KR101058747B1 - Gas injection apparatus - Google Patents

Gas injection apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101058747B1
KR101058747B1 KR1020110001939A KR20110001939A KR101058747B1 KR 101058747 B1 KR101058747 B1 KR 101058747B1 KR 1020110001939 A KR1020110001939 A KR 1020110001939A KR 20110001939 A KR20110001939 A KR 20110001939A KR 101058747 B1 KR101058747 B1 KR 101058747B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lower plate
plate
gas
injection device
gas injection
Prior art date
Application number
KR1020110001939A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110009266A (en
Inventor
한근조
이정범
고부진
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=43614967&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101058747(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020110001939A priority Critical patent/KR101058747B1/en
Publication of KR20110009266A publication Critical patent/KR20110009266A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101058747B1 publication Critical patent/KR101058747B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

본 발명은, 가스공급관이 연결되는 상부 플레이트; 상기 상부 플레이트의 하부에 설치되며 다수의 제 1 분사구를 가지는 제 1 하부 플레이트; 상기 제1 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트의 사이에 위치하며 다수의 제 2 분사구를 가지는 제2 하부 플레이트; 상기 제1 하부 플레이트 및 제2 하부 플레이트를 일정 간격으로 이격시키기 위해 상기 제1 하부 플레이트 및 제2 하부 플레이트의 사이에 설치되는 간격유지부재를 포함하는 가스분사장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 가스분사장치를 제작할 때에 공정 난이도가 높은 노즐부를 별도로 제작하므로 불량률이 낮아지고 제작기간도 크게 단축된다. 따라서 가공원가가 절감되어 생산단가를 크게 낮출 수 있다.
[색인어]
가스분사장치The present invention, the upper plate is connected to the gas supply pipe; A first lower plate disposed below the upper plate and having a plurality of first injection holes; A second lower plate positioned between the first lower plate and the upper plate and having a plurality of second injection holes; It relates to a gas injection device comprising a spacing member installed between the first lower plate and the second lower plate to space the first lower plate and the second lower plate at regular intervals.
According to the present invention, since the nozzle part having a high process difficulty is manufactured separately when the gas injection device is manufactured, the defect rate is lowered and the manufacturing period is greatly shortened. Therefore, the processing cost can be reduced and the production cost can be greatly reduced.
[Index]
Gas injection device

Description

가스분사장치{Gas injection apparatus}Gas injection apparatus

본 발명은 액정표시장치 제조장비의 가스분사장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 노즐부가 분리되는 가스분사장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas ejection apparatus of a liquid crystal display manufacturing apparatus, and more particularly, to a gas ejection apparatus in which a nozzle unit is separated.

일반적으로, 액정표시소자는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 화소 영역에 박막트랜지스터와 화소전극을 구비한 박막트랜지스터 기판과, 컬러필터층과 공통전극을 구비한 컬러필터 기판과, 두 기판 사이에 개재되는 액정층으로 구성된다. In general, a liquid crystal display device includes a thin film transistor substrate having a thin film transistor and a pixel electrode in a pixel region defined by a gate wiring and a data wiring, a color filter substrate having a color filter layer and a common electrode, and interposed between two substrates. It consists of a liquid crystal layer.

이러한 기판을 제조하기 위해서는, 유리기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정공정 등을 수 내지 수십 차례 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.
In order to manufacture such a substrate, a thin film deposition process for depositing a raw material on a glass substrate, a photolithography process for exposing or concealing a selected region of the thin films using a photosensitive material, and removing the thin film of the selected region and patterning as desired Etching process, cleaning process to remove residues, etc. must be repeated several to several tens of times, each of these processes is carried out in the chamber that has the optimum environment for the process.

도 1은 대표적인 액정표시장치 제조장비인 PECVD 장비의 일반적인 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 일정한 반응공간을 정의하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내부에 위치하며 상면에 기판(30)을 안치하는 서셉터(20)와, 다수의 분사구(42)를 구비하며 서셉터(20)의 상부에서 공정가스를 분사하는 가스분사장치(40)와, 외부의 가스 저장부(미도시)에 연결되어 가스분사장치(40)로 공정가스를 유입하는 가스공급관(80)을 포함한다. FIG. 1 schematically illustrates a general configuration of a PECVD apparatus, which is a representative liquid crystal display device manufacturing apparatus, and includes a chamber 10 defining a constant reaction space, and a substrate 30 disposed on an upper surface of the chamber 10. In the susceptor 20, a plurality of injection holes 42 and a gas injection device 40 for injecting a process gas from the top of the susceptor 20, and an external gas storage unit (not shown) Is connected to include a gas supply pipe 80 for introducing a process gas to the gas injection device (40).

가스분사장치(40)의 상부 플레이트(50)는 통상 공정가스에 RF전력을 인가하는 플라즈마 전극으로 사용되며, 상부 플레이트(50)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(60)이 연결되고, 상부 플레이트(50)와 RF전원(60)의 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(Impedance Matching Box, 70)가 위치한다. The upper plate 50 of the gas injection device 40 is generally used as a plasma electrode for applying RF power to the process gas, the upper plate 50 is connected to the RF power supply 60 for supplying RF power, the upper plate Between the 50 and the RF power supply 60, an impedance matching box 70 for matching impedance so that maximum power can be applied is located.

플라즈마 전극에 대응되는 전극은 접지된 서셉터(20)이며, 서셉터(20)에도 RF전원이 인가될 수 있다. The electrode corresponding to the plasma electrode is a grounded susceptor 20, and RF power may be applied to the susceptor 20.

가스공급관(80)으로부터 유입된 공정가스는 분사구(42)를 가지는 하부 플레이트와 상부플레이트(50) 사이의 버퍼공간(52)에서 일차 확산된 후에 챔버 내부로 균일하게 분사된다.
The process gas introduced from the gas supply pipe 80 is first uniformly diffused in the buffer space 52 between the lower plate having the injection hole 42 and the upper plate 50, and then uniformly injected into the chamber.

종래의 가스분사장치(40)는 도 2에 도시된 바와 같이 다수의 분사구(42)를 구비한 하부 플레이트를 가지는데, 하부 플레이트는 샤워헤드라고도 하며, 알루미늄 재질의 사각판으로서 기판보다 큰 사이즈를 가진다. Conventional gas injection device 40 has a lower plate having a plurality of injection holes 42, as shown in Figure 2, the lower plate is also referred to as a shower head, a square plate made of aluminum material larger than the substrate Have

샤워헤드는 주변부만 챔버 또는 상부 플레이트(50)에 고정되므로 별도의 지지수단이 없는 중앙부는 주변부보다 항상 아래로 처지게 되고, 이로 인해 기판 주변부와 중앙부의 공정가스 분포가 불균일한 문제가 발생한다. Since the shower head is fixed only to the periphery of the chamber or the upper plate 50, the central part without a separate supporting means always sags below the periphery, which causes a problem in that the process gas distribution of the substrate periphery and the central part is uneven.

이러한 현상은 샤워헤드의 크기가 커질수록 심해지므로, 이를 방지하기 위하여 크기가 커질수록 두께(t)를 두껍게 제작한다. 예를 들어 1500mm * 1850mm의 6세대 기판을 처리하는 장비에서 샤워헤드는 30mm 내지 35mm 정도의 두께로 제작되며, 1950mm*2250mm의 7세대 기판용 장비에는 약 50mm 정도의 두께로 제작된다. This phenomenon is aggravated as the size of the showerhead increases, so in order to prevent this, a larger thickness t is produced. For example, in the equipment processing 1500mm * 1850mm 6th generation substrate, the showerhead is made of a thickness of 30mm to 35mm, the equipment for 7th generation substrates of 1950mm * 2250mm is about 50mm thick.

또한 샤워헤드의 분사구(42)는 단위면적(m2) 당 약 11,000개 정도의 밀도로 가공되므로 6세대 기판용 샤워헤드의 경우에는 약 35,000개, 7세대 기판용의 경우에는 약 50,000개 정도의 분사구를 가공하여야 하고, 2200mm * 2550mm 정도로 예상되는 8세대 기판용의 경우에는 60,000개 이상의 분사구를 가공하여야 한다.
In addition, since the nozzle 42 of the shower head is processed at a density of about 11,000 per unit area (m 2 ), about 35,000 pieces for the 6th generation showerhead and about 50,000 pieces for the 7th generation substrate are used. For 8th generation substrates expected to be 2200mm * 2550mm, more than 60,000 nozzles should be processed.

그런데 이러한 분사구(42)는 단순한 일자형의 관통홀로 가공되는 것이 아니라, 도 3a에 도시된 바와 같이 가스유입부(42a), 노즐부(42b), 1차 확산부(42c), 2차 확산부(42d) 등 서로 다른 직경과 형상을 가지는 홀을 여러 차례 형성함으로써 가공된다.However, the injection hole 42 is not processed into a simple straight through hole, but as illustrated in FIG. 3A, the gas inlet 42a, the nozzle 42b, the primary diffuser 42c, and the secondary diffuser ( 42d) and the like are processed by forming holes having different diameters and shapes several times.

경우에 따라서는 도 3b에 도시된 바와 같이 가스유입부가 생략되고, 상면에서부터 노즐부(42b), 1차 확산부(42c), 2차 확산부(42d)의 순으로 제작되기도 한다. In some cases, as shown in FIG. 3B, the gas inlet part is omitted, and the gas inlet part may be manufactured in the order of the nozzle part 42b, the primary diffusion part 42c, and the secondary diffusion part 42d from the top surface.

노즐부(42b)는 통상 0.4 내지 0.8mm의 직경을 가지고, 가스유입부(42a)나 1차 확산부(42c)는 3mm 이상의 직경을 가진다. The nozzle portion 42b usually has a diameter of 0.4 to 0.8 mm, and the gas inflow portion 42a or the primary diffusion portion 42c has a diameter of 3 mm or more.

분사구(42)가 이와 같이 미세직경의 노즐부(42b)를 포함하는 이유는 분사구(42) 상부의 압력을 높임으로써 공정가스를 버퍼공간(52) 내부에서 보다 균일하게 확산시킬 수 있고 나아가 챔버 내부로 균일하게 분사시킬 수 있기 때문이다. 이러한 이유로 노즐부(42b)의 직경이 작을수록 공정가스를 균일하게 분사하는데 유리하다. The reason why the injection hole 42 includes the nozzle 42b of the micro diameter in this way is to increase the pressure in the upper part of the injection hole 42 so that the process gas can be diffused more uniformly in the buffer space 52 and furthermore, It is because it can spray uniformly. For this reason, the smaller the diameter of the nozzle portion 42b is, the more advantageous it is to spray the process gas uniformly.

그런데 종래와 같은 형태의 분사구(42)를 가공하기 위해서는 먼저 직경이 작은 노즐부(42b)를 가공한 후 노즐부(42b)의 양단에 가스유입부(42a)와 1차 확산부(42c)를 차례로 가공하여야 한다. However, in order to process the nozzle 42 of the conventional type, first, the nozzle 42b having a small diameter is processed, and then the gas inlet 42a and the primary diffuser 42c are disposed at both ends of the nozzle 42b. It must be processed in turn.

50mm 정도의 두께를 가지는 알루미늄판에 직경 0.4mm 정도의 노즐부(42b)를 50,000개 이상 가공하는 데는 매우 정밀한 기술이 요구된다. 뿐만 아니라 제작 도중에 하나의 분사구(42)라도 불량이 발생하면 고도의 정밀도가 요구되는 액정표시소자 제조장치에 사용될 수 없으므로 해당 샤워헤드를 폐기하고 처음부터 다시 제작할 수밖에 없는 문제가 있다. 따라서 샤워헤드의 생산단가는 매우 높은 편이며, 하나의 샤워헤드를 제작하는데 만도 수개월의 시간이 소요되므로 납기를 맞추는데도 큰 어려움이 있다.
A very precise technique is required to process 50,000 or more nozzle portions 42b with a diameter of 0.4 mm on an aluminum plate having a thickness of about 50 mm. In addition, even if one of the injection holes 42 during the manufacturing process can not be used in the liquid crystal display device manufacturing apparatus that requires a high degree of accuracy, there is a problem that the shower head must be discarded and manufactured again from the beginning. Therefore, the production cost of the shower head is very high, it takes a few months to produce a single shower head, so there is a great difficulty in meeting the delivery date.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제작시간을 단축시키면서도 불량률을 획기적으로 낮출 수 있는 대면적 기판용 가스분사장치를 제공하는데 목적이 있다.
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a gas spraying device for a large-area substrate which can significantly reduce a defect rate while reducing manufacturing time.

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 가스공급관이 연결되는 상부 플레이트; 상기 상부 플레이트의 하부에 설치되며 다수의 제 1 분사구를 가지는 제 1 하부 플레이트; 상기 제1 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트의 사이에 위치하며 다수의 제 2 분사구를 가지는 제2 하부 플레이트; 상기 제1 하부 플레이트 및 제2 하부 플레이트를 일정 간격으로 이격시키기 위해 상기 제1 하부 플레이트 및 제2 하부 플레이트의 사이에 설치되는 간격유지부재를 포함하는 가스분사장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, the gas supply pipe is connected to the upper plate; A first lower plate disposed below the upper plate and having a plurality of first injection holes; A second lower plate positioned between the first lower plate and the upper plate and having a plurality of second injection holes; It provides a gas injection device comprising a spacing member installed between the first lower plate and the second lower plate to space the first lower plate and the second lower plate at regular intervals.

상기 간격유지부재는, 상기 제 1 하부 플레이트와 상기 제 2 하부 플레이트의 사이에 설치되며, 2 개 이상의 상기 제 1 분사구 및 2 개 이상의 상기 제 2 분사구와 연통되는 다수의 개구부를 가지는 제 3 하부 플레이트일 수 있다.The gap maintaining member is provided between the first lower plate and the second lower plate, and has a third lower plate having a plurality of openings communicating with at least two first injection holes and at least two second injection holes. Can be.

상기 가스분사장치에서, 상기 상부 플레이트, 상기 제 1 하부 플레이트, 상기 제 2 하부 플레이트, 그리고 상기 제 3 하부 플레이트의 각 단부의 주연부를 따라 결합하는 측벽부를 더 포함할 수 있다.The gas injection device may further include a side wall portion coupled along the periphery of each end of the upper plate, the first lower plate, the second lower plate, and the third lower plate.

상기 측벽부에는 상기 제 1 하부 플레이트, 상기 제 2 하부 플레이트, 그리고 상기 제 3 하부 플레이트의 단부가 거치되는 다수의 걸림턱이 형성될 수 있다.The side wall part may be provided with a plurality of locking jaws in which end portions of the first lower plate, the second lower plate, and the third lower plate are mounted.

상기 측벽부의 상부방향으로 상기 다수의 걸림턱이 계단 형상으로 설치될 수 있다.The plurality of locking jaws may be installed in a step shape in an upper direction of the side wall portion.

상기 제2 하부 플레이트는 상기 제1 하부 플레이트보다 얇은 두께를 가질 수 있다.The second lower plate may have a thickness thinner than that of the first lower plate.

상기 제 2 하부 플레이트는 서로 결합되는 다수의 서브 플레이트로 구성될 수 있으며, 이때 상기 서브 플레이트의 단부에는 인접한 서브 플레이트와 치합하는 단차부가 형성될 수 있다. 또한 상기 서브 플레이트는 인접한 상기 서브 플레이트와 오링을 개재하여 결합시킬 수도 있다.
The second lower plate may be configured of a plurality of subplates coupled to each other, and a stepped portion may be formed at an end of the subplate to engage with an adjacent subplate. The subplate may also be coupled to an adjacent subplate via an O-ring.

본 발명에 따르면 가스분사장치의 제작시에 공정 난이도가 높은 노즐부를 별도로 제작하므로 불량률이 낮아지고 제작기간도 크게 단축된다. 따라서 가공원가가 절감되어 생산단가를 크게 낮출 수 있다. According to the present invention, since the nozzle part having a high process difficulty is manufactured separately during the manufacture of the gas injection device, the defect rate is lowered and the manufacturing period is greatly shortened. Therefore, the processing cost can be reduced and the production cost can be greatly reduced.

또한 노즐부가 형성된 제2 하부플레이트를 다수 개의 서브플레이트로 구성하면 대량생산에 보다 유리해지므로 생산단가를 더욱 낮출 수 있다.
In addition, when the second lower plate having the nozzle unit is formed of a plurality of subplates, it is more advantageous for mass production, thereby lowering the production cost.

도 1은 일반적인 액정표시소자 제조장치의 개략 구성도
도 2는 일반적인 가스분사장치의 사시도
도 3a 및 도 3b는 여러 유형의 분사구 단면 구성도
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스분사장치의 단면도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가스분사장치를 구비하는 액정표시소자 제조장치의 개략 구성도
도 6은 제3 하부플레이트의 사시도
도 7은 제1,2,3 하부플레이트가 적층된 모습을 나타낸 사시도
도 8은 제2 하부플레이트가 여러 개의 서브 플레이트로 분할된 모습을 나타낸 도면
도 9는 도 8의 Ⅰ-Ⅰ 선에 따른 단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
50 : 상부 플레이트 52 : 제1 버퍼공간
100 : 가스분사장치 110 : 제1 하부플레이트
112 : 제1 분사구 114 : 걸림턱
120 : 제2 하부플레이트 122 : 제2 분사구
130 : 제3 하부플레이트 132 : 개구부
140 : 측벽부 150 : 제2 버퍼공간1 is a schematic configuration diagram of a general liquid crystal display device manufacturing apparatus
2 is a perspective view of a general gas injection device
Figures 3a and 3b is a cross-sectional configuration of several types of nozzle
4 is a cross-sectional view of a gas injection device according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic configuration diagram of a liquid crystal display device manufacturing apparatus having a gas injection device according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view of the third lower plate;
7 is a perspective view showing the first, second, and third lower plates stacked
8 is a view illustrating a state in which a second lower plate is divided into a plurality of sub plates.
9 is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 8.
* Description of the symbols for the main parts of the drawings *
50: upper plate 52: first buffer space
100: gas injection device 110: first lower plate
112: first injection hole 114: locking jaw
120: second lower plate 122: second injection port
130: third lower plate 132: opening
140: side wall portion 150: second buffer space

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 하며, 본 명세서의 도면은 설명의 편의를 위하여 축척을 무시하고 다소 과장되게 도시 되었음을 미리 밝혀둔다.
DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings, and it is apparent that the drawings of the present specification have been shown to be somewhat exaggerated, ignoring the scale for convenience of description.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가스분사장치(100)의 단면도이고, 도 5는 도 4의 가스분사장치(100)가 설치된 액정표시소자 제조장치를 나타낸 도면이다.4 is a cross-sectional view of the gas injection device 100 according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a view showing a liquid crystal display device manufacturing apparatus is provided with the gas injection device 100 of FIG.

본 발명의 실시예에 따른 가스분사장치(100)는 중앙부에 가스공급관(80)이 연결되는 상부 플레이트(50), 상부 플레이트(50)의 하부에 위치하는 하부 플레이트를 포함하는 점은 종래와 동일하다. Gas injection device 100 according to an embodiment of the present invention is the same as the prior art that the upper plate 50 is connected to the gas supply pipe 80 in the center, the lower plate located below the upper plate 50 Do.

그러나 본 발명의 하부 플레이트는 제1 하부 플레이트(110), 제1 하부 플레이트(110)의 상부에 위치하는 제2 하부 플레이트(120), 상기 제1,2 하부 플레이트의 사이에 개재되는 제3 하부 플레이트(130)로 이루어지는 점에 특징이 있다. However, the lower plate of the present invention includes a first lower plate 110, a second lower plate 120 positioned above the first lower plate 110, and a third lower portion interposed between the first and second lower plates. There is a feature in that the plate 130 is made.

제1 하부 플레이트(110)는 종래 확산부에 대응하는 상대적으로 큰 직경의 제1 분사구(112)를 구비하고, 제2 하부 플레이트(120)는 종래 노즐부에 대응하는 상대적으로 작은 직경의 제2 분사구(122)를 구비한다. The first lower plate 110 has a relatively large diameter first injection port 112 corresponding to the conventional diffusion portion, the second lower plate 120 has a second relatively small diameter corresponding to the conventional nozzle portion The injection hole 122 is provided.

제 3 하부 플레이트(130)는 도 6에 도시된 바와 같이 다수의 개구부(132)를 가지는 플레이트로서, 하나의 개구부(132)는 다수의 제1,2 분사구(112,122)와 연통된다. 도 7은 제1,2,3 하부 플레이트(110,120,130)가 적층된 모습을 나타내고 있다.As illustrated in FIG. 6, the third lower plate 130 is a plate having a plurality of openings 132, and one opening 132 communicates with the plurality of first and second injection holes 112 and 122. 7 illustrates the first, second, and third lower plates 110, 120, and 130 stacked on each other.

제3 하부플레이트(130)는 제1,2 하부 플레이트(110)를 소정간격 이격시키는 역할을 하므로, 가스분사장치(100)의 내부는 상부 플레이트(50)와 제2 하부플레이트(120) 사이의 제1 버퍼공간(52)과 제1,2 하부 플레이트(110,120) 사이의 제2 버퍼공간(150)으로 분할된다.Since the third lower plate 130 serves to space the first and second lower plates 110 by a predetermined interval, the interior of the gas injection device 100 may be disposed between the upper plate 50 and the second lower plate 120. The second buffer space 150 is divided between the first buffer space 52 and the first and second lower plates 110 and 120.

제1버퍼공간(52)은 가스공급관(80)을 통해 유입된 공정가스를 일차 확산시키는 역할을 하며, 제2 버퍼공간(150)은 노즐부에 해당하는 제2 분사구(122)를 통해 분사된 공정가스를 제1,2 하부 플레이트(110,120)의 사이에서 더욱 균일하게 확산시키는 역할을 한다.The first buffer space 52 serves to first diffuse the process gas introduced through the gas supply pipe 80, and the second buffer space 150 is injected through the second injection hole 122 corresponding to the nozzle unit. It serves to diffuse the process gas more uniformly between the first and second lower plates (110, 120).

따라서 가스공급관(80)을 통해 유입된 공정가스는 제1,2 버퍼공간(52,150)을 거치면서 충분히 균일하게 확산된 이후에 제1분사구(112)를 통해 챔버 내부로 분사된다. Therefore, the process gas introduced through the gas supply pipe 80 is uniformly diffused while passing through the first and second buffer spaces 52 and 150, and then injected into the chamber through the first injection port 112.

다만 제1,2 하부 플레이트(110,120)의 간격이 너무 커지면 압력이 낮아져 제1 분사구(112)로 공정가스가 원활하게 분사되지 못할 수도 있으므로 제3 하부 플레이트(130)의 높이는 15mm 이하의 간격으로 유지하는 것이 바람직하다.
However, if the interval between the first and second lower plates 110 and 120 is too large, the pressure may be lowered, so that the process gas may not be smoothly injected into the first injection hole 112, so the height of the third lower plate 130 is maintained at an interval of 15 mm or less. It is desirable to.

이러한 제1,2 버퍼 공간(52,150)은 제1,2 하부 플레이트(110,120)와 상부 플레이트(50)의 각 주연부를 따라 결합하는 측벽부(140)에 의하여 완성된다. The first and second buffer spaces 52 and 150 are completed by sidewalls 140 that are coupled along each circumference of the first and second lower plates 110 and 120 and the upper plate 50.

제3 하부 플레이트(130)의 주연부도 측벽부(140)에 결합하는 것이 바람직하며, 측벽부(140)는 내벽에 제1,2,3 하부 플레이트(110,120,130)의 단부가 거치되는 걸림턱(114)을 하나 이상 구비할 수 있으며, 이때 상기 걸림턱(114)은 계단 형상으로 가공될 수 있다. It is preferable that the periphery of the third lower plate 130 is also coupled to the side wall part 140, and the side wall part 140 has a locking step 114 in which end portions of the first, second, and third lower plates 110, 120, 130 are mounted on the inner wall. ) May be provided with one or more, wherein the locking step 114 may be processed into a step shape.

제2 분사구(122)를 거치지 않고 제2 하부 플레이트(120)와 측벽부(140) 사이의 공간으로 공정가스가 누설되지 않도록 측벽부(140)와 제2 하부 플레이트(120)의 경계면에 오링 등을 이용한 실링을 할 수도 있으나, 가공 정밀도가 높은 경우에는 생략되어도 무방하다.
O-ring or the like on the interface between the side wall portion 140 and the second lower plate 120 so as not to leak the process gas into the space between the second lower plate 120 and the side wall portion 140 without passing through the second injection hole 122. Sealing may be performed, but may be omitted if the machining accuracy is high.

제1,2 분사구(112,122)는 서로 일대일 대응하는 것이 바람직하지만, 제3 하부 플레이트(130)에 의해 제1,2 하부 플레이트(110,120) 사이에 공정가스가 확산할 수 있는 공간이 형성되므로, 제1,2 분사구(112,122)의 개수가 반드시 일치할 필요는 없다.It is preferable that the first and second injection holes 112 and 122 correspond to each other one-to-one, but a space through which the process gas can be diffused is formed between the first and second lower plates 110 and 120 by the third lower plate 130. The numbers of the first and second injection holes 112 and 122 need not necessarily coincide.

제1 분사구(112)는 제2 분사구(122)를 통과한 고압가스를 확산시키는 역할을 하므로 2mm 이상 10mm이하의 직경을 가지는 것이 바람직하고, 제2 분사구(122)는 종래의 노즐부와 같은 역할을 하므로 1mm 이하, 보다 바람직하게는 0.4 내지 0.6mm 정도의 직경을 가져야 한다. Since the first injection hole 112 serves to diffuse the high pressure gas passing through the second injection hole 122, it is preferable to have a diameter of 2 mm or more and 10 mm or less, and the second injection hole 122 has the same role as a conventional nozzle part. Since it should have a diameter of less than 1mm, more preferably about 0.4 to 0.6mm.

제2 분사구(122)의 직경이 작을수록 공정가스를 균일하게 분사하는데 유리하지만 가공기술의 난이도와 공정가스로 인해 홀이 폐쇄될 가능성을 감안하면 직경이 0.1mm 이상인 것이 바람직하다. The smaller the diameter of the second injection hole 122 is advantageous for uniformly injecting the process gas, but considering the difficulty of the processing technology and the possibility of closing the hole due to the process gas, the diameter is preferably 0.1 mm or more.

제2 분사구(122)에 비해 큰 직경을 가지는 제1 분사구(112)는 가공 정밀도가 높지 않기 때문에 제1 하부 플레이트(110)를 두껍게 제작하더라도 종래처럼 노즐부를 포함하여 제조하는 경우에 비해 가공시간이 훨씬 단축될 뿐만 아니라 불량률도 현저하게 줄어든다. Since the first injection hole 112 having a larger diameter than the second injection hole 122 does not have high processing accuracy, even if the first lower plate 110 is made thick, the processing time is longer than that of the conventional case including the nozzle part. Not only is it shorter, but the failure rate is significantly reduced.

제1 하부 플레이트(110)의 두께는 가스분사장치의 크기에 비례하여 증가되지만 10mm 내지 100mm 정도의 범위로 제작되는 것이 바람직하다. Although the thickness of the first lower plate 110 is increased in proportion to the size of the gas injection device, it is preferable that the thickness of the first lower plate 110 be manufactured in a range of about 10 mm to about 100 mm.

제2 하부 플레이트(120)는 노즐의 역할을 수행하기만 하면 되므로 두껍게 제작될 필요가 전혀 없다. 따라서 0.3mm 내지 10mm 두께의 얇은 판형으로 제작되는 것이 바람직하다. Since the second lower plate 120 only needs to serve as a nozzle, the second lower plate 120 need not be made thick at all. Therefore, it is preferable to produce a thin plate shape of 0.3mm to 10mm thickness.

이 정도의 얇은 판에 노즐을 형성하는 것은 종래 30 내지 50mm 정도의 두께를 가지는 알루미늄 모재에 노즐을 형성하는 것에 비해 불량률이 현저히 낮을 뿐만 아니라 가공속도도 훨씬 빠르다.
Forming a nozzle on such a thin plate is not only significantly lower than the defect rate, but also processing speed is much faster than forming a nozzle on an aluminum base material having a thickness of about 30 to 50mm.

한편, 제2 하부 플레이트(120)는 제3 하부 플레이트(130)의 상부에 단순히 적층되므로 도 8에 도시된 바와 같이 2 이상의 서브 플레이트(120a,120b,120c,120d)로 분할하여 제조될 수도 있다. Meanwhile, since the second lower plate 120 is simply stacked on the upper portion of the third lower plate 130, the second lower plate 120 may be manufactured by dividing the second lower plate 120 into two or more sub plates 120a, 120b, 120c, and 120d. .

이 경우 다수의 서브 플레이트가 동시에 가공될 수 있으므로 가공시간은 더욱 단축되며, 따라서 대량생산에 더욱 유리해져 생산단가를 낮출 수 있다. In this case, since a plurality of sub-plates can be processed at the same time, the processing time is further shortened, and thus it is more advantageous for mass production, thereby lowering the production cost.

도 9는 도 8의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면을 도시한 것으로서, 제1,2 서브플레이트(120a,120b)의 경계부에 서로 치합하는 단차부(123)를 형성하였다. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG. 8, and the stepped portion 123 is formed to engage with each other at the boundary portions of the first and second subplates 120a and 120b.

이는 공정가스가 노즐 역할을 하는 제2 분사구(122)를 거치지 않고 하부로 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 단차부(123)의 경계면에 오링 등을 설치하여 실링을 할 수도 있다.
This is to prevent the process gas from leaking to the lower portion without passing through the second injection hole 122 serving as a nozzle, and may be sealed by installing an O-ring or the like on the boundary surface of the stepped portion 123.

한편, 제3 하부 플레이트(130)는 제1,2 하부 플레이트(110,120)를 균일한 간격으로 이격시키기 위한 것이므로 전술한 형상에 반드시 한정되지는 않으며, 제1,2 하부 플레이트(110,120)의 사이에 다수 개재되는 소정 높이의 스페이서(spacer)로 대체될 수도 있다.On the other hand, since the third lower plate 130 is to space the first and second lower plates 110 and 120 at uniform intervals, the third lower plate 130 is not necessarily limited to the above-described shape, and between the first and second lower plates 110 and 120. It may be replaced with a spacer of a predetermined height interposed a large number.

Claims (9)

가스공급관이 연결되는 상부 플레이트;
상기 상부 플레이트의 하부에 설치되며 다수의 제 1 분사구를 가지는 제 1 하부 플레이트;
상기 제1 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트의 사이에 위치하며 다수의 제 2 분사구를 가지는 제2 하부 플레이트;
상기 제1 하부 플레이트 및 제2 하부 플레이트를 일정 간격으로 이격시키기 위해 상기 제1 하부 플레이트 및 제2 하부 플레이트의 사이에 설치되는 간격유지부재;
를 포함하는 가스분사장치.
An upper plate to which gas supply pipes are connected;
A first lower plate disposed below the upper plate and having a plurality of first injection holes;
A second lower plate positioned between the first lower plate and the upper plate and having a plurality of second injection holes;
A spacing member installed between the first lower plate and the second lower plate to space the first lower plate and the second lower plate at regular intervals;
Gas injection device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 간격유지부재는, 상기 제 1 하부 플레이트와 상기 제 2 하부 플레이트의 사이에 설치되며, 2 개 이상의 상기 제 1 분사구 및 2 개 이상의 상기 제 2 분사구와 연통되는 다수의 개구부를 가지는 제 3 하부 플레이트인 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 1,
The gap maintaining member is provided between the first lower plate and the second lower plate, and has a third lower plate having a plurality of openings communicating with at least two first injection holes and at least two second injection holes. Gas injection device, characterized in that.
제 2 항에 있어서,
상기 상부 플레이트, 상기 제 1 하부 플레이트, 상기 제 2 하부 플레이트, 그리고 상기 제 3 하부 플레이트의 각 단부의 주연부를 따라 결합하는 측벽부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 2,
And a side wall portion coupled along the periphery of each end of the upper plate, the first lower plate, the second lower plate, and the third lower plate.
제 3 항에 있어서,
상기 측벽부에는 상기 제 1 하부 플레이트, 상기 제 2 하부 플레이트, 그리고 상기 제 3 하부 플레이트의 단부가 거치되는 다수의 걸림턱이 형성되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 3, wherein
The side wall portion is a gas injection device, characterized in that a plurality of locking step is formed in which the end of the first lower plate, the second lower plate, and the third lower plate is mounted.
제 4 항에 있어서,
상기 측벽부의 상부방향으로 상기 다수의 걸림턱이 계단 형상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 4, wherein
The gas injection device, characterized in that the plurality of locking step is installed in a step shape in the upper direction of the side wall portion.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 하부 플레이트는 상기 제1 하부 플레이트보다 얇은 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 1,
And the second lower plate has a thickness thinner than that of the first lower plate.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 하부 플레이트는 서로 결합되는 다수의 서브 플레이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 1,
The second lower plate is a gas injection device, characterized in that composed of a plurality of sub-plates coupled to each other.
제 7 항에 있어서,
상기 서브 플레이트의 단부에는 인접한 서브 플레이트와 치합하는 단차부가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.
The method of claim 7, wherein
Gas injector, characterized in that the stepped portion is formed at the end of the sub-plate to engage with the adjacent sub-plate.
제 7 항에 있어서,
상기 서브 플레이트는 인접한 상기 서브 플레이트와 오링을 개재하여 결합시키는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.The method of claim 7, wherein
And the sub plate is coupled to an adjacent sub plate via an O-ring.
KR1020110001939A 2011-01-07 2011-01-07 Gas injection apparatus KR101058747B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110001939A KR101058747B1 (en) 2011-01-07 2011-01-07 Gas injection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110001939A KR101058747B1 (en) 2011-01-07 2011-01-07 Gas injection apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050027474A Division KR101153161B1 (en) 2005-04-01 2005-04-01 Gas injector and Apparatus including the same for fabricating Liquid Crystal Display Device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110009266A KR20110009266A (en) 2011-01-27
KR101058747B1 true KR101058747B1 (en) 2011-08-24

Family

ID=43614967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110001939A KR101058747B1 (en) 2011-01-07 2011-01-07 Gas injection apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101058747B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246316A (en) 2001-02-15 2002-08-30 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processor
WO2004112092A2 (en) 2003-05-30 2004-12-23 Aviza Technology, Inc. Adjustable gas distribution system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246316A (en) 2001-02-15 2002-08-30 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processor
WO2004112092A2 (en) 2003-05-30 2004-12-23 Aviza Technology, Inc. Adjustable gas distribution system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110009266A (en) 2011-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101153161B1 (en) Gas injector and Apparatus including the same for fabricating Liquid Crystal Display Device
KR101214860B1 (en) Gas injection apparatus
TWI446441B (en) Gas injection system for etching profile control
TWI525212B (en) Gas distribution plate and substrate treating apparatus including the same
KR20030042614A (en) Multi-sectored flat board type showerhead used in cvd apparatus
US20160115595A1 (en) Gas supply apparatus
KR20060114312A (en) Shower head of chemical vapor deposition apparatus
TWI776104B (en) Substrate processing apparatus and method using the same
KR101170596B1 (en) Gas injection apparatus
KR101058747B1 (en) Gas injection apparatus
KR20100052282A (en) Vacuum processing apparatus
KR101017163B1 (en) Plasma chemical vapor deposition apparatus
KR20060105458A (en) Gas injection apparatus
KR101351399B1 (en) Apparatus and method of processing substrate
KR20160023953A (en) Apparatus for treating a large area substrate
KR20070090470A (en) Gas distribution plate for uniform gas injection
KR101582711B1 (en) Apparatus for forming flatness of glass substrate
KR20170121775A (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus
KR100899222B1 (en) Shower head and vapor deposition apparatus employing the same
KR101016921B1 (en) Showerhead
KR20150021220A (en) Layer deposition apparatus and layer deposition method
KR100957456B1 (en) Thin film layer deposition apparatus using atomic layer deposition method
KR102558925B1 (en) The plasma deposition device
KR20220082228A (en) Apparatus for Processing Substrate
KR20220126835A (en) Chemical vapor deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
J204 Invalidation trial for patent
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20111122

Effective date: 20130123

EXTG Extinguishment