KR101033315B1 - 플라즈마 반응기 - Google Patents

플라즈마 반응기 Download PDF

Info

Publication number
KR101033315B1
KR101033315B1 KR1020080041244A KR20080041244A KR101033315B1 KR 101033315 B1 KR101033315 B1 KR 101033315B1 KR 1020080041244 A KR1020080041244 A KR 1020080041244A KR 20080041244 A KR20080041244 A KR 20080041244A KR 101033315 B1 KR101033315 B1 KR 101033315B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
chamber
process chamber
gas
reactor
Prior art date
Application number
KR1020080041244A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090115399A (ko
Inventor
위순임
Original Assignee
주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴파워 프라즈마 filed Critical 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority to KR1020080041244A priority Critical patent/KR101033315B1/ko
Publication of KR20090115399A publication Critical patent/KR20090115399A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101033315B1 publication Critical patent/KR101033315B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

본 발명의 플라즈마 반응기는 반응기 몸체(또는 플라즈마 챔버)를 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성하여서 플라즈마 반응기가 피처리 기판을 처리하기 위한 다양한 공정을 수행하는 여러 공정에서 다양한 공정 환경과 열적 환경에 접하더라도 안정적인 구조를 유지할 수 있다. 또한 플라즈마 반응기의 대형화에 따른 설비 부담을 감소할 수 있다.
플라즈마 반응기, 플라즈마 챔버, 진공 챔버, 공정 챔버, 반응 챔버

Description

플라즈마 반응기{PLASMA REACTOR}
본 발명은 플라즈마 반응기에 관한 것으로, 구체적으로는 다양한 공정 환경과 열적 환경에서도 안정적인 구조를 유지할 수 있는 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
플라즈마는 산업 여러 분야에서 광범위하게 응용되고 있다. 반도체 제조 산업에서도 플라즈마를 이용한 다양한 반도체 제조 공정이 도입되어 있다. 플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
한편, 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하기 위한 챔버 구조는 각 공정의 특성이나 플라즈마 소스의 특성에 관련하여 다양한 구조가 존재하고 있다. 피처리 기판을 지지하는 기판 지지대를 구비한 공정 챔버는 플라즈마 소스와 일체화되어 구성되거나 원격으로 플라즈마 가스를 공급 받기도 한다. 플라즈마를 유도하거나 유도된 플라즈마에 의해서 어떠한 공정을 진행하는 플라즈마 반응기는 다양한 공정 환경과 열적 환경에 노출되기 때문에 안정적인 구조를 유지할 수 있어야 한다.
그러나 최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판의 대형화, 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 또한 피처리 기판의 대형화는 플라즈마 반응기의 대형화와 직결되기 때문에 대형의 플라즈마 반응기를 안정적으로 구성하기 위해서는 플라즈마 반응기 자체를 구성하는 재료의 물리적 특성이 중요하다.
본 발명의 목적은 다양한 공정 환경과 열적 환경에서도 안정적인 구조를 유지할 수 있으며 플라즈마 반응기의 대형화에 따른 설비 부담을 감소할 수 있는 복합소재를 이용한 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기는: 플라즈마 소스; 및 상기 플라즈마 소스에 의해 발생된 플라즈마에 의해서 피처리 기판이 처리되는 처리 영역을 제공하는 반응기 몸체를 포함하고, 상기 반응기 몸체는 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다.
본 발명의 다른 일면은 원격 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 원격 플라즈마 반응기는: 공정 챔버의 외부에서 플라즈마 발생하여 공정 챔버로 원격으로 공급하는 원격 플라즈마 반응기에 있어서, 가스 공급원 연결되는 가스 입구; 공정 챔버로 플라즈마 가스를 출격하는 가스 출구; 및 상기 가스 출구와 가스 입구 사이에 구성되며 플라즈마 방전이 이루어지는 플라즈마 챔버를 포함하고, 상기 플라즈마 챔버는 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 유도 전류가 발생되는 것을 방지하기 위하여 절연 영역을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 반응기와 공정 챔버를 연결하는 어댑터를 포함하고, 상기 어댑터는 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다.
본 발명의 플라즈마 반응기에 의하면, 플라즈마 반응기는 피처리 기판을 처리하기 위한 다양한 공정을 수행하는 여러 공정에서 다양한 공정 환경과 열적 환경에 접하더라도 안정적인 구조를 유지할 수 있다. 또한 플라즈마 반응기의 대형화에 따른 설비 부담을 감소할 수 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 플라즈마 처리 시스템의 일 예를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 공정 챔버의 외관을 보여주는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 플라즈마 처리 시스템은 피처리 기판(18)을 처리하기 위한 공정 챔버(10)를 구비한다. 공정 챔버(10)의 내부에는 피처리 기판(18)을 지지하기 위한 기판 지지대(16)가 구비된다. 공정 챔버(10)는 플라즈마를 이용한 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 에싱(ashing) 등을 수행하기 위한 것 중 어느 하나 일 수 있다. 피처리 기판(W)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판이다.
공정 챔버(10)에는 플라즈마 발생을 위한 플라즈마 소스(14)가 구비된다. 플라즈마 소스(14)는 무선 주파수를 사용하는 유도 결합 플라즈마나 소스나 용량 결합 플라즈마 소스일 수 있으며, 마이크로파 방전 플라즈마 소스일 수도 있으며 다양한 형태와 구조의 플라즈마 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(14)는 임피던스 정합기(26)를 통하여 전원 공급원(24)에 연결된다. 공정 챔버(10)는 공정 가스를 공급하는 가스 공급원(20)과 진공 배기를 위한 진공 펌프(22)에 각기 연결된다.
공정 챔버(10)는 내부에 피처리 기판(18)이 놓이는 기판 지지대(16)가 구비된다. 기판 지지대(16)는 임피던스 정합기(29)를 통하여 바이어스 전원을 제공하는 바이어스 전원 공급원(28)에 연결된다.
공정 챔버(10)는 상부에 구비된 개구부를 통해 플라즈마 소스(14)로부터 플라즈마 소스로부터 플라즈마를 제공받는다. 공정 챔버(10)는 일측에 피처리 기판(18)의 출입을 위한 기판 출입구(19)가 구비된다. 기판 출입구(19)를 통해 공정 챔버(10) 내부로 제공된 피처리 기판(18)은 기판 지지대(16)에 놓여 처리된다.
공정 챔버(10)를 구성하는 반응기 몸체(12)는 다양한 공정 환경과 열적 환경에 노출되기 때문에 안정적인 구조를 유지할 수 있기 위하여 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다. 이러한 복합 소재는 기존의 알루미늄 보다 강도가 대략 3배 이상이며 강도 대비하여 중량은 타 물질에 비하여 경량인 특징으로 갖는다. 복합 소재로 구성된 공정 챔버(10)는 다양한 공정 환경과 열적 환경에서도 안정적인 구조를 유지할 수 있으며 플라즈마 반응기의 대형화에 따른 설비 부담을 감소할 수 있다.
도 3은 원격 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 처리 시스템의 일 예를 보여주는 도면이고, 도 4는 원격 플라즈마 반응기의 일 예를 보여주는 그리고 도 5는 원격 플라즈마 반응기의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하여, 원격 플라즈마 반응기(60)를 구비한 플라즈마 처리 시스템은 원격 플라즈마 반응기(60)로부터 발생된 플라즈마를 원격으로 공정 챔버(40)에 제공한다. 공정 챔버(40)는 내부에 피처리 기판(46)을 지지하기 위한 기판 지지대(44)를 구비한다. 원격 플라즈마 반응기(60)와 공정 챔버(40)는 어댑터(50)에 의해서 상호 연결된다. 공정 챔버(40)의 챔버 하우징(42)의 천정에는 플라즈마 유입구(48)가 개설되어 있으며, 플라즈마 유입구(48)는 어댑터(50)를 매개로하여 원격 플라즈마 반응기(60)에 연결된다. 원격 플라즈마 반응기(60)는 플라즈마 발생 을 위한 전원을 제공하는 전원 공급원(56)에 전기적으로 연결되며, 공정 가스를 제공하는 가스 공급원(52)에 연결된다. 공정 챔버(40)는 가스 배기를 위한 진공 펌프(56)에 연결된다.
원격 플라즈마 반응기(60)는 첨부도면 도 4와 도 5에 도시된 바와 같이 트랜스포머를 이용한 구조나 무선 주파수 안테나를 사용하는 구조가 있으며 도면으로 도시하지는 않았으나 마이크로파를 사용하는 구조도 있다. 상술한 공정 챔버(10)의 경우와 같이 원격 플라즈마 반응기(60)의 경우에도 피처리 기판의 대형화에 따라 공정 챔버(40)가 대형화되어 가기 때문에 대용량화되어 가고 있다. 그럼으로 원격 플라즈마 반응기(60)도 다양한 공정 환경과 열적 환경에 노출되기 때문에 안정적인 구조를 유지할 수 있기 위하여 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다.
도 4를 참조하여, 일 예의 원격 플라즈마 반응기(70)는 가스 입구(74)와 가스 출구(76)를 구비하는 플라즈마 챔버(72)를 구비한다. 플라즈마 챔버(72)는 예를 들어, 토로이달 구조를 갖지만 다른 형태의 구조를 취할 수도 있을 것이다. 플라즈마 챔버(72)에는 마그네틱 코어(80)와 일차 권선(84)을 구비하는 변압기가 장착되며, 일차 권선(84)은 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원(82)에 전기적으로 연결된다. 플라즈마 챔버(72)는 상술한 바와 같이 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다. 그리고 플라즈마 챔버(72)에 유도 전류가 발생되는 것을 방지하기 위하여 절연 영역으로서 하나 이상의 절연층(78)이 구비된다.
도 5를 참조하여, 다른 일 예의 원격 플라즈마 반응기(90)는 가스 입구(94)와 가스 출구(96)를 구비하는 플라즈마 챔버(92)를 구비한다. 플라즈마 챔버(92)는 예를 들어, 원통형 구조를 갖지만 다른 형태의 구조를 취할 수도 있을 것이다. 플라즈마 챔버(92)의 외부에는 무선 주파수 안테나(98)가 실린더 구조의 나선 구조로 장착된다. 무선 주파수 안테나(98)는 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원(100)에 전기적으로 연결된다. 플라즈마 챔버(100)는 상술한 바와 같이 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성된다. 그리고 플라즈마 챔버(100)에 유도 전류가 발생되는 것을 방지하기 위하여 절연 영역으로서 하나 이상의 절연층(미도시)이 구비될 수도 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 플라즈마 반응기는 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 박막 형성을 위한 기판 처리 공정에 매우 유 용하게 이용될 수 있다.
도 1은 플라즈마 처리 시스템의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버의 외관을 보여주는 사시도이다.
도 3은 원격 플라즈마 반응기를 구비한 플라즈마 처리 시스템의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4는 원격 플라즈마 반응기의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 원격 플라즈마 반응기의 다른 예를 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 공정 챔버 12: 챔버 하우징
14: 플라즈마 소스 16: 기판 지지대
18: 피처리 기판 19: 기판 출입구
20: 가스 소스 22: 진공 펌프
24: 메인 전원 공급원 26: 임피던스 정합기
28: 바이어스 전원 공급원 29: 임피던스 정합기
40: 공정 챔버 42: 챔버 하우징
44: 기판 지지대 46: 피처리 기판
48: 플라즈마 유입구 50: 어댑터
52: 가스 공급원 54: 전원 공급원
56: 진공 펌프 70: 원격 플라즈마 반응기
72: 플라즈마 챔버 74: 가스 입구
76: 가스 출구 78: 절연층
80: 마그네틱 코어 82: 전원 공급원
84: 권선 코일 90: 원격 플라즈마 반응기
92: 플라즈마 챔버 94; 가스 입구
96: 가스 출구 98: 무선 주파수 안테나
100: 전원 공급원

Claims (5)

  1. 삭제
  2. 공정 챔버의 외부에서 플라즈마가 발생하여 공정 챔버로 원격으로 공급하는 원격 플라즈마 반응기에 있어서,
    가스 공급원에 연결되는 가스 입구;
    공정 챔버로 플라즈마 가스를 출력하는 가스 출구;
    상기 가스 출구와 가스 입구 사이에 구성되며 플라즈마 방전이 이루어지는 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버에 설치되는 마그네틱 코어;
    상기 마그네틱 코어에 권선되어 상기 플라즈마 챔버 내부로 플라즈마를 유도하는 일차권선;
    상기 일차권선으로 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원을 포함하고,
    상기 플라즈마 챔버는 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 반응기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버는 유도 전류가 발생되는 것을 방지하기 위하여 절연 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 반응기.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 원격 플라즈마 반응기와 공정 챔버를 연결하는 어댑터를 포함하고,
    상기 어댑터는 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 반응기.
  5. 공정 챔버의 외부에서 플라즈마가 발생하여 공정 챔버로 원격으로 공급하는 원격 플라즈마 반응기에 있어서,
    가스 공급원에 연결되는 가스 입구;
    공정 챔버로 플라즈마 가스를 출력하는 가스 출구;
    상기 가스 출구와 가스 입구 사이에 구성되며 플라즈마 방전이 이루어지는 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버에 권선되어 상기 플라즈마 챔버 내부로 플라즈마 방전을 유도하는 무선 주파수 안테나;
    상기 무선 주파수 안테나로 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원을 포함하고
    상기 플라즈마 챔버는 공유 결합된 알루미늄과 탄소 나노 튜브를 포함하는 복합 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 원격 플라즈마 반응기.
KR1020080041244A 2008-05-02 2008-05-02 플라즈마 반응기 KR101033315B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080041244A KR101033315B1 (ko) 2008-05-02 2008-05-02 플라즈마 반응기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080041244A KR101033315B1 (ko) 2008-05-02 2008-05-02 플라즈마 반응기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090115399A KR20090115399A (ko) 2009-11-05
KR101033315B1 true KR101033315B1 (ko) 2011-05-09

Family

ID=41556536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080041244A KR101033315B1 (ko) 2008-05-02 2008-05-02 플라즈마 반응기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101033315B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004169172A (ja) * 2002-11-15 2004-06-17 Samsung Electronics Co Ltd マグネトロンスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法
KR20050036390A (ko) * 2003-10-16 2005-04-20 한국전자통신연구원 탄소나노튜브와 금속분말 혼성 복합에 의해 제조된 전자파차폐재
KR100500852B1 (ko) * 2002-10-10 2005-07-12 최대규 원격 플라즈마 발생기
JP2006045596A (ja) 2004-08-02 2006-02-16 Hitachi Metals Ltd 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500852B1 (ko) * 2002-10-10 2005-07-12 최대규 원격 플라즈마 발생기
JP2004169172A (ja) * 2002-11-15 2004-06-17 Samsung Electronics Co Ltd マグネトロンスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法
KR20050036390A (ko) * 2003-10-16 2005-04-20 한국전자통신연구원 탄소나노튜브와 금속분말 혼성 복합에 의해 제조된 전자파차폐재
JP2006045596A (ja) 2004-08-02 2006-02-16 Hitachi Metals Ltd 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
다중벽 나노튜브가 첨가된 유리 직물 복합재료의 미세구조 및 전자기적 물성(한국복합재료학회 2004년도 춘계학술발표대회 논문집, pp 169-172)*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090115399A (ko) 2009-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101174277B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TW392245B (en) ECR plasma generator and an ECR system using the generator
US20100101727A1 (en) Capacitively coupled remote plasma source with large operating pressure range
US20090126871A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20120004040A (ko) 플라즈마 발생장치
TW579661B (en) Plasma generation device and plasma processing device
KR20090009369A (ko) 히터가 설치된 유도 결합 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마반응기
TWI723406B (zh) 電漿處理裝置
KR100980287B1 (ko) 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기
KR20110032374A (ko) 다중 플라즈마 영역을 갖는 플라즈마 반응기
KR101097386B1 (ko) 원격 플라즈마 발생기를 지지하는 거치대
KR101020075B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR101033315B1 (ko) 플라즈마 반응기
US7481904B2 (en) Plasma device
JP2008010683A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
KR101139829B1 (ko) 다중 가스공급장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치
KR100625319B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치
KR101200743B1 (ko) 다중 유도결합 플라즈마 처리장치 및 방법
KR20050049169A (ko) 유도 결합형 플라즈마 발생 장치와 그 유도전기장 발생을위한 안테나 코일 구조
KR101161200B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR100777841B1 (ko) 향상된 수직 식각 성능을 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기
JP2011187507A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20080074300A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101281191B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR20070121395A (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140428

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150421

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160406

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee