KR101024830B1 - 균일한 증착을 증진하는 결정 방위를 갖는 비평탄 스퍼터타겟 - Google Patents
균일한 증착을 증진하는 결정 방위를 갖는 비평탄 스퍼터타겟 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101024830B1 KR101024830B1 KR1020057003486A KR20057003486A KR101024830B1 KR 101024830 B1 KR101024830 B1 KR 101024830B1 KR 1020057003486 A KR1020057003486 A KR 1020057003486A KR 20057003486 A KR20057003486 A KR 20057003486A KR 101024830 B1 KR101024830 B1 KR 101024830B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- target
- sputter
- crystal orientation
- blank
- sputter target
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49805—Shaping by direct application of fluent pressure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
기판 상의 타겟 표면으로부터 스퍼터링된 재료의 더 바람직한 증착 및 밀도 패턴을 증진하는 스퍼터 타겟 표면(25)의 부분 내에 상이한 결정 방위를 갖는 비평탄 스퍼터 타겟이 개시된다. 스퍼터 타겟(20)의 폐쇄형 돔(22)은 제1 결정 방위로 구성되고, 스퍼터 타겟의 측벽(24)은 돔과는 상이한 결정 방위로 구성된다. 스퍼터 타겟은 바람직하게는 어닐링 없이 액압 성형 또는 다른 금속 가공 기술에 의해 형성된다. 액압 성형 기술은 열의 적용을 최소화하거나 이상적으로는 생략하면서 상이한 결정 방위를 형성한다. 용이하게 반복적으로 형성 가능한 신속하고 비용 효과적인 비평탄 스퍼터 타겟이 그 결과로서 성취 가능하다. 타겟에는 벡터(α, β1, β2)가 존재한다.
스퍼터 타겟, 액압 성형, 어닐링, 기판, 결정 방위
Description
관련 출원과의 연계
이전의 2002년 9월 13일 출원된 미국 가출원 제60/410,751호, 2003년 3월 20일 출원된 미국 가출원 제60/456,193호 및 2003년 4월 7일 출원된 미국 가출원 제60/460,867호의 이점이 본원에 청구된다.
본 발명은 기판(substrate) 상의 스퍼터링된 재료의 균일한 증착을 증진하는 결정 방위를 갖는 비평탄 스퍼터 타겟(non-planar sputter targets) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
음극 스퍼터링은 스퍼터 타겟으로부터 기판 상에 재료의 박층(thin layers) 또는 박막을 증착하기 위해서 광범위하게 사용된다. 기본적으로, 스퍼터 타겟을 포함하는 음극 조립체(cathode assembly)는 양극(anode)과 함께 불활성 가스(inert gas), 바람직하게는 아르곤(argon)으로 충전된 챔버 내에 배치된다. 기판은 수용면이 음극 조립체와 양극 사이의 경로에 수직으로 배향된 상태로 양극에 인접하여 챔버 내에 위치된다. 고압 전기장이 음극 조립체를 가로질러 인가되고 양극은 음 극 조립체로부터 전자를 방출시키고 불활성 가스를 이온화한다. 다음, 불활성 가스의 양극 하전 이온(positively charged ions)이 전기장에 기인하여 스퍼터 타겟의 스퍼터링 표면에 대해 축출된다. 타겟의 스퍼터링 표면에 대한 이온 충격(bombardment)은 스퍼터링 표면의 재료의 부분을 스퍼터 타겟 표면으로부터 제거되게 하고 챔버의 대향 단부에서 기판의 수용면 상에 박막 또는 박층이 증착되게 한다.
최근에, 비평탄 스퍼터 타겟이 개선된 스퍼터링 및 증착 균일성을 제공하기 위해 개발되어 왔다. 예를 들면, 그 개시 내용이 본원에 참조로 합체되어 있는 본원의 공동 양수인의 미국 특허 제6,419,806호에 개시된 바와 같이, 개방 단부형 컵 형상 중공 음극 마그네트론(magnetron)(HCM) 스퍼터 타겟이 개발되어 왔다. 이들 컵 또는 단지(pot)형 타겟은 일반적으로 타겟 표면으로서 고순도 금속 재료로 구성되고 액압 성형(hydroforming)과 같은 공지된 금속 가공 작업으로부터 통상적으로 형성된다. 컵 형상 타겟의 폐쇄 단부는 돔을 포함한다. 측벽은 돔으로부터 타겟의 개방 단부로 연장한다. 컵 형상 타겟을 형성하는데 사용될 수 있는 열의 인가 및 다른 작업들은 스퍼터 타겟 표면을 포함하는 재료의 결정 방위 또는 미세구조(microstructure)의 변경을 종종 초래한다. 이러한 변경은 기판 상으로 스퍼터링된 재료의 증착에 악영향을 미칠 수도 있다.
스퍼터링시에 타겟이 개선된 코팅 균일성을 초래하는 소정 결정 방위의 스퍼터 타겟의 제조 방법 및 이러한 방법에 의해 제조된 타겟에 대한 요구가 당 기술 분야에 존재한다.
