KR101089925B1 - 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PTC 전도성 중합체에 전류가 흐를 수 있도록 사용되는 전극재인 전해 니켈박, 니켈 도금된 구리 전해박, 니켈도금된 구리 압연박 등이 사용되는데 이때, 전극재 표면에 주석 도금을 하게 되면 솔더 크림을 사용하지 않고도 외부단자를 접합시킬 수 있게 되어 생산성 향상과 제품의 인장강도를 개선할 수 있는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명을 통해 전극재의 표면에 주석을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 이미 고르게 주석이 분포되어 있으므로 종래의 문제점들이 해결가능하며 특히 소형 제품에 효과적으로 사용할 수 있게 된다.
또한, 공정 설계시 솔더 크림 디스펜서 및 솔더 크림 도포 확인 공정 등이 제거됨으로써, 생산성 향상을 제공하는 더 나은 효과가 발생한다.
또한, 전극재의 표면에 주석(Sn)을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 제품의 인장 강도가 개선되는 더 나은 효과를 제공하게 된다.

Description

주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법{polymer PTC thermistor and thereof.}
본 발명은 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PTC 전도성 중합체에 전류가 흐를 수 있도록 사용되는 전극재인 전해 니켈박, 니켈 도금된 구리 전해박, 니켈도금된 구리 압연박 등이 사용되는데 이때, 전극재 표면에 주석 도금을 하게 되면 솔더 크림을 사용하지 않고도 외부단자를 접합시킬 수 있게 되어 생산성 향상과 제품의 인장강도를 개선할 수 있는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 피티씨 써미스터 소자는 부품 실장시 외부와 연결시켜주기 위한 외부단자(110)와; 외부단자와 접촉되어 전도성중합체에 전류가 통할 수 있도록 형성된 2개의 전극(130)과; 2개의 전극 사이에 위치하며, 결정성 고분자 물질과 전도성 충진재로 구성되는 전도성중합체(120)와; 전극 및 전도성중합체를 둘러싸도록 절연층(140);이 형성되되, 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 구성되어 있다.
이때, 외부단자가 연결된 피티씨 써미스터 소자의 경우에는 전극과 외부단자 간의 접합을 위하여 주석(Sn) 성분의 솔더 크림을 사용하게 된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 솔더 크림을 사용하여 생산시 디스펜서를 이용하여 전극의 상면에 외부단자를 접합하고 전극의 하면에 외부단자를 접합하기 위하여 두번의 도포가 필요하게 된다.
도 2를 보면 현재 제품은 3mm지름의 원형소자이며, 솔더 크림이 매우 소량 도포되는 것을 볼 수 있다.
이때, 솔더 크림이 너무 많이 도포되면 접합 과정에서 뭉치는 현상이 나타나며 너무 적게 도포되면 접합이 되지 않는 문제가 있었다.
따라서, 제품이 소형화될수록 소량의 솔더 크림이 고르게 도포되어야 하므로 생산시 솔더 크림의 도포량을 조절하거나 솔더 크림을 관리하는 것이 매우 어렵다.
따라서, 이를 해결하기 위한 공정 방법이 요구되게 되었으며, 특히 제품이 소형화되는 현재의 추세에서 솔더 크림을 대체할 공정이 절실히 필요하게 되었다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서,
본 발명의 목적은 전극재의 표면에 주석(Sn)을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 이미 고르게 주석(Sn)이 분포되어 있으므로 종래의 문제점들이 해결가능하며 특히 소형 제품에 효과적으로 사용할 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정 설계시 솔더 크림 디스펜서 및 솔더 크림 도포 확인 공정 등이 제거되도록 하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여,
본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자는,
부품 실장시 외부와 연결시켜주기 위한 외부단자(110)와;
상기 외부단자와 접촉되어 전도성중합체에 전류가 통할 수 있도록 형성된 2개의 전극(130)과;
상기 2개의 전극 사이에 위치하며, 결정성 고분자 물질과 전도성 충진재로 구성되는 전도성중합체(120)와;
상기 2개의 전극 표면에 주석 도금 처리되어 형성되는 주석도금층(135)와;
상기 주석도금 처리된 전극 및 전도성중합체를 둘러싸도록 절연층(140);이 형성되되, 상기 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법은,
전극재의 표면에 주석을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 이미 고르게 주석이 분포되어 있으므로 종래의 문제점들이 해결가능하며 특히 소형 제품에 효과적으로 사용할 수 있게 된다.
또한, 공정 설계시 솔더 크림 디스펜서 및 솔더 크림 도포 확인 공정 등이 제거됨으로써, 생산성 향상을 제공하는 더 나은 효과가 발생한다.
또한, 전극재의 표면에 주석(Sn)을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 제품의 인장 강도가 개선되는 더 나은 효과를 제공하게 된다.
도 1은 종래의 피티씨 써미스터 소자의 단면도이다.
도 2는 종래의 솔더 크림을 도포하는 장치를 나타낸 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자의 주석도금층을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자의 주석도금층에 외부 단자가 접합된 상태의 피티씨 써미스터 소자 단면도이다.
도 5a는 종래의 피티씨 써미스터 소자의 실제 최종 제품 사진이다.
도 5b는 종래의 피티씨 써미스터 소자의 샘플링 검사시 불량 제품을 나타낸 사진이다.
도 5c는 종래의 피티씨 써미스터 소자의 샘플링 검사시 정상 제품을 나타낸 사진이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자의 인장강도 비교표이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자는,
부품 실장시 외부와 연결시켜주기 위한 외부단자(110)와;
상기 외부단자와 접촉되어 전도성중합체에 전류가 통할 수 있도록 형성된 2개의 전극(130)과;
상기 2개의 전극 사이에 위치하며, 결정성 고분자 물질과 전도성 충진재로 구성되는 전도성중합체(120)와;
상기 2개의 전극 표면에 주석 도금 처리되어 형성되는 주석도금층(135)와;
상기 주석도금 처리된 전극 및 전도성중합체를 둘러싸도록 절연층(140);이 형성되되, 상기 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 주석도금층의 두께는,
3 내지 20 마이크론인 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 주석도금 처리된 전극에,
외부단자(110)를 접합시키기 위하여 주석의 용융점 부근의 온도로 230도 내지 300도 범위, 100초 내지 150초 범위에서 열처리장치를 이용하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 주석도금층(135)은,
외부단자(110)가 존재하는 피티씨 써미스터 소자에 적용되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명인 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조 방법은,
폴리올레핀계 결정성 고분자와 전도성 충진재와 첨가제를 혼련한 전도성중합체를 분쇄하는 혼련분쇄단계(S110)와;
상기 분쇄된 전도성중합체를 압출하여 원하는 두께로 시트를 형성하며 주석 도금 처리된 전극을 열압착하는 열압착시트및솔더형성단계(S120)와;
상기 압착된 시트를 PTC 특성을 나타내는 크기로 펀칭하는 펀칭단계(S130)와;
상기 펀칭된 소자를 전자빔을 사용하여 가교하여 PTC 특성을 나타내는 소자로 형성하는 PTC특성형성단계(S140)와;
외부단자(110)를 소자 표면에 위치시키고, 열처리장치를 이용하여 소자에 접합시키는 외부전극형성단계(S150);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 외부전극형성단계(S150) 이후에,
외부단자가 형성된 소자에 절연층을 코팅하여 최종 완제품으로 형성하는 절연층코팅단계(S160);를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 주석 도금 처리된 전극에,
형성되는 주석도금층의 두께는 3 내지 20 마이크론인 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 외부전극형성단계(S150)에서,
주석도금 처리된 전극에 외부단자(110)를 접합시키기 위하여 주석의 용융점 부근의 온도로 230도 내지 300도 범위, 100초 내지 150초 범위에서 열처리장치를 이용하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 열압착시트및솔더형성단계(S120)은,
전극에 외부단자를 접합하기 위하여 솔더 크림을 도포하는 공정 대신에 열압착시 솔더 형성을 동시에 수행하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명인 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
종래의 제조 방법의 경우에는 소자가 작아지면 솔더 크림이 정밀하게 조금 접착시켜야 하므로 초소형 소자에는 솔더량을 조절하기가 힘들어 생산성이 현저히 떨어지는 문제점이 발생하게 되며, 소자가 커지더라도 솔더 크림을 도포하는 공정이 별도로 요구되게 된다.
즉, 솔더 크림을 사용하여 생산시 디스펜서를 이용하여 전극의 상면에 외부단자를 접합하고 전극의 하면에 외부단자를 접합하기 위하여 두번의 도포가 필요하게 된다.
이는 생산성을 떨어뜨리며, 제조 원가 상승으로 파생될 수 밖에 없었다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자의 주석도금층을 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자의 주석도금층에 외부 단자가 접합된 상태의 피티씨 써미스터 소자 단면도이다.
도 3 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자는,
부품 실장시 외부와 연결시켜주기 위한 외부단자(110)와;
상기 외부단자와 접촉되어 전도성중합체에 전류가 통할 수 있도록 형성된 2개의 전극(130)과;
상기 2개의 전극 사이에 위치하며, 결정성 고분자 물질과 전도성 충진재로 구성되는 전도성중합체(120)와;
상기 2개의 전극 표면에 주석 도금 처리되어 형성되는 주석도금층(135)와;
상기 주석도금 처리된 전극 및 전도성중합체를 둘러싸도록 절연층(140);이 형성되되, 상기 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 주석도금층의 두께는 3 내지 20 마이크론인 것을 특징으로 한다.
상기 주석도금층이 3마이크론 미만일 경우에는 양이 적어 접착이 되지 않으며, 20 마이크론을 초과할 경우에는 양이 많아서 한쪽으로 뭉쳐져 솔더볼을 형성할 수 있다.
이때, 상기 주석도금 처리된 전극에 외부단자(110)를 접합시키기 위하여 주석의 용융점 부근의 온도로 230도 내지 300도 범위, 100초 내지 150초 범위에서 열처리장치를 이용하는 것을 특징으로 한다.
즉, 온도가 낮으면 주석이 용융되지 않으므로 용융점 부근의 온도 범위를 이용하는 것이다.
또한, 시간 역시 용융되어 도포될 수 있는 시간이므로 100초 미만이면 충분히 도포가 되지 않으며 150초 초과일 경우에는 녹은 주석이 뭉칠 가능성이 있다.
또한, 상기 주석도금층(135)은 외부단자(110)가 존재하는 피티씨 써미스터 소자에 적용되는 것을 특징으로 한다.
즉, 2개의 전극 표면에 주석 도금 처리되어 형성되는 주석도금층(135)을 형성시켜 이후 열처리하게 되면 주석이 용융되어 외부 전극과 접착이 되므로 솔더 크림을 도포하는 공정이 필요없게 되는 것이다.
또한, 솔더 크림을 도포할 경우에 균일하게 도포하기 위해 여러 가지 공정이 필요하지만 주석 도금하게 되면 추가의 도포공정 없이 소자 표면에 균일하게 도포가 가능하게 된다.
이는 결국 솔더 크림을 위아래로 도포하는 공정이 삭제되어 생산성을 향상시키게 되는 것이다.
도 5a는 종래의 피티씨 써미스터 소자의 실제 최종 제품 사진이다.
도 5b는 종래의 피티씨 써미스터 소자의 샘플링 검사시 불량 제품을 나타낸 사진이다.
도 5c는 종래의 피티씨 써미스터 소자의 샘플링 검사시 정상 제품을 나타낸 사진이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 실제 최종 제품이며, 제품 검수를 실시하게 되는데, 솔더 크림이 일일히 도포됐는지를 카메라로 확인해야 하는 중간 공정이 필요하게 된다.
이후, 최종 완제품에서 도 5b 내지 도 5c와 같이 불량 제품과 정상 제품을 확인하기 위하여 외부 단자를 뜯어서 확인하는 파괴 검사를 거치게 되는데, 파괴 검사로 인하여 모든 제품을 뜯어 볼 수가 없어 샘플링 검사를 수행할 수 밖에 없었다.
즉, 전수 검사가 불가능하여 제품에 대한 신뢰성이 현저히 떨어질 수 밖에 없었다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조방법은,
폴리올레핀계 결정성 고분자와 전도성 충진재와 첨가제를 혼련한 전도성중합체를 분쇄하는 혼련분쇄단계(S110)와;
상기 분쇄된 전도성중합체를 압출하여 원하는 두께로 시트를 형성하며 주석 도금 처리된 전극을 열압착하는 열압착시트및솔더형성단계(S120)와;
상기 압착된 시트를 PTC 특성을 나타내는 크기로 펀칭하는 펀칭단계(S130)와;
상기 펀칭된 소자를 전자빔을 사용하여 가교하여 PTC 특성을 나타내는 소자로 형성하는 PTC특성형성단계(S140)와;
외부단자(110)를 소자 표면에 위치시키고, 열처리장치를 이용하여 소자에 접합시키는 외부전극형성단계(S150);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 열압착시트및솔더형성단계(S120)은,
전극에 외부단자를 접합하기 위하여 솔더 크림을 도포하는 공정 대신에 열압착시 솔더 형성을 동시에 수행하는 것을 특징으로 한다.
상기 첨가제는 일반적으로 난연제(Mg(OH)2)와 가교조제(TAIC), 가공조제(스테아린산)이며 함량은 각각 max함량으로 20phr, 5phr, 10phr이다.
즉, 상기 혼련분쇄단계는 고분자 물질을 녹여서 전도성 물질과 섞는 단계로서 전도성 충진재를 형성하기 위한 금속전도성물질은 500phr이상 사용되며 이 경우에는 전도성중합체의 비저항(ρ=R*S/t, R=저항, S=면적, t=두께)은 0.02Ω㎝이하를 갖도록 하여야 한다.
상기 혼련은 kneader를 사용하며 온도는 200℃에서 결정성고분자인 HDPE(밀도 0.958g/cm3, Tm=131℃)와 난연제(Mg(OH)2)를 먼저 melting시킨 후 전도성 충진제(무정형니켈 파우더)와 스테아린산을 4번에 나누어 투입하여 혼련을 한다.
이때 총 혼련 시간은 30분 이내로 하며, 전도성 충진재가 충분이 혼련이 된 후 가교조제인 TAIC를 첨가하여 5분 이내로 추가로 혼련한 후 꺼낸다.
이때 꺼낸 원료를 분쇄기에 넣어 1차 조분쇄(입도 10mm이하)를 한 후 2차 미분쇄를 하여 입도를 3mm이하로 분쇄하며, 분쇄한 원료를 시트로 성형하기 위해 압출기로 투입된다.
상기 열압착시트형성단계에서 형성하는 시트의 두께는 0.6mm 이하로 형성하게 되며, 상기 PTC특성형성단계에서 가교 선량은 150Mrad이상이여야 한다.
이때, 열압착시 사용되는 전극재는 전해 구리박 또는 압연 구리박에 니켈도금되고, 니켈 도금 위에 주석을 한번 더 도금처리하는 것이다.
이때, 주석도금층의 두께는 3 내지 20 마이크론으로 형성하는 것이 바람직하다.
이후, 외부단자(110)를 주석도금층이 형성된 소자 표면에 위치시키고, 열처리장치를 이용하여 소자에 접합시키는 외부전극형성단계(S150)를 거치게 되는 것이다.
상기 열처리장치를 이용하여 열처리하게 되면 주석이 용융되어 외부전극과 접착되므로 솔더 크림을 도포하는 공정이 필요 없게 된다.
또한, 솔더 크림을 도포할 경우에 균일한 도포가 불가능하지만 주석 도금하게 되면 니켈 표면에 균일하게 도포가 가능하게 된다.
따라서, 전극재에 주석을 도금하여 사용할 경우 소자 표면에 이미 고르게 주석이 분포되어 있으므로 종래의 문제점들이 해결 가능하며 특히 제품이 소형화될수록 효과적이다.
또한, 공정 설계시 솔더 크림 디스펜서 및 솔더 크림 도포 확인 공정 등이 제거되므로 생산성 향상이 가능하다.
한편, 부가적인 양상에 따라 상기 외부전극형성단계(S150) 이후에 외부단자가 형성된 소자에 절연층을 코팅하여 최종 완제품으로 형성하는 절연층코팅단계(S160);를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 코팅하여야 한다.
그리고, 상기 절연층코팅단계에서 절연층의 코팅 두께는 max.300㎛인 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자의 인장강도 비교표이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 솔더 크림을 사용할 때와 주석 도금박을 사용한 경우의 제품 인장강도를 비교한 도표로서, 소자 크기는 3mm지름의 원형이며 단자는 폭 2.3mm의 니켈 단자를 사용하였다.
또한, 접합을 위해 열을 가하는 리플로우 프로파일은 동일하게 사용하였으며, 230도~300도 온도구간에서 130초 유지(이때, 주석이 용융되어 접합이 됨.)하였다.
이때, 단위는 kgf이다.
즉, 총 10회의 인장 강도를 시험하였으며, 종래 솔더 크림 방식의 평균값은 2.68kgf 이지만, 본 발명 방식의 평균값은 3.86kgf으로 인장 강도가 높은 것으로 확인되었다.
상기한 바와 같이, 본 발명을 통해 전극의 양측 표면에 주석을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 이미 고르게 주석이 분포되어 있으므로 종래의 문제점들이 해결가능하며 특히 소형 제품에 효과적으로 사용할 수 있게 된다.
또한, 공정 설계시 솔더 크림 디스펜서 및 솔더 크림 도포 확인 공정 등이 제거됨으로써, 생산성 향상을 제공하는 더 나은 효과가 발생한다.
또한, 전극의 양측 표면에 주석을 도금처리하여 형성되는 주석도금층을 사용할 경우에 제품의 인장 강도가 개선되는 더 나은 효과를 제공하게 된다.
이상에서와 같은 내용의 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시된 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구 범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110 : 외부단자
120 : 전도성중합체
130 : 전극
135 : 주석도금층
140 : 절연층

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 부품 실장시 외부와 연결시켜주기 위한 외부단자(110)와;
    상기 외부단자와 접촉되어 전도성중합체에 전류가 통할 수 있도록 형성된 2개의 전극(130)과;
    상기 2개의 전극 사이에 위치하며, 결정성 고분자 물질과 전도성 충진재로 구성되는 전도성중합체(120)와;
    상기 2개의 전극 표면에 주석 도금 처리되어 형성되는 주석도금층(135)과;
    상기 주석도금 처리된 전극 및 전도성중합체를 둘러싸도록 절연층(140);이 형성되되, 상기 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 구성되며,
    상기 주석도금층의 두께는,
    3 내지 20 마이크론인 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자.
  3. 부품 실장시 외부와 연결시켜주기 위한 외부단자(110)와;
    상기 외부단자와 접촉되어 전도성중합체에 전류가 통할 수 있도록 형성된 2개의 전극(130)과;
    상기 2개의 전극 사이에 위치하며, 결정성 고분자 물질과 전도성 충진재로 구성되는 전도성중합체(120)와;
    상기 2개의 전극 표면에 주석 도금 처리되어 형성되는 주석도금층(135)과;
    상기 주석도금 처리된 전극 및 전도성중합체를 둘러싸도록 절연층(140);이 형성되되, 상기 외부단자 일부가 절연층의 외측으로 돌출되도록 구성되며,
    상기 주석도금 처리된 전극에,
    외부단자(110)를 접합시키기 위하여 주석의 용융점 부근의 온도로 230도 내지 300도 범위, 100초 내지 150초 범위에서 열처리장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자.
  4. 삭제
  5. 폴리올레핀계 결정성 고분자와 전도성 충진재와 첨가제를 혼련한 전도성중합체를 분쇄하는 혼련분쇄단계(S110)와;
    상기 분쇄된 전도성중합체를 압출하여 원하는 두께로 시트를 형성하며 주석 도금 처리된 전극을 열압착하는 열압착시트및솔더형성단계(S120)와;
    상기 압착된 시트를 PTC 특성을 나타내는 크기로 펀칭하는 펀칭단계(S130)와;
    상기 펀칭된 소자를 전자빔을 사용하여 가교하여 PTC 특성을 나타내는 소자로 형성하는 PTC특성형성단계(S140)와;
    외부단자(110)를 소자 표면에 위치시키고, 열처리장치를 이용하여 소자에 접합시키는 외부전극형성단계(S150);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 외부전극형성단계(S150) 이후에,
    외부단자가 형성된 소자에 절연층을 코팅하여 최종 완제품으로 형성하는 절연층코팅단계(S160);를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조 방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 주석 도금 처리된 전극에,
    형성되는 주석도금층의 두께는 3 내지 20 마이크론인 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조 방법.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 외부전극형성단계(S150)에서,
    주석도금 처리된 전극에 외부단자(110)를 접합시키기 위하여 주석의 용융점 부근의 온도로 230도 내지 300도 범위, 100초 내지 150초 범위에서 열처리장치를 이용하는 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조 방법.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 열압착시트및솔더형성단계(S120)은,
    전극에 외부단자를 접합하기 위하여 솔더 크림을 도포하는 공정 대신에 열압착시 솔더 형성을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 주석이 도금된 전극재를 사용한 피티씨 써미스터 소자 제조 방법.

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200323075Y1 (ko) * 2003-05-12 2003-08-14 우리소재주식회사 Ｐｔｃ 저항소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200323075Y1 (ko) * 2003-05-12 2003-08-14 우리소재주식회사 Ｐｔｃ 저항소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519617B1 (ko) * 2014-08-13 2015-05-13 주식회사 바일테크놀러지 내식성이 강화된 전극재를 사용한 피티씨 소자 및 그 제조방법
US11257623B2 (en) 2020-01-15 2022-02-22 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayered electronic component and board having the same mounted thereon

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