KR101035233B1 - 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법 - Google Patents

반도체 소자 제조용 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자 제조용 기판 처리 방법이 개시된다. 반응 챔버 내에 주입된 반응 가스로부터 플라즈마를 형성하여 서셉터에 놓여진 반도체 소자의 제조를 위한 기판에 박막을 증착하고, 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 주입하고, 퍼지 가스가 기판과 서셉터 사이로 유입되도록 기판을 서셉터로부터 제1 간격으로 이격시키고, 기판과 서셉터 사이로 이송 암이 삽입되도록 제1 간격으로 이격된 기판을 서셉터로부터 제2 간격으로 더 이격시킨 다음, 이송 암을 기판과 서셉터 사이로 삽입하여 기판을 반응 챔버의 외부로 이송한다. 따라서, 기판의 파손 없이 기판을 서셉터로부터 분리시킬 수 있다.

Description

반도체 소자 제조용 기판 처리 방법{METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE IN MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조하기 위한 기판에 박막을 증착하여 처리하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼(wafer)와 같은 실리콘 재질의 기판 상에 회로 패턴을 형성하는 공정과, 상기 회로 패턴이 형성된 상기 기판의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 검사한 기판을 다수의 칩들로 절단한 후 상기 칩들을 리드 프레임과 같이 에폭시 수지로 개별 봉지하는 공정 등을 수행하여 제조된다.
여기서, 상기 회로 패턴은 상기 기판에 박막을 증착하는 공정과, 상기 박막 상에 포토레지스트를 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트의 형상에 대응되도록 상기 박막을 식각하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 공정 등을 수행하여 형성된다.
최근, 상기 박막을 증착하는 공정으로는 저온에서 상기 박막의 두께를 얇게 하면서 증착률도 우수한 플라즈마 처리 방식이 널리 사용되고 있다. 상기 플라즈마 처리 방식은 일예로, 플라즈마 강화 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical vapor deposition : 이하, PE-CVD) 장치를 통해 진행될 수 있다.
상기 PE-CVD 장치는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 배치되어 상기 기판이 놓여지는 서셉터, 상기 반응 챔버 내에 반응 가스를 주입하는 가스 주입부, 상기 반응 가스를 상기 기판에 균일하게 제공하기 위한 샤워 헤드, 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 형성하기 위하여 RF가 인가되는 전극을 포함한다.
이러한 상기 PE-CVD 장치를 통하여 상기 기판에 박막이 증착되면, 상기 기판은 상기 서셉터로부터 분리되어 상기 반응 챔버의 외부로 이송된다. 여기서, 상기 기판은 상기 서셉터에 이동이 가능하도록 삽입된 다수의 리프트 핀들을 통해 상기 서셉터로부터 이격되어 분리된다.
그러나, 상기 RF에 의해 형성된 플라즈마로 인하여 상기 기판과 상기 서셉터 사이에 발생되는 정전기 때문에 상기 기판과 상기 서셉터가 서로 붙는 스틱킹(sticking) 현상이 발생됨으로써, 상기 기판을 상기 서셉터로부터 이격시킬 때 상기 기판이 휘거나 부러지는 등의 파손이 발생되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 기판의 파손 없이 상기 기판을 서셉터로부터 이격시킬 수 있는 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법이 개시된다.
우선, 반응 챔버 내에 주입된 반응 가스로부터 플라즈마를 형성하여 서셉터에 놓여진 반도체 소자의 제조를 위한 기판에 박막을 증착한다. 이어, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 주입한다. 이어, 상기 퍼지 가스가 상기 기판과 상기 서셉터 사이로 유입되도록 상기 기판을 상기 서셉터로부터 제1 간격으로 이격시킨다.
이어, 상기 기판과 상기 서셉터 사이로 이송 암이 삽입되도록 상기 제1 간격으로 이격된 기판을 상기 서셉터로부터 제2 간격으로 더 이격시킨다. 이어, 상기 이송 암을 상기 기판과 상기 서셉터 사이로 삽입하여 상기 기판을 상기 반응 챔버의 외부로 이송한다.
