KR101001150B1 - 나노 소재 형성 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title abstract description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 229920000729 poly(L-lysine) polymer Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02601—Nanoparticles
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02603—Nanowires
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 나노 소재 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 나노 입자를 선택적으로 배열시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 나노 입자 배열 방법에 있어서, 기판 상의 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계; 및 상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막을 이용하여 상기 소정 극성과 반대 극성을 갖는 상기 나노 입자를 선택적으로 배열시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면 원하는 위치에 나노 입자를 선택적으로 배열함으로써 나노 소재를 형성할 수 있다. 이를 통해, 원하는 위치에 직접 나노와이어를 형성할 수 있으며, 글루층 사용으로 인한 화학적 오염을 방지할 수 있다.
나노와이어
Description
본 발명은 나노 소재 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 나노 입자를 선택적으로 배열시키는 나노 입자 배열 방법에 관한 것이다.
나노 소재는 전기적, 광학적, 기계적으로 우수한 특성을 갖기 때문에, 화학, 바이오, 공학 등의 다양한 분야에 적용되어 사용되고 있다. 특히, 나노 입자, 나노와이어(nanowire)는 고 집적도의 반도체 장치를 구현함에 있어 최적의 소재로 각광받고 있다.
종래기술은 나노 입자를 형성하는 방법에 있어서, 먼저 소정의 기판 상에 나노 입자 배열을 위한 글루층을 형성한다. 글루층은 나노 입자와 반대 극성을 갖는 화합물로 이루어지며, 예를 들어, 폴리-L-라이신(poly-L-lysine)으로 이루어진 화합물을 도포하여 형성한다. 이때, 폴리-L-라이신(poly-L-lysine)은 기판의 전면에 걸쳐 도포되며, (+) 극성을 나타낸다.
이어서, 글루층이 형성된 결과물에 나노 입자를 배열시킨다. 여기서, 나노 입자와 글루층은 반대 극성을 갖는 물질로 이루어지므로, 전기적 힘(electric force)에 의해 나노 입자가 글루층 상에 배열된다. 예를 들어, (+)극성을 나타내는 폴리-L-라이신(poly-L-lysine)으로 글루층을 형성한 경우, (-)극성을 나타내는 Au를 나노 입자로 사용한다.
이와 같은 종래 기술에 따르면, 글루층이 기판의 전면에 도포되기 때문에, 나노 입자 또한 기판의 전면에 배열된다. 즉, 원하는 위치에 선택적으로 나노 입자를 형성할 수 없다. 또한, 글루층으로 사용된 물질이 기판 상에 잔류하여 화학적 오염을 일으킨다.
또한, 글루층에 의해 배열된 나노 입자는 촉매 물질로서 나노와이어 형성에 이용될 수 있는데, 이와 같은 방법을 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 성장 방법이라 한다.
VLS 성장 방법은 글루층에 배열된 나노 입자 즉, 촉매 입자가 배열된 결과물을 나노와이어 형성을 위한 물질이 포함된 분위기에 노출시킴으로써, 나노와이어 형성을 위한 물질을 촉매 입자에 흡착시켜 나노와이어를 형성한다.
이와 같은 종래 기술에 따르면, 원하는 위치에 선택적으로 촉매 입자를 형성할 수 없기 때문에, 소정의 기판상에서 나노와이어를 형성한 후 원하는 위치로 나노와이어를 이동시켜야하는 문제점이 발생한다. 뿐만 아니라, 글루층으로 사용된 물질이 기판상에 잔류하여 화학적 오염을 일으키는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 원하는 위치에 촉매 입자를 선택적으로 배열하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 명세서의 도면, 발명의 상세한 설명 및 특허청구범위로부터 본 발명의 다른 목적 및 장점을 쉽게 인식할 수 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해 제안된 본 발명은 기판 상의 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계; 및 상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막을 이용하여 상기 소정 극성과 반대 극성을 갖는 상기 나노 입자를 선택적으로 배열시키는 단계를 포함하는 것을 일 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상의 나노와이어를 형성하고자 하는 위치에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계; 상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막을 이용하여 상기 소정 극성과 반대 극성을 갖는 촉매 입자를 선택적으로 배열시키는 단계; 및 상기 촉매 입자가 선택적으로 배열된 결과물을 나노와이어 형성을 위한 물질이 포함된 분위기에 노출시킴으로써, 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 다른 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상의 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 물질막을 형성하는 단계; 및 상기 물질막이 형성된 결과물을 열처리하여 선택적으로 배열된 나노 입자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 다른 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상의 나노 와이어를 형성하고자 하는 위치에 촉매물질막을 형성하는 단계; 상기 촉매물질막이 형성된 결과물을 열처리하여 선택적으로 배열된 촉매 입자를 형성하는 단계; 및 상기 촉매 입자가 선택적으로 배열된 결과물을 나노와이어 형성을 위한 물질이 포함된 분위기에 노출시킴으로써, 상기 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 다른 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 소정 극성을 갖는 도전막을 형성한 후, 상기 도전막과 반대 극성을 갖는 나노 입자를 배열함으로써, 나노 입자를 원하는 위치에 선택적으로 배열할 수 있다. 또한, 나노와이어를 형성하고자 하는 위치에 박막 형태의 물질막을 형성한 후, 열처리함으로써, 원하는 위치에 선택적으로 나노 입자를 배열할 수 있다.
