KR101045060B1 - 약액 공급 장치 및 그의 온도 전이를 방지하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수 개의 약액 공급 유닛들을 구비하는 약액 공급 장치 및 그의 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하기 위한 방법에 관한 것이다. 약액 공급 장치는 복수 개의 약액 공급 유닛들을 포함한다. 약액 공급 유닛들은 서로 다른 온도의 약액(혼합액)들을 기판 처리 장치로 공급한다. 약액 공급 유닛들 중 어느 하나는 고온의 약액을 공급하고, 다른 하나는 저온의 약액을 공급한다. 약액 공급 장치는 약액 공급 유닛들 사이에 온도 전이 방지 시스템을 설치한다. 온도 전이 방지 시스템은 에어 커튼 또는 냉각수를 이용하여 약액 공급 유닛들 간의 온도 전이를 방지한다.
Description
본 발명은 약액 공급 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 온도가 서로 다른 약액들을 각각 공급하는 복수 개의 약액 공급 유닛들을 구비하는 약액 공급 장치 및 그의 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하기 위한 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 및 평판 디스플레이 제조 공정은 다양한 약액들을 이용하여 특정 막질을 증착하는 증착 공정, 도포 공정이나, 반도체 기판 상에 잔존하는 파티클, 폴리머 등을 제거하거나, 불필요한 막질 등을 제거하는 세정 공정, 식각 공정 등을 처리한다. 예를 들어, 세정 공정, 식각 공정은 보통 솔벤트(solvent) 계열의 화학약품이나 SC-1(Standard Clean-1), DHF(Dilute Hydrofluoric Acid), BOE(LAL) 및, DSP(Diluted Sulfate Peroxide) 약액 등을 이용한다. 이를 위해 기판 처리 장치는 다양한 약액들을 안정적으로 공급받기 위하여, 약액 공급 장치와 연결된다.
이러한 약액 공급 장치는 일반적으로 하나의 하우징 내부에 복수 개의 약액 공급 유닛들을 구비한다. 약액 공급 유닛들은 서로 다른 온도를 갖는 약액들을 각각 공급한다. 약액 공급 유닛들은 각각 여러 가지 약액들을 혼합하여 기판 처리 장치로 공급하거나, 하나의 약액을 기판 처리 장치로 공급한다.
예를 들어, 약액 공급 장치는 약액 공급 유닛들 중 고온의 약액을 공급하는 약액 공급 유닛과, 저온의 약액을 공급하는 약액 공급 유닛이 인접하게 제공된다. 따라서 약액 공급을 위한 배관 경로 상의 고온 및 고온 분위기가 인접하는 저온의 약액 및 약액 분위기에 영향을 끼쳐 저온의 약액이 온도가 변화되는 현상이 발생되는 등 고온의 약액을 공급하는 중에 저온의 약액 공급 루트에 영향을 끼치게 된다. 그 결과, 약액 공급 장치에서는 공정 조건에 적합한 온도의 약액을 기판 처리 장치로 공급하고 있지만, 실제로는 온도 변화로 인해 공정 오류가 발생되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 고온 및 저온의 약액들을 공급하는 복수 개의 약액 공급 유닛들을 갖는 약액 공급 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고온 및 저온의 약액들을 공급하는 복수 개의 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하기 위한 약액 공급 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 온도 변화에 따른 기판 처리 장치의 공정 능력을 향상시키기 위한 약액 공급 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 약액 공급 장치는 고온 및 저온의 약액을 각각 공급하는 약액 공급 유닛들 사이에 온도 전이 방지 시스템을 제공하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같은 약액 공급 장치는 약액 공급 유닛들 간의 온도 전이를 방지하여 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
이 특징에 따른 본 발명의 약액 공급 장치는, 하우징과; 상기 하우징에 설치되어 고온의 약액을 공급하는 적어도 하나의 고온 약액 공급 유닛과; 상기 하우징에 설치되어 저온의 약액을 공급하는 적어도 하나의 저온 약액 공급 유닛 및; 상호 인접하게 배치되는 상기 고온 및 상기 저온 약액 공급 유닛 사이에 설치되어, 상기 고온 및 상기 저온 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하는 온도 전이 방지 시스템을 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 온도 전이 방지 시스템은; 상기 고온 및 상기 저온 약액 공급 유닛 사이에 설치되는 케이스 내부에 유체가 흐르도록 하여 온도 전이를 차단하는 에어 커튼 시스템 또는 냉각부재로 구비된다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수 개의 약액 공급 유닛들 사이에 온도 전이를 방지하는 약액 공급 장치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 약액 공급 장치는 약액들의 미세한 온도 변화를 방지하여 공정 능력을 향상시킬 수 있다.
이 특징에 따른 약액 공급 장치는, 하우징과; 상기 하우징의 내부 일측에 배치되어, 고온의 약액을 공급하는 제 1의 약액 공급 유닛과; 상기 제 1의 약액 공급 유닛에 인접하게 상기 하우징의 내부 타측에 배치되어, 저온의 약액을 각각 공급하는 복수 개의 제 2의 약액 공급 유닛 및; 상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고, 내부에 일정 온도의 유체가 흐르도록 제공하여, 상기 제 1 및 상기 제 2 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하는 온도 전이 방지 시스템을 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 온도 전이 방지 시스템은 유체를 공급하여 유체가 상부로부터 하부로 흐르도록 하는 에어 커튼 시스템으로 제공되며, 상기 유체는 가스를 포함한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 온도 전이 방지 시스템은; 상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고, 내부에 유체가 흐르도록 제공하는 케이스와; 상기 케이스 일측에 설치되어 상기 케이스 내부로 유체를 공급하는 공급 포트와; 상기 케이스의 내측 상단면에 설치되어 상기 공급 포트와 연결되고, 상기 케이스 내부로 유체를 분사하는 노즐 및; 상기 케이스 일측에 설치되어 상기 노즐로부터 분사된 유체를 외부로 배기하는 배기 포트를 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 온도 전이 방지 시스템은 유체를 순환시켜서 온도를 조절하는 냉각부재를 포함하되, 상기 유체는 냉각수를 포함한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 제 1의 약액 공급 유닛은 SC-1 계열의 세정액을 공급하고, 상기 제 2의 약액 공급 유닛은 LAL 또는 DHF 세정액을 공급한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 서로 다른 약액들을 각각 공급하는 복수 개의 약액 공급 유닛들을 갖는 약액 공급 장치의 온도 전이 방지 방법이 제공된다.
이 방법에 의하면, 상기 약액 공급 유닛들 중 고온의 약액을 공급하는 제 1의 약액 공급 유닛과, 상기 제 1의 약액 공급 유닛과 인접하게 배치되고 저온의 약액을 공급하는 제 2의 약액 공급 유닛 사이에 유체를 흐르게 하여 상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 차단하게 한다.
한 실시예에 있어서, 상기 유체를 흐르게 하는 것은; 상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고 내부가 밀폐된 케이스를 제공하고, 상기 케이스의 상부로부터 하단 방향으로 가스를 분사사켜서 기류를 형성하며, 가스를 외부로 배기한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 유체를 흐르게 하는 것은; 상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고 내부가 밀폐된 케이스를 제공하고, 상기 케이스의 내부로 냉각수를 공급 및 순환한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 약액 공급 장치는 고온의 약액을 공급하는 약액 공급 유닛과 저온의 약액을 공급하는 약액 공급 유닛 사이에 온도 전이 방지 시스템을 제공함으로써, 주변 환경에 따른 약액의 온도 변화를 최소화할 수 있다.
또 본 발명의 약액 공급 장치는 고온 및 저온의 약액을 각각 공급하는 약액 공급 유닛들 사이에 온도 전이 방지 시스템을 제공함으로써, 약액 공급 유닛들 간의 온도 전이를 방지하여 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 약액 공급 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면;
도 2는 도 1에 도시된 약액 공급 장치의 구성을 도시한 사시도;
도 3은 도 2에 도시된 약액 공급 장치의 구성을 도시한 정면도;
도 4는 도 2에 도시된 약액 공급 유닛의 일 실시예에 따른 구성을 도시한 도면;
도 5는 도 2에 도시된 온도 전이 방지 시스템의 구성을 도시한 도면; 그리고
도 6은 도 5에 도시된 온도 전이 방지 시스템의 다른 실시예의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 약액 공급 장치의 구성을 도시한 사시도;
도 3은 도 2에 도시된 약액 공급 장치의 구성을 도시한 정면도;
도 4는 도 2에 도시된 약액 공급 유닛의 일 실시예에 따른 구성을 도시한 도면;
도 5는 도 2에 도시된 온도 전이 방지 시스템의 구성을 도시한 도면; 그리고
도 6은 도 5에 도시된 온도 전이 방지 시스템의 다른 실시예의 구성을 도시한 도면이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 약액 공급 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 약액 공급 장치(100)는 하나의 약액, 약액들을 혼합한 혼합액 등 다양한 약액들을 기판 처리 장치(200)로 공급한다. 약액 공급 장치(100)는 약액들의 특성 예를 들어, 온도, 농도 등을 조절하여 공정 조건에 적합한 약액을 기판 처리 장치(200)로 공급한다. 여기서 기판 처리 장치(200)는 약액들을 이용하여 기판을 처리하는 공정 예를 들어, 세정, 식각 공정 등을 처리한다.
약액 공급 장치(100)는 하나의 하우징(도 2의 101) 내부에 상호 인접하게 배치되는 복수 개의 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들과, 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 사이에 배치되는 적어도 하나의 온도 전이 방지 시스템(150)을 포함한다.
그리고 온도 전이 방지 시스템(150)은 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 간의 온도 전이를 방지한다. 예를 들어, 약액 공급 장치(100)는 서로 다른 종류의 약액들을 각각 공급하는 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들을 구비한다. 이 때, 제 3 약액 공급 유닛(130)은 제 2 약액 공급 유닛(120)보다 높은 온도의 약액을 공급한다. 따라서 온도 전이 방지 시스템(150)은 고온의 약액을 공급하는 제 3약액 공급 유닛(130)과 저온의 약액을 공급하는 제 2 약액 공급 유닛(120) 사이에 제공된다. 물론 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 각각은 하우징(101) 내부의 어느 위치에 있더라도 무관하다. 그러므로 온도 전이 방지 시스템(150) 또한 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들의 위치에 관계없이 고온 및 저온의 약액을 공급하는 약액 공급 유닛(120, 130)들 사이에 배치된다.
구체적으로, 일 실시예에 따른 약액 공급 장치의 구성이 도 2 및 도 3에 도시되어 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 약액 공급 장치(100)는 하우징(101)과, 하우징(101) 내부에 설치되고, 다양한 약액들을 공급하는 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 및, 제 1 및 제 2 약액 공급 유닛(110, 120)들 사이 또는 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛들(120, 130) 사이에 배치되어, 제 1 및 제 2 약액 공급 유닛(110, 120)들 또는 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛(120, 130)들 간에 온도가 전이되는 것을 방지하는 온도 전이 방지 시스템(150)을 포함한다. 이 실시예에서 온도 전이 방지 시스템(150)은 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛들(120, 130) 사이에 배치된다.
또 약액 공급 장치(100)는 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 각각의 하우징(101) 상부면 일측에 배치되어 기판 처리 장치(200)로 약액을 공급하는 복수 개의 제 1 연결부(111, 121, 131)들과, 하우징(101) 측면 하단부에 배치되어 기판 처리 장치(200)로 약액을 공급하는 복수 개의 제 2 연결부(115, 125, 135)들을 포함한다. 따라서 약액 공급 장치(100)는 제 1 및 제 2 연결부(111, 121, 131 및 115, 125, 135) 중 어느 하나를 이용하여 기판 처리 장치(200)로 약액을 공급한다.
또 약액 공급 장치(100)는 하우징(101) 일측에 구비되어 약액 공급 장치(100)의 제반 동작을 제어 및 모니터링하는 제어부(102)와, 밸브 조절(107), 레귤레이터 조절(108) 등을 처리하는 조절부(106) 및, 하우징(101) 상부 타측에 구비되어 약액들의 온도 및 농도를 측정하는 항온조(140), 농도계(142, 144) 등을 포함한다. 제어부(102)는 예를 들어, 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC), 퍼스널 컴퓨터(PC) 또는 터치 스크린 등을 포함하는 컨트롤 패널(control pannel)(104)을 구비한다. 조절부(106)는 상부에 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들로 가스 및 약액들을 공급하는 복수 개의 공급 포트(109)들이 배치된다.
구체적으로, 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들은 예컨대, 세정, 식각 공정을 처리하기 위하여, LAL 공급 유닛(110)과, DHF 공급 유닛(120) 및 SC-1 공급 유닛(130)으로 구비된다. LAL 공급 유닛(110) 및 DHF 공급 유닛(120)은 각각 상온(예를 들어, 약 25 ℃ 정도)의 LAL 식각액 또는 DHF 식각액을 공급하고, SC-1 공급 유닛(130)은 고온(예를 들어, 약 70 ℃ 정도)의 SC-1 계열의 세정액을 공급한다.
제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110, 120, 130)들 각각은 도 4에 도시된 바와 같이, 전형적인 약액 공급 장치들의 구성 요소들을 포함한다. 예를 들어, 적어도 하나의 혼합 탱크, 배관, 펌프, 필터 및, 온도 조절 장치 등을 구비하여, 약액을 혼합, 순환 및 공급한다.
여기서는 제 1 약액 공급 유닛(110)을 이용하여 하나의 약액 공급 유닛에 대한 구성을 설명한다. 물론 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 각각은 제 1 약액 공급 유닛(110)의 구성과 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서 여기서는 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛(120, 130)들 각각에 대한 상세한 설명은 생략한다.
즉, 도 4를 참조하면, 제 1 약액 공급 유닛(110)은 적어도 하나의 약액 탱크 예를 들어, 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)와, 각각의 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)로 복수 개의 약액들을 공급받아서 내부에서 혼합하고, 혼합된 약액을 공정 조건 예를 들어, 온도, 농도 및 혼합 비율 등을 조절하도록 순환하는 약액 탱크 순환부(164)와, 혼합된 약액이 공정 조건에 적합하면 기판 처리 장치(200)의 처리조(미도시됨)으로 혼합된 약액을 공급하는 약액 공급부(166)를 구비한다.
약액 탱크 순환부(164)는 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)로부터 순환되는 약액들이 흐르는 순환 라인(180)이 공유되고, 순환 라인(180)에 설치되어 약액을 순환시키는 펌프(182)와, 약액의 온도를 조절하는 히터(186), 약액의 농도를 측정하여 제어부(102)로 제공하는 농도계(184) 및, 복수 개의 밸브(178, 188)들을 포함한다. 약액 탱크 순환부(164)는 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)에 대응하는 밸브(154, 156)들을 조절하여 각각의 약액을 해당 약액 탱크(160 또는 162)로 순환한다.
또 제 1 약액 공급 유닛(110)은 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162) 각각의 상부에 복수 개의 약액 공급원(미도시됨)과 연결되어 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)로 복수 개의 약액들을 공급하는 제 1 및 제 2의 약액 공급 라인들(170, 174)과, 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)에 상호 공유되도록 설치되며, 제 1 약액 탱크(160)의 혼합된 약액을 순환하여 공정 조건(예컨대, 온도, 농도 및 혼합 비율 등)을 조절하거나 제 2 약액 탱크(162)의 혼합된 약액을 순환하여 공정 조건을 조절하는 순환 라인(180)과, 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)들과 기판 처리 장치(200) 사이에서 제 1 및 제 2 약액 탱크(160, 162)들 각각으로 약액을 공급하거나, 순환(recycle), 회수(return) 및 배출(drain)하는 약액 공급부(166)가 설치된다. 또 순환 및 공급 라인(180, 170, 174, 168)들에는 복수 개의 밸브(172, 176, 178, 188, 190, 192)들이 각각 설치되어 각각의 라인(180, 170, 174, 168)에 흐르는 약액들의 공급량을 조절한다. 또 약액 공급부(166)와 기판 처리 장치(200) 사이의 공급 라인(168)에는 펌프(193), 항온조(194) 및 필터(196) 등이 설치된다.
따라서 제어부(104)는 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들의 동작을 제어하고, 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들은 독립적으로 약액 공급 및 순환 등이 이루어진다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 각각은 공급 포트(109)와 연결되어 가스 및 약액들을 받아들여서 혼합하고, 혼합된 약액들의 온도 및 농도를 조절하도록 순환하여 공정에 적합한 조건이 되면, 기판 처리 장치(200)로 약액을 공급하도록 제 1 연결부(111, 121, 131) 또는 제 2 연결부(115, 125, 135)로 약액을 배출시킨다.
여기서 제 1 연결부(111, 121, 131)는 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 각각에 대응하여 복수 개의 연결 포트(hook-up port)(112, 122, 132)들과, 연결 포트(112, 122, 132)들 일측에 구비되어 가스를 외부로 배기시키기 위한 배기 포트(exhaust port)(114, 124, 134)을 포함한다. 그리고 제 2 연결부(115, 125, 135)는 제 1 내지 제 3 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 각각에 대응하여 복수 개의 연결 포트(hook-up port)(116, 126, 136)들과, 연결 포트(116, 126, 136)들 일측에 구비되어 약액을 외부로 배출시키기 위한 복수 개의 배출 포트(drain port)(118, 128, 138)들을 포함한다.
그리고 온도 전이 방지 시스템(150)은 온도 전이 방지를 위해, 에어 커튼(air curtain)을 발생시키는 에어 커튼 시스템으로 구비된다. 즉, 이 실시예의 온도 전이 방지 시스템(150)은 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛(120, 130)들 사이에 배치되는 케이스(152)와, 케이스(152)의 상단면 일측에 설치되어 케이스(152)의 내부로 가스를 공급하는 적어도 하나의 가스 공급 포트(154) 및, 케이스(152)의 상단면 타측에 설치되어 케이스(152)의 외부로 가스를 배출하는 배기 포트(158)를 포함한다. 여기서 가스는 주변 분위기 및 기판 처리 장치의 공정에 영향을 미치지 않는 기체(예를 들어, 질소, 에어 등)를 포함한다. 또 가스는 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛(120, 130)들 각각으로부터 공급되는 약액들의 온도 범위를 갖는다. 케이스(152)는 내부의 가스가 상부에서 하부 방향으로 흐르도록 밀폐된 공간을 제공한다. 가스 공급 포트(154)에는 케이스(152) 내부에서 에어 커튼 즉, 케이스(152) 상부로부터 하부 방향으로 기류가 발생되도록 가압된 가스를 분사하는 에어 노즐(153)이 설치된다. 그리고 배기 포트(158)에는 케이스(152) 내부로부터 가스를 배기하는 배기관(156)이 연결된다. 배기관(156)은 예를 들어, 일단이 배기 포트(158)와 연결되고, 타단이 케이스(152)의 내부 바닥면에 근접하게 제공된다. 케이스(152) 내부에 발생된 에어 커튼은 배기관(156) 및 배기 포트(158)를 통해 외부로 배기된다. 따라서 케이스(152)의 내부 온도는 에어 커튼의 흐름에 의해 냉각된다.
따라서 온도 전이 방지 시스템(150)은 저온의 약액을 공급하는 제 2 약액 공급 유닛(120)의 분위기 온도가 제 3 약액 공급 유닛(130)의 분위기에 의해 상승되는 것을 방지하여, 약액의 온도 변화를 최소화하므로 약액의 온도 변화에 따른 공정 효율에 아무런 영향을 받지 않도록 한다.
또 배기 포트(158a)는 도 5에 도시된 바와 같이, 케이스(152)의 하단부 일측에 설치될 수 있다. 이 경우의 온도 전이 방지 시스템(150)은 케이스(152)의 상부로부터 하부 방향으로 흐르는 기류를 배기 포트(158a)로 바로 배기시킬 수 있으므로, 케이스(152) 내부에서 배기 포트(158a)에 연결되는 별도의 배기관이 불필요하다.
다른 실시예로서, 도 6을 참조하면, 이 실시예의 온도 전이 방지 시스템(150a)은 케이스(152)의 내부에 균일하게 배치되는 냉각부재(cooler)(155)를 구비한다. 이 경우, 도 5의 가스 공급 포트(154) 및 배기 포트(158) 각각은 냉각수 유입 포트(154a) 및 냉각수 배출 포트(158a)로써 작용한다. 따라서 냉각 부재(155)는 냉각수 유입 포트(154a)를 통해 냉각수를 받아서 냉각수 배출 포트(158a)로 냉각수를 배출하여 케이스(152) 내부 공간의 온도를 균일하게 냉각시킨다. 이 때, 냉각수는 케이스(152) 내부의 분위기를 냉각시키는 액체(예를 들어, 물 등)로 제공된다. 냉각수 또한 제 2 및 제 3 약액 공급 유닛(120, 130)들 각각으로부터 공급되는 약액들의 온도 범위를 갖는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 약액 공급 장치(100)는 복수 개의 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들을 구비하고, 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 사이에 적어도 하나의 온도 전이 방지 시스템(150 또는 150a)을 제공함으로써, 서로 다른 온도의 약액들을 공급하는 약액 공급 유닛(110 ~ 130)들 간의 온도 전이를 방지할 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 약액 공급 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
100 : 약액 공급 장치
110, 120, 130 : 약액 공급 유닛
150 : 온도 전이 방지 시스템
152 : 하우징
154 : 흡기 포트
156 : 배기관
158, 158a : 배기 포트
200 : 기판 처리 장치
110, 120, 130 : 약액 공급 유닛
150 : 온도 전이 방지 시스템
152 : 하우징
154 : 흡기 포트
156 : 배기관
158, 158a : 배기 포트
200 : 기판 처리 장치
Claims (10)
- 약액 공급 장치에 있어서:
하우징과;
상기 하우징에 설치되어 고온의 약액을 공급하는 적어도 하나의 고온 약액 공급 유닛과;
상기 하우징에 설치되어 저온의 약액을 공급하는 적어도 하나의 저온 약액 공급 유닛 및;
상호 인접하게 배치되는 상기 고온 및 상기 저온 약액 공급 유닛 사이에 설치되어, 상기 고온 및 상기 저온 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하는 온도 전이 방지 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 온도 전이 방지 시스템은;
상기 고온 및 상기 저온 약액 공급 유닛 사이에 설치되는 케이스 내부에 유체가 흐르도록 하여 온도 전이를 차단하는 에어 커튼 시스템 또는 냉각부재로 구비되는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 약액 공급 장치에 있어서:
하우징과;
상기 하우징의 내부 일측에 배치되어, 고온의 약액을 공급하는 제 1의 약액 공급 유닛과;
상기 제 1의 약액 공급 유닛에 인접하게 상기 하우징의 내부 타측에 배치되어, 저온의 약액들을 각각 공급하는 복수 개의 제 2의 약액 공급 유닛 및;
상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고, 내부에 일정 온도의 유체가 흐르도록 제공하여, 상기 제 1 및 상기 제 2 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 방지하는 온도 전이 방지 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 온도 전이 방지 시스템은 유체를 공급하여 유체가 상부로부터 하부로 흐르도록 하는 에어 커튼 시스템으로 제공되며, 상기 유체는 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 온도 전이 방지 시스템은;
상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고, 내부에 유체가 흐르도록 제공하는 케이스와;
상기 케이스 일측에 설치되어 상기 케이스 내부로 유체를 공급하는 공급 포트와;
상기 케이스의 내측 상단면에 설치되어 상기 공급 포트와 연결되고, 상기 케이스 내부로 유체를 분사하는 노즐 및;
상기 케이스 일측에 설치되어 상기 노즐로부터 분사된 유체를 외부로 배기하는 배기 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 온도 전이 방지 시스템은 유체를 순환시켜서 온도를 조절하는 냉각부재를 포함하되, 상기 유체는 냉각수를 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 제 3 항, 제 4 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1의 약액 공급 유닛은 SC-1 계열의 세정액을 공급하고, 상기 제 2의 약액 공급 유닛은 LAL 또는 DHF 세정액을 공급하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. - 서로 다른 약액들을 각각 공급하는 복수 개의 약액 공급 유닛들을 갖는 약액 공급 장치의 온도 전이 방지 방법에 있어서,
상기 약액 공급 유닛들 중 고온의 약액을 공급하는 제 1의 약액 공급 유닛과, 상기 제 1의 약액 공급 유닛과 인접하게 배치되고 저온의 약액을 공급하는 제 2의 약액 공급 유닛 사이에 유체를 흐르게 하여 상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 간에 온도 전이를 차단하게 하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치의 온도 전이 방지 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 유체를 흐르게 하는 것은;
상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고 내부가 밀폐된 케이스를 제공하고, 상기 케이스의 상부로부터 하단 방향으로 가스를 분사사켜서 기류를 형성하며, 가스를 외부로 배기하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치의 온도 전이 방지 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 유체를 흐르게 하는 것은;
상기 제 1 및 상기 제 2의 약액 공급 유닛들 사이에 배치되고 내부가 밀폐된 케이스를 제공하고, 상기 케이스의 내부로 냉각수를 공급 및 순환하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치의 온도 전이 방지 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020100001755A KR101045060B1 (ko) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 약액 공급 장치 및 그의 온도 전이를 방지하기 위한 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2023082388A1 (zh) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | 深圳市微厨科技有限公司 | 炒菜机 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050035391A (ko) * | 2003-10-13 | 2005-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 습식식각장비 |
| KR100719225B1 (ko) | 2005-12-21 | 2007-05-17 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 반도체 제조 공정용 온도조절 시스템 |
| KR20080103401A (ko) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | 에이티에스 저팬 가부시키가이샤 | 항온 유지 장치 |
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2010
- 2010-01-08 KR KR1020100001755A patent/KR101045060B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050035391A (ko) * | 2003-10-13 | 2005-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 습식식각장비 |
| KR100719225B1 (ko) | 2005-12-21 | 2007-05-17 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 반도체 제조 공정용 온도조절 시스템 |
| KR20080103401A (ko) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | 에이티에스 저팬 가부시키가이샤 | 항온 유지 장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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