KR101136922B1 - 미소 공진기 및 통신장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공진기의 합성 임피던스의 저하를 가능하게 하여, 소요의 디바이스에 적용할 수 있게 한 미소 공진기를 제공한다. 또한 본 발명은 이러한 미소 공진기에 의한 필터를 구비한 통신장치를 제공한다. 본 발명의 미소 공진기는 빔 구조를 가지는 복수의 미소 공진기 소자를 전기적으로 병렬접속하여 구성한다. 본 발명의 통신장치는 필터로서 상기 미소 공진기에 의한 필터를 이용한다.
공진기, 임피던스, 통신, 병렬, 필터

Description

미소 공진기 및 통신장치{MICRO-RESONATOR AND COMMUNICATION APPARATUS}
본 발명은 미소 공진기, 및 이 미소 공진기에 의한 필터를 구비한 통신장치에 관한 것이다.
최근, 마이크로머신(MEMS: Micro Electro Mechanical Systems, 초소형 전기적?기계적 복합체) 소자, 및 MEMS 소자를 삽입한 소형기기가 주목을 받고 있다. MEMS 소자의 기본적인 특징은, 기계적 구조로 구성된 구동체가 소자의 일부에 삽입되어 있는 것으로, 구동체의 구동은 전극 간의 쿨롱힘 등을 응용해서 전기적으로 실행한다.
반도체 프로세스에 의한 마이크로 머니싱 기술을 이용해서 형성된 미소 진동 소자에는 디바이스의 점유 면적이 작다는 것, 높은 Q 값을 실현할 수 있다는 것, 다른 반도체 디바이스와의 집적이 가능하다는 것 등의 특장이 있어, 무선통신 디바이스 중에서도 중간 주파수(IF) 필터, 고주파(RF) 필터로의 이용이 미시건 대학을 비롯한 연구기관에서 제안되었다(비 특허문헌 1 참조).
도 10은 비 특허문헌 1에 기재된 고주파 필터를 구성하는 진동자, 즉 미소 공진기를 개략적으로 나타낸다. 이 공진기(1)는 반도체 기판(2) 위에 절연막(3)을 사이에 두고 예를 들면 다결정 실리콘에 의한 입력측 배선층(4)과 출력 전극(5)이 형성되며, 이 출력 전극(5)에 대향 해서 공간(6)을 두고 예를 들면 다결정 실리콘에 의한 진동가능한 빔, 소위 빔형 진동 전극(7)이 형성되어 이루어진다. 진동 전극(7)은 양단의 앵커부(지지부)(8)[8A, 8B]에서 지지되도록, 출력 전극(5)을 브리지 형상으로 걸쳐 입력측 배선층(4)에 접속된다. 진동 전극(7)은 입력 전극이 된다. 입력측 배선(4)의 단부에는, 예를 들면 금(Au)막(9)이 형성된다. 이 공진기(1)에서는, 입력측 배선(4)의 금(Au)막(9)에서 입력 단자 tl, 출력 전극(5)에서 출력 단자 t2가 도출된다.
이 공진기(1)는 진동 전극(7)과 접지 간에 DC 바이어스 전압 V1이 인가된 상태에서, 입력 단자 t1을 통해서 진동 전극(7)에 고주파신호 S1이 공급된다. 다시 말해, 입력 단자 t1로부터 DC 바이어스 전압 V1과 고주파신호 S1이 입력되면, 길이 L로 정해지는 고유 진동수를 가지는 진동 전극(7)이, 출력 전극(5)과 진동 전극(7) 사이에 생기는 정전력으로 진동한다. 이 진동에 의해, 출력 전극(5)과 진동 전극(7) 사이의 용량의 시간변화와 DC 바이어스 전압에 따른 고주파신호가 출력 전극(5)(따라서, 출력 단자 t2)으로부터 출력된다. 고주파 필터에서는 진동 전극(7)의 고유 진동수(공진 주파수)에 대응한 신호가 출력된다.
〔비 특허문헌 1〕 J. R. Clark, W. -T. Hsu, and C. T. -C. Nguyen, "High-QVHF micromechanical contour-mode disk resonators,"Technical Digest, IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, California,] Dec. 11-13, 2000, pp. 399-402.
그런데, 지금까지 제안된, 검증된 미소 진동자의 공진 주파수는, 최고라도 200MHz를 넘지 않고, 종래의 표면탄성파(SAW) 혹은 박막탄성파(FBAR)에 의한 GHz 영역의 필터에 대해, 미소 진동자의 특성인 높은 Q값을 GHz대 주파수영역에서 제공할 수 없다.
현시점에서, 일반적으로 높은 주파수영역에서는 출력 신호로서의 공진 피크가 작아지는 경향이 있고, 양호한 필터 특성을 얻기 위해서는, 공진 피크의 SN비를 향상시킬 필요가 있다. 미시건 대학의 문헌에 관련된 디스크형 진동자에 의하면, 출력 신호의 노이즈 성분은, 입력 전극이 되는 진동 전극(7)과 출력 전극(5) 사이에 구성되는 기생 용량 CO를 직접 투과하는 신호에 의존하고 있다. 한편으로 디스크형 진동자에서, 충분한 출력 신호를 얻기 위해서는, 30V를 초과하는 DC 바이어스 전압이 필요하므로, 실용적인 진동 전극구조로는 양 지지부를 구비한 빔형 구조인 것이 바람직하다.
