KR101016016B1 - Chemical vapor depositon for semiconductor substrate - Google Patents

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Abstract

반도체 기판의 증착 장치가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 기판의 증착 장치는 소스 가스가 공급되어 공정이 수행되는 공간을 제공하는 튜브, 튜브의 외측면을 둘러싸며 가열하는 히팅 챔버, 세로 방향으로 복수의 슬롯을 구비하고 각각의 슬롯에 기판을 안착시키는 보트 및 세로 방향으로 복수의 분사구가 형성되며, 튜브 내에 설치되어 복수의 분사구를 통해 보트에 안착된 기판을 향하여 소스 가스를 분사하는 인젝터를 포함하는데, 복수의 분사구는 위치에 따라 분사구의 크기 상기 분사구 사이의 간격이 다르도록 형성된다. An apparatus for depositing a semiconductor substrate is provided. An apparatus for depositing a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention includes a tube for providing a space where a source gas is supplied to perform a process, a heating chamber for heating the outer surface of the tube, and a plurality of slots in a vertical direction, respectively. And a plurality of nozzles are formed in the longitudinal direction and the boat seating the substrate in the slot of the injector is installed in the tube to inject the source gas toward the substrate seated on the boat through the plurality of nozzles, the plurality of nozzles are located According to the size of the injection hole is formed so that the interval between the injection hole is different.

반도체, 기판, 증착, 보트 Semiconductor, substrate, deposition, boat

Description

반도체 기판의 증착 장치{Chemical vapor depositon for semiconductor substrate}Chemical vapor deposition device for semiconductor substrate

본 발명은 반도체 기판의 증착 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 퍼니스(furnace) 안에 있는 다수의 기판에 대하여 인젝터를 이용하여 화학 물질을 증착시키는 반도체 기판의 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus for a semiconductor substrate, and more particularly, to a deposition apparatus for a semiconductor substrate for depositing a chemical substance using an injector for a plurality of substrates in a furnace.

현대 사회에서 널리 사용되는 반도체 소자는 산화 실리콘에서 고순도의 실리콘을 추출하여 웨이퍼를 만드는 과정, 웨이퍼의 전체 표면에 막을 형성하고 필요한 부분을 제거하며 패턴을 형성하는 과정, 형성된 패턴에 따라 불순물 이온을 도핑하여 전기적 활성 영역을 형성하는 과정, 절연막 등의 필요한 막을 증착하고 활성역역을 금속 배선을 통하여 전기적으로 연결하는 과정 등의 복잡한 과정을 거쳐서 만들어지게 된다. The semiconductor device widely used in the modern society is a process of extracting high purity silicon from silicon oxide to make a wafer, forming a film on the entire surface of the wafer, removing a necessary portion, forming a pattern, and doping impurity ions according to the formed pattern. Therefore, the process is performed through a complicated process of forming an electrically active region, depositing a necessary film such as an insulating layer, and electrically connecting an active region through metal wiring.

위와 같은 일련의 공정을 위해서 다양한 장비가 사용되는데, 웨이퍼를 고온에서 가열하여 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 막(예를 들어, 산화막)을 증착시키는 퍼니스(furnace)가 있다.A variety of equipment is used for this series of processes, there is a furnace that heats the wafer at a high temperature to deposit a thin, uniform film (eg, an oxide film) on the wafer surface.

퍼니스의 내부에는 다수의 기판이 정렬되는 보트가 위치하고, 인젝터를 통해 공정 가스를 분사하여 고온의 환경에서 증착이 이루어지는데, 온도가 높기 때문에 공정 가스의 흐름이 증착막의 균일도에 크게 영향을 미친다. 종래에는 보트 내부에 복수로 정렬되는 각각의 기판에 대하여 증착막의 균일도가 일정하지 못하다는 문제점이 있었다. In the furnace, a boat in which a plurality of substrates are arranged is located, and a process gas is injected through an injector to deposit the gas in a high temperature environment. Since the temperature is high, the flow of the process gas greatly affects the uniformity of the deposited film. Conventionally, there is a problem that the uniformity of the deposited film is not constant for each substrate arranged in a plurality in the boat.

