KR101034473B1 - 태양 전지 - Google Patents
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Abstract
광전 효율을 향상시킬 수 있는 태양 전지가 개시되어 있다. 태양 전지는 광전 변환부, 제1 전극, 제2 전극 및 파장 변환층을 포함한다. 상기 광전 변환부는 p형 실리콘층, 상기 p형 실리콘층과 이격되도록 형성된 n형 실리콘층 및 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층과 접하는 진성 실리콘층으로 형성된다. 상기 제1 전극은 상기 p형 실리콘층과 접하도록 형성되며, 상기 제2 전극은 상기 n형 실리콘층과 접하도록 형성된다. 상기 파장 변환층은 상기 진성실리콘층보다 하부에 배치되고, 상기 진성 실리콘층에서 흡수되는 파장보다 단파장의 광을 상기 진성 실리콘층에서 흡수되는 파장의 광으로 변환시키는 나노 입자를 갖는다. 이와 같이, 진성 실리콘층에서 흡수하지 못하는 단파장대의 광을 진성 실시콘층에서 흡수할 수 있는 장파장대의 광으로 변환시키기 위한 나노 입자를 포함하는 파장 변환층을 태양 전지 내에 형성함으로써, 진성 실리콘층의 광 흡수율을 높이고, 태양 전지의 광전 효율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 외부로부터 공급되는 빛 에너지를 반도체의 성질을 이용하여 전기 에너지로 변환하는 태양 전지에 관한 것이다.
일반적으로, 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 소자로써, 친환경적이고, 수명이 길고, 무한 에너지원이라는 여러 장점으로 인해 기존의 석탄, 석유 등의 에너지원을 대체할 수 있는 대체 에너지원으로 그 적용 분야가 계속해서 확대되고 있는 실정이다.
태양 전지는 사용 재료에 따라 실리콘계열, 화합물계열, 유기물계열 등으로 크게 구분될 수 있으며, 이중 실리콘계열의 태양 전지가 현재 대부분을 차지하고 있다.
실리콘계열의 태양 전지는 다시 단결정 또는 다결정 실리콘으로 제조되는 결정형 태양 전지와 비정질 또는 미세결정질 실리콘으로 제조되는 박막형 태양 전지로 구분될 수 있다. 그러나, 결정형 태양 전지는 광전 효율이 높은 반면 제조 비용이 증가되는 단점이 있으며, 박막형 태양 전지는 제조 비용이 저렴한 반면 광전 효율이 결정형에 비하여 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 최근에는 광전 효율을 향상시킬 수 있는 박막형 태양 전지에 대한 기술 개발이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 요구를 감안한 것으로써, 본 발명은 광전 효율을 향상시킬 수 있는 박막형 태양 전지를 제공한다.
본 발명의 일 특징에 따른 태양 전지는 광전 변환부, 제1 전극, 제2 전극 및 파장 변환층을 포함한다. 상기 광전 변환부는 p형 실리콘층, 상기 p형 실리콘층과 이격되도록 형성된 n형 실리콘층 및 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층과 접하는 진성 실리콘층으로 형성된다. 상기 제1 전극은 상기 p형 실리콘층과 접하도록 형성되며, 상기 제2 전극은 상기 n형 실리콘층과 접하도록 형성된다. 상기 파장 변환층은 상기 진성실리콘층보다 하부에 배치되고, 상기 진성 실리콘층에서 흡수되는 파장보다 단파장의 광을 상기 진성 실리콘층에서 흡수되는 파장의 광으로 변환시키는 나노 입자를 갖는다.
상기 파장 변환층은 투명 수지 내에 상기 나노 입자가 혼합된 구조를 가질 수 있다. 상기 투명 수지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 포함할 수 있다. 상기 나노 입자는 셀렌화 카드뮴(CdSe)를 포함할 수 있다. 상기 나노 입자는 약 1 ~ 10㎚의 크기로 형성될 수 있다.
상기 태양 전지는 상기 파장 변환층에서 파장이 변환된 광을 반사시키기 위한 반사막을 더 포함할 수 있다.
상기 광전 변환부의 일 실시예로, 상기 진성 실리콘층은 기판의 일면에 형성되고, 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층은 상기 진성 실리콘층에 서로 이격되게 형성될 수 있다.
삭제
상기 광전 변환부의 다른 실시예로, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 기판의 일면 상에 서로 이격되게 형성되고, 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 각각 형성되고, 상기 진성 실리콘층은 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 파장 변환층은 상기 기판의 타면 상에 형성될 수 있다.
상기 진성 실리콘층은 비정질 실리콘을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 진성 실리콘층은 서로 교대로 적층된 복수의 비정질 실리콘층들 및 복수의 미세결정질 실리콘층들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 진성 실리콘층은 비정질 실리콘층 내에 나노 클러스트 형태의 미세결정질 실리콘이 형성된 구조를 가질 수 있다.
이와 같은 태양 전에 따르면, 진성 실리콘층에서 흡수하지 못하는 단파장대의 광을 진성 실시콘층에서 흡수할 수 있는 장파장대의 광으로 변환시키기 위한 나노 입자를 포함하는 파장 변환층을 태양 전지 내에 형성함으로써, 진성 실리콘층의 광 흡수율을 높이고, 태양 전지의 광전 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있으며, 막(층)이 다른 막(층) 또는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지를 나타낸 단면도이며, 도 2는 도 1에 도시된 파장 변환층을 확대한 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지(100)는 p 형 실리콘층(210), 진성 실리콘층(220) 및 n형 실리콘층(230)을 포함하는 광전 변환부(200)와, p형 실리콘층(210)과 접하는 제1 전극(110)과, n형 실리콘층(230)과 접하는 제2 전극(120)과, 외부로부터 입사되는 광의 파장을 변환시키기 위한 파장 변환층(130)을 포함한다. 또한, 태양 전지(100)는 파장 변환층(130)에서 파장이 변환된 광을 반사시키기 위한 반사막(150)을 더 포함할 수 있다.
제1 전극(110)은 투명한 유리, 플라스틱 등으로 이루어진 기판(140)의 일면 상에 형성된다. 제1 전극(110)은 기판(140) 측으로부터 입사되는 광을 투과시키기 위하여 도전성 광투과 물질로 형성된다. 예를 들어, 제1 전극(110)은 틴 옥사이드(tin oxide), 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide) 및 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide) 등으로 형성될 수 있다.
광전 변환부(200)는 제1 전극(110) 상에 형성된다. 광전 변환부(200)는 외부로부터 입사되는 광에 반응하여 광전 효과를 일으킨다. 광전 변환부(200)는 제1 전극(110)으로부터 p형 실리콘층(210), 진성 실리콘층(220) 및 n형 실리콘층(230)이 순차적으로 적층되어 핀(pin) 다이오드를 형성한다.
제2 전극(120)은 n형 실리콘층(230) 상에 형성된다. 제2 전극(120)은 광전 변환부(200)를 투과한 광이 투과될 수 있도록 도전성 광투과 물질로 형성된다. 예를 들어, 제2 전극(120)은 틴 옥사이드(tin oxide), 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide) 및 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide) 등으로 형성될 수 있다.
파장 변환층(130)은 진성 실리콘층(220)에서의 광 흡수율을 향상시키기 위하 여 제2 전극(120)의 외면 상에 형성된다. 파장 변환층(130)은 투명 수지(132) 내에 나노 입자들(134)이 혼합된 구조를 갖는다. 투명 수지(132)는 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene TerePhthalate : PET)로 형성된다.
반사막(150)은 파장 변환층(130)의 외면 상에 형성되어 파장 변환층(130)에서 파장이 변환된 광을 반사시켜 진성 실리콘층(220)에 다시 입사시킨다.
파장 변환층(130)에 포함된 나노 입자들(134)은 진성 실리콘층(220)에서 흡수되는 파장과 다른 파장의 광을 진성 실리콘층(220)에서 흡수되는 파장의 광으로 변환시킨다.
일반적으로, 외부로부터 입사된 광은 진성 실리콘층(220)에서 흡수되어 광전 효과를 일으키게 되는데, 진성 실리콘층(220)을 형성하는 물질에 따라 흡수하는 광의 파장대가 틀려지게 된다. 진성 실리콘층(220)으로 주로 사용되는 비정질 실리콘의 경우 약 500㎚에서 최대 흡수율을 보이며, 약 350㎚ ~ 700㎚ 범위의 파장대의 광을 주로 흡수하며, 미세결정질 실리콘의 경우 약 730㎚에서 최대 흡수율을 보이며, 약 550㎚ ~ 1000㎚ 범위의 파장대의 광을 주로 흡수한다. 따라서, 진성 실리콘층(220)에서 흡수되는 못하는 파장대의 광, 예를 들어 자외선 파장대의 광은 실질적으로 광전 변환에 이용되지 못하여 광전 효율이 떨어지게 된다.
따라서, 파장 변환층(130)은 진성 실리콘층(220)에서 흡수하지 못하는 단파장대의 광을 진성 실리콘층(220)에서 흡수하는 장파장대의 광으로 변환시키고, 파장 변환층(130)에서 파장이 변환된 광은 반사막(150)에 의해 반사되어 진성 실리콘층(220)으로 재입사되므로, 광의 이용 효율을 높여 태양 전지(100)의 광전 효율을 향상시킬 수 있다.
나노 입자(134)는 셀렌화 카드뮴(CdSe)을 포함할 수 있다. 이 외에도, 나노 입자(134)는 황화 카드뮴(CdS), 황화 아연(ZnS) 등의 물질을 포함할 수 있다. 나노 입자(134)는 약 1 ~ 10㎚의 크기로 형성된다. 나노 입자(134)의 크기에 따라 변환되는 광의 파장이 변화될 수 있으므로, 진성 실리콘층(220)에서 가장 흡수율이 높은 파장으로 변환시키기 위한 크기로 나노 입자(134)를 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 광이 입사되는 쪽에 p형 실리콘층(210)이 배치되어야 하므로, 광의 입사 방향에 따라, p형 실리콘층(210)과 n형 실리콘층(230)의 위치가 서로 바뀔 수 있으며, 이 경우, 파장 변환층(130) 및 반사막(150)은 광전 변환부(200)를 기준으로 광이 입사되는 반대편에 배치될 수 있다. 또한, 파장 변환층(130)은 외부로부터 입사되는 광이 진성 실리콘층(220)에 도달되기 전에 미리 파장을 변환시키기 위하여 제1 전극(110)과 기판(140) 사이 또는 기판(140)의 상부면에 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지(300)는 p형 실리콘층(410), 진성 실리콘층(420) 및 n형 실리콘층(430)을 포함하는 광전 변환부와, p형 실리콘층(410)과 접하는 제1 전극(310)과, n형 실리콘층(430)과 접하는 제2 전극(320)과, 외부로부터 입사되는 광의 파장을 변환시키기 위한 파장 변환층(330)을 포함한다. 또한, 태양 전지(300)는 파장 변환층(330)에서 파장이 변환된 광을 반 사시키기 위한 반사막(350)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 진성 실리콘층(420)은 기판(340)의 일면 상에 형성되고, p형 실리콘층(410) 및 n형 실리콘층(430)은 진성 실리콘층(420)의 일면 상에 서로 이격되게 형성되어 핀(pin) 다이오드를 구성한다. 또한, 제1 전극(310)은 p형 실리콘층(410)의 외면 상에 형성되고, 제2 전극(320)은 n형 실리콘층(430)의 외면 상에 형성된다.
한편, 파장 변환층(330)은 제1 전극(310) 및 제2 전극(320)의 외면 상에 형성되며, 반사막(350)은 파장 변환층(330)의 외면 상에 형성될 수 있다.
따라서, 기판(340) 측으로부터 입사되는 외부 광은 진성 실리콘층(420)에서 대부분 흡수되나, 진성 실리콘층(420)에서 흡수되지 못하는 파장의 광은 파장 변환층(330)에 의해 파장이 변환되고, 파장이 변환된 광은 반사막(350)에 의해 반사되어 진성 실리콘층(420)으로 재입사되므로, 태양 전지(300)의 광전 효율이 향상될 수 있다.
한편, 파장 변환층(330)은 기판(340)과 진성 실리콘층(420) 사이, 또는 기판(340)의 상부면에 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 각 구성요소의 물질은 도 1 및 도 2에 도시된 것과 실질적으로 동일한 물질로 형성되므로, 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지(500)는 p형 실리콘층(610), 진성 실리콘층(620) 및 n형 실리콘층(630)을 포함하는 광전 변환부와, p형 실리콘층(610)과 접하는 제1 전극(510)과, n형 실리콘층(630)과 접하는 제2 전극(520)과, 외부로부터 입사되는 광의 파장을 변환시키기 위한 파장 변환층(530)을 포함한다. 또한, 태양 전지(500)는 파장 변환층(530)에서 파장이 변환된 광을 반사시키기 위한 반사막(550)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 전극(510) 및 제2 전극(520)은 기판(540)의 일면 상에 서로 이격되게 형성된다. 또한, p형 실리콘층(610) 및 n형 실리콘층(620)은 제1 전극(510) 및 제2 전극(520) 상에 각각 형성되며, 진성 실리콘층(620)은 p형 실리콘층(610) 및 n형 실리콘층(630)을 덮도록 기판(540) 상에 형성되어 핀(pin) 다이오드를 구성한다.
한편, 파장 변환층(530)은 광전 변환부가 형성되지 않은 기판(540)의 타면 상에 형성되며, 반사막(550)은 파장 변환층(530)의 외면 상에 형성될 수 있다.
따라서, 진성 실리콘층(620) 측으로부터 입사되는 외부 광은 진성 실리콘층(620)에서 대부분 흡수되나, 진성 실리콘층(620)에서 흡수되지 못하는 파장의 광은 파장 변환층(530)에 의해 파장이 변환되고, 파장이 변환된 광은 반사막(550)에 의해 반사되어 진성 실리콘층(620)으로 재입사되므로, 태양 전지(500)의 광전 효율이 향상될 수 있다.
한편, 파장 변환층(530)은 진성 실리콘층(620)의 상부, 또는 제1 전극(510) 및 제2 전극(520)과 기판(540) 사이에 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 각 구성요소의 물질은 도 1 및 도 2에 도시된 것과 실질적으로 동일한 물질로 형성되므로, 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 1, 도3 및 도 4에서, p형 실리콘층(210, 410, 610)은 붕소(B), 칼륨(K) 등의 p형 불순물이 도핑되어 있는 실리콘 물질로 형성될 수 있다. p형 실리콘층(210, 410, 610)은 비정질(amorphous) 실리콘 및 미세결정질(micro-crystalline) 실리콘 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
n형 실리콘층(230, 430, 630)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등의 n형 불순물이 도핑되어 있는 실리콘 물질로 형성될 수 있다. n형 실리콘층(230, 430, 630)은 비정질 실리콘 및 미세결정질 실리콘 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
진성 실리콘층(220, 420, 620)은 비정질 실리콘 및 미세결정질 실리콘 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 진성 실리콘층을 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 진성 실리콘층(220, 420, 620)은 서로 교대로 적층된 복수의 비정질 실리콘층들(222) 및 복수의 미세결정질 실리콘층들(224)을 포함할 수 있다. 이때, 미세결정질 실리콘층(224)은 비정질과 단결정 실리콘의 경계물질로서 수십 nm에서 수백 nm의 결정크기를 갖는 나노 스케일(nano scale)의 실리콘 결정들이 형성된 층을 의미한다. 도 5에는 2개의 비정질 실리콘층들(222)과 2개의 미세결정질 실리콘층들(224)이 교대로 적층된 구조가 도시되어 있으나, 실제로는 이보다 많은 수의 비정질 실리콘층들(222)과 미세결정질 실리콘층들(224)이 형성될 수 있다. 비정질 실리콘층(222)과 미세결정질 실리콘층(224)은 서로 다른 두께를 갖거나, 또는 서로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 또한, 비정질 실리콘층들(222)과 미세결정질 실리콘층들(224)은 서로 동일한 층수를 갖거나, 서로 다른 층수를 갖도록 형성될 수 있다.
일반적으로, 실리콘 박막을 이용한 광전소자는 진성 실리콘층의 광 흡수율과 광전변환효율에 따라 광전 효율이 결정된다. 이러한 관점에서, 비정질 실리콘은 결정면을 갖지 않기 때문에 미세결정질 실리콘에 비하여 광 흡수율이 우수하다. 반면, 미세결정질 실리콘은 결정면에서 광을 반사시키기 때문에 광 흡수율은 비정질 실리콘보다 낮지만, 전자 이동도가 비정질 실리콘보다 우수하기 때문에 흡수된 광을 전기로 변환하는 광전변환효율은 비정질 실리콘보다 우수하다. 따라서, 광 흡수율이 우수한 비정질 실리콘층(222)과 광전변환효율이 우수한 미세결정질 실리콘층(224)을 적층하여 형성하게 되면, 광 흡수율과 전자 이동도가 모두 우수한 진성 실리콘층(220, 420, 620)이 형성되어 광전 효율이 향상된다. 또한, 비정질 실리콘층(222)과 미세결정질 실리콘층(224)은 서로 다른 파장대의 광을 흡수할 수 있으므로, 비정질 실리콘층(222)에서 흡수하지 못한 파장대의 광을 미세결정질 실리콘층(224)에서 흡수하게 되어 광전 효율이 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진성 실리콘층을 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 진성 실리콘층(220, 420, 620)은 비정질 실리콘층(226) 내에 미세결정질 실리콘(228)이 나노 클러스터(namo cluster) 형태로 랜덤하게 형성된 구조를 가질 수 있다. 나노 클러스터 형태의 미세결정질 실리콘(228)은 비정질과 단결정 실리콘의 경계물질로서 나노 스케일(nano scale)의 결정 크기를 갖는 실리콘 결정들이 클러스터 형태로 형성된 것을 의미한다. 예를 들어, 비정질 실리콘 층(226)은 약 300 ~ 500nm의 두께로 형성되고, 미세결정질 실리콘(228)의 클러스터 크기는 약 1 ~ 100nm 정도로 형성될 수 있다.
이와 같이, 광 흡수율이 우수한 비정질 실리콘층(226) 내부에 광전변환효율이 우수한 미세결정질 실리콘(228)을 나노 클러스터 형태로 형성하게 되면, 광 흡수율과 전자 이동도가 모두 우수한 진성 실리콘층(220, 420, 620)이 형성되어 광전 효율이 향상된다. 또한, 비정질 실리콘층(226)과 미세결정질 실리콘(228)은 서로 다른 파장대의 광을 흡수하므로, 비정질 실리콘층(226)에서 흡수하지 못한 파장대의 광을 미세결정질 실리콘(228)에서 흡수하게 되어 광전 효율이 향상될 수 있다.
상술한 바와 같은 태양 전지에 따르면, 진성 실리콘층에서 흡수하지 못하는 단파장대의 광을 진성 실시콘층에서 흡수할 수 있는 장파장대의 광으로 변환시키기 위한 나노 입자를 포함하는 파장 변환층을 태양 전지 내에 형성함으로써, 태양 전지의 광전 효율을 향상시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 파장 변환층을 확대한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 진성 실리콘층을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진성 실리콘층을 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 태양 전지 110 : 제1 전극
120 : 제2 전극 130 : 파장 변환층
132 : 투명 수지 134 : 나노 입자
150 : 반사막 200 : 광전 변환부
210 : p형 실리콘층 220 : 진성 실리콘층
230 : n형 실리콘층
Claims (15)
- p형 실리콘층, 상기 p형 실리콘층과 이격되도록 형성된 n형 실리콘층 및 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층과 접하는 진성 실리콘층으로 형성된 광전 변환부;상기 p형 실리콘층과 접하는 제1 전극;상기 n형 실리콘층과 접하는 제2 전극; 및상기 진성실리콘층보다 하부에 배치되고, 상기 진성 실리콘층에서 흡수되는 파장보다 단파장의 광을 상기 진성 실리콘층에서 흡수되는 파장의 광으로 변환시키는 나노 입자를 갖는 파장 변환층을 포함하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 파장 변환층은 투명 수지 내에 상기 나노 입자가 혼합된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제2항에 있어서,상기 투명 수지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 나노 입자는 셀렌화 카드뮴(CdSe)를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 나노 입자는 1 ~ 10㎚의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 파장 변환층의 하부에 배치되어, 상기 파장 변환층에서 파장이 변환된 광을 반사시키기 위한 반사막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 진성 실리콘층은 기판의 일면에 형성되고, 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층은 상기 진성 실리콘층에 서로 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 기판의 일면 상에 서로 이격되게 형성되고,상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 각각 형성되고, 상기 진성 실리콘층은 상기 p형 실리콘층 및 상기 n형 실리콘층을 덮도록 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제11항에 있어서,상기 파장 변환층은 상기 기판의 타면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 진성 실리콘층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 진성 실리콘층은 서로 교대로 적층된 복수의 비정질 실리콘층들 및 복수의 미세결정질 실리콘층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 진성 실리콘층은 비정질 실리콘층 내에 나노 클러스트 형태의 미세결정질 실리콘이 형성된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
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|---|---|---|---|
| KR1020080137832A KR101034473B1 (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 태양 전지 |
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| KR1020080137832A KR101034473B1 (ko) | 2008-12-31 | 2008-12-31 | 태양 전지 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2910614A1 (en) | 2014-02-20 | 2015-08-26 | Korea Institute of Science and Technology | Coating composition having polysilazane and wavelength converting agent and wavelength converting sheet prepared using the same |
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-
2008
- 2008-12-31 KR KR1020080137832A patent/KR101034473B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20100079371A (ko) | 2010-07-08 |
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