KR101134745B1 - 태양광 발전장치 - Google Patents

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Abstract

태양광 발전장치기 개시된다. 태양광 발전장치는 제 1 전류 생성 능력을 가지는 제 1 태양전지 셀; 상기 제 1 태양전지 셀과 직렬로 연결되며, 상기 제 1 전류 생성 능력보다 작은 제 2 전류 생성 능력을 가지는 제 2 태양전지 셀; 및 상기 제 2 태양전지 셀 상에 배치되며, 상기 제 2 태양전지 셀로 입사되는 광의 세기를 증가시켜, 상기 제 1 전류 생성 능력 및 상기 제 2 전류 생성 능력의 차이를 보상하는 보상부를 포함한다. 태양광 발전장치는 각각의 태양전지 셀의 전류 생성 능력의 차이를 보상하기 때문에, 전류 생성 능력의 편차에 따른 성능저하를 방지할 수 있다.
태양전지, 반사, 방지, 전류 생성 능력, 두께

Description

태양광 발전장치{SOLAR CELL APPARATUS}
실시예는 태양광 발전장치에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 빛에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전 모듈은 지구 환경의 보전에 기여하는 무공해 에너지를 얻는 수단으로 널리 사용되고 있다.
태양 전지의 광전 변환 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 모듈을 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도로까지 설치되기에 이르렀다.
실시예는 향상된 효율을 가지는 태양광 발전장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 제 1 전류 생성 능력을 가지는 제 1 태양전지 셀; 상기 제 1 태양전지 셀과 직렬로 연결되며, 상기 제 1 전류 생성 능력보다 작은 제 2 전류 생성 능력을 가지는 제 2 태양전지 셀; 및 상기 제 2 태양전지 셀 상에 배치되며, 상기 제 2 태양전지 셀로 입사되는 광의 세기를 증가시켜, 상기 제 1 전류 생성 능력 및 상기 제 2 전류 생성 능력의 차이를 보상하는 보상부를 포함한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위를 둘러싸는 외곽 영역을 포함하는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되며, 서로 직렬로 연결되는 다수 개의 태양전지 셀들; 및 상기 태양전지 셀들 중 상기 외곽 영역에 배치되는 외곽 태양전지 셀들에 대응하여 배치되는 반사 방지부를 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 전류 생성 능력의 차이를 보상하는 보상부를 포함한다. 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 각각의 태양전지 셀의 발전 효율의 편차, 즉, 전류 생성 능력의 편차에 따른 성능 저하를 방지할 수 있다.
특히, 외곽 영역의 태양전지 셀들은 중앙 영역의 태양전지 셀들보다 낮은 전류 생성 능력을 가질 수 있다. 이때, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 외곽 영역 의 태양전지 셀들에 대응하여 반사 방지부를 배치시킨다. 이에 따라서, 외곽 태양전지 셀들에 입사되는 광의 양이 더 증가되고, 외곽 태양전지 셀들의 낮은 전류 생성 능력이 보상된다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 각각의 태양전지 셀의 성능의 편차를 보상하고, 전체적으로 향상된 발전효율을 가진다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 셀, 부, 층, 전극 또는 영역 등이 각 기판, 셀, 부, 층, 전극 또는 영역 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 태양전지 셀의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 다른 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판(100), 태양전지 셀들(200) 및 보상부(300)를 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가진다. 상기 지지기판(100)은 절연 체이다. 상기 지지기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 예를 들어, 소다라임 글래스 기판일 수 있다. 또한, 상기 지지기판(100)은 상기 태양전지 셀들(200) 및 상기 보상부(300)를 지지한다.
상기 지지기판(100)은 중앙 영역(CR) 및 외곽 영역(OR)을 포함한다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 상기 중앙 영역(CR) 및 상기 외곽 영역(OR)으로 구분된다.
상기 중앙 영역(CR)은 상기 지지기판(100)의 중앙 부분에 위치하고, 상기 외곽 영역(OR)은 상기 지지기판(100)의 외곽 부분에 위치한다. 상기 외곽 영역(OR)은 상기 중앙 영역(CR)의 주위를 둘러싼다.
상기 태양전지 셀들(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 태양전지 셀들(200)은 입사되는 태양광을 전기에너지로 변환시킨다. 또한, 상기 태양전지 셀들(200)은 일 방향으로 서로 나란히 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 태양전지 셀들(200)은 상기 중앙 영역(CR) 및 상기 외곽 영역(OR)에 배치된다. 예를 들어, 상기 태양전지 셀들(200) 중 상기 중앙 영역(CR)에 대응하여 배치되는 태양전지 셀들(200)은 중앙 태양전지 셀들(201)이라고 지칭된다. 마찬가지로, 상기 태양전지 셀들(200) 중 상기 외곽 영역(OR)에 대응하여 배치되는 태양전지 셀들(200)은 외곽 태양전지 셀들(202)이라고 지칭된다.
즉, 상기 태양전지 셀들(200)은 상기 중앙 태양전지 셀들(201) 및 상기 외곽 태양전지 셀들(202)로 구분된다.
도 1에서는 상기 외곽 영역(OR)에는 최외곽 태양전지 셀들만 배치되는 것으 로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고, 상기 외곽 영역(OR)에는 상기 최외곽 태양전지 셀들을 포함하여, 최외곽으로부터 두 번째, 세 번째 또는 그 이상의 태양전지 셀들이 배치될 수 있다.
상기 태양전지 셀들(200)은 서로 다른 전류 생성 능력을 가질 수 있다. 여기서, 전류 생성 능력은 각각의 태양전지 셀에 동일한 세기의 광이 조사될 때, 일정 시간 동안 각각의 태양전지 셀이 생성하여 이동시키는 전하의 상대적인 양을 의미한다. 즉, 각각의 태양전지 셀을 분리하여, 각각의 태양전지 셀에 동일 세기로, 일정 시간 동안 광이 조사될 때, 각각의 태양전지 셀에서 생성되는 전류의 비가 각각의 태양전지 셀의 전류 생성 능력이다.
여기서, 태양전지 셀이 생성하는 전류의 상대적인 양은 광 흡수층에 입사된 광에 의해서 생성된 전하의 윈도우층 및/또는 이면전극층으로 이동되는 속도를 의미한다. 이때, 태양전지 셀이 생성하는 전류의 세기는 전하의 이동도 및 생존시간(life time) 등과 관련이 있다. 즉, 전하의 이동도가 높을수록, 전하의 생존시간이 길수록 셀이 생성하는 전류의 세기가 커진다.
또한, 각각의 태양전지 셀(200)의 단위 면적당 전류 생성 능력은 서로 다를 수 있다. 즉, 각각의 태양전지 셀(200)의 단위 면적당 전류 생성 능력은 각각의 태양전지 셀(200)이 배치되는 위치에 따라서 달라질 수 있다.
여기서, 단위 면적당 전류 생성 능력은 각각의 태양전지 셀(200)의 전류 생성 능력을 각각의 태양전지 셀(200)의 평면적으로 나눈 값을 의미한다.
예를 들어, 상기 중앙 태양전지 셀들(201)은 높은 전류 생성 능력을 가지고, 상기 외곽 태양전지 셀들(202)은 낮은 전류 생성 능력을 가질 수 있다.
더 자세하게, 상기 지지기판(100)의 외곽에서 중앙부분으로 갈수록 상기 태양전지 셀들(200)은 점차적으로 높은 전류 생성 능력을 가질 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 태양전지 셀들(200)은 CIGS계 태양전지일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 태양전지 셀들(200)은 실리콘 박막 태양전지 등 다양한 구조의 태양전지 일 수 있다.
예를 들어, 상기 태양전지 셀(200)은 이면전극(210), 광 흡수부(220), 버퍼(230), 고저항 버퍼(240) 및 윈도우(250)를 포함할 수 있다.
상기 이면전극(210)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 이면전극(210)은 도전층이며, 상기 이면전극(210)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴 등을 들 수 있다.
상기 이면전극(210)은 두 개의 층으로 형성될 수 있다. 이때, 각각의 층은 서로 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 흡수부(220)는 상기 이면전극(210) 상에 배치된다. 상기 광 흡수부(220)는 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함한다. 예를 들어, 상기 광 흡수부(220)는 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수부(220)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 버퍼(230)는 상기 광 흡수부(220) 상에 배치된다. 상기 버퍼(230)는 상 기 광 흡수부(220)에 직접 접촉한다. 상기 버퍼(230)는 황화 카드뮴을 포함한다. 상기 버퍼(230)는 황화 카드뮴으로 이루어질 수 있다.
상기 고저항 버퍼(240)는 상기 버퍼(230) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼(240)는 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼(240)의 에너지 밴드갭은 약 3.1eV 내지 3.3eV이다.
상기 윈도우(250)는 상기 고저항 버퍼(240) 상에 배치된다. 상기 윈도우(250)는 투명하며, 도전층이다. 상기 윈도우(250)로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드(Al doped ZnO;AZO) 등을 들 수 있다.
상기 태양전지 셀들(200)은 서로 직렬로 연결된다. 예를 들어, 하나의 태양전지 셀의 이면전극(210)과 인접하는 태양전지 셀의 윈도우(250)가 연결되는 방식으로, 서로 인접하는 태양전지 셀들이 서로 직렬로 연결된다.
상기 태양전지 셀들(200)을 형성하는 공정에서, 각각의 층(210, 220...)이 불균일하게 증착되기 때문에, 상기 태양전지 셀들(200)이 서로 다른 전류 생성 능력을 가질 수 있다. 즉, 각각의 태양전지 셀(200)의 광 흡수부(220), 버퍼(230), 고저항 버퍼(240) 및 윈도우(250)의 두께가 달라지기 때문에, 각각의 태양전지 셀(200)은 서로 다른 전류 생성 능력을 가질 수 있다.
또한, 각각의 태양전지 셀(200)의 광 흡수부(220), 버퍼(230), 고저항 버퍼(240) 및 윈도우(250)의 디펙 밀도가 달라지기 때문에, 각각의 태양전지 셀(200)은 서로 다른 전류 생성 능력을 가질 수 있다. 여기서, 디펙 밀도는 각각의 층에 형성되는 단위 면적당 디펙의 개수이며, 제조 공정의 특성 상, 상기 디펙의 개수는 태양전지의 중심부에서 외곽부로 갈수록 더 많아지게 되며, 외곽부의 전류 생성 능력을 저하시키는 요인으로 작용한다.
이에 따라서, 상기 보상부(300)는 상기 태양전지 셀들(200) 상에 배치된다. 상기 보상부(300)는 상기 외곽 영역(OR)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 보상부(300)는 상기 외곽 태양전지 셀들(202) 상에 배치된다. 상기 보상부(300)는 상기 외곽 태양전지 셀들(202)에 대응하여 배치된다. 더 자세하게, 상기 보상부(300)는 상기 외곽 태양전지 셀들(202) 상에만 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 보상부(300)는 상기 태양전지 셀들(200) 중 최외곽 태양전지 셀들(202)에만 대응하여 배치될 수 있다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 상기 보상부(300)는 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 보상부(300)는 상기 중앙 영역(CR)에 마스크가 배치되고, 상기 외곽 영역(OR)에 증착 또는 코팅 공정에 의해서, 형성될 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 보호유리를 더 포함할 수 있다.
상기 보호유리는 상기 태양전지 셀들(200) 상에 배치된다. 상기 보호유리는 외부의 물리적인 충격 및/또는 이물질로부터 상기 태양전지 셀들(200)을 보호한다. 상기 보호유리는 투명하며, 예를 들어, 강화 유리일 수 있다.
상기 보호유리 및 상기 태양전지 셀들(200) 사이에는 에바(ethylene vinylene acetate;EVA) 필름이 개재된다. 상기 에바 필름은 상기 보호유리 및 상기 태양전지 셀들(200) 사이에서 완충 기능을 수행한다.
상기 보상부(300)는 상기 외곽 태양전지 셀 상에 직접 배치되는 것으로 도시 되어 있지만, 이와는 다르게, 상기 보상부(300)는 상기 보호유리 상면 또는 하면에 배치되거나, 상기 에바 필름의 내측에 배치될 수 있다.
상기 보상부(300)는 상기 외곽 태양전지 셀들(202)에 입사되는 광의 세기를 증가시킨다. 더 자세하게, 상기 보상부(300)는 상기 중앙 태양전지 셀들(201)에 입사되는 광의 세기보다 상기 외곽 태양전지 셀들(202)로 입사되는 광의 세기가 더 크도록 할 수 있다.
예를 들어, 상기 보상부(300)는 반사 방지막을 포함할 수 있다. 상기 반사 방지막은 반사되는 광의 세기를 감소시키고, 효율적으로 광을 입사시킨다. 즉, 상기 반사 방지막은 상기 보호유리에서 반사되는 태양광을 감소시켜서, 상기 외곽 태양전지 셀들(202)로 입사되는 광의 세기를 증가시킨다.
상기 반사 방지막은 상기 보호 유리 상에 코팅될 수 있다. 상기 반사 방지막은 상기 보호유리보다 낮은 굴절률을 가지는 유전체를 포함할 수 있다.
상기 반사 방지막을 사용되는 물질의 예로서는 MgF2를 포함할 수 있다. 이때, 상기 MgF2의 결정 성장 방향은 상기 외곽 태양전지 셀들(202)의 상면에 대하여, 경사지는 방향일 수 있다.
이는 제조 공정에서, 상기 중앙 영역(CR)에 마스크가 배치되고, 상기 지지기판(100)이 회전하면서, 상기 외곽 영역(OR)에 MgF2가 경사지는 방향으로 분사되어, 증착될 수 있기 때문이다.
또한, MgF2는 상대적으로 적은 면적인 외곽 영역(OR)에 증착되기 때문에, 균 일하게 증착될 수 있고, 상기 보상부(300)는 용이하게 형성될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 보상부(300)는 반사 방지 패턴(310)일 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 보상부(300)는 상기 보호유리(400)에 상기 외곽 태양전지 셀들(202)에 대응하여 형성되는 반사 방지 패턴(310)일 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 보상부(300)에 의해서, 상기 태양전지 셀들(200) 사이의 전류 생성 능력의 차이를 보상할 수 있다. 즉, 상기 보상부(300)는 상대적으로 낮은 전류 생성 능력을 가지는 태양전지 셀에 상대적으로 높은 세기의 광을 입사시킨다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 각각의 태양전지 셀(200)의 발전 효율의 편차, 즉, 전류 생성 능력의 편차에 따른 성능 저하를 방지할 수 있다.
즉, 서로 직렬로 연결되는 태양전지 셀들(200) 사이에 흐르는 전체 전류의 세기는 낮은 전류 생성 능력을 가지는 태양전지 셀에 의해서 결정된다. 이때, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 보상부(300)에 의해서, 상기 외곽 태양전지 셀들(202)의 낮은 발전 효율(예를 들어, 낮은 전류 생성 능력)을 보상한다. 즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 외곽 태양전지 셀들(202)에 입사되는 광의 세기를 증가시켜서, 낮은 발전 효율을 보상한다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 전체적으로 높은 발전 효율을 가진다.
도 5는 다른 실시예에 따른 태양광 발전장치의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참고하고, 보상부에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본질적으로 본 실시예의 설명에 결합될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 보상부(300)는 서로 면적이 다른 다수 개의 반사 방지막들(310, 320)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 반사 방지막들 중 일부는 중앙 태양전지 셀들(201)에 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 상기 보상부(300)은 상기 태양전지 셀들(200) 상에 배치되는 반사 방지부이다.
상기 반사 방지막들(310, 320)의 평면적은 대응하는 각각의 태양전지 셀(200)의 전류 생성 능력에 따라서 달라진다.
즉, 상대적으로 높은 전류 생성 능력을 가지는 태양전지 셀에 대응하는 반사 방지막은 상대적으로 작은 평면적을 가진다. 반대로, 상대적으로 낮은 전류 생성 능력을 가지는 태양전지 셀에 대응하는 반사 방지막은 상대적으로 넓은 평면적을 가진다.
예를 들어, 외곽 영역(OR)에 배치되는 반사 방지막들(320)은 넓은 평면적을 가지고, 상기 중앙 영역(CR)에 배치되는 반사 방지막들(310)은 상대적으로 좁은 평면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 지지기판(100)의 외곽 부분으로부터 중앙 부분으로 갈수록, 상기 반사 방지막들(310, 320)의 평면적은 점차적으로 감소될 수 있다.
본 실시예에 따른 태양광 발전장치는 반사 방지막들(310, 320)의 평면적이 조절되어, 각각의 태양전지 셀(200)의 전류 생성 능력 차이를 더 세밀하게 보상할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 태양광 발전장치는 향상된 발전효율을 가진다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 태양전지 셀의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 태양광 발전장치의 일 단면을 도시한 단면도이다.

Claims (9)

  1. 제 1 전류 생성 능력을 가지는 제 1 태양전지 셀;
    상기 제 1 태양전지 셀과 직렬로 연결되며, 상기 제 1 전류 생성 능력보다 작은 제 2 전류 생성 능력을 가지는 제 2 태양전지 셀;
    상기 제 2 태양전지 셀 상에 배치되며, 상기 제 1 태양전지 셀로 입사되는 광의 세기보다 상기 제 2 태양전지 셀로 입사되는 광의 세기를 더 증가시키는 보상부; 및
    상기 제 1 태양전지 셀 및 상기 제 2 태양전지 셀을 지지하는 지지기판을 포함하며,
    상기 제 1 태양전지 셀은 상기 지지기판의 중앙 부분에 배치되고, 상기 제 2 태양전지 셀은 상기 지지기판의 최외곽에 배치되는 태양광 발전장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 보상부는
    상기 제 1 태양전지 셀에 대응하는 제 1 반사 방지막; 및
    상기 제 2 태양전지 셀에 대응하며, 상기 제 1 반사 방지막보다 더 큰 평면적을 가지는 제 2 반사 방지막을 포함하는 태양광 발전장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 보상부는 상기 제 2 태양전지 셀에만 대응하는 반사방지막을 포함하는 태양광 발전장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 보상부는 MgF2를 포함하는 태양광 발전장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 보상부는 상기 제 2 태양전지 셀에만 대응하여 형성되는 반사 방지 패턴을 포함하는 태양광 발전장치.
  7. 중앙 영역 및 상기 중앙 영역의 주위를 둘러싸는 외곽 영역을 포함하는 지지기판;
    상기 지지기판 상에 배치되며, 서로 직렬로 연결되는 다수 개의 태양전지 셀들; 및
    상기 태양전지 셀들 중 상기 외곽 영역에 배치되는 외곽 태양전지 셀들에 대응하여 배치되는 반사 방지부를 포함하고,
    상기 반사 방지부는 상기 중앙 영역에 배치되는 태양전지 셀들보다 상기 외곽 태양전지 셀들에 더 많은 양의 태양광을 입사시키는 태양광 발전장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 반사 방지부는 반사 방지막 또는 반사 방지 패턴을 포함하는 태양광 발전장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 외곽 태양전지 셀들은 최외곽에 배치되는 태양광 발전장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20010019842A (ko) * 1999-08-31 2001-03-15 이준신 태양전지 반사 방지막의 제조방법
KR20050087248A (ko) * 2004-02-26 2005-08-31 삼성에스디아이 주식회사 이층 반사방지막을 사용하는 태양전지 및 그 제조방법
KR20050111037A (ko) * 2004-05-20 2005-11-24 광주과학기술원 콜로이드 다중 입자층 구조를 이용한 반사 방지막과 이의제조방법

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