KR101123183B1 - Ｌｅｄ 형광체 배합 측정 방법 및 시스템 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 22
- -1 phosphor compound Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 4
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 238000012552 review Methods 0.000 abstract description 15
- 238000012795 verification Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명은 LED 형광체 배합 측정 방법 및 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는 LED 제조 공정 중 LED 색상 구현을 위한 형광체 선배합에 대한 검증 공정에 활용하는 것이 가능한 LED 형광체 배합 측정 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 LED 패키징(Packaging) 공정 중 LED 형광체 배합 측정 방법에 있어서, (a) 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩(Chip)을 포함하는 리드 프레임을 측정 장비 측으로 이송하는 단계;(b) 상기 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가하는 단계; 및 (c) 상기 인가된 전류에 의해 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광을 상기 측정 장비가 측정하고 상기 측정 결과값에 따라 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩에 대한 형광체 배합을 분석하여 상기 형광체 배합의 이상 유무를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 LED 제조에 있어서 구현하고자 하는 LED 색상의 정확한 구현을 위한 LED의 형광체 배합 선검토 과정을 보다 효과적으로 수행하는 것이 가능한 효과를 갖는다.
Description
본 발명은 LED 형광체 배합 측정 방법 및 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는 LED 제조 공정 중 LED 색상 구현을 위한 형광체 선배합에 대한 검증 공정을 리드 프레임 상태로 수행하여 생산성 향상이 가능한 LED 형광체 배합 측정 방법 및 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 LED(Light-Emitting Diode)란 p-n 접합 다이오드의 일종으로 순방향으로 전압이 인가될 때 단파장광(Monochro-maticlight)이 방출되는 현상인 전기발광효과(Electroluminescence)를 이용한 반도체 소자이다.
LED는 순방향 전압 인가시 n층의 전자와 p층의 정공이 결합하면서 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 높이 차이(에너지 갭)에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는 원리에 따라 동작하며 LED의 경우 에너지가 빛의 형태로 발산이 이루어지게 된다.
LED 제조 공정은 크게 에피 웨이퍼 제조, 칩 생산, 패키징, 및 모듈 공정으로 구분할 수 있으며 이 중 패키징 공정에 해당하는 디스펜싱(Dispending) 공정 중LED 생산 수율의 향상을 위하여 양산에 앞서 구현하고자 하는 LED 색상에 따른 형광체 배합의 선검토 작업이 필수적으로 요구된다.
도 1은 종래의 LED 형광체 배합에 대한 선검토 방법의 순서도 이다.
도 1에 도시된 바와 같이 S10에서 상부에 복수 개의 LED 칩이 결합되어 있는 리드 프레임을 디스펜싱(Dispensing)한 후 오븐 등에서 경화한다.
S20에서 경화된 리드 프레임을 트림(Trim) 처리하여 리드 프레임 상에 복수 개가 결합되어 있는 각 LED 칩을 개별화한다.
S30에서 개별화된 각 LED 칩의 형광체 배합을 테스트하며, S40에서 S30의 테스트 결과에 따라 양산을 위한 LED의 형광체 배합비를 최종 결정하면 종료가 이루어진다.
그러나, 도 1에 도시된 종래의 LED 형광체 배합에 대한 선검토 방법의 경우 기존 제품과의 혼입을 방지하기 위하여 숙련자가 수작업으로 리드 프레임에 대한 오븐 경화 후 트림 처리에 의해 개별화된 LED 칩을 기존 생산 설비를 이용하여 테스트하므로 기존 설비 이용에 따른 리드 타임(Lead time) 증가와 숙련자의 업무 부담이 증가되어 생산성이 악화되는 문제점이 있었다.
또한, 리드 프레임에 대한 트림 처리 후 LED 칩이 개별화되므로 LED 형광체 배합에 대한 선검토 진행 후 원하는 개별 LED 칩을 취사선택 하는 것이 용이하지 못한 문제점이 있었다.