여기서, 상기 제1 간격은 1 내지 2㎜인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 주입하는 단계와 상기 기판을 상기 서셉터로부터 상기 제1 간격으로 이격시키는 단계는 동시에 진행될 수 있다.
이러한 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법에 따르면, 박막이 증착된 기판을 반응 챔버의 외부로 이송시키기 위해 서셉터로부터 완전히 이격시키기 전에, 퍼지 가스가 상기 반응 챔버에 주입된 상태에서 상기 기판을 상기 서셉터로부터 약간 들뜨게 이격시켜 상기 퍼지 가스가 상기 기판과 상기 서셉터의 사이로 유입되도록 함으로써, 플라즈마로 인하여 상기 기판과 상기 서셉터의 사이에 발생될 수 있는 정전기를 제거할 수 있다.
따라서, 상기 기판을 상기 서셉터로부터 완전히 이격시킬 때, 정전기로 인하여 발생될 수 있는 스틱킹(sticking) 현상을 제거함으로써, 상기 기판이 휘거나 부러지는 등의 파손이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
결과적으로, 상기 기판에 의해 제조되는 반도체 소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명은 본 발명의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화 들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이다. 예를 들면, 평평한 것으로서 설명된 영역은 일반적으로 거칠기 및/또는 비선형적인 형태들을 가질 수 있다. 또한, 도해로서 설명된 뾰족한 모서리들은 둥글게 될 수도 있다. 따라서, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 반응 챔버(100), 서셉터(200), 제1 가스 주입부(300), 샤워 헤드(400), 상부 전극판(500), 진공 펌핑부(600) 및 제2 가스 주입부(700)를 포함한다.
상기 반응 챔버(100)는 반도체 소자의 제조를 위한 기판(W)에 박막을 증착하기 위한 밀폐된 반응 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판(W)은 실리콘 재질의 웨이퍼(wafer)를 의미할 수 있다. 이러한 상기 기판(W)은 상기 반응 챔버(100)의 내부에서 상기 서셉터(200)에 놓여진다.
상기 서셉터(200)는 상기 기판(W)이 실질적으로 놓여지는 플레이트(210) 및 상기 플레이트(210)의 중심 부위로부터 상기 반응 챔버(100)의 하부로 연장된 샤프 트(220)를 포함한다.
상기 플레이트(210)는 상기 기판(W)이 놓여지는 면에 기판(W)을 위치를 가이드하는 가이드부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 가이드부(미도시)는 상기 기판(W)의 가장 자리 부위에 대응하여 상기 플레이트(210)의 중심 방향으로 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(W)은 상기 가이드부(미도시)를 따라 슬라이딩하면서 상기 플레이트(210)의 일정 위치에 놓여진다.
상기 샤프트(220)는 상기 반응 챔버(100)의 하부를 통과하면서 상하 방향으로 이동이 가능하게 구성된다. 이로써, 상기 플레이트(210)는 상기 샤프트(220)의 이동에 의하여 상하 방향으로 이동할 수 있다.
상기 제1 가스 주입부(300)는 상기 반응 챔버(100)의 상부에 구성된다. 상기 제1 가스 주입부(300)는 상기 반응 챔버(100)의 내부에 반응 가스(RG)를 주입한다.
상기 샤워 헤드(400)는 상기 반응 챔버(100)의 내부에서 상기 서셉터(200)에 놓여진 기판(W)과 상기 제1 가스 주입부(300) 사이에 배치된다. 상기 샤워 헤드(400)에는 일정 크기의 다수의 관통홀(410)들이 일정한 간격으로 형성된다. 이로써, 상기 샤워 헤드(400)는 상기 제1 가스 주입부(300)로부터 주입된 상기 반응 가스(RG)가 상기 기판(W)에 균일하게 제공되도록 한다.
상기 상부 전극판(500)은 상기 샤워 헤드(400)의 상부에서 상기 샤워 헤드(400)와 전기적으로 연결된다. 상기 상부 전극판(500)에는 외부로부터 RF가 인가된다. 이로써, 상기 샤워 헤드(400)에는 상기 상부 전극판(500)을 통하여 RF가 인가된다. 여기서, 상기 상부 전극판(500)이 상기 반응 챔버(100)와 접하게 된다면, 그 접하는 부위에 절연 부재(510)가 배치될 수 있다.