[발명의 개시]
노이즈 성분을 저감하는 방법으로, DC 바이어스 전압을 인가하는 진동 전극을 입력 전극과 출력 전극 사이에 배치하는 구성이 고려된다. 도 8 및 도 9는 상기 노이즈 성분의 저감 방법을 빔형 구조 공진기에 적용한 선행 기술을 나타낸다. 이 공진기(11)는 예를 들면 반도체 기판(12) 위에 절연막(13)을 사이에 두고 입력 전극(14) 및 출력 전극(15)이 형성되고, 이 입력 전극(14) 및 출력 전극(15)에 대향 해서 공간(16)을 두고 진동판이 되는 전극, 소위 빔형 진동 전극(17)이 형성되어 이루어진다. 진동 전극(17)은 입출력 전극(14, 15)을 브리지 형태로 걸치고, 입출력 전극(14, 15)의 외측에 배치한 배선층(18)에 접속되도록, 양단이 지지부(소위 앵커부)(19)[19A, 19B]로 일체로 지지된다. 입력 전극(14), 출력 전극(15), 배선층(18)은 동일한 도전 재료로 형성되는데, 예를 들면 다결정 실리콘 막, 알루미늄 막 등의 금속막 등으로 형성된다. 진동 전극(17)은 예를 들면 다결정 실리콘 막, 알루미늄 막 등의 금속막 등으로 형성된다.
입력 전극(14)에는 입력 단자 t1이 도출되고, 입력 단자 t1을 통해 고주파신호 S2이 입력된다. 출력 전극(15)에는 출력 단자 t2이 도출되고, 출력 단자 t2로부터 목적주파수의 고주파신호가 출력된다. 진동 전극(17)에는 소요의 DC 바이어스 전압 V2이 인가된다.
이 미소 공진기(11)에서는, 입력 전극(14)에 고주파신호 S2이 입력되면, DC 바이어스 전압 V2이 인가된 진동 전극(17)과 입력 전극(14) 사이에 생기는 정전력으로 진동 전극(17)이 공진하고, 출력 전극(15)으로부터 목적주파수의 고주파 신호가 출력된다. 이 미소 공진기(11)에 의하면, 입출력 전극(14 및 15)의 대향 면적이 작아지고, 입출력 전극(14 및 15) 사이의 간격을 크게 잡을 수 있으므로, 입출력 전극 사이의 기생 용량 CO가 작아진다. 따라서, 입출력 전극(14) 사이의 기생 용량 CO를 직접 투과하는 신호, 즉 노이즈 성분이 작아지고, 출력 신호의 SN비를 향상시킬 수 있다.
그렇지만, 상기의 도 10이나 도 8에 나타낸 바와 같은 빔 구조를 가지는 미소 공진기(1, 11)에 있어서 문제가 되는 것은, 임피던스가 높다는 것이다. 일반적인 수μm ～ 수십μm 사이즈의 공진기에서의 임피던스는, 수십KΩ ～ 수백KΩ에 달하므로, 시스템의 임피던스로서 50Ω이 기본인 고주파(RF) 디바이스에 적용하는 것은 곤란했다.
본 발명은 공진기의 합성 임피던스의 저하를 가능하게 하고, 소요의 디바에스에 적용하는 것을 가능하게 한 미소 공진기를 제공하는 것이다.
또한 본 발명은 이러한 미소 공진 소자에 의한 필터를 구비한 통신장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 미소 공진기는 빔 구조를 가지는 복수의 미소 공진기 소자를 전기적으로 병렬 접속해서 구성한다.
상기 복수의 미소 공진기 소자는 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극과, 입력 전극과 출력 전극에 대하여 공간을 두고 배치한 진동판이 되는 빔을 구비한 복수의 미소 공진기 소자를 가지고, 이 복수의 미소 공진기 소자를 동일 기판 위에 병렬로 배치해서 구성할 수 있다.
상기 복수의 미소 공진기 소자는 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극과, 입력 전극과 출력 전극에 대하여 공간을 두고 병렬로 배치한 복수의 진동판이 되는 빔을 구비한 복수 빔형 미소 공진기 소자로 구성할 수 있다.
상기 복수의 미소 공진기 소자는 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극과, 입력 전극과 출력 전극에 대하여 공간을 두고 병렬로 배치한 복수의 진동판이 되는 빔을 구비한 복수의 복수 빔형 미소 공진기 소자를 가지고, 이 복수의 복수 빔형 미소 공진기 소자를 동일 기판 위에 병렬로 배치해서 구성할 수 있다.
본 발명에 따른 통신장치는 송신 신호 및/또는 수신 신호의 대역을 제한하는 필터를 구비한 통신장치에 있어서, 필터로서, 동일 기판 위에 형성된 빔 구조를 가지는 복수의 미소 공진기 소자가 전기적으로 병렬 접속되어 이루어지는 미소 공진기에 의한 필터를 이용해서 구성한다.
상기 필터에 있어서의 복수의 미소 공진기 소자로서는, 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극과, 입력 전극과 출력 전극에 대하여 공간을 두고 배치한 진동판이 되는 빔을 구비한 복수의 미소 공진기 소자를 가지고, 이 복수의 미소 공진기 소자를 동일 평면 위에 병렬로 배치해서 구성할 수 있다.
상기 필터에 있어서의 복수의 미소 공진기 소자로서는, 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극에 대하여 공간을 두고 병렬로 배치한 복수의 진동판이 되는 빔을 구비한 복수 빔형 미소 공진기 소자로 구성할 수 있다.
상기 필터에 있어서의 복수의 미소 공진기 소자로서는, 입력 전극과 출력 전극에 대하여 공간을 두고 병렬로 배치한 복수의 진동판이 되는 빔을 구비한 복수의 복수 빔형 미소 공진기 소자를 동일 기판 위에 병렬로 배치해서 구성할 수 있다.