본 발명은 기판 상의 타겟 표면으로부터 스퍼터링된 재료의 보다 바람직한 증착 및 밀도 패턴(density patterns)을 증진하는 스퍼터 타겟 표면 내에 결정 방위를 갖는 비평탄 스퍼터 타겟을 제공한다. 본 발명의 전형적인 실시예는 보다 구체적으로는 타겟의 폐쇄 단부에 실질적으로 평탄한 단부벽 또는 돔을 갖는 미국 특허 제6,419,806호에 개시된 유형의 단지 또는 보울(bowl)형 스퍼터 타겟을 제공한다. 측벽은 돔에 연결되고 돔으로부터 타겟의 개방 단부로 연장한다. 측벽 및 돔의 내부면은 타겟의 스퍼터 표면을 형성하고, 돔부는 제1 결정 방위를 갖고, 측벽은 제1 방위와는 상이한 제2 결정 방위를 갖는다.
본 발명의 전형적인 일 실시예에 따르면, 타겟 표면 재료의 편평한 블랭크(flat blank)가 제공되어 액압 성형에 의해 소정의 타겟 형상으로 형성된다. 편평한 타겟 표면 재료는 바람직하게는 티타늄(titanium), 구리, 탄탈(tantalum) 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 고순도 금속으로 구성된다. 재료의 단일층 블랭크의 사용은 종래의 복수층 타겟에서 요구되었던 것보다 적은 재료를 필요로 하며, 단일 블랭크를 소정 형상으로 성형하는데 적은 처리 시간을 필요로 한다. 따라서, 보다 신뢰적이고 비용 효과적인 비평탄 스퍼터 타겟이 본 발명에 따라 보다 적은 시간에 제조된다.
대안적으로, 스퍼터 타겟 표면의 소정의 결정 방위 및 타겟 형상이 성취되면, 재료의 복수의 층이 타겟을 형성하는데 사용될 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예는 타겟 표면 재료에 인접하여 백킹 플레이트(backing plate) 재료의 편평한 블랭크를 제공한다. 재료의 인접층은 소정 타겟 형상 및 타겟 표면 방위를 성취하도록 액압 성형에 의해 유사하게 형성된다. 본 발명의 또 다른 실시예는 백킹 플레이트와 타겟 표면층 사이에 사이층(interlayer)을 포함할 수 있다. 어느 경우든, 백킹 플레이트 재료는 알루미늄, 구리, 강, 티타늄 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 가단성(malleable)의 저순도 금속인 것이 바람직하다.
특히, 본 발명의 바람직한 전형적인 실시예에서, 타겟 표면을 포함하는 재료는 탄탈이다. 바람직하게는 액압 성형에 의한 소정 형상으로의 타겟 표면 재료의 형성은 타겟 표면의 결정 방위를 변경시킨다. 단지 또는 보울 형상을 갖는 탄탈 타겟 표면의 경우에, 타겟 표면의 돔부는 주된 {111} 방위를 갖고, 반면 측벽은 예를 들면 {112}<110> 및 {110}<110> 방위의 혼합물을 갖는다. 타겟 표면의 측벽 및 돔에서의 상이한 방위는 타겟 표면의 각각의 측벽부 및 돔부로부터 상이한 각도로 스퍼터링된 재료를 방출하는 것으로 발견되었다. 상이한 방출각은 기판 상의 스퍼터링된 재료의 증착의 균일성 및 밀도에 영향을 준다.
2-부분 방위 표현, {hkl}<hkl>은 표준 "시트 텍스쳐(sheet texture)" 표기이고, 이하의 의미를 갖는다. 제1 부분, 즉 {hkl}은 타겟의 스퍼터 표면과 평행한 결정면의 밀러 지수(miller indices)를 표시한다. 제2 부분, 즉 <hkl>은 성형 중에 재료 유동 방향과 평행한 결정 방향에 대한 지수를 표시한다. 원통형 측벽 기하학적 형상을 갖는 3D 타겟의 예에서, {112}<110> 측벽 방위는 이하의 의미이다. {112} 평면은 원통의 내부면과 평행하고, <110> 방향은 원통형 축과 평행하다. 단축 표기 "{112}/{110}"은 혼합 {112}<110> 및 {110}<110> 텍스쳐를 표시하도록 본원에서 사용된다.
본원에 사용된 용어 "주된(predominate)"은, 타겟의 단부벽 또는 돔의 스퍼터 표면의 텍스쳐를 설명할 때, 모든 결정 방위의 총합에 대한 특정 {h,k,l} 방위의 비율이 돔 스퍼터 표면의 다양한 임의의 부분에서 적어도 120/N %라는 것을 의미한다. 여기에서, N은 x-레이 회절 분석(diffraction analysis)에 포함된 방위의 수를 칭한다. 예를 들면, BCC 탄탈에서, 6개의 방위(N=6)가 측정된다({110}, {200}, {211}, {310}, {222} 및 {321}). 측정된 {200} 및 {222} 회절 강도는 각각 {100} 및 {111} 방위를 표시한다. 탄탈에서, 주된 {111} 텍스쳐는 20% 이상의 비율의 방위를 지시한다. 용어 "주요(major)"가 타겟의 스퍼터 측벽의 바람직한 텍스쳐를 설명하는데 사용될 때, 이는 모든 결정 방위의 총합에 대한 조합된 {112} 및 {110} 방위의 비율이 적어도 200/N % 또는 33%인 것을 의미한다. 이러한 주요 {112}/{110} 텍스쳐에서, {112}<110> 방위는 일반적으로 {110}<110> 방위보다 약간 큰 양으로 존재한다. 이들 방위 모두의 측정은 미국 특허 제5,456,815호에 개시된 바와 같은 종래의 X-레이 회절 프로토콜(protocols)에 따라 수행될 수 있다.