이에, 상기 반응 가스(RG)는 RF에 의해서 플라즈마로 여기됨과 같이, 입자 형태로 상기 기판(W)에 증착되어 박막을 형성한다. 이럴 경우, 상기 반응 가스(RG)는 아르곤(Ar), 실란(SiH4), 질소(N2) 또는 암모니아(NH3) 등을 포함할 수 있다.
한편, 상기 서셉터(200)는 외부의 접지(G)와 연결되어 상기 기판(W)에 박막이 원활하게 증착하기 위한 기준 전압을 제공한다.
또한, 상기 서셉터(200)의 플레이트(210)에는 상기 기판(W)에 박막이 원활하게 증착되도록 하기 위하여 상기 기판(W)을 반응 온도로 가열하는 히터(212)가 내장된다. 이에, 상기 샤프트(220)에는 상기 히터(212)에 구동 전원을 인가하기 위한 전기 배선(222)들이 내장된다.
한편, 상기와 같은 경우 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210) 사이에는 플라즈마에 의해 정전기가 발생되어 상기 기판(W)이 상기 플레이트(210)와 서로 붙는 스틱킹(sticking) 현상이 발생될 수 있다.
상기 진공 펌핑부(600)는 상기 반응 챔버(100)의 상기 제1 가스 주입부(300)와 대향하는 부위에 구성된다. 예를 들어, 상기 제1 가스 주입부(300)가 상기 반응 챔버(100)의 상부에 구성될 경우, 상기 진공 펌핑부(600)는 상기 반응 챔버(100)의 하부에 구성될 수 있다.
상기 진공 펌핑부(600)는 상기 제1 가스 주입부(300)로부터 주입된 상기 반응 가스(RG)를 상기 반응 챔버(100)의 외부로 펌핑한다. 이러한 상기 진공 펌핑 부(600)는 플라즈마의 여기가 원활하게 이루어지도록 상기 반응 챔버(100)의 내부를 고진공 상태로 유지시킨다.
이때, 상기 기판(W)은 상기 진공 펌핑부(600)에 의해서 형성되는 상기 반응 챔버(100) 내부의 진공압이 낮아질수록 더 강한 힘으로 상기 플레이트(210)에 밀착하려고 한다. 즉, 스틱킹 현상의 강도는 진공압에 반비례적으로 증가하게 된다.
상기 제2 가스 주입부(700)는 상기 반응 챔버(100)의 상기 진공 펌핑부(600)와 대향하는 부위에 구성된다. 예를 들어, 상기 진공 펌핑부(600)가 상기 반응 챔버(100)의 하부에 구성될 경우, 상기 제2 가스 주입부(700)는 상기 반응 챔버(100)의 상부에 구성될 수 있다.
하지만, 이럴 경우 상기 제2 가스 주입부(700)는 상기 제1 가스 주입부(300)에 의해 간섭될 수 있으므로, 상기 진공 펌핑부(600)와 상기 반응 챔버(100)의 일측에 배치될 수도 있다. 또한, 상기 반응 챔버(100)에 상기 제2 가스 주입부(700)를 직접 구성하지 않고, 상기 제2 가스 주입부(700)의 기능을 상기 제1 가스 주입부(300)가 대신할 수도 있다.
상기 제2 가스 주입부(700)는 상기 반응 챔버(100)의 내부에 퍼지 가스(PG)를 주입한다. 상기 퍼지 가스(PG)는 상기 기판(W)에 박막의 증착이 이루어진 다음, 상기 반응 챔버(100)의 내부에 잔존하는 상기 반응 가스(RG)를 상기 진공 펌핑부(600)로 유도하여 외부로 제거한다. 이에, 상기 퍼지 가스(PG)는 일 예로, 불활성의 질소(N2) 가스로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 기판 처리 장치(1000)는 상기 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부 터 분리시키기 위하여 펌핑플레이트(800), 베이스링(900) 및 다수의 리프트 핀(950)들을 더 포함한다.
