KR101075650B1

KR101075650B1 - 화상 표시 장치

Info

Publication number: KR101075650B1
Application number: KR1020090069939A
Authority: KR
Inventors: 하지메 아끼모또; 히로시 가게야마; 도루 고노
Original assignee: 가부시키가이샤 히타치 디스프레이즈
Priority date: 2008-08-27
Filing date: 2009-07-30
Publication date: 2011-10-21
Also published as: JP2010054746A; CN101661707B; TW201009794A; US8749460B2; TWI431591B; CN101661707A; KR20100025469A; US20100053144A1; JP5384051B2

Abstract

표시 장치는, 제1 방향으로 연장되는 복수의 화소 주사선과, 제2 방향으로 연장되는 복수의 신호선과, 화소 주사선과 신호선의 교점에 대응하여 형성되는 복수의 화소 회로를 포함한다. 각 화소 회로는, 전류량을 조정하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 의해 휘도가 변화되는 발광 소자와, 그 화소 회로를 구동하는 주사 신호에 기초하여 화상 신호에 따른 전위를 발생하는 화소 스위치와, 화소 스위치로부터 공급된 전위에 의해 생기는 전위차에 의해 구동 트랜지스터가 공급하는 전류량을 제어하는 용량 소자와, 그 화소 회로에 대응하는 화소 주사선에 의해 공급되는 주사 신호보다 먼저 다른 화소 주사선에 의해 공급되는 주사 신호에 기초하여 용량 소자의 상기 타단의 전위를 소정의 기준 상태로 설정하는 리세트 스위치를 포함한다.

화소 회로, 화소 스위치, 화소 주사선, 주사 신호, 구동 트랜지스터, 발광 소자

Description

화상 표시 장치{IMAGE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 화상 표시 장치에 관한 것이다.

최근, 유기 일렉트로 루미네센스(Electro　Luminescence) 소자(이하, 유기 EL 소자라고 함) 등의 발광 소자를 이용한 화상 표시 장치의 개발이 한창 행해지고 있다. 이들 발광 소자는 그 발광 소자를 구동하는 화소 회로와 함께 글래스 기판 등의 상에 형성된다.

도 7은 종래의 기술을 이용한 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 도시하는 도면이다. 각 화소 회로 PX에는 유기 EL 소자(101)가 형성되어 있고, 유기 EL 소자(101)의 캐소드단은 접지되고, 유기 EL 소자(101)의 애노드단은 구동 TFT(Thin Film-Transistor, 박막 트랜지스터라고도 함)(102)를 통하여 전원선 Vcc에 접속되어 있다. 구동 TFT(102)의 게이트-소스간에는 기억 용량(103)이 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(102)의 게이트는 화소 스위치(104)를 통하여 신호선 DL에 접속되고, 신호선 DL은 신호 입력 회로 XDV에 접속되어 있다. 또한 유기 EL 소자(101)의 애노드단은 리세트 스위치(105)를 통하여 접지되어 있다. 리세트 스위치(105)는 리세트 스위치 제어선 RL을 통하여 리세트 스위치 제어 회로 RDV에 의해 제어되고, 화소 스위치(104)는 화소 스위치 주사선 GL을 통하여 화소 스위치 제어 회로 YDV에 의해 제어된다. 여기서 1개의 화소 회로는 1개의 화소에 대응한다.

도 8은 종래의 유기 EL 디스플레이에서의 1개의 화소 회로 PX에 대한 화소 스위치 주사선 GL 및 신호선 DL의 전위의 파형을 도시하는 파형도이다. 신호선으로부터 입력되는 화상 신호를 기입하는 대상으로 되는 화소 회로 PX에서는, 처음에 리세트 스위치 제어선 RL에 의해 리세트 스위치(105)가 온으로 된다. 이 때, 유기 EL 소자(101)의 캐소드단과 애노드단은 모두 접지 전압으로 리세트되고, 동시에 기억 용량(103)의 일단도 접지 전압으로 설정된다. 다음으로 해당 화소의 화소 스위치 주사선 GL에 의해, 그 화소의 화소 스위치(104)가 온으로 된다. 이 때 신호선 DL에 인가되어 있던 신호 전압은 기억 용량(103)의 타단에 인가되기 때문에, 기억 용량(103)의 양단에는 상기 신호 전압이 생긴다. 다음으로 해당 화소의 화소 스위치 주사선 GL, 리세트 스위치 제어선 RL의 순으로 제어선이 오프로 되면, 기억 용량(103)의 양단에는 상기 신호 전압이 유지된다. 기억 용량(103)의 양단의 전압은 그대로 구동 TFT(102)의 게이트-소스간 전압이기 때문에, 구동 TFT(102)는 유기 EL 소자(101)를, 상기 신호 전압에 상당하는 신호 전류로 구동 및 발광시킨다. 이와 같이 하여 종래의 유기 EL 디스플레이에서는, 유기 EL 소자(101)에 전류가 흐름으로써 기억 용량(103)의 양단에 걸리는 전압이 불안정하게 되어도 유기 EL 소자(101)에 흐르는 전류량이 뜻하지 않은 변동을 일으키는 것을 방지하고, 또한 복수의 화소로 이루어지는 화상을 표시하고 있다.

상기한 바와 같은 화상 표시 장치는, 예를 들면 일본 특개 2004-347993호에 기재되어 있다.

전술한 화상 표시 장치에서는, 도 7에 도시한 바와 같이 화소행마다 2개의 제어선이 필요로 된다. 이 때문에 화소 회로를 제어하는 배선의 구조가 복잡하게 되어 있었다. 또한 리세트 스위치 제어 회로 RDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV를 외장으로 실장하는 경우에는, 접속 단자수가 화소행수의 2배 필요로 되었다.

본 발명의 목적은, 화소 회로를 제어하는 배선의 구조를 간략화한 화상 표시 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명에 따른 표시 장치는, 제1 방향으로 연장되는 복수의 화소 주사선과, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 신호선과, 상기 화소 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여 형성되는 복수의 화소 회로로서, 화소 주사선마다 상기 화소 회로에 대하여 순차적으로 공급되는 주사 신호와 상기 신호선마다 상기 화소 회로에 대하여 공급되는 화상 신호에 의해 구동되는 복수의 화소 회로를 포함한다. 그리고 상기 각 화소 회로는, 전류량을 조정하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 의해 휘도가 변화되는 발광 소자와, 그 화소 회로를 구동하는 상기 주사 신호 및 상기 화상 신호에 기초하여 상기 화상 신호에 따른 전위를 발생하는 화소 스위치와, 일단에 상기 화소 스위치로부터 상기 전위가 공급되고, 타단에 공급되는 전위와의 전위차에 의해 상기 구동 트랜지스터가 공급하는 전류량을 제어하는 용량 소자와, 그 화소 회로에 대응하는 상기 화소 주사선에 의해 공급되는 상기 주사 신호보다 먼저 다른 화소 주사선에 의해 공급되는 상기 주사 신호에 기초하여 상기 용량 소자의 상기 타단의 전위를 소정의 기준 상태로 설정하는 리세트 스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 화소 스위치는 상기 용량 소자의 일단과 상기 신호선 사이에 설치되고, 상기 리세트 스위치의 일단은 상기 용량 소자의 타단과 접속되고, 상기 리세트 스위치의 타단에 기준 전위가 공급되고, 상기 발광 소자의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 상기 발광 소자의 타단에 기준 전위가 공급되고, 상기 용량 소자의 상기 일단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 접속되고, 상기 용량 소자의 상기 타단은 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 전원 전위가 공급되도록 하여도 된다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 화소 스위치는 박막 트랜지스터이며, 그 게이트 전극은 해당 화소 회로에 대응하는 상기 화소 주사선에 접속되고, 상기 리세트 스위치는 박막 트랜지스터이며, 그 게이트 전극은 해당 화소 회로에 대응하는 상기 화소 주사선에 의해 공급되는 상기 주사 신호보다 먼저 상기 주사 신호를 공급하는 상기 화소 주사선에 접속되도록 하여도 된다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 화상 신호는, 상기 발광 소자의 시상수보다 긴 시간 공급되는 미리 정해지는 기본 전위와 그 직후에 상기 기본 전위보다 짧은 시간 공급되는 발광 소자의 휘도에 대응하는 휘도 전위로 이루어져도 된 다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자이어도 된다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 주사 신호를 출력하기 위한 주사 회로를 더 포함하여도 된다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 화소 회로는, 절연 기판 상에 형성되어 있어도 된다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자이고, 상기 구동 트랜지스터는 n채널의 트랜지스터이며, 상기 발광 소자의 애노드는 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고, 상기 발광 소자의 캐소드에는 상기 기준 전위가 공급되고, 상기 전원 전위는 상기 기준 전위보다 높아도 된다.

또한, 본 발명의 일 양태에서는, 상기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자이고, 상기 구동 트랜지스터는 p채널의 트랜지스터이며, 상기 발광 소자의 캐소드는 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고, 상기 발광 소자의 애노드에는 상기 기준 전위가 공급되고, 상기 전원 전위는 상기 기준 전위보다 낮아도 된다.

본 발명에 따르면, 화소행마다 1개의 제어선만을 형성하면 되기 때문에 화소 회로를 제어하는 배선의 구조를 간략화할 수 있다. 또한 제어 회로를 외장으로 실 장 하는 경우에는 접속 단자수를 삭감할 수 있다. 그들의 결과, 코스트 삭감을 효과적으로 행하는 것도 가능하게 된다.

이하, 본 발명의 실시 형태의 예에 대하여 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 이하에서는, 유기 EL 디스플레이에 본 발명을 적용한 경우의 예에 대하여 설명한다.

[제1 실시 형태]

본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이는, 그 표시 영역에 유기 EL 소자와 그것을 구동하는 회로가 화소마다 매트릭스 형상으로 형성된 글래스 기판과, 그 글래스 기판에 접합됨으로써 유기 EL 소자를 밀봉하는 밀봉 기판을 포함하여 구성되어 있다.

도 1은 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 도시하는 도면이다. 표시 영역에는 복수의 화소 스위치 주사선 GL이 제1 방향(수평 방향)으로 연장되고, 복수의 신호선 DL이 제2 방향(수직 방향)으로 연장되어 있다. 또한 화소 스위치 주사선 GL은 화소 스위치 제어 회로 YDV에 접속되고, 신호선 DL은 신호 입력 회로 XDV에 접속되어 있다. 화소 스위치 주사선 GL과 신호선 DL이 평면적으로 교차하는 점에 대응하여, 화소 회로 PX가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 여기서, 1개의 화소 회로 PX는 디스플레이 상의 1화소에 대응한다. 본 도면에서는 1열×2행의 2개의 화소 회로 PX만 기재되어 있지만, 실제로는 화상 출력을 행하기 위해서 많은 화소 회로 PX가 수평 방향 및 수직 방향으로 배열되어 있다. TV용의 유기 EL 디스플레이의 경우에는 예를 들면 1920(수평)×RGB×1080(수직)의 화소 회로 PX가 배열된다. 이하, n번째의 화소 스위치 주사선을 GL(n), m번째의 신호선을 DL(m) 등으로 표기한다. 여기서, n은 1 이상 화소 스위치 주사선의 개수 이하의 정수이고, m은 1 이상 신호선의 개수 이하의 정수이다. 또한 전원 배선 PW(m)와 접지 배선 GD(m)는, 표시 영역 내에서 서로 평행하게 수직 방향으로 연장되어 배치되고, 전원 배선 PW(m)에는 플러스의 전원 전위가 공급되어 있다. 화소 스위치 제어 회로 YDV는, 1번째의 화소 스위치 주사선 GL(1)로부터 순서대로 화소 스위치 주사선 GL(2), 화소 스위치 주사선 GL(3), …에 대하여 주사 신호를 공급한다.

다음으로 화소 스위치 주사선 GL(n)과 신호선 DL(m)의 교점에 대응하여 형성되는 화소 회로 PX에 대하여 설명한다. 화소 회로 PX에는 유기 EL 소자(1)가 형성되어 있고, 유기 EL 소자(1)의 캐소드단은 접지 배선 GD(m)에 접속되고, 애노드단은 구동 TFT(2)의 소스에 접속하고, 구동 TFT(2)의 드레인은 전원 배선 PW(m)에 접속되어 있다. 구동 TFT(2)의 게이트-소스간에는 기억 용량(3)이 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(2)의 게이트는 화소 스위치(4)를 통하여 신호선 DL(m)에 접속되어 있다. 또한 유기 EL 소자(1)의 애노드단은 리세트 스위치(5)를 통하여 접지 배선 GD(m)에 접속되어 있다. 화소 스위치(4)의 게이트는 화소 스위치 주사선 GL(n)에 접속되고, 화소 스위치 제어 회로 YDV에 의해 제어되어 있다. 또한 리세트 스위치(5)의 게이트는 전단의 화소 회로 PX에 대응하는 화소 스위치 주사선 GL(n-1)에 접속되어 있다. 또한, 유기 EL 소자는 대부분의 경우 정류성이 있어 OED(Organic Light Emitting Diode)라고도 불리기 때문에, 도 1에서는 유기 EL 소자(1)에 정류 기호를 이용하고 있다.

표시 영역 내에서의 화소 회로 PX는 단일의 글래스 기판 상에 다결정 Si-TFT 소자를 이용하여 형성되어 있고, 신호 입력 회로 XDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV는 각각 복수의 단결정 Si 드라이버 IC 칩으로 구성되고, 단일의 글래스 기판 상에 실장되어 있다. 또한 여기서 구동 TFT(2), 화소 스위치(4), 리세트 스위치(5)는 모두 nMOS 트랜지스터이다. 여기서, 다결정 Si-TFT 회로나 아몰퍼스 Si-TFT 회로의 제조 시에서는, 실리콘의 특성 등에 기인하여, 구동 TFT의 특성에 변동이 생긴다. 본 실시 형태에서도 다결정 Si-TFT 소자인 구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth에 변동이 존재한다.

본 실시 형태에서는, 화소 스위치 주사선 GL에 공급되는 주사 신호에 의해 그 화소 스위치 주사선 GL에 대응하는 화소 회로 PX의 집합을 선택하고, 그 집합에 속하는 화소 회로 PX에 대하여 신호선 DL에 의해 화상 신호가 입력된다. 그리고 기억 용량(3)은 입력된 화상 신호에 대응하는 전위차를 유지하고, 그 전위차에 따른 전류에 의해 유기 EL 소자(1)가 발광한다.

이하에서는 본 실시 형태에서 화소 회로 PX에 입력되는 신호와 화소 회로 PX의 동작에 대한 상세를 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 화소 스위치 주사선 GL(n-1)과, GL(n)과, 신호선 DL(m)과, 화소 회로 PX의 G점 및 S점의 전위의 파형을 도시하는 파형도이다. 본 도면에서의 화소 회로 PX의 G점 및 S점은 도 1에서의 화소 스위치 주사선 GL(n)에 대응하는 화소 회로 PX 내의 점이고, G점은 구동 TFT(2)의 게이트단, S점은 구동 TFT(2)의 소스단이다. 또한 도 2에서는 파형이 상 측에 있을 수록 고전위이며, 좌우로 연장되는 파선은 접지 전위를 나타내고 있다.

화소 스위치 주사선 GL(n) 및 신호선 DL(m)에 대응하는 행의 화소 회로 PX(이하 대상 화소 회로라고 함)에의 화상 신호의 입력이 행해지는 것에 앞서, 그 전단의 행의 화소 회로 PX에의 화상 신호의 입력이 행해진다. 그 때, TR의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n-1)의 전위가 하이 레벨(H)로 되어 주사 신호가 공급된다. 그에 의해, 대상 화소 회로에서 리세트 스위치(5)가 온으로 된다. 이 때 유기 EL 소자(1)의 캐소드단과 애노드단은 모두 접지 배선 GD에 접속되어 접지 전위로 리세트되고, 동시에 기억 용량(3)의 일단도 접지 전위로 설정된다.

다음으로 화소 스위치 주사선 GL(n-1)의 전위가 로우 레벨(L)로 되어, 대상으로 되는 화소 회로 PX의 리세트 스위치(5)가 오프로 된다. 계속해서 Ta의 타이밍에서 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 전위가 기본 전위 Vbase로 된다. 여기서 기본 전위 Vbase는 미리 정해진 전위로서, 신호 등의 변화에 의해 변동되지 않는 전위이다. 그 직후인 Tb의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n)에 하이 레벨의 전위인 주사 신호가 공급되어, 대상 화소 회로의 화소 스위치(4)가 온으로 된다. 이 때 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 기본 전위 Vbase는 기억 용량(3)과 구동 TFT(2)의 게이트단의 접속 노드인 G점에 인가되어, 구동 TFT(2)의 소스 단자에 전류가 흐른다. 이 때 리세트 스위치(5)는 이미 오프이기 때문에, 유기 EL 소자(1)가 갖는 기생 용량에 따라서 전하가 기입되어, 기억 용량(3)과 유기 EL 소자(1)의 캐소드단 및 구동 TFT(2)의 소스단의 접속 노드인 S점의 전위는 도 2에 도시한 바와 같이 상승한다. 유기 EL 소자(1)의 저항과 기생 용량으로부터 정해지는 시상수 τ에 대하여 충분한 시간이 경과하면, 전류가 흐르지 않게 되어, S점의 전위는 (구동 TFT(2)의 게이트단인 G점의 전위)-(구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)로 된다. 즉 이 시점에서, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는(구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)의 전위차가 유지된다. 여기서, Vbase는 각 화소 회로 내의 구동 TFT(2)에서 가장 큰 임계값 전압 Vth보다 크고, 유기 EL 소자(1)의 임계값 전압보다 낮게 하는 것이 바람직하다.

그 후 Tc의 타이밍에서 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 전위가 기본 전위 Vbase로부터, 휘도 전위 Vdata로 변경되면, 기억 용량(3)과 구동 TFT(2)의 게이트단의 접속 노드인 G점의 전위는 기본 전위 Vbase로부터 휘도 전위 Vdata로 재기입된다. 이 G점의 전위의 변화에 의해, 구동 TFT(2)의 소스단의 접속 노드인 S점의 전위는, 휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분만큼 다시 상승하고자 하지만, 기억 용량(3)의 정전 용량(본 실시 형태에서는 100fF 정도)에 비해 유기 EL 소자(1)의 기생 용량(본 실시 형태에서는 수pF 정도) 쪽이 크기 때문에, S점에서의 전위 변동은 G점에서의 전위 변동만큼 고속은 아니다. 또한，G점은 화소 스위치(4)의 포화 동작에 의해 전위가 기입되는 것에 대하여, S점은 구동 TFT(2)의 비포화 동작에 의해 전위가 기입된다고 하는 것에 의해서도 S점의 전위 변동은 늦어진다. 따라서 S점에서의 전위 변동이 작은 Td의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n)의 전압을 로우 레벨로 하여 주사 신호의 공급을 멈추고, 대상 화소 회로의 화소 스위치(4)를 오프로 하면, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는, (구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)+(휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분)×k배의 전위차가 유지되게 된다. 화소 스위치(4)를 오프로 하면 G점은 고임피던스로 되기 때문에, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는 이 이상의 전위차가 주어지지 않기 때문이다. 또한 여기서 「k배」는, 휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분에 의해 변동하는 0 이상 1 미만의 변수이다. 또한，Tc부터 Td의 시간은, 유기 EL 소자(1)의 저항과 기생 용량으로부터 정해지는 시상수 τ와 비교하여 크지 않은 시간으로 하는 것이 바람직하다.

이상의 동작에 의해, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이의 전위차는, (구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)+(휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분)×k배이고, 그 전위차는 기억 용량(3)에 유지된다. 기억 용량(3)의 양단의 전위차는 그대로 구동 TFT(2)의 게이트-소스간 전압이기 때문에, 구동 TFT(2)는 유기 EL 소자(1)를 상기의 전압에 상당하는 신호 전류로 구동하여, 대응하는 휘도로 발광시킨다. 여기서, 구동 TFT(2)로부터 유기 EL 소자(1)에 흐르는 전류는 기억 용량(3)에 유지된 전위차로부터 임계값 전압 Vth를 뺀 값으로부터 계산할 수 있어, 전류와 휘도의 관계도 사전에 취득할 수 있다. 기본 전위 Vbase는 일정하기 때문에, 원하는 휘도에 대응하는 휘도 전위 Vdata는 임계값 전압 Vth의 변동과 관계없이 계산할 수 있다. 또한，Td의 타이밍 이후는 유기 EL 소자(1)에 흐르는 전류에 의해 S점의 전위가 상승하지만, G점과 S점 사이의 전위차는 유지되기 때문에, 이에 의해 구동 TFT(2)로부터 유기 EL 소자(1)에 흐르는 전류가 감소하는 일은 없다.

여기서, 화소 스위치 제어 회로 YDV에서 주사 신호를 제어하고, 신호 입력 회로 XDV는 구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth의 값과 관계가 없는 기본 전위 Vbase와 휘도 전위 Vdata를 공급함으로써, 유기 EL 소자(1)를 원하는 휘도로 발광시킬 수 있다.

이와 같이 하여 본 실시 형태에서의 유기 EL 디스플레이는, 화소행마다 불과 1개의 화소 스위치 주사선 GL을 이용하는 것만으로, 원하는 화상을 표시할 수 있다. 또한 전술한 제어에 의해 임계값 전압 Vth의 변동을 캔슬하여, 그에 기인하는 발광 소자의 전류량의 변동을 대폭 억제할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 휘도 변동이나, 경우에 따라서는 Vth 시프트에 기인하는 휘도 소부라고 하는 화질상의 문제를 회피할 수 있다.

본 실시 형태에 따른 화소 회로 PX의 구조에 대하여, 도 3을 이용하여 설명한다.

도 3은 글래스 기판(20) 상에 형성되는 화소 회로 PX의 단면도이다. 유기 EL 소자(1), 구동 TFT(2), 리세트 스위치(5), 화소 스위치 주사선 GL의 단면이 도시되어 있다.

여기서 유기 EL 소자(1)는 캐소드 전극(27)과 애노드 전극(26) 사이에 형성되어 있고, 애노드 전극(26)은 접속 배선(25)을 통하여 구동 TFT(2)의 소스단과 리세트 스위치(5)의 일단에 접속되어 있다. 또한 리세트 스위치(5)의 타단은 접지 배선 GD에 접속되고, 접지 배선 GD는 또한, 캐소드 접속 전극(28)을 통하여 캐소드 전극(27)에 접속된다. 또한 구동 TFT(2)의 드레인단은, 도 1에 도시한 바와 같이 전원 배선 PW에 접속된다. 리세트 스위치(5)의 게이트는 화소 스위치 주사선 GL로 구성되어 있고, 구동 TFT(2)의 게이트(24)는 도 3에는 도시되어 있지 않지만 화소 회로 PX의 G점에 접속된다.

여기서 전체는 글래스 기판(20) 상에 형성되어 있고, 그 상방에 층간 절연막(21, 22, 23)의 층이 형성되어 있다. 구동 TFT(2) 및 리세트 스위치(5)의 채널 부분은 두께 50㎚의 다결정 Si 박막이며, 글래스 기판(20)과 층간 절연막(21) 사이에 구성된다. 화소 스위치 주사선 GL 및 구동 TFT(2)의 게이트(24)는, 구동 TFT(2) 및 리세트 스위치(5)의 채널 부분 상에 금속 배선층으로서 구성된다. 접지 배선 GD 및 접속 배선(25) 및 전원 배선 PW는, 층간 절연막(21)과 층간 절연막(22) 사이에 형성되는 금속 배선층에 의해 구성된다. 접지 배선 GD는 또한 리세트 스위치(5)의 채널 부분에 접속되어 있다. 전원 배선 PW는, 또한 구동 TFT(2)의 채널 부분에 접속되어 있다. 접속 배선(25)은, 또한 구동 TFT(2)나 리세트 스위치(5)의 채널 부분의 접지 배선 GD나 전원 배선 PW와는 다른 단에 접속되어 있다. 캐소드 접속 전극(28) 및 애노드 전극(26)은 층간 절연막(22) 상에 형성된 금속 배선층으로 구성된다. 그 상방에는 층간 절연막(23)이 없는 영역이 있다. 캐소드 접속 전극(28)은 접지 배선 GD에 접속하고, 애노드 전극(26)은 접속 배선(25)에 접속한다. 애노드 전극(26)의 상방에는 층간 절연막(23)이 없는 영역이 있고, 거기와 층간 절연막(23)의 상방에 유기 EL 소자(1)가 구성되고, 유기 EL 소자(1)의 상방과 캐소드 접속 전극(28)의 상방에는 ITO를 이용한 투명 전극을 이용한 캐소드 전극(27)이 구성되어 있다.

