KR101020396B1

KR101020396B1 - Probe apparatus and probing method

Info

Publication number: KR101020396B1
Application number: KR1020080094007A
Authority: KR
Inventors: 야스히토 야마모토; 가즈히로 오자와; 후미토 가가미
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2007-09-28
Filing date: 2008-09-25
Publication date: 2011-03-08
Also published as: JP5120027B2; JP2009099937A; CN101403785B; TWI442494B; TW200931556A; KR20090033036A; CN101403785A

Abstract

본 발명은 장치의 소형화를 도모해 또한 높은 스루풋을 얻는 할 수 있는 프로브 장치를 제공한다. The present invention provides a probe device capable of miniaturizing the device and obtaining high throughput.

웨이퍼 척 및 프로브 카드의 사이의 높이 위치에서 수평 방향으로 이동 가능한 얼라이먼트 브리지에, 각각 그 광축이 서로 이간되고, 웨이퍼 표면을 촬상하기 위한 시야가 하향인 웨이퍼 촬상용의 마이크로 카메라(71, 72)을 마련하고 있으므로, 웨이퍼의 위치 정보를 얻기 위해서 웨이퍼를 촬상 할 때에 웨이퍼 척의 이동량이 적다. 이것 때문에 장치의 소형화를 도모할 수 있고, 또 웨이퍼의 위치 정보의 취득에 요하는 시간도 단축 가능하므로 고스루풋화에 기여할 수 있다. 또한 마이크로 카메라(71, 72)를 서로 접리 자유롭게 마련하여, 그 이간 거리가 웨이퍼상의 2개의 특정점의 서로의 이간 거리가 되도록 조정 할 수 있기 위해서, 웨이퍼 척을 정지시킨 채 다른 1개의 특정점의 촬상을 실행할 수 있어, 한층 높은 고스루풋화에 기여할 수 있다.On the alignment bridge which is movable in the horizontal direction at the height position between the wafer chuck and the probe card, the optical cameras are separated from each other, and micro-cameras 71 and 72 for wafer imaging, each of which has a downward field of view for imaging the wafer surface, are provided. Since it is provided, the amount of movement of the wafer chuck is small when imaging the wafer in order to obtain the positional information of the wafer. For this reason, the device can be miniaturized and the time required for acquiring the positional information of the wafer can be shortened, thereby contributing to high throughput. In addition, the micro cameras 71 and 72 can be freely provided with each other so that the separation distance can be adjusted to be the separation distance between the two specific points on the wafer. Imaging can be performed and it can contribute to higher high throughput.

Description

PROBE APPARATUS AND PROBING METHOD

본 발명은, 프로브를 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 기술에 관한 것이다．TECHNICAL FIELD This invention relates to the technique of measuring the electrical characteristic of the test subject by electrically contacting a probe with the electrode pad of a test subject.

반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다 )상에 IC칩이 형성된 후, IC칩의 전기적 특성을 조사하기 위해서 웨이퍼의 상태에서 프로브 장치에 의한 프로브 테스트가 행하여진다. 이 프로브 장치는, X, Y, Z 방향으로 이동이 자유롭고 또한 Z축 주위에 회전이 자유로운 웨이퍼 척(웨이퍼 탑재대)에 웨이퍼를 싣고, 웨이퍼 척의 위쪽에 설치되는 프로브 카드의 프로브 예를 들면 프로브 침과 웨이퍼의 IC 칩의 전극 패드와가 접촉하도록 웨이퍼 척의 위치를 제어하도록 구성되어 있다. After the IC chip is formed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), a probe test is performed by a probe device in the state of the wafer in order to examine the electrical characteristics of the IC chip. The probe device is a probe of a probe card, for example, a probe needle, mounted on a wafer chuck (wafer mounting table) which is free to move in the X, Y, and Z directions and freely rotates around the Z axis, and is installed above the wafer chuck. And the position of the wafer chuck so as to be in contact with the electrode pad of the IC chip of the wafer.

웨이퍼상의 IC칩의 전극 패드와 프로브와를 정확하게 접촉시키기 위해서는, 미리 파인 얼라이먼트라 불리는 작업을 실행하고, 그 결과에 근거하여 IC 칩의 전극 패드와 프로브와가 접촉할 때의 웨이퍼 척의 위치, 예를 들면 웨이퍼 척을 구동하는 구동 모터에 연동하는 펄스 인코더로 관리되는 구동계의 좌표위치를 정확하게 구해 놓을 필요가 있다. 또 구동계의 좌표위치에 대해서는, 예를 들면 X 방향으로 이동하는 X 스테이지, Y 방향으로 이동하는 Y 스테이, Z 방향으로 이동하는 Z 스테이지의 각각에 리니어 스케일을 마련하고, 이들 리니어 스케일에 형성된 슬릿으로부터의 광학 정보인 펄스의 카운트수에 의해 각 방향의 좌표를 특별히 정하는 수법이여도 좋다. In order to accurately contact the electrode pad of the IC chip and the probe on the wafer, a work called fine alignment is performed in advance, and based on the result, the position of the wafer chuck when the electrode pad of the IC chip and the probe are brought into contact with each other, for example, For example, it is necessary to accurately determine the coordinate position of the drive system managed by the pulse encoder linked to the drive motor for driving the wafer chuck. Moreover, about the coordinate position of a drive system, a linear scale is provided in each of the X stage which moves to a X direction, the Y stage which moves to a Y direction, and the Z stage which moves to a Z direction, for example, from the slits formed in these linear scales. The method of specially determining the coordinates of each direction by the count number of the pulse which is optical information of may be sufficient.

이 파인 얼라이먼트를 실행하기 위해서는, 웨이퍼 척과 프로브 카드와의 사이를 수평 이동하는 이동체에 시야가 하향인 웨이퍼 촬상용의 카메라를 마련한다 동시에, 웨이퍼 척 측에도 프로브 촬상용의 카메라를 마련하는 구성을 채용 하는 것이 유리하다(특허문헌1). 왜냐하면 이들 카메라의 초점을 맞춘 후에, 각각 웨이퍼 표면 및 프로브를 촬상 함으로써, 1 개의 카메라에서 양자를 촬상한 것과 같은 결과를 얻을 수 있기 때문이다. 그리고 웨이퍼상의 칩의 맵을 작성하기 위해서는, 웨이퍼 주연의 예를 들면 4점을 웨이퍼 촬상용의 카메라에 의해 촬상해서 웨이퍼의 중심위치(웨이퍼 척의 구동계의 좌표위치)을 구하는 작업과, 웨이퍼상의 특정점 예를 들면 서로 이간된 2 개의 IC 칩의 각 부분을 촬상해서 웨이퍼의 방향을 구하는 작업이 행하여진다. In order to perform this fine alignment, a camera for photographing wafers with a lower field of view is provided on a movable body horizontally moving between the wafer chuck and the probe card, and a camera for probing imaging is also adopted on the wafer chuck side. It is advantageous (patent document 1). This is because after focusing these cameras, imaging the wafer surface and the probe, respectively, results in the same result as imaging both in one camera. In order to prepare a map of the chip on the wafer, for example, four points on the wafer edge are picked up by a camera for wafer imaging to obtain the center position of the wafer (coordinate position of the drive system of the wafer chuck), and a specific point on the wafer. For example, the operation | movement which image | photographs each part of two IC chips separated from each other, and obtains the direction of a wafer is performed.

그리고 웨이퍼의 방향을 맞춘 후, 또한 웨이퍼상의 복수의 특정점을 촬상하고, 그 촬상 결과에 근거하여 IC 칩의 전극 패드와 프로브가 접촉할 때의 웨이퍼 척의 위치(소위 콘택트 위치)을 고정밀도로 구하도록 하고 있다. 이러한 파인 얼라이먼트 작업을 실행하기 위해서는, 상기 이동체를 미리 설정한 위치에 정지시키고, 웨이퍼 척을 이동시켜서 웨이퍼상의 각 포인트를 웨이퍼 촬상용의 카메라로 순차적으로 촬상하도록 하고 있지만, 촬상 포인트가 많으면 웨이퍼 척의 이동에 요하는 전체 시간이 길어진다. 또 웨이퍼 척의 이동 범위가 넓으면, 프로브 장치본체도 이 이동 범위를 커버할 수 있는 사이즈로 설계하지 않으면 안되고, 이것 때문에 장치가 대형화된다. 특히 웨이퍼 사이즈가 점점 커지고 있어, 향후 12인치를 넘은 웨이퍼 사이즈가 되는 것이 예상되므로, 프로브 장치의 설치 대수를 늘리면, 넓은 점유 면적이 필요하게 되나, 클린 룸의 넓이에 제한이 있는 경우에는, 프로브 장치를 다수 설치 할 수가 없어진다. After the orientation of the wafer is taken, a plurality of specific points on the wafer are further imaged, and the position of the wafer chuck (so-called contact position) at the time of contact between the electrode pad of the IC chip and the probe is determined with high accuracy based on the imaging result. Doing. In order to execute such fine alignment operation, the moving body is stopped at a predetermined position, and the wafer chuck is moved so that each point on the wafer is sequentially captured by a camera for wafer imaging. The overall time required is longer. In addition, if the movement range of the wafer chuck is wide, the probe apparatus main body must also be designed in a size that can cover this movement range, thereby increasing the size of the apparatus. In particular, since the wafer size is getting bigger and the wafer size is expected to exceed 12 inches in the future, if the number of installations of the probe device is increased, a large occupied area is required, but if the area of the clean room is limited, the probe device You can not install multiple.

[특허문헌1] 일본 특허공개 2001-156127호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-156127

본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로서, 그 목적은 장치의 소형화를 도모하고 또한 높은 스루풋을 얻을 할 수 있는 프로브 장치를 제공 하는 것에 있다. The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a probe device capable of miniaturizing the device and obtaining high throughput.

본 발명의 프로브 장치는, 다수의 피검사 칩이 배열된 웨이퍼를, 탑재대용의 구동부에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능한 웨이퍼 탑재대에 싣고, 프로브 카드의 프로브에 상기 피검사 칩의 전극 패드를 접촉시켜서 피검사 칩의 검사를 실행하는 프로브 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 탑재대에 마련되고, 상기 프로브를 촬상하기 위한 시야가 상향인 프로브 촬상용의 촬상 수단과, 상기 웨이퍼 탑재대 및 프로브 카드의 사이의 높이 위치에서 수평 방향으로 이동 가능하게 마련된 이동체와, 이 이동체에 마련되고, 각각 그 광축이 서로 이간되고, 웨이퍼 표면을 촬상하기 위한 시야가 하향인 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단과, 웨이퍼 탑재대를 이동시킴으로써 프로브 촬상용의 촬상 수단의 초점과 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단의 초점 및 제 2 촬상 수단의 초점과의 위치를 순차적으로 맞추고, 각 시점의 웨이퍼 탑재대의 위치를 취득하는 스텝과, 웨이퍼 탑재대를 이동시킴으로써 상기 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼를 순차적으로 촬상하고, 각 촬상 시의 웨이퍼 탑재대의 위치를 취득하는 스텝과, 프로브 촬상용의 촬상 수단에 의해 프로브를 촬상하고, 촬상 시의 웨이퍼 탑재대의 위치를 취득하는 스텝과, 각 스텝에서 취득한 웨이퍼 탑재대의 위치에 근거하여 웨이퍼와 프로브와를 접촉시키기 위한 웨이퍼 탑재대의 위치를 계산하는 스텝을 포함하는 스텝 군을 실행하는 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. According to the probe device of the present invention, a wafer on which a plurality of chips to be inspected are arranged is placed on a wafer mounting table that is movable in a horizontal direction and a vertical direction by a drive unit for mounting table, and the electrode pad of the chip to be tested is placed on the probe of the probe card. A probe device for inspecting a chip to be inspected by contacting a chip, comprising: an imaging means for probe imaging provided on the wafer mounting table and having an upward field of view for imaging the probe; A moving object provided to be movable in a horizontal direction at a height position between the first moving means and a second imaging means for wafer imaging provided on the movable body, the optical axes of which are separated from each other, and the field of view for imaging the wafer surface is downward; The focus of the imaging means for probe imaging and the first imaging means for wafer imaging by moving the imaging means and the wafer mounting table. Step of acquiring the position of the focal point and the focal point of the second imaging means in sequence, acquiring the position of the wafer mounting table at each time point, and moving the wafer mounting table so as to move the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer. Imaging the wafer on the wafer mounting table sequentially, acquiring the position of the wafer mounting table at the time of each imaging, and imaging the probe by the imaging means for probe imaging, and obtaining the position of the wafer mounting table at the time of imaging. And control means for executing a group of steps including a step and a step of calculating a position of a wafer mount for contacting the wafer and the probe based on the position of the wafer mount acquired in each step.

또 상기 이동체에 마련되고, 각각 그 광축이 서로 이간되고, 웨이퍼 표면을 촬상하기 위한 시야가 하향이고 또한 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단보다도 배율이 낮은 웨이퍼 촬상용의 제 1 저배율 카메라 및 제 2 저배율 카메라를 구비하는 것을 특징으로 한다. 그리고 제 1 촬상 수단과 제 1 저배율용의 카메라와의 각광축의 조와, 제 2 촬상 수단과 제 2 저배율용의 카메라와의 각광축의 조는, 좌우 대칭으로 형성되어 있다. Moreover, the 1st low magnification camera and 2nd for image pickup of the wafer which are provided in the said moving body, respectively, the optical axis spaced apart from each other, and the visual field for image | photographing a wafer surface is downward, and its magnification is lower than a 1st imaging means and a 2nd imaging means. It is characterized by including a low magnification camera. The pair of light axes of the first imaging means and the first low magnification camera and the pair of light axes of the second imaging means and the second low magnification camera are formed symmetrically.

또 상기 스텝 군은, 웨이퍼 촬상용의 제 1 저배율 카메라 및 제 2 저배율 카메라에 의해, 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼의 주연의 2점을 순차적으로 촬상하고, 다음으로 제 1 저배율 카메라 및 제 2 저배율 카메라의 각광축을 서로 잇는 선에 대하여 직교하도록 웨이퍼 탑재대를 이동시키고, 웨이퍼에 있어서의 상기 2점과는 반대측의 주연의 2점을 제 1 저배율 카메라 및 제 2 저배율 카메라에 의해 순차적으로 촬상하고, 이들 4점의 촬상시에 있어서의 웨이퍼 탑재대의 위치에 근거하여 웨이퍼의 중심위치를 구하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고 본 발명의 프로브 장치에 있어서, 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼의 주연의 2점의 촬상 및 상기 반대측의 주연의 2점의 촬상을, 웨이퍼 촬상용의 제 1 저배율 카메라 및 제 2 저배 율 카메라 대신에 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 실행한다. Moreover, the said step group image | photographs two points of the periphery of the wafer on a wafer mounting table sequentially by the 1st low magnification camera and 2nd low magnification camera for wafer imaging, Next, the 1st low magnification camera and the 2nd low magnification camera of The wafer mounting table is moved so as to be orthogonal to the lines connecting the respective optical axes, and two points on the periphery opposite to the two points on the wafer are sequentially imaged by the first low magnification camera and the second low magnification camera. And a step of obtaining the center position of the wafer on the basis of the position of the wafer mounting table at the time of imaging the point. In the probe apparatus of the present invention, imaging of two points on the periphery of the wafer on the wafer mounting table and two points on the opposite edge of the wafer are performed in place of the first low magnification camera and the second low magnification camera for wafer imaging. It is executed by the first imaging means and the second imaging means for imaging.

또한, 상기 스텝 군은 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 웨이퍼상의 서로 이간된 2개의 특정점을 촬상하고, 각 촬상시에 있어서의 웨이퍼 탑재대의 위치에 근거하여 웨이퍼가 미리 설정한 방향이 되도록 웨이퍼 탑재대를 회전시키는 스텝을 포함한다. 또 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단은, 상기 이동체에 촬상 수단용의 구동부에 의해 서로 접리 자유롭게 설치된다. 그리고 상기 제어부는 웨이퍼의 종류별로 대응하는 정보에 근거하여, 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단의 광축의 서로의 이간 거리가 웨이퍼상의 2개의 특정점의 이간 거리가 되도록, 촬상 수단용의 구동부에 관한 제어 신호를 출력한다. Moreover, the said step group image | photographs the two specific points spaced apart from each other on the wafer by the 1st imaging means and the 2nd imaging means for wafer imaging, and the wafer advances based on the position of the wafer mount base in each imaging. And rotating the wafer mounting table so as to be in the set direction. In addition, the first imaging means and the second imaging means for wafer imaging are freely provided with each other by the drive unit for the imaging means in the movable body. The control unit is configured such that the separation distance between the optical axes of the first imaging unit and the second imaging unit is the separation distance between two specific points on the wafer, based on the information corresponding to each type of wafer. Output a control signal.

