KR101078029B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101078029B1
KR101078029B1 KR1020090055918A KR20090055918A KR101078029B1 KR 101078029 B1 KR101078029 B1 KR 101078029B1 KR 1020090055918 A KR1020090055918 A KR 1020090055918A KR 20090055918 A KR20090055918 A KR 20090055918A KR 101078029 B1 KR101078029 B1 KR 101078029B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
package
diode chip
package body
Prior art date
Application number
KR1020090055918A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100137726A (ko
Inventor
공명국
정낙윤
Original Assignee
주식회사 루멘스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 루멘스 filed Critical 주식회사 루멘스
Priority to KR1020090055918A priority Critical patent/KR101078029B1/ko
Publication of KR20100137726A publication Critical patent/KR20100137726A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101078029B1 publication Critical patent/KR101078029B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 가능한 한 얇은 두께의 발광 다이오드 패키지를 제공하기 위한 것으로, 서로 대향된 제1면 및 제2면을 갖고 상기 제1면의 가장자리를 따라 반사벽이 구현되며, 상기 제1면에 서로 절연된 한 쌍의 전극들이 구성된 패키지 본체; 상기 제1면에 실장된 발광 다이오드 칩; 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 각 전극들을 전기적으로 연결하는 복수의 와이어;를 포함하고, 상기 제2면으로부터 상기 반사벽의 상면까지의 거리에 대응되는 상기 패키지 본체의 두께가 0.6mm이하인 발광 다이오드 패키지를 제공한다.을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.