상기 펌핑플레이트(800)는 상기 서셉터(200)의 샤프트(220)를 감싸면서 상기 반응 챔버(100)에 고정된다. 상기 베이스링(900)은 상기 플레이트(210)와 상기 펌핑플레이트(800)의 사이에서 상기 샤프트(220)에 결합된다.
상기 베이스링(900)은 상기 샤프트(220)가 하부로 이동할 때 우선적으로 상기 샤프트(220)와 같이 이동하지만, 상기 펌핑플레이트(800)와 접하게 되면 상기 샤프트(220)가 이동하여도 상기 펌핑플레이트(800)에 의해 멈추게 된다.
상기 리프트 핀(950)들은 상기 베이스링(900)으로부터 상기 플레이트(210) 방향으로 연장되도록 나사 방식을 통해 체결된다. 상기 리프트 핀(950)들은 상기 플레이트(210)의 삽입홀(214)들에 삽입된다.
이에 따라, 상기 베이스링(900)이 상기 펌핑플레이트(800)와 접한 상태에서 상기 샤프트(220)가 하부 방향으로 계속 이동하게 되면, 상기 리프트 핀(950)들은 반대로 상부 방향으로 이동하는 효과가 발생함으로써, 상기 플레이트(210)에 놓여진 기판(W)은 상기 리프트 핀(950)들에 의해 상기 플레이트(210)로부터 이격되어 분리된다.
하지만, 상기와 같이 상기 리프트 핀(950)들에 의해서 상기 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부터 분리시킬 경우에 배경 기술에서와 같이 스틱킹 현상으로 인하여 상기 기판(W)이 휘거나 부러지는 등의 파손이 발생될 수 있다.
특히, 진공압이 약 1 torr 미만일 경우, 상기 기판(W)의 파손 가능성은 플라 즈마의 강도에 관계없이 거의 100%에 가깝게 나타날 수 있다.
한편, 상기 기판(W)이 직접 파손되지 않더라도 스틱킹 현상으로 인해 상기 리프트 핀(950)들 중 일부가 상기 베이스링(900)으로부터 조금씩 풀려 상기 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부터 경사지게 이격시킴으로써, 상기 기판(W)이 상기 리프트 핀(950)들로부터 슬라이딩될 수 있다.
이럴 경우, 상기 기판(W)을 상기 반응 챔버(100)의 외부로 이송하는 공정에 문제가 발생되거나, 상기 기판(W)이 상기 반응 챔버(100)의 내벽에 부딪혀서 파손될 수도 있다.
이에, 상기 기판(W)의 파손을 방지할 수 있는 방법에 대하여 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 상세하게 설명하고자 한다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 통해 기판을 처리하는 과정을 나타낸 도면들이다.
도 2a를 참조하면, 상기 제1 가스 주입부(300)로부터 상기 반응 가스(RG)를 상기 반응 챔버(100)로 주입하여 상기 서셉터(200)의 플레이트(210)에 놓여진 기판(W)에 박막을 증착한다.
구체적으로, 상기 상부 전극판(500)을 통하여 상기 샤워 헤드(400)로 인가된 RF를 통해 상기 반응 가스(RG)로부터 플라즈마를 형성함으로써, 상기 기판(W)에 박막을 증착한다. 이때, 플라즈마의 형성을 원활하게 하기 위하여 상기 반응 챔버(100)의 내부는 상기 진공 펌핑부(600)를 통해 고진공 상태가 유지된다.
이럴 경우, 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210) 사이에는 상기 플라즈마에 의해 정전기가 발생되어 상기 기판(W)이 상기 플레이트(210)에 서로 붙는 스틱킹 현상이 발생될 수 있다.
한편, 상기 반응 가스(RG)는 상기 샤워 헤드(400)를 통해 상기 기판(W)에 균일하게 제공됨으로써, 박막은 두께가 균일하게 증착될 수 있다. 또한, 상기 샤워 헤드(400)는 상기 반응 가스(RG)가 상기 기판(W)에서 비산되는 것을 방지하기 위해 상기 기판(W)과 최대한 가깝게 배치된다. 예를 들어, 상기 샤워 헤드(400)는 상기 기판(W)과 약 8 내지 10㎜의 거리를 두고 배치될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 이어 상기 기판(W)에 박막이 증착되면, 상기 반응 가스(RG)의 주입을 중단하고, 상기 제2 가스 주입부(700)를 통해 상기 반응 챔버(100)의 내부에 잔존하는 상기 반응 가스(RG)를 제거하기 위한 상기 퍼지 가스(PG)를 상기 반응 챔버(100)에 주입한다.
이때에도, 상기 진공 펌핑부(600)는 상기 반응 챔버(100)의 내부를 펌핑하여 상기 반응 가스(RG)와 상기 퍼지 가스(PG)를 외부로 펌핑한다.
도 2c를 추가적으로 참조하면, 이어 상기 베이스링(900)이 상기 펌핑플레이트(800)에 접하도록 상기 서셉터(200)의 샤프트(220)를 하부 방향으로 이동시킨다. 예를 들어, 상기 샤프트(220)는 약 40 내지 50㎜ 이동할 수 있다.
이어, 상기 베이스링(900)으로부터 연장된 리프트 핀(950)들이 상기 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부터 소정의 제1 간격(d1)으로 이격시키도록 상기 샤프트(220)를 하부 방향으로 더 이동시킨다.
이하, 상기 도 3을 추가적으로 참조하여 상기 제1 간격(d1)에 대하여 구체적 으로 설명하고자 한다.
도 3은 도 2c의 A부분의 확대도이다.
도 3을 추가적으로 참조하면, 상기 제1 간격(d1)이 약 1㎜ 미만일 경우에는 상기 퍼지 가스(PG)가 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210) 사이에 유입되기 어려움으로 바람직하지 않고, 상기 제1 간격(d1)이 약 2㎜를 초과할 경우에는 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210) 사이의 정전기로부터 형성된 스틱킹 현상에 의해 상기 기판(W)이 휘거나 부러질 위험이 있기 때문에 바람직하지 않다. 이로써, 상기 제1 간격(d1)은 약 1 내지 2㎜인 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 반응 챔버(100)에 상기 퍼지 가스(PG)가 주입된 상태에서 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210)를 상기 제1 간격(d1)으로 이격시켜 상기 퍼지 가스(PG)가 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210)의 사이에 유입되도록 함으로써, 스틱킹 현상의 원인이 되는 정전기를 제거할 수 있다.
이때, 상기 퍼지 가스(PG)는 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210) 사이로 보다 원활하게 유입되도록 하기 위하여 도 2b를 참조한 단계에서보다 더 많이 상기 반응 챔버(100)로 주입될 수 있다.
또한, 도 2b와 도 2c를 서로 단계들로 구분하여 설명하였지만, 실질적으로 도 2b에 개시된 상기 퍼지 가스(PG)를 상기 반응 챔버(100)에 주입하는 단계와 도 2c에 개시된 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부터 상기 제1 간격(d1)으로 이격시키는 단계는 동시에 진행될 수 있다. 이러면, 상기 기판(W)을 처리하는 전체적인 공정 시간을 일부 단축시키는 효과를 기대할 수 있다.
이어, 상기 반응 챔버(100)에 상기 반응 가스(RG)와 상기 퍼지 가스(PG)가 주입되는 것을 차단하면서 상기 진공 펌핑부(600)만을 작동시켜 상기 반응 챔버(100) 내부의 상기 반응 가스(RG) 및 상기 퍼지 가스(PG)를 외부로 순수하게 펌핑한다.
이때, 상기 반응 가스(RG)와 상기 퍼지 가스(PG)를 순수하게 펌핑하는 시간은 약 15초 이내로 이전보다 약 5초 정도 단축하여 진행될 수 있다. 이는, 스틱킹 현상을 방지하기 위하여 추가시킨 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부터 소정의 제1 간격(d1)으로 이격시키는 단계에서 이미 약 5초 동안 상기 진공 펌핑부(600)의 펌핑 작동이 이루어졌기 때문이다.
도 2d를 참조하면, 이어 상기 기판(W)을 상기 리프트 핀(950)들을 통해 상기 서셉터(200)로부터 상기 제1 간격(d1)보다 큰 제2 간격(d2)으로 더 이격시키기 위하여 상기 서셉터(200)의 샤프트(220)를 하부 방향으로 더 이동시킨다.
여기서, 상기 제2 간격(d2)은 이하의 도 2e에 도시된 이송 암(도 2e의 10)의 삽입이 가능한 간격이면 충분하다.
도 2e를 참조하면, 이어 상기 이송 암(10)을 외부로부터 상기 반응 챔버(100)의 입구(110)를 통해 상기 기판(W)과 상기 플레이트(210) 사이로 삽입하여 상기 기판(W)을 파지한다.
이어, 상기 이송 암(10)을 통해 파지한 기판(W)을 상기 입구(110)를 통해 외부로 이송한다. 이러한 상기 이송 암(10)은 상기 기판(W)을 대상으로 박막 상에 사용자가 원하는 포토레지스트를 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트의 형상에 대응되도록 박막을 식각하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 공정 등의 후속 공정이 진행되는 공간으로 상기 기판(W)을 이송할 수 있다.
따라서, 상기 기판(W)을 상기 반응 챔버(100)의 외부로 이송시키기 위하여 상기 플레이트(210)로부터 상기 제2 간격(d2)으로 완전히 이격시키기 전에, 상기 퍼지 가스(PG)가 상기 반응 챔버(100)에 주입된 상태에서 상기 기판(W)을 상기 서셉터(200)로부터 상기 제1 간격(d1) 만큼 약간 들뜨게 이격시켜 상기 퍼지 가스(PG)가 상기 기판(W)과 상기 서셉터(200)의 사이로 유입되도록 함으로써, 스틱킹(sticking) 현상의 원인이 되는 정전기를 제거할 수 있다.
이로써, 상기 기판(W)을 상기 플레이트(210)로부터 상기 제2 간격(d2)으로 완전히 이격시킬 때 스틱킹 현상으로 인해 상기 기판(W)이 휘거나 부러지는 등의 파손을 방지할 수 있다.
결과적으로, 상기 기판(W)에 의해 제조되는 상기 반도체 소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 기판을 서셉터로부터 완전히 이격시키기 전에, 약간 들뜨 게 이격시켜 그 사이에 퍼지 가스를 유입시킴으로써, 상기 기판과 상기 서셉터 사이에 발생되는 정전기를 제거하여 이로 인해 발생되는 상기 기판의 파손을 방지할 수 있는 방법으로 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 통해 기판을 처리하는 과정을 나타낸 도면들이다.
도 3은 도 2c의 A부분의 확대도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 기판 F : 박막
RG : 반응 가스 PG : 퍼지 가스
10 : 이송 암 100 : 반응 챔버
200 : 서셉터 210 : 플레이트
220 : 샤프트 300 : 제1 가스 주입부
400 : 샤워 헤드 500 : 상부 전극판
600 : 진공 펌핑부 700 : 제2 가스 주입부
800 : 펌핑플레이트 900 : 베이스링
950 : 리프트 핀 1000 : 기판 처리 장치

Claims (3)

  1. 반응 챔버 내에 주입된 반응 가스로부터 플라즈마를 형성하여 서셉터에 놓여진 반도체 소자의 제조를 위한 기판에 박막을 증착하는 단계;
    상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 주입하는 단계;
    상기 퍼지 가스의 주입과 동시에 상기 퍼지 가스가 상기 기판과 상기 서셉터 사이로 유입되도록 상기 기판을 상기 서셉터로부터 제1 간격으로 이격시키는 단계;
    상기 기판과 상기 서셉터 사이로 이송 암이 삽입되도록 상기 제1 간격으로 이격된 기판을 상기 서셉터로부터 제2 간격으로 더 이격시키는 단계; 및
    상기 이송 암을 상기 기판과 상기 서셉터 사이로 삽입하여 상기 기판을 상기 반응 챔버의 외부로 이송하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 간격은 1 내지 2㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 기판 처리 방법.
  3. 삭제
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