KR20050006634A - 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자의 제조 방법및 나노 전자소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 실리콘(Si) 기판 상부에 형성된 전극사이에 연결된 나노선 상부에 원자층 증착방법을 사용하여 균일하게 산화물을 코팅하여 실린더 형태의 게이트 물질을 형성하는 과정; 및상기 산화물이 코팅된 반도체 나노선 상부에 금속을 증착시켜 게이트를 형성하는 과정;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노선은,Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자의 제조 방법.
- 실리콘(Si) 기판 상부에 형성된 전극사이에 연결된 탄소나노튜브(CNT) 상부에 원자층 증착방법을 사용하여 균일하게 산화물을 코팅하여 실린더 형태의 게이트 물질을 형성하는 과정; 및상기 산화물이 코팅된 탄소나노튜브(CNT) 상부에 금속을 증착시켜 게이트를형성하는 과정;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자의 제조 방법.
- 실리콘(Si) 기판 상부에 형성된 전극사이에 연결된 유기튜브 상부에 원자층 증착방법을 사용하여 균일하게 산화물을 코팅하여 실린더 형태의 게이트 물질을 형성하는 과정; 및상기 산화물이 코팅된 유기튜브 상부에 금속을 증착시켜 게이트를 형성하는 과정;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 산화막은,Al2O3, TiO2, HfO2, ZrO2, ZnO, SiO2, Ta2O3중 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자의 제조 방법.
- 원자층 증착방법에 의해 산화물이 상부에 균일하게 코팅되어 실린더 형태를 이루며, 상기 복수의 전극을 상호 연결시키는 반도체 나노선과,상기 산화물이 코팅된 반도체 나노선 상부에 금속을 증착시켜 형성된 게이트,로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노선은,Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자.
- 원자층 증착방법에 의해 산화물이 상부에 균일하게 코팅되어 실린더 형태를 이루며, 상기 복수의 전극을 상호 연결시키는 탄소나노튜브(CNT)와,상기 산화물이 코팅된 탄소나노튜브(CNT) 상부에 금속을 증착시켜 형성된 게이트,로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자.
- 원자층 증착방법에 의해 산화물이 상부에 균일하게 코팅되어 실린더 형태를 이루며, 상기 복수의 전극을 상호 연결시키는 유기튜브와,상기 산화물이 코팅된 유기튜브 상부에 금속을 증착시켜 형성된 게이트,로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자.
- 제 6 항 또는 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 산화막은,Al2O3, TiO2, HfO2, ZrO2, ZnO, SiO2, Ta2O3중 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 실린더 형태의 게이트를 갖는 나노 전자소자.
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