KR101072879B1 - 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법에 관한 것으로, 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드 용제에 테레프탈산, 티오닐 클로라이드 및 아마이드계 또는 아민계 촉매를 첨가하여 반응시키는 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고순도 테레프탈로일 클로라이드는 고기능성 섬유소재 및 전자소재 분야에 유용하게 사용된다.
테레프탈로일 클로라이드, 테레프탈산, 티오닐 클로라이드

Description

고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법{Process for preparing high purity terephthaloyl chloride}
본 발명은 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법에 관한 것으로, 반응온도가 비교적 낮고, 유독성의 염화물 용제 및 맹독성의 포스겐을 사용하지 않으면서, 경제적이고 보다 안전하게 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있는 제조방법에 관한 것이다.
테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride)는 합성섬유의 생산 과정에서 중간물질로 사용되는 저분자 화학물질로서 비스페놀류, 글리콜류 및 다이아민류와 같은 화합물과 반응하여 에스테르계 또는 아마이드계 중합체를 제조할 수 있는 고기능성 섬유 및 전자소재 분야에서 매우 중요한 화합물이다.
테레프탈로일 클로라이드를 사용하여 높은 분자량과 조절된 분자량 분포를 갖는 전자소재용 중합체를 제조하기 위해서는 고순도의 테레프탈로일 클로라이드를 제조하는 것이 매우 중요하다.
미국등록특허 제 4,129,594호에서는 메틸렌클로라이드를 반응 용제로 사용하고, 테레프탈산, 포스겐 및 촉매로 피리딘을 원료로 사용하여 20 내지 50 ℃에서 반응시켜 테레프탈로일 클로라이드를 제조하는 방법에 대해 개시하고 있고, 미국등록특허 제 3,869,485호에서는 모노카르복실산과 포스겐 및 촉매로 벤즈이미다졸(benzimidazole) 또는 벤조트리아졸(benzotriazole)을 원료로 사용하여, 상압 하에 100 내지 180 ℃의 높은 온도에서 반응시켜 모노카르복실산 클로라이드를 제조하는 방법을 개시하고 있다. 또한 영국특허 제 1,415,980호에서는 카르복실산, 포스겐 및 촉매로 3급 아민을 원료로 사용하여 120 내지 160 ℃의 높은 온도에서 반응시켜 카르복실산 클로라이드를 제조하는 방법에 대해 개시하고 있으나 상기의 종래 기술들은 모두 맹독성의 포스겐을 원료로 사용하고 있으며 반응온도 또한 상당히 높기 때문에 반응 중에 부반응이 발생될 확률이 높아 제품의 순도가 낮아지는 문제가 있다.
한편 낮은 온도에서 테레프탈로일 클로라이드를 제조하는 경우에는 메틸렌클로라이드와 같은 유독성의 염화물 용제가 사용되는 것을 확인할 수 있다.
테레프탈로일 클로라이드가 고기능성 섬유소재 및 전자소재 분야에 사용되기 위해서는 99 % 이상의 고순도로 제조되어야 하며, 특히 포스겐을 원료로 사용하는 경우에는 과량 사용된 포스겐을 회수하는 공정과 3회 이상의 정제 공정을 추가해야 하기 때문에 매우 비경제적이다. 따라서 반응온도가 비교적 낮고, 유독성의 염화물 용제 및 맹독성의 포스겐을 사용하지 않으면서, 경제적이고 보다 안전하게 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있는 기술의 개발이 절실히 필요한 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반응온도가 비교적 낮고, 유독성의 염화물 용제를 사용하지 않으면서, 경제적이고 보다 안전하게 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
구체적으로는 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드 자체를 반응용제로 사용하고, 종래의 포스겐 대신에 티오닐 클로라이드를 사용하는 경우 부산물의 생성을 최소화하고, 생성물에 추가적인 분리 및 정제 공정 없이도 고순도의 생성물을 얻는 새로운 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 고수율 및 고순도의 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명자들이 많은 연구를 한 결과, 놀랍게도 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드를 반응용제로 사용하고, 종래의 포스겐 대신에 티오닐 클로라이드를 사용함으로써 부산물의 생성을 최소화하고, 생성물에 추가적인 분리 및 정제 공정 없이도 경제적이고 보다 안전하게 고순도의 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있음을 알게 되어 본 발명을 완성하게 되었다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법에 관한 것으로, 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드 용제에 테레프탈산, 티오닐 클로라이드 및 아마이드계 또는 아민계 촉매를 첨가하여 반응시키는 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법에 관한 것이다.
