KR101002484B1 - 포토레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

포토레지스트 패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101002484B1
KR101002484B1 KR1020090005083A KR20090005083A KR101002484B1 KR 101002484 B1 KR101002484 B1 KR 101002484B1 KR 1020090005083 A KR1020090005083 A KR 1020090005083A KR 20090005083 A KR20090005083 A KR 20090005083A KR 101002484 B1 KR101002484 B1 KR 101002484B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
photoresist
molecules
photoresist film
photoresist pattern
Prior art date
Application number
KR1020090005083A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100085671A (ko
Inventor
심귀황
정우영
송필근
김정선
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020090005083A priority Critical patent/KR101002484B1/ko
Publication of KR20100085671A publication Critical patent/KR20100085671A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101002484B1 publication Critical patent/KR101002484B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 포토레지스트 패턴의 선폭을 균일하게 형성할 수 있는 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법은 스핀 코팅 공정을 실시하여 반도체 기판 상에 타원형 분자들로 구성된 포토레지스트막을 형성하는 단계, 타원형 분자의 배열을 반도체 기판에 대해 수직이 되도록 변경하는 단계, 포토레지스트막을 대상으로 노광 공정 및 베이크 공정을 실시하는 단계, 및 포토레지스트막을 현상하는 단계를 포함한다.
shear thinning, 포토레지스트 패턴, 거칠기(roughness), 분자 배열

