KR101135586B1 - 공액고분자를 활성층으로 하는 메모리 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상부 전극과 하부 전극사이에서 공액고분자를 활성층으로하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 공액 고분자는 하기 화학식 I로 표현된다.
Figure 112009056981888-pat00001
(I)
상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
Figure 112009056981888-pat00002
상기식에서, R'과 R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; 공액고분자의 중량평균 분자량은 5,000 내지 5,000,000이다.
본 발명의 공액고분자는 유기용매에 가용성이어서 가공성이 매우 우수하고, 열적 안정성, 기계적 강도 등 기계적 물성이 매우 좋다. 그리고 전기적 특성으로 낮은 구동전압에 스위칭 현상이 일어나며 온/오프 두 전류 상태가 존재함을 확인함으로써 이를 활성층으로 이용하여 메모리 소자를 구현할 수 있다. 따라서 스위칭 현상을 가지는 공액고분자를 이용하여 매우 우수한 성능을 지닌 메모리 소자를 매우 간단한 공정과 저렴한 생산 비용으로 제조하는 것이 가능하다.

Description

공액고분자를 활성층으로 하는 메모리 소자 {MEMORY DEVICE CONTAINING CONJUGATED POLYMERS AS AN ACTIVE LAYER}
본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상부 전극과 하부 전극사이에서 공액고분자를 활성층으로하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 각종 스마트 카드, 휴대용 단말기, 전자 화폐, 디지털 카메라, 게임용 메모리, MP3 플레이어 등 디지털 매체의 이용이 급격하게 증가하고 있는 가운데, 처리 및 저장하여야 할 정보의 양 또한 급증하고 있어 각종 메모리 소자에 대한 수요가 급증하고 있다. 또한, 이 같은 대용량 정보를 고속으로 처리하고자 하는 기술적인 요구가 커지고 있는 가운데 차세대 메모리 소자 개발에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 차세대 메모리소자는 초대용량, 저소비전력, 고속 처리가 가능함과 동시에 기록된 정보가 전원이 꺼지더라도 기록된 정보가 사라지지 않는 비휘발성 메모리이어야만 한다. 지금까지 진행된 대부분의 비휘발성 메모리에 대한 연구는 실리콘 재료에 기반을 둔 플래시 메모리가 주류를 이루고 있으나 실리콘계 메모리 소자는 근본적인 한계에 직면해 있다. 예를 들면, 기존의 플래시 메모리는 기록/소 거 횟수가 제한되고, 기록 속도가 느리며, 고집적의 메모리 용량을 얻기 위한 미세화 공정으로 인해서 메모리 칩의 제조 비용이 상승하고 물리적 특성에 인하여 더 이상 칩을 소형화 할 수 없는 한계에 직면해 있다.
이와 같이 기존의 플래시 메모리 기술의 한계가 드러남에 따라 기존의 실리콘 메모리 소자를 대체하기 위한 연구가 활발하게 진행 되고 있는 가운데, 차세대 메모리들은 반도체 내부의 기본 단위인 셀을 구성하는 물질에 따라서 분류되어, 강유전체 메모리, 강자성 메모리, 상변화 메모리, 나노 튜브 메모리, 홀로그래픽 메모리, 유기 메모리 등이 있다. 이들 가운데 고분자 메모리는 상하부 전극 사이에 유기고분자 물질을 이용하여 메모리층을 형성하고 여기에 전압을 인가하여 메모리층의 저항값의 쌍안정성을 이용하여 메모리 특성을 구현하는 것이다. 상부 전극과 하부 전극이 교차하는 지점에 형성되는 셀이 쌍안정성을 제공한다. 즉 고분자 메모리는 상하부 전극사이에 존재하는 고분자 물질의 전기적 신호에 의해 저항이 가역적으로 변해서 데이터 “0"과 ”1“을 기록하고 읽을 수 있는 형태의 메모리이다. 이러한 고분자 메모리는 기존의 플래시 메모리의 장점인 비휘발성은 구현하면서 단점으로 인식되어온 공정성, 제조비용, 집적도 문제를 극복할 수 잇 차세대 메모리로 큰 기대를 모으고 있다.