테레프탈산과 티오닐 클로라이드의 반응으로 테레프탈로일 클로라이드를 합성할 때 테레프탈산은 용융점이 300 ℃ 이상으로 매우 높기 때문에 테레프탈산을 반응에 참여하지 않는 무 반응성 용매에 용해시켜 반응을 진행해야 한다. 이때 유용한 용제가 메틸렌 클로라이드와 같은 염화물 용제이다. 하지만 염화물 용제의 비등점이 낮아서 높은 반응온도로 반응을 진행시킬 경우, 반응 중 발생하는 부산물인 염화수소 및 이산화황에 의하여 반응기 밖으로 상당량의 염화물 용제가 유출되는 문제가 발생하여 경제적으로 테레프탈로일 클로라이드를 제조하기가 매우 어렵다. 따라서 반응온도를 높이기가 매우 곤란하며, 또 다른 유용한 반응용제로는 톨루엔 또는 크실렌과 같은 방향족 탄화수소류의 용제가 사용가능하나 방향족 탄화수소류의 용제들은 반응 원료인 티오닐 클로라이드와 반응하여 반응 생성물 내에 불순물을 형성하기 때문에 반응 원료인 티오닐 클라이드가 과량으로 사용되어 경제성이 나빠지고, 제품의 순도 또한 나빠지는 문제가 있다.
따라서 본 발명에서는 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드를 반응용제로 사용하고, 종래의 유독성 포스겐의 사용 대신 티오닐 클로라이드를 사용함으로써 부산물의 생성을 최소화하고, 생성물에 추가적인 분리공정 없이도 경제적이고 보다 안전하게 고순도의 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있게 되었다.
상기 반응용제로 사용되는 테레프탈로일 클로라이드(B)는 테레프탈산(A)과 몰 비(A : B) 1 : 0.5 내지 5로 사용되는 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는 몰 비(A : B) 1 : 0.5 내지 3으로 사용되는 것이다. 상기 범위로 사용되는 경우, 반응용제에 테레프탈산이 모두 용해되어 액상 반응이 가능해지나, 테레프탈로일 클로라이드가 과량으로 사용되는 경우에는 제조공정의 경제성이 과도하게 저하될 수 있다.
상기 아마이드계 또는 아민계 촉매는 테레프탈산 총 중량 대비 1 내지 10 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 2 내지 6 중량%로 사용되는 것이다. 상기 범위로 사용되는 경우, 촉매로 인한 부산물의 발생 없이 원활한 반응을 진행시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 아마이드계 촉매로는 다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide), 다이에틸포름아미드(N,N-diethylformamide), 다이메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide),다이에틸아세트아미드(N,N-diethylacetamide) 등이 사용될 수 있으며, 아민계 촉매로는 트라이에틸아민(tri-ethylamine), 다이메틸아민(di-methylamine), 다이에틸아민(di-ethylamine), 다이부틸아민(di-butylamine), 트리메틸아민(tri-methylamine), 트리부틸아민(tri-butylamine) 등이 사용될 수 있으나, 가장 좋게는 다이메틸포름아마이드를 사용할 수 있다.
상기 티오닐 클로라이드(C)는 테레프탈산(A)과 몰 비(A : C) 1 : 2 내지 4로 사용되는 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 몰 비(A : C) 1 : 2 내지 2.5로 사용되는 것이다. 상기 범위로 사용되는 경우, 고수율의 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있으며, 부산물 생성을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
티오닐 클로라이드는 반응용제로 사용되는 테레프탈로일 클로라이드에 쉽게 용해되기 때문에 반응 중 티오닐클 로라이드의 손실이 매우 적은 특성이 있고 반응성 또한 매우 우수하다. 본 발명의 제조방법에 있어서, 티오닐 클로라이드는 반응초기에 일괄 투입될 수도 있고, 반응진행 중에 적하 투입될 수도 있다. 티오닐 클로라이드를 적하투입하면, 부산물 생성을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 반응초기에 염화수소가 과도하게 발생하여 중합체가 형성되는 부반응 촉진을 저하시킬 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에서 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드 용제에 테레프탈산, 티오닐 클로라이드 및 아마이드계 또는 아민계 촉매를 첨가하여 반응시킬 때의 반응온도는 50 내지 150 ℃인 것이 바람직하다. 반응온도가 너무 낮으면 반응속도가 과도하게 느려져서 생산성이 저하될 수 있고, 너무 높으면 부반응이 발생하여 제품의 순도가 낮아지는 문제가 있다.
상기 반응 중에 부산물로 생성되는 염화수소 및 이산화황은 반응기에 연결된 흡수탑 내의 순환액에 의해 중화 되어 제거할 수 있으며, 순환액으로는 가성소다 수용액, 수산화칼륨 수용액 및 수산화리튬 수용액 등이 사용될 수 있으나 경제성을 고려할 때 가성소다 수용액이 가장 적합하다.
또한 상기의 부산물과 함께 반응 중에 반응기 밖으로 유출되는 티오닐 클로 라이드의 증발 유출을 방지하기 위하여 반응기 상부에 연결된 열교환기에 의해 응축 시켜 반응기로 다시 환류 시키는 것이 바람직하다. 이 때 열교환기에 공급되는 냉매의 온도는 -10 내지 -25 ℃로 낮은 것이 바람직하며, 냉매 온도가 너무 높으면 티오닐 클로라이드의 손실이 많아지는 문제가 있다.
반응이 종결된 후에는 반응 생성물에 잔존할 수 있는 염화수소, 이산화황 및 미반응 티오닐 클로라이드를 100 내지 120 ℃에서 50 내지 100 mmHg로 감압 증류하여 완전히 제거하고, 100 내지 110 ℃에서 3 내지 7 mmHg의 낮은 압력으로 다시 감압 증류하여 고순도의 제품을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 테레프탈로일 클로라이드 제조를 위한 반응 장치의 개략도를 나타낸 것으로, 반응 중에 반응기(1)로 부터 발생한 염화수소, 이산화황 및 미반응 티오닐 클로라이드는 제1파이프(6)를 통하여 열교환기(2)로 유입된다. 비점이 높은 티오닐 클로라이드는 열교환기(2)에서 응축되어 제2파이프(7)를 통해 반응기로 환류 되는 것으로, 반응물인 티오닐 클로라이드의 유실을 최소화 한다. 이 때 제2파이프(7)에 부착된 밸브는 열려있고, 제품저장조(13)로 향하는 제3파이프(8)에 부착된 밸브는 닫혀있는 상태이다. 열교환기(2)의 온도를 낮은 상태로 유지하기 위하여 냉매가 제8파이프(14)를 통하여 열교환기에 공급되고, 제9파이프(15)를 통하여 냉각기로 순환된다. 반응 중 열교환기(2)에서 응축되지 않는 염화수소 및 이산화황 가스는 제4파이프(9)를 통하여 흡수탑(3)으로 유입된 후 순환펌프(5)에 의해 순환액인 가성소다 수용액에 의하여 중화되어 제거된다. 흡수탑(3) 내부는 충진물이 채워져 있는 것이 바람직하며, 충진물은 순환되는 가성소다 수용액과 염화수소 및 이산화황의 혼합가스와 접촉면적을 향상시키기 위하여 사용된다. 상기 충진물로는 내산성을 갖는 세라믹 또는 플라스틱 재질의 일반적인 다공성 재료이면 무방하다. 반응이 종료되면 감압펌프(4)를 이용하여 감압 하에서 잔류하는 염화수소, 이산화황 및 미반응 티오닐클라이드를 제거한다. 상기의 저비점 물질의 제거가 완료된 후, 제품의 증류를 시행하는 데 이때, 제2파이프(7)에 부착된 밸브는 닫고, 제3파이프(8)에 부착된 밸브를 열어, 열교환기(2)에서 응축된 테레프탈로일 클로라이드를 제품저장조(13)에서 얻는다. 제5파이프(10)는 흡수탑(3)과 감압펌프를 연결하기 위한 것이고, 제6파이프(11)는 가성소다 수용액의 순환용이며, 제7파이프(12)는 중화가 완료된 가성소다 수용액을 외부로 방출하는 파이프이다.