이상의 본 실시 형태에 따른 화소 회로 PX에서는 전술한 바와 같이, 표시 영역 내에서의 화소가 단일의 글래스 기판(20) 상에 다결정Si-TFT 소자를 이용하여 구성되고, 신호 입력 회로 XDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV는 각각 복수의 단결정 Si 드라이버 IC 칩을 이용하여 글래스 기판(20) 상에 구성된다. 그러나 신호 입력 회로 XDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV는 화소와 마찬가지로 다결정 Si-TFT 소자를 이용하여 구성되는 것도 가능하다. 혹은 또한, 신호 입력 회로 XDV와 화소 스위치 제어 회로 YDV의 일부에 다결정 Si-TFT 소자를 이용하고, 나머지 부분에 단결정 Si에 의한 IC를 이용하는 조합에 의해 실현하는 것도 가능하다.

또한 본 실시예와 같이 다결정 Si에 상관없이, 아몰퍼스 Si나 그 밖의 유기/무기 반도체 박막을 트랜지스터에 이용하는 것이나, 글래스 기판 대신에, 표면에 절연성을 갖는 그 밖의 기판을 이용하는 것, 혹은 트랜지스터에 금회와 같은 톱 게이트가 아니라 보텀 게이트를 이용하는 것이나, 유기 EL 소자(1)에 금회와 같은 톱 에미션 타입이 아니라 보텀 에미션 타입을 이용할 수 있는 것도 명백하다.

본 실시예에서는 접지 배선 GD에는 접지 전압을 인가하는 것을 전제로 하여 설명하였지만, 전압은 상대값이기 때문에, 상기 인가 전압은 접지 전압에 상관없이, 다른 신호 전압이나 전원 전압 사이에서 기준으로 되는 전압이면 된다. 또한, 본 실시예에서는 화소 스위치 주사선 GL(n)에 대응하는 화소 회로 PX의 리세트 스위치(5)는 전단의 화소 회로 PX를 구동하는 화소 스위치 주사선 GL(n-1)에 접속되어 있지만, 접속처는 전단에 한정되지 않고, 예를 들면 화소 스위치 주사선 GL(n-2) 등 자단보다 먼저 구동되는 화소 회로 PX에 대응하는 화소 스위치 주사선 GL에 접속되어 있으면 된다.

[제2 실시 형태]

본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이는, 그 전체 구성이나 화소 회로의 구성은, 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 여기서는 제1 실시 형태와의 차이인 화소에의 신호 전압 기입 방법을 중심으로 설명한다.

도 4는 본 실시 형태에서의, 화소 스위치 주사선 GL(n-1)과, GL(n)과, 신호선 DL(m)과, 화소 회로 PX의 G점 및 S점의 전위의 파형을 도시하는 파형도이다. 본 도면에서의 화소 회로 PX의 G점 및 S점은 도 1에서의 화소 스위치 주사선 GL(n)에 대응하는 화소 회로 PX 내의 점이고, G점은 구동 TFT(2)의 게이트단, S점은 구동 TFT(2)의 소스단이다. 또한 도 4에서는 파형이 상측에 있을 수록 고전위이며, 좌우로 연장되는 파선은 접지 전위를 나타내고 있다.

화소 스위치 주사선 GL(n) 및 신호선 DL(m)에 대응하는 행의 화소 회로 PX(이하 대상 화소 회로라고 함)에의 화상 신호의 입력이 행해지는 것에 앞서, 그 전단의 행의 화소에의 화상 신호의 입력이 행해진다. 그 때, TR의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n-1)의 전위가 하이 레벨(H)로 되어 주사 신호가 공급된다. 그에 의해 대상으로 되는 화소 회로에서 리세트 스위치(5)가 온으로 된다. 이 때 유기 EL 소자(1)의 캐소드단과 애노드단은 모두 접지 배선 GD에 접속되어 접지 전위로 리세트되고, 동시에 기억 용량(3)의 일단도 접지 전위로 설정된다.

다음으로 화소 스위치 주사선 GL(n-1)의 전위가 로우 레벨(L)로 되어, 대상으로 되는 화소 회로의 리세트 스위치(5)가 오프로 된다. 계속해서 Ta의 타이밍에서 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 전위가 휘도 전위 Vdata로 된다. 그 직후인 Tb의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n)의 전위가 하이 레벨로 되어 주사 신호가 공급되어, 대상 화소 회로의 화소 스위치(4)가 온으로 된다. 이 때 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 휘도 전위 Vdata는 기억 용량(3)과 구동 TFT(2)의 게이트단의 접속 노드인 G점에 인가된다. 이 때 리세트 스위치(5)는 이미 오프이기 때문에, 기억 용량(3)과 유기 EL 소자(1)의 캐소드단 및 구동 TFT(2)의 소스단의 접속 노드인 S점의 전위는 도 4에 도시한 바와 같이, 접지 전압에 대한 휘도 전위 Vdata의 차분만큼 상승하고자 하지만, 기억 용량(3)의 정전 용량(본 실시 형태에서는 100fF 정도)에 비해 유기 EL 소자(1)의 기생 용량(본 실시 형태에서는 수pF 정도) 쪽이 크기 때문에, S점에서의 전위 변동은 G점에서의 전위 변동만큼 고속은 아니다. 또한，G점은 화소 스위치(4)의 포화 동작에 의해 전위가 기입되는 것에 대하여, S점은 구동 TFT(2)의 비포화 동작에 의해 전위가 기입되기 때문에, S점에서의 전위 변동은 G점에서의 전위 변동보다 지연된다. 따라서 S점에서의 전위 변동이 작은 Tc의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n)의 전압을 로우 레벨로 하여 주사 신호의 공급을 멈추어, 대상 화소 회로의 화소 스위치(4)를 오프로 하면, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는, (휘도 전위 Vdata와 접지 전위의 차분)×m배의 전위차가 유지되게 된다. 화소 스위치(4)를 오프로 하면 G점은 고임피던스로 되기 때문에, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는 이 이상의 전위차가 주어지지 않기 때문이다. 또한 여기서 「m배」는, 휘도 전위 Vdata와 접지 전위의 차분에 의해 변동되는 변수이다.

이상의 동작에 의해, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는, (휘도 전위 Vdata와 접지 전위의 차분)×m배의 전위차가 있고 그것은 기억 용량(3)에 유지 된다. 기억 용량(3)의 양단의 전위차는 그대로 구동 TFT(2)의 게이트-소스간 전압이기 때문에, 구동 TFT(2)는 유기 EL 소자(1)를, 상기의 전압에 상당하는 신호 전류로 구동하여, 대응하는 휘도로 발광시킨다. 전술한 식으로부터 알 수 있는 바와 같이, S점과 G점 사이의 전위차는, 휘도 전위 Vdata와 접지 전위로부터 구할 수 있다.

이와 같이 하여 본 실시 형태에서의 유기 EL 디스플레이는, 화소행마다 불과 1개의 화소 스위치 주사선 GL을 이용하는 것만으로 복수의 화소로 이루어지는 화상을 표시시킬 수 있다. 또한 본 실시 형태는, 제1 실시 형태와 비교하면 신호선 DL에 나타내어지는 동작 파형이 단순하기 때문에, 신호 입력 회로 XDV를 보다 저코스트로 제조할 수 있다고 하는 장점이 있다.

[제3 실시 형태]

본 발명의 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이는, 화소 회로 PX에 pMOS 트랜지스터를 이용하고 있다. 여기서는 제1 실시 형태와의 구성 및 동작의 차이를 중심으로 설명한다.

도 5는 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 도시하는 도면이다. 표시 영역에는 복수의 화소 스위치 주사선 GL이 제1 방향(수평 방향)으로 연장되고, 복수의 신호선 DL이 제2 방향(수직 방향)으로 연장되어 있다. 또한 화소 스위치 주사선 GL은 화소 스위치 제어 회로 YDV에 접속하고, 신호선 DL은 신호 입력 회로 XDV에 접속하고 있다. 화소 스위치 주사선 GL과 신호선 DL이 평면적으로 교차하는 점에 대응하여, 화소 회로 PX가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 본 도면에서는 1열×2행의 2개의 화소 회로 PX만 기재되어 있지만, 실제로는 화상출력을 행하기 위해서 많은 화소 회로 PX가 수평 방향 및 수직 방향으로 배열되어 있다. TV용의 유기 EL 디스플레이의 경우에는 예를 들면 1920(수평)×RGB×1080(수직)의 화소 회로 PX가 배열된다. 이하, n번째의 화소 스위치 주사선을 GL(n), m번째의 신호선을 DL(m) 등으로 표기한다. 여기서, n은 1 이상 화소 스위치 주사선의 개수 이하의 정수이고, m은 1 이상 신호선의 개수 이하의 정수이다. 또한 전원 배선 PW(m)와 접지 배선 GD(m)는, 표시 영역 내에서 서로 평행하게 수직방향으로 연장되어 배치되고, 전원 배선 PW(m)에는 플러스의 전원 전위가 공급되어 있다. 화소 스위치 제어 회로 YDV는, 1번째의 화소 스위치 주사선 GL(1)로부터 순서대로 화소 스위치 주사선 GL(2), 화소 스위치 주사선 GL(3), …에 대하여 주사 신호를 공급한다.

이하에서는 화소 스위치 주사선 GL(n)과 신호선 DL(m)에 대응하는 화소 회로 PX에 대하여 설명한다. 화소 회로 PX에는 유기 EL 소자(1)가 형성되어 있고, 유기 EL 소자(1)의 애노드단은 접지 배선 GD(m)에 접속되고, 캐소드단은 구동 TFT(2)의 소스에 접속되고, 구동 TFT(2)의 드레인은 부전압이 인가되는 전원 배선 PW(m)에 접속되어 있다. 구동 TFT(2)의 게이트-소스간에는 기억 용량(3)이 접속되어 있다. 또한 구동 TFT(2)의 게이트는 화소 스위치(4)를 통하여 신호선 DL(m)에 접속되어 있다. 또한 유기 EL 소자(1)의 캐소드단은 리세트 스위치(5)를 통하여 접지 배선 GD(m)에 접속되어 있다. 화소 스위치(4)는 화소 스위치 주사선 GL(n)에 접속되어, 화소 스위치 제어 회로 YDV에 의해 제어되어 있다. 또한 리세트 스위치(5)의 게이 트는 전단의 화소 회로 PX에 대응하는 화소 스위치 주사선 GL(n-1)에 접속되어 있다. 또한 여기서 전원 배선 PW(m)와 접지 배선 GD(m)는, 표시 영역 내에 병행하게 배치되어 있다.

표시 영역 내에서의 화소 회로 PX는 단일의 글래스 기판 상에 다결정 Si-TFT 소자를 이용하여 형성되어 있고, 신호 입력 회로 XDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV는 각각 복수의 단결정 Si 드라이버 IC 칩으로 구성되고, 단일의 글래스 기판 상에 실장되어 있다. 또한 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와는 달리, 구동 TFT(2), 화소 스위치(4), 및 리세트 스위치(5)는 모두 pMOS 트랜지스터이다.