Description

발광 다이오드 패키지{Light enitting diode package}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 특히 광집속능력이 좋고, 효율이 우수한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 광원으로서 다양하게 이용 및 개발되고 있다. 이러한 발광 다이오드는 색상 표현 및 소비 전력의 측면에서 매우 유리하여, 노트북, TV 등의 백라이트 유닛(BLU)에 이용되던 종래의 냉음극형광램프(CCFL)를 대체하는 광원으로서 매우 주목받고 있고, 각종 조명으로도 사용이 많아지고 있는 실정이다.
그런데 이러한 장치에서 상기 발광 다이오드 패키지를 탑재하여 사용하기 위해서는 보다 얇은 패키지를 제공할 필요가 있다.
그러나 종래의 발광 다이오드 패키지, 특히, 와이어 본딩을 한 발광 다이오드 패키지는 본딩된 와이어의 높이만큼 패키지 두께가 두꺼워지기 때문에 발광 다이오드 패키지 두께를 줄이는 데에는 한계가 있다.
본 발명은 상기 한계를 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 가능한 한 얇은 두께의 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 달성하기 위해, 본 발명은, 서로 대향된 제1면 및 제2면을 갖고 상기 제1면의 가장자리를 따라 반사벽이 구현되며, 상기 제1면에 서로 절연된 한 쌍의 전극들이 구성된 패키지 본체; 상기 제1면에 실장된 발광 다이오드 칩; 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 각 전극들을 전기적으로 연결하는 복수의 와이어;를 포함하고, 상기 제2면으로부터 상기 반사벽의 상면까지의 거리에 대응되는 상기 패키지 본체의 두께가 0.6mm이하인 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 와이어는, 상기 전극에 연결된 직선부; 상기 발광 다이오드 칩에 연결되고 상기 제1면에 대해 경사방향으로 연장된 경사연장부; 및 상기 직선부와 상기 경사연장부의 사이에 위치하고 곡률을 갖는 곡선부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 직선부는 상기 제1면에 수직할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 직선부의 길이는 상기 발광 다이오드 칩의 두께 이상일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 경사연장부는 그 선단의 측면이 상 기 발광 다이오드 칩에 접합된 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 광투과성 매질이 형성되고 상기 매질은 상기 반사벽의 상면까지 연장된 제3면을 포함하며, 상기 패키지본체의 중앙부에서, 상기 제1면과 제3면 사이의 거리는 상기 반사벽의 상면을 연장하고 제1면에 평행한 연장선과 상기 제1면과의 거리보다 짧을 수 있다.
본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지는, 패키지 본체의 두께가 0.6mm이하가 되기 때문에 PCB에 조립 시 전체 발광 유닛의 두께를 줄일 수 있고, 설계 여유도를 높일 수 있다. 또한, 광투과성 매질과 추후 조립되는 렌즈 사이의 거리를 짧게 할 수 있기 때문에 광의 집속능력이 커질 수 있고, 이에 따른 발광 유닛의 광효율도 높아질 수 있다.
또한, 와이어 직선부의 길이가 발광 다이오드 칩의 두께 이상이 되도록 함으로써, 와이어 단선 등을 방지할 수 있게 된다. 또 직선부가 전극에 접합되고 경사연장부가 발광 다이오드 칩에 접합됨으로써, 와이어 최대 높이를 가능한 한 낮출 수 있게 되고, 이에 따라 패키지 본체의 두께도 최대한 낮게 할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기에서 설명되는 세부내용과는 상이한 형태로도 구현 될 수 있으며, 본 명세서의 실시예에 한정되지는 아니함을 밝혀둔다.
도면 전반에 걸쳐 동일한 구조물 또는 구성요소(부품)에는 동일한 참조 번호가 쓰이며, 도면들은 개략적으로 나타낸 것으로서 도면에서의 상대적인 치수 및 비율은 도면의 명확성 및 편의를 위하여 다소 과장되거나 축소되어 도시된 것일 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 부분 확대 단면도이다. 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 발광 유닛의 부분 단면도이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체(10)와, 패키지 본체(10)에 안착된 발광 다이오드 칩(20)과, 이 발광 다이오드 칩(20)과 패키지 본체(10)를 전기적으로 연결하는 와이어(40)를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 패키지 본체(10)는 제1면(11)과 제2면(12)을 포함한다. 제1면(11)과 제2면(12)은 도 1에서 볼 수 있듯이 패키지 본체(10)의 서로 대향된 면이며, 제1면(11)이 발광 다이오드 칩(20)이 안착되는 면이고, 제2면(12)은 제1면(11)의 반대측에 배치된 면이다.
상기 제1면(11)의 가장자리를 따라서는 제1면(11)의 표면에 경사지도록 연장된 반사면(13)이 구비되어 있다.
이러한 패키지 본체(10)는 리드 프레임(14)과 몰딩부(15)를 포함한다.
상기 리드 프레임(14)은 전기전도성 소재인 금속재로 구비되고, 서로 분리된 양극 리드와 음극 리드를 포함하는 데, 이 양극 리드 및 음극 리드가 각각 리드 프레임(14)의 전극이 된다.
그리고 몰딩부(15)는 이 리드 프레임(14)을 고정하도록 구비된다. 몰딩부(15)는 경질 수지재로 구비되며, 상기 반사면(13)을 형성한다. 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 반사면(13)은 몰딩부(15)에 의해 형성되는 것이나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 리드 프레임(14)의 절곡에 의해 반사면(13)이 형성될 수도 있다.
한편, 상기 제1면(11)으로 노출된 리드 프레임(14)에는 발광 다이오드 칩(20)이 접합되고, 이 발광 다이오드 칩(20)은 와이어(40)에 의해 리드 프레임(14)과 전기적으로 연결된다.
그리고, 상기 제1반사벽(13)에 의해 정의된 공간에는 광투과성 매질(30)이 채워진다. 이 광투과성 매질(30)은 발광 다이오드 칩(20) 및 와이어(40)를 매립한다.
상기 광 투과 매질(30)은 에폭시 또는 실리콘 수지와 같은 광투과성 매질을 사용한다. 그리고 이 광 투과 매질(30)에는 형광체가 분산 혼합될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 광 투과 매질(30) 내부에 별도의 매질이 존재하고 이 별도 매질에 형광체가 혼합될 수도 있다. 상기 형광체는 상기 발광 다이오드 칩(20)의 피크 파장에 의해 여기되어 발광하는 것으로, 실리케이트(Silicate)계 형광체일 수 있다.