본 발명에 따른 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법은 반응온도가 비교적 낮고, 유독성의 염화물 용제 및 맹독성의 포스겐을 사용하지 않으면서, 경제적이고 보다 안전하게 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있으며, 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드를 반응용제로 사용하고, 종래의 포스겐 대신에 티오닐 클로라이드를 사용함으로써 부산물의 생성을 최소화하고, 생성물에 추가적인 분리 및 정제 공정 없이도 고순도의 생성물을 얻는 새로운 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한 본 발명은 고기능성 섬유소재 및 전자소재 분야에 유용하게 사용될 수 있는 고수율 및 고순도의 테레프탈로일 클로라이드를 제조하는데 효과가 있다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명하나, 이는 발명의 구성 및 효과를 이해시키기 위한 것 일뿐, 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
[실시예 1]
환류냉각관이 설치된 1000 mL 4구 플라스크 반응기에 온도계와 교반기를 설치하고, 상온에서 테레프탈로일 클로라이드 300 g(1.5 몰)을 투입한 후, 90 ℃로 승온하였다. 테레프탈산 200 g(1.2 몰)과 촉매로서 다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide) 8 g을 투입한 후, 완전히 용해되면 티오닐 클로라이드(thionyl chloride) 286.5 g(2.4 몰)을 8 시간에 걸쳐 서서히 적하투입하면서 반응을 진행시켰다. 티오닐 클로라이드의 투입이 완료되면 반응온도를 100 ℃로 승온하고, 3 시간 동안 더 반응을 진행시켰다.
반응 진행 중에 발생되는 염화수소와 이산화황은, 환류냉각관의 상부에 연결된 배출튜브를 통하여 반응기 밖으로 배출시키는데, 배출튜브의 다른 쪽 끝은 흡수탑(20 % 가성소다 수용액이 담겨있는 500 mL 용량의 플라스크)에 연결시켰다. 반응기로부터 배출된 염화수소와 이산화황은 흡수탑 내의 20 %의 가성소다 수용액과 접촉하여 중화 반응을 통하여 제거되었다. 또한 반응 중 티오닐 클로라이드의 증발 유출을 방지하기 위하여 열교환기의 냉매 온도는 -10 ℃로 유지하였다. 110 ℃에서 70 mmHg로 감압 증류하여 반응기 내에 잔존하는 염화수소와 이산화황, 미반응 티오닐 클로라이드를 완전히 제거하였다. 염화수소와 이산화황, 미반응 티오닐 클로라 이드의 제거가 완료된 후, 다시 100 ℃에서 5 mmHg로 감압 증류하여 테레프탈로일 클로라이드 530 g(2.63 몰)을 얻었다. 제품의 수율은 94 %이었고, 도 2는 실시예 1의 액체 크로마토그래피 분석 결과로서, 액체 크로마토그래피의 이동상으로는 1 %의 아세트산을 함유하는 초순수와 메탄올을 각각 동량을 섞어 사용하였으며, 컬럼은 길이 150 mm, 직경 4.6 mm의 C18 실리카겔이 충진된 역상 컬럼을 사용하였다. 테레프탈로일 클로라이드 20 mg을 메탄올 10 mL에 넣고 30분 간 방치한 후 액체크로마토그래피로 분석한 결과 99.93 %의 테레프탈로일 클로라이드와 667 ppm의 4-(chlorocarbonyl)benzoic acid가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 2]
티오닐 클로라이드 286.5 g(2.4 몰)을 적하 투입 하지 않고, 한 번에 투입하여 반응시키는 것을 제외하고는 실시 예 1과 동일하게 실시하여 테레프탈로일 클로라이드 523 g(2.6 몰)을 얻었다. 제품의 수율은 92 %이다.
도 3은 실시예 2의 액체 크로마토그래피 분석 결과로서, 액체 크로마토그래피의 분석방법은 실시예 1과 동일하며, 99.93 %의 테레프탈로일 클로라이드와 703 ppm의 4-(chlorocarbonyl)benzoic acid가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
[실시예 3]
티오닐 클로라이드 356.9 g(3.0 몰)을 2 시간에 걸쳐 적하투입하면서 반응시키는 것을 제외하고는 실시 예 1과 동일하게 실시하여 테레프탈로일 클로라이드 537 g(2.66 몰)을 얻었다. 제품의 수율은 97 %이었고, 도 4는 실시예 3의 액체 크로마토그래피 분석 결과로서, 액체 크로마토그래피의 분석방법은 실시예1과 동일하 며, 99.90 %의 테레프탈로일 클로라이드와 981 ppm의 4-(chlorocarbonyl)benzoic acid가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
[비교예 1]
환류냉각관이 설치된 1000 mL 4구 플라스크 반응기에 온도계와 교반기를 설치하고, 상온에서 톨루엔 500 mL, 테레프탈산 249.2 g(1.5 몰)과 촉매로서 다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide) 10 g을 투입한 후, 80 ℃로 승온하였다. 완전히 용해되면 티오닐 클로라이드(thionyl chloride) 416.4 g(3.5 몰)을 10 시간에 걸쳐 서서히 적하투입하면서 반응을 진행시켰다. 티오닐 클로라이드의 투입이 완료되면 반응온도를 100 ℃로 승온하고, 3 시간 동안 더 반응을 진행시켰다.
반응 진행 중에 발생되는 염화수소와 이산화황은, 환류냉각관의 상부에 연결된 배출튜브를 통하여 반응기 밖으로 배출시키는데, 배출튜브의 다른 쪽 끝은 흡수탑(20 % 가성소다 수용액이 담겨있는 500 mL 용량의 플라스크)에 연결시켰다. 반응기로부터 배출된 염화수소와 이산화황은 흡수탑 내의 20 %의 가성소다 수용액과 접촉하여 중화 반응을 통하여 제거되었다. 또한 반응 중 티오닐 클로라이드의 증발 유출을 방지하기 위하여 열교환기의 냉매 온도는 -10 ℃로 유지하였다. 120 ℃에서 70 mmHg로 감압 증류하여 반응기 내에 잔존하는 미반응 티오닐 클로라이드와 반응용제인 톨루엔을 완전히 제거하였다. 미반응 티오닐 클로라이드와 톨루엔의 제거가 완료된 후, 다시 100 ℃에서 5 mmHg로 감압 증류하여 테레프탈로일 클로라이드 274 g(1.35 몰)을 얻었다. 제품의 수율은 90 %이었고, 도 5는 비교예 1의 액체 크로마토그래피 분석 결과로서, 액체 크로마토그래피의 분석방법은 실시예 1과 동일하며, 96.0 %의 테레프탈로일 클로라이드와 981 ppm의 4-(chlorocarbonyl)benzoic acid가 존재하는 것을 확인할 수 있었다. 그러나 그 이외에도 7,798 ppm과 1,108 ppm의 불순물이 존재하는 것을 확인하였으며, 반응 중 발생하는 불순물로는 4-methylbenzoyl chloride, 4-formylbenzoyl chloride, dimethylcarbamic chloride 등이 있다.
[비교예 2]
환류냉각관이 설치된 1000 mL 4구 플라스크 반응기에 온도계와 교반기를 설치하고, 상온에서 메틸렌클로라이드 500 mL, 테레프탈산 249.2 g(1.5 몰)과 촉매로서 다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide) 10 g을 투입한 후, 40 ℃로 승온하였다. 완전히 용해되면 티오닐 클로라이드(thionyl chloride) 356.9 g(3.0 몰)을 10 시간에 걸쳐 서서히 적하투입하면서 반응을 진행시켰다. 티오닐 클로라이드의 투입이 완료되면 반응온도 40 ℃에서 3 시간 동안 더 반응을 진행시켰다.
반응 진행 중에 발생되는 염화수소와 이산화황은, 환류냉각관의 상부에 연결된 배출튜브를 통하여 반응기 밖으로 배출시키는데, 배출튜브의 다른 쪽 끝은 흡수탑(20 % 가성소다 수용액이 담겨있는 500 mL 용량의 플라스크)에 연결시켰다. 반응기로부터 배출된 염화수소와 이산화황은 흡수탑 내의 20 %의 가성소다 수용액과 접촉하여 중화 반응을 통하여 제거되었다. 또한 반응 중 티오닐 클로라이드의 증발 유출을 방지하기 위하여 열교환기의 냉매 온도는 -10 ℃로 유지하였다. 100 ℃에서 70 mmHg로 감압 증류하여 반응기 내에 잔존하는 미반응 티오닐 클로라이드와 반응용제인 메틸렌클로라이드를 완전히 제거하였다. 미반응 티오닐 클로라이드와 메틸 렌클로라이드의 제거가 완료된 후, 다시 100 ℃에서 5 mmHg로 감압 증류하여 테레프탈로일 클로라이드 183 g(0.9 몰)을 얻었다. 제품의 수율은 60 %로 매우 낮았고, 도 6은 비교예 2의 액체 크로마토그래피 분석 결과로서, 액체 크로마토그래피의 분석방법은 실시예1과 동일하며, 96.5 %의 테레프탈로일 클로라이드와 2,874 ppm의 4-(chlorocarbonyl)benzoic acid가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.
상기 실시예 및 비교예의 분석 결과를 통하여 테레프탈로일 클로라이드의 제제조 시 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드를 반응용제로 사용하는 경우, 수율이 증가되는 동시에 순도가 매우 높아지는 것을 확인할 수 있었다. 또한 티오닐 클로라이드를 과량 사용하지 않고도 반응물인 테레프탈산을 모두 생성물인 테레프탈로일 클로라이드로 전환할 수 있으므로 인해 생성물에 추가적인 분리 및 정제 공정 없이도 99.7 % 이상의 고순도 테레프탈로일 클로라이드를 제조할 수 있었다.
또한 본 발명의 고순도 테레프탈로일 클로라이드는 고기능성 섬유소재 및 전자소재 분야에 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 테레프탈로일 클로라이드 제조를 위한 반응 장치의 개략도.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
1: 반응기 2: 열교환기
3: 흡수탑 4: 감압펌프
5: 순환펌프 6: 제1파이프
7: 제2파이프 8: 제3파이프
9: 제4파이프 10: 제5파이프
11: 제6파이프 12: 제7파이프
13: 제품저장조 14: 제8파이프
15: 제9파이프
도 2는 실시예 1에 따른 액체 크로마토그래피 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 2에 따른 액체 크로마토그래피 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 3에 따른 액체 크로마토그래피 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 5는 비교예 1에 따른 액체 크로마토그래피 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 6은 비교예 2에 따른 액체 크로마토그래피 분석 결과를 나타낸 것이다.

Claims (6)

  1. (B) 반응 생성물인 테레프탈로일 클로라이드 용제에, (A) 테레프탈산, (C) 티오닐 클로라이드 및 (D) 다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide), 다이에틸포름아미드(N,N-diethylformamide), 다이메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide) 및 다이에틸아세트아미드(N,N-diethylacetamide) 중에서 선택되는 아마이드계 촉매 또는 트라이에틸아민(tri-ethylamine), 다이메틸아민(di-methylamine), 다이에틸아민(di-ethylamine), 다이부틸아민(di-butylamine), 트리메틸아민(tri-methylamine) 및 트리부틸아민(tri-butylamine) 중에서 선택되는 아민계 촉매를 첨가하여 반응시키며;
    티오닐 클로라이드(C)는 테레프탈산(A)과 몰 비(A : C) 1:2 내지 2.5로 사용되는 고순도 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 테레프탈로일 클로라이드(B)는 테레프탈산(A)과 몰 비(A : B) 1 : 0.5 내지 5로 사용되는 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 아마이드계 촉매 또는 아민계 촉매는 테레프탈산 총 중량 대비 1 내지 10 중량%로 사용되는 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반응 중에 생성되는 부산물은 흡수탑 내의 순환액에 의해 제거되며, 순환액은 가성소다 수용액, 수산화칼륨 수용액 및 수산화리튬 수용액 중에서 선택되는 것인 테레프탈로일 클로라이드의 제조방법.
  6. 삭제
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