이하에서는 본 실시 형태에서 화소 회로 PX에 입력되는 신호와 화소 회로 PX의 동작에 대한 상세를 설명한다. 도 6은 본 실시 형태에서의, 화소 스위치 주사선 GL(n-1)과, GL(n)과, 신호선 DL(m)과, 화소 회로 PX의 G점 및 S점의 전위의 파형을 도시하는 파형도이다. 본 도면에서의 화소 회로 PX의 G점 및 S점은 도 5에서의 화소 스위치 주사선 GL(n)에 대응하는 화소 회로 PX 내의 점이고, G점은 구동 TFT(2)의 게이트단, S점은 구동 TFT(2)의 소스단이다. 또한 도 6에서는 파형이 상측에 있을 수록 고전위이며, 좌우로 연장되는 파선은 접지 전위를 나타내고 있다.

화소 스위치 주사선 GL(n) 및 신호선 DL(m)에 대응하는 행의 화소 회로 PX(이하 대상 화소 회로라고 함)에의 화상 신호의 입력이 행해지는 것에 앞서, 그 전단의 화소 회로 PX에의 화상 신호의 입력이 행해진다. 그 때, TR의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n-1)의 전위가 로우 레벨(L)로 되어 주사 신호가 공급된다. 그에 의해, 대상 화소 회로에서 pMOS인 리세트 스위치(5)가 온으로 된다. 이 때 유기 EL 소자(1)의 애노드단과 캐소드단은 모두 접지 배선 GD(m)에 접속되어 접지 전위로 리세트되고, 동시에 기억 용량(3)의 일단도 접지 전위로 설정된다.

다음으로 화소 스위치 주사선 GL(n-1)의 전위가 하이 레벨(H)로 되어, 대상화소 회로의 리세트 스위치(5)가 오프로 된다. 계속해서 Ta의 타이밍에서 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 전위가 기본 전위 Vbase로 된다. 그 직후인 Tb의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n)의 전위가 로우 레벨인 주사 신호가 공급되어, 대상 화소 회로의 화소 스위치(4)가 온으로 된다. 이 때 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 전위는 기본 전위 Vbase이고, 이 기본 전위 Vbase는 기억 용량(3)과 구동 TFT(2)의 게이트단의 접속 노드인 G점에 인가되어, 구동 TFT(2)의 소스 단자에 전류가 흐른다. 이 때 리세트 스위치(5)는 이미 오프이기 때문에, 유기 EL 소자(1)가 갖는 기생 용량에 따라서 전하가 기입되어, 기억 용량(3)과 유기 EL 소자(1)의 애노드단 및 구동 TFT(2)의 소스단의 접속 노드인 S점의 전위는 도 6에 도시한 바와 같이 강하한다. 유기 EL 소자(1)의 저항과 기생 용량으로부터 정해지는 시상수 τ에 대하여 충분한 시간이 경과하면, 전류가 흐르지 않게 되어, S점의 전위는 (구동 TFT(2)의 게이트단인 G점의 전위)-(구동 TFT(2a)의 임계값 전압 Vth) 로 된다. 즉 이 시점에서, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는 (구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)의 전위차가 유지된다. 여기서, 기본 전위 Vbase는 각 화소 회로 내의 구동 TFT(2)에서 가장 낮은 임계값 전압 Vth보다 낮고, 유기 EL 소자(1)의 임계값 전압보다 높게 하는 것이 바람직하다.

그 후 Tc의 타이밍에서 신호선 DL(m)에 공급되는 화상 신호의 전위가 기본 전위 Vbase로부터, 휘도 전위 Vdata로 변경되면, 기억 용량(3)과 구동 TFT(2)의 게이트단의 접속 노드인 G점의 전위는 기본 전위 Vbase로부터 휘도 전위 Vdata로 재기입된다. 이 G점의 전위의 변화에 의해, 구동 TFT(2)의 소스단의 접속 노드인 S점의 전압은, 휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분만큼 다시 하강하려고 한다. 그러나 기억 용량(3)의 정전 용량(본 실시 형태에서는 100fF 정도)에 비해 유기 EL 소자(1)의 기생 용량(본 실시 형태에서는 수pF 정도) 쪽이 크기 때문에, S점에서의 전위 변동은 G점에서의 전위 변동만큼 고속은 아니다. 또한，G점은 화소 스위치(4)의 포화 동작에 의해 전압이 기입되는 것에 대하여, S점은 구동 TFT(2)의 비포화 동작에 의해 전압이 기입된다고 하는 것에 의해서도 S점에서의 전위 변동은 지연된다. 따라서 S점에서의 전위 변동이 작은 Td의 타이밍에서 화소 스위치 주사선 GL(n)의 전압을 하이 레벨로 하여 주사 신호의 공급을 멈추어, 대상 화소 회로의 화소 스위치(4)를 오프로 하면, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는, (구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)+(휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분)×k배의 전위차가 유지되게 된다. 화소 스위치(4)를 오프로 하면 G점은 고임피던스로 되기 때문에, 기억 용량(3)의 양단인 G점과 S점 사이에는 이 이상의 전위차는 주어 지지 않기 때문이다. 또한 여기서 「k배」는, 휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분에 의해 변동되는 변수이다.

이상의 동작에 의해, 기억 용량(3)은, 그 양단인 G점과 S점 사이에, (구동 TFT(2)의 임계값 전압 Vth)+(휘도 전위 Vdata와 기본 전위 Vbase의 차분)×k배의 전위차를 유지한다. 기억 용량(3)의 양단의 전위차는 그대로 구동 TFT(2)의 게이트-소스간 전압이기 때문에, 구동 TFT(2)는 유기 EL 소자(1)를, 상기의 전압에 상당하는 신호 전류로 구동하여, 대응하는 휘도로 발광시킨다.

이와 같이 하여 본 실시 형태에서의 복수의 화소로 이루어지는 유기 EL 디스플레이는, 불과 1개의 화소 스위치 주사선 GL을 이용하는 것만으로, 원하는 화상을 표시할 수 있다. 또한 전술한 제어에 의해 임계값 전압 Vth의 변동을 캔슬하여, 그에 기인하는 발광 소자의 전류량의 변동을 대폭 억제할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 휘도 변동이나, 경우에 따라서는 Vth시프트에 기인하는 휘도 소부라고 하는 화질상의 문제를 회피할 수 있다.

이상의 제3 실시 형태에 따른 화소 회로 PX에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 표시 영역 내에서의 화소를 단일의 글래스 기판 상에 다결정 Si-TFT 소자를 이용하여 구성하고, 신호 입력 회로 XDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV는 각각 복수의 단결정 Si 드라이버 IC 칩을 이용하여 글래스 기판 상에 구성하였다. 그러나 신호 입력 회로 XDV 및 화소 스위치 제어 회로 YDV는 화소와 마찬가지로 다결정 Si-TFT 소자를 이용하여 실현하는 것도 가능하다. 혹은 또한, 신호 입력 회로 XDV와 화소 스위치 제어 회로 YDV의 일부에는 다결정 Si-TFT 소자를 이용하고, 나머지 부분에 단결정 Si 드라이버 IC를 이용하는 조합에 의해 실현하는 것도 가능하다.

본 실시 형태에서는 특히 TFT로서 pMOS만을 사용하기 때문에, pMOS만으로 구성할 수 있는 유기/무기 반도체 박막을 트랜지스터에 이용하는 것도 가능하다. 또 본 실시 형태에서는 접지 배선 GD에는 접지 전압을 인가하는 것을 전제로 하여 설명하였지만, 전압은 상대값이기 때문에, 상기 인가 전압은 접지 전압에 상관없이, 다른 신호 전압이나 전원 전압 사이에서 기준으로 되는 전압이면 된다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 도시하는 도면.

도 2는 제1 실시 형태에 따른 화소 스위치 주사선과, 신호선과, 화소 회로의 G점 및 S점의 전위의 파형을 도시하는 파형도.

도 3은 글래스 기판 상에 형성되는 화소 회로의 단면도.

도 4는 제2 실시 형태에 따른 화소 스위치 주사선과, 신호선과, 화소 회로의 G점 및 S점의 전위의 파형을 도시하는 파형도.

도 5는 제3 실시 형태에 따른 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 도시하는 도면.

도 6은 제3 실시 형태에 따른 화소 스위치 주사선과, 신호선과, 화소 회로의 G점 및 S점의 전위의 파형을 도시하는 파형도.

도 7은 종래의 기술을 이용한 유기 EL 디스플레이의 회로 구성을 도시하는 도면.

도 8은 종래의 유기 EL 디스플레이에서의 1개의 화소 회로에 대한 화소 스위치 주사선 및 신호선의 전위의 파형을 도시하는 파형도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 유기 EL 소자

2 : TFT

3 : 기억 용량

4 : 화소 스위치

5 : 리세트 스위치

20 : 글래스 기판

21, 22, 23 : 층간 절연막

24 : 게이트

25 : 접속 배선

26 : 애노드 전극

27 : 캐소드 전극

Claims

제1 방향으로 연장되는 복수의 화소 주사선과, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 신호선과, 상기 화소 주사선과 상기 신호선의 교점에 대응하여 형성되는 복수의 화소 회로로서, 화소 주사선마다 상기 화소 회로에 대하여 순차 공급되는 주사 신호와 상기 신호선마다 상기 화소 회로에 대하여 공급되는 화상 신호에 의해 구동되는 복수의 화소 회로를 포함하는 회상 표시 장치로서,

상기 각 화소 회로는,

전류량을 조정하는 구동 트랜지스터와,

상기 구동 트랜지스터로부터 공급되는 전류량에 의해 휘도가 변화하는 발광 소자와,

해당 화소 회로를 구동하는 상기 주사 신호 및 상기 화상 신호에 기초하여 상기 화상 신호에 따른 전위를 발생하는 화소 스위치와,

일단에 상기 화소 스위치로부터 상기 전위가 공급되고, 타단에 공급되는 전위와의 전위차에 의해 상기 구동 트랜지스터가 공급하는 전류량을 제어하는 용량 소자와,

해당 화소 회로에 대응하는 상기 화소 주사선에 의해 공급되는 상기 주사 신호보다 먼저 다른 화소 주사선에 의해 공급되는 상기 주사 신호에 기초하여 상기 용량 소자의 상기 타단의 전위를 소정의 기준 상태로 설정하는 리세트 스위치

를 갖고,

상기 화상 신호는, 상기 발광 소자의 시상수보다 긴 시간 공급되는 미리 정해지는 기본 전위와 그 직후에 상기 기본 전위보다 짧은 시간 공급되는 발광 소자의 휘도에 대응하는 휘도 전위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 화소 스위치는 상기 용량 소자의 일단과 상기 신호선 사이에 설치되고,

상기 리세트 스위치의 일단은 상기 용량 소자의 타단과 접속되고,

상기 리세트 스위치의 타단에 기준 전위가 공급되고,

상기 발광 소자의 일단은 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고,

상기 발광 소자의 타단에 기준 전위가 공급되고,

상기 용량 소자의 상기 일단은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 접속되고,

상기 용량 소자의 상기 타단은 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고,

상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 전원 전위가 공급되는

것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 화소 스위치는 박막 트랜지스터이며, 그 게이트 전극은 해당 화소 회로에 대응하는 상기 화소 주사선에 접속되고,

상기 리세트 스위치는 박막 트랜지스터이며, 그 게이트 전극은 해당 화소 회로에 대응하는 상기 화소 주사선에 의해 공급되는 상기 주사 신호보다 먼저 상기 주사 신호를 공급하는 상기 화소 주사선에 접속되는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 주사 신호를 출력하기 위한 주사 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 화소 회로는, 절연 기판 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자이고,

상기 구동 트랜지스터는 n채널의 트랜지스터이고,

상기 발광 소자의 애노드는 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,

상기 발광 소자의 캐소드에는 상기 기준 전위가 공급되고,

상기 전원 전위는 상기 기준 전위보다 높은 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자이고,

상기 구동 트랜지스터는 p채널의 트랜지스터이고,

상기 발광 소자의 캐소드는 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,

상기 발광 소자의 애노드에는 상기 기준 전위가 공급되고,

상기 전원 전위는 상기 기준 전위보다 낮은 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
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