Description

포토레지스트 패턴 형성방법{Method for forming photoresist patterns}
본 발명은 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 포토레지스트 패턴의 선폭을 균일하게 형성할 수 있는 포토레지스트 패턴 형성방법에 관한 것이다.
통상적인 반도체 소자의 패턴 형성 공정에서는 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각 대상막을 식각함으로써 반도체 소자의 패턴을 형성한다. 이에 따라 포토레지스트 패턴의 균일도에 따라 반도체 소자를 구성하는 패턴의 균일도가 결정된다.
도 1은 종래 방식에 따라 형성된 포토레지스트 패턴을 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 포토레지스트 패턴(13a)은 식각 대상막이 형성된 반도체 기판(11)의 상부에 형성된다. 이하, 포토레지스트 패턴(13a)의 형성방법에 대해 보다 상세히 한다.
먼저, 소정의 식각 대상막(예를 들어, 실리콘막, 절연막, 또는 도전막)이 형 성된 반도체 기판(11)의 상부에 스핀 코팅 방식을 이용하여 포토레지스트막을 형성한다. 이 후, 노광 공정을 실시하여 포토레지스트막 내부에 산(H+)을 발생시키고, 포토레지스트막을 비노광부와 노광부로 구분한다. 이어서 베이크(bake) 공정을 실시하면 산이 확산되어 포토레지스트막의 고분자 화합물과 반응한다. 산과 반응한 고분자 화합물은 극성이 변하여 노광부와 비노광부가 현상액에 대해 서로 다른 용해도를 갖게 한다. 이 후, 현상 공정을 실시하면 현상액에 의해 노광부 또는 비노광부가 제거된다. 예를 들어 포토레지스트막이 네가티브인 경우 노광부가 제거될 것이고, 포토레지스트막이 포지티브인 경우 비노광부가 제거될 것이다. 이러한 현상 공정 실시 후 잔여하는 포토레지스트막이 포토레지스트 패턴(13a)이 된다.
반도체 소자의 패턴을 균일하게 형성하기 위해서는 상술한 공정을 통해 형성되는 포토레지스트 패턴(13a)을 균일하게 형성해야 한다. 그러나 일반적으로 포토레지스트 패턴(13a)의 측벽은 균일하게 형성되지 못하고 울퉁불퉁하게 형성되므로 포토레지스트 패턴(13a)의 선폭이 위치마다 달라지게 된다. 그 결과, 선폭이 균일하지 못한 포토레지스트 패턴(13a)을 이용하여 형성된 반도체 소자의 패턴의 선폭 또한 균일하게 형성되지 못한다.
본 발명은 포토레지스트 패턴의 선폭을 균일하게 형성할 수 있는 포토레지스트 패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법은 스핀 코팅 공정을 실시하여 반도체 기판 상에 타원형 분자들로 구성된 포토레지스트막을 형성하는 단계, 타원형 분자의 배열을 반도체 기판에 대해 수직이 되도록 변경하는 단계, 포토레지스트막을 대상으로 노광 공정 및 베이크 공정을 실시하는 단계, 및 포토레지스트막을 현상하는 단계를 포함한다.
포토레지스트막은 전단율(shear rate)이 증가함에 따라 점도가 감소하는 비뉴턴 유체를 이용하여 형성한다.
포토레지스트막을 형성하는 단계에서, 타원형 분자들은 반도체 기판에 대해 나란하게 배열된다.
타원형 분자의 배열을 반도체 기판에 대해 수직이 되도록 변경하는 단계는 타원형 분자의 양단이 서로 다른 극성을 띄도록 하는 단계, 포토레지스트막을 포함한 반도체 기판을 제1 전극 및 제2 전극 사이에 두고 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하여 반도체 기판에 대해 수직한 전계를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 포토레지스트 패턴의 분자 배열 구조를 반도체 기판에 대해 수직한 방향이 되도록 변경함으로써 포토레지스트 패턴의 측벽 균일도를 개선할 수 있다. 이로써 본 발명은 포토레지스트 패턴의 선폭을 균일하게 형성할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
한편, 어떤 막이 다른 막 또는 반도체 기판의 '상'에 있다라고 기재되는 경우에 상기 어떤 막은 상기 다른 막 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는 그 사이에 제3의 막이 개재되어질 수도 있다. 또한 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 식각 대상막이 형성된 반도체 기판(201)의 상부에 포토레 지스트막(203)을 형성한다. 포토레지스트막(203)은 포토레지스트 물질을 스핀(spin) 방식으로 코팅하여 형성된다.
포토레지스트 물질은 폴리머(polymer)이며, 포토레지스트 물질을 구성하는 분자(202)들은 비뉴턴 유체(Non newtonian fluid) 중 "shear thinning"의 거동을 보이는 것을 이용하는 것이 바람직하다. "shear thinning"의 거동을 보이는 비뉴턴 유체는 전단 응력(shear stress)을 받아 마찰을 최소화하기 위하여 전단(shear) 방향과 나란하게 나열됨으로써 전단율(=층밀리기율)(shear rate)가 증가함에 따라 점도가 감소하는 유체이다.