유기 및 고분자 메모리의 일례로 미국 특허 공개 제 2004-27849호는 유기 활성층 사이에 금속 나노 클러스터를 적용한 유기 메모리 소자를 제안하고 있고, 또한 일본 특개소62-95882호는 유기 금속착제 전하 이동 (charge transger) 화합물인 CuTCNQ (7,7,8,8-tetracyano-p-quinodimethane)를 이용하는 유기 메모리 소자를 개 시하고 있다. 그러나 이러한 소자 진공증착을 이용하여 메모리 소자의 유기 활성층을 형성하기 때문에 제조 공정이 복잡하고, 균일하게 금속 나노 클러스터를 소자 내에 형성하는 것이 어려운 문제점과 수율이 매우 낮고, 제조 비용이 상승하는 문제점이 있다. 한편, 고분자 이용한 비휘발성 메모리 소자에 있어서, 활성층으로 사용되는 화합물로는 알킬 그룹이 도입된 폴리싸이오펜(polythiophene)계, 폴리아세틸렌(polyacetylene)계 및 폴리비닐카바졸(poly vinylcarbazole)계 고분자 화합물 등이 있다 (문헌 [H. S. Majumdar, A. Bolognesi, and A. J. Pal, Synthetic metal 140, 203-206 (2004)]; [M. P. Groves, C. F. Carvalho, and R. H. Prager, Materials Science and Engineering C, 3(3), 181-183 (1995)]; 및 Y. -S. Lai, C. -H., Tu and D. -L. Kwong, Applied Physics Letters, 87, 122101-122103 (2005)]참조). 폴리싸이오펜계 고분자의 경우에는 온/오프 상태를 나타내는 전압 값이 높다는 단점과 공기 중에서 불안정하며 온/오프 비율이 일정하지 않은 단점이 있으며, 폴리아세틸렌의 경우에는 메모리 소자로서의 가능성은 있지만 일반적으로 공액결합된 고분자 중 가장 공기 중에 산화되기 쉬운 고분자로 알려져 있기 때문에 실제로 디바이스 구현이 어렵다. 또한, 폴리비닐카바졸계 고분자의 경우에는 우수한 스위칭 특성을 보이는 것으로 보고되고 있으며 현재 활발히 연구 중인 것으로 알려져 있다 (문헌 [Y. -S. Lai, C. -H., Tu and D. -L. Kwong, Applied Physics Letters, 87, 122101-122103 (2005)]참조). 또한, 폴리아닐린도 메모리 소자재료로서 사용되어 왔으나, 유기용매에 대해 용해성이 낮은 문제가 있다 (문헌 [R. J. Tseng, J. Huang, J. Ouyang, R. B. Kaner, and Y. Yang, Nano Letters, 5, 1077- 1080 (2005)]참조).
본 발명의 목적은 상술한 종래의 기술적 문제점을 극복하고, 제조 공정이 단순하며, 전류-전압 스위칭 현상을 나타내며, 동작 전압 및 전류가 낮으며, 온/오프 비율이 크고, 장기간 기록된 정보가 보존되는 유기 메모리 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 유기 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 활성층 물질을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 비휘발성 유기 메모리 소자에 활성층으로 사용될 수 있는 공액 고분자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 I로 이루어진 공액 고분자를 제공한다.
Figure 112009056981888-pat00003
(I)
상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
n은 정수인 반복단위이며,
Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
Figure 112009056981888-pat00004
상기식에서, R'과 R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
R은 상이하거나 동일하며, 상기 Z는 상이하거나 동일하고,
공액고분자의 중량평균 분자량은 5,000 내지 5,000,000, 바람직하게는 5,000 내지 500,000이다.
본 발명은 일 측면에서, 상기 화학식 1로 표현되는 공액 고분자를 제공한다. 본 발명에 따른 공액 고분자는 전류-전압 스위칭 현상을 나타내며, 동작 전압 및 전류가 낮으며, 온/오프 비율이 커서, 유기 메모리 소자의 활성층으로 사용될 수 있다.
본 발명은 다른 일 측면에서, 상기 화학식 1의 공액고분자의 제조하는 방법에 있어서, 하기 화학식 Ⅱ 구조의 다이프로파길구조의 화합물을
Figure 112009056981888-pat00005
(Ⅱ)
몰리브데늄 촉매하에서 반응시켜 공액고분자를 제조하는 것을 특징으로 하 며, 상기식에서, R은 상이하거나 동일한 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; Z는 상이하거나 동일한 아래와 같은 군으로부터 선택되는 방향족 또는 지방족 유도체이고;
Figure 112009056981888-pat00006
상기식에서, R'과 R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이다
본 발명의 일 실시에 있어서, 상기 화학식 Ⅱ의 화합물은 하기 화학식 Ⅲ과 같은 화합물
Figure 112009056981888-pat00007
(Ⅲ)
을 축합반응을 통하여 얻는 것을 특징으로 하고,
상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; B는 -COOH 또는 -OH 이다.
본 발명의 일 실시에 있어서, 상기 화학식 Ⅲ의 화합물은 하기 화학식 Ⅳ과 같은 화합물
Figure 112009056981888-pat00008
(Ⅳ)
의 가수분해를 통하여 얻는 것을 특징으로 하고,
상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; A는 -COOCH2CH3 또는 -OCH2CH3 이다.
본 발명의 일 실시에 있어서, 상기 화학식 Ⅳ의 화합물은 기 화학식 Ⅴ와 Ⅵ 같은 화합물
Figure 112009056981888-pat00009
(Ⅴ)
Figure 112009056981888-pat00010
(Ⅵ)
의 알킬화 반응을 통하여 얻는 것을 특징으로 하고,
상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; X는 F, Cl, Br 또는 I이고; A는 -COOCH2CH3 또는 -OCH2CH3 이다.
본 발명은 일 측면에서, 하기 화학식(I)로 표현되는 공액고분자의 전기적 성질을 이용한 메모리 소자로서의 용도를 제공한다.
Figure 112009056981888-pat00011
(I)
상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
Figure 112009056981888-pat00012
상기식에서, R'과 R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; 공액고분자의 중량평균 분자량은 5,000 내지 5,000,000, 바람직하게는 5,000 내지 500,000이다.
본 발명은 일 측면에서, 하기 화학식(1)로 표현되는 공액고분자를 활성층을 사용하는 유기 메모리 소자로 이루어진다.
본 발명의 유기 메모리 소자는 제 1전극, 상기 제 1전극 상에 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성된 제 2 전극을 포함한다.
본 발명의 유기 메모리 소자의 활성층은 공액고분자로 형성되는 두께 10 내 지 100nm 이내의 막 형태로 구성된다. 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제조 방법은 기판 상에 형성된 하부 전극 위에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 상기 활성층은 하부전극과 상부전극 사이에 위치하며, 전자와 홀의 이동이 가능한 활성층이며, 상기 활성층은 공액고분자로 구성되고, 유기 메모리 제조 후 메모리 소자의 전극의 양단에 전압을 인가하면, 전극을 통해 전자와 홀이 활성층 안으로 유입되고, 활성층 내부에서 형성되는 필라멘트를 통해 전류가 운반된다. 상기 활성층은 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1전극과 제 2전극 사이에 활성층이 샌드위치 된 구조로 유기 메모리 소자를 이루며, 이러한 메모리 소자에 전압을 인가하면 활성층의 저항값이 쌍안정성을 나타내어 메모리 특성을 보이게 된다.
본 발명의 실시에 있어서, 상기 상부 전극과 하부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄 등을 이용하여 제조할 수 있으며, 공지된 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 이러한 고분자 활성층은 전극과 다이오드로 연결되며, 여기서, 다이오드는 예를 들들어, P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드이다.
상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 공액고분자는 유기용매에 가용성이어서 가공성이 매우 우수하고, 열적 안정성, 기계적 강도등 기계적 물성이 매우 좋다. 그리고 전기적 특성으로 낮은 구동전압에 스위칭 현상이 일어나며 온/오프 두 전류 상태가 존재함을 확인함으로써 이를 활성층으로 이용하여 메모리 소자를 구현할 수 있다. 따라서 상기의 공액고분자를 이용하여 매우 우수한 성능을 지닌 메모리 소자를 매우 간단한 공정과 저렴한 생산 비용으로 제조하는 것이 가능할 것으로 기대한다.
이하, 본 발명을 하기 합성예와 실시예를 들어 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 합성예와 실시예만 한정되는 것은 아니다.
합성예 1
Figure 112009056981888-pat00013
500mL의 둥근바닥 플라스크에 10g (62.4mmol)의 다이에틸말로네이트, 10.2g (150mmol)의 소듐에톡사이드 그리고 200mL의 에탄올를 넣고 실온에서 교반하였다. 5분 경과 후에 17.81g( 150mmol)의 프로파길브로마이드를 서서히 첨가한 후 5시간 동안 환류를 하였다. 이 반응물에 헥산 400mL를 첨가하고, 물로 여러 번 씻어 주었다. 서서히 용매내에서 재결정이 생성이 되었다. 수율: 83%. 1H-NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)= 4.24 (q, 4H, OOCCH2), 2.99 (s, 4H, CCH2), 2.03 (s, 2H, CCH), 1.26 (t, 6H, CH2CH3)
합성예 2
Figure 112009056981888-pat00014
250mL의 둥근바닥 플라스크에 합성예 1 에서 얻은 5.0g (21.2mmol)의 다이프로파길화합물과 50mL의 포타슘하이드록사이드 용액(에탄올:물=1:1(v/v), 10 wt%)을 넣는다. 혼합물의 온도를 120℃ 로 상승시키고 12시간 동안 교반하였다. 반응이 끝난 후 3N 염산 용액으로 중화를 한다. 반응물을 물과 에테르로 추출한 다음 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 감압여과로 거른 후 감압증류로 농축한다. 수율: 94%. 1H-NMR(300MHz,CDCl3):δ(ppm)= .28 (br, 2H, COOH), 2.96 (s, 2H, CH), 2.76 (s, 4H, CH2)
합성예 3
Figure 112009056981888-pat00015
100mL의 둥근바닥 플라스크에 합성예 2에서 합성된 화합물 0.360g (2.0mmol), 1.014g (4.8mmol)의 9H-카바졸-9-에탄올, N-(3-다이메틸아미노프로필)-N-에틸카보디이미드 하이드로클로라이드 0.917g 및 N,N-다이메틸아미노피리딘 0.586g을 메틸렌클로라이드 20mL에 녹인 후 상온에서 24 시간 동안 교반하였다. 용액을 감압증류로 농축한 다음 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄)로 분리 정제하였다. 수율: 54%. 1H-NMR(300MHz,CDCl3):(300MHz, CDCl3).δ(ppm): 8.11 (d, 2H, Ar-H), 7.61 (d, 2H, Ar-H), 7.44 (d, 2H, Ar-H), 7.19 (d, 2H, Ar-H), 4.66 (t, 2H, OCH2), 4.43 (t, 2H, NCH2), 2.75 (s, 2H, CCH), 2.28 (s, 4H, CCH2)
합성예 4
Figure 112009056981888-pat00016
100mL의 둥근바닥 플라스크에 10mL의 1,4-다이옥산, 0.1mL의 0.2M 몰리브데늄클로라디드 용액 및 합성예 3에서 합성된 화합물 0.566g (1.0mmol)을 순차적으로 넣는다. 혼합물의 온도를 60℃로 올리고 24시간동안 교반을 하였다. 반응이 종료되면 용액을 서서히 메탄올에 침전시킨다. 침전된 고분자를 여과하여 건조한다. 수율: 98%. 1H-NMR(300MHz,CDCl3):(300MHz, CDCl3).δ(ppm): 8.06-7.03 (br, 18H, Ar- H, =CH-), 4.62-4.27 (br, 8H, OCH2, NCH2), 3.46-3.11 (br, 4H, CCH2)
실시예 1
실리콘 기판 위에 열산화 반응(thermal oxidation)을 통해 절연막 SiO2를 형성시킨 후, 그 위에 전자빔(electron beam) 또는 열증착장치(thermal evaporator)를 이용하여 100 ~ 300 nm 두께를 가지는 Au 또는 Al 전극을 형성시켰다.
그 다음, 상기 합성예 X에서 제조된 고분자를 싸이클로펜타논 용매에 질량 퍼센트를 달리하여 용해시킨 후, 0.2 마이크로필터의 실린지 필터로 걸러 내어낸 용액을 위의 Au 또는 Al 전극에 스핀코팅 한다. 이렇게 형성된 고분자 활성층을 진공상태에서 80 ℃에서 1시간 열처리하여 전극 위에 20~80nm 두께의 고분자 활성층을 가지는 박막을 만들었다. 이 때 활성층의 두께는 알파-스텝 프로파일러 (Alpha-Step profiler)와 타원 편광기 (Ellipsometry)를 이용하여 측정하였다. 이렇게 만들어진 고분자 활성층 위에 Au 또는 Al 전극을, 전자빔(electron beam) 또는 열증착장치(thermal evaporator)를 이용하여 1 nm 내지 1000nm 두께로 증착시켜 메모리 소자를 완성하였다. 이 때 증착되는 전극의 두께는 석영 모니터 (quartz crystal monitor)를 통하여 조절하였다.
메모리 소자의 특성 시험
실시예 1에서 얻어진 유기 메모리 소자의 전기적 특성을 측정하기 위하여 반도체 분석기(Semiconductor Analyzer)에 연결된 프로브 스테이션 (Probe station)을 이용하였다. 고분자 활성층의 양단의 전극에 프로브 스테이션의 텅스텐 팁을 접 촉하고 전압을 인가함에 따른 전류의 변화를 측정하여서 스위칭 특성을 보았다.
도 2의 Au 와 Al 전극을 기반으로 하는 소자의 전압-전류 관계의 그래프에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 공액고분자를 활성층으로 갖는 메모리 소자는 낮은 전압에서 낮은 전류 상태, 오프상태(Off-state)를 유지하다가 특정 전압 (±2.5 V) 부근에서 Turn-On 이 되어 높은 전류 상태, 온상태(On-state)를 유지하고 이후의 반복된 양방향 sweep 에서도 안정적으로 온상태(On-state)를 유지하는 경향성을 보여 주었다. 여기서 Turn-On 이 되는 현상은 메모리의 현상 중에서 ‘Write’ 현상에 해당하는 것이다. 이 소자는 전원이 켜져 있는 상태에서는 한번 'Write'를 하면 지워('Erase')지지 않고 계속해서 온상태이지만, 전원이 꺼지면 온상태가 오프상태로 돌아가는 현상을 보였으며 오프상태는 반복적으로 온상태로 될 수 있음을 확인하였다. 즉 전원이 있는 상태에서만 'Write' 상태를 유지하는 특성인 dynamic random access memory (DRAM) 현상을 보여주었다. 또한 이 메모리 소자는 두 가지 저항상태(On & Off) 상태에서, 예를 들어 0.5 V에서 On 상태인 경우 전류가 6.9 x 10-3 A 이며 Off 상태인 경우 2.3 x 10-10A, 온-오프 상태의 전류비(On-Off ratio)가 106-107 가량으로 상당히 안정적인 WORM 메모리 소자의 특성을 보여주었다.
도 3에서는 메모리 소자의 수명을 평가하기 위하여 실행한 데이터 보유 시간에 관한 실험 결과를 나타내고 있다. 도 3에서의 OFF 상태는 메모리 소자의 양전극을 접촉하고 특정 전압 (여기에서는 +1.0 V)을 가한 후, 시간에 따른 전류를 측정 한 것이다. 이 실험 후에 Turn-On 전압을 가하여 메모리 소자를 온-상태로 만든 후, 다시 특정 전압 (+1.0 V)을 가하여 온-상태에서의 시간에 따른 전류를 측정하였다. 실시예 1에서 제작된 메모리 소자는 40000 초 이상에서 안정적으로 온, 오프 상태를 유지할 수 있었다. 즉, 메모리 소자의 특성을 결정짓는 가장 중요한 요소는 고분자 활성층인데, 본 발명에 따른 공액고분자 활성층은 제작 방법에 따라 달라질 수 있는 전극의 종류에 관계없이 오랜 시간 동안 데이터 저장 능력이 우수하다는 것을 확인 할 수 있었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 고분자 메모리 소자의 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고분자 메모리 소자의 양의 전압에 따른 전류 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 고분자 메모리 소자의 음의 전압에 따른 전류 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4는 제조된 고분자 메모리 소자의 시간에 따른 데이터 보유 능력을 나타낸 그래프이다.

Claims (18)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 하기 화학식 1로 표시되는 공액고분자 화합물을 유기 활성층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
    Figure 112011091540566-pat00020
    (I)
    상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
    Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
    Figure 112011091540566-pat00034
    상기식에서, R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이며, n은 정수인 반복단위.
  5. 제4항에 있어서, 상기 공액 고분자 화합물은 중량평균 분자량이 5,000 내지 5,000,000인 메모리소자.
  6. 제4항에 있어서, 상기 공액고분자 화합물은 하기 화학식(Ⅶ)으로 표현되는 메모리 소자.
    Figure 112009056981888-pat00022
    (Ⅶ)
    여기서, n은 정수인 반복단위.
  7. 하부 전극;
    상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및
    상기 유기전극위에 형성된 상부 전극을 포함하며,
    상기 유기 활성층은 하기 화학식 1로 표시되는 공액고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자.
    Figure 112011091540566-pat00023
    (Ⅰ)
    상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
    Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
    Figure 112011091540566-pat00035
    상기식에서, R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이며,
    n은 정수인 반복단위이다.
  8. 제7항에 있어서, 상기 상부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 하부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 고분자 활성층은 전극과 다이오드로 연결되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 다이오드는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자.
  12. 기판 상에 형성된 하부 전극 위에 활성층을 형성하는 단계; 및
    상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    여기서, 상기 활성층은 하기 화학식 Ⅰ로 표시되는 공액고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법.
    Figure 112011091540566-pat00025
    (Ⅰ)
    상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고;
    Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어지는 방향족 또는 지방족 유도체이다.
    Figure 112011091540566-pat00036
    상기식에서, R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이며,
    여기서, n은 정수인 반복단위이다.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 방법으로 얻어진 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법.
  14. 제 11항에 있어서, 고분자 활성층을 형성하는 단계는 고분자를 포함하는 용매를 코팅하는 단계임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법.
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  16. 삭제
  17. 삭제
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