본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 인젝터에 형성된 복수의 분사구의 형상을 조정하여 보트 내 각각의 기판에 대하여 증착막의 균일도를 향상시키는 반도체 기판의 증착 장치를 제공하는 것이다.The present invention is designed to solve the above problems, and an object of the present invention is to adjust the shape of the plurality of injection holes formed in the injector to improve the uniformity of the deposition film for each substrate in the boat to the deposition apparatus of the semiconductor substrate. To provide.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 기판의 증착 장치는 소스 가스가 공급되어 공정이 수행되는 공간을 제공하는 튜브; 상기 튜브의 외측면을 둘러싸며 가열하는 히팅 챔버; 세로 방향으로 복수의 슬롯을 구비하고 각각의 슬롯에 기판을 안착시키는 보트; 및 세로 방향으로 복수의 분사구가 형성되며, 상기 튜브 내에 설치되어 상기 복수의 분사구를 통해 상기 보트에 안착된 기판을 향하여 상기 소스 가스를 분사하는 인젝터를 포함하는데, 상기 복수의 분사구는 위치에 따라 상기 분사구의 크기 또는 상기 분사구 사이의 간격이 다르도록 형성된다. In order to achieve the above object, the deposition apparatus of a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention is a tube for supplying a source gas to provide a space in which the process is performed; A heating chamber surrounding and heating the outer surface of the tube; A boat having a plurality of slots in a longitudinal direction and for seating a substrate in each slot; And an injector having a plurality of injection holes formed in the longitudinal direction and installed in the tube and injecting the source gas toward the substrate seated on the boat through the plurality of injection holes, wherein the plurality of injection holes are located in accordance with the position. The size of the injection holes or the spacing between the injection holes are formed to be different.

상기한 바와 같은 본 발명의 반도체 기판의 증착 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다. According to the deposition apparatus of the semiconductor substrate of the present invention as described above has one or more of the following effects.

첫째, 인젝터에 형성된 분사구의 위치에 따라서 분사되는 양을 다르게 제어함으로써 보트에 안착된 복수의 기판에 대하여 균일하게 증착막을 형성할 수 있다는 장점이 있다. First, there is an advantage that the deposition film can be uniformly formed on a plurality of substrates seated on the boat by controlling the amount of sprayed differently according to the position of the injection hole formed in the injector.

둘째, 고농도의 오존을 이용하여 막특징을 향상시킬 수 있다는 장점도 있다. Second, there is an advantage that can improve the membrane characteristics by using a high concentration of ozone.

실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of the embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다 Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 반도체 기판의 증착 장치를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for describing a deposition apparatus of a semiconductor substrate according to embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 증착 장치를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터에 형성된 분사구를 도시한 도면이며, 도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 인젝터에 형성된 분사구를 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 보트의 일부를 도시한 도면이다. 1 is a cross-sectional view showing a deposition apparatus of a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing the injection hole formed in the injector according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is another embodiment of the present invention 4 is a view showing the injection hole formed in the injector according to an embodiment, Figure 4 is a view showing a portion of the boat according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 증착 장치는 튜브(120), 히팅 챔버(110), 보트(140), 및 인젝터(130)를 포함하여 구성될 수가 있다. The deposition apparatus of the semiconductor substrate according to the exemplary embodiment of the present invention may include a tube 120, a heating chamber 110, a boat 140, and an injector 130.

튜브(120)는 인젝터(130)로부터 분사되는 소스 가스를 이용하여 증착 공정이 이루어지는 실질적인 공간을 제공한다. 튜브(120)는 히팅 챔버(110)에 의해 감싸져서 히팅 챔버(110)에 의해 가해지는 열로 인하여 내부를 고온의 상태로 유지시킨다. 튜브(120)의 일측에는 공정 후 잔류 가스를 배출하는 배기구(125)가 형성될 수가 있다. The tube 120 provides a substantial space in which the deposition process takes place using the source gas injected from the injector 130. The tube 120 is wrapped by the heating chamber 110 to keep the interior at a high temperature due to the heat applied by the heating chamber 110. On one side of the tube 120, an exhaust port 125 for discharging residual gas after the process may be formed.

히팅 챔버(110)는 튜브(120)의 외측면을 둘러싸며 고온의 공정 온도로 가열시키는 역할을 한다. 히팅 챔버(110)의 내부에는 둘레를 따라 열선(115)이 구비되어 히팅 챔버(110) 내부를 가열시킬 수가 있다. The heating chamber 110 surrounds the outer surface of the tube 120 and serves to heat to a high process temperature. The heating wire 110 may be provided in the heating chamber 110 along the circumference to heat the inside of the heating chamber 110.

튜브(120)의 내측에는 튜부(120)의 중앙에 위치하는 보트(140)에 안착된 복수의 기판(200)을 향하여 소스 가스를 분사하는 인젝터(130)가 형성된다. An injector 130 is formed inside the tube 120 to inject the source gas toward the plurality of substrates 200 mounted on the boat 140 positioned in the center of the tub 120.

인젝터(130)는 외부로부터 연결되는 분배관(135)을 통해 소스 가스를 공급 받아 인젝터(130)에 형성된 복수의 분사구(132)를 이용하여 소스 가스를 튜브(120) 내부로 분사시킨다. 보다 자세히는 인젝터(130)는 세로 방향으로 긴 형상인데, 아래에 연결되는 분배관(135)을 통해 소스 가스가 공급 되어 인젝터(130)를 따라 수직으로 상승하면서 세로 방향을 따라 형성된 복수의 분사구(132)를 통해 튜브(120) 내부에 있는 기판(200)을 향하여 소스 가스를 분사시킨다. The injector 130 receives the source gas through the distribution pipe 135 connected from the outside and injects the source gas into the tube 120 using the plurality of injection holes 132 formed in the injector 130. More specifically, the injector 130 has a long shape in the longitudinal direction, the source gas is supplied through the distribution pipe 135 connected to the bottom ascending vertically along the injector 130, a plurality of injection holes formed along the longitudinal direction ( The source gas is injected toward the substrate 200 inside the tube 120 through 132.

이러한 인젝터(130)는 기판(200)의 둘레를 따라 복수개 형성될 수가 있다. 도 1에서는 3 개의 인젝터(130a, 130b, 130c)가 도시되어 있는데, 이에 한정되지 않고 더욱 많은 개수의 인젝터(130)가 기판(200)의 둘레를 따라 일정한 간격으로 형성될 수 있음은 물론이다. The injector 130 may be formed in plural along the circumference of the substrate 200. In FIG. 1, three injectors 130a, 130b, and 130c are illustrated, but a number of injectors 130 may be formed at regular intervals along the periphery of the substrate 200.

이때, 분배관(135)을 통해 아래에서 공급된 소스 가스는 인젝터(130)를 따라 상승하면서 인젝터(130)에 형성된 분사구(132)을 통해 튜브(120) 내부로 분사되는데, 위로 갈수록 압력이 떨어져서 분사구(132)를 통해 분사되는 소스 가스의 양이 작아지게 된다. 따라서, 본 발명에서는 위로 갈수록 분사되는 소스 가스의 양이 작아지는 문제점을 해결하기 위해, 인젝터(130)에 형성된 복수의 분사구(132)의 크기와 분사구(132) 사이의 간격이 다르도록 형성한다. At this time, the source gas supplied from below through the distribution pipe 135 is injected along the injector 130 and injected into the tube 120 through the injection hole 132 formed in the injector 130, and the pressure drops upward. The amount of source gas injected through the injection hole 132 is reduced. Therefore, in the present invention, in order to solve the problem that the amount of the source gas injected upward becomes smaller, the sizes of the plurality of injection holes 132 formed in the injector 130 and the interval between the injection holes 132 are formed to be different.

보다 자세히는 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 세로 방향으로 길게 형성된 인젝터(130)에 대하여, 위쪽으로 갈수록 분사구(132) 사이의 간격이 좁아지도록 형성될 수가 있다. 위로 갈수록 압력이 낮아져 각각의 분사구(132)를 통해 분사되는 소스 가스의 양이 작아지나, 도 2에서와 같이 위로 갈수록 분사구(132) 사이의 간격을 좁게 함으로써 단위 면적당 더 많은 개수의 분사구(132)가 형성되게 함으로써 위로 갈수록 분사되는 소스 가스의 양이 작아지는 문제점을 해결할 수가 있다. More specifically, as shown in FIG. 2, the injector 130 formed in the longitudinal direction may be formed such that the interval between the injection holes 132 is narrowed upward. The higher the pressure, the lower the amount of source gas injected through each of the injection holes 132, but as shown in FIG. 2, the larger the number of injection holes 132 per unit area by narrowing the interval between the injection holes 132. It is possible to solve the problem that the amount of the source gas injected toward the upper side is made smaller.

또한, 도 3에 도시되어 있는 것과 같이 세로 방향으로 길게 형성된 인젝터(130)에 대하여, 위쪽으로 갈수록 분사구(132)의 크기가 커지도록 형성할 수가 있다. 위로 갈수록 압력이 낮아지기 때문에 동일한 크기의 분사구(132)를 통해서는 위로 갈수록 분사되는 소스 가스의 양이 작아지나, 도 3에서와 같이 위로 갈수록 분사구(132)의 크기를 커지도록 함으로써 분사되는 단면적을 크게 함으로써 위로 갈수록 분사되는 소스 가스의 양이 작아지는 문제점을 해결할 수가 있다. In addition, as shown in FIG. 3, the injector 130 formed in the longitudinal direction may be formed such that the size of the injection hole 132 increases in the upward direction. Since the pressure decreases upward, the amount of source gas injected decreases upward through the injection hole 132 of the same size. However, as shown in FIG. 3, the size of the injection hole is increased by increasing the size of the injection hole 132 upward. By doing so, it is possible to solve the problem that the amount of the source gas to be injected upward becomes small.

도 2와 도 3을 함께 적용하여 인젝터(130)의 세로 방향으로 위로 갈수록 분사구(132) 사이의 간격이 좁아짐과 동시에 각각의 분사구(132)의 크기는 커지도록 형성할 수도 있다.2 and 3 together may be formed such that the interval between the injection holes 132 becomes narrower and the size of each injection hole 132 increases as the vertical direction of the injector 130 increases.

도 2 및 도 3은 인젝터(130)에 형성된 분사구(132)의 형상을 개념적으로 설명하기 위한 것으로 실제로는 더욱 많은 개수의 분사구(132)가 더욱 촘촘한 간격으로 형성될 수가 있다. 2 and 3 are for conceptually explaining the shape of the injection hole 132 formed in the injector 130, in practice, a larger number of injection holes 132 may be formed at a more precise interval.

보트(140)는 튜브(120) 내부의 중앙에 형성되어 복수의 기판(200)을 안착시킨다. 도 1 및 도 4에 도시되어 있는 것과 같이 보트(140)의 지지대(142)에 복수개의 슬롯(144)이 세로 방향으로 각가 형성되는데, 각 층의 슬롯(144)에 기판(200)을 안착시킬 수가 있다. 따라서, 세로 방향으로 형성된 슬롯(144)을 따라 복수개의 기판(200)을 안착시킬 수가 있다. The boat 140 is formed in the center of the tube 120 to seat the plurality of substrates 200. As shown in FIGS. 1 and 4, a plurality of slots 144 are formed in the vertical direction in the support 142 of the boat 140, and the substrate 200 may be seated in the slots 144 of each layer. There is a number. Accordingly, the plurality of substrates 200 may be seated along the slots 144 formed in the vertical direction.

보트(140)가 튜브(120) 내부로 들어오면 받침대(미도시) 위에 안착될 수 있는데, 본 발명에서 보트(140)는 공정 중에 회전할 수가 있다. 즉, 회전하는 받침대 위에 보트(140)를 고정시킴으로써 받침대(미도시)의 회전으로 보트(140)를 회전시킬 수가 있다. 보트(140)가 회전함에 따라 보트(140)에 안착된 기판(200)이 회전하므로 기판(200)의 주위에 둘러싸도록 일정한 간격으로 형성된 복수의 인젝터(130)에 대하여 분사되는 소스 가스가 균일하게 기판(200)에 도달하도록 할 수가 있다. 따라서, 증착막의 균일도를 향상시킬 수가 있다. 바람직하게는 분당 1도~2도의 속도로 보트(140)를 회전시킬 수가 있다. When the boat 140 enters the tube 120, the boat 140 may be seated on a pedestal (not shown). In the present invention, the boat 140 may rotate during the process. That is, by fixing the boat 140 on the rotating pedestal, the boat 140 can be rotated by the rotation of the pedestal (not shown). As the boat 140 rotates, the substrate 200 seated on the boat 140 rotates, so that source gas injected against the plurality of injectors 130 formed at regular intervals to surround the substrate 200 uniformly. It is possible to reach the substrate 200. Therefore, the uniformity of a vapor deposition film can be improved. Preferably, the boat 140 can be rotated at a speed of 1 to 2 degrees per minute.

또한, 도 4에 도시되어 있는 것과 같이 본 발명에서는 보트(140)에 안착된 이웃하는 기판(200) 사이의 거리를 D라고 하고, 보트(140)에서 복수의 슬롯(144)을 지지하는 지지대(142)와 슬롯(144)에 안착된 기판(200) 사이의 거리를 L이라고 하였을 때, D ≥ 2L의 관계식을 만족하도록 보트(140)가 형성될 수가 있다. 보트(140)에는 수십에서 수백개의 기판(200)이 적재되어 증착이 이루어지는데, 상기 조건식을 만족하면 증착막의 균일도가 향상된다. In addition, as shown in FIG. 4, in the present invention, a distance between neighboring substrates 200 seated on the boat 140 is referred to as D, and a support for supporting the plurality of slots 144 in the boat 140 is provided. When the distance between 142 and the substrate 200 seated in the slot 144 is L, the boat 140 may be formed to satisfy a relational expression of D ≧ 2L. The boat 140 is loaded with dozens or hundreds of substrates 200, and if the above conditions are met, the uniformity of the deposited film is improved.

또한, 본 발명에서 보트(140)의 석영이나 SiC의 재질로 형성될 수가 있다. In addition, in the present invention, the boat 140 may be formed of quartz or SiC.

산화막을 증착시킬 경우에는 공정 가스로 SiH4, TEOS, DMTMDSO, HMDSO 등이 사용될 수가 있다. 이때, B나 P 등을 주입시켜 도핑된 산화막을 증착시킬 수 있음은 물론이다. 또한, 소스 가스를 공급할 때 캐리어(carrier) 가스로 아르곤(Ar)이나 헬률(He) 가스가 사용될 수가 있다. When the oxide film is deposited, SiH4, TEOS, DMTMDSO, HMDSO, or the like may be used as the process gas. In this case, the doped oxide film may be deposited by injecting B, P, or the like. In addition, argon (Ar) or helium (He) gas may be used as a carrier gas when supplying a source gas.

또한, 본 발명에서는 소스 가스를 산화시키기 위해 고농도의 오존(O3)이 분사될 수 있는데, 바람직하게는 농도가 40% 이상의 고농도 오존을 이용할 수가 있다. 고농도의 오존을 이용하여 소스 가스를 산화시킴으로써, 산화의 효율을 높일 수가 있고, 동시에 막질을 향상시킬 수 있다. In addition, in the present invention, a high concentration of ozone (O 3 ) may be injected to oxidize the source gas. Preferably, a high concentration of ozone of 40% or more may be used. By oxidizing the source gas using a high concentration of ozone, the efficiency of oxidation can be improved and at the same time the film quality can be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구 의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are included in the scope of the present invention. Should be interpreted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 증착 장치를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for depositing a semiconductor substrate in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인젝터에 형성된 분사구를 도시한 도면이다. 2 is a view showing the injection hole formed in the injector according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 인젝터에 형성된 분사구를 도시한 도면이다. 3 is a view showing the injection hole formed in the injector according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 보트의 일부를 도시한 도면이다. 4 is a view showing a portion of a boat according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110: 히팅 챔버110: heating chamber

120: 튜브120: tube

130: 인젝터130: injector

132: 분사구132: nozzle

140: 보트140: boat

144: 슬롯144: slot

Claims (6)

소스 가스가 공급되어 공정이 수행되는 공간을 제공하는 튜브;A tube supplied with a source gas to provide a space in which the process is performed; 상기 튜브의 외측면을 둘러싸며 가열하는 히팅 챔버;A heating chamber surrounding and heating the outer surface of the tube; 세로 방향으로 복수의 슬롯을 구비하고 각각의 슬롯에 기판을 안착시키는 보트; 및A boat having a plurality of slots in a longitudinal direction and for seating a substrate in each slot; And 세로 방향으로 복수의 분사구가 형성되며, 상기 튜브 내에 설치되어 상기 복수의 분사구를 통해 상기 보트에 안착된 기판을 향하여 상기 소스 가스를 분사하는 인젝터를 포함하는데, A plurality of injection holes are formed in the longitudinal direction, and includes an injector installed in the tube to inject the source gas toward the substrate seated on the boat through the plurality of injection holes, 상기 복수의 분사구는 위치에 따라 상기 분사구의 크기 또는 상기 분사구 사이의 간격이 다르도록 형성된 반도체 기판의 증착 장치. And the plurality of injection holes are formed such that the size of the injection holes or the interval between the injection holes is different according to a position. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 분사구는 위쪽으로 갈수록 상기 분사구의 크기가 커지도록 형성된 반도체 기판의 증착 장치.And the plurality of injection holes are formed such that the size of the injection holes becomes larger toward the top. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 분사구는 위쪽으로 갈수록 상기 분사구 사이의 간격이 좁아지도록 형성된 반도체 기판의 증착 장치. And the plurality of injection holes are formed such that an interval between the injection holes becomes narrower toward the top thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보트에 안착된 기판 사이의 거리를 D라고 하고, 상기 보트에서 복수의 슬롯을 지지하는 지지대와 상기 슬롯에 안착된 기판 사이의 간격을 L이라고 하였을 때, D ≥ 2L의 관계식을 만족하는 반도체 기판의 증착 장치. When the distance between the substrate seated in the boat is D, and the distance between the support for supporting a plurality of slots in the boat and the substrate seated in the slot is L, the semiconductor substrate satisfies the relation of D? Deposition apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판에 산화막을 형성하기 위해 상기 소스 가스는 SiH4, TEOS DMTMDSO, HMDSO 중 어느 하나를 사용하고, 산화 촉진제로 농도가 40%이상의 오존(O3)을 이용하는 반도체 기판의 증착 장치. The source gas is any one of SiH 4 , TEOS DMTMDSO, HMDSO to form an oxide film on the substrate, and the deposition apparatus of the semiconductor substrate using a concentration of 40% or more ozone (O 3 ) as an oxidation promoter. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보트는 회전이 가능한 반도체 기판의 증착 장치. The boat is a vapor deposition apparatus of the semiconductor substrate capable of rotating.
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