KR101071221B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

반도체 발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101071221B1
KR101071221B1 KR1020090114912A KR20090114912A KR101071221B1 KR 101071221 B1 KR101071221 B1 KR 101071221B1 KR 1020090114912 A KR1020090114912 A KR 1020090114912A KR 20090114912 A KR20090114912 A KR 20090114912A KR 101071221 B1 KR101071221 B1 KR 101071221B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
branch
electrode
metal wire
equipotential
Prior art date
Application number
KR1020090114912A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110058207A (ko
Inventor
박은현
Original Assignee
주식회사 세미콘라이트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 세미콘라이트 filed Critical 주식회사 세미콘라이트
Priority to KR1020090114912A priority Critical patent/KR101071221B1/ko
Publication of KR20110058207A publication Critical patent/KR20110058207A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101071221B1 publication Critical patent/KR101071221B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 개시는, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층; 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층; 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되는 활성층; 제1 반도체층에 구비되는 제1 패드 전극; 및 제1 패드 전극과 분리되고, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 등전위 금속선;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
전기전자, 반도체, 발광소자, 등전위, 가지금속선, 전류밀도, 발광효율

Description

반도체 발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자의 발광효율에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자(10)는, n형 반도체층(11), p형 반도체층(13) 및 이들 사이에 개재되는 활성층(12)을 포함하며, n형 반도체층(11)에 구비되는 n측 전극(11a)과 p형 반도체층(13)에 구비되는 p측 전극(13a) 사이의 전류에 의해 활성층(12)에서 빛이 발생된 다.
그러나, p측 전극(13a)과 n측 전극(11a) 사이의 전류의 경로에 따른 저항의 차이로 인해 활성층(12)에서 전류의 밀도 차이가 발생되며, 이는 불균일한 발광의 원인이 되었다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 전극구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자(20)는, n형 반도체층(21), p형 반도체층(23), n측 전극(21a) 및 p측 전극(23a)과 함께, n측 전극(21a)과 p측 전극(23a)으로부터 연장되는 n측 가지 전극(21b)과 p측 가지 전극(23b)을 더 구비한다.
이는, n측 가지 전극(21b)과 p측 가지 전극(23b) 사이에 발생되는 전류에 의해 불균일한 발광을 개선하기 위함이다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층; 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층; 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되는 활성층; 제1 반도체층에 구비되는 제1 패드 전극; 및 제1 패드 전극과 분리되고, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 등전위 금속선;을 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다.
여기서, 제1 패드 전극은 p측 패드 전극 또는 n측 패드 전극이 될 수 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면, 도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 일 예를 보인 도면으로서, 반도체 발광소자(100)는, 제1 반도체층(110), 제2 반도체층(130), 활성층(120), p측 패드 전극(111) 및 등전위 금속선(150)을 포함한다.
활성층(120)은 제1 반도체층(110)과 제2 반도체층(130)의 사이에 개재되며, 제1 반도체층(110), 제2 반도체층(130), 활성층(120)은, 3족 질화물 반도체, 즉 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 구비될 수 있다. 이와 달리, 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 화합물로 구비될 수 있음은 물론이다.
제1 반도체층(110)과 제2 반도체층(130)은 서로 다른 도전성을 가지도록 구비된다. 일 예로, 제1 반도체층(110)은 p형 반도체층, 제2 반도체층(130)은 n형 반도체층으로 구비될 수 있다.
그리고, 반도체 발광소자(100)에 전류의 공급을 위해, p측 패드 전극(111)과 n측 패드 전극(131)이 구비된다.
p측 패드 전극(111)은, 제1 반도체층(110)에 구비되며, n측 패드 전극(131)은 제2 반도체층(130)에 구비된다.
제1 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 반도체층(130)이 사파이어(Al2O3) 등과 같은 전기 절연성 기판 위에 성장되는 경우, p측 패드 전극(111)과 n측 패드 전극(131)은 같은 방향을 향하도록 구비되나, 전기 전도성 기판 위에 성장되거나 전기 절연성 기판이 제거된 경우 p측 패드 전극(111)과 n측 패드 전극(131)이 서로 반대 방향으로 구비될 수도 있을 것이다.
등전위 금속선(150)은, p측 패드 전극(111)과 분리되어 구비되며, 제1 반도체층(110)과 전기적으로 연결되게 구비된다.
이와 다르게, 등전위 금속선(150)은 n측 패드 전극(131)과 분리되어 구비되며, 제1 반도체층(110)과 전기적으로 연결되게 구비될 수도 있다.
등전위 금속선(150)과 제1 반도체층(110)의 전기적 연결을 위해, 제1 반도체층(110)의 상면에 구비되며, p측 패드 전극(111)과 연결되고, 전기 전도성을 가진 투광성 전극(140)(light-transmitting electrode)에 등전위 금속선(150)이 구비될 수 있다.
투광성 전극(140)은, 활성층(120)에서 발생된 빛을 투과시키며, p측 패드 전극(111)과 연결되어 제1 반도체층(110)으로의 전류 확산을 가능하게 한다.
이와 달리, 등전위 금속선(150)은, 제1 반도체층(110) 또는 제2 반도체층(130)에 직접 구비됨으로써, 제1 반도체층(110) 또는 제2 반도체층(130)에 전기적으로 연결될 수 있다.
등전위 금속선(150)은, 전기 전도도가 높은 금속 즉, 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 몰리브덴 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 구비될 수 있다.
이에 의해, 등전위 금속선(150)에 의해 A점과 B점에 등전위가 형성되게 되므 로, A점과 B점으로부터 활성층(120) 방향, 즉 수직 방향으로 균일한 전류 흐름이 유도되게 된다.
여기서, p측 패드 전극(111)과 등전위 금속선(150) 사이의 물질은 투광성 전극(140) 또는 제1 반도체층(110)으로 정해진 것이므로, 등전위 금속선(150)의 전위는 등전위 금속선(150)의 폭(w) 및 등전위 금속선(150)과 p측 패드 전극(111) 사이의 간격(d)에 의해 결정될 수 있다.
다만, 등전위 금속선(150)의 폭(w)이 너무 작은 경우 등전위 금속선(150)의 제작이 곤란해지는 점과, 등전위 금속선(150)의 폭(w)이 너무 큰 경우 등전위 금속선(150)이 빛의 방출을 방해하여 반도체 발광소자(100)의 발광 효율을 떨어뜨릴 수 있는 점을 고려하여, 등전위 금속선(150)의 폭(w)은 0.5um ~ 20um의 범위 내에서 정하는 것이 바람직하다.
또한, 등전위 금속선(150)과 p측 패드 전극(111) 사이의 간격(d)이 너무 작은 경우 간격(d)의 형성이 곤란해지는 점과, 등전위 금속선(150)과 p측 패드 전극(111) 사이의 간격(d)이 너무 큰 경우 등전위 금속선(150)과 p측 패드 전극(111) 사이의 저항이 과도하게 증가되어 전류 균일성의 개선 효과가 떨어질 수 있는 점을 고려하여, 등전위 금속선(150)과 p측 패드 전극(111) 사이의 간격(d)은 0.5um ~ 50um의 범위 내에서 정하는 것이 바람직하다.
여기서, 간격(d)은, 등전위 금속선(150)의 길이 방향으로 p측 패드 전극(111)과 이격된 거리에 한정되지 않으며, 등전위 금속선(150)의 폭 방향으로 p측 패드 전극(111)과 이격된 거리를 포함하는 의미이다.
도 5는 반도체 발광소자의 다양한 전극 구조에 대한 전류 분포도를 보인 도면으로서, (a)는 제1,2 패드 전극만 구비된 경우, (b)는 제1 패드 전극과 연결된 가지 전극이 구비된 경우, (c)는 본 개시에 따른 등전위 금속선이 구비된 경우이다.
시뮬레이션을 위해, 반도체 발광소자의 크기는 600×250um2이며, 투광성 전극의 시트 저항은 50ohm/□, 제2 반도체층의 시트 저항은 15ohm/□, 제1 패드 전극은 직경이 100um인 원형으로 가정하였다. 여기서 ohm/□ = ohm/sq = Ω/□ = 표면저항(Sheet resistance)를 의미한다.
(a)의 경우, Vf1(20mA)이 3.18V 및 전류 밀도 표준 편차가 2.130A/cm2의 결과를 보이고 있으며, 전류가 p측 패드 전극 부근으로 집중됨을 알 수 있다.
(b)의 경우, Vf1(20mA)이 3.07V 및 전류 밀도 표준 편차가 1.615A/cm2의 결과를 보이고 있으며, 가지 전극에 의해 순방향 전압(Vf1)이 낮아지고, 전류의 분포도 개선됨을 알 수 있다.
그러나, 전류가 가지 전극의 끝부분과 제2 패드 전극 주변으로 집중되고, 상대적으로 p측 패드 전극의 주변, 특히 p측 패드 전극의 왼쪽 부분에서 전류밀도가 매우 낮음을 알 수 있다.
(c)의 경우, Vf1(20mA)이 3.1V 및 전류 밀도 표준 편차가 1.106A/cm2의 결과를 보이고 있다. (b)에 비해 순방향 전압(Vf1)이 약간 높아졌으나, 전류의 분포도가 크게 개선됨을 알 수 있다.
또한, 반도체 발광소자 전체에 걸쳐서 균일한 발광을 보여주고 있다.
도 6은 도 4의 전극 구조의 다른 예들을 보인 도면으로서, 등전위 금속선(250)은, (a)와 같이 두 개 이상의 직선 금속선이 평행하게 배치되거나, (b)와 같이 두 개 이상의 직선 금속선이 교차되어 배치되거나, (c)(d)와 같이 개곡선(open curve) 또는 폐곡선(closed curve)으로 배치되거나, 이들의 조합으로 구성될 수 있다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 도 4의 구성과 함께 제1 가지 금속선(351)이 더 구비될 수 있다.
제1 가지 금속선(351)은, 등전위 금속선(350)과 연결되며, p측 패드 전극(311)의 외연을 따라 위치된다.
여기서, 제1 가지 금속선(351)은 등전위 금속선(350)과 동일한 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 제1 가지 금속선(351)이 p측 패드 전극(311), 제1 반도체층(310)에 구비되는 것에 한정되지 않으며, 제2 반도체층(330)과 전기적으로 연결되게 구비되는 등전위 금속선(미도시)에 구비될 수 있음은 물론이다.
이에 의해, 등전위 금속선(350)의 전위가 보다 용이하게 제어될 수 있다.
즉, 제1 가지 금속선(351)을 이용하면 p측 패드 전극(311)과 간격(d)의 조절이 용이해지며, 특히 등전위 금속선(350)의 전위가 제1 가지 금속선(351)의 길이에 의해 결정되므로 등전위 금속선(350)의 폭(w)을 과도하게 증가시키지 않으면서도 등전위 금속선(350)의 전위 제어가 가능해지는 이점을 가질 수 있다.
여기서, 제1 가지 금속선(351)은 (a)와 같이 개곡선으로 구비되거나, (b)와 같이 폐곡선으로 구비될 수 있다. 그리고, (c)와 같이 둘 이상의 p측 패드 전극(311) 또는 n측 패드 전극(331)이 구비되는 경우에도 적용될 수 있다.
또한, p측 패드 전극(311)의 외연에 따라 다각형 등으로 변경될 수 있음은 물론이다.
한편, 제1 가지 금속선(351)과 p측 패드 전극(311) 사이의 간격(d)이 너무 작은 경우 간격(d)의 형성이 곤란해지는 점과, 제1 가지 금속선(351)과 p측 패드 전극(311) 사이의 간격(d)이 너무 큰 경우 제1 가지 금속선(351)과 p측 패드 전극(311) 사이의 저항이 과도하게 증가되어 전류 균일성의 개선 효과가 떨어질 수 있는 점을 고려하여, 제1 가지 금속선(351)과 p측 패드 전극(311) 사이의 간격(d)은 0.5um ~ 50um의 범위 내에서 정하는 것이 바람직하다.
여기서, 간격(d)은, 제1 가지 금속선(351)의 길이 방향으로 p측 패드 전극(311)과 이격된 거리에 한정되지 않으며, 제1 가지 금속선(351)의 폭 방향으로 p측 패드 전극(311)과 이격된 거리를 포함하는 의미이다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 도 4의 구성과 함께 가지 전극(413), 제2,3 가지 금속선(453,455)이 더 구비될 수 있다.
가지 전극(413)은 p측 패드 전극(411) 뿐만 아니라, n측 패드 전극(431)으로부터 뻗어 나오게 구비되는 것이 가능하나, 이하에서는 제1 반도체층(410)과 전기적으로 연결되게 p측 패드 전극(411)으로부터 뻗어나오며, 등전위 금속선(450)과는 공간적으로 분리되게 구비되는 경우에 대해 설명한다.
가지 전극(413)에 의해 전류 밀도의 불균일은 p측 패드 전극(411)만 구비된 경우에 비해 향상될 수 있으나, 등전위 금속선(450) 및 제2,3 가지 금속선(453,455)에 의해 더욱 향상될 수 있다.
또한, 등전위 금속선(450) 또는 제2,3 가지 금속선(453,455)과, 가지 전극(413)에 의해 등전위 금속선(450)의 전위 제어가 보다 정확하게 이루어지는 이점을 가질 수 있다.
특히, 제2,3 가지 금속선(453,455)을 이용하면 가지 전극(413)과 간격(d)의 조절이 용이해지며, 특히 등전위 금속선(450)의 전위가 제2,3 가지 금속선(453,455)의 길이에 의해 결정되므로 등전위 금속선(450)의 폭(w)을 과도하게 증가시키지 않으면서도 등전위 금속선(450)의 전위 제어가 가능해지는 이점을 가질 수 있다.
여기서, 제2,3 가지 금속선(453,455)은, (a)(b)와 같이 가지 전극(413)과 마주하게 위치될 수 있으며, (c)와 같이 가지 전극(413)이 제2 가지 금속선(453)과 제3 가지 금속선(455) 사이에 위치될 수 있다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 또 다른 예를 보인 도면으로서, 도 8에 있어서 제1,2 서브 가지 전극(515,517)을 더 포함할 수 있다.
제1,2 서브 가지 전극(515,517)은 가지 전극(513)으로부터 뻗어 나와 형성되며, 도 8에서 제2,3 가지 금속선(453,455)의 기능을 대신 하거나, 제2,3 가지 금속선(453,455)과 함께 구비되어 등전위 금속선(550)의 전위를 제어할 수 있다.
한편, 도 8과 도 9의 예에 있어서, 등전위 금속선(450)와 제2,3 가지 금속선(453,455) 중 어느 하나와, 가지 전극(413)과 p측 패드 전극(411)과 제1,2 서브 가지 전극(515,517) 중 어느 하나의 간격(d)은, 앞서 설명한 바와 같이 용이한 간격(d) 형성과 전류의 균일성 개선 효과의 저하 방지를 위해 0.5um ~ 50um의 범위 내에서 정하는 것이 바람직하다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1). 제1 패드 전극의 외연을 따라 위치되고, 등전위 금속선과 연결되는 제1 가지 금속선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
등전위 금속선이 패드 전극과 분리되게 구비됨으로써 전류 밀도의 불균일이 효과적으로 개선될 수 있다.
(2). 등전위 금속선과 연결되며, 가지 전극과 마주하게 위치되는 제2 가지 금속선;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
가지 전극과 가지 금속선에 의해 전류 밀도의 불균일이 보다 용이하게 개선될 수 있다.
(3). 제2 가지 금속선과 같은 등전위 금속선에 연결되며, 가지 전극과 마주 하게 위치되는 제3 가지 금속선;을 더 포함하며, 가지 전극은 제2 가지 금속선과 제3 가지 금속선 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4). 등전위 금속선 및 제1,2 가지 금속선 중 적어도 하나는, 제1 패드 전극 또는 가지 전극과 0.5um ~ 50um의 간격(d)을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
간격(d)이 0.5um 이상으로 구비됨으로써 간격(d) 형성 공정상의 어려움이 제거될 수 있으며, 간격(d)이 50um 이하로 구비됨으로써, 과도한 간격(d)으로 인해 전류 균일성의 개선 효과가 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 패드 전극과 분리된 등전위 금속선을 구비함으로써, 전류의 불균일이 개선되어 발광 효율이 향상되는 이점을 가질 수 있다.
또한 본 개시에 따른 다른 반도체 발광소자에 의하면, 가지 금속선을 구비함으로써, 등전위 금속선의 전위 제어가 용이해져 전류의 불균일이 효과적으로 개선되는 이점을 가질 수 있다.
도 1은 종래 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 전극구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보인 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 일 예를 보인 도면,
도 5는 반도체 발광소자의 다양한 전극 구조에 대한 전류 분포도를 보인 도면,
도 6은 도 4의 전극 구조의 다른 예들을 보인 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 또 다른 예를 보인 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 또 다른 예를 보인 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 전극 구조의 또 다른 예를 보인 도면.

Claims (16)

  1. 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층;
    제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층;
    제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되는 활성층;
    제1 반도체층에 구비되는 p측 패드 전극;
    p측 패드 전극과 분리되고, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 등전위 금속선; 그리고
    등전위 금속선과 연결되며, p측 패드 전극과 마주하게 위치하는 제1 가지 금속선;으로서, 등전위 금속선의 전위 제어를 위해 p측 패드 전극과 제1 가지 금속선 사이의 간격이 선택된 제1 가지 금속선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    제1 가지 금속선은, p측 패드 전극의 외연을 따라 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 3에 있어서,
    제1 가지 금속선은, 내부에 p측 패드 전극이 위치되는 폐곡선으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    p측 패드 전극으로부터 뻗어나오며, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되고, 등전위 금속선과 분리된 가지 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    등전위 금속선과 연결되며, 가지 전극과 마주하게 위치되는 제2 가지 금속선;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층;
    제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층;
    제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되는 활성층;
    제1 반도체층에 구비되는 제1 패드 전극;
    제1 패드 전극과 분리되고, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 등전위 금속선;
    등전위 금속선과 연결된 제1 가지 금속선;
    등전위 금속선과 연결된 제2 가지 금속선; 그리고
    제1 패드 전극으로부터 뻗어나오며, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되고, 등전위 금속선과 분리된 가지 전극;으로서, 제1 가지 금속선과 제2 가지 금속선 사이에 위치되는 가지전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 5에 있어서,
    가지 전극과 연결되며, 등전위 금속선과 마주하게 위치되는 제1 서브 가지 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층;
    제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층;
    제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되는 활성층;
    제1 반도체층에 구비되는 제1 패드 전극;
    제1 패드 전극으로부터 뻗어나오며, 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 가지 전극;
    가지 전극과 연결된 제1 서브 가지 전극;
    제1 서브 가지 전극과 같은 가지 전극에 연결되며, 제1 서브 가지 전극과 마주하게 위치되는 제2 서브 가지 전극; 그리고
    제1 패드 전극, 가지전극, 제1 서브 가지 전극 및 제2 서브 가지 전극과 분리되고, 제1 반도체층과 전기적으로 연결되며, 제1 서브 가지 전극과 제2 서브 가지 전극 사이에 위치하는 등전위 금속선;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    제1 가지 금속선은, p측 패드 전극과 0.5um ~ 50um의 간격(d)을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 삭제
  12. 청구항 5에 있어서,
    등전위 금속선은, 가지 전극과 0.5um ~ 50um의 간격(d)을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  13. 청구항 6에 있어서,
    제2 가지 금속선은, 가지 전극과 0.5um ~ 50um의 간격(d)을 가지는 것을 특 징으로 하는 반도체 발광소자.
  14. 청구항 1에 있어서,
    등전위 금속선은 직선, 개곡선(open curve), 폐곡선(closed curve) 및 이들의 조합 중 적어도 하나의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  15. 청구항 1에 있어서,
    등전위 금속선의 폭(w)은 0.5um ~ 20 um인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  16. 청구항 1에 있어서,
    제1 반도체층, 제2 반도체층 및 활성층이 형성되는 사파이어 기판; 및
    제1 반도체층의 상면을 커버하는 투광성 전극;을 더 포함하며,
    제1 반도체층, 제2 반도체층 및 활성층은 3족 질화물 반도체로 형성되고,
    등전위 금속선은, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 투광성 전극 중 적어도 하나에 형성되며,
    제1 가지 금속선은 직선, 개곡선(open curve), 폐곡선(closed curve) 중 적어도 하나의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
KR1020090114912A 2009-11-26 2009-11-26 반도체 발광소자 KR101071221B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090114912A KR101071221B1 (ko) 2009-11-26 2009-11-26 반도체 발광소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090114912A KR101071221B1 (ko) 2009-11-26 2009-11-26 반도체 발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110058207A KR20110058207A (ko) 2011-06-01
KR101071221B1 true KR101071221B1 (ko) 2011-10-10

Family

ID=44393729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090114912A KR101071221B1 (ko) 2009-11-26 2009-11-26 반도체 발광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101071221B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100638886B1 (ko) * 2005-11-17 2006-10-27 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
JP2006324296A (ja) 2005-05-17 2006-11-30 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 分散電流を具え発光面積利用率を高めた発光ダイオード
JP2009182324A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Foxsemicon Intergated Technology Inc 半導体発光素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324296A (ja) 2005-05-17 2006-11-30 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 分散電流を具え発光面積利用率を高めた発光ダイオード
KR100638886B1 (ko) * 2005-11-17 2006-10-27 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자
JP2009182324A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Foxsemicon Intergated Technology Inc 半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110058207A (ko) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5549629B2 (ja) 発光素子
JP5547039B2 (ja) 均一な電流拡がりを有するｌｅｄ
KR101039896B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
EP2603936B1 (en) Shunting layer arrangement for leds
US20130161682A1 (en) Semiconductor light-emitting element
KR100732921B1 (ko) 발광 다이오드의 전극 구조
KR101179606B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101209163B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2011243614A (ja) 発光素子
US20140110741A1 (en) Light-emitting device
US20030047743A1 (en) Semiconductor light emitting device
KR20130111792A (ko) 전류 분산 효과가 우수한 고휘도 질화물 발광소자
JP2010205910A (ja) 半導体発光素子
KR101071221B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101087968B1 (ko) 반도체 발광소자
KR20100043678A (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR101179605B1 (ko) 반도체 발광소자
JP2010157579A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
CN105449061B (zh) 发光二极管晶粒及其制造方法
CN111525009B (zh) 半导体发光器件
US10461219B2 (en) Light emitting element
JP4970611B2 (ja) 半導体発光素子
TWI524555B (zh) 發光二極體之分流層配置
US20160079477A1 (en) Semiconductor light-emitting element
KR20150078088A (ko) 전류 집중 방지 효과 및 광추출 효과가 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150827

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160715

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170623

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180725

Year of fee payment: 8