또한, 기존 LED 제조 공정의 흐름을 중단 후 LED 형광체 배합에 대한 선검토를 수행하므로 LED 제조 대기 시간 증가와 검토 데이터 획득 소요 시간이 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로 트림 처리된 LED 칩을 개별적으로 형광체 배합을 측정하여 선검토 하는 대신 리드 프레임 상태로 선검토하여 복잡한 측정 절차를 간소화시키며, 측정된 형광체 배합 결과값에 대한 각 LED 칩 별 구분이 가능하고, 선검토 과정에 따른 LED 생산 능력 감소를 최소화하는 것이 가능한 LED 형광체 배합 측정 방법 및 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 LED 형광체 배합 측정 방법은 LED 패키징(Packaging) 공정 중 LED 형광체 배합 측정 방법에 있어서, (a) 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩(Chip)을 포함하는 리드 프레임을 측정 장비 측으로 이송하는 단계; (b) 상기 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가하는 단계; 및 (c) 상기 인가된 전류에 의해 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광을 상기 측정 장비가 측정하고 상기 측정 결과값에 따라 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩에 대한 형광체 배합을 분석하여 상기 형광체 배합의 이상 유무를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 LED 형광체 배합 측정 시스템은 상부에 결합되는 복수 개의 LED 칩(Chip)을 포함하는 리드 프레임을 이송하는 리드 프레임 이송부; 상기 이송된 리드 프레임 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가하는 전류 인가부; 상기 전류 인가부로부터 인가된 전류에 의해 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광을 측정하는 광측정부; 및 상기 광측정부로부터 측정값을 전송받아 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩의 형광체 배합을 분석하여 상기 형광체 배합의 이상 유무를 판단하는 측정값 분석부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 LED 제조에 있어서 구현하고자 하는 LED 색상의 정확한 구현을 위한 LED의 형광체 배합 선검토 과정을 보다 효과적으로 수행하는 것이 가능한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명에 의하면 오븐 경화된 리드 프레임을 트림 공정 없이 리드 프레임 상태에서 자동으로 LED 칩에 대한 형광체 배합 선검토를 진행하므로 숙련자에 의한 수동 작업이 불필요하여 작업 시간 단축과 선검토 오류를 최소화할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명에 의하면 각 LED 칩의 형광체 배합 검토 데이터를 개별 저장함으로써 추후 원하는 LED 칩에 대한 형광체 배합 재검토 및 분리가 가능하여 선검토 공정의 신뢰성을 담보할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 LED 형광체 배합에 대한 선검토 방법의 순서도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 시스템의 제어 블록도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임의 이송 참고도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광측정부와 전류 인가부의 이송 참고도,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부의 사시도,
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부의 동작 참고도, 및
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 방법의 순서도 이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 시스템의 제어 블록도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임의 평면도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임의 이송 참고도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광측정부와 전류 인가부의 이송 참고도,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부의 사시도,
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부의 동작 참고도, 및
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 방법의 순서도 이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 시스템의 제어 블록도, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임의 평면도, 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리드 프레임의 이송 참고도이다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 시스템(1)은 리드 프레임 이송부(10), 리드 프레임 고정부(15), 전류 인가부(20), 측정부(30), 동작 제어부(40), 및 측정값 분석부(50)를 포함한다.
여기에서, 도 3에 도시된 바와 같이 리드 프레임(F)은 개별적으로 분리된 복수 개의 셀(Cell)(C) 들이 2차원 어레이 형태로 형성되는 구조를 가지며, 2차원 어레이 형태로 형성된 각 셀(C) 상에 LED 칩(L)이 각각 결합되어 각 셀(C)을 통하여 전류가 인가될 시에 각 셀(C) 상에 결합되어 있는 LED 칩(L)으로부터 개별적으로 광이 발생할 수 있다.
리드 프레임 이송부(10)는 상부에 복수 개의 LED 칩(Chip)(L)이 결합되는 리드 프레임(F)이 상부에 고정되는 리드 프레임 고정부(15)가 결합되며, 동작 제어부(40)의 위치 제어에 따라 x축 방향과 y축 방향으로 동작하여 리드 프레임(F)을 고정되어 있는 전류 인가부(20)와 광측정부(30) 측으로 이송시킨다.
이때, 리드 프레임 이송부(10)의 x축 방향과 y축 방향의 동작은 동작 제어부(40)가 미리 입력받은 리드 프레임(F)에 결합된 복수 개의 LED 칩(L) 각각의 위치 정보에 따라 이루어지며, 리드 프레임 이송부(10)의 동작에 따라 리드 프레임(F)에 결합된 복수 개의 LED 칩(L) 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩이 전류 인가부(20) 및 측정부(30)와 수직 방향으로 동일 선상에 위치할 수 있다.
전류 인가부(20)는 동작 제어부(40)에 의해 리드 프레임 이송부(10)의 동작 완료가 확인된 후 동작 제어부(40)의 위치 제어에 따라 z축 방향으로 동작하여 리드 프레임(F) 상부에 결합되어 있는 복수 개의 LED 칩(L) 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가한다.
또한, 전류 인가부(20)의 상세 구성과 동작은 이하 도 6과 도 7에서 설명하도록 한다.
광측정부(30)는 동작 제어부(40)에 의해 리드 프레임(F) 상부에 결합되어 있는 복수 개의 LED 칩(L) 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로의 전류 인가가 확인된 후 동작 제어부(40)의 제어에 따라 동작하여 전류 인가부(20)로부터 인가된 전류에 의해 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광을 측정한다.
이때, 광측정부(30)는 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광의 세기, 색좌표, 또는 색상을 측정할 수 있다.
동작 제어부(40)는 리드 프레임(F)에 결합된 복수 개의 LED 칩(L) 각각에 대한 위치 정보를 미리 입력받으며 상기 위치 정보에 따라 리드 프레임 이송부(10)를 이송시켜 리드 프레임(L) 상에 결합된 복수 개의 LED 칩(L) 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩이 전류 인가부(20)와 광측정부(30) 측으로 이송되도록 리드 프레임 이송부(10)에 고정된 리드 프레임(L)의 동작을 제어하고, 리드 프레임 이송부(10)로부터 이송 완료에 따른 피드백 신호를 전송받아 전류 인가부(20)의 z축 방향으로 동작을 제어하며, 전류 인가부(20)로부터 전류 인가 완료에 따른 피드백 신호를 전송받아 광측정부(30)가 동작하도록 한다.
측정값 분석부(50)는 광측정부(30)에서 측정된 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광의 세기, 색좌표, 또는 색상값을 전송받아 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩에 대한 형광체 배합의 이상 유무를 판단한다.
이때, 측정값 분석부(50)는 구현하고자 하는 LED 색상에 따른 형광체 배합 정보가 미리 저장되어 있으며 광측정부(30)에서 전송된 광의 세기, 색좌표, 또는 색상값과 미리 저장된 형광체 배합 정보를 비교하여 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나의 LED 칩에 대한 형광체 배합의 이상 유무를 판단하고 상기 위치 정보에 따라 리드 프레임(F) 상에 결합된 각 LED 칩의 위치별로 상기 형광체 배합의 이상 유무 판단 결과값을 저장할 수 있다.
이에 따라, 추후 LED 칩의 양산을 위한 LED의 형광체 배합비를 최종 결정하거나 형광체 배합비에 이상이 없는 LED 칩(L)을 포함하는 셀(C) 들을 트림(Trim) 공정 등에 의해 개별 소자로 분리하여 활용하며, 형광체 배합비 불량이 발생한 LED 칩(L)을 포함하는 셀(C)들의 경우 트림(Trim) 공정 등에 의해 개별 소자로 분리하여 폐기할 수 있다.
또한, 도 3에서는 동작 제어부(40)의 제어에 의해 리드 프레임 이송부(10)를 동작시켜 리드 프레임 이송부(10)에 결합된 리드 프레임 고정부(15) 상부에 결합된 리드 프레임(F)을 전류 인가부(20)와 측정부(30) 측으로 이송시키는 방법을 도시하였으나, 도 5에 도시된 바와 같이 리드 프레임 고정부(15)의 위치가 고정된 상태에서 동작 제어부(40)의 제어에 의해 x축 방향과 y축 방향으로 동작하는 제1 이송부(25)와 제2 이송부(35)에 의해 전류 인가부(20)와 측정부(30)를 리드 프레임 고정부(15) 측으로 이송시켜 원하는 개별 LED 칩에 대한 형광체 배합 측정을 수행하는 구성 또한 가능하다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부의 사시도, 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부의 동작 참고도이다.
도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전류 인가부(20)는 접촉핀(21)과 구동부(23)를 포함한다.
이때, 접촉핀(21)은 구리 소재에 금 또는 백금을 도금하여 형성될 수 있으며 공압 실린더, 전자 솔레노이드, 또는 서보 모터에 의해 스프링 형태의 구동부(23)가 동작하여 접촉핀(21)을 z축 방향으로 이송시킴으로써 도 7에 도시된 바와 같이 리드 프레임(F) 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 LED 칩 측으로 전류가 인가되도록 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정 방법의 순서도 이다.
이때, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 형광체 배합 측정은 LED 제조 공정 중 패키징(Packaging) 공정 단계에서 이루어질 수 있다.
S10에서 리드 프레임 이송부(10)가 복수 개의 LED 칩(L)을 포함하는 리드 프레임(F)을 전류 인가부(20)와 광측정부(30) 측으로 이송한다.
이때, S10에 앞서 동작 제어부(40)가 리드 프레임(F) 상부에 결합되어 있는 복수 개의 LED 칩(F)의 위치 정보를 입력받는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 위치 정보에 따라 동작 제어부(40)가 리드 프레임 이송부(10)를 x축 방향과 y축 방향으로 위치 제어하여 리드 프레임 이송부(10)에 고정되어 있는 리드 프레임(F) 상에 결합된 복수 개의 LED 칩(L) 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩이 전류 인가부(20)및 광측정부(30)와 수직 방향으로 동일 선상에 위치하도록 이송할 수 있다.
S20에서 전류 인가부(20)가 리드 프레임(F) 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩(L) 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가한다.
S30에서 광측정부(30)가 전류 인가부(20)로부터 인가된 전류에 의해 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광으로부터 광의 세기, 색좌표, 및 색상을 측정한다.
S40에서 측정값 분석부(50)가 측정부(30)에서 측정된 광의 세기, 색좌표, 및 색상 값을 전송받은 후 측정값 분석부(50)에 미리 저장되어 있는 구현하고자 하는 LED 색상에 따른 형광체 배합 정보와 비교 분석하여 LED 칩의 형광체 배합 이상 유무를 판단하면 종료가 이루어진다.
그리고, S40의 결과에 따라 LED 칩의 양산을 위한 LED의 형광체 배합비를 최종 결정하거나, 형광체 배합비에 이상이 없는 LED 칩(L)을 포함하는 셀(C) 들을 트림(Trim) 공정 등에 의해 개별 소자로 분리하여 활용하며, 형광체 배합비 불량이 발생한 LED 칩(L)을 포함하는 셀(C)들의 경우 트림(Trim) 공정 등에 의해 개별 소자로 분리하여 폐기할 수 있다.
본 발명에 따른 LED 형광체 배합 측정 시스템과 방법은 종래의 LED 색상의 구현 정확성 여부를 확인하기 위한 형광체 배합의 선검토 방법과는 달리 개별적으로 분리된 복수 개의 셀(C) 들이 2차원 어레이 형태로 형성되는 리드 프레임(F)의 셀(C) 상에 각각 결합되는 복수 개의 LED 칩(L)을 트림 공정 의해 개별화하지 않고 리드 프레임(F) 상태에서 자동으로 각 LED 칩(L)의 형광체 배합 상태를 측정할 수 있다.
따라서, LED 제조에 있어서 구현하고자 하는 LED 색상의 정확한 구현을 위한 LED의 형광체 배합 선검토 과정을 보다 효과적으로 수행할 수 있으며, 숙련자에 의한 트림 공정과 테스트 같은 수동 작업이 불필요하므로 작업 시간 단축과 선검토 오류를 최소화할 수 있다.
또한, 리드 프레임(F) 상부에 복수 개가 결합되는 LED 칩(L)의 위치 정보에 따라 각 LED 칩별로 형광체 배합 검토 데이터를 개별 저장할 수 있으므로 추후 원하는 개별 LED 칩에 대한 형광체 배합 재검토 및 분리가 가능하여 선검토 공정의 신뢰성을 담보할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특징에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경, 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면들에 의해서 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
(1) : LED 형광체 배합 측정 시스템 (10) : 리드 프레임 이송부
(20) : 전류 인가부 (21) : 접촉핀
(23) : 구동부 (25) : 제1 이송부
(30) : 광측정부 (35) : 제2 이송부
(40) : 동작 제어부 (50) : 측정값 분석부
(20) : 전류 인가부 (21) : 접촉핀
(23) : 구동부 (25) : 제1 이송부
(30) : 광측정부 (35) : 제2 이송부
(40) : 동작 제어부 (50) : 측정값 분석부
Claims (10)
- LED 패키징(Packaging) 공정 중 LED 형광체 배합 측정 방법에 있어서,
(a) 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩(Chip)을 포함하는 리드 프레임을 측정 장비 측으로 이송하는 단계;
(b) 상기 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가하는 단계; 및
(c) 상기 인가된 전류에 의해 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광을 상기 측정 장비가 측정하고 상기 측정 결과값에 따라 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩에 대한 형광체 배합을 분석하여 상기 형광체 배합의 이상 유무를 판단하는 단계를 포함하고,
상기 (a) 단계에 앞서 상기 리드 프레임 상의 각 LED 칩에 대한 위치 정보를 입력받는 단계를 더 포함하며,
상기 (a) 단계에서 상기 리드 프레임의 이송은 상기 위치 정보에 따라 이루어지고,
상기 (c) 단계에서 상기 형광체 배합의 이상 유무 판단 결과는 상기 각 LED 칩의 위치 정보에 따라 구분되어 저장이 이루어지는 것을 특징으로 하는 LED 형광체 배합 측정 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 (c) 단계는 상기 리드 프레임 상에 2차원 어레이 형태로 형성된 복수 개의 셀(Cell) 상에 각각 결합되는 복수 개의 LED 칩을 트림(Trim) 공정에 의해 개별화하지 않고 상기 복수 개의 LED 칩이 2차원 어레이 형태로 결합된 리드 프레임 상태로 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩에 대한 형광체 배합을 분석하여 상기 형광체 배합의 이상 유무를 판단하기 위한 것을 특징으로 하는 LED 형광체 배합 측정 방법. - 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 (c) 단계에서 상기 측정 장비는 상기 광에 대한 세기, 색좌표, 또는 색상을 측정하는 것을 특징으로 하는 LED 형광체 배합 측정 방법. - 삭제
- 상부에 결합되는 복수 개의 LED 칩(Chip)을 포함하는 리드 프레임을 이송하는 리드 프레임 이송부;
상기 이송된 리드 프레임 상부에 결합된 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩 측으로 전류를 인가하는 전류 인가부;
상기 전류 인가부로부터 인가된 전류에 의해 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩으로부터 조사되는 광을 측정하는 광측정부;
상기 광측정부로부터 측정값을 전송받아 상기 적어도 하나 이상의 LED 칩의 형광체 배합을 분석하여 상기 형광체 배합의 이상 유무를 판단하는 측정값 분석부; 및
미리 입력받은 상기 리드 프레임 상의 각 LED 칩에 대한 위치 정보에 따라 상기 복수 개의 LED 칩 중 형광체 배합을 측정하고자 하는 적어도 하나 이상의 LED 칩이 상기 전류 인가부와 상기 광측정부 측으로 이송되도록 상기 리드 프레임 이송부의 동작을 제어하는 동작 제어부를 포함하고,
상기 측정값 분석부는 상기 형광체 배합의 이상 유무 판단 결과를 상기 각 LED 칩의 위치 정보에 따라 구분 저장하는 것을 특징으로 하는 LED 형광체 배합 측정 시스템. - 제 7항에 있어서,
상기 리드 프레임 이송부 상부에 결합되어 상기 리드 프레임을 고정하는 리드 프레임 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 형광체 배합 측정 시스템. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100041238A KR101123183B1 (ko) | 2010-05-03 | 2010-05-03 | Ｌｅｄ 형광체 배합 측정 방법 및 시스템 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100041238A KR101123183B1 (ko) | 2010-05-03 | 2010-05-03 | Ｌｅｄ 형광체 배합 측정 방법 및 시스템 |
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| KR20110121788A KR20110121788A (ko) | 2011-11-09 |
| KR101123183B1 true KR101123183B1 (ko) | 2012-03-21 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020100041238A KR101123183B1 (ko) | 2010-05-03 | 2010-05-03 | Ｌｅｄ 형광체 배합 측정 방법 및 시스템 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR101123183B1 (ko) |
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| CN108450016A (zh) * | 2015-09-15 | 2018-08-24 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置、发光装置的色坐标测量装置及色坐标补正方法 |
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|---|---|---|---|---|
| KR101412013B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-06-26 | 주식회사 루멘스 | 발광장치 제조장치 및 발광장치 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990025817A (ko) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | 손욱 | 형광물질 광특성 측정장치 |
| KR20090030674A (ko) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 전환물질 측정 시스템 및 그 측정방법, 발광소자제조방법 |
| KR20100027328A (ko) * | 2008-09-02 | 2010-03-11 | 포톤데이즈(주) | 발광다이오드의 신뢰성 평가방법 및 장치 |
-
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- 2010-05-03 KR KR1020100041238A patent/KR101123183B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20090030674A (ko) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 전환물질 측정 시스템 및 그 측정방법, 발광소자제조방법 |
| KR20100027328A (ko) * | 2008-09-02 | 2010-03-11 | 포톤데이즈(주) | 발광다이오드의 신뢰성 평가방법 및 장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108450016A (zh) * | 2015-09-15 | 2018-08-24 | 首尔半导体株式会社 | 发光装置、发光装置的色坐标测量装置及色坐标补正方法 |
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|
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|
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