부분은 촉매와 부착하지 않고 들떠 있거나, 결정입계 혹은 쌍정으로 그래핀 하부의 스텝구조가 바뀌기 때문에 전자를 흡수하거나 난반사하여 더 검게 보인다.
상기와 같이 사전에 어닐링 과정을 통하여 스텝구조를 만들지 않았더라도 그래핀 합성과정에서도 탄화수소가 스텝구조를 형성하는데 기여하게 된다. 이는 1000℃에서 메탄 30sccm, 수소 10sccm분위기로 1초 합성한 경우에도 스텝구조가 발달하기 시작하면서 그래핀이 형성된 것을 확인하였다(도 6 참고).
지금까지 예시적인 실시 태양을 참조하여 본 발명을 기술하여 왔지만, 본 발명의 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명의 범주를 벗어나지 않고서도 다양한 변화를 실시할 수 있으며 그의 요소들을 등가물로 대체할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 본질적인 범주를 벗어나지 않고서도 많은 변형을 실시하여 특정 상황 및 재료를 본 발명의 교시내용에 채용할 수 있다. 따라서, 본 발명이 본 발명을 실시하는데 계획된 최상의 양식으로서 개시된 특정 실시 태양으로 국한되는 것이 아니며, 본 발명이 첨부된 특허청구의 범위에 속하는 모든 실시 태양을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (13)
- 금속 촉매에 합금 원소를 첨가하여 합금시키는 단계;
상기 금속촉매 기판에 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체 분위기하에서 스텝구조를 형성시키는 단계; 및
탄화수소 및 수소 기체를 공급하는 단계를 포함하고,
상기 합금 원소는 3족~12족 전이금속과 13 내지 15족 원소들 중에 2주기 내지 6주기에 속하는 원소 중 선택되는 어느 하나 이상이고,
상기 금속 촉매는 냉간압연 압하율 85% 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 금속 촉매는 알루미늄, 은, 금 또는 구리인 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법. - 제 1항에 있어서,
합금 원소로 600~1060℃ 범위에서 수소 고용도를 가지거나 탄화물을 형성하는 전이원소 중 어느 하나 이상을 첨가하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
합금 원소는 알루미늄, 인듐, 규소, 게르마늄, 주석, 안티몬 및 비스무스 중 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법. - 제 1항에 있어서,
금속 촉매는 면심입방격자로서 (111) 또는 (100)의 육각격자구조 단일 방위를 가지는 금속 촉매인 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법. - 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 탄소 원자량 이상의 분자량을 가지는 기체는 네온, 아르곤, 크립톤, 질소, 탄화수소, 이산화탄소, 일산화탄소 및 스팀(H2O)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀을 제조하는 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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