액압 성형에 의한 성형 후에, 예를 들면 바람직한 탄탈 타겟의 돔은 주된 {111} 방위로 구성되고, 측벽은 주요 {112}/{110} 방위로 구성된다. 탄탈은 <111>이 바람직한 방출 방향인 BCC 결정 구조를 갖는다. 따라서, 돔으로부터의 방출은 돔 표면에 주로 직접 수직으로 발생하는 경향이 있고, 반면 측벽으로부터의 방출은 HCM의 배럴(barrel)을 가로지르는 환형 원자 패턴(annular atomic patterns)을 형성하는 측벽으로부터 다양한 비수직 각도로 발생하는 경향이 있다. 측벽 방출은 측벽의 {112}<110> 탄탈부에 기인하여 타겟 표면 법선에 대해 대략 19.5°각도로 발생하고 측벽의 {110}<110> 탄탈부에 기인하여 법선에 대해 대략 35.3°각도로 발생할 수 있다. 상술한 방위의 결과로서, 컵 형상 타겟으로부터 스퍼터링된 재료는 기판 상에 증착될 때 보다 균일하게 분포된 패턴을 형성한다. {112}/{110} 텍스쳐는 HCM의 축방향 중심을 회피하는 측벽 방출을 제공하여, 이점이 있는 환형 원자 밀도 패턴을 생성한다. 동일 결과를 성취할 수 있는 다른 텍스쳐가 고려될 수 있다. 예를 들면, 탄탈 {100}<100> 방위가 양호한 후보일 수 있다. FCC 알루미늄 및 구리 또는 HCP 티타늄과 같은 상이한 결정 구조의 다른 재료에서, 상이한 방위는 HCM의 원통형 축을 지나가는 측벽 방출을 회피하도록 선택될 수 있다.
본 발명의 다양한 전형적인 실시예에 따르면, 타겟 표면 재료, 또는 적용 가능한 인접 재료가 액압 성형 또는 다른 금속 가공 기술에 의해 소정 비평탄 형상으로 바람직하게 형성된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 소정 타겟 형상은 단지 또는 보울 형상이지만, 당업자는 다른 형상이 사용될 수 있으며, 특히 액압 성형이 심지어 복잡한 형상을 성형하기 위해 수행된다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 바람직하지 않은 방위로의 스퍼터 표면의 재결정화를 최소화하기 위해 재료의 성형 중 또는 후에 열이 거의 또는 전혀 요구되지 않는다. 따라서, 후-성형 어닐링(post-shaping annealing)이 수행되지 않는 것이 바람직하다.
실제로, 본 발명에 따른 바람직한 타겟 형성 방법에 따르면, 재료의 블랭크는 액압 성형 프레스의 환형 플래튼 상부에 배치된다. 유압 유체로 충전된 블래더(bladder)를 갖는 탱크가 블랭크의 상부에서 하우징 내에 위치된다. 따라서, 블래더는 블랭크의 상부면에 대면한다. 블랭크를 형성하도록 성형된 맨드릴(mandrel) 또는 펀치가 플래튼의 하부에 위치된다. 하우징은 블랭크의 상부면과 블래더를 접촉시키도록 하강된다. 그 후에, 맨드릴은 환형 플래튼 내의 개구를 통해 블랭크의 하부면에 대해 상향으로 압박된다. 맨드릴이 블랭크에 대해 상향으로 계속 압박됨에 따라, 블랭크의 상부면은 블래더에 대해 압박된다. 동시에, 블래더 내의 압력은 최대 약 68.947MPa (10,000psi) 정도로 증가된다. 따라서, 맨드릴이 블랭크를 상향으로 압박함에 따라, 가압된 블래더는 블랭크가 맨드릴의 형상에 합치될 때까지 저항을 제공한다. 그 후, 맨드릴 및 블래더가 수축되고, 타겟이 맨드릴로부터 제거된다. 어닐링은 수행되지 않는다.
본 발명에 따른 바람직한 액압 성형 프로세스는 대략 1.5분 소요되고, 실온에서 수행되며, 원하는 바에 따라 일정하게 성형된 복수의 타겟을 형성하도록 즉시 반복 가능하다. 프로세스는 실온에서 수행되기 때문에, 열 유도 결정 방위 변경은 최소화되거나 또는 이상적으로는 배제된다. 중요하게는, 일단 블랭크가 소정 형상으로 형성되자마자 어닐링 단계가 수행되지 않기 때문에, 스퍼터 표면에 대한 재결정화 또는 다른 결정 변경은 최소화되거나 또는 이상적으로는 배제된다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 장점은 본 발명에 다른 시스템 및 방법의 다양한 전형적인 실시예의 하기의 상세한 설명에 설명되거나 그로부터 명백해진다.
본 발명의 시스템 및 방법의 다양한 전형적인 실시예가 하기의 도면을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
도 1은 단일 금속 재료로 구성된 전형적인 비평탄 스퍼터 타겟의 도면.
도 1a는 본 발명에 따른 타겟의 측벽으로부터의 벡터 방출의 개략적인 횡-단면도.
도 2는 복수의 금속층으로 구성된 전형적인 비평탄 스퍼터 타겟의 도면.
도 3은 액압 성형 프레스의 개략적인 다이어그램.
도 1 및 도 1a는 본 발명에 따른 전형적인 비평탄 스퍼터 타겟(non-planar sputter target)(20)을 도시한다. 도 1은 타겟의 폐쇄 단부에 실질적으로 평탄형 단부벽 또는 돔(22)을 갖는 컵 형상 스퍼터 타겟(20)을 보다 구체적으로 도시한다. 측벽(24)이 돔(22)에 연결되어 돔(22)으로부터 타겟의 개방 단부로 연장한다. 측벽(24) 및 돔(22)의 내부면은 타겟의 스퍼터 표면(25)을 형성하고, 돔부는 제1 결정 방위(first crystallographic orientation)를 갖고, 측벽은 제1 방위와는 상이한 제2 결정 방위를 갖는다. 스퍼터 타겟 표면의 상이한 결정 방위는 타겟 표면으로부터 기판 상에 스퍼터링되는 재료의 더 바람직한 증착(deposition) 및 밀도 패턴(density patterns)을 증진시키며, 돔으로부터 스퍼터링된 재료는 벡터 α로 도시된 바와 같이 그로부터 수직으로 방출되고, 측벽으로부터 스퍼터링된 재료는 도 1a에 벡터 β1, β2로 도시된 바와 같이 측벽으로부터 비수직으로 방출되어, 방출물들이 타겟의 중심축(Z)으로부터 이격된 환형(annular) 패턴을 형성한다. 따라서, 예비 관찰에 기초하여, 스퍼터링을 위한 원자 재료의 구름(cloud)이 컵의 중심축으로부터 이격된 측벽에 근접하여 위치된 환형(annulus)을 갖는 주로 환형 패턴으로 존재한다.
본 발명의 전형적인 일 실시예에 따르면, 원래의 변경되지 않은 결정 방위를 갖는 타겟 표면 재료의 편평한 블랭크가 제공되고, 예를 들면 액압 성형(hydroforming) 또는 다른 금속 가공 기술에 의해 소정 타겟 형상으로 형성된다. 편평한 타겟 표면 재료는 티타늄, 구리, 탄탈 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 고순도 금속으로 구성되는 것이 바람직하다. 탄탈(Ta)이 가장 바람직하다. 대안적으로, 스퍼터 타겟 표면의 부분 상부의 소정 결정 방위 및 타겟 형상이 성취되면 복수의 재료층이 타겟을 형성하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예는 타겟 표면 재료에 인접하여 백킹 플레이트(backing plate) 재료의 편평한 블랭크(blank)를 제공한다. 도 2는 적어도 2개의 재료가 타겟 조립체의 내부 스퍼터링 표면 및 외부 쉘(shell)을 포함하는 본 발명에 따른 스퍼터 타겟의 전형적인 실시예를 도시한다. 유사한 도면 부호를 사용하는 도 2에 도시된 바와 같이, 재료의 인접층은 소정 타겟 형상 및 타겟 표면 방위를 성취하도록 바람직하게는 액압 성형 또는 다른 금속 가공 기술에 의해 유사하게 형성되거나 가공된다. 본 발명의 또 다른 실시예는 백킹 플레이트와 타겟 표면층 사이에 사이층(interlayers)을 포함할 수 있다. 어느 경우든, 백킹 플레이트 재료는 알루미늄, 구리, 강, 티타늄 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 가단성(malleable)의 저순도 금속인 것이 바람직하다.
특히 본 발명의 바람직한 전형적인 실시예에서, 편평한 타겟 표면 블랭크는 탄탈로 구성된다. 바람직하게는, 액압 성형에 의한 소정 형상으로의 블랭크 및 타 겟 표면 재료의 가공은 타겟 표면의 부분의 결정 방위를 변경시킨다. 본 발명에 따른 단지(pot) 또는 보울(bowl) 형상을 갖는 타겟 표면을 형성하는데 사용된 {111}/{100} 탄탈 블랭크의 경우, 도 1을 참조하면, 타겟 표면(25)의 돔부(22)는 원래의 주된 {111}/{100} 방위를 유지하는 경향이 있고, 반면 측벽(24)은 예를 들면 {112}/{110}의 혼합물을 가질 수 있다. 측벽 내의 {112}/{110} 방위의 비율은 바람직하게는 측벽 내의 모든 결정 방위의 총합의 33%이므로, 본원에 규정된 바와 같은 주요 텍스쳐를 구성한다.
돔 및 측벽의 각각의 주된 및 주요 방위의 결과로서, 돔으로부터의 방출물이 돔 표면에 주로 직접 수직으로(벡터 α) 발생되는 경향이 있다. 동시에, 측벽으로부터의 방출물은 측벽의 {112}<110> 탄탈부에 기인하여 측벽에서 타겟 표면 법선에 대해 대략 19.5°각도(벡터 β1)와, 측벽의 {110}<110> 탄탈부에 기인하여 법선에 대해 대략 35.3°각도(벡터 β2)로 발생하는 경향이 있다.
본 발명에 따르면, 타겟 표면 재료 또는 적용 가능한 인접 재료는 액압 성형 프레스를 사용하여 소정의 비평탄 형상으로 형성된다. 본 발명의 양호한 실시예에서, 소정 타겟 형상은 단지 또는 보울 형상이지만, 당업자는 특히 액압 성형이 심지어 복잡한 형상을 형성하도록 수행되기 때문에 다른 형상도 동등하게 가능하다는 것을 이해해야 한다. 액압 성형 프로세스에서 재료를 성형할 때 열이 거의 또는 전혀 요구되지 않는다. 그 결과, 타겟 표면 재료의 평탄부(또는 미가공부)는 그들의 본래의 결정 방위를 유지하는 경향이 있다. 한편, 타겟 표면의 비평탄부(또는 가공부)는 본래의 결정 방위로부터 벗어나는 경향이 있다. 본 발명에 따른 비평탄 스퍼터 타겟을 형성할 때의 열의 최소화 또는 없음(absence)은 스퍼터 타겟 표면의 소정 형상 또는 결정 방위를 성취하기 위한 프로세스의 상이한 단계에서 가열에 의존하는 종래의 스퍼터 타겟과 상이하다.
도 3에 도시된 바와 같이, 재료의 블랭크(30)는 액압 성형 프레스(100)의 환형 플래튼(annular platen)(110) 상부에 배치된다. 유압 유체로 충전된 블래더(bladder)(120)가 블랭크의 상부에서 하우징 내에 위치된다. 따라서 블래더는 블랭크의 상부면에 대면한다. 소정의 타겟 윤곽을 형성하도록 성형된 맨드릴(mandrel) 또는 펀치(130)가 플래튼의 하부에 위치된다. 실제로, 하우징은 블랭크의 상부면과 블래더를 접촉시키도록 하강된다. 그 후에, 맨드릴은 환형 플래튼 내의 개구를 통해 블랭크의 하부면에 대해 상향으로 압박된다. 맨드릴이 블랭크에 대해 상향으로 계속 압박됨에 따라, 블랭크의 상부면은 블래더에 대해 압박된다. 동시에, 블래더 내의 압력은 최대 약 68.947MPa (10,000psi) 정도로 증가된다. 따라서, 맨드릴이 상향으로 블랭크를 압박함에 따라, 가압된 블래더는 블랭크가 맨드릴의 형상에 합치할 때까지 저항을 제공한다. 맨드릴 및 블래더는 수축되고 타겟은 예를 들면 액압 성형 프레스로부터 제거된다. 타겟의 스퍼터 표면의 상이한 섹션에서의 결정 방위의 측정은 X-선 회절(diffraction)에 의해 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 전체 액압 성형 프로세스는 대략 1.5분 소요되고, 실온에서 수행된다. 프로세스가 실온에서 수행되기 때문에, 열 유도 결정 방위 변경은 최소화되거나 이상적으로는 배제된다. 중요하게는, 일단 블랭크가 본 발명에 따른 소정의 형상으로 형성되면 부가의 어닐링(annealing) 단계가 요구되지 않는다. 따라서, 추가적인 결정 방위 변경이 또한 최소화되거나 이상적으로는 회피된다. 도시된 맨드릴은 단지 또는 보울형 스퍼터 타겟과 합치하지만, 당업자는 다수의 다른 형상이 본 발명에 따른 비평탄형 스퍼터 타겟을 형성하도록 이에 따라 맨드릴을 변경함으로써 마찬가지로 사용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
소정 텍스쳐를 갖는 컵 또는 보울 형상 타겟을 생성하기 위한 프로세스는 다수의 단계를 수반하는 것으로서 요약될 수 있다. 제1 단계는 {111}{100}, 더 바람직하게는 20% 이상의 {111} 비율을 갖는 혼합 파이버 텍스쳐(mixed fiber texture)를 갖는 개시 플레이트에서 생성하는 것이다. 100㎛ 미만의 입자 크기를 갖는 재결정 등방성 미세구조(recrystallized equiaxed microstructure)가 바람직하다. 제2 단계는 스핀 성형, 액압 성형 또는 딥 드로잉(deep drawing)을 사용하여 보울 형상으로 플레이트를 형성하는 것이다. 이 작업은 동적 재결정을 방지하기 위한 온도 또는 냉간에서 수행되어야 한다. 보울의 측벽의 소정 텍스쳐를 성취하기 위해 요구되는 작업량은 35% 변형(바람직하게는 50% 초과)이다. 응력 완화 어닐링이 최종 단계로서 포함될 수 있다. 온도는 측벽의 {111} 텍스쳐 성분의 재결정 및 전개(evolution)를 방지하기 위해 충분히 낮아야 한다.
입자 구조: 탄탈의 미세구조는 돔에서 등방성의 완전 재결정 입자 구조 및 측벽을 따라 냉간 가공 구조를 가질 수 있다. NNS(실형상 제조 기술: near net shape) 블랭크를 형성하기 위한 평탄형 블랭크는 성형 전에 완전히 어닐링되고 성형 후에는 어닐링되지 않는다.
입자 크기: 평균 입자 크기는 측벽에서 150 미크론(microns) 미만이고, 돔에서는 100 미크론 미만일 수 있다[ASTM E112, 표 4, Mean Intercept].
본 발명이 상술한 전형적인 실시예와 관련하여 설명되었지만, 다수의 대안, 변경 및 변형이 당업자들에게는 명백할 것이다. 따라서, 상술된 바와 같은 본 발명의 전형적인 실시예는 한정적인 것이 아니라 전형적인 것으로 의도된다. 다양한 변경이 본 발명의 사상 및 범주로 일탈하지 않고 수행될 수 있다.
Claims (35)
- 스퍼터 타겟(sputter target)에 있어서,일 단부벽에 연결된 원통형 측벽을 포함하고,상기 측벽 및 상기 단부벽은 내부면 및 외부면을 갖고, 상기 내부면은 물리적 기상 증착(physical vapor deposition) 중에 스퍼터링을 위해 금속 또는 그 합금으로 이루어지고, 상기 측벽의 내부면은 중공 음극 마그네트론(hollow cathode magnetron; HCM)의 중심축을 회피하는 방출을 제공하는 텍스쳐(texture)를 갖고, 상기 단부벽의 내부면은 상기 단부벽의 내부면에 수직인 방출을 제공할 수 있는 텍스쳐를 갖는 스퍼터 타겟.
- 제1 항에 있어서, 탄탈(Ta)로 이루어진 스퍼터 타겟으로서, 주요(major) 혼합 {112}<110> 및 {110}<110> 텍스쳐를 갖는 측벽 및 주된(predominate) {111} 텍스쳐를 갖는 단부벽을 구비하며,상기 '주요'는 타겟의 스퍼터 측벽의 텍스쳐의 모든 결정 방위의 총합에 대한 조합된 {112} 및 {110} 방위의 비율이 적어도 200/N % 또는 33%인 것을 의미하고, 여기서 N은 x-레이 회절 분석에 포함된 방위의 수를 나타내며,상기 '주된'은 타겟의 단부벽 또는 돔의 스퍼터 표면의 텍스쳐의 모든 결정 방위의 총합에 대한 특정 {h,k,l} 방위의 비율이 돔 스퍼터 표면의 다양한 부분에서 적어도 120/N %인 것을 의미하는, 스퍼터 타겟.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 스퍼터 타겟에 있어서,평탄부 및 비평탄부를 갖는 스퍼터링 표면을 포함하고,상기 평탄부는 제1 결정 방위를 갖고, 상기 비평탄부는 상기 제1 결정 방위와는 상이한 제2 결정 방위를 갖는 스퍼터 타겟.
- 삭제
- 삭제
- 제7 항에 있어서, 상기 제1 결정 방위는 제1 각도에서 상기 스퍼터링 표면으로부터 재료를 방출하고, 상기 제2 결정 방위는 상기 제1 각도와는 상이한 제2 각도에서 상기 스퍼터링 표면으로부터 재료를 방출하는 스퍼터 타겟.
- 제10 항에 있어서, 상기 타겟 및 스퍼터링 표면은 단지 또는 보울형이고, 상기 평탄부는 돔을 포함하고, 상기 비평탄부는 단지 또는 보울형 타겟의 측벽 및 스퍼터링 표면을 포함하는 스퍼터 타겟.
- 제11 항에 있어서, 상기 재료는 티타늄, 구리, 탄탈 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 스퍼터 타겟.
- 제12 항에 있어서, 상기 돔으로부터의 스퍼터링된 재료의 방출은 상기 돔의 스퍼터링 표면에 수직으로 발생하고, 상기 측벽으로부터의 스퍼터링된 재료의 방출은 상기 측벽의 스퍼터링 표면에 비수직으로 발생하고 원통형 축을 지나가지 않는 스퍼터 타겟.
- 제13 항에 있어서, 상기 비평탄부로부터의 방출은 상기 비평탄부의 표면으로부터 예각(acute angle)으로 이루어지는 스퍼터 타겟.
- 삭제
- 제14 항에 있어서, 상기 비평탄부는 방위의 혼합물을 포함하고, 상기 비평탄부의 방위의 혼합물은 혼합 {112}<110> 및 {110}<110> 탄탈인 스퍼터 타겟.
- 삭제
- 타겟의 스퍼터 표면의 부분 내에서 상이한 결정 방위를 갖는 스퍼터 타겟을 제조하는 방법에 있어서,a. 환형 플래튼(annular platen), 유압 유체로 충전된 블래더(bladder)를 유지하는 하우징, 및 맨드릴(mandrel)을 갖는 액압 성형 프레스를 제공하는 단계와;b. 상기 환형 플래튼 상에 재료의 블랭크를 배치하는 단계와;c. 상기 블랭크의 상부면과 상기 블래더를 접촉시키도록 상기 하우징을 하강시키는 단계와;d. 상기 블랭크의 하부면과 접촉하도록 상기 환형 플래튼 내의 중앙 개구를 통해 상기 맨드릴을 상승시키는 단계와;e. 상기 블래더 내로 상기 블랭크를 압박하여 상기 블래더 내의 압력을 증가시키기 위해 상기 맨드릴을 더욱 상승시키는 단계와;f. 위와 같이 가압된 블래더 및 상기 블래더 내로 블랭크를 압박하는 맨드릴로부터 제공된 저항에 의해 소정 형상으로 상기 블랭크를 형성하는 단계와;g. 스퍼터 타겟을 제공하도록 상기 블래더 및 맨드릴을 수축하는 단계; 및h. 어닐링이 상기 타겟의 성형 후에 수행되지 않는, 상기 타겟의 스퍼터링 표면의 다양한 부분 내의 결정 방위를 측정하는 단계를 포함하는 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제18 항에 있어서, 상기 블래더 내의 압력은 최대 103.421MPa(15,000psi)인 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제19 항에 있어서, 상기 액압 성형 프로세스는 실온에서 수행되는 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제20 항에 있어서, 상기 맨드릴은 평탄부 및 비평탄부로 구성된 스퍼터 표면을 갖는 타겟을 제공하도록 형성되고, 상기 평탄부는 액압 성형에 앞서 상기 블랭크와 동일한 제1 결정 방위를 갖고, 상기 비평탄부는 상기 액압 성형 프로세스의 결과로서 상기 제1 결정 방위와는 상이한 제2 결정 방위를 갖는 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제21 항에 있어서, 상기 블랭크는 티타늄, 구리, 탄탈 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 금속인 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제22 항에 있어서, 상기 금속은 적어도 20% {111} 탄탈을 갖는 혼합 {111}<100> 및 {100}<100> 탄탈의 혼합물인 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제23 항에 있어서, 상기 비평탄부는 액압 성형 이후의 방위의 혼합물로 구성되는 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제24 항에 있어서, 상기 비평탄부 내의 방위의 혼합물은 혼합 {112}<110> 및 {110}<110> 탄탈인 스퍼터 타겟을 제조하는 방법.
- 제1 결정 방위를 갖는 제1 스퍼터링 표면 및 제2 결정 방위를 갖는 제2 스퍼터링 표면을 구비하는 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법에 있어서,a. 상기 제1 결정 방위를 갖는 제1 금속의 블랭크를 제공하는 단계와;b. 상기 제1 결정 방위로부터 상기 제2 결정 방위로 그 결정 방위를 변형시키기 위해서 상기 블랭크의 부분을 변형시킴으로써 소정 형상으로 상기 블랭크를 성형하는 단계를 포함하고,c. 상기 방법은 상기 블랭크의 변형된 부분의 상기 제1 결정 방위로의 재결정화를 방지하도록 열 처리 어닐링 없이 수행되는 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 삭제
- 제26 항에 있어서, 상기 성형 단계 (b)는 액압 성형을 포함하는 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 제28 항에 있어서, 상기 변형은 35% 이상의 변형인 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 삭제
- 제29 항에 있어서, 상기 제1 금속은 탄탈(Ta)이고, 상기 제1 결정 방위는 {111} 또는 혼합 {111}{100}으로부터 선택되는 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 제31 항에 있어서, 상기 탄탈(Ta)은 100㎛ 미만의 입자 크기를 갖는 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 제32 항에 있어서, 상기 제1 결정 방위는 주된 {111}이고,상기 '주된'은 스퍼터링 표면의 텍스쳐의 모든 결정 방위의 총합에 대한 특정 {h,k,l} 방위의 비율이 돔 스퍼터 표면의 다양한 부분에서 적어도 120/N %라는 것을 의미하며, 여기서 N은 x-레이 회절 분석에 포함된 방위의 수를 나타내는, 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 제33 항에 있어서, 상기 제2 결정 방위는 주요 혼합 {112}<110> 및 {110}<110>이고,상기 '주요'는 모든 결정 방위의 총합에 대한 조합된 {112} 및 {110} 방위의 비율이 적어도 200/N % 또는 33%인 것을 의미하는, 스퍼터 타겟 조립체를 제조하는 방법.
- 삭제
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41075102P | 2002-09-13 | 2002-09-13 | |
US60/410,751 | 2002-09-13 | ||
US45619303P | 2003-03-20 | 2003-03-20 | |
US60/456,193 | 2003-03-20 | ||
US46086703P | 2003-04-07 | 2003-04-07 | |
US60/460,867 | 2003-04-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050052481A KR20050052481A (ko) | 2005-06-02 |
KR101024830B1 true KR101024830B1 (ko) | 2011-03-29 |
Family
ID=31999230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057003486A KR101024830B1 (ko) | 2002-09-13 | 2003-09-12 | 균일한 증착을 증진하는 결정 방위를 갖는 비평탄 스퍼터타겟 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060076234A1 (ko) |
EP (1) | EP1540030A4 (ko) |
JP (1) | JP4911744B2 (ko) |
KR (1) | KR101024830B1 (ko) |
WO (1) | WO2004024978A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050155677A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Wickersham Charles E.Jr. | Tantalum and other metals with (110) orientation |
RU2006137650A (ru) | 2004-03-26 | 2008-05-10 | Х.К. Штарк Инк. (US) | Чаши из тугоплавких металлов |
US20070227688A1 (en) * | 2004-06-15 | 2007-10-04 | Tosoh Smd, Inc. | Continuous Casting of Copper to Form Sputter Targets |
JP2012505311A (ja) * | 2008-10-10 | 2012-03-01 | トーソー エスエムディー,インク. | 円形溝プレス装置とスパッターリングターゲットの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6193854B1 (en) | 1999-01-05 | 2001-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source |
US6283357B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
WO2002042513A2 (en) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
US6419806B1 (en) | 1998-12-03 | 2002-07-16 | Tosoh Smd, Inc. | Insert target assembly and method of making same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4231507A (en) * | 1979-01-09 | 1980-11-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High-temperature, high-pressure bonding of nested tubular metallic components |
US5085068A (en) * | 1991-01-16 | 1992-02-04 | Extrude Hone Corporation | Die forming metallic sheet materials |
JPH04339497A (ja) | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピーカ |
JP2857015B2 (ja) * | 1993-04-08 | 1999-02-10 | 株式会社ジャパンエナジー | 高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット |
GB9727063D0 (en) * | 1997-12-23 | 1998-02-18 | Gkn Sankey Ltd | A hydroforming process |
US6279425B1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-08-28 | Edmond Burton Cicotte | Method of producing tools and dies |
US6451177B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes |
US6582572B2 (en) * | 2000-06-01 | 2003-06-24 | Seagate Technology Llc | Target fabrication method for cylindrical cathodes |
US6482302B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-11-19 | Honeywell International Inc. | Container-shaped physical vapor deposition targets |
JP3720779B2 (ja) | 2001-02-28 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | 側鎖にビニルフェニル構造を有する新規なポリヒドロキシアルカノエート型ポリエステル、およびその製造方法 |
US6589408B1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Non-planar copper alloy target for plasma vapor deposition systems |
US7708868B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-05-04 | Tosoh Smd, Inc. | Variable thickness plate for forming variable wall thickness physical vapor deposition target |
US7776166B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-08-17 | Praxair Technology, Inc. | Texture and grain size controlled hollow cathode magnetron targets and method of manufacture |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2004571978A patent/JP4911744B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-12 KR KR1020057003486A patent/KR101024830B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-12 EP EP03755813A patent/EP1540030A4/en not_active Withdrawn
- 2003-09-12 US US10/526,702 patent/US20060076234A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-12 WO PCT/US2003/028418 patent/WO2004024978A1/en active Application Filing
-
2009
- 2009-05-29 US US12/455,159 patent/US8037727B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6419806B1 (en) | 1998-12-03 | 2002-07-16 | Tosoh Smd, Inc. | Insert target assembly and method of making same |
US6193854B1 (en) | 1999-01-05 | 2001-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source |
US6283357B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
WO2002042513A2 (en) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
WO2002042513A3 (en) | 2000-11-27 | 2003-06-05 | Cabot Corp | Hollow cathode target and methods of making same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090235709A1 (en) | 2009-09-24 |
US8037727B2 (en) | 2011-10-18 |
JP2005539148A (ja) | 2005-12-22 |
WO2004024978A1 (en) | 2004-03-25 |
JP4911744B2 (ja) | 2012-04-04 |
US20060076234A1 (en) | 2006-04-13 |
EP1540030A1 (en) | 2005-06-15 |
EP1540030A4 (en) | 2008-04-02 |
KR20050052481A (ko) | 2005-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6193821B1 (en) | Fine grain tantalum sputtering target and fabrication process | |
JP4828782B2 (ja) | 中空カソードターゲットおよびその製造方法 | |
EP2065480B1 (en) | Molybdenum tubular sputtering targets with uniform grain size and texture | |
US6419806B1 (en) | Insert target assembly and method of making same | |
EP1865090B1 (en) | Deep-pot-shaped copper sputtering target | |
EP1366203B1 (en) | Refractory metal plates with uniform texture and methods of making the same | |
US20120273097A1 (en) | Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles | |
MXPA03006246A (es) | Pletinas de tantalio y niobio y metodo para producirlas. | |
US20110056828A1 (en) | Monolithic aluminum alloy target and method of manufacturing | |
US6988306B2 (en) | High purity ferromagnetic sputter target, assembly and method of manufacturing same | |
US8037727B2 (en) | Non-planar sputter targets having crystallographic orientations promoting uniform deposition | |
US12043892B2 (en) | Method for producing molybdenum alloy targets | |
JP2003147516A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JPH09268368A (ja) | マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140310 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150306 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160308 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170314 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180307 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |