KR101116646B1 - 기판 세정 장치 - Google Patents

기판 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101116646B1
KR101116646B1 KR1020100002202A KR20100002202A KR101116646B1 KR 101116646 B1 KR101116646 B1 KR 101116646B1 KR 1020100002202 A KR1020100002202 A KR 1020100002202A KR 20100002202 A KR20100002202 A KR 20100002202A KR 101116646 B1 KR101116646 B1 KR 101116646B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chucking
chucking mechanism
process chamber
locking bars
Prior art date
Application number
KR1020100002202A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110082293A (ko
Inventor
김붕
김봉주
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100002202A priority Critical patent/KR101116646B1/ko
Publication of KR20110082293A publication Critical patent/KR20110082293A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101116646B1 publication Critical patent/KR101116646B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 세정 장치는 공정 챔버, 척킹 기구, 분사 기구, 한 쌍의 락킹 바들 및 반전 기구를 포함한다. 척킹 기구는 공정 챔버의 측면을 따라 안쪽에 배치되며, 상부로부터 놓여지는 기판을 척킹한다. 분사 기구는 공정 챔버 내에서 척킹 기구의 상부에 배치되며, 기판에 세정액을 분사하여 기판을 세정한다. 락킹 바들은 척킹 기구의 대향하는 양 측들 각각에 결합 가능하면서 측면을 관통하여 외부로 연장된다. 반전 기구는 공정 챔버의 외부에서 락킹 바들 중 적어도 하나와 연결되어 척킹 기구와 결합한 상태일 때의 락킹 바를 180도 회전시킴으로써 척킹 기구를 반전시킨다. 따라서, 기판 세정 장치는 공정 챔버 내에서 직접 기판을 반전시킬 수 있다.

Description

기판 세정 장치{APPARATUS FOR CLEANING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판 세정 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정을 수행한 기판을 세정하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 집적 회로 소자 중의 하나인 반도체 소자는 실리콘(silicon)을 기초로 한 웨이퍼(wafer)와 같은 기판으로부터 제조된다. 구체적으로, 상기 반도체 소자는 상기 기판을 대상으로 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정 등을 수행하여 제조될 수 있다.
상기와 같은 공정들 각각을 수행한 다음에는 상기 기판이 후속 공정에서 교차 오염되는 것을 방지하기 위하여 상기 기판을 세정하는 공정을 수행할 수 있다.
구체적으로, 상기 세정 공정은 공정 챔버 내에서 회전척에 의해 하부가 지지되면서 회전하는 기판의 상부로 세정액을 분사하여 상기 기판의 전면을 세정하는 단계, 상기 공정 챔버를 개방하여 별도의 반전 장치를 상기 공정 챔버의 내부로 이송시키는 단계, 상기 이송한 반정 장치를 통해 상기 기판을 반전시켜 그 이면이 상부로 노출되도록 하는 단계 및 상기 반전된 기판의 상부에서 다시 상기 세정액을 분사하여 상기 기판의 이면을 세정하는 단계를 거쳐서 진행될 수 있다.
이와 같이, 상기 기판의 전면과 이면을 모두 세정하기 위해서는 별도의 반전 장치가 상기 공정 챔버의 내부로 이송하여야 되므로, 공정 효율이 떨어질 수 있다.
본 발명의 목적은 별도의 반전 장치 없이 공정 챔버의 내부에서 상기 기판을 반전시켜 상기 기판의 전면과 이면을 모두 세정할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 기판 세정 장치는 공정 챔버, 척킹 기구, 분사 기구, 락킹 바들 및 반전 기구를 포함한다.
상기 공정 챔버는 기판을 대상으로 반도체 소자를 제조하기 위한 공간을 제공한다. 상기 척킹 기구는 상기 공정 챔버의 측면을 따라 안쪽에 띠 형태로 배치되며, 상부로부터 놓여지는 상기 기판을 척킹한다.
상기 분사 기구는 상기 공정 챔버 내에서 상기 척킹 기구의 상부에 배치되며, 상기 기판에 세정액을 분사하여 상기 기판을 세정한다. 상기 락킹 바들은 상기 척킹 기구의 대향하는 양 측들 각각에 결합 가능하면서 상기 측면을 관통하여 외부로 연장된다.
상기 반전 기구는 상기 공정 챔버의 외부에서 상기 락킹 바들 중 적어도 하나와 연결되어 상기 척킹 기구와 결합한 상태일 때의 락킹 바를 180도 회전시킴으로써 상기 척킹 기구를 반전시킨다.
이때, 상기 공정 챔버의 측면은 원통 형상을 가질 수 있다. 이에, 상기 척킹 기구는 상기 측면과 인접한 부위에 원주 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 형성된 자성부 및 상기 자성부의 안쪽에 결합되어 상기 기판을 척킹하는 척킹부를 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 기판 세정 장치는 상기 측면을 사이로 상기 자성부와 마주하도록 배치되며 외부의 전원 장치로부터 인가되는 전류에 의해 원주 방향을 따라 N극과 S극이 주기적으로 변경되어 상기 자성부를 통해 상기 척킹 기구를 회전시키는 회전 기구를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판 세정 장치는 상기 기판이 반전될 때와 상기 기판이 회전할 때 상기 락킹 바들이 상기 척킹 기구와 결합되거나 분리되도록 상기 락킹 바들을 이동시키는 이동 기구들을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 기판 세정 장치는 상기 공정 챔버 내에서 상기 척킹 기구의 하부에 배치되며, 상기 기판의 이면에 제2 세정액을 분사하여 상기 기판을 세정하는 제2 분사 기구를 더 포함할 수 있다.
이러한 기판 세정 장치에 따르면, 반전 기구가 공정 챔버 내에서 기판을 척킹하는 척킹 기구와 락킹 바들을 통해 연결되어 상기 척킹 기구를 직접 반전시킴으로써, 배경 기술에서와 같이 별도의 반전 장치를 상기 공정 챔버로 이송하는 공정을 제거할 수 있다.
이에 따라, 상기 반전 기구에 의한 척킹 기구의 반전을 통해 상기 기판의 전면과 이면을 모두 세정하는 공정을 효율적으로 진행할 수 있다. 즉, 상기 기판에 의해 제조되는 반도체 소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 세정 장치에서 기판이 놓여진 부위를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 기판이 놓여진 부위에서 회전 기구의 N극과 S극의 주기적인 변화에 따라 척킹 기구가 회전하는 원리를 나타낸 도면들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 세정 장치에서 기판이 놓여진 부위를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(1000)는 공정 챔버(100), 척킹 기구(200), 분사 기구(300), 락킹 바(400)들, 이동 기구(500)들 및 반전 기구(600)들을 포함한다.
상기 공정 챔버(100)는 기판(W)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판(W)은 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 실리콘 재질의 웨이퍼(wafer)일 수 있다. 이에, 상기 공정 챔버(100)는 상기의 웨이퍼의 형상에 의해 측면(110)이 원통 형상을 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 기판(W)은 디스플레이 소자를 제조하는데 사용되는 유리판일 수 있다.
상기 척킹 기구(200)는 상기 공정 챔버(100)의 내부에 배치된다. 구체적으로, 상기 척킹 기구(200)는 상기 측면(110)의 안쪽에서 상기 측면(110)을 따라 원형의 띠 형태로 배치될 수 있다.
상기 척킹 기구(200)는 상부로부터 놓여지는 기판(W)을 척킹한다. 이를 위하여, 상기 척킹 기구(200)의 안쪽 부위에는 상기 놓여진 기판(W)을 가장자리 부위를 고정할 수 있는 고정부(미도시)가 구성될 수 있다.
이에, 상기 고정부는 탄성 물질로 이루어져 상기 기판(W)의 가장자리 부위를 가압하여 고정할 수도 있고, 돌기 형태로 상기 부위를 홀딩하는 구조를 가질 수도 있다.
상기 분사 기구(300)는 상기 공정 챔버(100) 내에서 상기 척킹 기구(200)의 상부에 배치된다. 상기 제1 분사 기구(300)는 세정액(CL)을 상기 기판(W)의 상부에서 분사하여 상기 기판(W)을 세정한다.
여기서, 상기 세정액(CL)은 이전의 공정에서 사용된 강한 특성을 갖는 약액 또는 이물질을 제거하기 위하여 산성 물질인 황산(H2SO4), 염산(HCl), 불산(HF)등과 알칼리성인 암모니아 용액(NH3) 등 또는 상기의 강한특성의 물질을 린스하기 위한 탈이온수(DIW)와 같은 정제수일 수 있다.
상기 락킹 바(400)들은 상기 척킹 기구(200)의 양 측들에 결합 가능하면서 상기 공정 챔버(100)의 측면(110)을 관통하여 외부로 연장된다. 이때, 상기 락킹 바(400)들은 단순히 상기 척킹 기구(200)에 밀착되어 결합될 수 있고, 후크 방식에 따라 결합될 수도 있다.
상기 이동 기구(500)들은 상기 공정 챔버(100)의 외부에서 상기 락킹 바(400)들 각각과 연결된다. 상기 이동 기구(500)들은 상기 락킹 바(400)들 각각이 상기 척킹 기구(200)에 결합되거나 해제되도록 상기 락킹 바(400)들 각각을 이동시킨다.
상기 반전 기구(600)들은 상기 공정 챔버(100)의 외부에서 상기 락킹 바(400)들과 연결된다. 이때, 상기 반전 기구(600)들은 구조적인 측면(110)에서 상기 락킹 바(400)들과 직접 연결되기 보다는 상기 이동 기구(500)들 각각을 통해 상기 락킹 바(400)들에 연결될 수 있다.
상기 반전 기구(600)들은 상기 이동 기구(500)들에 의해서 상기 락킹 바(400)들이 상기 척킹 기구(200)와 결합할 때 상기 척킹 기구(200)를 180도 회전시켜 상기 기판(W)을 반전시킨다.
이와 같이, 상기 반전 기구(600)들이 상기 공정 챔버(100) 내에서 기판(W)을 척킹하는 척킹 기구(200)와 상기 락킹 바(400)들을 통해 연결되어 상기 척킹 기구(200)를 직접 반전시킴으로써, 배경 기술에서와 같이 별도의 반전 장치를 상기 공정 챔버(100)로 이송하는 공정을 제거할 수 있다.
이에 따라, 상기 반전 기구(600)들에 의한 척킹 기구(200)의 반전을 통해 상기 기판(W)의 전면과 이면을 모두 세정하는 공정을 효율적으로 진행할 수 있다. 즉, 상기 기판(W)에 의해 제조되는 반도체 소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 실시예는 상기 반전 기구(600)들이 상기 락킹 바(400)들에 모두 연결되어 상기 척킹 기구(200)를 반전시키는 구성을 갖지만, 상기 척킹 기구(200)를 반전시키기 위한 힘이 하나로 충분하다면 상기 락킹 바(400)들 어느 하나에만 상기 반전 기구(600)가 연결될 수 있다.
또한, 상기 기판 세정 장치(1000)는 상기 분사 기구(300)로부터 세정액(CL)이 상기 기판(W)의 중심 부위에 한정하여 분사됨에 따라 상기 기판(W)이 회전하도록 상기 척킹 기구(200)를 회전시키기 위한 회전 기구(700)를 더 포함할 수 있다.
상기 회전 기구(700)는 상기 측면(110)을 사이로 상기 척킹 기구(200)와 마주하도록 배치된다. 이하, 상기 회전 기구(700)에 의해 상기 척킹 기구(200)가 회전하는 구조에 대하여 도 3a 및 도 3b를 추가적으로 참조하여 설명하고자 한다.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 기판이 놓여진 부위에서 회전 기구의 N극과 S극의 주기적인 변화에 따라 척킹 기구가 회전하는 원리를 나타낸 도면들이다.
도 3a 및 도 3b를 추가적으로 참조하면, 상기 회전 기구(700)는 외부의 전원 장치(10)와 전기적으로 연결되어 상기 전원 장치(10)로부터 인가되는 전류에 의해 원주 방향을 따라 N극과 S극이 주기적으로 변화한다. 여기서, 상기 전원 장치(10)는 상기 회전 장치의 극성 변화를 위해 교류 전류를 발생할 수 있다.
이에, 상기 척킹 기구(200)는 상기 측면(110)과 인접한 부위, 즉 상기 회전 기구(700)와 실질적으로 마주하는 부위에 원주 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 형성된 자성부(210) 및 상기 자성부(210)의 안쪽에 결합되어 상기 기판(W)을 실질적으로 척킹하는 척킹부(220)를 포함한다.
이를 정리하면, 상기 회전 기구(700)는 전기적인 힘에 의해 극성이 변경되는 전자석의 원리를 갖고, 상기 척킹 기구(200)의 자성부(210)는 극성이 고정된 영구 자석의 원리는 갖는다.
이에 따라, 상기 척킹 기구(200)는 상기 자성부(210)와 상기 회전 기구(700) 사이의 자정적인 반발력과 인력에 의해 회전력이 발생하여 회전하게 된다. 이때, 상기 척킹 기구(200)는 원활한 회전을 위해 상기 측면(110)과 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 반대로, 상기 회전 기구(700)는 실질적으로 회전하는 동작은 없으므로, 굳이 상기 측면(110)과 이격되지 않아도 무방하다.
상기와 같은 기판 세정 장치(1000)의 구성에 있어서 상기 기판(W)을 세정하는 공정에 대하여 간단하게 살펴보면, 우선 상기 이동 기구(500)들에 의해 상기 락킹 바(400)들을 상기 척킹 기구(200)에 결합시킨다.
이어, 상기 기판(W)을 상부로부터 상기 척킹 기구(200)의 척킹부(220)에 척킹되도록 반입하여 놓는다. 이어, 상기 이동 기구(500)들에 의해 상기 락킹 바(400)들을 상기 척킹 기구(200)로부터 분리시킨다.
이어, 상기 회전 기구(700)에 상기 전원 장치(10)를 통해 전류를 인가하여 상기 회전 기구(700)에 원주 방향을 따라 주기적으로 N극과 S극이 변화하도록 한다. 이러면, 상기 척킹 기구(200)는 N극과 S극이 교대로 형성된 자성부(210)에 의해서 회전함으로써, 상기 기판(W)이 회전하게 된다. 이와 동시에, 상기 분사 기구(300)는 상기 기판(W)의 상부에서 그 중심 부위에 상기 세정액(CL)을 분사하여 상기 기판(W)의 전면을 전체적으로 세정한다.
이어, 상기 기판(W)의 전면에 대한 세정이 완료되면, 상기 전원 장치(10)를 차단하여 결과적으로 상기 척킹 기구(200)의 회전을 멈춘다. 이어, 상기 이동 기구(500)들에 의해 상기 락킹 바(400)들을 다시 상기 척킹 기구(200)에 결합시킨다.
이어, 상기 반전 기구(600)들을 구동하여 상기 척킹 기구(200)를 반전시켜 상기 기판(W)의 이면이 상부로 노출되도록 한다. 이어, 다시 상기 회전 기구(700)에 상기 전원 장치(10)로부터 전류를 인가하여 상기 척킹 기구(200)를 회전시켜 상기 기판(W)이 회전하도록 한다. 이와 동시에, 상기 분사 기구(300)는 상기 기판(W)에 세정액(CL)을 분사하여 상기 기판(W)의 이면을 세정한다.
마지막으로, 상기 기판(W)의 이면도 세정이 완료되면, 상기 락킹 바(400)들을 상기 척킹 기구(200)에 결합시킨 다음, 상기 기판(W)을 외부로 반출한다.
한편, 상기 기판 세정 장치(1000)는 상기 공정 챔버(100) 내에서 상기 척킹 기구(200)의 하부에 배치된 제2 분사 기구(800)를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 분사 기구(800)는 상기 분사 기구(300)와 마찬가지로 세정액(CL)을 상기 기판(W)의 하부에서 분사할 수 있다.
이에, 상기 분사 기구(300)는 실질적인 세정을 위한 산성 또는 알칼리성 물질의 강한 특성을 갖는 세정액(CL)을 분사할 수 있고, 상기 제2 분사 기구(800)는 상기 강한 특성의 세정액(CL)을 린스할 수 있는 탈이온수(DIW)인 정제수와 같은 세정액(CL)을 분사할 수 있다. 이로써, 상기 기판(W)은 한번에 세정 공정으로 세정과 린스를 동시에 수행할 수 있다. 이때, 상기 분사 기구(300)와 상기 제2 분사 기구(800)는 서로 반대의 특성을 갖는 물질을 세정액(CL)으로 분사할 수 있다.
또한, 본 실시예에서의 기판 세정 장치(1000)는 단지 상기 기판(W)을 세정하는 공정에 사용되는 것으로 한정하고 있지만, 경우에 따라서는 상기와 동일한 구성으로 상기 세정액(CL)만 식각액으로 변경하여 상기 기판(W)을 식각하는 공정에 사용될 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
CL : 세정액 W : 기판
10 : 전원 장치 100 : 공정 챔버
110 : 측면 200 : 척킹 기구
210 : 자성부 220 : 척킹부
300 : 분사 기구 400 : 락킹 바
500 : 이동 기구 600 : 반전 기구
700 : 회전 기구

Claims (4)

  1. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 측면을 따라 안쪽에 띠 형태로 배치되며, 상부로부터 놓여지는 기판을 척킹하는 척킹 기구;
    상기 공정 챔버 내에서 상기 척킹 기구의 상부에 배치되며, 상기 기판에 세정액을 분사하여 상기 기판을 세정하는 분사 기구;
    상기 척킹 기구의 대향하는 양 측들 각각에 결합 가능하면서 상기 측면을 관통하여 외부로 연장된 락킹 바들; 및
    상기 공정 챔버의 외부에서 상기 락킹 바들 중 적어도 하나와 연결되어 상기 척킹 기구와 결합한 상태일 때의 락킹 바를 180도 회전시킴으로써 상기 척킹 기구를 반전시키는 반전 기구를 포함하고,
    상기 공정 챔버의 측면은 원통 형상을 가지고,
    상기 척킹 기구는
    상기 측면과 인접한 부위에 원주 방향을 따라 N극과 S극이 교대로 형성된 자성부; 및
    상기 자성부의 안쪽에 결합되어 상기 기판을 척킹하는 척킹부를 포함하며,
    상기 측면을 사이로 상기 자성부와 마주하도록 배치되며, 외부의 전원 장치로부터 인가되는 전류에 의해 원주 방향을 따라 N극과 S극이 주기적으로 변경되어 상기 자성부를 통해 상기 척킹 기구를 회전시키는 회전 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판이 반전될 때와 상기 기판이 회전할 때 상기 락킹 바들이 상기 척킹 기구와 결합되거나 분리되도록 상기 락킹 바들을 이동시키는 이동 기구들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버 내에서 상기 척킹 기구의 하부에 배치되며, 상기 기판의 이면에 제2 세정액을 분사하여 상기 기판을 세정하는 제2 분사 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
KR1020100002202A 2010-01-11 2010-01-11 기판 세정 장치 KR101116646B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100002202A KR101116646B1 (ko) 2010-01-11 2010-01-11 기판 세정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100002202A KR101116646B1 (ko) 2010-01-11 2010-01-11 기판 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110082293A KR20110082293A (ko) 2011-07-19
KR101116646B1 true KR101116646B1 (ko) 2012-03-07

Family

ID=44920347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100002202A KR101116646B1 (ko) 2010-01-11 2010-01-11 기판 세정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101116646B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022060590A1 (en) * 2020-09-15 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022060590A1 (en) * 2020-09-15 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing
US11551942B2 (en) 2020-09-15 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning a substrate after processing

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110082293A (ko) 2011-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6274059B1 (en) Method to remove metals in a scrubber
TWI566293B (zh) Substrate cleaning method and substrate cleaning system
KR101350089B1 (ko) 반도체 기판의 인-시추 배면측 세척
CN107104074B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
TW200805472A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
CN106558484B (zh) 化学机械抛光后清洁及设备
SG152158A1 (en) Method for cleaning silicon wafer
KR20010007593A (ko) 화학 기계적 연마 후 처리를 위해 침지를 이용하는 무브러시 다중 통과 실리콘 웨이퍼 세정 공정
US6579810B2 (en) Method of removing a photoresist layer on a semiconductor wafer
KR101116646B1 (ko) 기판 세정 장치
JP2008018376A (ja) 洗浄システムおよびそれに用いることが好適なスピン乾燥装置ならびにその洗浄システムを用いて製造された光学部品
JP4220675B2 (ja) Ｈｆ−ｈｆクリーニングのための方法および装置
CN111009484B (zh) 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
US9966266B2 (en) Apparatus for semiconductor wafer treatment and semiconductor wafer treatment
CN113751448A (zh) 清洗部件安装机构及基板清洗装置
KR100828280B1 (ko) 스핀 스크러버의 세정챔버 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법
KR101116649B1 (ko) 기판 세정 장치
JP2001327933A (ja) 基板洗浄方法
US11848216B2 (en) Cleaning apparatus for cleaning member, substrate cleaning apparatus and cleaning member assembly
RU2534444C2 (ru) Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин
KR102590311B1 (ko) 기판의 표면 처리를 위한 기판 체결용 클립핑 장치
KR101213967B1 (ko) 기판세정장치
KR102648258B1 (ko) 오존을 사용한 유리 캐리어 세정
KR20150068020A (ko) 웨이퍼의 세정 방법
KR20160035149A (ko) 기판 캐리어 세정장치 및 기판 캐리어의 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150202

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160129

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180205

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190208

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200204

Year of fee payment: 9