특히, 선택적으로 배열된 나노 입자를 촉매 입자로 이용하여 나노 와이어를 형성함으로써, 원하는 위치에 직접 나노와이어를 형성할 수 있으며, 별도의 글루층 을 사용할 필요가 없으므로 글루층으로 인한 화학적 오염을 방지할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 가장 바람직한 실시예가 설명된다. 도면에 있어서, 두께와 간격은 설명의 편의를 위하여 과장될 수 있다. 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지와 무관한 공지의 구성은 생략될 수 있다. 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 입자 배열 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 절연막(110)을 형성한다. 여기서, 기판(100)은 실리콘 웨이퍼로 이루어지고, 절연막(110)은 산화막으로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 도전막(120)을 형성한다. 보다 상세하게는, 절연막(110)의 상부에 도전막(120)을 증착하고 증착된 도전막을 선택적으로 식각함으로써, 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에만 선택적으로 도전막(120)이 형성되도록 한다.
여기서, 도전막(120)은 후속 공정의 나노 입자 선택적 배열을 위한 것으로서, TaN, TiN, HfN, AlN, WN, Ta, Hf, Ni, W, Zr, Co, Pt, Mo 또는 Nb 중 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 도전막(120A)에 소정 극성의 전압을 인가한다. 이는 도전막(120A)이 후속 공정에 의해 배열되는 나노 입자와 반대 극성을 나타내도록 하기 위한 것으로, 직류(DC) 또는 교류(AC) 전압을 인가하거나 직류 전압과 교류 전압을 동시에 인가할 수 있다.
예를 들어, 도전막(120A)에 직류 전압을 인가하여, 도전막(120A)과 반대 극성을 나타내는 나노 입자를 전기적 힘(electric force)에 의해 도전막(120A) 상에 배열시킬 수 있다. 이때, 도전막(120A)에 0.01 내지 100V의 직류를 인가하는 것이 바람직하다.
또는, 도전막(120A)에 교류 전류를 인가하여, 도전막(120A)의 표면에 뭉쳐있는 나노 입자를 분산시킴으로써, 단일층으로 균일하게 배열된 나노 입자를 배열시킬 수 있다. 이때, 도전막(120A)에 0.01 내지 100V의 교류를 인가하는 것이 바람직하다.
또는, 직류 전압과 교류전압을 동시에 인가하여, 도전막(120A) 상에 나노 입자를 배열시킬 수 있으며, 이때 도전막(120A)에 0.01 내지 100V의 직류 및 교류를 동시에 인가하는 것이 바람직하다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 소정 극성을 갖는 도전막(120A)이 형성된 결과물에 나노 입자를 포함하는 물질(130)을 도포한다. 여기서, 나노 입자는 도전막(120A)과 반대 극성을 갖는 물질로 이루어지며, 도전막(120A)이 (+) 극성을 나타내는 경우, 나노 입자는 (-) 극성을 나타내는 물질을 이용한다.
여기서, 나노 입자는 Au, Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Ag, Pt 또는 Ga 중 하나로 이루어지는 것이 바람직하다. 특히, 나노 입자의 크기는 2 내지 500nm인 것이 바람직하며, 나노 입자를 포함하는 물질(130)은 탈이온수(deionized water)로 이루어진 액상인 것이 더욱 바람직하다.
도 1e에 도시된 바와 같이, 도전막(120A)과 반대의 극성을 갖는 나노 입자(130A)는 전기적 힘(electric force)에 의해 도전막(120A)이 형성된 위치에 선택적으로 배열된다. 여기서, 나노 입자(130A)를 포함하는 물질(130)이 액상인 경우에는, 액체를 제거하여 나노 입자(130A)만을 남긴다.
이로써, 별도의 글루층 사용 없이 나노 입자를 원하는 위치에 선택적으로 배열할 수 있으며, 이와 같이 선택적으로 배열된 나노 입자(130A)는 VLS 성장 방법에 있어서 나노와이어(nanowire) 성장을 위한 촉매 입자로 사용될 수 있다. 이하, 선택적으로 배열된 나노 입자(130A)를 촉매 입자로서 사용하는 VLS 방법에 대하여 상세히 살펴본다.
먼저, 전술한 나노 입자 배열 방법에 의해 촉매 입자를 원하는 위치에 선택적으로 배열시킨다. 이어서, 촉매 입자가 선택적으로 배열된 결과물을 나노와이어 형성을 위한 물질을 포함하는 분위기에 노출시킨다. 이때, 촉매 물질이 용융되어 나노와이어 형성을 위한 물질을 흡착함으로써, 나노와이어가 성장하게 된다. 따라서, 원하는 위치에서 직접 나노와이어를 성장시킬 수 있다.
여기서, 나노와이어 형성을 위한 물질은 Si, Ge 또는 Si와 Ge의 조합으로 이 루어질 수 있으며, SiH4, Si2H6, GeH4 등의 가스를 이용하여 나노와이어를 성장시킬 수 있다. 또는, Ni, NiSi, Cu, Au, Ag 또는 Ta와 같은 메탈로 나노와이어를 형성하여, 전극 사이를 연결하는 인터커넥션(interconnection) 등으로 이용할 수 있다.
여기서, 나노와이어의 성장 공정은 촉매 입자 및 나노와이어 형성을 위한 물질의 종류에 따라 적절한 온도에서 수행된다. 일반적으로, 온도가 증가할수록 나노와이어의 성장 속도가 증가하지만, 소정 온도 이상에서는 나노와이어의 길이보다 두께가 증가하게 된다. 따라서, 나노와이어 성장 공정은 200 내지 900℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
이와 같은 본 발명에 따르면, 도전막(120A)을 3차원적으로 형성함으로써 다양한 위치에 3차원적으로 나노와이어를 형성할 수 있다. 예를 들어, 돌출부의 표면에 도전막(120A)을 형성하여 촉매 입자를 배열함으로써 나노와이어를 형성하거나, 트렌치의 측벽을 따라 형성된 도전막(120A)에 촉매 입자를 배열함으로써 3차원 구조를 갖는 나노와이어를 형성할 수 있다.
도 2a 및 도2b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 입자 배열 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(200) 상에 절연막(210)을 형성한다. 여기서, 기판(200)은 실리콘 웨이퍼로 이루어지고, 절연막(210)은 산화막으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이어서, 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 물질막(230)을 형성한다. 여기서, 물질막(230)은 Au, Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Ag, Pt 또는 Ga 중 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 물질막(230)이 형성된 결과물을 열처리한다. 열처리 과정을 통해 물질막(230)은 소정 극성을 나타내는 나노 입자(230A)를 형성한다. 예를 들어, Au, Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Ag, Pt 또는 Ga 중 하나로 이루어지는 물질막(230)을 가열하는 경우, (-) 극성을 나타내는 나노 입자(230A)가 형성된다.
이로써, 기판상의 원하는 위치에 선택적으로 배열된 나노 입자(230A)를 형성할 수 있으며, 이와 같이 선택적으로 배열된 나노 입자(230A)는 VLS 성장 방법에 있어서 나노와이어(nanowire) 성장을 위한 촉매 입자로 사용될 수 있다. 이하, 선택적으로 배열된 나노 입자(230A)를 촉매 입자로서 사용하는 VLS 방법에 대하여 상세히 살펴본다.
먼저, 전술한 나노 입자 배열 방법에 의해 촉매 입자를 원하는 위치에 선택적으로 배열시킨다. 이어서, 촉매 입자가 선택적으로 배열된 결과물을 나노와이어 형성을 위한 물질을 포함하는 분위기에 노출시킨다. 이때, 촉매 물질이 용융되어 나노와이어 형성을 위한 물질을 흡착함으로써, 나노와이어가 성장하게 된다. 따라서, 원하는 위치에서 직접 나노와이어를 성장시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 나노와이어 성장 공정은 200 내지 900℃에서 수행되는 것이 바람직하며, 나노와이어 형성을 위한 물질은 Si, Ge 또는 Si와 Ge의 조합 중 하나로 이루어질 수 있다. 또한, Ni, NiSi, Cu, Au, Ag 또는 Ta와 같은 메탈로 나노 와이어를 형성하여, 전극 사이를 연결하는 인터커넥션(interconnection) 등으로 이용할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예들에 따라 구체적으로 기록되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제1 실시예에 의한 나노와이어 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제2 실시예에 의한 나노와이어 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명]
100: 기판, 110: 절연막, 120: 도전막, 120A: 극성을 나타내는 도전막, 130: 촉매 입자를 포함하는 물질, 130A: 촉매 입자, 200: 기판, 210: 절연막, 230: 촉매 입자를 포함하는 물질, 230A: 촉매 입자
Claims (17)
- 기판 상의 나노 입자를 배열하고자 하는 위치에 도전막을 형성하는 단계;상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계; 및상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막을 이용하여 상기 소정 극성과 반대 극성을 갖는 상기 나노 입자를 선택적으로 배열시키는 단계를 포함하는 나노 입자 배열 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전막은,TaN, TiN, HfN, AlN, WN, Ta, Hf, Ni, W, Zr, Co, Pt, Mo 또는 Nb 중 하나로 이루어지는나노 입자 배열 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 나노 입자의 선택적 배열 단계는,상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막의 상부에, 상기 나노 입자를 포함하는 액상(liquid)을 도포하는나노 입자 배열 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 액상은탈이온수로 이루어지는나노 입자 배열 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 나노 입자는,Au, Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Ag, Pt 또는 Ga 중 하나로 이루어지는나노 입자 배열 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 나노 입자는,2 내지 500nm의 크기를 갖는나노 입자 배열 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계는,직류 전압, 교류 전압 또는 직류 전압과 교류 전압을 동시에 인가하는나노 입자 배열 방법.
- 기판 상의 나노와이어를 형성하고자 하는 위치에 도전막을 형성하는 단계;상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계;상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막을 이용하여 상기 소정 극성과 반대 극성을 갖는 촉매 입자를 선택적으로 배열시키는 단계; 및상기 촉매 입자가 선택적으로 배열된 결과물을 나노와이어 형성을 위한 물질이 포함된 분위기에 노출시킴으로써, 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 나노와이어 성장 단계는,상기 나노와이어 형성을 위한 물질이 상기 촉매 입자에 흡착됨으로써 나노와이어를 성장시키는나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 나노와이어 성장 단계는,200 내지 900℃에서 수행되는나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 나노와이어 형성을 위한 물질은,Si, Ge, Si/Ge, Ni, NiSi, Cu, Au, Ag 또는 Ta 중 하나로 이루어지는나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 도전막은,TaN, TiN, HfN, AlN, WN, Ta, Hf, Ni, W, Zr, Co, Pt, Mo 또는 Nb 중 하나로 이루어지는나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 촉매 입자의 선택적 배열 단계는,상기 소정 극성의 전압이 인가된 도전막의 상부에, 상기 촉매 입자를 포함하는 액상(liquid)을 도포하는나노와이어 형성 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 액상은탈이온수로 이루어지는나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 촉매 입자는,Au, Al, Ti, Fe, Ni, Cu, Ag, Pt 또는 Ga 중 하나로 이루어지는나노와이어 형성 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 촉매 입자는,2 내지 500nm의 크기를 갖는나노와이어 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 도전막에 소정 극성의 전압을 인가하는 단계는,직류 전압, 교류 전압 또는 직류 전압과 교류 전압을 동시에 인가하는나노와이어 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020080040689A KR101001150B1 (ko) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 나노 소재 형성 방법 |
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| KR1020080040689A KR101001150B1 (ko) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 나노 소재 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090114838A KR20090114838A (ko) | 2009-11-04 |
| KR101001150B1 true KR101001150B1 (ko) | 2010-12-15 |
Family
ID=41556037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080040689A KR101001150B1 (ko) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 나노 소재 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101001150B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11200090A (ja) | 1997-11-12 | 1999-07-27 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (1)
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|---|---|
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