본 발명의 프로빙 방법에서는, 다수의 피검사 칩이 배열된 웨이퍼를, 탑재대용의 구동부에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능한 웨이퍼 탑재대에 싣고, 프로브 카드의 프로브에 상기 피검사 칩의 전극 패드를 접촉시켜서 피검사 칩의 검사를 실행한다. 또한 본 발명의 프로빙 방법은, 상기 웨이퍼 탑재대에 마련되고, 상기 프로브를 촬상하기 위한 시야가 상향인 프로브 촬상용의 촬상 수단과, 상기 웨이퍼 탑재대 및 프로브 카드의 사이의 높이 위치에서 수평 방향으로 이동 가능한 이동체에 마련되고, 각각 그 광축이 서로 이간되고, 웨이퍼 표면을 촬상하기 위한 시야가 하향인 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단을 이용한다.In the probing method of the present invention, a wafer on which a plurality of chips to be inspected are arranged is placed on a wafer mounting table that is movable in a horizontal direction and a vertical direction by a drive unit for the mounting table, and the electrode pad of the test chip on the probe of the probe card. Touch to execute the test of the chip under test. Moreover, the probing method of this invention is provided in the said wafer mounting base, and the imaging means for image pick-up for which the field of view for imaging the said probe is upward, and a horizontal direction from the height position between the said wafer mounting stand and a probe card. The first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer, which are provided in the movable movable body, whose optical axes are separated from each other, and whose field of view for imaging the wafer surface is downward, are used.

또한 본 발명의 프로빙 방법은 웨이퍼 탑재대를 이동시킴으로써 프로브 촬상 용의 촬상 수단의 초점과 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단의 초점 및 제 2 촬상 수단의 초점과의 위치를 순차적으로 맞추고, 각 시점의 웨이퍼 탑재대의 위치를 취득하는 공정과, 웨이퍼 탑재대를 이동시킴으로써 상기 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼를 순차적으로 촬상하고, 각 촬상 시의 웨이퍼 탑재대의 위치를 취득하는 공정과, 프로브 촬상용의 촬상 수단에 의해 프로브를 촬상하고, 촬상 시의 웨이퍼 탑재대의 위치를 취득하는 공정과, 각 스텝에서 취득한 웨이퍼 탑재대의 위치에 근거하여 웨이퍼와 프로브와를 접촉시키기 위한 웨이퍼 탑재대의 위치를 계산하는 공정를 구비한 것을 특징으로 한다. Further, the probing method of the present invention sequentially shifts the position of the focal point of the imaging means for probe imaging, the focal point of the first imaging means for wafer imaging, and the focal point of the second imaging means by moving the wafer mounting table. The process of acquiring the position of a wafer mounting base, and moving a wafer mounting base sequentially image | photographs the wafer on the wafer mounting stand by the said 1st imaging means and the 2nd imaging means for wafer imaging, and the wafer mounting base at the time of each imaging The process of acquiring a position, the process of imaging an probe by the imaging means for probe imaging, the process of acquiring the position of the wafer mounting stage at the time of imaging, and contacting a wafer and a probe based on the position of the wafer mounting stage acquired by each step. It is characterized by including the step of calculating the position of the wafer mounting table to be made.

또 본 발명의 프로빙 방법은, 상기 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼를 순차적으로 촬상하는 공정은, 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해, 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼의 주연의 2점을 순차적으로 촬상하고, 다음으로 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단의 각광축을 서로 잇는 선에 대하여 직교하도록 웨이퍼 탑재대를 이동시키고, 웨이퍼에 있어서의 상기 2점과는 반대 측의 주연의 2점을 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 순차적으로 촬상하고, 이들 4점의 촬상시에 있어서의 웨이퍼 탑재대의 위치에 근거하여 웨이퍼의 중심위치를 구하는 공정을 포함한다. Moreover, the probing method of this invention is the process of sequentially image | photographing the wafer on a wafer mounting table by the said 1st imaging means and the 2nd imaging means for wafer imaging, The 1st imaging means for wafer imaging, and the 2nd imaging means Thereby sequentially imaging two points on the periphery of the wafer on the wafer mount table, and then moving the wafer mount table so as to be orthogonal to the lines connecting the respective optical axes of the first imaging means and the second imaging means, and in the wafer, 2 points on the periphery of the side opposite to said 2 points of are imaged sequentially by a 1st imaging means and a 2nd imaging means, and the center position of a wafer based on the position of the wafer mounting base at the time of imaging these 4 points It includes the process of obtaining.

또 상기 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해 웨이퍼 탑재대 상의 웨이퍼를 순차적으로 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 의해, 웨이퍼상의 이간된 2개의 특정점을 촬상하고, 각 촬상시에 있어서의 웨이퍼 탑재대의 위치에 근거하여 웨이퍼가 미리 설정한 방향이 되도록 웨이퍼 탑재대를 회전시키는 공정을 포함한다. 또 웨이퍼의 종별에 대응하는 정보에 근거하여, 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단의 광축의 이간 거리가 웨이퍼상의 2개의 특정점의 이간 거리가 되도록 촬상 수단용의 구동부에 의해 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단의 위치를 조정하는 공정을 포함한다. In addition, the two specific points spaced apart on the wafer by the first imaging means and the second imaging means for wafer imaging are sequentially arranged by the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer. The imaging includes the step of rotating the wafer mounting table so that the wafer is in a predetermined direction based on the position of the wafer mounting table at the time of imaging. Further, based on the information corresponding to the type of wafer, the driving unit for the imaging means is provided so that the separation distance between the optical axes of the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer is the separation distance between two specific points on the wafer. And adjusting the positions of the first imaging means and the second imaging means.

본 발명의 기억 매체는, 다수의 피검사 칩이 배열된 웨이퍼를, 탑재대용의 구동부에 의해 수평 방향 및 연직 방향으로 이동 가능한 웨이퍼 탑재대에 싣고, 프로브 카드의 프로브에 상기 피검사 칩의 전극 패드를 접촉시켜서 피검사 칩의 검사를 실행하는 프로브 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체며, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 각 프로빙 방법을 실시하도록 스텝 군이 짜여지고 있는 것을 특징으로 한다.In the storage medium of the present invention, a wafer on which a plurality of chips to be tested is arranged is placed on a wafer mounting table that is movable in a horizontal direction and a vertical direction by a drive unit for mounting table, and the electrode pad of the chip to be tested is placed on the probe of the probe card. Is a storage medium storing a computer program for use in a probe device for performing inspection of a chip under test, wherein the computer program is woven into a group of steps to perform the above probing methods.

본 발명은, 웨이퍼 탑재대 및 프로브 카드의 사이의 높이 위치에서 수평 방향으로 이동 가능한 이동체에, 각각 그 광축이 서로 이간되고, 웨이퍼 표면을 촬상하기 위한 시야가 하향인 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단을 마련하고 있으므로, 웨이퍼의 위치 정보를 얻기 위해서 웨이퍼를 촬상 할 때에 웨이퍼 탑재대의 이동량이 적어도 된다. 이 때문에 장치의 소형화를 도모할 수 있고, 또 웨이퍼의 위치 정보의 취득에 요하는 시간도 단축 가능하므로 고스루풋화에 기여할 수 있다. 또한 웨이퍼 촬상용의 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단을 서로 접 리 자유롭게 마련하도록 하면, 그 이간 거리가 웨이퍼상의 2개의 특정점의 서로의 이간 거리가 되도록 조정 할 수 있으므로, 1개의 특정점을 촬상하는 위치까지 웨이퍼 탑재대를 이동시키면, 웨이퍼 탑재대를 정지시킨 채 다른 1개의 특정점의 촬상을 실행할 수 있고, 보다 높은 고스루풋화에 기여할 수 있다.The present invention provides a first imaging means for imaging a wafer in which the optical axes are separated from each other on a movable body movable in the horizontal direction at a height position between the wafer mounting table and the probe card, and the field of view for imaging the wafer surface is downward. And second imaging means, the amount of movement of the wafer mounting table is minimized when imaging the wafer in order to obtain the positional information of the wafer. For this reason, the device can be miniaturized and the time required for acquiring the positional information of the wafer can be shortened, thereby contributing to high throughput. Further, if the first imaging means and the second imaging means for wafer imaging are provided freely from each other, the separation distance can be adjusted so that the two separation points on the wafer become the mutual separation distance from each other. When the wafer mounting table is moved to a position to image, the imaging of another specific point can be performed while the wafer mounting table is stopped, thereby contributing to higher high throughput.

본 발명의 제 1 실시의 형태인 프로브 장치는, 도 1 내지 도 3에 도시하는 바와 같이 다수의 피검사 칩이 배열된 기판인 웨이퍼(W)의 수수를 실행하기 위한 로더부(1)와, 웨이퍼(W)에 대하여 프로빙을 실행하는 프로브 장치 본체(2)를 구비하고 있다. 우선, 로더부(1) 및 프로브 장치 본체(2)의 전체의 레이아웃에 대하여 간단히 설명한다. The probe apparatus which is 1st Embodiment of this invention is a loader part 1 for performing the receipt and reception of the wafer W which is a board | substrate with which the to-be-tested chip | tip was arrange | positioned, as shown to FIG. The probe apparatus main body 2 which performs probing with respect to the wafer W is provided. First, the overall layout of the loader section 1 and the probe device main body 2 will be briefly described.

로더부(1)는, 복수매의 웨이퍼(W)가 수납된 반송용기인 제 1 캐리어(C1) 및 제 2 캐리어(C2)가 각기 반입되는 제 1 로드 포트(11) 및 제 2 로드 포트(12)와, 이들 로드 포트(11, 12)의 사이에 배치된 반송실(10)을 구비하고 있다. 제 1 로드 포트(11) 및 제 2 로드 포트(12)에는, Y 방향으로 서로 사이 간격을 띄어 배치되고, 제 1 캐리어(C1) 및 제 2 캐리어(C2)의 수수구(전면의 개구부)가 서로 대향하도록, 이들 캐리어(C1, C2)를 각기 탑재하기 위한 제 1 탑재대(13) 및 제 2 탑재대(14)가 마련되어 있다. 또한 상기 반송실(10)에는, 기판 유지 부재인 아암(30)에 의해 웨이퍼(W)의 반송을 실행하는 웨이퍼 반송 기구(기판 반송 기구)(3)가 마련되어 있다. The loader section 1 includes a first load port 11 and a second load port into which the first carrier C1 and the second carrier C2, which are transfer containers in which a plurality of wafers W are accommodated, are respectively loaded. 12 and the conveyance chamber 10 arrange | positioned between these load ports 11 and 12 are provided. In the 1st load port 11 and the 2nd load port 12, it arrange | positions at intervals between each other in the Y direction, and the water port (opening part of the front surface) of the 1st carrier C1 and the 2nd carrier C2 is To face each other, the first mounting table 13 and the second mounting table 14 for mounting these carriers C1 and C2, respectively, are provided. Moreover, the said conveyance chamber 10 is provided with the wafer conveyance mechanism (substrate conveyance mechanism) 3 which conveys the wafer W by the arm 30 which is a board | substrate holding member.

프로브 장치 본체(2)는, 로더부(1)와 X 방향으로 나열하도록 해당 로더부(1)에 인접하여 배치되고, 프로브 장치 본체(2)의 외장 부분을 구성하는 하우징(22)을 구비하고 있다. 이 하우징(22)은 칸막이 벽(20)을 거쳐서 Y 방향으로 2분할되어 있고, 한쪽의 분할 부분 및 다른쪽의 분할 부분은, 각기제 1 검사부(21A) 및 제 2 검사부(21B)를 구획 형성하는 외장체에 해당한다. 제 1 검사부(21A)는, 기판 탑재대인 웨이퍼 척(4A)과, 이 웨이퍼 척(4A)의 상방 영역을 Y 방향(로드 포트(11, 12)를 연결하는 방향)으로 이동하는 카메라를 구비한 촬상 유닛인 얼라이먼트 브리지(5A)와, 하우징(22)의 천장부를 이루는 헤드 플레이트(201)에 마련된 프로브 카드(6A)를 구비하고 있다. 제 2 검사부(21B)에 관해서도 동일하게 구성되어, 웨이퍼 척(4B), 얼라이먼트 브리지(5B) 및 프로브 카드(6B)를 구비하고 있다. The probe device main body 2 is disposed adjacent to the loader part 1 so as to be arranged in the X direction with the loader part 1, and includes a housing 22 constituting an exterior portion of the probe device main body 2; have. The housing 22 is divided into two in the Y direction via the partition wall 20, and one divided portion and the other divided portion respectively partition the first inspection portion 21A and the second inspection portion 21B. Corresponds to the enclosure. 21 A of 1st inspection parts are equipped with the wafer chuck 4A which is a board | substrate mounting stand, and the camera which moves the upper region of this wafer chuck 4A to a Y direction (direction which connects load ports 11 and 12). 5 A of alignment bridges which are imaging units, and the probe card 6A provided in the head plate 201 which forms the ceiling part of the housing | casing 22 are provided. The second inspection unit 21B is similarly configured, and includes a wafer chuck 4B, an alignment bridge 5B, and a probe card 6B.

다음에 로더부(1)에 관하여 상술한다. 제 1 로드 포트(11) 및 제 2 로드 포트(12)는, 서로 대칭으로 또한 동일하게 구성되어 있기 때문에, 제 1 로드 포트(11)의 구조를 도 4에 대표하여 나타낸다. 로더부(1)는, 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이 칸막이 벽(20a)에 의해 상기 반송실(10)로부터 구획되어 있고, 이 칸막이 벽(20a)에는, 셔터(S)와 이 셔터(S)와 함께 제 1 캐리어(C1)의 수수구를 일체적으로 개폐하기 위한 개폐기구(20b)가 마련되어 있다. 또한, 제 1 탑재대(13)는, 제 1 탑재대(13)의 하방측에 마련된 도시하지 않는 회전 기구에 의해, 시계 방향 및 반시계 방향으로 각각 90도씩 회전할 수 있도록 구성되어 있다. Next, the loader section 1 will be described in detail. Since the 1st load port 11 and the 2nd load port 12 are comprised symmetrically and identically mutually, the structure of the 1st load port 11 is shown representatively in FIG. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the loader part 1 is partitioned from the said conveyance chamber 10 by the partition wall 20a, The shutter S and this shutter are provided in this partition wall 20a. An opening / closing mechanism 20b for integrally opening and closing the water outlet of the first carrier C1 together with (S) is provided. In addition, the 1st mounting stand 13 is comprised so that it may rotate by 90 degrees each in a clockwise direction and a counterclockwise direction by the rotating mechanism not shown provided below the 1st mounting stand 13.

즉, 이 제 1 탑재대(13)는, 예컨대 프로브 장치의 정면측(도면중 X 방향 우측)으로부터, 후프(FOUP)라고 불리는 밀폐형의 제 1 캐리어(C1)가 전면의 개구부를 프로브 장치측(X 방향좌측)을 향해서, 클린 룸내의 도시하지 않는 자동 반송차(AGV)에 의해 제 1 탑재대(13)에 탑재되면, 이 제 1 탑재대(13)가 시계 방향으로 90도회전하여, 개구부를 상술한 셔터(S)에 서로 대향시키고, 또한 동일하게 제 1 캐리어(C1)를 제 1 탑재대(13)로부터 반출할 때에는, 제 1 캐리어(C1)를 반시계 방향으로 90도 회전시키도록 구성되어 있다. 제 1 캐리어(C1)와 웨이퍼 반송 기구(3)의 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 수수는, 제 1 캐리어(C1)의 개구부를 셔터(S)측으로 서로 대향시켜, 기술한 개폐 기구(20b)에 의해 셔터(S)와 제 1 캐리어(C1)의 수수구를 일체적으로 개방하여, 반송실(10)과 제 1 캐리어(C1)내를 연통시켜, 웨이퍼 반송 기구(3)를 제 1캐리어(C1)에 대하여 진퇴시킴으로써 실행된다. That is, this 1st mounting base 13 is a probe-type side (for example, the 1st carrier C1 of the closed type | mold called FOUP) which opens the front opening part from the front side (right side of X direction in drawing) of a probe apparatus ( Towards the X-direction left side, when the first mounting table 13 is mounted on the first mounting table 13 by an unshown auto transport vehicle AGV in the clean room, the first mounting table 13 is rotated 90 degrees clockwise to open the opening. It is comprised so that the 1st carrier C1 may be rotated 90 degree counterclockwise at the time of facing the shutter S mentioned above mutually and carrying out the 1st carrier C1 from the 1st mounting stand 13 similarly. It is. The transfer of the wafer W between the first carrier C1 and the wafer transfer mechanism 3 faces the openings of the first carrier C1 to the shutter S side, and the opening and closing mechanism 20b described above. ), The shutter S and the water receiver of the first carrier C1 are integrally opened, the transfer chamber 10 and the inside of the first carrier C1 are communicated, and the wafer transfer mechanism 3 is connected to the first. This is done by advancing and retreating the carrier C1.

웨이퍼 반송 기구(3)는, 반송기대(35)와, 이 반송기대(35)를 연직축을 중심으로 회전시키는 회전축(3a)과, 이 회전축(3a)을 승강시키는 도시하지 않는 승강 기구를 구비함과 동시에, 반송기대(35)에는, 3개의 아암(30)이 진퇴가 자유롭게 마련되어 있고, 각각의 아암(30)이 서로 독립하여 진퇴하고, 웨이퍼(W)의 반송을 실행하는 역할을 가지고 있다. 회전축(3a)의 회전 중심은, 제 1 캐리어(C1)와 제 2 캐리어(C2)의 중간, 즉 제 1 캐리어(C1) 및 제 2 캐리어(C2)로부터 등거리 위치에 설정되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 기구(3)는, 제 1 캐리어(C1) 또는 제 2 캐리어(C2)의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수하기 위한 상부위치와, 제 1 검사부(21A) 또는 제 2 검사부(21B)의 사이에서 웨이퍼(W)를 수수하기 위한 하부위치 사이에서 승강할 수 있게 된다. The wafer conveyance mechanism 3 is provided with the conveyance base 35, the rotating shaft 3a which rotates this conveyance base 35 about a vertical axis, and the lifting mechanism not shown which raises and lowers this rotating shaft 3a. At the same time, three arms 30 are provided freely in the conveyance base 35, and the respective arms 30 move in and out independently of each other, and serve to carry the wafers W. As shown in FIG. The rotation center of the rotation shaft 3a is set at an equidistant position between the first carrier C1 and the second carrier C2, that is, the first carrier C1 and the second carrier C2. In addition, the wafer transfer mechanism 3 has an upper position for receiving the wafer W between the first carrier C1 or the second carrier C2, and the first inspection unit 21A or the second inspection unit 21B. It is possible to move up and down between the lower positions for receiving the wafers W).

또한, 도 5(a) 및 5(b)를 참조하면, 웨이퍼 반송 기구(3)는, 웨이퍼(W)의 프 리 얼라이먼트를 실행하기 위한 프리 얼라이먼트 기구(39)를 구비하고 있다. 이 프리 얼라이먼트 기구(39)는, 반송기대(35)내를 관통하여 승강하고 또는 회전이 자유로운 축부(36a)와, 이 축부의 정상부에 마련되어, 통상시에는 반송기대(35)의 표면의 오목부에 감합(嵌合)되어 해당 표면과 면이 일치되는 회전 스테이지인 척부(36)를 구비하고 있다. 이 척부(36)는, 도중까지 축퇴(縮退)된 상태에 있는 아암(30) 상의 웨이퍼(W)의 중심 위치에 대응하는 위치에 설정되어, 각 단의 아암(30) 상의 웨이퍼(W)를 그 아암(30)으로부터 조금 들어 올려 회전할 수 있도록 구성되어 있다. 5 (a) and 5 (b), the wafer transfer mechanism 3 includes a prealignment mechanism 39 for performing prealignment of the wafer W. As shown in FIG. This pre-alignment mechanism 39 is provided at the top of the shaft portion 36a and the shaft portion 36a which is free to move up and down or rotates in the conveyance base 35, and is normally recessed on the surface of the carrier base 35. Is provided, and the chuck | zipper part 36 which is a rotating stage by which the surface is matched with the surface is provided. This chuck | zipper part 36 is set in the position corresponding to the center position of the wafer W on the arm 30 in the state degenerated to the middle, and it arrange | positions the wafer W on the arm 30 of each stage. It is comprised so that it may lift slightly from the arm 30 and rotate.

또한, 프리 얼라이먼트 기구(39)는, 척부(36)에 의해 회전되는 웨이퍼(W)의 둘레를 검출하는 발광 센서 및 수광 센서로 이루어지는 검출부인 광 센서(37, 38)를 구비하고 있다. 이 광센서(37, 38)는, 아암(30)의 이동 영역으로부터 옆으로 빠진 위치에서 반송기대(35)를 거쳐서 고정되어 있고, 이 예에서는, 프리 얼라이먼트의 대상이 되는 웨이퍼(W)를 하단 아암(33) 상의 웨이퍼(W) 및 중단 아암(32) 상의 웨이퍼(W)라고 하고 있기 때문에, 광센서 (37, 38)은 척부(36)에 의해 들어 올려진 각 웨이퍼(W)의 둘레의 상하에 위치하고, 또한 웨이퍼(W)의 액세스시에 웨이퍼(W)와 간섭하지 않는 높이 레벨로 설정되어 있다. 또한, 도시는 하고 있지 않지만, 로더부(1)에는, 광센서(37, 38)로부터의 검출 신호에 기하여 웨이퍼(W)의 노치나 오리엔테이션 플랫 등의 방향 기준부와 웨이퍼(W)의 중심위치를 검출하여, 그 검출 결과에 기하여 노치 등이 소정의 방향을 향하도록 척부(36)를 회전시키는 컨트롤러가 부설되어 있다. The pre-alignment mechanism 39 further includes optical sensors 37 and 38 which are detection units comprising a light emitting sensor and a light receiving sensor that detect the circumference of the wafer W rotated by the chuck 36. These optical sensors 37 and 38 are fixed via the conveyance base 35 in the position which fell out to the side of the movement area of the arm 30, and in this example, lower the wafer W which becomes a target of pre-alignment. Since the wafer W on the arm 33 and the wafer W on the stop arm 32 are referred to, the optical sensors 37 and 38 are formed at the circumference of each wafer W lifted by the chuck 36. It is located above and below, and is set at the height level which does not interfere with the wafer W at the time of the wafer W access. Although not shown in the drawing, the loader 1 has a direction reference portion such as a notch of the wafer W, an orientation flat, and the center position of the wafer W based on detection signals from the optical sensors 37 and 38. And a controller for rotating the chuck portion 36 so that the notch or the like faces a predetermined direction based on the detection result.

광센서(37, 38)와 척부(36)로 이루어지는 프리 얼라이먼트 기구(39)에 의한 웨이퍼(W)의 방향의 조정(프리 얼라이먼트)에 대하여, 하단 아암(33) 상의 웨이퍼(W)를 예로 들어, 이하에서 간단히 설명한다. 우선, 척부(36)에 의해 하단 아암(33) 상의 웨이퍼(W)를 조금 들어 올려, 웨이퍼(W)를 회전시킴과 동시에, 광센서(38)의 발광부로부터 웨이퍼(W)의 둘레부(단부)를 포함하는 영역을 거쳐서 수광부를 향해서 빛을 조사한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 방향이 하단 아암(33) 상에 있어서 소정의 방향이 되도록 척부(36)를 정 지시켜, 척부를 하강시키고, 하단 아암(33) 상에 웨이퍼(W)를 수수하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 방향을 조정한다. 그 후, 예컨대 제 1 검사부(21A)의 웨이퍼 척(4A)에 웨이퍼(W)를 탑재할 때에, 웨이퍼(W)의 편심이 수정되도록, 웨이퍼 반송 기구(3)의 위치를 조정한다. 그리하여, 웨이퍼(W)의 방향 및 편심의 조정이 실행된다. 또한, 도 3에서는, 이 광센서(37, 38)의 도시를 생략하고 있다. The wafer W on the lower arm 33 is taken as an example for the adjustment (prealignment) of the direction of the wafer W by the prealignment mechanism 39 including the photosensors 37 and 38 and the chuck 36. It will be briefly described below. First, the wafer W on the lower arm 33 is slightly lifted by the chuck 36 to rotate the wafer W, and at the same time, the circumference of the wafer W from the light emitting part of the optical sensor 38 is obtained. Light is irradiated toward the light-receiving portion via the region including the end portion). Then, the chuck portion 36 is stopped so that the direction of the wafer W becomes a predetermined direction on the lower arm 33, the chuck portion is lowered, and the wafer W is received on the lower arm 33. By this, the direction of the wafer W is adjusted. Thereafter, for example, when mounting the wafer W on the wafer chuck 4A of the first inspection unit 21A, the position of the wafer transfer mechanism 3 is adjusted so that the eccentricity of the wafer W is corrected. Thus, adjustment of the direction and eccentricity of the wafer W is performed. In addition, in FIG. 3, illustration of these optical sensors 37 and 38 is abbreviate | omitted.

다음에, 프로브 장치 본체(2)에 대하여 상술한다. 이 프로브 장치 본체(2)의 하우징(22)에 있어서 로더부(1)측의 측벽에는, 제 1 검사부(21A) 또는 제 2 검사부(21B)와 웨이퍼(W)를 수수하기 위해서, 가로 방향(Y 방향)으로 긴 띠형의 반송구(22a)가 개구되어 있다. 또한, 이들 제 1 검사부(21A)와 제 2 검사부(21B)는, 웨이퍼 반송 기구(3)의 회전 중심을 지나, 제 1 로드 포트(11)와 제 2 로드 포트(12)를 연결하는 직선으로 직교하는 수평 라인(HL)에 대하여, 각각의 웨이퍼(W)의 수수 위치, 웨이퍼(W) 표면의 촬상 위치 및 프로브 카드(6A)의 설치 위치 등이 좌우대칭이 되고, 또한 동일한 구성으로 되어있기 때문에, 설명의 중복을 피하기 위해서, 제 1 검사부(21A)에 대하여, 도 3, 도 6, 도 7(a) 및 도 7(b)를 참조하여 설명한다. Next, the probe apparatus main body 2 is explained in full detail. In the housing 22 of the probe device main body 2, the side wall on the side of the loader section 1, in order to receive the first inspection section 21A or the second inspection section 21B and the wafer W, the horizontal direction ( In the Y direction), the long strip-shaped conveyance port 22a is opened. Moreover, these 1st test | inspection part 21A and the 2nd test | inspection part 21B are the straight lines which connect the 1st load port 11 and the 2nd load port 12 through the rotation center of the wafer conveyance mechanism 3. With respect to the orthogonal horizontal line HL, the receiving position of each wafer W, the imaging position of the surface of the wafer W, the installation position of the probe card 6A, etc. are symmetrical and have the same configuration. Therefore, in order to avoid duplication of explanation, the first inspection unit 21A will be described with reference to Figs. 3, 6, 7A and 7B.

제 1 검사부(21A)는, 기대(23)를 구비하고 있고, 이 기대(23) 상에는, Y 방향으로 긴 가이드 레일을 따라, 예컨대 볼나사 등에 의해 Y 방향으로 구동되는 Y 스테이지(24)와 X 방향으로 긴 가이드 레일에 따라, 예컨대 볼나사에 의해 X 방향으로 구동되는 X 스테이지(25)가 아래로부터 이 순서로 마련되어 있다. 이 X 스테이지(25)와 Y 스테이지(24)에는, 각각 인코더가 조합된 모터가 마련되어 있지만, 여기서는 도시를 생략하고 있다. The first inspection unit 21A includes a base 23, on which the Y stage 24 and X are driven along the guide rail long in the Y direction in the Y direction, for example, by a ball screw or the like. Along with the guide rail long in the direction, for example, an X stage 25 driven in the X direction by a ball screw is provided in this order from below. Each of the X stage 25 and the Y stage 24 is provided with a motor in which an encoder is combined, but the illustration is omitted here.

X 스테이지(25) 상에는, 인코더가 조합된 도시하지 않는 모터에 의해 Z 방향으로 구동되는 Z 이동부(26)가 마련되어 있고, 이 Z 이동부(26)에는, Z축의 주위에 회전이 자유로운(θ 방향으로 이동이 자유로운) 기판 탑재대인 웨이퍼 척(4A)이 마련되어 있다. 따라서 이 웨이퍼 척(4A)은, X, Y, Z, θ 방향으로 이동할 수 있게 된다. X 스테이지(25), Y 스테이지(24) 및 Z 이동부(26)는, 구동부를 이루고, 웨이퍼 반송 기구(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 실행하기 위한 수수 위치와, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면의 촬상 위치와, 프로브 카드(6A)의 프로브(29)에 콘택트하는 콘택트 위치(검사 위치)의 사이에서 웨이퍼 척(4A)를 구동할 수 있도록 구성되어 있다. On the X stage 25, a Z moving part 26 driven in the Z direction by a motor (not shown) in which an encoder is combined is provided, and the Z moving part 26 is free to rotate around the Z axis (θ). The wafer chuck 4A which is a substrate mounting table which is free to move in the direction is provided. Therefore, this wafer chuck 4A can move in the X, Y, Z, and θ directions. The X stage 25, the Y stage 24, and the Z moving unit 26 form a drive unit, and a transfer position for carrying out the transfer of the wafer W between the wafer transfer mechanism 3 and the bar to be described later. Similarly, the wafer chuck 4A can be driven between the imaging position on the surface of the wafer W and the contact position (inspection position) that contacts the probe 29 of the probe card 6A.

웨이퍼 척(4A)의 이동 영역의 위쪽에는, 프로브 카드(6A)가 헤드 플레이트(201)에 장착 및 분리 자유롭게 장착되어 있다. 프로브 카드(6A)의 상면측에는, 전극군이 형성되어 있어, 이 전극군과 도시하지 않는 테스트 헤드와의 사이에 있어 서 전기적 도통을 취하기 위해서, 프로브 카드(6A)의 위쪽에는, 프로브 카드(6A)의 전극군의 배치 위치에 대응하도록 전극부인 포고핀(28a)이 하면에 다수 형성된 포고핀 유닛(28)이 설치된다. 이 포고핀 유닛(28)의 상면에는, 통상은 도시하지 않는 테스트 헤드가 위치하지만, 이 예에서는 테스트 헤드는 프로브 장치본체(2)과는 다른 위치에 배치되어, 포고핀 유닛(28)과 테스트 헤드와는 도시하지 않는 케이블로 접속되어 있다.Above the moving area of the wafer chuck 4A, the probe card 6A is freely attached to the head plate 201 and detachably mounted thereon. An electrode group is formed on the upper surface side of the probe card 6A. The probe card 6A is placed on the upper side of the probe card 6A for electrical conduction between the electrode group and a test head (not shown). The pogo pin unit 28 is provided on the lower surface of the pogo pin 28a as an electrode part so as to correspond to the arrangement position of the electrode group. Although the test head which is not shown normally is located in the upper surface of this pogo pin unit 28, in this example, a test head is arrange | positioned at the position different from the probe apparatus main body 2, and a test with the pogo pin unit 28 is carried out. The head is connected with a cable (not shown).

또한, 프로브 카드(6A)의 하면측에는, 상면측의 전극군에 각기 전기적으로 접속된, 프로브 예컨대 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수직으로 긴 수직침(선재 프로브)이, 웨이퍼(W)의 전극 패드의 배열에 대응하여, 예컨대 프로브 카드(6A)의 전면에 마련되어 있다. 프로브로서는, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 비스듬히 하방으로 긴 금속선으로 이루어지는 프로브(29)나, 플렉한 필름에 형성된 금(金)범프 전극 등이더라도 좋다. 프로브 카드(6A)는, 이 예에서는 웨이퍼(W) 표면의 피검사 칩(IC 칩)의 모든 전극 패드에 일괄하여 콘택트할 수 있도록 구성되어 있고, 따라서 한번의 콘택트로 전기적 특성의 측정이 종료한다. Further, on the lower surface side of the probe card 6A, a vertical needle (wire probe) which is electrically connected to the electrode group on the upper surface side, which is perpendicular to the surface of the probe, for example, the wafer W, is an electrode of the wafer W. Corresponding to the arrangement of the pads, for example, is provided on the front surface of the probe card 6A. As a probe, the probe 29 which consists of metal wires obliquely downward with respect to the surface of the wafer W, the gold bump electrode formed in the flexible film, etc. may be sufficient. In this example, the probe card 6A is configured to be able to collectively contact all of the electrode pads of the chip under test (IC chip) on the surface of the wafer W, so that the measurement of the electrical properties is completed in one contact. .

기술한 Z 이동부(26)에 있어서의 웨이퍼 척(4A)의 칸막이 벽(20)측에서의 측쪽 위치에는, 프로브(29) 촬상용의 촬상 수단인, 시야가 상향의 마이크로 카메라(41)가 고정판(41a)을 거쳐서 고정되어 있다. 이 마이크로 카메라(41)는, 프로브(29)의 선단이나 프로브 카드(6A)의 얼라이먼트 마크를 확대하여 찍을 수 있도록, CCD 카메라를 포함하는 고배율의 카메라로서 구성되어 있다. 이 마이크로 카메라(41)는, 웨이퍼 척(4A)에서의 X 방향의 대강 중간점에 위치하고 있다. 또한, 마이크로 카메라(41)는, 얼라이먼트시에 프로브(29)의 배열의 방향 및 위치를 조사하기 위해서, 특정한 프로브(29) 예컨대 X 방향의 양쪽 단부의 프로브(29) 및 Y 방향의 양쪽 단부의 프로브(29)를 촬상하고, 또한 정기적으로 각 프로브(29)의 상태를 관찰하기 위해서, 모든 프로브(29)를 순차적으로 촬상한다는 역할을 가지고 있다. At the side position on the partition wall 20 side of the wafer chuck 4A in the Z moving part 26 described above, the microcamera 41 having a field of view upward, which is an image pickup means for imaging the probe 29, has a fixed plate ( It is fixed via 41a). The micro camera 41 is configured as a high magnification camera including a CCD camera so that the tip of the probe 29 and the alignment mark of the probe card 6A can be enlarged and photographed. This micro camera 41 is located at the approximate midpoint of the X direction in the wafer chuck 4A. In addition, the micro-camera 41 has a specific probe 29, for example, probes 29 at both ends in the X direction and both ends in the Y direction, in order to check the direction and position of the arrangement of the probes 29 at the time of alignment. In order to image the probe 29 and periodically observe the state of each probe 29, the probe 29 has a role of sequentially imaging all the probes 29.

또한, 고정판(41a) 상에는, 마이크로 카메라(41)에 인접하여, 프로브(29)의 배열을 넓은 영역에서 찍기 위한 저배율의 카메라인 마이크로 카메라(42)가 고정되어 있다. 또한 고정판(41a)에는 마이크로 카메라(41)의 합초(合焦)면에 대하여 광축과 교차하는 방향으로 진퇴 기구(43)에 의해 진퇴할 수 있도록, 타겟(44)이 마련되어 있다. 이 타겟(44)은, 마이크로 카메라(41) 및 후술하는 마이크로 카메라(71,72)에 의해 화상 인식할 수 있도록 구성되어 있고, 예컨대 투명한 유리판에, 위치 정렬용의 피사체인 원형의 금속막 예컨대 직경 140 미크론의 금속막이 증착되어 있다. 도 7(a), (b)는, 각각 웨이퍼 척(4A)과 마이크로 카메라(41) 및 마이크로 카메라(42)의 위치관계를 개략적으로 도시하는 평면도 및 측면도이다. 또한, 이 도 7에 있어서는, 기술한 타겟(44)이나 진퇴 기구(43)의 도시를 생략하고 있다. Moreover, on the fixed plate 41a, the micro camera 42 which is a low magnification camera for taking the arrangement | positioning of the probe 29 in a large area | region is adjacent to the micro camera 41 is fixed. Moreover, the target 44 is provided in the stationary plate 41a so that it can advance and retreat by the retraction mechanism 43 in the direction which intersects with the optical axis with respect to the confocal surface of the micro camera 41. This target 44 is comprised so that image recognition by the micro camera 41 and the micro cameras 71 and 72 mentioned later is carried out, for example, in a transparent glass plate, a circular metal film | membrane which is an object for alignment, for example, diameter A 140 micron metal film is deposited. 7 (a) and 7 (b) are a plan view and a side view schematically showing the positional relationship between the wafer chuck 4A, the micro camera 41 and the micro camera 42, respectively. In addition, in this FIG. 7, the illustration of the target 44 and the advance mechanism 43 which were described is abbreviate | omitted.

웨이퍼 척(4A)과 프로브 카드(6A)의 사이의 영역에서의 하우징(22)의 내벽면의 X 방향의 양측에는, Y 방향을 따라 가이드 레일(47)이 마련되어 있다. 가이드 레일(47)을 따라, 도 8에 도시하는 바와 같이 촬상 유닛인 얼라이먼트 브리지(5A)가 후술하는 표준 위치 및 촬상 위치의 사이에서 Y 방향으로 이동이 자유롭게 마련되어 있다. Guide rails 47 are provided on both sides of the inner wall surface of the housing 22 in the X direction in the region between the wafer chuck 4A and the probe card 6A along the Y direction. As shown in FIG. 8, along the guide rail 47, the alignment bridge 5A which is an imaging unit is provided in the Y direction between the standard position and imaging position mentioned later.

이하의 설명에서는, 편의상, X 방향(도 2참조)을 좌우 방향으로 한다. 얼라이먼트 브리지(5A)에는, 도 9에 도시하는 바와 같이 해당 얼라이먼트 브리지(5A)를 좌우로(2)등분하는 중심선(70)에 대하여 대상에 제 1 마이크로 카메라(71) 및 제 2 마이크로 카메라(72)가 마련되고, 또한 또 상기 선(70)에 대하여 대칭으로 제 1 매크로 카메라(8l)와 제 2 매크로 카메라(82)가 설치된다. 제 1 마이크로 카메라(71) 및 제 2 마이크로 카메라(72)는 각각 제 1 촬상 수단 및 제 2 촬상 수단에 해당한다. 제 1 매크로 카메라(81) 및 제 2 매크로 카메라(82)는 각기 제 1 저배율 카메라 및 제 2 저배율 카메라에 해당한다. In the following description, the X direction (see FIG. 2) is made to the left and right directions for convenience. In the alignment bridge 5A, as shown in FIG. 9, the first micro camera 71 and the second micro camera 72 are positioned on the object with respect to the center line 70 that divides the alignment bridge 5A into two sides. ) And a first macro camera 8l and a second macro camera 82 are provided symmetrically with respect to the line 70. The first micro camera 71 and the second micro camera 72 correspond to the first imaging means and the second imaging means, respectively. The first macro camera 81 and the second macro camera 82 correspond to the first low magnification camera and the second low magnification camera, respectively.

이들 카메라는 모두 시야가 하향이다. 여기서 마이크로 카메라(혹은 매크로 카메라)는, 후술의 도 16에 도시하는 바와 같이 카메라 본체(71a) (72a) 및 미러(71b) (72b)를 포함하는 광학계에 의해 구성되지만, 본 발명에 있어서 기술적으로 중요한 점은, 얼라이먼트 브리지(5A)의 하면으로부터 아래쪽으로 연장하는 광축에 있는 것부터, 마이크로 카메라(혹은 매크로 카메라)라는 용어는, 편의상 설명해야 할 사항에 있어서, 얼라이먼트 브리지(5A)의 하면에 형성된 촬상용의 창 부분을 가리킬 경우와 카메라 본체 및 미러를 포함하는 광학계를 가리킬 경우와가 있다. 도 9에서는, 마이크로 카메라(혹은 매크로 카메라)과 칭하고 있는 작은 원형 부분은, 촬상용의 창 부분을 나타내고 있고, 동일한 후술의 도에 있어서도 마찬가지이다. All of these cameras have a downward field of view. Here, the micro camera (or macro camera) is constituted by an optical system including camera bodies 71a, 72a, and mirrors 71b, 72b, as shown in FIG. 16 to be described later. Importantly, since the term "microcamera" (or macro camera) is located on the optical axis extending downward from the lower surface of the alignment bridge 5A, the term "micro camera (or macro camera)" should be explained for convenience. In some cases, it refers to the window portion of the dragon and to the optical system including the camera body and the mirror. In FIG. 9, the small circular part called the micro camera (or macro camera) has shown the window part for imaging, and is the same also in the following later figure.

그리고 마이크로 카메라(71, 72)(혹은 매크로 카메라(81, 82))이 설치된다고 하는 것은, 2대의 마이크로 카메라가 설치되고, 각각의 촬상 화상이 후술의 제어부 에서 화상 처리 된다는 것이기도 하다. 매크로 카메라(81, 82)는 도 2에 나타낸 바와 같이 마이크로 카메라(71, 72)보다도, 제 1 검사부(21A) 및 제 2 검사부(21B)의 경계인 수평 라인 HL측에 위치하고 있다. 또 웨이퍼 사이즈(웨이퍼 직경)이 300mm의 경우, 마이크로 카메라(71, 72)과 중심선(70)과의 거리(1)은 예를 들면 73mm이며, 매크로 카메라(81, 82)과 중심선(70)과의 거리r는 예를 들면 45mm이다. 또 카메라에 대한 다른 부위와의 거리를 나타낼 때는, 카메라의 광축을 측정 점이라고 하고 있다. 예를 들면 마이크로 카메라(71, 72)와 중심선(70)과의 거리1는, 마이크로 카메라(71, 72)의 각 광축과 중심선(70)과의 거리1라는 의미다. The fact that the micro cameras 71 and 72 (or the macro cameras 81 and 82) are provided also means that two micro cameras are installed and that each captured image is image-processed by the control unit described later. As shown in Fig. 2, the macro cameras 81 and 82 are located on the horizontal line HL side, which is the boundary between the first inspection unit 21A and the second inspection unit 21B, than the micro cameras 71 and 72. When the wafer size (wafer diameter) is 300 mm, the distance 1 between the micro cameras 71 and 72 and the center line 70 is 73 mm, for example, and the macro cameras 81 and 82 and the center line 70 The distance r is for example 45 mm. In addition, when representing the distance to another part with respect to a camera, the optical axis of a camera is called a measuring point. For example, the distance 1 between the micro cameras 71 and 72 and the center line 70 means the distance 1 between each optical axis of the micro cameras 71 and 72 and the center line 70.

또한, 마이크로 카메라(71, 72)는 웨이퍼(W)의 표면을 확대해서 촬상할 수 있도록 CCD카메라를 포함하는 고배율의 카메라로 구성되고 있고, 매크로 카메라(81, 82)는, 웨이퍼(W)를 넓은 시야에서 촬상할 수 있도록 저배율의 카메라로 구성되어 있다. In addition, the micro cameras 71 and 72 are constituted by a high magnification camera including a CCD camera so that the surface of the wafer W can be enlarged and imaged. The camera is composed of a low magnification camera for imaging in a wide field of view.

상기의 얼라이먼트 브리지(5A)의 정지 위치인 표준위치는, 웨이퍼 척(4A)과 웨이퍼 반송 기구(3)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행할 때, 웨이퍼(W)가 프로브 카드(6A)에 콘택트 하고 있을 때 및 상기 제 1 촬상 수단(마이크로 카메라(41))에 의해 프로브 침(29)의 촬상을 실행하고 있을 때에, 웨이퍼 척(4A)나 웨이퍼 반송 기구(3)에 얼라이먼트 브리지(5A)가 간섭하지 않도록 퇴피하는 위치다. 또한, 상기 촬상 위치는, 얼라이먼트 브리지(5A)의 마이크로 카메라(71, 72) 및 매크로 카메라(81, 82)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상할 때의 위치다. 이 마이크로 카메라(71, 72) 및 매크로 카메라(81, 82)에 의한 웨이퍼(W)의 표면의 촬상은, 촬상 위 치에 얼라이먼트 브리지(5A)를 고정하고, 웨이퍼 척(4A)을 이동시킴으로써 행하여진다.The standard position, which is the stop position of the above-mentioned alignment bridge 5A, is the wafer W when the wafer W is passed between the wafer chuck 4A and the wafer transfer mechanism 3. Is connected to the wafer chuck 4A or the wafer transfer mechanism 3 when the imaging of the probe needle 29 is performed by the first imaging means (micro camera 41). ) Is a position to retreat so as not to interfere. In addition, the said imaging position is a position at the time of imaging the surface of the wafer W by the micro cameras 71 and 72 and the macro cameras 81 and 82 of the alignment bridge 5A. The imaging of the surface of the wafer W by the micro cameras 71 and 72 and the macro cameras 81 and 82 is performed by fixing the alignment bridge 5A at the imaging position and moving the wafer chuck 4A. Lose.

그리고, 이 촬상 위치는, 도 10의 하측에 도시하는 바와 같이, 프로브 카드(6A)의 중심 위치보다도 Y축 방향의 내측(프로브 장치 본체(2)의 중심측)으로 편이하고 있다. 그 이유는, 이하와 같다. 기술한 바와 같이, 마이크로 카메라(41)가 웨이퍼 척(4A)의 측면(Y축 방향에 있어서의 칸막이벽(20)측)에 마련되어 있고, 이 마이크로 카메라(41)에 의해 프로브(29)를 촬상할 때에는, 도 10의 중단에서도 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 척(4A)의 Y축 방향에 있어서의 이동 스토로크(D2)(웨이퍼 척(4A)의 중심위치(O1)의 이동범위)가 프로브 카드(6A)의 중심 위치(O2)로부터 Y축 방향의 칸막이벽(20)측으로 어긋나 있다. 한편, 도 10의 상단에 도시하는 바와 같이 콘택트시(웨이퍼(W)와 프로브(29)를 접촉시킬 때)에 있어서의 웨이퍼 척(4A)의 이동 스토로크(D1)는, 예컨대 프로브 카드(6A)의 하면에 웨이퍼(W)와 프로브(29)를 일괄해서 접촉시키기 위해서, 다수의 프로브(29)가 형성되어 있기 때문에, 매우 짧은 거리로 되어있다. And this imaging position shifts to the inner side (center side of the probe apparatus main body 2) of the Y-axis direction rather than the center position of the probe card 6A, as shown in the lower side of FIG. The reason is as follows. As described above, the microcamera 41 is provided on the side surface (the partition wall 20 side in the Y-axis direction) of the wafer chuck 4A, and the probe 29 is imaged by the microcamera 41. 10, the movement stroke D2 (moving range of the center position O1 of the wafer chuck 4A) in the Y-axis direction of the wafer chuck 4A is the probe card. It shifts to the partition wall 20 side of the Y-axis direction from the center position O2 of 6A. On the other hand, as shown in the upper part of FIG. 10, the movement stroke D1 of the wafer chuck 4A at the time of contact (when the wafer W and the probe 29 are in contact) is, for example, a probe card 6A. In order to contact the wafer W and the probe 29 collectively on the lower surface of the bottom face), a large number of probes 29 are formed, which is a very short distance.

그 때문에, 얼라이먼트 브리지(5A)의 촬상 위치를 프로브 카드(6A)의 중심 위치(O2)와 맞추면, 마이크로 카메라(71,72)에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 촬상할 때의 웨이퍼 척(4A)의 이동 스토로크(D3)가 상술한 이동 스토로크(D1)의 우측으로 뛰어나가 버린다. Therefore, when the imaging position of the alignment bridge 5A is aligned with the center position O2 of the probe card 6A, the wafer chuck 4A at the time of imaging the surface of the wafer W by the micro cameras 71 and 72. ), The moving stroke D3 jumps out to the right of the above-mentioned moving stroke D1.

그래서, 얼라이먼트 브리지(5A)의 촬상 위치를 Y축 방향의 칸막이벽(20)측으로 편이시켜, 이동 스토로크(D2, D3)가 겹치도록 하여, 웨이퍼 척(4A)의 이동 스토 로크(D1∼D3)를 포함하는 영역인 가동 스토로크(이동 가능한 범위)(D4)가 짧아지도록, 즉 프로브 장치 본체(2)의 Y축 방향의 길이가 짧아지도록 하고 있다. 또한, 이동 스토로크(D2, D3)가 동일한 범위가 아니더라도, 얼라이먼트 브리지(5A)의 촬상 위치가 프로브 카드(6A)의 중심 위치(O2)보다도 Y축 방향의 칸막이벽(20)측으로 어긋나 있으면 된다. Thus, the imaging position of the alignment bridge 5A is shifted to the partition wall 20 side in the Y-axis direction so that the moving strokes D2 and D3 overlap, and the moving strokes D1 to D3 of the wafer chuck 4A. ), So that the movable stroke (movable range) D4, which is an area including the cross-section, is shortened, that is, the length of the probe apparatus main body 2 in the Y-axis direction is shortened. Further, even if the moving strokes D2 and D3 are not in the same range, the imaging position of the alignment bridge 5A may be shifted toward the partition wall 20 in the Y-axis direction from the center position O2 of the probe card 6A. .

또한, 도 2에 도시하는 바와 같이 프로브 장치에는, 예컨대 컴퓨터로 이루어지는 제어부(15)가 마련되어 있고, 이 제어부(15)는, 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있다. 이 프로그램은, 캐리어(C)가 로드 포트(11) (12)에 반입된 후, 웨이퍼(W)에 대하여 검사가 실행되어, 그 후 웨이퍼(W)가 캐리어(C)로 되돌려져 캐리어(C)가 반출되기까지의 일련의 각부의 동작을 제어하도록 스텝군이 구성되어 있다. 이 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함한다)은, 예컨대 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, MO(광자기디스크), 하드 디스크 등의 기억 매체(16)에 저장되어 제어부(15)에 인스톨된다. As shown in Fig. 2, the probe device is provided with a control unit 15 made of, for example, a computer, and the control unit 15 includes a data processing unit made of a program, a memory, a CPU, and the like. In this program, after the carrier C is loaded into the load ports 11 and 12, the inspection is performed on the wafer W, and the wafer W is returned to the carrier C after that. The step group is configured to control the operation of each part of the series until the c) is taken out. This program (including a program relating to input operation and display of processing parameters) is stored in a storage medium 16 such as, for example, a flexible disk, a compact disk, a magneto-optical disk, a hard disk, and the like to the control unit 15. It is installed.

도 2에 나타낸 제어부(15)의 구성의 일례를 도11에 나타낸다. 151은 CPU, 152은 프로브 장치의 일련의 동작을 실행하기 위한 프로그램, 153은 검사부(21A) (21B)에서 행하여지는 검사의 레시피를 저장되는 레시피 저장부, 154은 프로브 장치의 파라메타나 운전 모드의 설정,혹은 운전에 관한 각조작을 실행하기 위해서 조작부, 155은 버스다. 조작부(154)는, 예를 들면 터치 패널 등의 화면에 의해 구성되어 있다. 다음에, 상기 프로브 장치의 작용에 대하여, 이하에 설명한다. 우선, 클린룸내의 자동 반송차(AGV)에 의해, 로드 포트(11) (12)에 있어서의 프로브 장치 본체(2)와는 반대측에서 해당 제 1 로드 포트(11)에 캐리어(C)가 반입된다. 이 때 캐리어(C)의 수수구는 프로브 장치 본체(2)를 향하고 있지만, 탑재대(13) (14)가 회전하여 셔터(S)와 대향한다. 그 후 제 1 탑재대(13)가 전진하여 캐리어(C)가 셔터(S)측으로 눌러져, 캐리어(C)의 덮개와 셔터(S)가 분리된다. An example of the structure of the control part 15 shown in FIG. 2 is shown in FIG. Reference numeral 151 denotes a CPU, 152 denotes a program for executing a series of operations of a probe device, 153 denotes a recipe storage unit for storing a recipe of an inspection performed by the inspection units 21A and 21B, and 154 denotes a parameter or operation mode of the probe device. The operation unit 155 is a bus to execute each operation relating to setting or operation. The operation unit 154 is configured by a screen such as a touch panel. Next, the operation of the probe device will be described below. First, the carrier C is carried into the said 1st load port 11 on the opposite side to the probe apparatus main body 2 in the load ports 11 and 12 by the automatic conveyance vehicle AGV in a clean room. . At this time, the water receiver of the carrier C faces the probe apparatus main body 2, but the mounting table 13 and 14 rotate to face the shutter S. As shown in FIG. After that, the first mounting table 13 is advanced to press the carrier C toward the shutter S side, and the lid of the carrier C and the shutter S are separated.

이어서, 캐리어(C)내에서 웨이퍼(W)가 반출되어, 검사부(21A) (21B)로 반송되지만, 이 이후의 작용 설명에 대해서는, 이미 2장의 웨이퍼(W1, W2)가 각각 제 1 검사부(21A) 및 제 2 검사부(21B)에서 검사되어 있어, 이 상태에서 후속의 웨이퍼(W3) 및 웨이퍼(W4)가 캐리어(C)로부터 반출되어, 일련의 공정이 실행되는 상황에 대하여 설명한다. Subsequently, the wafer W is carried out in the carrier C and conveyed to the inspection units 21A and 21B. However, for the description of the subsequent operation, the two wafers W1 and W2 are each first inspection unit ( 21A) and the 2nd test part 21B, the situation where the following wafer W3 and the wafer W4 are carried out from the carrier C in this state, and a series of process is performed is demonstrated.

우선 도 14에 도시하는 바와 같이 중단 아암(32)이 제 2 캐리어(C2)내로 진입하여, 웨이퍼(W3)를 받아들여 프리 얼라이먼트를 실행하는 위치까지 후퇴한다. 이어서, 척부(36)가 상승하여 웨이퍼(W3)를 상승시킴과 동시에, 회전하여 광센서(37)의 검출 결과에 기하여, 제 1, 제 2 검사부(21A, 21B) 중, 이 웨이퍼(W3)가 반입되는 검사부(21A), (21B)에 대응한 노치의 방향이 되도록, 웨이퍼(W)의 방향이 조정되고, 또한 편심에 대해서도 검출되어, 프리 얼라이먼트가 실행된다. 이어서, 동일하게 하단 아암(33)이 제 2 캐리어(C2)내로 진입하여, 도 15에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W4)를 받아들여 이 웨이퍼(W4)가 반입되는 검사부(21A) (21B)에 대응한 노치의 방향이 되도록 웨이퍼(W4)의 방향의 조정과 편심의 검출을 실행한다. 그리고, 웨이퍼(W3, W4)와 웨이퍼(W1, W2)의 교환을 실행하기 위해서, 웨이퍼 반송 기구(3)가 하강한다. First, as shown in FIG. 14, the stop arm 32 enters into the 2nd carrier C2, retreats to the position which receives the wafer W3 and performs prealignment. Subsequently, the chuck 36 rises to raise the wafer W3, and rotates to form the wafer W3 among the first and second inspection units 21A and 21B based on the detection result of the optical sensor 37. The direction of the wafer W is adjusted so as to be the direction of the notch corresponding to the inspection parts 21A and 21B into which is carried in, and also eccentricity is detected and prealignment is performed. Subsequently, the lower arm 33 enters into the second carrier C2 in the same manner, and receives the wafer W4 as shown in FIG. 15 to the inspection unit 21A and 21B into which the wafer W4 is carried. Adjustment of the direction of the wafer W4 and detection of the eccentricity are performed so as to correspond to the direction of the notch. And the wafer conveyance mechanism 3 is lowered in order to exchange the wafers W3 and W4 and the wafers W1 and W2.

다음에, 제 1 검사부(21A) 내의 웨이퍼(W1)와 웨이퍼 반송 기구(3) 상의 웨이퍼(W3)의 교환을 실행한다． 웨이퍼(W1)의 검사가 종료되어 있을 경우에는, 웨이퍼 척(4A)이 도 16에 도시하는 바와 같이 칸막이 벽(20)에 가까운 수수 위치로 이동한다. 그리고, 웨이퍼 척(4A)의 배큐엄 척이 해제되어, 웨이퍼 척(4A) 내의 리프트핀이 상승하여, 웨이퍼(W1)를 상승시킨다. 이어서, 빈 상태의 상단 아암(31)이 웨이퍼 척(4A) 상에 진입하여, 리프트핀이 하강함으로써 웨이퍼(W1)를 수취하여, 후퇴한다. 또한, 웨이퍼 반송 기구(3)가 약간 상승하여, 중단 아암(32)이 웨이퍼 척(4A) 상에 진입하여, 먼저의 프리 얼라이먼트에 의해 웨이퍼(W3)의 중심 위치가 어긋나 있었다고 판단된 경우에는, 웨이퍼(W3)의 편심을 수정하도록, 도시하지 않는 상기 리프트핀과 중단 아암(32)의 협동 작용에 의해, 웨이퍼 척(4A) 상에 웨이퍼(W3)를 탑재한다. Next, the wafer W1 in the first inspection unit 21A and the wafer W3 on the wafer transfer mechanism 3 are exchanged. When the inspection of the wafer W1 is completed, the wafer chuck 4A moves to a water delivery position near the partition wall 20 as shown in FIG. 16. Then, the vaccum chuck of the wafer chuck 4A is released, and the lift pin in the wafer chuck 4A is raised to raise the wafer W1. Subsequently, the empty upper arm 31 enters the wafer chuck 4A, and the lift pin descends to receive the wafer W1 and retreat. In addition, when the wafer conveyance mechanism 3 rises slightly, the stop arm 32 enters on the wafer chuck 4A, and it is judged that the center position of the wafer W3 was shifted | deviated by the previous pre-alignment, In order to correct the eccentricity of the wafer W3, the wafer W3 is mounted on the wafer chuck 4A by the cooperative action of the lift pin and the stop arm 32, which is not shown.

그리고, 도 17에 도시하는 바와 같이 제 1 검사부(21A)에 웨이퍼(W3)를 수수하여 빈 상태가 된 중단 아암(32)을 제 2 검사부(21B)에 진입시키고, 웨이퍼 척(4B)에서 동일하게 하여 검사 완료된 웨이퍼(W2)를 수취하여, 후퇴시킨 후, 하단 아암(33)을 웨이퍼 척(4B) 상에 진입시켜, 검사전의 웨이퍼(W4)를 하단 아암(33)으로부터 웨이퍼 척(4B)으로 수수한다. As shown in FIG. 17, the interruption arm 32 that receives the wafer W3 into the first inspection unit 21A and becomes empty enters the second inspection unit 21B, and is identical in the wafer chuck 4B. After receiving the inspected wafer W2 and retracting it, the lower arm 33 enters the wafer chuck 4B, and the wafer W4 before inspection is moved from the lower arm 33 to the wafer chuck 4B. Hand in hand.

그 후, 웨이퍼 반송 기구(3)가 상승하여, 웨이퍼(W1)와 웨이퍼(W2)를 예컨대 제 1 캐리어(C1)로 되돌리고, 또한 다음 웨이퍼(W)(웨이퍼(W5, W6))에 관해서도 동일하게 하여 2장씩 캐리어(C)로부터 반출하여, 동일하게 처리가 실행된다. Thereafter, the wafer transfer mechanism 3 is raised to return the wafer W1 and the wafer W2 to, for example, the first carrier C1, and also apply to the next wafer W (wafers W5 and W6). 2 sheets are carried out from the carrier C, and a process is performed similarly.

한편, 제 1 검사부(21A)에 있어서는, 웨이퍼 척(4A)에 웨이퍼(W3)이 인도된 후, 웨이퍼 척(4A)에 마련된 마이크로 카메라(41)에 의해, 프로브 카드(6A)의 프로브 침(29)의 촬상을 실행한다. 즉, 마이크로 카메라(4l)의 시야의 중심, 예를 들면 십자 마크의 중심에 프로브 침(29)의 침 끝를 위치시켜, 그 때의 웨이퍼 척(4A)의 구동계의 위치 좌표(X, Y, Z 방향의 좌표)을 취득한다. 구체적으로는 예를 들면 X 방향으로 가장 떨어져 있는 양쪽 단부의 프로브 침(29) 및 Y 방향으로 가장 떨어져 있는 양쪽 단부의 프로브 침(29)을 촬상해서 프로브 카드(6A)의 중심과 프로브 침(29)의 나열 방향을 파악한다. 이 경우, 웨이퍼 척(4A)에 마련된 매크로 카메라(42)에 의해, 목표위치 근방의 에어리어를 찾아내고, 그 후 마이크로 카메라(41)에 의해 목표의 프로브 침(29)의 침 끝 위치를 검출한다. 또한，이 때 얼라이먼트 브리지(5A)는, 도 8에 나타내는 표준위치에 퇴피하고 있다. On the other hand, in 21 A of 1st test | inspection parts, after the wafer W3 is guide | induced to 4 A of wafer chucks, the probe needle of the probe card 6A is carried out by the micro camera 41 provided in the wafer chuck 4A. 29) imaging is carried out. That is, the tip of the probe needle 29 is positioned at the center of the field of view of the micro camera 4l, for example, the cross mark, and the position coordinates X, Y, Z of the drive system of the wafer chuck 4A at that time Direction coordinates). Specifically, for example, the probe needle 29 at both ends that are farthest in the X direction and the probe needle 29 at both ends that are farthest in the Y direction are imaged to capture the center of the probe card 6A and the probe needle 29 Figure out the direction of listing. In this case, the area near the target position is found by the macro camera 42 provided in the wafer chuck 4A, and the needle tip position of the target probe needle 29 is then detected by the micro camera 41. . At this time, the alignment bridge 5A is retracted to the standard position shown in FIG. 8.

다음으로, 얼라이먼트 브리지(5A)를 웨이퍼(W3)의 촬상 위치까지 이동시킴(도 8참조)과 동시에, 도(16a)에 도시하는 바와 같이 타겟(44)을 웨이퍼 척(4A)측의 마이크로 카메라(41)과 얼라이먼트 브리지(5A)측의 제 1 마이크로 카메라(71)과의 사이의 영역에 뚫고나오게 해, 양쪽카메라(41,71)의 초점 및 광축을 타겟(44)의 타겟 마크에 일치하도록 웨이퍼 척(4A)의 위치를 맞추고, 이른바 양쪽카메라(41, 71)의 원점 복귀를 실행한다. 또 도(16b)에 도시하는 바와 같이 제 2 마이크로 카메라(72)에 대해서도 마찬가지로 원점 복귀를 실행한다. 양쪽 카메라(41, 71)의 원점 복귀를 한 시점 및 양쪽 카메라(41, 72)의 원점 복귀를 한 시점의 각각에 있어서 웨이퍼 척(4A)에 있어서의 구동계로 관리되어 있는 좌표위치(X 방향좌표위치, Y 방향좌표위치, Z 방향좌표위치)를 기억한다. 계속해서 타겟(44)을 퇴피시킨 후, 웨이퍼 척(4A)를 얼라이먼트 브리지(5A)의 하방측에 위치시켜, 다음과 같이 해서 파인 얼라이먼트를 실행한다. Next, the alignment bridge 5A is moved to the imaging position of the wafer W3 (see FIG. 8), and the target 44 is moved to the wafer chuck 4A side as shown in FIG. 16A. It penetrates into the area between the 41 and the first micro camera 71 on the alignment bridge 5A side so that the focus and optical axes of both cameras 41 and 71 coincide with the target mark of the target 44. The wafer chuck 4A is aligned, and so-called home return of both cameras 41 and 71 is performed. As shown in Fig. 16B, the homing is similarly performed for the second micro camera 72. Figs. Coordinate positions (X-direction coordinates) managed by the drive system in the wafer chuck 4A at each time the home return of both cameras 41 and 71 and the home return of both cameras 41 and 72 are performed. Position, Y-direction coordinate position, Z-direction coordinate position). Subsequently, after the target 44 is retracted, the wafer chuck 4A is positioned below the alignment bridge 5A, and fine alignment is performed as follows.

우선 매크로 카메라(81, 82)을 이용하여 웨이퍼(W)의 중심위치를 구한다. 도 17은, 웨이퍼(W)상의 주연에 있어서의 4점 E1∼E4을 촬상해서 각각의 좌표위치를 구하고, 이들 4점 중 El과 E3의 2점을 맺는 직선 및 E2과 E4의 2점을 맺는 직선의 교점을 구하는 모양을 나타내고 있다. 이 경우, 제 1 매크로 카메라(81) 및 제 2 매크로 카메라(82)의 각 시야의 중심, 예를 들면 십자 마크의 중심에 웨이퍼(W)의 주연이 동시에 위치하도록 웨이퍼 척(4A)의 위치가 조정된다. 그리고 E2, E3을 촬상한 후, 상기 각 시야의 중심끼리를 맺는 직선과 직교하는 방향으로 이동해서 E1, E4을 촬상 하므로, 상기 2개의 직선의 교점이 웨이퍼(W)의 중심C의 좌표가 된다. 전술한 바와 같이 얼라이먼트 브리지(5A)측의 제 1 마이크로 카메라(71) 및 제 2 마이크로 카메라(72)와 웨이퍼 척(4A)측의 마이크로 카메라(41)는 원점 복귀를 하고 있고, 또한 제 1 마이크로 카메라(71) 및 제 2 마이크로 카메라(72)의 각 광축의 이간 거리를 미리 알고 있고, 또 제 1 매크로 카메라(81) 및 제 2 매크로 카메라(82)의 각 광축의 이간 거리를 미리 알고 있기 때문에, 웨이퍼 척(4A)측의 마이크로 카메라(41)의 광축에 관한 웨이퍼의 중심C의 상대 좌표를 알게 된다. First, the center positions of the wafers W are obtained by using the macro cameras 81 and 82. Fig. 17 is a photograph of four points E1 to E4 on the periphery of the wafer W to obtain respective coordinate positions, and a straight line forming two points of El and E3 and two points of E2 and E4 among these four points. The form which finds the intersection of a straight line is shown. In this case, the position of the wafer chuck 4A is positioned such that the periphery of the wafer W is simultaneously located at the center of each field of view of the first macro camera 81 and the second macro camera 82, for example, the cross mark. Adjusted. And after imaging E2 and E3, it moves in the direction orthogonal to the straight line which forms the center of each said visual field, and image | photographs E1 and E4, The intersection of the said two straight lines becomes the coordinate of the center C of the wafer W. . As described above, the first micro camera 71 and the second micro camera 72 on the alignment bridge 5A side and the micro camera 41 on the wafer chuck 4A side are returning to the origin, and the first micro camera is performed. Since the separation distance of each optical axis of the camera 71 and the 2nd micro camera 72 is known beforehand, and the separation distance of each optical axis of the 1st macro camera 81 and the 2nd macro camera 82 is known beforehand, The relative coordinates of the center C of the wafer with respect to the optical axis of the micro camera 41 on the wafer chuck 4A side are learned.

또 E1, E3(E2, E4)을 맺는 직선의 길이는 웨이퍼(W)의 직경이 된다. 예를 들면 300mm 웨이퍼(W)라고 할지라도, 실제로는 웨이퍼(W)의 직경은 300mm에 대하여 약간의 오차를 포함함으로, 웨이퍼(W)상의 칩의 맵(각 전극 패드의 좌표)을 정확하 게 작성하기 위해서는, 웨이퍼(W)의 중심좌표와 직경을 파악해 놓아야 한다. 또 웨이퍼상의 좌표계(소위 이상좌표계)에 있어서의 각 칩의 전극 패드의 등록 위치는, 웨이퍼(W)의 중심 좌표로부터의 상대 위치로 기억되고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심좌표를 구할 필요가 있다. 이 예에서는, 도 18(a), (b)에 도시하는 바와 같이 매크로 카메라(81, 82)에 의해 순차적으로 웨이퍼(W)의 도 18중의 하반부의 좌우를 촬상하여, E2, E3의 위치를 구하고 있다. 이어서 웨이퍼(W)를 Y 방향으로 이동시켜서 도 19(a), (b)에 도시하는 바와 같이 매크로 카메라(81, 82)에 의해 순차적으로 웨이퍼(W)의 도 19중의 상반부의 좌우를 촬상하여, E1, E4의 위치 구하고 있다. In addition, the length of the straight line which connects E1, E3 (E2, E4) becomes the diameter of the wafer W. As shown in FIG. For example, even if it is a 300 mm wafer W, the diameter of the wafer W actually includes a slight error with respect to 300 mm, so that the map (coordinate of each electrode pad) of the chip on the wafer W can be accurately corrected. In order to prepare, the center coordinates and the diameter of the wafer W must be grasped. In addition, since the registration position of the electrode pad of each chip in the coordinate system (so-called abnormal coordinate system) on the wafer is stored at a relative position from the center coordinate of the wafer W, it is necessary to obtain the center coordinate of the wafer W. have. In this example, as shown in Figs. 18A and 18B, the left and right portions of the lower half of Fig. 18 of the wafer W are sequentially imaged by the macro cameras 81 and 82 to position the positions of E2 and E3. I am asking. Subsequently, the wafer W is moved in the Y direction, and the macro cameras 81 and 82 sequentially photograph the left and right portions of the upper half of FIG. 19 by the macro cameras 81 and 82 as shown in FIGS. Find the locations of, E1 and E4.

계속해서 웨이퍼(W)상의 IC 칩의 나열(칩간에 형성되는 기판의 눈상의 다이싱 라인)이 X축 및 Y축을 따르도록 웨이퍼(W)의 방향을 맞춘다. 웨이퍼(W)는 웨이퍼 척(4A)에 탑재되기 전에 미리 프리얼라이먼트가 행하여져서 그 방향이 대강 조정되어 있기 때문에, 이 단계에서는 웨이퍼(W)의 IC칩의 배열 방향의 한쪽은 대강 Y축과 평행하고, 방향의 어긋남이 있었다고 한들 그 각도는 예를 들면(1)도정도다. 도(20)은 웨이퍼(W)상의 IC 칩의 배열의 예를 나타내고 있고, 부재번호 400은 IC 칩, 500은 다이싱 라인이다. Subsequently, the wafer W is aligned so that the array of IC chips on the wafer W (the dicing line on the eye of the substrate formed between the chips) is along the X axis and the Y axis. Since the wafer W is preliminarily pre-aligned before being mounted on the wafer chuck 4A and its direction is roughly adjusted, at this stage, one side of the arrangement direction of the IC chips of the wafer W is parallel to the rough Y axis. The angle is, for example, about (1) degrees. Fig. 20 shows an example of the arrangement of the IC chips on the wafer W. The member number 400 is an IC chip and 500 is a dicing line.

우선 도 21(a)에 도시하는 바와 같이 한쪽의 매크로 카메라(81)에 의해 IC 칩의 모서리를 촬상하고, 그 촬상 결과에 의해 웨이퍼(W)의 대강의 방향을 파악한다. 다음으로 마이크로 카메라(71, 72)에 의해, 미리 정해 둔 4 개의 특정점 P1∼P4 중 X축에 따라 나란한 특정점 P1, P2를 각각 촬상한다. 이들 특정점 P1∼P4는 IC 칩(400)의 모서리에 해당한다. 특정점 P1, P2가 완전히 X축에 평행하면, 설계 값에 근거하여 계산된 특정점 P1, P2의 X, Y좌표위치를 마이크로 카메라(71, 72)의 광축위치에 일치시키면 마이크로 카메라(71, 72)의 각 시야의 중심으로 특정점 P1, P2가 위치할 것이다. 그러나 이러한 케이스는 실제로는 극히 드물어서, 웨이퍼(W)의 방향이 근소하긴 하지만 소정의 방향으로부터 어긋나고 있으므로, 즉 종횡의 다이싱 라인(500)이 각기 X, Y축으로부터 기울고 있으므로, 웨이퍼(W)를 설계 위치로 이동시키면, 마이크로 카메라(71, 72)의 각 시야 내에 특정점 P1, P2가 존재하지 않을 경우가 일어난다. First, as shown in Fig. 21A, the edge of the IC chip is picked up by one macro camera 81, and the approximate direction of the wafer W is grasped by the picking result. Next, the micro-cameras 71 and 72 image the specific points P1 and P2 in parallel along the X-axis among four predetermined points P1 to P4 previously determined, respectively. These specific points P1 to P4 correspond to the corners of the IC chip 400. When the specific points P1 and P2 are completely parallel to the X axis, the X and Y coordinate positions of the specific points P1 and P2 calculated based on the design values coincide with the optical axis positions of the micro cameras 71 and 72, and the micro camera 71 The specific points P1 and P2 will be located at the center of each field of view of 72). However, such a case is extremely rare in practice, and since the direction of the wafer W is small but shifted from a predetermined direction, that is, since the vertical and horizontal dicing lines 500 are inclined from the X and Y axes, respectively, the wafer W is used. When is moved to the design position, there arises a case where the specific points P1 and P2 do not exist in the respective visual fields of the micro cameras 71 and 72.

따라서, 우선 매크로 카메라(81)에서 촬상한 결과에 근거하여 웨이퍼(W)의 대강의 방향을 계산하고, 그 계산 결과에 근거하여 마이크로 카메라(71, 72)의 시야내에 특정점 P1, P2가 순차적으로 위치하도록 웨이퍼 척(4A)를 구동한다. 그리고 마이크로 카메라(71, 72)에 의해 순차적으로 특정점 P1, P2을 촬상한다(시야의 중심에 특정점 P1, P2을 위치시킨다). 도 21(b) 및 도22(a)은 이를 나타내고 있다. 이 촬상 결과에 의해 웨이퍼(W)의 배향의 어긋난 정도를 계산할 수 있으므로, 그 계산 결과에 근거하여, 어긋난 만큼만 웨이퍼 척(4A)를 회전시켜서 웨이퍼(W)의 방향을 수정한다(도 22(b)). 이 결과 웨이퍼(W)의 종횡의 다이싱 라인(500)이 각기X, Y축에 평행해진다. Therefore, first, the rough direction of the wafer W is calculated on the basis of the image picked up by the macro camera 81, and the specific points P1 and P2 are sequentially arranged in the field of view of the micro cameras 71 and 72 based on the calculation result. The wafer chuck 4A is driven to position. Then, the specific points P1 and P2 are sequentially imaged by the micro cameras 71 and 72 (the specific points P1 and P2 are positioned at the center of the field of view). 21 (b) and 22 (a) illustrate this. Since the degree of misalignment of the orientation of the wafer W can be calculated based on this imaging result, the orientation of the wafer W is corrected by rotating the wafer chuck 4A only as much as the misalignment based on the calculated result (Fig. 22 (b). )). As a result, the vertical and horizontal dicing lines 500 of the wafer W are parallel to the X and Y axes, respectively.

그리고 웨이퍼(W)의 방향이 바르게 수정된 것을 확인하기 위해서, 도 23(a) 및 도 23(b)에 도시하는 바와 같이 마이크로 카메라(71, 72)에 의해 순차적으로 특정점 P3, P4을 촬상한다. 웨이퍼(W)의 방향이 예정대로의 방향을 하고 있으면, 웨이퍼(W)와 프로브 침(29)을 접촉시키기 위한 웨이퍼 척(4A)의 X, Y, Z의 좌표위치 (콘택트 위치)를 계산한다. 또 웨이퍼(W)의 방향이 예정대로의 방향을 하지 않고 있으면, 두 번째 웨이퍼(W)의 방향을 다시 수정하고, 그 후 마이크로 카메라(71, 72)에 의해 두 번째 특정점 P1, P2을 각각 다시 촬상해서 웨이퍼(W)의 방향의 확인을 실행한다. In order to confirm that the direction of the wafer W is corrected, the specific points P3 and P4 are sequentially imaged by the micro cameras 71 and 72 as shown in Figs. 23A and 23B. do. If the direction of the wafer W is in the predetermined direction, the coordinate positions (contact positions) of the X, Y, and Z of the wafer chuck 4A for contacting the wafer W and the probe needle 29 are calculated. . If the direction of the wafer W is not in the intended direction, the direction of the second wafer W is corrected again, and then the second specific points P1 and P2 are respectively set by the micro cameras 71 and 72, respectively. The imaging is carried out again and the direction of the wafer W is confirmed.

이렇게 해서 각 촬상을 실행한 웨이퍼 척(4A)의 위치 및 상기 원점 복귀를 했을 때의 웨이퍼 척(4A)의 위치로부터, 제어부(15)측에서는 웨이퍼(W3) 상의 각 전극 패드와 프로브 카드(6A)의 각 프로브 침(29)이 콘택트 하는 웨이퍼 척(4A)의 좌표가 계산 가능하게 된다. 그리고 계산된 콘택트 좌표위치에 웨이퍼 척(4A)를 이동시키고, 웨이퍼(W3) 상의 각 전극 패드와 프로브 카드(6A)의 각 프로브 침(29)과를 일괄 콘택트 시킨다. 그리고 도시하지 않는 테스트 헤드로부터 포고핀 유닛(28) 및 프로브 카드(6A)를 거쳐서 웨이퍼(W3) 상의 각IC 칩의 전극 패드에 소정의 전기적 신호를 보내고, 이에 따라 각 IC 칩의 전기적 특성의 검사를 실행한다. 그 후, 기술한 웨이퍼(W1)와 같이, 웨이퍼 척(4B)을 수수해 위치으로 이동시키고, 웨이퍼 반송 기구(3)에 의해 웨이퍼 척(4B)으로부터 웨이퍼(W3)를 반출한다. 또 제 2 검사부(21B)에 반입된 웨이퍼(W4)에 관해서도 마찬가지로 해서 검사가 행하여진다. In this way, from the position of the wafer chuck 4A which performed each imaging, and the position of the wafer chuck 4A at the time of origin return, the control part 15 side each electrode pad and probe card 6A on the wafer W3. The coordinates of the wafer chuck 4A that each probe needle 29 in contact with can be calculated. Then, the wafer chuck 4A is moved to the calculated contact coordinate position, and each electrode pad on the wafer W3 and each probe needle 29 of the probe card 6A are collectively contacted. Then, a predetermined electrical signal is sent from the test head (not shown) to the electrode pad of each IC chip on the wafer W3 via the pogo pin unit 28 and the probe card 6A, thereby inspecting the electrical characteristics of each IC chip. Run Thereafter, like the wafer W1 described above, the wafer chuck 4B is received and moved to a position, and the wafer W3 is carried out from the wafer chuck 4B by the wafer transfer mechanism 3. In addition, the inspection is performed similarly with respect to the wafer W4 carried in the 2nd inspection part 21B.

또한 본 실시형태에서는, 장치의 조립 시에 웨이퍼 척(4A)의 회전 중심좌표(스테이지상의 X, Y좌표)를 다음 방법에 의해 구해서 머신 파라메타로서 기억해 둔다. 우선 기준 웨이퍼를 척에 싣고, 외주의 적어도 3점의 기준 패턴과 그 위치 좌표를 기억시킨다. 그 후 웨이퍼 척(4A)를 일정 각도분만 회전시키고, 기준 패턴 위치를 확인하고, 위치 좌표를 기억한다. 그리고 웨이퍼 척(4A)의 회전전과 회전후의 좌표를 직선으로 잇고, 그 수직이등분선을 그으면, 각각의 선이 교차하고, 그 교차한 교점을 회전 중심으로서 기억한다. 그리고 얼라이먼트 시에는, 웨이퍼(W)의 중심위치와 얼라이먼트용의 타겟 위치의 회전후의 좌표를 다음 방정식에서 구하는 것이 가능해지고 있다. 즉 회전 중심을 원점으로 한 좌표(X1, Yl)를 각도θ 만큼 시계 방향으로 회전시켰을 때의 좌표(X2, Y2)는, X2=X1×cosθ+Y1×sinθ, Y2=-X1×sinθ+Y1×cosθ에서 구하는 것이 가능해지고 있다. In the present embodiment, the rotation center coordinates (X, Y coordinates on the stage) of the wafer chuck 4A are obtained by the following method and stored as machine parameters when the apparatus is assembled. First, the reference wafer is placed on the chuck, and at least three reference patterns of the outer circumference and their position coordinates are stored. After that, the wafer chuck 4A is rotated only by a predetermined angle, the reference pattern position is confirmed, and the position coordinates are stored. If the coordinates before and after the rotation of the wafer chuck 4A are connected in a straight line, and the vertical bisectors are drawn, the lines intersect and the intersections are stored as the rotation centers. At the time of alignment, the coordinates after the rotation of the center position of the wafer W and the target position for alignment can be obtained by the following equation. That is, the coordinates (X2, Y2) when the coordinates (X1, Yl) with the rotation center as the origin are rotated clockwise by the angle θ are X2 = X1 × cosθ + Y1 × sinθ, Y2 = -X1 × sinθ + Y1 It can be calculated | required by xcos (theta).

여기서 얼라이먼트 브리지(5A)에 2개의 마이크로 카메라(71, 72)djl 2개의 매크로 카메라(81, 82)를 마련하는 이점에 대해서 말해 둔다. 웨이퍼(W)의 중심위치를 구하기 위해서 각 웨이퍼(W)의 주연의 4 포인트의 촬상은, (E2, E3) 및 (E1, E4)의 각 조에 대해서는, 매크로 카메라(81, 82)의 전환만으로 거의 동시에 행할 수 있다. 그리고 웨이퍼 척(4A)의 이동은 E1, E3의 확인을 실행한 후, 1회만 Y 방향으로 이동시키는 것만으로 좋다. 이에 대하여 매크로 카메라가 1 개이면 웨이퍼(W)상의 4점의 각점에 대응하는 위치에 순차적으로 척을 이동시켜야 한다. 따라서 2개의 매크로 카메라(8l, 82)을 이용하는 것으로, 웨이퍼(W)의 주연위치인 4점의 촬상을 단 시간에서 행할 수 있는 할 수 있다. Here, the advantage of providing two micro cameras 71 and 72 and two macro cameras 81 and 82 in the alignment bridge 5A will be described. In order to find the center position of the wafer W, imaging of four points on the periphery of each wafer W is performed only by switching of the macro cameras 81 and 82 for each pair of (E2, E3) and (E1, E4). It can be done almost simultaneously. The wafer chuck 4A may be moved only once in the Y direction after confirming E1 and E3. On the other hand, if there is one macro camera, the chucks must be sequentially moved to positions corresponding to the four points on the wafer W. Therefore, by using two macro cameras 8l and 82, imaging of four points, which are the peripheral positions of the wafer W, can be performed in a short time.

또한 도 24(a)는 얼라이먼트 브리지(5A)에 1개의 마이크로 카메라(71)만을 탑재하고, 그 광축을 얼라이먼트 브리지(5A)의 중심으로 위치시킨 구조로 한 경우에 있어서, 상술한 웨이퍼(W)상의 P1, P2를 촬상 했을 때의 모양을 나타내고 있다. 또 도 24(b)는, 상술한 실시예에 있어서, 웨이퍼(W)상의 P1, P2을 촬상 했을 때의 모양을 나타내고 있다. 이 도면으로 부터 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼 척(4A)의 이동 거리는 마이크로 카메라가 1개의 경우에는 L1이지만, 마이크로 카메라가 2개의 경우에는 L2가 되고, 그 이동 거리 L2가 L1보다도 대폭 줄어들고 있다. In addition, FIG. 24 (a) shows the wafer W described above in the case where only one micro camera 71 is mounted on the alignment bridge 5A and the optical axis is positioned at the center of the alignment bridge 5A. The shape at the time of imaging P1 and P2 of an image is shown. In addition, FIG. 24 (b) shows a state when imaging P1 and P2 on the wafer W in the above-described embodiment. As can be seen from this figure, the movement distance of the wafer chuck 4A is L1 in the case of one microcamera, but L2 in the case of two microcameras, and the movement distance L2 is considerably shorter than L1.

또한 웨이퍼(W)와 프로브 침(29)과의 위치 정렬을 실행하기 위한 작업의 하나로서, 마이크로 카메라(71, 72)에 의해 웨이퍼(W)의 좌우 양쪽 단부 부분의 얼라이먼트 마크를 관찰하거나, 혹은 검사후에 웨이퍼(W)상의 침의 흔적을 관찰하는 경우가 있고, 그 때문에 마이크로 카메라(71, 72)의 바로 아래에 웨이퍼(W)의 좌우 양쪽 단부 혹은 그 근방에 위치시키는 경우가 있다 . 도 25는 이러한 조작을 실행할 때의 웨이퍼 척(4A)의 이동의 모양을 나타낸 것이다. 현재, 얼라이먼트 브리지(5A)의 하방위치에서, 얼라이먼트 브리지(5A)의 중심선(70)과 웨이퍼(W)의 중심C가 겹치도록 웨이퍼(W)가 위치하고 있다. 여기에서 웨이퍼(W)가 향해서 좌측 영역을 마이크로 카메라(71)에 의해 촬상하려고 하면, 웨이퍼(W)가 향해서 좌단을 마이크로 카메라(71)의 바로 아래에 위치하도록 웨이퍼 척(4A)을 X 방향으로 이동시키게 된다. 이 때의 웨이퍼 척(4A)의 이동량은 M1이 된다. 여기서 웨이퍼(W)가 300mm이면 M1은 77mm이 된다. Moreover, as one of the operations for performing position alignment of the wafer W and the probe needle 29, the alignment marks of the left and right ends of the wafer W are observed by the micro cameras 71 and 72, or After the inspection, the traces of the needle on the wafer W may be observed, and therefore it may be located at both the left and right ends of the wafer W or near the micro cameras 71 and 72. Fig. 25 shows the state of movement of the wafer chuck 4A when performing such an operation. At the present position below the alignment bridge 5A, the wafer W is positioned so that the centerline 70 of the alignment bridge 5A and the center C of the wafer W overlap each other. Here, when the wafer W is going to image the left region by the micro camera 71, the wafer chuck 4A is placed in the X direction so that the left end is directly below the micro camera 71 with the wafer W facing. Will be moved. The amount of movement of the wafer chuck 4A at this time is M1. Here, when the wafer W is 300 mm, M1 is 77 mm.

따라서 도 25에 도시하는 바와 같이 얼라이먼트 브리지(5A)의 중심선(70)에 웨이퍼(W)의 중심C이 위치하고 있는 상태를 기준으로 하여, 이 상태로부터 웨이퍼(W)가 좌측 영역 및 우측 영역으로 이동하는 양은 각각 M1이다. 이 예에서는 300mm 웨이퍼(W)을 이용하여 있기 때문에, M1은 77mm이며, 웨이퍼(W)의 전체의 이동량은 154mm이 된다. Accordingly, as shown in FIG. 25, the wafer W moves to the left region and the right region from this state on the basis of the state where the center C of the wafer W is located on the center line 70 of the alignment bridge 5A. The amount to say is M1, respectively. In this example, since the 300 mm wafer W is used, M1 is 77 mm, and the entire amount of movement of the wafer W is 154 mm.

도 26은, 얼라이먼트 브리지(5A)에 1개의 마이크로 카메라(71)를 장착했을 경우이며, 이 경우에는 우선 마이크로 카메라(71)의 바로 아래에 웨이퍼(W)의 중심을 위치시킨 후, 웨이퍼 척(4A)을 X 방향으로 이동시켜서 웨이퍼(W)의 좌우 양쪽 단부를 마이크로 카메라(71)의 바로 아래에 각기 위치시키므로, 도 26에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)가 좌측 영역 및 우측 영역으로 이동하는 양 M2는, 해당 웨이퍼(W)의 반경분에 해당한다. 이 예에서는 300mm 웨이퍼(W)를 이용하여 있기 때문에, M2는 150mm이며, 웨이퍼(W)의 전체의 이동량은 300mm이 된다.FIG. 26 shows a case where one micro camera 71 is attached to the alignment bridge 5A. In this case, the center of the wafer W is placed immediately below the micro camera 71, and then the wafer chuck ( Since 4A) is moved in the X direction, both left and right ends of the wafer W are positioned directly below the micro camera 71, so that the wafer W moves to the left and right regions as shown in FIG. The amount M2 corresponds to the radius of the wafer W. In this example, since the 300 mm wafer W is used, M2 is 150 mm, and the entire movement amount of the wafer W is 300 mm.

이상으로부터, 얼라이먼트 브리지(5A)에 2개의 마이크로 카메라(71, 72)와 2개의 매크로 카메라(81, 82)를 설치함으로써, 웨이퍼 척(4A)의 이동량이 적어도 될 것으로 이해된다. From the above, it is understood that the amount of movement of the wafer chuck 4A is at least minimized by providing the two micro cameras 71 and 72 and the two macro cameras 81 and 82 in the alignment bridge 5A.

그리고 2개의 매크로 카메라(81, 82)를 이용할 경우에는, 상기 중심선(70)에 대하여 좌우 대상에 마련하는 것이 바람직하다. 그 이유는, 매크로 카메라(81, 82)에 의해 웨이퍼(W)의 좌우 영역의 촬상을 각기 분담시킬 경우에, 중심선(70)에 대하여 웨이퍼 척(4A)의 이동 영역이 좌우 대칭이 되고, 마이크로 카메라(71, 72)에 의해 웨이퍼(W)를 촬상 할 때의 이동 영역과 중첩시키면, 결과적으로 웨이퍼 척(4A)의 이동 영역이 비대칭의 경우에 비교해서 좁아진다. 또, 매크로 카메라(81, 82)의 배치는 상기 중심선(70)에 대하여 비대칭이여도 좋다. And when using the two macro cameras 81 and 82, it is preferable to provide to the left-right object with respect to the said centerline 70. The reason is that when the imaging of the left and right regions of the wafer W is shared by the macro cameras 81 and 82, the moving region of the wafer chuck 4A with respect to the center line 70 becomes symmetrical with respect to the center line 70, and the micro When the wafers W are overlaid with the moving areas at the time of imaging the wafer W by the cameras 71 and 72, as a result, the moving areas of the wafer chuck 4A are narrower than in the asymmetrical case. The macro cameras 81 and 82 may be asymmetrical with respect to the center line 70.

이상의 장치의 파인 얼라이먼트의 동작은, 도 1에 있어서의 제 1 검사부(21A) 측의 동작을 중심으로 설명하고 있지만, 제 2 검사부(21B)에 관해서도 완전히 동일하게 해서 파인 얼라이먼트가 행하여진다. 또 파인 얼라이먼트의 동작을 포함하는 일련의 동작은, 제어부(15) 내의 프로그램(152)에 의해 실행된다. The operation of the fine alignment of the above apparatus is described mainly on the operation of the first inspection unit 21A side in FIG. 1, but the fine alignment is performed in the same manner as for the second inspection unit 21B. In addition, a series of operations including the operation of the fine alignment is executed by the program 152 in the control unit 15.

상술의 실시예에 의하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. 본 실시예에서는 웨이퍼 척(4A),(4B) 및 프로브 카드(6A),(6B)의 사이의 높이 위치에서 수평 방향으로 이동 가능한 이동체인 얼라이먼트 브리지(5A),(5B)에 시야가 하향인 웨이퍼 촬상용의 2개의 마이크로 카메라(71, 72)와 2개의 매크로 카메라(81, 82)를 마련하고 있다. 그리고 마이크로 카메라(71, 72)는 서로의 광축이 이간하고, 또한 매크로 카메라(81, 82)도 서로의 광축이 이간하고 있으므로, 웨이퍼(W)의 위치 정보를 얻기 위해서 웨이퍼(W)를 촬상 할 때에 웨이퍼 척(4A),(4B)의 이동량이 적어도 된다. 이것 때문에 장치의 소형화를 도모할 수 있고, 또 웨이퍼(W)의 위치 정보의 취득에 요하는 시간도 단축 가능하므로 고스루풋화에 기여할 수 있다. According to the above embodiment, the following effects can be obtained. In this embodiment, the field of view is downward on the alignment bridges 5A, 5B, which are movable in the horizontal direction, at the height positions between the wafer chucks 4A, 4B, and the probe cards 6A, 6B. Two micro cameras 71 and 72 and two macro cameras 81 and 82 for wafer imaging are provided. Since the micro-cameras 71 and 72 are separated from each other, and the macro-cameras 81 and 82 are separated from each other, the micro-cameras 71 and 72 can capture the wafer W in order to obtain positional information about the wafer W. At this time, the amount of movement of the wafer chucks 4A and 4B is minimal. For this reason, the device can be miniaturized, and the time required for acquiring the positional information of the wafer W can be shortened, thereby contributing to high throughput.

또한 본 발명에 있어서의 다른 실시예에 대해서 설명한다. 도 27은 이 실시예에 관련되는 얼라이먼트 브리지(5A) 및 제어부(15)을 나타내고 있다. 또 얼라이먼트 브리지(5B)에 관해서도 동일한 구성이기 때문, 한쪽의 얼라이먼트 브리지(5A)를 대표로 설명 한다. Moreover, the other Example in this invention is described. 27 shows the alignment bridge 5A and the control unit 15 according to this embodiment. In addition, since the alignment bridge 5B has the same configuration, one alignment bridge 5A will be described as a representative.

본 실시형태의 얼라이먼트 브리지(5A)는, 2 개의 마이크로 카메라(71, 72)는 이동 가능한 유닛으로서 구성되어, 쌍방의 마이크로 카메라(71, 72)는 접리 자유롭게 배치되어 있다. 그리고 얼라이먼트 브리지(5A)에는, 마이크로 카메라(71, 72)를 이동시키는 구동 장치(100), (200)가 탑재되어 있다. 이 구동 장치(100)은, 양쪽 단부를 지지부재(101), (102)에 의해 지지되어 있는 볼나사(103)와 가이드 축(105)을 구비하고 있어, 볼나사(103)와 가이드 축(105)과는, 마이크로 카메라(71)의 이동 방향에 대하여 평행하도록 배치되어 있다. 그리고 볼나사(103)의 한쪽 단부 측, 구체적으로는 마이크로 카메라(71)의 뒤에는 볼나사를 회동되는 구동 모터(104)가 접속되고 있어, 이 구동 모터(104)에 의해 볼나사(103)가 회동됨으로써, 마이크로 카메라(71)는 가이드 축(105)에 의해 지지된 상태에서 이동하는 형태에 되어 있다. 또한，구동 장치(200)에 대해서는, 구동 장치(100)와 같은 구성이기 때문 여기에서는 설명을 생략한다. In the alignment bridge 5A of the present embodiment, two micro cameras 71 and 72 are configured as a movable unit, and both micro cameras 71 and 72 are arranged to be freely folded. And 5 A of alignment bridges are equipped with the drive apparatuses 100 and 200 which move the micro cameras 71 and 72. As shown in FIG. The drive device 100 has a ball screw 103 and a guide shaft 105 supported at both ends by the support members 101 and 102, and has a ball screw 103 and a guide shaft ( 105 is arranged to be parallel to the moving direction of the micro camera 71. A drive motor 104 for rotating the ball screw is connected to one end side of the ball screw 103, specifically, behind the micro camera 71, and the ball screw 103 is driven by the drive motor 104. By rotating, the micro-camera 71 moves in the state supported by the guide shaft 105. In addition, about the drive apparatus 200, since it is the same structure as the drive apparatus 100, description is abbreviate | omitted here.

구동 모터(104), (204)는, 제어부(15)에 접속되고 있어, 제어부(15)에 의해 구동이 제어된다. 이 제어부(15)에는, 제 1 실시예의 제어부(15)에 구비되어 있었던 CPU(151), 프로그램(152), 레시피 저장부(153), 조작부(154), 버스(155)의 이외에, 카메라 이동 테이블(156)이 버스(155)를 거쳐서 설치된다. 카메라 이동 테이블(156)은, IC 칩(400)의 사이즈에 대응하는 정보와 마이크로 카메라 (71, 72)의 이간 거리를 대응 시켜 저장한 테이블이며, 구동 모터(104), (204)는 이 카메라 이동 테이블(156)의 각 테이블 데이타에 근거하여 구동된다. The drive motors 104 and 204 are connected to the control unit 15, and the driving is controlled by the control unit 15. The control unit 15 moves cameras in addition to the CPU 151, the program 152, the recipe storage unit 153, the operation unit 154, and the bus 155 provided in the control unit 15 of the first embodiment. The table 156 is installed via the bus 155. The camera movement table 156 is a table in which information corresponding to the size of the IC chip 400 and the separation distances of the micro cameras 71 and 72 are stored in correspondence with each other, and the drive motors 104 and 204 use this camera. It is driven based on the table data of the movement table 156.

앞서, 기술한 실시예에서는, 2 개의 마이크로 카메라의 위치가 고정되어 있었으므로, X 방향으로 서로 이간되는 P1, P2(P3, P4)의 이간 거리와 마이크로 카메라와의 거리는 일치하지 않으므로 (일치 하는 것은 지극히 드믐), P1을 촬상한 후 P2을 촬상하기 위해서 웨이퍼 척(4A)를 조금 이동시키지 않으면 안된다. 따라서, 마이크로 카메라를 접리 자유롭게 구성함으로써, 마이크로 카메라의 이간 거리를 P1, P2(P3, P4)의 이간 거리에 일치시키도록 조정할 수 있다. P1, P2(P3, P4)는 IC 칩(400)의 각부이기 때문, P1, P2(P3, P4)의 이간 거리는 IC 칩(400)의 사이즈에 의해 결정되게 된다. In the above-described embodiment, since the positions of the two micro cameras are fixed, the separation distances of the P1 and P2 (P3, P4) spaced apart from each other in the X direction and the distance between the micro cameras do not coincide (matching Very rarely, after picking up P1, the wafer chuck 4A must be moved a little to pick up P2. Therefore, by freely constructing the micro camera, it is possible to adjust the separation distance of the micro camera to match the separation distance of P1, P2 (P3, P4). Since P1 and P2 (P3 and P4) are the respective portions of the IC chip 400, the separation distance between P1 and P2 (P3 and P4) is determined by the size of the IC chip 400.

제어부(15)에서 카메라 이동 테이블(156)을 메모리에 저장해 둠과 함께, 웨이퍼의 검사를 실행하는 단계에서 칩 사이즈에 대응하는 정보를 입력부에서 입력함으로써, 입력된 칩 사이즈에 대응하는 마이크로 카메라의 이간 거리를 판독하고, 그 이간 거리가 되도록 구동부를 제어해서 마이크로 카메라(71, 72)을 이동시킨다. 그리고 마이크로 카메라(71, 72)사이의 거리가 L0이 된 시점에서 구동 모터(104)를 정지시킨다. 이에 따라 본 실시형태의 얼라이먼트 브리지(5A)에서는, 도(28)에 도시하는 바와 같이 양쪽 마이크로 카메라(71, 72)를 이동시키고, 촬상하는 웨이퍼의 IC 칩(400)의 사이즈에 맞춰서 정해진 거리 L0로 양쪽 마이크로 카메라(7l, 72)사이의 거리를 변경 하는 것이 가능해진다. The control unit 15 stores the camera movement table 156 in a memory and inputs the information corresponding to the chip size at the input unit in the step of inspecting the wafer, thereby separating the micro camera corresponding to the input chip size. The micro cameras 71 and 72 are moved by reading the distance and controlling the driving unit so as to be the separation distance. Then, the drive motor 104 is stopped when the distance between the micro cameras 71 and 72 reaches L0. Accordingly, in the alignment bridge 5A of the present embodiment, as shown in FIG. 28, the distance L0 determined according to the size of the IC chip 400 of the wafer to be moved by moving both the micro cameras 71 and 72. This makes it possible to change the distance between both micro cameras 7l and 72.

이러한 실시예에 의하면 다음과 같은 효과가 있다. 웨이퍼 촬상용의 마이크로 카메라(71, 72)을 서로 접리 자유롭게 마련하도록 하면, 그 이간 거리가 웨이퍼(W)상의 2개의 특정점 예를 들면 도20의 P1, P2(P3, P4)의 이간 거리가 되도록 조정 할 수 있으므로, 1개의 특정점 P1(P3)을 촬상하는 위치까지 웨이퍼 척(4A),(4B)을 이동시키면, 웨이퍼 척(4A),(4B)을 이동 시키지 않고 다른 1개의 특정점 (P1),(P4)의 촬상을 실행할 수 있고, 한층 높은 고스루풋화에 기여할 수 있다. According to this embodiment, the following effects are obtained. When the micro-cameras 71 and 72 for wafer imaging are provided freely from each other, the separation distance between the two specific points on the wafer W, for example, the separation distance between P1 and P2 (P3, P4) of FIG. Since the wafer chucks 4A and 4B are moved to the position at which one specific point P1 (P3) is picked up, the other one specific point is not moved without moving the wafer chucks 4A and 4B. Imaging of (P1) and (P4) can be performed, and it can contribute to higher high throughput.

기술한 프로브 카드(5A)는, 일괄 콘택트를 실행할 경우뿐만 아니라, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경에 의해 2 분할한 영역의 전극 패드 군의 배치에 대응하도록 프로브 침(29)을 마련하고, 2회에 나누어서 웨이퍼(W)와 프로브 침(29)의 콘택트를 실행할 경우나, 혹은 웨이퍼(W)를 둘레 방향으로 4분할한 영역의 전극 패드 군의 배치에 대응하도록 프로브 침(29)을 마련하고, 이 4분할된 영역에 순차적으로 웨이퍼(W)를 콘택트 시킬 경우 등이어도 좋다. 이러한 경우에는, 웨이퍼 척(4A)을 회전시키는 것으로, 프로브 침(29)과 웨이퍼(W)와의 콘택트가 행하여진다. 본 발명의 프로브 장치에 있어서는, 1회∼4회의 콘택트에 의해 웨이퍼(W)의 검사가 종료하는 구성에 적용하는 것이 바람직하다.The probe card 5A described has a probe needle 29 so as to correspond not only to the case of carrying out the collective contact but also to the arrangement of the electrode pad groups in the region divided into two by the diameter of the wafer W, for example. Probe needle 29 is provided so as to correspond to the arrangement of electrode pad groups in a region where the wafer W and the probe needle 29 are divided into two times, or when the wafer W is divided into four in the circumferential direction. The wafer W may be sequentially contacted with the four divided regions. In this case, the contact of the probe needle 29 and the wafer W is made by rotating the wafer chuck 4A. In the probe apparatus of this invention, it is preferable to apply to the structure by which the test | inspection of the wafer W is completed by 1 time-4 times of contact.

또 마이크로 카메라(71, 72)은, 광학계의 광로상에 배율변경기구가 설치되고, 배율변경기구를 제어하는 것으로 고배율 카메라로서 이용될 때의 배율보다도 조금 낮은 배율의 시야(미들 시야)을 얻을 수 있도록 하여도 좋다. 또 고배율 카메라로서 이용될 때의 배율은, 전극 패드상의 침의 흔적을 확인할 수 있는 정도의 배율이며, 예를 들면 전극 패드 1개만이 시야내에 수용되는 배율이다. 검사후에 오퍼레이터가 전극 패드상의 침의 흔적을 확인 할 때에 매크로 카메라(81, 82)에서는 침의 흔적이 보이지 않고, 또 마이크로 카메라(71, 72)에서는 전극 패드를 1개씩의 확인밖에 할 수 없고 긴 시간이 걸리기 때문에, 미들 시야에 의해 복수의 전극 패드를 한번에 볼 수 있도록 하고, 침의 흔적의 유무를 효율적으로 확인할 수 있게 하고 있다. 또 기술의 웨이퍼(W)상의 위치 정렬용의 특정점을 촬상하는 데는, 이 미들 시야를 이용해도 좋다. The micro-cameras 71 and 72 are provided with a magnification changing mechanism on the optical path of the optical system, and by controlling the magnification changing mechanism, a field of view (middle field of view) with a magnification lower than that when used as a high magnification camera can be obtained. You may do so. Moreover, the magnification at the time of use as a high magnification camera is a magnification of the grade which can confirm the trace of the needle on an electrode pad, for example, the magnification which only one electrode pad is accommodated in a visual field. When the operator checks the traces of the needle on the electrode pad after the inspection, the traces of the needle are not visible in the macro cameras 81 and 82, and only one electrode pad can be confirmed by the micro cameras 71 and 72. Since it takes time, a plurality of electrode pads can be seen at a time by the middle field of view, and the presence or absence of traces of saliva can be efficiently confirmed. Moreover, you may use this middle field of view to image the specific point for position alignment on the wafer W of a technique.

이상에 있어서, 제 1 마이크로 카메라(71)의 광축과 제 2 마이크로 카메라(72)의 광축과의 이간 거리는, 상술의 예에서는 146mm이기 때문에 웨이퍼의 반경 150mm에 가까운 치수로 되어 있다 . 이렇게 상기 광축간의 치수를 웨이퍼의 반경에 가까운 값에 설정함으로써, 웨이퍼(W) 전면을 마이크로 카메라(71, 72)의 카메라 시야에 넣기 위한 스테이지 이동량을 최소로 할 수 있다는 이점이 있다.As described above, the distance between the optical axis of the first micro camera 71 and the optical axis of the second micro camera 72 is 146 mm in the above-described example, so that the wafer has a dimension close to the radius of 150 mm. By setting the dimension between the optical axes to a value close to the radius of the wafer, there is an advantage that the amount of stage movement for placing the entire surface of the wafer W into the camera field of view of the micro cameras 71 and 72 can be minimized.

이상에 있어서, 기판반송 아암으로서는 기술한 바와 같이 3개의 아암을 구비한 것으로 한정되는 것은 아니고, 1 개의 아암을 구비한 것이라도 좋다. 또 프리얼라이먼트 기구는, 기판반송 아암에 조합되는 것에 한정되는 것이 아니라, 기판반송 아암과는 독립적으로 장치 내에 설치되어도 좋다. 이 경우, 기판반송 아암으로부터 프리얼라이먼트 기구의 스테이지에 웨이퍼가 수수되어, 웨이퍼의 배향을 소정의 배향이 되도록 조정힘과 동시에, 기판반송 아암의 소정의 부위에 웨이퍼의 중심이 위치하도록 상기 스테이지로부터 기판반송 아암에의 웨이퍼의 수취가 행하여진다. 또한 본 발명이 적용되는 프로브 장치로서는, 장치본체가 1대만 구비하고 있는 것이라도 좋고, 3대 이상의 장치본체에 대하여 로드 포트가 공통화되어 있는 것이라도 좋다.As described above, the substrate transport arm is not limited to the one provided with three arms as described above, and may be provided with one arm. The prealignment mechanism is not limited to being combined with the substrate transport arm, but may be provided in the apparatus independently of the substrate transport arm. In this case, the wafer is received from the substrate transport arm to the stage of the prealignment mechanism, and the wafer is adjusted so that the orientation of the wafer becomes a predetermined orientation, and the substrate is moved from the stage so that the center of the wafer is located at a predetermined portion of the substrate transport arm. Receipt of the wafer to the transfer arm is performed. As the probe device to which the present invention is applied, one device body may be provided, or a load port may be common to three or more device bodies.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 있어서의 프로브 장치의 일례의 전체를 나타내는 개관 사시도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is an overview perspective view which shows the whole example of the probe apparatus in 1st Example of this invention.

도 2는 상기 의 프로브 장치의 일예를 나타내는 개략 평면도이다. 2 is a schematic plan view showing an example of the probe device described above.

도 3은 상기의 프로브 장치의 일예를 나타내는 종단면도이다. 3 is a longitudinal sectional view showing an example of the probe device described above.

도 4는 상기의 프로브 장치에 있어서의 로드 포트의 일예를 나타내는 사시도이다. 4 is a perspective view illustrating an example of a load port in the probe device described above.

도 5(a), 5(b)는 상기의 프로브 장치에 있어서의 웨이퍼 반송 기구의 일예를 나타내는 개략도이다. 5 (a) and 5 (b) are schematic diagrams showing an example of the wafer transfer mechanism in the probe device described above.

도 6은 상기의 프로브 장치에 있어서의 검사부의 일예를 나타내는 사시도이다. 6 is a perspective view showing an example of an inspection unit in the probe device described above.

도 7(a), 7(b)는 상기의 검사부의 일례를 도시한 개략도이다. 7 (a) and 7 (b) are schematic diagrams showing an example of the inspection unit.

도 8은 상기의 검사부에 있어서의 얼라이먼트 브리지의 위치를 나타내는 평면도이다. 8 is a plan view showing the position of the alignment bridge in the inspection section.

도 9는 본 발명의 실시예에 관련되는 얼라이먼트 브리지를 나타내는 평면도이다. 9 is a plan view of the alignment bridge according to the embodiment of the present invention.

도10은 상기의 검사부에 있어서의 웨이퍼 척의 이동 스트로크의 일례를 도시한 개략도다. Fig. 10 is a schematic diagram showing an example of the movement stroke of the wafer chuck in the inspection section.

도11은 상기 실시예에서 이용되는 제어부의 구성의 일예를 나타내는 구성도이다.11 is a configuration diagram showing an example of the configuration of a control unit used in the above embodiment.

도12는 상기의 프로브 장치의 작용의 일예를 나타내는 평면도이다. 12 is a plan view showing an example of the operation of the probe device described above.

도13은 상기의 프로브 장치의 작용의 일예를 나타내는 평면도이다. Fig. 13 is a plan view showing an example of the operation of the probe device described above.

도14는 상기의 프로브 장치의 작용의 일예를 나타내는 평면도이다. 14 is a plan view showing an example of the operation of the probe device described above.

도15는 상기의 프로브 장치의 작용의 일예를 나타내는 평면도이다. Fig. 15 is a plan view showing an example of the operation of the probe device.

도16(a), 16(b)는 양쪽카메라의 원점 복귀를 설명하기 위한 도이다16 (a) and 16 (b) are diagrams for explaining the origin return of both cameras.

도17은 얼라이먼트 브리지의 매크로 카메라의 사용 방법을 나타내는 설명도이다. 17 is an explanatory diagram showing a method of using a macro camera of an alignment bridge.

도18(a), 18(b)은 얼라이먼트 브리지의 매크로 카메라의 사용 방법을 나타내는 설명도이다. 18 (a) and 18 (b) are explanatory diagrams showing how to use a macro camera of an alignment bridge.

도19(a), 19(b)는 얼라이먼트 브리지의 매크로 카메라의 사용 방법을 나타내는 설명도이다. 19 (a) and 19 (b) are explanatory diagrams showing how to use a macro camera of an alignment bridge.

도20은 웨이퍼W상의 IC칩의 배열의 예를 도시하는 도면이다. 20 is a diagram showing an example of the arrangement of the IC chips on the wafer W;

도21(a), 21(b) 본 실시형태의 웨이퍼의 방향의 끼움 형태를 설명하기 위한 제 1 도이다. 21 (a) and 21 (b) are diagrams for explaining the fitting mode of the wafer in the present embodiment.

도22(a), 22(b)는 본 실시형태의 웨이퍼의 방향의 끼움 형태를 설명하기 위한 제 2 도이다. 22 (a) and 22 (b) are second diagrams for explaining the fitting mode in the direction of the wafer of the present embodiment.

도23(a), 23(b)는 본 실시형태의 웨이퍼의 방향의 끼움 형태를 설명하기 위한 제 3의 도이다. 23 (a) and 23 (b) are third diagrams for explaining the fitting manner in the direction of the wafer of the present embodiment.

도24(a), 24(b)는 본 실시형태와 종래 예와의 얼라이먼트 브리지를 이용했을 때의 웨이퍼 척의 이동 거리의 차이를 설명하기 위한 도이다. 24 (a) and 24 (b) are diagrams for explaining the difference in the movement distance of the wafer chuck when the alignment bridge between the present embodiment and the conventional example is used.

도25는 얼라이먼트 브리지를 이용했을 경우의 X 방향의 웨이퍼W의 전체의 이동량을 나타내는 설명도이다. Fig. 25 is an explanatory diagram showing the total amount of movement of the wafer W in the X direction when the alignment bridge is used.

도26은 얼라이먼트 브리지에 1개의 마이크로 카메라를 장착했을 경우의 X 방향의 웨이퍼의 전체의 이동량을 나타내는 설명도이다. Fig. 26 is an explanatory diagram showing the total amount of movement of the wafer in the X direction when one micro camera is attached to the alignment bridge.

도27은 다른 실시예에 관련되는 얼라이먼트 브리지 및 제어부를 도시하는 도면이다. 27 is a diagram showing an alignment bridge and a control unit according to another embodiment.

도28은 마이크로 카메라 간의 거리조정의 작용을 설명하기 위한 도이다. Fig. 28 is a diagram for explaining the operation of the distance adjustment between the micro cameras.

도면의 설명Description of Drawings

1 로더부1 loader

2 프로브 장치본체2 probe unit

3 웨이퍼 반송 기구3 wafer transfer mechanism

4A, 4B 웨이퍼척4A, 4B Wafer Chuck

5A, 5B 얼라이먼트 브리지5A, 5B Alignment Bridge

6A, 6B 프로브 카드6A, 6B Probe Card

10 반송실10 return room

11 제 1 로드 포트11 first load port

12 제 2 로드 포트12 2nd load port

21A, 21B 검사부21A, 21B Inspection Department

29 프로브 침29 probe needle

30 아암30 arms

31 상단 아암31 upper arm

32 중단 아암32 suspended arms

33 하단 아암33 lower arm

36 척부36 chuck

37, 38 광 센서37, 38 light sensor

41 마이크로 카메라41 micro camera

45 마이크로 카메라45 micro camera

71 마이크로 카메라71 micro camera

72 마이크로 카메라 72 micro camera

Claims

The wafer on which a plurality of chips to be inspected are arranged is mounted on a wafer mounting table which is movable in a horizontal direction and a vertical direction by a drive unit for mounting table, and the electrode pad of the chip to be tested is brought into contact with the probe of the probe card. A probe device for performing inspection,

An imaging means for probe imaging, provided on the wafer mount table and having an upward field of view for imaging the probe, and a movable body provided to be movable in a horizontal direction at a height position between the wafer mount table and the probe card;

First imaging means and second imaging means for wafer imaging provided in the movable body, the optical axes of which are separated from each other, and the field of view for imaging the wafer surface is downward;

Moving the wafer mount stage so as to sequentially position the focus of the imaging means for probe imaging, the focus of the first imaging means for wafer imaging, and the focus of the second imaging means, and acquire the position of the wafer mount at each viewpoint. And moving the wafer mount stage to sequentially image the wafer on the wafer mount stage by the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer, and to acquire the position of the wafer mount stage at the time of imaging. Imaging the probe by the imaging means for imaging, and calculating the position of the wafer mount for contacting the wafer and the probe based on the step of acquiring the position of the wafer mount at the time of imaging and the position of the wafer mount acquired at each step. And control means for executing the step group including the step.

Probe device.

The method of claim 1,

The first low magnification camera and the second low magnification camera for wafer imaging, which are provided in the movable body and whose optical axes are separated from each other so that the field of view for imaging the wafer surface is downward and the magnification is lower than that of the first imaging means and the second imaging means. Characterized in that

Probe device.

The method of claim 2,

The pair of optical axis of the first imaging means and the first low magnification camera and the pair of optical axis of the second imaging means and the second low magnification camera are formed symmetrically.

Probe device.

The method of claim 2,

In the step group, the first low magnification camera and the second low magnification camera for imaging the wafer sequentially image two points of the periphery of the wafer on the wafer mounting table, and the spotlight of the first low magnification camera and the second low magnification camera is next. The wafer mounting table is moved so as to be perpendicular to the lines connecting the axes to each other, and two points on the side opposite to the two points on the wafer are sequentially imaged by the first low magnification camera and the second low magnification camera. And obtaining a center position of the wafer on the basis of the position of the wafer mounting table at the time of imaging.

Probe device.

The method of claim 4, wherein

First imaging means and second imaging means for wafer imaging in place of the first low magnification camera and the second low magnification camera for wafer imaging for imaging two points of the peripheral edge of the wafer on the wafer mounting table and two points of the peripheral edge of the opposite side. It is executed by an imaging means,

Probe device.

The method according to claim 1 or 2,

The said step group image | photographs the two specific points spaced apart from each other on the wafer by the 1st imaging means and the 2nd imaging means for wafer imaging, and the wafer is based on the position of the wafer mounting table at the time of each imaging. And rotating the wafer mount table so as to be in a predetermined direction.

Probe device.

The method according to claim 1 or 2,

The first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer are provided on the movable body freely from each other by a drive unit for the imaging means.

Probe device.

The method according to claim 1 or 2,

The said control means is for imaging means so that the space | interval of each other of the optical axis of a 1st imaging means and a 2nd imaging means may become a mutual distance of two specific points on a wafer based on the information corresponding to each kind of wafer. Outputting a control signal for the drive unit of

Probe device.

The wafer on which a plurality of chips to be inspected are arranged is mounted on a wafer mounting table which is movable in a horizontal direction and a vertical direction by a drive unit for mounting table, and the electrode pad of the chip to be tested is brought into contact with the probe of the probe card. In the probing method of performing the inspection,

Imaging means for probe imaging provided in the wafer mounting table and having an upward field of view for imaging the probe;

First imaging means for imaging the wafer, which is provided in a movable body movable in the horizontal direction at a height position between the wafer mounting table and the probe card, the optical axes of which are separated from each other, and the field of view for imaging the wafer surface is downward; Using the second imaging means,

By moving the wafer mounting table, the positions of the focus of the imaging means for probe imaging, the focus of the first imaging means for wafer imaging, and the focus of the second imaging means are sequentially adjusted to acquire the position of the wafer mounting platform at each viewpoint. Fair,

Moving the wafer mount stage to sequentially image the wafer on the wafer mount stage by the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer, and to acquire the position of the wafer mount stage at the time of imaging;

Imaging a probe by an imaging means for probe imaging, and acquiring the position of the wafer mounting stage at the time of imaging;

And calculating a position of the wafer mount for contacting the wafer and the probe based on the position of the wafer mount acquired in each step.

Probing method.

The method of claim 9,

In the step of sequentially imaging the wafer on the wafer mounting table by the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer, the wafer on the wafer mounting table is used by the first imaging means and the second imaging means for wafer imaging. 2 points on the periphery of the film are sequentially photographed, and then the wafer mount table is moved orthogonally to a line connecting the optical axes of the first and second imaging means to each other, and on the opposite side to the two points on the wafer. Imaging the two peripheral points sequentially by the first imaging means and the second imaging means, and obtaining the center position of the wafer based on the position of the wafer mounting base at the time of imaging these four points; doing

Probing method.

The method of claim 9 or 10,

Two specific points spaced apart from each other on the wafer by the first imaging means and the second imaging means for wafer imaging sequentially by the first imaging means for imaging the wafer and the second imaging means And rotating the wafer mount stage so that the wafer is in a predetermined direction based on the position of the wafer mount stage at the time of each imaging.

Probing method.

The method according to claim 9 or 10,

Based on the information corresponding to each type of wafer, the driving unit for the imaging means is arranged such that the separation distance between the optical axes of the first imaging means and the second imaging means for imaging the wafer is the separation distance between the two specific points on the wafer. And adjusting the positions of the first imaging means and the second imaging means.

Probing method.

The wafer on which a plurality of chips to be inspected are arranged is mounted on a wafer mounting table which is movable in a horizontal direction and a vertical direction by a drive unit for mounting table, and the electrode pad of the chip to be tested is brought into contact with the probe of the probe card. In the storage medium which stored the computer program used for the probe apparatus which performs a test,

The computer program is composed of a group of steps for carrying out the probing method according to claim 9 or 10.

Storage media.