KR101065576B1 - 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법 - Google Patents

수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시장치 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수평전계 및 프린지 필드를 이용하는 액정 표시 장치의 상부 기판의 앵커링 에너지를 낮춤으로써 필드에 대한 액정 반응성을 증가시켜 광효율을 증가시킬 수 있는 액정표시장치 제조 방법에 관한 것이다.
수평전계, 프린지필드, 앵커링 에너지, 러빙, 광효율

Description

수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법 { Manufacturing Method Of Liquid Crystal Display Device For Plane Switching And Fringe Field Switching Mode}
본 발명은 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수평전계 및 프린지 필드를 이용하는 액정표시장치의 상부 기판의 앵커링 에너지를 낮춤으로써 필드에 대한 액정 반응성을 증가시켜 광효율을 증가시킬 수 있는 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법에 관한 것이다.
수평전계 및 프린지필드스위칭(Fringe Field Switching, 이하 "FFS"라고 함)모드는 액정분자들의 제어를 위한 전극들(화소전극 및 카운터전극)을 모두 하부기판에 배치시킨 횡전계(In Plane Field) 모드이기 때문에 액정분자들의 움직임이 TN 모드 액정표시장치 보다 빠르다.
특히, FFS 모드는 상기 화소전극과 카운터전극의 거리를 상하부기판 간의 거리(cell gap : 셀갭) 보다 좁게 하여 프린지 필드를 발생시키기 때문에 전극들 상 부에 존재하는 액정분자들 모두가 동작하여 FFS 모드 액정표시장치는 TN 모드 액정표시장치 보다 응답속도가 빠르고, 광시야각 및 고투과율(반사형인 경우 고반사율) 특성을 갖는다.
이때, 상기 수평전계 및 FFS 모드 액정표시장치는 상하부기판 내측면 각각에 수평 배향막을 가지며, 액정층의 액정분자들은 기판들과 평행한 상태에서 횡전계 또는 프린지 필드에 의해 제어된다.
그러나, 종래의 수평전계 및 FFS 모드를 이용하여 액정을 구동하는 액정표시장치는 하부기판에 화소전극이 형성되고 상부기판에 카운터전극이 형성되어 상하 수직 전계를 이용하는 액정표시장치와 달리 하부기판에 화소전극과 카운터전극이 형성되어 수평 전계를 이용하므로 하부기판에서 멀어질수록 필드가 약해져서 액정의 움직이 어려워지게 되고, 특히 상부기판 측에 위치한 액정은 거의 움직임이 없어 투과율에 기여를 하지 못하는 문제가 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써 본 발명의 목적은 상부 기판에 형성되는 배향막의 배향처리시 앵커링 에너지를 낮춤으로써 필드에 대한 액정 반응성을 증가시켜 광효율을 향상시킬 수 있는 수평전계 및 FFS 모드 액정표시장치 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 수평전계 및 FFS 모드 액정표시장치 제조 방법은 상부기판 및 하부기판에 수평배향막을 형성한 후 배향처리하는 단계를 포함하며, 특히 상기 상부기판의 수평배향막에 배향처리시 상부기판의 수평배향막의 앵커링 에너지를 낮춤으로써 필드에 대한 액정의 반응성을 높이는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 앵커링 에너지는 수평전계 및 FFS 모드에서의 통상적인 10-4 J/m2 이상의 범위 보다 낮은 10-7 ~ 10-5 J/m2 범위인 것을 특징으로 한다.
한편 러빙법에 의한 배향 처리시에는 러빙롤 회전 속도는 통상적으로 적용되는 600 rpm 이상의 범위보다 낮은 60 ~ 600 rpm 범위이고, 러빙 처리 속도는 통상적으로 적용되는 40 mm/s 이하의 범위보다 높은 40 ~ 100 mm/s 범위이며, 러빙포의 눌러짐양(Pile depth)은 통상적으로 적용되는 0.2 mm 이상의 범위보다 낮은 0.1 ~ 0.2 mm 범위에서 상기 앵커링 에너지를 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한 이온빔에 의한 배향 처리시에는 이온빔 도즈(dose) 양을 이용하여 조절하되, 이온빔 도즈(dose) 양은 통상적으로 적용되는 1×1015 ions/cm2 보다 낮은 1 ×1014 ~ 1×1015 ions/cm2 의 범위 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 수평전계 및 FFS 모드 액정표시장치 제조 방법은 TFT 기판의 대향 기판인 상부 기판의 배향막에 대한 앵커링 에너지를 조절하여 필드에 대한 액정의 반응성을 높여 광효율을 향상시킬 수 있는 탁월한 효과가 발생한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 FFS 모드 액정표시장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, FFS 모드 액정표시장치는 제 1 기판(11) 상에 패시베이션층(14)을 사이에 두고 형성된 카운터전극(12)과 화소전극(15)과 각 화소마다 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터(16, 이하, "TFT"라고 함) 및 상기 패시베이션층(14)과 화소전극(15) 상에 형성된 제 1 배향막(17)을 포함하는 하부기 판(10)과 제 2기판(21) 상에 블랙매트릭스(22)와 상기 블랙매트릭스(22)에 의하여 구획된 컬러필터층(23)과 상기 블랙매트릭스(22)와 컬러필터층(23) 상에 형성된 제 2 배향막(24)을 포함하는 상부 하부기판(10)과 상부기판(20) 사이에 개재되며, 다수의 액정 분자들로 이루어진 액정층(30)을 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성되는 FFS 모드 액정표시장치의 제조 방법에 대해 살펴보면, 하부기판(10)과 상부기판(20)은 별도의 공정에 의해 제작된 뒤 압착되고, 상기 하부기판(10)과 상부기판(20) 사이에 액정이 주입된다.
먼저 제 1 기판(11) 상에 ITO를 증착하고 화소영역에만 ITO가 남도록 패터닝하여 카운터 전극(12)을 형성하고, 게이트 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(161)을 형성한다.
그 후, 상기 게이트 전극(161)과 카운터 전극(12) 상에 절연막(13)을 증착하고, 비정질 실리콘막(amorphous silicon layer)과 n+ 비정질 실리콘막을 증착한 후, n+ 비정질 실리콘막과 비정질 실리콘막을 패터닝하여 액티브층과 오믹접촉층을 포함하는 반도체층(162)을 형성한다.
이어서, 상기 반도체층(162)과 절연막(13)상에 데이타 금속을 증착하고 패터닝하여 소오스/드레인 전극(163,164) 및 데이타 배선을 형성하여 TFT(16)가 완성된다.
그리고, 상기 소오스/드레인 전극과 데이타 배선 및 절연막(13) 상에 패시베이션층(14)을 형성하고 콘택홀을 형성한 후, 상기 패시베이션층(14) 상부에 ITO를 증착하고 슬릿 형태로 패터닝하여 화소전극(15)을 형성하고 상기 패시베이션층(14) 및 화소전극(15) 상에 제 1 배향막(17)을 형성하고 액정 분자를 배열시키기 위해 배향 처리를 수행하여 하부기판(10)이 완성된다. 배향 처리에 대해서는 후술할 제 2 배향막(24) 제조 단계에서 상세하게 설명하기로 한다.
이어서, 제 2 기판(21) 상에 검은색의 금속 또는 유기물질을 적층한 후 패터닝하여 블랙매트릭스(22)를 형성한다.
그 후, 블랙매트릭스(22)가 형성된 제 2 기판(21)상에 칼라필터용 포토레지스트를 도포한 후, 포토리소그라피 공정에 의해 패터닝하여 RGB를 구현하는 칼라필터층(23)을 형성한다.
그리고 상기 블랙매트릭스(22) 및 칼라필터층(23) 상에 제 2 배향막(24)을 형성하고 배향처리하여 상부기판(20)이 완성된다.
구체적인 배향 처리 방법으로서는 러빙포로 배향막 표면을 문지르는 러빙법 또는 이온빔을 조사하여 배향처리하는 이온빔 조사법이 사용될 수 있다.
상기 러빙법에 의한 배향처리는 상기 러빙포가 통상 알루미늄 또는 스테인레스 롤러의 외주면에 접착되며, 러빙 롤러를 회전시키면서 외주면의 러빙포를 배향막의 표면에 접촉시킴으로써 러빙포로 배향막의 표면을 문지르고, 상기와 같이 배향막 표면에 러빙 처리를 행함으로써 배향막이 러빙포로 문질러진 방향으로 액정 분자가 배열된다.
그리고, 이온빔 조사법에 의한 배향처리는 이온빔을 조사하여 낮은 에너지로 폴리이미드막 표면에 충격을 주어 배향막의 표면이 방향성을 가지게 되는 것이다.
상기와 같은 이온 빔 조사법은 배향막에 접촉하지 않고 배향패턴을 형성할 수 있고, 낮은 에너지로 가능하며, 이온 빔에 의해 배향막 표면의 화학결합에만 영향이 미치므로 화학결합이 깨져 형성되는 라디칼의 수를 최소화할 수 있고,
대면적의 패널에 대해 균일한 배향패턴을 얻을 수 있다는 장점이 있다.
제 2 배향막에 대한 배향 처리 방법에 있어서, 수평전계 및 FFS 모드의 특성상 전극으로부터 멀어질수록 필드에 대한 반응성이 떨어지므로 상부기판 측에서의 필드에 대한 액정의 반응성을 높이기 위해서는 상부기판에 형성된 제 2 배향막에 대한 앵커링 에너지를 조절할 필요가 있다.
도 2는 상부기판의 앵커링 에너지에 따른 투과율을 비교하기 위해서 상부기판의 앵커링 에너지의 유무에 따른 투과율을 시뮬레이션 하여 비교한 그래프이다. 이때, 최대 투과율은 하부편광판을 고려하여 50%라고 가정한다.
도 2를 참조하면, (a)와 같이 상측에 앵커링 에너지가 있는 경우 투과율이 39.22%인 데 반하여, (b)와 같이 상측에 앵커링 에너지가 없는 경우는 투과율이 46.88%로 향상되었음을 알 수 있다.
이는 앵커링 에너지가 없는 경우 상부기판 측에서의 액정들에 대해 필드에 대한 반응성이 높아졌기 때문이다.
따라서, 상부기판에 형성된 제 2 배향막에 대한 앵커링 에너지를 낮추면 낮출수록 전극으로부터 이격된 곳에 위치하는 액정들에 대해서도 필드에 대한 액정의 반응성이 높아져서 광효율(투과율)을 높일 수 있다.
물론, 도2(b) 에서는 앵커링 에너지가 없는 경우로 시뮬레이션을 실시했지만 앵커링 에너지가 없는 경우는 액정의 회전 방향 제어 등의 문제가 발생하므로 상기 문제가 발생하지 않는 범위까지 앵커링 에너지를 낮추는 것이 바람직하다.
상기와 같이 필드에 대한 반응성을 높이기 위해서 제 2 배향막의 앵커링 에너지는 10-7 ~ 10-5 J/m2 범위인 것이 바람직하다.
그리고 상기 앵커링 에너지는 러빙법의 경우 러빙 롤러의 회전속도, 러빙 처리속도, 러빙포의 눌러짐양(pile depth) 등의 러빙 강도를 조절하여 낮출 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 러빙롤러의 회전속도는 600rpm 이하로 조절하고, 바람직하게는 60 ~ 600rpm 범위로 조절하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 러빙 처리속도는 40mm/s 이상으로 조절하고, 바람직하게는 40 ~ 100mm/s 범위로 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 러빙포의 눌러짐양(pile depth)은 0.2mm 이하로 조절하고, 바람직하게는 0.1 ~ 0.2 mm 범위로 조절하는 것이 바람직하다.
그리고, 이온빔 조사법의 경우 이온빔 도즈(dose)량을 조절하여 엥커링 에너지를 낮출 수 있으며, 이를 위해 이온빔 도즈량을 1 × 1015 ions/㎠ 이하로 조절하고, 바람직하게는 1×1014 ~ 1 × 1015 범위로 조절하는 것이 바람직하다.
본 실시 예는 설명의 편의를 위해 가장 일반적인 FFS 모드 액정표시장치 구조를 사용하였지만 본 발명은 수평전계 및 FFS 모드 액정표시장치 제조방법 중 배향막의 배향 처리 단계에 특징이 있는 것이므로 배향막의 배향 처리 단계를 포함하는 모든 형태의 수평전계 및 FFS 모드 액정표시장치에 적용될 수 있음은 자명한 것 이다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 FFS 모드 액정표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 앵커링 에너지에 따른 투과율을 비교하기 위해서 상부 기판의 앵커링 에너지 유무에 따른 투과율을 시뮬레이션하여 비교한 그래프이다
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 하부기판 11 : 제 1 기판
12 : 카운터 전극 13 : 절연막
14 : 패시베이션층 15 : 화소전극
16 : TFT 17 : 제 1 배향막
20 : 상부기판 21 : 제 2 기판
22 : 블랙매트릭스 23 : 컬라필터층
24 : 제 2 배향막 30 : 액정

Claims (3)

  1. 상부기판 및 하부기판에 배향막을 형성한 후 러빙하는 단계를 포함하는 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법에 있어서,
    상기 러빙 단계는,
    상기 상부기판의 배향막의 배향 처리시 앵커링 에너지를 상기 하부기판의 배향막의 배향 처리시 앵커링 에너지인 통상의 10-4 J/m2 이상의 범위보다 낮은 10-7 ~ 10-5 J/m2의 범위로 낮춤으로써 필드에 대한 액정의 반응성을 높이는 것을 특징으로 하는 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 배향막의 앵커링 에너지는 러빙 배향법을 이용하여 조절하되, 러빙롤 회전 속도는 60 ~ 600 rpm 범위, 러빙처리 속도는 40 ~ 100 mm/ s , 러빙포의 눌러짐양 ( Pile Depth)은 0.1 ~ 0.2 mm 인 것을 특징으로 하는 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 배향막의 앵커링 에너지는 이온빔 배향법을 이용하여 조절하되, 이온빔 도즈(dose) 양은 1 ×1014 ~ 1×1015 ions/cm2 인 것을 특징으로 하는 수평전계 및 프린지필드스위칭 모드 액정표시장치 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6985024B2 (ja) * 2017-03-10 2021-12-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156745A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光変調装置
KR20050111872A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 이온빔 조사를 이용한 배향법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156745A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光変調装置
KR20050111872A (ko) * 2004-05-24 2005-11-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 이온빔 조사를 이용한 배향법

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