본 발명의 미소 공진기에서는, 복수의 미소 공진기 소자를 전기적으로 병렬 접속한 구성으로 하므로, 합성 임피던스가 저하되고, 임의의 합성 임피던스로 조정할 수 있다.
본 발명에 따른 미소 공진기에 의하면, 공진기의 합성 임피던스가 저하되어, 소요의 임피던스를 가지는 디바이스에 적용할 수 있다. 예를 들면 50Ω계의 고주파(RF) 디바이스로 이용할 수 있게 된다. 또한 병렬화하는 공진기 개수의 조정에 의해, 임의의 합성 임피던스의 공진기를 제작할 수 있게 된다.
동일 기판 위에 복수의 미소 공진기 소자를 병렬로 배치해서 복수의 미소 공진기 소자를 구성할 때는, 복수의 미소 공진기 소자의 수에 의해, 합성 임피던스를 조정할 수 있고, 게다가 1 디바이스의 콤팩트한 미소 공진기를 제작할 수 있다.
공통의 입출력 전극에 대하여 병렬로 복수의 빔을 배치해서 이루어지는 복수 빔형 미소 공진기 소자를 구성할 때는, 전극면적, 즉 빔 면적이 큰 하나의 공진기라고 간주할 수 있다. 이 빔의 수에 의해 합성 임피던스를 조정할 수 있고, 보다 컴팩트해진 1 디바이스 미소 공진기를 제작할 수 있다.
동일 기판 위에 복수의 복수 빔형 미소 공진기 소자를 병렬로 배치해서 복수의 미소 공진기 소자를 구성할 때는, 합성 임피던스를 더욱 저하시킬 수 있고, 더욱 컴팩트해진 1 디바이스 미소 공진기를 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 통신장치에 의하면, 상기 미소 공진기에 의한 필터, 즉 적용하는 통신장치에 적합한 합성 임피던스를 가진 필터를 구비하므로, 신뢰성이 높은 통신장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 미소 공진기의 일 실시예를 나타내는 구성도다.
도 2a는 도 1의 주요부의 미소 공진기 소자의 단면도이며, 도 2b는 도 1의 주요부의 미소 공진기 소자의 평면도다.
도 3은 본 발명에 따른 미소 공진기의 다른 실시예를 나타내는 구성도다.
도 4는 본 발명에 따른 미소 공진기의 또 다른 실시예를 나타내는 구성도다.
도 5a～e는 본 발명에 따른 미소 공진기의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 제조 공정도(제 1)다.
도 6a～d는 본 발명에 따른 미소 공진기의 제조 방법의 일 실시예를 나타내는 제조 공정도(제 2)다.
도 7은 본 발명의 통신장치의 일 실시예를 나타내는 회로도다.
도 8은 선행 기술에 관련된 미소 공진기의 예를 도시하는 단면도다.
도 9는 선행 기술에 관련된 미소 공진기의 예를 도시하는 평면도다.
도 10은 종래의 미소 공진기의 단면도다.
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 실시예에 관하여 설명한다.
본 발명이 대상으로 하는 미소 공진기는 마이크로 스케일, 나노 스케일의 공진기 소자를 구비한 공진기다.
도 1에, 본 발명에 의한 미소 공진기의 일 실시예를 나타낸다. 본 실시예에 관련된 미소 공진기(21)는 공통의 기판(22) 위에 빔 구조를 가지는 복수, 본 예에서는 세 개의 미소 공진기 소자(23)[231, 232, 233]를 병렬로 배치하고, 이들 복수의 미소 공진기 소자(23)[231, 232, 233]를 전기적으로 병렬 접속해서 구성된다. 다시 말해, 각 미소 공진기 소자(231, 232, 233)는 도 1 및 도 2a, b에 나타낸 바와 같이 각각 기판(22)의 동일 평면 위에 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)을 각각 세 개로 분기하여 형성하고, 분기된 각 쌍을 이루는 입출력 전극(241, 251), 입출력 전극(242, 252), 입출력 전극(243, 253)에 대향 해서 각각 공간(26)을 두고 각각 독립된 진동판이 되는 빔, 소위 빔형 진동 전극(27)을 형성해서 구성된다. 각 미소 공진기 소자(231～233)는 동일 기판(22) 위에 병렬로 배치됨과 동시에, 입력 전극(241～243)이 공통으로 접속되고, 출력 전극(251～253)이 공통 접속되어 있는 것으로, 병렬 접속된 형태가 된다. 본 실시예에서는, 이 복수의 미소 공진기 소자(231, 232, 233)의 각 입력 전극(24)을 공통으로 접속하고, 각 출력 전극(25)을 공통으로 접속해서 하나의 디바이스로 미소 공진기(21)가 구성된다.
각 진동 전극(27)은 입출력 전극(24, 25)을 브리지 형태로 걸치고, 입출력 전극(24, 25)의 외측에 배치한 배선층(28)에 접속되도록, 양단이 지지부(소위 앵커부)(29)[29a, 29b]로 일체로 지지된다. 진동 전극(27)은 양 지지부를 구비한 구조가 된다.
기판(22)으로는, 예를 들면 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 등의 반도체 기판 위에 절연막을 형성한 기판, 석영기판이나 유리 기판과 같은 절연성 기판 등을 사용할 수 있다. 본 예에서는 실리콘 기판 위에 실리콘 질화막을 형성한 기판이 사용된다. 입력 전극(24), 출력 전극(25), 배선층(28)은 동일한 도전 재료로 형성할 수 있는데, 예를 들면 다결정 실리콘 막, 알루미늄(Al) 등의 금속막, 또한 반도체 기판에 불순물을 도입해서 형성한 불순물 반도체층 등으로 형성할 수 있다. 진동 전극(27)은 예를 들면 다결정 실리콘 막, 알루미늄(Al) 등의 금속막으로 형성할 수 있다.
공통 접속된 입력 전극(24)에는 소요의 주파수신호, 예를 들면 고주파신호가 입력되고, 공통 접속된 출력 전극(25)으로부터 목적주파수의 신호, 예를 들면 고주파신호가 출력된다. 각 진동 전극(27)에는 소요의 DC 바이어스 전압이 인가된다.
이 미소 공진기(21)의 동작은 다음과 같다. 각 진동 전극(27)에 소요의 DC 바이어스 전압이 인가된다. 입력 전극(24)에 예를 들면 고주파신호가 입력되면, 진동 전극(27)과 입력 전극(24) 사이에 생기는 정전력으로, 다음의 진동모드로 진동 전극(27)이 공진한다. 이 진동 전극(27)의 공진으로 출력 전극(25)으로부터 목적주파수의 고주파신호가 출력된다. 다른 주파수의 신호가 입력되었을 때는, 진동 전극(27)이 공진하지 않고, 출력 전극(25)으로부터는 신호가 출력되지 않는다.
본 실시예에 관련된 미소 공진기(21)에 의하면, 복수의 미소 공진기 소자(23)[231, 232, 233]를 병렬로 배치하고, 각 입력 전극(24) 및 각 출력 전극(25)을 각각 공통 접속하고, 미소 공진기 소자(231, 232, 233)를 병렬 접속함으로써, 미소 공진기(21)의 합성 임피던스를 저하시킬 수 있다. 다시 말해, 이때의 합성 임피던스 Za는, 다음과 같이 된다.
1/Za = (1/Z1) + (1/Z2) + (1/Z3）
Z1 = Z2 = Z3으로 하면,
Za = (1/3)Z1이 된다.
즉, 각 미소 공진기 소자(231, 232, 233)를 동일한 패턴으로 형성하고, 각각 의 임피던스 Z1, Z2, Z3의 값을 같게 하면, 합성 임피던스 Za는 임피던스 Z1의 3분의 1이 된다. 따라서, 미소 공진기 소자를 세 개 이상 배치해서 병렬 접속하면, 적용해야 할 전자기기에 적합한 합성 임피던스를 가진 미소 공진기(21)가 얻어진다.
도 3에, 본 발명에 따른 미소 공진기의 또 다른 실시예를 나타낸다. 본 실시예에 관련된 미소 공진기(31)는 기판(22) 위에 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)을 형성하고, 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)에 대향 해서 공간을 두고 각각 독립된 복수, 본 예에서는 세 개의 진동 전극을 병렬로 형성해서 구성한다. 다시 말해, 세 개의 진동 전극(27)[271, 272, 273]은, 입출력 전극(24, 25)의 길이 방향을 따라 평행하게 배열된다. 본 실시예의 미소 공진기 소자는 공통된 입출력 전극(24, 25)에 대하여 빔 구조의 진동 전극(27)이 복수 설정된 구성이므로, 복수 빔형 미소 공진기 소자라 칭한다.
이 경우, 진동 전극(271), 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)에 의해 미소 공진기 소자(231)가 구성된다. 진동 전극(272), 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)에 의해 미소 공진기 소자(232)가 구성된다. 진동 전극(273), 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)에 의해 미소 공진기 소자(233)가 구성된다. 따라서, 본 실시예의 미소 공진기(31)는 미소 공진기 소자(23)가 직선상으로 배치된 형태가 된다.
그 밖의 구성은, 도 1 및 도 2에서 설명한 바와 같으므로, 중복 설명을 생략한다.
본 실시예에 관련된 미소 공진기(31)에 의하면, 각 진동 전극(271, 272, 273)으로 구성되는 미소 공진기 소자(231, 232, 233)가 병렬 접속된 형태가 된다. 이 미소 공진기(31)는 그때 각 진동 전극(271, 272, 273)의 가산에 의해 진동 전극 면적을 크게 한 하나의 공진기로 간주할 수 있다. 이에 따라 미소 공진기(31)의 합성 임피던스를 저하시킬 수 있다. 즉 이때의 합성 임피던스 Zb는 다음과 같아진다.
1/Zb = (1/Z1) + (1/Z2) + (1/Z3）
Z1 = Z2 = Z3으로 하면,
Zb = (1/3)Z1이 된다.
이렇게, 각 미소 공진기 소자(231, 232, 233)를 같은 패턴으로 형성하고, 각각의 임피던스 Z1, Z 2, Z3의 값을 같게 하면, 합성 임피던스 Zb는 임피던스 Z1의 3분의 1이 된다. 따라서, 진동 전극(27)을 세 개 이상 배치하면, 적용해야 할 전자기기에 적합한 합성 임피던스를 가진 미소 공진기(31)가 얻어진다. 이 미소 공진기(31)에서는, 도 1의 것과 비교해서 더욱 컴팩트해진다.
도 4에, 본 발명에 따른 미소 공진기의 또 다른 실시예를 나타낸다. 본 실시예는 도 1과 도 3의 미소 공진기를 조합한 구성이다.
본 실시예에 관련된 미소 공진기(41)는 공통의 기판(22) 위에 복수, 본 예에서는 세 개의 복수 빔형 미소 공진기 소자(31)[311, 312, 313]를 병렬로 배치하고, 이들 복수의 복수 빔형 미소 공진기 소자(31)[311, 312, 313]를 전기적으로 병렬 접속해서 구성된다.
즉, 입력 전극(24)이 세 개로 분기되고, 출력 전극(25)이 세 개로 분기된다. 복수 빔형 미소 공진기 소자(311)는 분기된 첫 번째 한 쌍의 입출력 전극(241, 251)에 대향 해서 공간을 두고 각각 독립된 복수, 본 예에서는 세 개의 진동 전 극(27)[271, 272, 273]을 병렬로 형성해서 구성한다. 복수 빔형 미소 공진기 소자(312)는 분기된 두 번째 한 쌍의 입출력 전극(242, 252)에 대향 해서 공간을 두고 각각 독립된 복수, 본 예에서는 세 개의 진동 전극(27)[274, 275, 276]을 병렬로 형성해서 구성한다. 복수 빔형 미소 공진기 소자(313)는 분기된 세 번째 한 쌍의 입출력 전극(243, 253)에 대향 해서 공간을 두고 각각 독립된 복수, 본 예에서는 세 개의 진동 전극(27)[277, 278, 279]을 병렬로 형성해서 구성한다.
이 경우, 복수 빔형 미소 공진기 소자(311)에서는, 진동 전극(271), 입력 전극(241) 및 출력 전극(251)에 의해 미소 공진기 소자(231)가 구성되고, 진동 전극(272), 입력 전극(241) 및 출력 전극(251)에 의해 미소 공진기 소자(232)가 구성되며, 진동 전극(273), 입력 전극(241) 및 출력 전극(251)에 의해 미소 공진기 소자(233)가 구성된다.
복수 빔형 미소 공진기 소자(312)에서는, 진동 전극(274), 입력 전극(242) 및 출력 전극(252)에 의해 미소 공진기 소자(234)가 구성되고, 진동 전극(275), 입력 전극(242) 및 출력 전극(252)에 의해 미소 공진기 소자(235)가 구성되며, 진동 전극(276), 입력 전극(242) 및 출력 전극(252)에 의해 미소 공진기 소자(236)가 구성된다.
복수 빔형 미소 공진기 소자(313)에서는, 진동 전극(277), 입력 전극(243) 및 출력 전극(253)에 의해 미소 공진기 소자(237)가 구성되고, 진동 전극(278), 입력 전극(243) 및 출력 전극(253)에 의해 미소 공진기 소자(238)가 구성되며, 진동 전극(279), 입력 전극(243) 및 출력 전극(253)에 의해 미소 공진기 소자(239)가 구 성된다.
그 밖의 구성은, 도 1, 도 3에서 설명한 바와 같으므로, 중복 설명을 생략한다.
본 실시예에 관련된 미소 공진기(41)에 의하면, 복수의 미소 공진기 소자(23)를 직선상으로 배치한 형태의, 복수의 복수 빔형 미소 공진기 소자(311, 312, 313)를 병렬로 배치한 구성으로 함으로써, 병렬 접속된 미소 공진기 소자의 수가 많아지고, 미소 공진기(41)의 합성 임피던스를 보다 저감할 수 있다. 다시 말해, 이때의 합성 임피던스 Zc는 다음과 같아진다.
1/Zc = (1/Z1) + (1/Z2) + (1/Z3)
+ (1/Z4) + (1/Z5) + (1/Z6)
+ (1/Z7) + (1/Z8) + (1/Z9)
Z1 = Z2 = Z3 = Z4 = Z5 = Z6 = Z7 = Z8 = Z9로 하면,
Zc = (1/9)Z1이 된다.
이와 같이, 각 복수 빔형 미소 공진기 소자(311, 312, 313)를 동일한 패턴으로 형성하고, 각각의 임피던스 Z1 ～Z9의 값을 같게 하면, 합성 임피던스 Zc는 임피던스 Z1의 9분의 1이 된다. 따라서, 각 복수 빔형 미소 공진기 소자(31)의 진동 전극(27)을 세 개 이상 배치하고, 또한 복수 미소 공진기 소자(31)를 세 개 이상 배치하면, 적용해야 할 전자기기에 적합한 합성 임피던스를 가진 미소 공진기(41)가 얻어진다. 이 미소 공진기(41)에서는, 도 1, 도 3의 것에 비해 더욱 컴팩트해진다.
다음으로, 도 5 및 도 6을 이용해서 본 실시예의 미소 공진기의 제조 방법을 설명한다. 이때, 도면에서는 주요부의 미소 공진기 소자의 단면구조를 나타낸다.
본 실시예에 있어서는, 우선, 도 5a에 나타낸 바와 같이 실리콘 기판(51)의 윗면에 소요의 막 두께의 절연막(52)을 형성한 기판(22)을 준비한다. 본 예에서는 실리콘 기판(51) 위에 막 두께 1μm의 실리콘 질화(SiN)막(52)을 형성해서 기판(22)을 형성한다.
다음으로, 도 5b에 나타낸 바와 같이 기판(22)의 절연막(52) 위에 하부전극, 즉 입출력 전극이 되는 소요의 막 두께의 도전성 막(53)을 형성한다. 본 예에서는 실리콘 질화막(52) 위에 막 두께 0.5μm의 다결정 실리콘 막(53)을 증착으로 형성한다.
이어서, 도 5c에 나타낸 바와 같이 다결정 실리콘 막(53)을 선택 에칭에 의해 패터닝 해서 하부전극이 되는 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)과, 배선층(28)을 형성한다. 이 입출력 전극(24, 25) 및 배선층(28)의 패턴은, 전술한 도 1, 도 3, 도 4에 대응한 패턴으로 형성된다.
다음으로, 도 5d에 나타낸 바와 같이 입출력 전극(24, 25) 및 배선층(28)의 윗면을 포함하는 기판(22)의 전체 면에 소요의 막 두께의 희생층(54)을 형성한다. 본 예에서는 희생층이 되는 막 두께 0.5μm의 실리콘 산화(SiO2)막(54)을 증착에 의해 형성한다.
다음으로, 도 5e에 나타낸 바와 같이 희생층(54)을 평탄화 처리하고, 입출력 전극(24, 25) 위의 희생층(54)의 막 두께를 소요의 막 두께로 설정한다. 이 희생층(54)의 막 두께는 전술한 진동 전극(27)과 입출력 전극(24, 25) 사이의 공간(26)의 높이에 해당한다. 본 예에서는 CMP(화학기계연마)법을 이용해서 희생층의 실리콘 산화막(54)을 평탄화하고, 입출력 전극(24, 25) 위에 막 두께 0.1μm의 실리콘 산화막(54)이 남게 한다.
다음으로, 도 6a에 나타낸 바와 같이 희생층(54)의 일부를 선택 에칭해서 배선층(28)의 일부가 노출되는 콘택 구멍(55)을 형성한다.
다음으로, 도 6b에 나타낸 바와 같이 희생층(54) 위에 진동 전극, 즉 빔이 되는 소요의 막 두께의 도전성 막(56)을 형성한다. 이때, 도전성 막(56)의 일부는 콘택 구멍(55)을 통해서 배선층(28)에 접속된다. 본 예에서는 빔이 되는 막 두께 0.5μm의 다결정 실리콘 막(56)을 증착에 의해 형성한다.
이때, 전술한 다결정 실리콘 막(53, 56), 실리콘 산화막(54)은 화학증착법인 CVD(화학기상성장)법으로 형성할 수 있는데, 물리증착법으로 형성하는 것도 가능하다.
다음으로, 도 6c에 나타낸 바와 같이 도전성 막인 다결정 실리콘 막(56)을 패터닝 해서 진동 전극이 되는 빔(27)을 형성한다. 이 빔(27)의 패턴은 전술한 도 1, 도 3, 도 4의 패턴에 대응한 패턴으로 형성된다.
다음으로, 도 6d에 나타낸 바와 같이 희생층(54)을 선택적으로 제거한다. 본 예에서는 희생층인 실리콘 산화막(54)을 불산으로 제거한다. 이에 따라 입력 전극(24) 및 출력 전극(25)에 대하여 소요의 공간(26)을 두고 빔, 즉 진동 전극(27) 이 배치된, 도 1, 도 3 또는 도 4에 나타내는 미소 공진기(21, 31 또는 41)를 얻는다.
상기 본 실시예에 관련된 미소 공진기(21, 31, 41)에 의하면, 모두 공진기의 합성 임피던스가 저하되어, 소요의 임피던스를 가지는 디바이스에 적용할 수 있다. 예를 들면 50Ω계의 고주파(RF) 디바이스로서 이용할 수 있게 된다. 또한 병렬화하는 공진기의 개수의 조정에 의해, 임의의 합성 임피던스의 공진기의 제작이 가능해 진다.
미소 공진기(21)에 의하면, 복수의 미소 공진기 소자의 수에 의해, 합성 임피던스를 조정할 수 있고, 컴팩트해진 미소 공진기를 제작할 수 있다.
미소 공진기(31)에 의하면, 전극면적, 즉 진동 전극면적이 큰 하나의 공진기로 간주할 수 있다. 이 진동 전극의 수에 의해 합성 임피던스를 조정할 수 있고, 보다 컴팩트해진 미소 공진기를 제작할 수 있다.
미소 공진기(41)에 의하면, 복수 빔형 미소 공진기 소자의 수, 복수 빔형 미소 공진기 소자 내의 진동 전극의 수에 의해, 합성 임피던스를 더욱 저하시킬 수 있고, 더욱 컴팩트해진 미소 공진기를 제작할 수 있다.
전술한 각 실시예의 미소 공진기에 의한 필터는, 고주파(RF)필터, 중간주파(IF)필터 등으로 사용할 수 있다.
본 발명에 따라 전술한 실시예의 미소 공진기에 의한 필터를 사용해서 구성되는 휴대전화기, 무선 LAN 기기, 무선 트랜시버, 텔레비전 튜너, 라디오 튜너 등의 전자파를 이용해서 통신하는 통신장치를 제공할 수 있다.
다음으로, 전술한 본 발명에 따른 실시예의 필터를 적용한 통신장치의 구성 예를, 도 7을 참조해서 설명한다.
우선 송신계의 구성에 대해서 설명하면 Ⅰ채널의 송신 데이터와 Q채널의 송신 데이터를, 각각 디지털/아날로그 변환기(DAC)(201Ⅰ 및 201Q)에 공급해서 아날로그 신호로 변환한다. 변환된 각 채널 신호는, 밴드 패스 필터(202I 및 202Q)에 공급하고, 송신 신호의 대역 이외의 신호 성분을 제거하고, 밴드 패스 필터(202I 및 202Q)의 출력을 변조기(210)에 공급한다.
변조기(210)에서는, 각 채널마다 버퍼 앰프(211Ⅰ 및 211Q)를 지나 믹서(212I 및 212Q)에 공급하고, 송신용 P L L(phase-locked loop)회로(203)로부터 공급되는 송신 주파수에 대응한 주파수신호를 혼합해서 변조하고, 양 혼합 신호를 가산기(214)에서 가산해서 1 계통 송신 신호로 한다. 이 경우, 믹서(212I)에 공급하는 주파수신호는 이상기(213)에서 신호 위상을 90° 시프트시켜, Ⅰ채널 신호와 Q채널 신호가 직교 변조 되도록 했다.
가산기(214)의 출력은 버퍼 앰프(215)를 거쳐 전력증폭기(204)에 공급하고, 소정의 송신 전력이 되도록 증폭한다. 전력증폭기(204)에서 증폭된 신호는, 송수신 전환기(205)와 고주파 필터(206)를 지나 안테나(207)에 공급하고, 안테나(207)에서 무선송신시킨다. 고주파 필터(206)는 이 통신장치에서 송신 및 수신하는 주파수 대역 이외의 신호 성분을 제거하는 밴드 패스 필터다.
수신계의 구성으로는, 안테나(207)에서 수신한 신호를, 고주파 필터(206) 및 송수신 전환기(205)를 거쳐 고주파부(220)에 공급한다. 고주파부(220)에서는, 수신 신호를 저노이즈 앰프(LNA)(221)에서 증폭한 후, 밴드 패스 필터(222)에 공급하고, 수신 주파수 대역 이외의 신호 성분을 제거하고, 제거된 신호를 버퍼 앰프(223)를 거쳐 믹서(224)에 공급한다. 그리고, 채널 선택용 PLL 회로(251)로부터 공급되는 주파수신호를 혼합하여, 소정의 송신 채널 신호를 중간주파신호로 해서 그 중간주파신호를 버퍼 앰프(225)를 거쳐 중간주파회로(230)에 공급한다.
중간주파회로(230)에서는, 공급되는 중간주파신호를 버퍼 앰프(231)를 거쳐 밴드 패스 필터(232)에 공급하고, 중간주파신호의 대역 이외의 신호 성분을 제거하고, 제거된 신호를 자동 게인 조정 회로(AGC 회로)(233)에 공급하여, 거의 일정한 게인의 신호로 한다. 자동 게인 조정 회로(233)에서 게인 조정된 중간주파신호는, 버퍼 앰프(234)를 거쳐 복조기(240)에 공급한다.
복조기(240)에서는, 공급되는 중간주파신호를 버퍼 앰프(241)를 거쳐 믹서(242I 및 242Q)에 공급하고, 중간 주파용 PLL 회로(252)로부터 공급되는 주파수신호를 혼합하여, 수신한 Ⅰ채널 신호 성분과 Q채널 신호 성분을 복조한다. 이 경우, Ⅰ신호용 믹서(242I)에는, 이상기(243)에서 신호 위상을 90° 시프트시킨 주파수 신호를 공급하게 했고, 직교 변조된 Ⅰ채널 신호 성분과 Q채널 신호 성분을 복조한다.
복조된 Ⅰ채널과 Q채널 신호는, 각각 버퍼 앰프(244I 및 244Q)를 거쳐 밴드 패스 필터(253I 및 253Q)에 공급하고, Ⅰ채널 및 Q채널 신호 이외의 신호 성분을 제거하고, 제거된 신호를 아날로그/디지털 변환기(ADC)(254I 및 254Q)에 공급해서 샘플링하고 디지털 데이터로 하여, Ⅰ채널 수신 데이터 및 Q채널 수신 데이터를 얻 는다.
여기까지 설명한 구성에서, 각 밴드 패스 필터(202I, 202Q, 206, 222, 232, 253I, 253Q)의 일부 또는 모두로, 전술한 실시예에 나타낸 구성의 필터를 적용해서 대역 제한을 할 수 있다.
본 발명의 통신장치에 의하면, 전술한 필터, 즉 적용해야 하는 통신장치에 적합한 합성 임피던스를 가진 필터를 구비하므로, 신뢰성이 높은 통신장치를 제공할 수 있다.
도 7의 예에서는, 각 필터를 밴드 패스 필터로 구성했지만, 소정의 주파수보다도 낮은 주파수 대역만을 통과시키는 로 패스 필터나, 소정의 주파수보다도 높은 주파수 대역만을 통과시키는 하이 패스 필터로 구성하고, 그들 필터에 전술한 각 실시예에 따른 구성의 필터를 적용해도 된다. 또한 도 7의 예에서는, 무선송신 및 무선수신을 실행하는 통신장치로 했지만, 유선의 전송로을 거쳐 송신 및 수신하는 통신장치가 구비하는 필터에 적용해도 되고, 송신 처리만을 실행하는 통신장치나 수신 처리만을 실행하는 통신장치가 구비하는 필터에, 전술한 실시예에 따른 구성의 필터를 적용해도 된다.
본 발명의 통신장치에 의하면, 전술한 필터, 즉 적용해야 하는 통신장치에 적합한 합성 임피던스를 가진 필터를 구비하므로, 신뢰성이 높은 통신장치를 제공할 수 있다.
(인용부호의 설명)
1: 미소 공진기 2: 반도체 기판
3: 절연막 4: 입력측 배선층
5: 출력 전극 6: 공간
7: 진동 전극(빔) 8[8A, 8B]: 앵커부
9: 금(Au)막 t1: 입력 단자
t2: 출력 단자 11: 미소 공진기
12: 반도체 기판 13: 절연막
14: 입력 전극 15: 출력 전극
16: 공간 17: 진동 전극(빔)
18: 배선층 19[19A, 19B]: 앵커부
21, 31, 41: 미소 공진기 22: 기판
23[231 ~ 239]: 미소 공진기 소자 24[241 ~ 243]: 입력 전극
25[251 ~ 253]: 출력 전극 26: 공간
27[271 ~ 279]: 진동 전극(빔) 28: 배선층
29A, 29B: 앵커부 201I, 201Q: 디지털/아날로그 변환기
202I, 202Q, 211I, 211Q: 밴드 패스 필터
210: 변조기 212I, 212Q: 믹서
203: PLL 회로 213: 이상기
214: 가산기 215: 버퍼 앰프
204: 전력 증폭기 205: 송수신 전환기
206: 고주파 필터 207: 안테나
220: 고주파부 221: 저노이즈 앰프
244I, 244Q: 버퍼 앰프 222, 232: 밴드 패스 필터
223, 225, 231, 234: 버퍼 앰프 224: 믹서
251: 채널 선택용 PLL 회로 233: AGC 회로
240: 복조기 252: 중간 주파용 PLL 회로
242I: 믹서 243: 이상기
253I, 253Q: 밴드 패스 필터 254I, 254Q: 디지털/아날로그 변환기

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 동일 기판 위에 형성된 빔 구조를 가지는 복수 빔형 미소 공진기 소자가 전기적으로 병렬 접속되고,
    상기 복수 빔형 미소 공진기 소자는, 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극이 복수로 분기하여 형성되고, 분기되어 쌍을 이루는 상기 입력 전극 및 출력 전극 각각에 대하여 공간을 두고 병렬로 배치한 복수의 진동판이 되는 빔을 구비하고,
    복수의 상기 복수 빔형 미소 공진기 소자가 동일 기판 위에 병렬로 배치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 미소 공진기.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 송신 신호 및 수신 신호 중 적어도 하나의 대역을 제한하는 필터를 구비한 통신장치에 있어서,
    동일 기판 위에 형성된 빔 구조를 가지는 복수 빔형 미소 공진기 소자가 전기적으로 병렬 접속되고,
    상기 복수 빔형 미소 공진기 소자는, 동일 평면 위에 배치한 입력 전극 및 출력 전극이 복수로 분기하여 형성되고, 분기되어 쌍을 이루는 상기 입력 전극 및 출력 전극 각각에 대하여 공간을 두고 병렬로 배치한 복수의 진동판이 되는 빔을 구비하고,
    복수의 상기 복수 빔형 미소 공진기 소자가 동일 기판 위에 병렬로 배치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 미소공진기에 의한 필터가 사용되어 이루어진 것을 특징으로 하는 통신장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007150736A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Sony Corp 微小電気機械デバイス
JP4760382B2 (ja) * 2006-01-06 2011-08-31 セイコーエプソン株式会社 Ｍｅｍｓ振動子
US7863697B2 (en) * 2006-12-05 2011-01-04 Miradia Inc. Method and apparatus for MEMS oscillator
US8772999B2 (en) * 2007-10-11 2014-07-08 Sand 9, Inc. Signal amplification by hierarchal resonating structures
FR2929775B1 (fr) * 2008-04-08 2011-12-09 Commissariat Energie Atomique Filtre resonant a base de matrice de n/mems
JP2010280035A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Toshiba Corp Ｍｅｍｓデバイスとその製造方法
JP5402395B2 (ja) * 2009-08-21 2014-01-29 オムロン株式会社 静電誘導型発電装置
TWI449256B (zh) 2010-08-19 2014-08-11 Ind Tech Res Inst 電磁傳遞裝置
JP2012195829A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Seiko Epson Corp 発振回路
JP5056967B2 (ja) * 2011-03-28 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 Ｍｅｍｓ振動子
JP2012222718A (ja) 2011-04-13 2012-11-12 Seiko Epson Corp 発振器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5589082A (en) * 1992-12-11 1996-12-31 The Regents Of The University Of California Microelectromechanical signal processor fabrication
JPH09238025A (ja) * 1996-03-01 1997-09-09 Mitsubishi Electric Corp 高周波発振器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10013424A1 (de) * 2000-03-17 2001-09-20 Bosch Gmbh Robert Filter für elektrische Signale
FR2815774B1 (fr) * 2000-10-24 2003-01-31 Memscap Resonateur electrique
JP4168757B2 (ja) * 2002-02-01 2008-10-22 松下電器産業株式会社 フィルタ
JP4586404B2 (ja) * 2004-04-28 2010-11-24 ソニー株式会社 フィルタ装置及び送受信機
JP4609027B2 (ja) * 2004-10-07 2011-01-12 ソニー株式会社 微小共振器およびその製造方法、ならびに電子機器
JP4581658B2 (ja) * 2004-12-01 2010-11-17 ソニー株式会社 微小共振器、周波数フィルタ及び通信装置
JP4617904B2 (ja) * 2005-02-01 2011-01-26 ソニー株式会社 微小振動子、半導体装置及び通信装置
JP4735032B2 (ja) * 2005-05-12 2011-07-27 ソニー株式会社 微小共振器、バンドパスフィルタ、半導体装置、及び通信装置
JP4710435B2 (ja) * 2005-06-29 2011-06-29 ソニー株式会社 微小共振器、バンドパスフィルタ、半導体装置、並びに通信装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5589082A (en) * 1992-12-11 1996-12-31 The Regents Of The University Of California Microelectromechanical signal processor fabrication
JPH09238025A (ja) * 1996-03-01 1997-09-09 Mitsubishi Electric Corp 高周波発振器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Clark T.C 외 1인, "Design and Performance of CMOS Micromechnical Resonator Oscillators", IEEE proceedings, 1994년6월, 페이지127~134 *
Kun Wang 외 2인, "VHF Free-Free Beam High-Q Micromechnical Resonators", Journal of Microelectromechanical Systems, Vol-9, No-3, 2000년9월, 페이지 347~360. *
Kun Wang 외 2인, "VHF Free-Free Beam High-Q Micromechnical Resonators", Journal of Microelectromechanical Systems, Vol-9, No-3, 2000년9월, 페이지 347~360.*

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