이러한 광투과성 매질(30)은 제1반사벽(13)의 가장자리를 따라 채워지며, 그 상면이 제3면(31)을 형성한다.
그리고 상기 광투과성 매질(30)의 상면인 제3면(31)은 상기 패키지 본체(10)의 중앙부에서 상기 제1면(11)을 향하여 오목하게 인입된 구조를 갖는다. 따라서, 상기 패키지 본체(10)의 중앙부에서 상기 제1면(11)과 제3면(31) 사이의 거리(T2)는, 상기 제1반사벽(15)의 상면을 연장하고 제1면(11)에 평행한 연장선(32)과 상기 제1면(11)과의 거리보다 T3만큼 짧게 된다.
이러한 본 발명에 있어서, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 제2면(12)으로부터 상기 제1반사벽(13)의 상면까지의 거리에 대응되는 패키지 본체(10)의 두께(T1)가 0.6mm이하가 되도록 한다.
이렇게 패키지 본체(10)의 두께(T1)가 0.6mm 이하가 되도록 한 다음, 도 3에서 볼 수 있듯이 본 발명의 발광 다이오드 패키지를 PCB(50)에 실장한 후, 추가로 제2반사벽(51)을 상기 패키지 본체(10)를 둘러싸도록 형성한다. 그리고, 제2반사벽(51)에는 광투과성 수지재로 렌즈(52)를 더 형성한다.
본 발명의 일 실시예는 패키지 본체(10)의 두께(T1)가 0.6mm이하가 되기 때문에 제2반사벽(51)의 두께(T8)를 줄일 수 있고, 설계 여유도를 높일 수 있다. 또한, 광투과성 매질(30)과 렌즈(52) 사이의 거리(T7)가 짧기 때문에 광의 집속능력이 커질 수 있고, 이에 따른 발광 유닛의 광효율도 높아질 수 있다.
이렇게 패키지 본체(10)의 두께(T1)가 0.6mm이하가 되도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예는 도 2에서 볼 수 있듯이, 상기 와이어(40)가 직선부(41), 경사연장부(42) 및 곡선부(43)를 갖도록 한다.
발광 다이오드 칩(20)은 제1면(11)에 다이 접착제(21)를 매개로 접합된다. 발광 다이오드 칩(20)의 상기 제1면(11)의 반대측 상부에는 와이어 접합용 패드(22)가 구비될 수 있다. 물론, 상기 발광 다이오드 칩(20)은 반드시 패드(22)를 구비할 필요는 없으며, 발광 다이오드 칩(20) 자체의 단자부에 와이어가 본딩될 수 있다.
리드 프레임(14)의 제1면(11) 상에는 제1범프(45)가 형성되고, 전술한 발광 다이오드 칩(20)의 패드(22) 상에는 제2범프(46)가 형성된다. 상기 제1범프(45) 및 제2범프(46)는 와이어(40)가 잘 접합되도록 하기 위한 것으로, 제1범프(45) 및 제2범프(46) 중 어느 하나만 구비될 수 있다. 예컨대 상기 제1범프(45)는 상기 와이어(40)의 일단에 미리 구형 돌기의 형태로 가공하여 형성해 놓을 수 있고, 제2범프(46)만을 와이어(40)와 접합되지 않은 상태로 미리 패드(22) 상에 형성해 놓을 수 있다.
상기 와이어(40)의 일단부에는 직선부(41)가 구비되는 데, 이 직선부(41)는 전극이 되는 리드 프레임(14)의 제1면(11) 상에 접합된다. 이 때, 직선부(41)의 일단에는 제1범프(45)가 미리 구형 돌기의 형태로 가공되어져 있어 이 제1범프(45)를 제1면(11) 상에 압착하면서 접합시킨다. 상기 직선부(41)는 상기 제1면(11)에 대략 수직하게 연장된다.
와이어(40)의 타단부에는 경사연장부(42)가 구비된다. 경사연장부(42)는 상기 제1면(11)에 대한 최소각이 예각을 이루도록 경사방향으로 연장된다. 이 경사연장부(42)의 선단(44)은 패드(22)의 제2범프(46)에 접합되는 데, 도 2에서 볼 수 있 듯이, 경사연장부(42)의 선단(44)의 측면이 제2범프(46)에 접합되도록 할 수 있다. 경사연장부(42) 선단(44)의 측면과 패드(22)가 잘 접합될 수 있도록 상기 제2범프(46)는 솔더재로 형성될 수 있다.
와이어(40)의 직선부(41)와 경사연장부(42)의 사이에는 곡선부(43)가 구비된다. 곡선부(43)는 직선부(41)와 경사연장부(42)를 소정의 곡률반경을 갖고 연결시키는 것으로, 곡률반경은 반드시 하나일 필요는 없으며 복수의 곡률반경으로 굴곡될 수 있다.
이러한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 있어, 상기 직선부(41)의 길이(T5)는 발광 다이오드 칩(20)의 두께(T4) 이상인 것이 바람직하다. 직선부(41)의 길이(T5)가 충분히 길어야 제1범프(45)에서의 와이어(40) 단선 등을 방지할 수 있게 되고 곡선부(43)의 굴곡에 견딜 수 있는 인장력을 갖추게 된다. 다만, 본 발명은 직선부(41)가 리드 프레임(14)에 접합되기 때문에 그 길이(T5)가 적어도 발광 다이오드 칩(20)의 두께(T4)만큼, 혹은 그 이상의 길이만큼 확보될 수 있다. 따라서, 제1면(11)에서 곡선부(43) 상면까지의 와이어 최대 높이(T6)가 줄어들어도 제1범프(45)에서의 와이어(40) 접합력이 충분히 유지될 수 있는 것이다.
그리고 경사연장부(42)는 그 선단(44)의 측면이 제2범프(46)에 접합되기 때문에 경사연장부(42)의 길이를 충분히 길게 연장할 수 있고, 이에 따라 곡선부(43)에서 과도한 탄성력이 걸리는 것을 방지할 수 있다. 곡선부(43)에서 과도한 탄성력이 걸리게 될 경우 이 곡선부(43)에서 와이어(40)가 절단될 수도 있고, 제2범프(46)와의 접합이 불량될 수 있다.
이처럼 본 발명은 직선부(41), 경사연장부(42) 및 곡선부(43)를 갖춘 와이어(40) 구조, 특히 직선부(41)가 리드 프레임(14)에 접합되고 경사연장부(42)가 발광 다이오드 칩(20)에 접합된 와이어(40) 구조로 인해 와이어(40) 최대 높이(T6)를 가능한 한 낮출 수 있게 되고, 이에 따라 도 1에서 볼 수 있듯이 패키지 본체(10)의 두께(T1)도 최대한 낮게 할 수 있다.
이상 설명한 실시예들에서는 하나의 발광 다이오드 칩을 사용한 경우만 나타내었으나, 복수 개의 발광 다이오드 칩이 장착될 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는 것으로서 특허청구범위에 의해서만 한정되며, 본 발명은 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도에서 다양한 형태로 치환, 변경, 수정되어 실시될 수 있음이 당업자에게는 자명할 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이고,
도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 부분 확대 단면도이고,
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 이용한 발광 유닛의 부분 단면도이다.

Claims (6)

  1. 서로 대향된 제1면 및 제2면을 갖고 상기 제1면의 가장자리를 따라 반사벽이 구현되며, 상기 제1면에 서로 절연된 한 쌍의 전극들이 구성된 패키지 본체;
    상기 제1면에 실장된 발광 다이오드 칩; 및
    상기 발광 다이오드 칩과 상기 각 전극들을 전기적으로 연결하며, 일단부가 상기 제1면에 교차하는 방향으로 연장되어 상기 전극에 연결되는 직선부이고, 타단부가 선단의 측면이 상기 발광 다이오드 칩에 접합되는 경사연장부인, 복수의 와이어;를 포함하는, 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 경사연장부와 상기 제1면이 이루는 각도가, 상기 직선부와 상기 제1면이 이루는 각도보다 작은, 발광 다이오드 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 직선부는 상기 제1면에 수직인, 발광 다이오드 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 직선부의 길이는 상기 발광 다이오드 칩의 두께 이상인, 발광 다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2면으로부터 상기 반사벽의 상면까지의 거리에 대응되는 상기 패키지 본체의 두께가 0.6mm이하인, 발광 다이오드 패키지.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 광투과성 매질이 형성되고 상기 매질은 상기 반사벽의 상면까지 연장된 제3면을 포함하며, 상기 패키지본체의 중앙부에서, 상기 제1면과 제3면 사이의 거리는 상기 반사벽의 상면을 연장하고 제1면에 평행한 연장선과 상기 제1면과의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
KR1020090055918A 2009-06-23 2009-06-23 발광 다이오드 패키지 KR101078029B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090055918A KR101078029B1 (ko) 2009-06-23 2009-06-23 발광 다이오드 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090055918A KR101078029B1 (ko) 2009-06-23 2009-06-23 발광 다이오드 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100137726A KR20100137726A (ko) 2010-12-31
KR101078029B1 true KR101078029B1 (ko) 2011-10-31

Family

ID=43511275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090055918A KR101078029B1 (ko) 2009-06-23 2009-06-23 발광 다이오드 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101078029B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445666B1 (ko) * 2003-03-10 2004-08-23 루미마이크로 주식회사 오목렌즈 발광면을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445666B1 (ko) * 2003-03-10 2004-08-23 루미마이크로 주식회사 오목렌즈 발광면을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100637476B1 (ko) * 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100137726A (ko) 2010-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102218518B1 (ko) 발광 장치
JP4934352B2 (ja) 高出力ｌｅｄパッケージおよび高出力ｌｅｄパッケージ製造方法
JP4432275B2 (ja) 光源装置
TWI305062B (ko)
US20080191235A1 (en) Light emitting diode structure with high heat dissipation
JP3138795U (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源
TWI606616B (zh) 發光裝置封裝件
TW200425538A (en) Led package die having a small footprint
JP2006093672A (ja) 半導体発光装置
JP2008060344A (ja) 半導体発光装置
JP2007184542A (ja) 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2007043125A (ja) 発光装置
US20120241773A1 (en) Led bar module with good heat dissipation efficiency
US20110175511A1 (en) Light emitting diode and light source module having same
JP5458910B2 (ja) 発光装置
JP5707785B2 (ja) 発光装置
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2005175048A (ja) 半導体発光装置
JP2008053571A (ja) 発光装置およびそれを用いた面状発光装置
KR100699161B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
CN101675540A (zh) 半导体发光装置
JP2008130735A (ja) 発光装置の製造方法
KR20100093949A (ko) 발광 소자 패키지
JP4679917B2 (ja) 半導体発光装置
US20110175135A1 (en) Circuit Board For LED

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140917

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150909

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 9