상술한 바와 같이 "shear thinning"의 거동을 보이는 분자(202)들은 스핀 코팅 공정시 반도체 기판(201)에 나란하게 배열된 장축을 가지는 타원형이 된다. 이에 따라 스핀 코팅 방식으로 "shear thinning"의 거동을 보이는 포토레지트 물질을 코팅하여 형성된 포토레지스트막(203)의 분자(202)들은 타원형이 되므로 촘촘히 쌓일 수 있어서 자유 용적(free volume)이 감소하게 된다. 즉, "shear thinning"의 거동을 보이는 포토레지트 물질을 이용하여 포토레지스트막(203)을 형성하게 되면 분자(202)들 간의 틈이 감소하게 된다. 따라서, "shear thinning"의 거동을 보이는 포토레지스트 물질을 이용하여 포토레지스트막(203)을 형성하게 되면, PED(Post Expose Delay)에 강한 포토레지스트막(203)을 형성할 수 있다.
PED는 후속 노광 공정 후 베이크 공정 전까지의 지연시간으로서, PED가 길어지면 외부로부터 발생한 아민 등의 불순물이 포토레지스트막(203)의 내부로 침투할 수 있다. 포토레지스트막(203) 내부로 침투한 아민은 후속 베이크 공정 진행시 산(H+)의 확산을 방해하여 포토레지스트 패턴의 형태를 손상시키는 원인이 된다. 본 발명에서는 상술한 바와 같이 "shear thinning"의 거동을 보이는 포토레지스트 물질을 이용하여 포토레지스트막(203)을 형성하므로 분자(202)들 간의 틈이 감소하게 되어 아민의 침투가 어려지므로 PED에 강한 포토레지스트막(203)을 형성할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 스핀 코팅 공정 후 타원형을 띄는 분자(202)들의 장축이 반도체 기판(201)에 대해 수직하게 포토레지스트막(203)의 분자 배열 구조를 변경한다. 포토레지스트막(203)의 분자 배열 구조를 변경하는 것은 후속 공정에서 형성되는 포토레지스트 패턴 측벽의 거칠기(roughness)를 개선하기 위함이다. 이하, 포토레지스트막(203)의 분자 배열 구조를 변경하는 방법에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
먼저 정전기 유도 현상을 이용하여 타원형을 띄는 분자(202)들의 양단이 서로 다른 극성을 띄게 한다. 이 후, 포토레지스트막(203)이 형성된 반도체 기판(201)을 사이에 두고 배치된 제1 전극(205) 및 제2 전극(207)에 전압을 가하여 반도체 기판(201)에 대해 수직한 전계(209)가 형성되도록 한다. 이로써, 양단이 서로 다른 극성을 띄는 타원형 분자(202)들의 장축은 수직 전계(209)에 나란하게 배열된다.
도 2c를 참조하면, 노광 마스크(250)를 이용한 노광 공정을 실시하여 포토레지스트막(203)을 비노광부(203a)와 노광부(203b)로 구분한다. 이 후, 베이크(bake) 공정을 실시하여 비노광부(203a)와 노광부(203b)가 현상액에 대해 서로 다른 용해도를 갖게 한다.
노광 마스크(250)는 투광 기판(251) 상에 형성된 차광 패턴(253)을 포함한다. 이에 따라 포토레지스트막(203)이 형성된 반도체 기판(201)의 상부에 노광 마스크(250)를 배치한 후 ArF, KrF등의 광원을 이용하여 노광 공정을 실시하면 차광 패턴(253)에 대응되는 포토레지스트막(203)의 영역은 비노광부(203a)가 되고, 나머지는 노광부(203b)가 된다.
도 2d를 참조하면, 현상액을 이용한 현상 공정을 실시한다. 포토레지스트막이 네가티브형인 경우 노광부(203b)가 제거되고 비노광부(203a)가 남아 포토레지스트 패턴이 된다. 본 발명에서는 도 2b에서 상술한 바와 같이 포토레지스트 패턴 을 구성하는 타원형 분자(202)들의 배열 구조를 반도체 기판(201)에 대해 수직하게 변경하였으므로 포토레지스트 패턴(즉, 비노광부(203a)) 측벽의 거칠기(roughness)가 개선되어 종래보다 평탄하게 형성될 수 있다.
도 3은 종래의 방식으로 포토레지스트 패턴을 형성한 경우 포토레지스트 패턴을 설명하기 위한 도면이다. 도 3을 참조하면, 스핀 코팅 후 포토레지스트막의 분자 배열 구조를 변경하지 않고 노광 공정 및 베이킹 공정을 실시함으로써 반도체 기판(301)의 상부에 형성된 포토레지스트 패턴(303a)의 타원형 분자(202)들이 반도체 기판(301)에 대해 나란하게 배열된다. 즉, 타원형 분자(202)들의 장축이 반도체 기판(301)에 대해 나란하게 배열된다. 이 경우, 포토레지스트 패턴(303a)의 측벽의 거칠기가 커져서 포토레지스트 패턴(303a)의 선폭을 균일하게 형성하기 어렵다.
반면, 도 2d에 도시된 본 발명에서는 타원형 분자(202)들의 장축이 반도체 기판(201)에 대해 수직하게 배열된 경우 포토레지스트 패턴(203a)은 도 3에 도시된 종래에 비해 그 측벽이 평탄하게 형성되어 포토레지스트 패턴(203a)의 선폭을 균일하게 제어할 수 있다. 이와 같이 균일한 선폭의 포토레지스트 패턴(203a)을 이용하여 식각 대상막을 식각하면 균일한 선폭의 패턴을 형성할 수 있으므로 본 발명을 적용하여 반도체 소자의 패턴을 형성하면, 반도체 소자의 패턴 균일도를 개선할 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 포토레지스트 패턴을 나타내는 도면.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성방법을 설명하기 위한 도면들.
도 3은 종래 방식에 따라 형성된 포토레지스트 패턴을 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
201, 301 : 반도체 기판 202 : 타원형 분자
203 : 포토레지스트막 203a, 303a : 포토레지스트 패턴
205 : 제1 전극 207 : 제2 전극
209 : 수직 전계 250 : 노광 마스크
251 : 투광 기판 253 : 차광 패턴

Claims (4)

  1. 스핀 코팅 공정을 실시하여 반도체 기판 상에 타원형 분자들로 구성된 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 타원형 분자의 배열을 상기 반도체 기판에 대해 수직이 되도록 변경하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 대상으로 노광 공정 및 베이크 공정을 실시하는 단계; 및
    상기 포토레지스트막을 현상하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트막은 전단율(shear rate)이 증가함에 따라 점도가 감소하는 비뉴턴 유체를 이용하여 형성하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트막을 형성하는 단계에서, 상기 타원형 분자들은 상기 반도체 기판에 대해 나란하게 배열된 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 타원형 분자의 배열을 상기 반도체 기판에 대해 수직이 되도록 변경하는 단계는
    상기 타원형 분자의 양단이 서로 다른 극성을 띄도록 하는 단계; 및
    상기 포토레지스트막을 포함한 상기 반도체 기판을 제1 전극 및 제2 전극 사이에 두고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 가하여 상기 반도체 기판에 대해 수직한 전계를 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
KR1020090005083A 2009-01-21 2009-01-21 포토레지스트 패턴 형성방법 KR101002484B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090005083A KR101002484B1 (ko) 2009-01-21 2009-01-21 포토레지스트 패턴 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090005083A KR101002484B1 (ko) 2009-01-21 2009-01-21 포토레지스트 패턴 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100085671A KR20100085671A (ko) 2010-07-29
KR101002484B1 true KR101002484B1 (ko) 2010-12-17

Family

ID=42644553

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090005083A KR101002484B1 (ko) 2009-01-21 2009-01-21 포토레지스트 패턴 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101002484B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000010119A (ja) 1998-06-23 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置および該装置に用いるアレイ基板の製法
JP2002064059A (ja) 2000-06-30 2002-02-28 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子の微細パターンの形成方法
JP2010188493A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Toppan Printing Co Ltd ナノ炭素材料複合基板、電子放出素子、ナノ炭素材料複合基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000010119A (ja) 1998-06-23 2000-01-14 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置および該装置に用いるアレイ基板の製法
JP2002064059A (ja) 2000-06-30 2002-02-28 Hynix Semiconductor Inc 半導体素子の微細パターンの形成方法
JP2010188493A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Toppan Printing Co Ltd ナノ炭素材料複合基板、電子放出素子、ナノ炭素材料複合基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100085671A (ko) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2530720B1 (en) Manufacture methods of thin film transistor and array substrate and mask
US9000064B2 (en) Composition for forming pattern and in-plane printing method using the same
CN104166315B (zh) 曝光方法及曝光机
US20160343746A1 (en) Doping method and doping apparatus of array substrate
US9087875B2 (en) Pattern formation method for manufacturing semiconductor device using phase-separating self-assembling material
US10204802B2 (en) Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device
US8721905B2 (en) Method for forming minute pattern and method for forming minute pattern mask
CN108269736B (zh) 通过光阻剥离实现电极层图案化的方法
WO2020006831A1 (zh) 一种阵列基板及其制作方法
KR101015613B1 (ko) 투명기판상 금속박막 패턴 형성방법
CN104570593A (zh) 涂层材料的光刻方法
US20150346603A1 (en) Method of removing photoresist, exposure apparatus and method of manufacturing display substrate
TW531794B (en) Thin film transistor, method for manufacturing the same and display device including the same
US10578927B2 (en) Method for manufacturing spacers and method for manufacturing display substrate
KR101002484B1 (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법
US11569275B2 (en) Array substrate, method for preparing the same, and display device
KR20150109169A (ko) 신축성 기판 및 그 제조 방법
US20160268444A1 (en) Self-aligned metal oxide thin film transistor and method of making same
JPH07209853A (ja) 位相反転マスクの製造方法
CN105161454A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
US9733569B2 (en) Mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a display panel using the same
CN113130383B (zh) 一种半导体结构及其制作方法
CN107731679B (zh) 显示面板的制造方法、显示面板和显示装置
KR101211735B1 (ko) 액정표시장치용 고정세 인쇄판 및 그의 제조 방법
CN108231796B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee