KR101097980B1 - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 제1 영역 및 제2 영역으로 정의된 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 제1 영역 및 제2 영역에 각각 제1 웰 및 제2 웰을 형성하는 단계;상기 제1 영역의 상기 제1 웰 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 양측으로 노출된 상기 제1 웰과 상기 제2 웰에 이온주입공정을 실시하여 상기 제1 웰에는 소오스/드레인 영역을 형성하고, 상기 제2 웰에는 서로 분리된 컬렉터 접합영역, 베이스 접합영역 및 이분할된 에미터 접합영역을 각각 형성하는 단계; 및상기 이분할된 에미터 접합영역 사이로 노출된 상기 제2 웰과 일부 영역이 접촉되도록 상기 이분할된 에미터 접합영역과 상기 제2 웰 상에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 베이스 접합영역은 상기 제2 웰과 동일한 도전형 불순물 이온으로 형성하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에미터 접합영역과 상기 컬렉터 접합영역은 상기 제2 웰과 반대 도전형 불순물 이온으로 형성하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 금속 실리사이드층은 상기 게이트 전극, 상기 소오스/드레인 영역, 상기 컬렉터 접합영역 및 상기 베이스 접합영역 상에도 형성되는 반도체 소자의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 이분할된 에미터 접합영역 사이로 노출된 상기 제2 웰은 상기 금속 실리사이드층과 접촉되는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 베이스 접합영역과 상기 금속 실리사이드층은 쇼트키 다이오드로 동작하는 반도체 소자의 제조방법.
- 반도체 기판상에 트렌치로 서로 분리된 저농도 컬렉터 접합영역, 저농도 베이스 접합영역 및 저농도 에미터 접합영역;상기 저농도 컬렉터 접합영역, 상기 저농도 베이스 접합영역 및 상기 저농도 에미터 접합영역 위에 각각 형성된 고농도 컬렉터 접합영역, 고농도 베이스 접합영역 및 고농도 에미터 접합영역;상기 반도체 기판 표면에 노출된 웰 영역; 및상기 고농도 에미터 접합영역 및 상기 웰 영역 위에 동시에 형성된 금속 실리사이층;를 포함하는 반도체 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 고농도 에미터 접합영역은,이분할된 고농도 에미터 접합영역으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 웰 영역은,상기 이분할된 에미터 접합영역 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 금속 실리사이드층은,Ti, Co 및 Ni 중 어느 하나의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 웰 영역은,1.0E16/㎤ 내지 1.0E18/㎤의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 고농도 컬렉터 접합영역, 상기 고농도 베이스 접합영역 및 상기 고농도 에미터 접합영역은,1.0E20/㎤ 내지 1.0E22/㎤ 의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 8 항에 있어서,상기 베이스 접합영역과 상기 금속 실리사이드층은,쇼트키 다이오드로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 반도체 기판상에 트랜치로 서로 분리된 컬렉터 접합영역, 베이스 접합영역 및 에미터 접합영역;상기 반도체 기판 표면에 노출된 웰 영역; 및상기 에미터 접합영역 및 상기 웰 영역 위에 동시에 형성된 금속 실리사이드층;을 포함하며,상기 에미터 접합영역은 이분할된 에미터 접합영역인 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 금속 실리사이드층은,Ti, Co 및 Ni 중 어느 하나의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 고농도 컬렉터 접합영역, 상기 고농도 베이스 접합영역 및 상기 고농도 에미터 접합영역은,1.0E20/㎤ 내지 1.0E22/㎤의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 웰 영역은,1E16/㎤ 내지 1E18/㎤의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 베이스 접합영역과 상기 금속 실리사이드층은 쇼트키 다이오드로 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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- 2005-03-07 KR KR1020050018530A patent/KR101097980B1/ko active IP Right Grant
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